JP2008270776A - Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board - Google Patents

Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP2008270776A
JP2008270776A JP2008072679A JP2008072679A JP2008270776A JP 2008270776 A JP2008270776 A JP 2008270776A JP 2008072679 A JP2008072679 A JP 2008072679A JP 2008072679 A JP2008072679 A JP 2008072679A JP 2008270776 A JP2008270776 A JP 2008270776A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
capacitor
main surface
wiring board
resin coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008072679A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Origuchi
誠 折口
Hajime Saiki
一 斉木
Kazuo Kimura
賀津雄 木村
Kozo Yamazaki
耕三 山崎
Kenji Suzuki
健二 鈴木
Chy Narith
ナーリット チー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2008072679A priority Critical patent/JP2008270776A/en
Publication of JP2008270776A publication Critical patent/JP2008270776A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable wiring board having built-in components. <P>SOLUTION: The wiring board 10 has a core substrate 11, a ceramic capacitor 101, and a wiring laminated section 31. On the core substrate 11, a storage hole section 90 is formed. The ceramic capacitor 101 has a resin coating layer 151 coating a capacitor main surface 102 and a capacitor side 106. One portion 33a of an interlayer insulation layer 33 composing the wiring laminated section 31 fills up a clearance between an inner-wall surface 91 of the storage hole section 90 and the surface of the resin coating layer 151 coating the capacitor side 106 to fix the ceramic capacitor 101 onto the core substrate 11, thus reducing the clearance between the storage hole section 90 and the ceramic capacitor 101. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、コア基板の表面に配線積層部を形成した構造であって、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板及びその製造方法、その部品内蔵配線基板に用いられる配線基板内蔵用コンデンサに関するものである。   The present invention has a structure in which a wiring laminated portion is formed on the surface of a core substrate, and includes a component built-in wiring substrate in which components such as capacitors are accommodated, a manufacturing method thereof, and a wiring substrate used for the component built-in wiring substrate It relates to a built-in capacitor.

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子(ICチップ)は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にICチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ICチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ICチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はICチップをICチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するICチップ搭載用配線基板においては、ICチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ(「キャパシタ」とも言う)を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, semiconductor integrated circuit elements (IC chips) used as computer microprocessors and the like have become increasingly faster and more functional, with an accompanying increase in the number of terminals and a tendency to narrow the pitch between terminals. . In general, a large number of terminals are densely arranged on the bottom surface of an IC chip, and such a terminal group is connected to a terminal group on the motherboard side in the form of a flip chip. However, it is difficult to connect the IC chip directly on the mother board because there is a large difference in the pitch between the terminals on the IC chip side terminal group and the mother board side terminal group. For this reason, a method is generally employed in which a package is prepared by mounting an IC chip on an IC chip mounting wiring board, and the package is mounted on a motherboard. In a wiring board for mounting an IC chip constituting this type of package, it has been proposed to provide a capacitor (also referred to as a “capacitor”) in order to reduce switching noise of the IC chip and stabilize the power supply voltage. . As an example, a wiring board in which a chip-like capacitor is embedded in a core substrate made of a polymer material and a buildup layer is formed on the front surface and the back surface of the core substrate has been conventionally proposed (for example, see Patent Document 1). ).

上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面201及びコア裏面202の両方にて開口する収容穴部203を有する高分子材料製のコア基板204を準備する(図22参照)。併せて、コンデンサ主面205及びコンデンサ裏面206にそれぞれ複数の表層電極207を突設したコンデンサ208(図23,図24参照)を準備する。次に、コア裏面202側に粘着テープ209を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部203のコア裏面202側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部203内にコンデンサ208を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面206を粘着テープ209の粘着面に貼り付けて仮固定する(図23参照)。次に、収容穴部203の内壁面とコンデンサ208の側面との隙間A1を、コア主面201に接する樹脂絶縁層210の一部で埋める固定工程を行い、コンデンサ208を固定する(図24参照)。この後、コア基板204のコア主面201及びコア裏面202に対して、高分子材料を主体とする樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
特開2005−39243号公報(図4など参照)
One example of the conventional method for manufacturing a wiring board will be described below. First, a core substrate 204 made of a polymer material having an accommodation hole 203 that opens on both the core main surface 201 and the core back surface 202 is prepared (see FIG. 22). In addition, a capacitor 208 (see FIGS. 23 and 24) is prepared in which a plurality of surface layer electrodes 207 project from the capacitor main surface 205 and the capacitor back surface 206, respectively. Next, a taping step of attaching the adhesive tape 209 to the core back surface 202 side is performed, and the opening of the housing hole 203 on the core back surface 202 side is sealed in advance. And the accommodation process which accommodates the capacitor | condenser 208 in the accommodation hole part 203 is performed, the capacitor | condenser back surface 206 is affixed on the adhesive surface of the adhesive tape 209, and is temporarily fixed (refer FIG. 23). Next, a fixing step of filling the gap A1 between the inner wall surface of the accommodation hole 203 and the side surface of the capacitor 208 with a part of the resin insulating layer 210 in contact with the core main surface 201 is performed to fix the capacitor 208 (see FIG. 24). ). Thereafter, a buildup layer is formed by alternately forming a resin insulating layer mainly composed of a polymer material and a conductor layer on the core main surface 201 and the core back surface 202 of the core substrate 204. As a result, a desired wiring board is obtained.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-39243 (see FIG. 4)

ところで、一般的な配線基板は、配線基板となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用配線基板を分割することによって得られるようになっている。しかし、多数個取り用配線基板によって得られる配線基板の数(取り数)が多くなると、収容穴部203の数も多くなるため、樹脂絶縁層210の一部で埋めるべき容積も増加する。よって、コア主面201上に樹脂絶縁層210を形成したとしても、樹脂絶縁層210の一部で隙間A1を十分に埋めることが困難になり、ボイドが生じやすい。ゆえに、ボイドを起点として、コンデンサ208とコア基板204(またはビルドアップ層)との間などにクラックが発生しやすくなり、配線基板の信頼性が低下する可能性がある。   By the way, a general wiring board is obtained by dividing a multi-piece wiring board having a structure in which a plurality of product regions to be wiring boards are arranged vertically and horizontally along a plane direction. However, when the number of wiring boards obtained by the multi-cavity wiring board (the number of wirings) is increased, the number of receiving holes 203 is also increased, so that the volume to be filled with a part of the resin insulating layer 210 is also increased. Therefore, even if the resin insulating layer 210 is formed on the core main surface 201, it becomes difficult to sufficiently fill the gap A1 with a part of the resin insulating layer 210, and voids are likely to occur. Therefore, cracks are likely to occur between the capacitor 208 and the core substrate 204 (or build-up layer) starting from the void, and the reliability of the wiring board may be reduced.

なお、隙間A1を完全に埋め尽くすためには、樹脂絶縁層210を厚くする必要がある。ところで近年では、配線基板の肉薄化が要求されているが、樹脂絶縁層210を厚くすると配線基板の肉厚化につながるため好ましくない。また、ビルドアップ層の形成時において、樹脂絶縁層210には、同樹脂絶縁層210を貫通してコンデンサ主面205に突設された表層電極207を露出させるビア孔がレーザーによって形成される。しかし、上記のように樹脂絶縁層210を厚くすると、ビア孔を形成する際のレーザーの出力調整が困難になるため、表層電極207を露出させることができない可能性がある。この場合、ビア孔内にビア導体を形成したとしても、コンデンサ208とビルドアップ層とを電気的に接続できず、配線基板の信頼性が低下してしまう。   In order to completely fill the gap A1, the resin insulating layer 210 needs to be thickened. In recent years, thinning of the wiring board has been demanded. However, increasing the thickness of the resin insulating layer 210 is not preferable because it leads to thickening of the wiring board. Further, when forming the buildup layer, via holes are formed in the resin insulating layer 210 by laser to expose the surface layer electrodes 207 projecting from the capacitor main surface 205 through the resin insulating layer 210. However, when the resin insulating layer 210 is thick as described above, it is difficult to adjust the laser output when forming the via hole, and thus the surface electrode 207 may not be exposed. In this case, even if the via conductor is formed in the via hole, the capacitor 208 and the buildup layer cannot be electrically connected, and the reliability of the wiring board is lowered.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、信頼性に優れた部品内蔵配線基板及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用コンデンサを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a component built-in wiring board excellent in reliability and a manufacturing method thereof. Another object of the present invention is to provide a wiring board built-in capacitor suitable for the component built-in wiring board.

そして上記課題を解決するための手段(手段1)としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されていることを特徴とする部品内蔵配線基板がある。   As means for solving the above problems (means 1), a core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface, a component main surface, and a component back surface And a resin coating layer that covers at least the component side surface, the core main surface and the component main surface are directed to the same side, and the inner wall surface of the receiving hole and the component side surface A component laminated in the accommodating hole, and a wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface, The component is fixed by filling a gap between an inner wall surface of the housing hole and a surface of the resin coating layer covering the side surface of the component with a part of an interlayer insulating layer in contact with the core main surface. There is a wiring board with built-in components.

従って、手段1の部品内蔵配線基板によると、部品を樹脂被覆層で覆うことにより、収容穴部と部品との間に生じる隙間が小さくなるため、収容穴部と部品との間に多量の層間絶縁層を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面に接する層間絶縁層を厚くしなくても、層間絶縁層の一部で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイドの発生等を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。   Therefore, according to the component built-in wiring board of means 1, since the gap formed between the housing hole and the component is reduced by covering the component with the resin coating layer, a large amount of interlayer is formed between the housing hole and the component. It is not necessary to fill the insulating layer. As a result, the gap can be sufficiently filled with a portion of the interlayer insulating layer without increasing the thickness of the interlayer insulating layer in contact with the main surface of the core, so that generation of voids and the like can be prevented. Therefore, a component built-in wiring board having excellent reliability can be obtained.

上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。また、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよい。   The core substrate constituting the component-embedded wiring substrate is formed in a plate shape having, for example, a core main surface and a core back surface located on the opposite side, and has an accommodation hole for accommodating the component. The accommodation hole may be a non-through hole that opens only on the core main surface side, or may be a through hole that opens on both the core main surface side and the core back surface side. In addition, the component may be housed in the housing hole in a completely embedded state, or may be housed in the housing hole in a state in which a part protrudes from the opening of the housing hole.

コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。   A material for forming the core substrate is not particularly limited, but a preferable core substrate is mainly formed of a polymer material. Specific examples of the polymer material for forming the core substrate include, for example, EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleimide / triazine resin), PPE resin (polyphenylene ether resin), etc. There is. In addition, composite materials of these resins and glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or organic fibers such as polyamide fibers may be used.

上記部品内蔵配線基板を構成する部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、収容穴部内に部品を収容した際に、収容穴部の内壁面と部品側面との距離が小さくなるため、部品側面を覆う樹脂被覆層をそれ程厚くしなくても済む。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。   The components constituting the component-embedded wiring board have a component main surface, a component back surface, and a component side surface. The shape of the component can be arbitrarily set. For example, it is preferable that the component has a plate shape in which the area of the component main surface is larger than the area of the component side surface. In this way, when the component is accommodated in the accommodation hole, the distance between the inner wall surface of the accommodation hole and the side surface of the component is reduced, so that the resin coating layer covering the side surface of the component does not need to be so thick. Further, the shape of the component in plan view is preferably a polygonal shape in plan view having a plurality of sides. Examples of the polygonal shape in a plan view include a substantially rectangular shape in a plan view, a substantially triangular shape in a plan view, and a substantially hexagonal shape in a plan view, and in particular, a generally rectangular shape in a plan view. It is preferable. Here, the “substantially rectangular shape in plan view” does not mean only a complete rectangular shape in plan view but also includes a shape with chamfered corners and a shape in which a part of the side is curved. .

なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子(ICチップ)、半導体製造プロセスで製造されたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。   Suitable components include a capacitor, a semiconductor integrated circuit element (IC chip), a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) element manufactured by a semiconductor manufacturing process, and the like. Here, “semiconductor integrated circuit element” refers to an element mainly used as a microprocessor of a computer or the like.

また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記部品主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。   Examples of suitable capacitors include a chip capacitor and a structure in which a plurality of internal electrode layers are stacked via a dielectric layer, and a plurality of vias in the capacitor connected to the plurality of internal electrode layers. Examples thereof include a capacitor having a conductor and a plurality of surface layer electrodes connected to at least an end portion on the component main surface side of the plurality of via conductors in the capacitor. The capacitor is preferably a via array type capacitor in which the plurality of capacitor via conductors are arranged in an array as a whole. With such a structure, the inductance of the capacitor can be reduced, and high-speed power supply for noise absorption and power supply fluctuation smoothing can be performed. In addition, it is easy to reduce the size of the entire capacitor, and it is also easy to reduce the size of the entire component-embedded wiring board. Moreover, a high electrostatic capacity is easily achieved for a small amount, and a more stable power supply can be achieved.

コンデンサを構成する前記誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂(PTFE)などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。   Examples of the dielectric layer constituting the capacitor include a ceramic dielectric layer, a resin dielectric layer, and a dielectric layer made of a ceramic-resin composite material. As the ceramic dielectric layer, a sintered body of a high-temperature fired ceramic such as alumina, aluminum nitride, boron nitride, silicon carbide, silicon nitride, or the like is preferably used, and for borosilicate glass or lead borosilicate glass. A sintered body of low-temperature fired ceramic such as glass ceramic to which an inorganic ceramic filler such as alumina is added is preferably used. In this case, it is also preferable to use a sintered body of a dielectric ceramic such as barium titanate, lead titanate, or strontium titanate depending on the application. When a dielectric ceramic sintered body is used, a capacitor having a large capacitance can be easily realized. Further, as the resin dielectric layer, an epoxy resin, a resin such as tetrafluoroethylene resin (PTFE) containing an adhesive is preferably used. Furthermore, as the dielectric layer made of the ceramic-resin composite material, barium titanate, lead titanate, strontium titanate or the like is preferably used as the ceramic, and as the resin material, epoxy resin, phenol resin, urethane resin, Thermosetting resins such as silicone resin, polyimide resin, unsaturated polyester, thermoplastic resin such as polycarbonate resin, acrylic resin, polyacetal resin, polypropylene resin, and latex such as nitrile butadiene rubber, styrene butadiene rubber, and fluoro rubber are suitable. Used for.

前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表層電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック(例えばアルミナ等)からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック(例えばガラスセラミック等)からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅(Cu)または銀(Ag)等やそれらの合金が選択可能である。   The internal electrode layer, the capacitor via conductor, and the surface electrode are not particularly limited. For example, when the dielectric layer is a ceramic dielectric layer, it is preferably a metallized conductor. The metallized conductor is formed by applying a conductive paste containing metal powder by a conventionally well-known method, for example, a metallized printing method, followed by baking. When the metallized conductor and the ceramic dielectric layer are formed by the co-firing method, the metal powder in the metallized conductor needs to have a melting point higher than the firing temperature of the ceramic dielectric layer. For example, when the ceramic dielectric layer is made of a so-called high-temperature fired ceramic (for example, alumina or the like), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), or the like is used as the metal powder in the metallized conductor. And their alloys can be selected. When the ceramic dielectric layer is made of a so-called low-temperature fired ceramic (for example, glass ceramic), copper (Cu) or silver (Ag) or an alloy thereof can be selected as the metal powder in the metallized conductor.

前記部品を構成する樹脂被覆層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂被覆層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂にガラスフィラーを添加した材料等を使用してもよい。   The resin coating layer constituting the component can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferred examples of the polymer material for forming the resin coating layer include thermosetting resins such as epoxy resins, phenol resins, urethane resins, silicone resins, polyimide resins, polycarbonate resins, acrylic resins, polyacetal resins, polypropylene resins, etc. And other thermoplastic resins. In addition, a material obtained by adding a glass filler to these resins may be used.

ここで、樹脂被覆層の厚さは、例えば200μm以上800μm以下であることが好ましく、特には500μm程度であることが好ましい。仮に、樹脂被覆層の厚さが200μm未満であると、収容穴部と部品との間に生じる隙間があまり小さくならないため、収容穴部と部品との間に多量の層間絶縁層を充填しなければならなくなる。一方、樹脂被覆層の厚さが800μmよりも大きいと、部品が大きくなりすぎるため、収容穴部内に部品を収容できなくなる可能性がある。   Here, the thickness of the resin coating layer is preferably, for example, 200 μm or more and 800 μm or less, and particularly preferably about 500 μm. If the thickness of the resin coating layer is less than 200 μm, the gap generated between the housing hole and the part does not become so small, so a large amount of interlayer insulation layer must be filled between the housing hole and the part. I will have to. On the other hand, when the thickness of the resin coating layer is larger than 800 μm, the component becomes too large, and there is a possibility that the component cannot be accommodated in the accommodation hole.

なお、前記樹脂被覆層は、少なくとも部品側面を覆っている。ここで、前記部品が例えば平面視略矩形状である場合、即ち、部品側面が4つ存在する場合、前記樹脂被覆層は、1つの部品側面のみを覆っていてもよいし、2つ以上の部品側面を覆っていてもよい。また、前記樹脂被覆層は、前記部品側面のみを覆っていてもよいし、前記部品主面及び前記部品側面のみを覆う一方、前記部品裏面を覆わなくてもよいし、前記部品裏面及び前記部品側面を覆う一方、前記部品主面を覆わなくてもよいし、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面の全てを覆っていてもよい。特に、前記樹脂被覆層は、前記部品主面及び前記部品側面を覆う一方、前記部品裏面を覆わないことが好ましい。仮に、樹脂被覆層によって覆われる面が部品側面のみであると、収容穴部と部品との間に生じる空間(隙間)があまり小さくならないため、収容穴部内に充填される層間絶縁層の量が増大してしまう。一方、樹脂被覆層が部品裏面までも覆ってしまうと、上記の空間は小さくなるものの、樹脂被覆層を硬化状態にしておかないと部品が動いてしまうおそれがある。   The resin coating layer covers at least the side of the component. Here, when the component has, for example, a substantially rectangular shape in plan view, that is, when there are four component side surfaces, the resin coating layer may cover only one component side surface, or two or more The side of the part may be covered. In addition, the resin coating layer may cover only the component side surface, or may cover only the component main surface and the component side surface, while not covering the component back surface, or the component back surface and the component. While covering the side surface, the component main surface may not be covered, or all of the component main surface, the component back surface, and the component side surface may be covered. In particular, the resin coating layer preferably covers the component main surface and the component side surface, but does not cover the component back surface. If the surface covered by the resin coating layer is only the side surface of the component, the space (gap) generated between the housing hole and the component is not so small, so the amount of the interlayer insulating layer filled in the housing hole is small. It will increase. On the other hand, if the resin coating layer covers even the back surface of the component, the space described above becomes small, but the component may move unless the resin coating layer is set in a cured state.

ここで、部品主面を覆う樹脂被覆層の表面は、部品主面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品主面と平行でないと、部品主面に接する層間絶縁層の上面(層間絶縁層において部品主面とは反対側に位置する面)を平坦にすることが困難になる。同様に、部品裏面を覆う樹脂被覆層の表面も、部品裏面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品裏面と平行でないと、部品主面がコア主面に対して傾斜した状態となってしまい、部品主面に接する層間絶縁層の上面を平坦にすることが困難になる。また、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面は、部品側面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品側面と平行でないと、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面が収容穴部の内壁面に対して傾斜した状態となってしまい、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面と収容穴部の内壁面との隙間に層間絶縁層の一部を上手く充填できなくなる可能性がある。   Here, the surface of the resin coating layer covering the component main surface is preferably arranged in parallel with the component main surface. If it is not parallel to the component main surface, it is difficult to flatten the upper surface of the interlayer insulating layer in contact with the component main surface (the surface located on the side opposite to the component main surface in the interlayer insulating layer). Similarly, it is preferable that the surface of the resin coating layer covering the back surface of the component is also arranged in parallel with the back surface of the component. If it is not parallel to the component back surface, the component main surface is inclined with respect to the core main surface, making it difficult to flatten the upper surface of the interlayer insulating layer in contact with the component main surface. Moreover, it is preferable that the surface of the resin coating layer which covers a component side surface is arrange | positioned in parallel with a component side surface. If the surface of the resin coating layer covering the component side surface is not parallel to the side surface of the component, the surface of the resin coating layer covering the component side surface is inclined with respect to the inner wall surface of the housing hole portion. There is a possibility that a part of the interlayer insulating layer cannot be filled well in the gap with the inner wall surface.

なお、上記部品内蔵配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面及び前記部品主面上にのみ形成されるが、さらに前記コア裏面及び前記部品裏面上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面及び部品主面上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面及び部品裏面上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。   In addition, the wiring lamination part which comprises the said component built-in wiring board has the structure which laminated | stacked the interlayer insulation layer and conductor layer which mainly consist of polymer materials. In addition, although the wiring laminated portion is formed only on the core main surface and the component main surface, a laminated portion having the same structure as the wiring laminated portion may be formed on the core back surface and the component back surface. Good. With this configuration, an electric circuit can be formed not only in the wiring laminated portion formed on the core main surface and the component main surface, but also in the laminated portion formed on the core back surface and the component back surface. It is possible to further increase the functionality of the substrate.

層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。   The interlayer insulating layer can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferred examples of the polymer material for forming the interlayer insulating layer include thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, polyimide resin, polycarbonate resin, acrylic resin, polyacetal resin, polypropylene resin, etc. And other thermoplastic resins. In addition, composite materials of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabrics and glass nonwoven fabrics) and polyamide fibers, or three-dimensional network fluorine-based resin base materials such as continuous porous PTFE, epoxy resins, etc. A resin-resin composite material impregnated with a thermosetting resin may be used.

なお、前記層間絶縁層が熱硬化性樹脂である場合、前記樹脂被覆層も熱硬化性樹脂であることが好ましい。このようにすれば、加熱を行うだけで、層間絶縁層の形成と同時に、層間絶縁層と樹脂被覆層とを密着させて部品を固定することができる。これにより、部品の組み込み時の工程が簡略化されるため、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。   In addition, when the said interlayer insulation layer is a thermosetting resin, it is preferable that the said resin coating layer is also a thermosetting resin. If it does in this way, components can be fixed by making an interlayer insulation layer and a resin coating layer closely_contact | adhere simultaneously with formation of an interlayer insulation layer only by heating. This simplifies the process of assembling the components, so that the component built-in wiring board can be easily manufactured and the cost can be reduced.

また、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されていてもよいし、前記層間絶縁層とは異なる材料によって形成されていてもよいが、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されることが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層の形成に際して層間絶縁層とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。また、層間絶縁層の形成と同時に部品の固定が行われるため、部品の組み込み時の工程が簡略化される。よって、配線基板を容易に製造でき、この場合も低コスト化を図ることができる。さらに、層間絶縁層と樹脂被覆層とを一体化させやくなるため、部品をより確実に固定することができる。   The resin coating layer may be formed of the same material as the interlayer insulating layer, or may be formed of a material different from the interlayer insulating layer, but is formed of the same material as the interlayer insulating layer. It is preferred that In this way, it is not necessary to prepare a material different from the interlayer insulating layer when forming the resin coating layer. Therefore, since the material necessary for manufacturing the wiring board is reduced, the cost of the wiring board can be reduced. In addition, since the components are fixed simultaneously with the formation of the interlayer insulating layer, the process for assembling the components is simplified. Therefore, the wiring board can be easily manufactured, and in this case, the cost can be reduced. Furthermore, since it becomes easy to integrate an interlayer insulation layer and a resin coating layer, components can be fixed more reliably.

さらに、上記部品内蔵配線基板が手段1の構成を有する場合、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ熱膨張係数を有する材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層と層間絶縁層との間に熱膨張係数差が生じにくくなるため、両者の間でのデラミネーションの発生を防止できる。ゆえに、部品内蔵配線基板の信頼性がよりいっそう高くなる。   Furthermore, when the component built-in wiring board has the configuration of means 1, the resin coating layer is preferably formed of a material having the same thermal expansion coefficient as that of the interlayer insulating layer. This makes it difficult for a difference in thermal expansion coefficient to occur between the resin coating layer and the interlayer insulating layer, thereby preventing the occurrence of delamination between the two. Therefore, the reliability of the component built-in wiring board is further increased.

ここで、「熱膨張係数」とは、厚み方向(Z方向)に対して垂直な方向(XY方向)の熱膨張係数のことを意味し、0℃〜100℃の間のTMA(熱機械分析装置)にて測定した値のことをいう(以下、同じ)。「TMA」とは、熱機械的分析をいい、例えばJPCA−BU01に規定されるものをいう。   Here, the “thermal expansion coefficient” means a thermal expansion coefficient in a direction (XY direction) perpendicular to the thickness direction (Z direction), and TMA (thermomechanical analysis) between 0 ° C. and 100 ° C. Means the value measured in the apparatus) (hereinafter the same). “TMA” refers to thermomechanical analysis, such as that defined in JPCA-BU01.

また、本発明の課題を解決するための別の手段(手段2)としては、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、少なくとも前記コンデンサ側面が未硬化状態の樹脂被覆層によって覆われていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサがある。   Further, as another means (means 2) for solving the problems of the present invention, it has a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface, and a plurality of internal electrode layers are laminated via a dielectric layer. There is a wiring board built-in capacitor having a structure, wherein at least a side surface of the capacitor is covered with an uncured resin coating layer.

従って、手段2によると、上記手段1の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用コンデンサを提供することができる。   Therefore, according to the means 2, a wiring board built-in capacitor suitable for the component built-in wiring board of the means 1 can be provided.

また、樹脂被覆層が未硬化状態であるため、樹脂被覆層で覆った部品を収容穴部内に収容し、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に層間絶縁層の一部を充填する際に、樹脂被覆層が層間絶縁層に馴染んで接着されやすくなる。   In addition, since the resin coating layer is in an uncured state, the component covered with the resin coating layer is accommodated in the accommodation hole portion, and the interlayer insulating layer is interposed in the gap between the inner wall surface of the accommodation hole portion and the resin coating layer covering the side surface of the component. When filling a part, the resin coating layer becomes familiar with the interlayer insulating layer and is easily bonded.

なお、未硬化状態としては、全く硬化していない状態や、半硬化状態などが挙げられるが、半硬化状態(例えばBステージ)であることがよい。仮に、樹脂被覆層が全く硬化していないと、樹脂被覆層に覆われた部品の取り扱いが困難になる。また、樹脂被覆層が変形しやすいため、樹脂被覆層に覆われた部品を収容穴部内に収容したとしても、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間を層間絶縁層の一部で十分に埋めるという本発明の目的を達成できなくなる可能性がある。   In addition, as an uncured state, the state which is not hardened at all, a semi-hardened state, etc. are mentioned, However, It is good in a semi-hardened state (for example, B stage). If the resin coating layer is not cured at all, it becomes difficult to handle a component covered with the resin coating layer. Further, since the resin coating layer is easily deformed, even if a component covered with the resin coating layer is accommodated in the accommodation hole portion, the gap between the inner wall surface of the accommodation hole portion and the resin coating layer covering the side surface of the component is kept between the interlayer insulating layers. There is a possibility that the object of the present invention, which is sufficiently filled with a part of the area, cannot be achieved.

手段1の部品内蔵配線基板を製造するのに好適な方法(手段3)としては、上記手段1に記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記部品側面が樹脂被覆層によって覆われている部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。   A method (means 3) suitable for producing the component built-in wiring board of means 1 is the method for producing a component built-in wiring board according to means 1, wherein a core substrate preparing step of preparing the core board is provided. A component preparing step of preparing a component having at least a side surface of the component covered with a resin coating layer; and a housing step of housing the component in the housing hole of the core substrate after the core substrate preparing step and the component preparing step. And after the housing step, the interlayer insulating layer is laminated on the core main surface and the component main surface, and the core main body is interposed in a gap between the inner wall surface of the housing hole and the resin coating layer covering the component side surface. And a fixing step of fixing the component by curing the interlayer insulating layer in contact with the core main surface after filling a part of the interlayer insulating layer in contact with the surface. is there.

従って、手段3の製造方法によると、樹脂被覆層で覆った部品を収容穴部内に収容する収容工程を行うことにより、収容穴部と部品との間に生じる隙間が小さくなる。このため、固定工程において、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に多量の層間絶縁層を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面に接する層間絶縁層を厚くしなくても、層間絶縁層の一部で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイド等の発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。   Therefore, according to the manufacturing method of the means 3, the gap generated between the housing hole and the component is reduced by performing the housing process of housing the component covered with the resin coating layer in the housing hole. For this reason, in the fixing step, it is not necessary to fill a large amount of interlayer insulating layer in the gap between the inner wall surface of the accommodation hole and the resin coating layer covering the side surface of the component. As a result, it is possible to sufficiently fill the gap with a part of the interlayer insulating layer without increasing the thickness of the interlayer insulating layer in contact with the main surface of the core, thereby preventing generation of voids and the like. Therefore, a component built-in wiring board having excellent reliability can be obtained.

以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。   Hereinafter, a manufacturing method of the component built-in wiring board will be described.

部品準備工程では、手段1に記載の部品を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。なお、部品準備工程は、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を形成する樹脂被覆層形成工程を含んでいる。ここで、樹脂被覆層を形成する方法としては、樹脂を塗布することによって樹脂被覆層を形成する方法や、樹脂シートを貼付することによって樹脂被覆層を形成する方法などが挙げられる。なお、前記部品準備工程において準備される部品は、前記部品主面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われる一方、前記部品裏面が前記樹脂被覆層によって覆われていなくてもよいし、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われており、前記樹脂被覆層が硬化状態であってもよい。   In the component preparation step, the component described in the means 1 is prepared by a conventionally known method and prepared in advance. The component preparation step includes a resin coating layer forming step of forming at least a resin coating layer that covers the side surface of the component. Here, examples of the method for forming the resin coating layer include a method for forming the resin coating layer by applying a resin, a method for forming the resin coating layer by applying a resin sheet, and the like. The component prepared in the component preparation step is such that the component main surface and the component side surface are covered by the resin coating layer, while the component back surface is not covered by the resin coating layer, The component main surface, the component back surface, and the component side surface may be covered with the resin coating layer, and the resin coating layer may be in a cured state.

続く収容工程では、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する。続く固定工程では、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記部品を固定する。なお、樹脂被覆層が未硬化状態であれば、樹脂被覆層が層間絶縁層に馴染んで接着されやすくなり、部品が確実に固定される。その結果、部品内蔵配線基板が完成する。なお、層間絶縁層が熱硬化性樹脂である場合、樹脂を硬化する工程としては、未硬化状態の層間絶縁層を加熱することなどが挙げられる。   In the subsequent accommodating step, the component is accommodated in the accommodating hole of the core substrate. In the subsequent fixing step, the interlayer insulating layer is laminated on the core main surface and the component main surface, and the core main surface is formed in a gap between the inner wall surface of the housing hole and the resin coating layer covering the component side surface. After filling a part of the insulative interlayer insulating layer, the interlayer insulating layer in contact with the core main surface is cured to fix the component. If the resin coating layer is in an uncured state, the resin coating layer becomes easy to adhere to and adhere to the interlayer insulating layer, and the component is securely fixed. As a result, the component built-in wiring board is completed. When the interlayer insulating layer is a thermosetting resin, the step of curing the resin includes heating the uncured interlayer insulating layer.

以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment embodying a component built-in wiring board of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板(以下「配線基板」という)10は、ICチップ搭載用の配線基板である。配線基板10は、略矩形板状のコア基板11と、コア基板11のコア主面12(図1では上面)上に形成される第1ビルドアップ層31(配線積層部)と、コア基板11のコア裏面13(図1では下面)上に形成される第2ビルドアップ層32とからなる。   As shown in FIG. 1, a component built-in wiring board (hereinafter referred to as “wiring board”) 10 of this embodiment is a wiring board for mounting an IC chip. The wiring substrate 10 includes a substantially rectangular plate-shaped core substrate 11, a first buildup layer 31 (wiring laminated portion) formed on the core main surface 12 (upper surface in FIG. 1) of the core substrate 11, and the core substrate 11. The second buildup layer 32 is formed on the core back surface 13 (the lower surface in FIG. 1).

コア基板11のコア主面12上に形成された第1ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層33,35(いわゆる層間絶縁層)と、銅からなる導体層42とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層33,35の熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)となっている。なお、樹脂絶縁層33,35の熱膨張係数は、30℃〜ガラス転移温度(Tg)間の測定値の平均値をいう。また、第2層の樹脂絶縁層35の表面上における複数箇所には、端子パッド44がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、端子パッド44を露出させる開口部46が形成されている。端子パッド44の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。各はんだバンプ45は、矩形平板状をなすICチップ21の面接続端子22に電気的に接続されている。なお、各端子パッド44及び各はんだバンプ45からなる領域は、ICチップ21を搭載可能なICチップ搭載領域23である。ICチップ搭載領域23は、第1ビルドアップ層31の表面39に設定されている。また、樹脂絶縁層33,35内には、それぞれビア導体43,47が設けられている。これらのビア導体43,47は、導体層42及び端子パッド44を相互に電気的に接続している。   The first buildup layer 31 formed on the core main surface 12 of the core substrate 11 is composed of two resin insulating layers 33 and 35 (so-called interlayer insulating layer) made of thermosetting resin (epoxy resin) and copper. The conductive layers 42 are alternately laminated. In this embodiment, the thermal expansion coefficients of the resin insulating layers 33 and 35 are about 10 to 60 ppm / ° C. (specifically, about 20 ppm / ° C.). In addition, the thermal expansion coefficient of the resin insulating layers 33 and 35 means an average value of measured values between 30 ° C. and the glass transition temperature (Tg). In addition, terminal pads 44 are formed in an array at a plurality of locations on the surface of the second resin insulating layer 35. Further, the surface of the resin insulating layer 35 is almost entirely covered with a solder resist 37. An opening 46 for exposing the terminal pad 44 is formed at a predetermined position of the solder resist 37. A plurality of solder bumps 45 are provided on the surface of the terminal pad 44. Each solder bump 45 is electrically connected to the surface connection terminal 22 of the IC chip 21 having a rectangular flat plate shape. Note that an area including the terminal pads 44 and the solder bumps 45 is an IC chip mounting area 23 on which the IC chip 21 can be mounted. The IC chip mounting area 23 is set on the surface 39 of the first buildup layer 31. Further, via conductors 43 and 47 are provided in the resin insulation layers 33 and 35, respectively. These via conductors 43 and 47 electrically connect the conductor layer 42 and the terminal pad 44 to each other.

図1に示されるように、コア基板11のコア裏面13上に形成された第2ビルドアップ層32は、上述した第1ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、第2ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層34,36と、導体層42とを交互に積層した構造を有しており、樹脂絶縁層34,36の熱膨張係数が10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)となっている。第2層の樹脂絶縁層36の下面上における複数箇所には、ビア導体43を介して導体層42に電気的に接続されるBGA用パッド48が格子状に形成されている。また、樹脂絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部40が形成されている。BGA用パッド48の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ49が配設されている。そして、各はんだバンプ49により、図1に示される配線基板10は図示しないマザーボード上に実装される。   As shown in FIG. 1, the second buildup layer 32 formed on the core back surface 13 of the core substrate 11 has substantially the same structure as the first buildup layer 31 described above. That is, the second buildup layer 32 has a structure in which two resin insulation layers 34 and 36 made of a thermosetting resin (epoxy resin) and a conductor layer 42 are alternately laminated. The thermal expansion coefficients of 34 and 36 are about 10 to 60 ppm / ° C. (specifically, about 20 ppm / ° C.). BGA pads 48 that are electrically connected to the conductor layer 42 via via conductors 43 are formed in a lattice pattern at a plurality of locations on the lower surface of the second resin insulating layer 36. The lower surface of the resin insulating layer 36 is almost entirely covered with a solder resist 38. An opening 40 for exposing the BGA pad 48 is formed at a predetermined portion of the solder resist 38. On the surface of the BGA pad 48, a plurality of solder bumps 49 are provided for electrical connection with a mother board (not shown). The wiring board 10 shown in FIG. 1 is mounted on a mother board (not shown) by each solder bump 49.

図1に示されるように、本実施形態のコア基板11は、縦25mm×横25mm×厚さ1.0mmの平面視略矩形板状である。コア基板11は、平面方向(XY方向)における熱膨張係数が10〜30ppm/℃程度(具体的には18ppm/℃)となっている。なお、コア基板11の熱膨張係数は、0℃〜ガラス転移温度(Tg)間の測定値の平均値をいう。コア基板11は、ガラスエポキシからなる基材161と、基材161の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材164と、同じく基材161の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層163とによって構成されている。また、コア基板11には、複数のスルーホール導体16がコア主面12、コア裏面13及び導体層163を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体16は、コア基板11のコア主面12側とコア裏面13側とを接続導通するとともに、導体層163に電気的に接続している。なお、スルーホール導体16の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体17で埋められている。スルーホール導体16の上端は、樹脂絶縁層33の表面上にある導体層42の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体16の下端は、樹脂絶縁層34の下面上にある導体層42の一部に電気的に接続されている。また、コア基板11のコア主面12及びコア裏面13には、銅からなる導体層41がパターン形成されており、各導体層41は、スルーホール導体16に電気的に接続されている。さらに、コア基板11は、コア主面12の中央部及びコア裏面13の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部90を1つ有している。即ち、収容穴部90は貫通穴である。   As shown in FIG. 1, the core substrate 11 of the present embodiment has a substantially rectangular plate shape in plan view of 25 mm long × 25 mm wide × 1.0 mm thick. The core substrate 11 has a thermal expansion coefficient in the plane direction (XY direction) of about 10 to 30 ppm / ° C. (specifically, 18 ppm / ° C.). In addition, the thermal expansion coefficient of the core board | substrate 11 says the average value of the measured value between 0 degreeC-glass transition temperature (Tg). The core substrate 11 includes a base material 161 made of glass epoxy, a sub-base material 164 formed on an upper surface and a lower surface of the base material 161 and made of an epoxy resin to which an inorganic filler such as silica filler is added, and an upper surface of the base material 161. And a conductor layer 163 made of copper and formed on the lower surface. In the core substrate 11, a plurality of through-hole conductors 16 are formed so as to penetrate the core main surface 12, the core back surface 13, and the conductor layer 163. The through-hole conductor 16 connects and conducts the core main surface 12 side and the core back surface 13 side of the core substrate 11 and is electrically connected to the conductor layer 163. The inside of the through-hole conductor 16 is filled with a closing body 17 such as an epoxy resin. The upper end of the through-hole conductor 16 is electrically connected to a part of the conductor layer 42 on the surface of the resin insulating layer 33, and the lower end of the through-hole conductor 16 is a conductor on the lower surface of the resin insulating layer 34. A part of the layer 42 is electrically connected. Further, a conductor layer 41 made of copper is patterned on the core main surface 12 and the core back surface 13 of the core substrate 11, and each conductor layer 41 is electrically connected to the through-hole conductor 16. Furthermore, the core substrate 11 has one rectangular accommodation hole 90 in a plan view that opens at the center of the core main surface 12 and the center of the core back surface 13. That is, the accommodation hole 90 is a through hole.

そして、収容穴部90内には、図2〜図4等に示す配線基板内蔵用コンデンサであるセラミックコンデンサ101(部品)が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ101は、コンデンサ主面102をコア基板11のコア主面12と同じ側に向け、かつ、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106とを対峙させた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ101は、縦10.0mm×横10.0mm×厚さ0.8mmの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ101は、コア基板11においてICチップ搭載領域23の真下の領域に配置されている。なお、ICチップ搭載領域23の面積(ICチップ21において面接続端子22が形成される面の面積)は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ101の厚さ方向から見た場合、ICチップ搭載領域23は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102内に位置している。   And in the accommodation hole part 90, the ceramic capacitor 101 (component) which is a capacitor | condenser for wiring board shown in FIGS. 2-4 etc. is accommodated in the embedded state. The ceramic capacitor 101 is accommodated with the capacitor main surface 102 facing the same side as the core main surface 12 of the core substrate 11 and the inner wall surface 91 of the accommodation hole 90 and the capacitor side surface 106 facing each other. Yes. The ceramic capacitor 101 of the present embodiment has a substantially rectangular plate shape in plan view with a length of 10.0 mm × width of 10.0 mm × thickness of 0.8 mm. The ceramic capacitor 101 is arranged in a region immediately below the IC chip mounting region 23 in the core substrate 11. The area of the IC chip mounting region 23 (the area of the surface on which the surface connection terminals 22 are formed in the IC chip 21) is set to be smaller than the area of the capacitor main surface 102 of the ceramic capacitor 101. When viewed from the thickness direction of the ceramic capacitor 101, the IC chip mounting region 23 is located in the capacitor main surface 102 of the ceramic capacitor 101.

図1〜図4等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ101は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ101を構成するセラミック焼結体104は、部品主面である1つのコンデンサ主面102(図1では上面)、部品裏面である1つのコンデンサ裏面103(図1では下面)、及び、部品側面である4つのコンデンサ側面106を有する板状物である。本実施形態において、セラミック焼結体104の熱膨張係数は、15ppm/℃未満、具体的には12〜13ppm/℃程度となっている。なお、セラミック焼結体104の熱膨張係数は、30℃〜250℃間の測定値の平均値をいう。   As shown in FIGS. 1 to 4 and the like, the ceramic capacitor 101 of this embodiment is a so-called via array type capacitor. The ceramic sintered body 104 constituting the ceramic capacitor 101 includes one capacitor main surface 102 (upper surface in FIG. 1) as a component main surface, one capacitor back surface 103 (lower surface in FIG. 1) as a component back surface, and a component. A plate-like object having four capacitor side surfaces 106 as side surfaces. In this embodiment, the thermal expansion coefficient of the ceramic sintered body 104 is less than 15 ppm / ° C., specifically about 12 to 13 ppm / ° C. The thermal expansion coefficient of the ceramic sintered body 104 refers to an average value of measured values between 30 ° C. and 250 ° C.

セラミック焼結体104は、セラミック誘電体層105(誘電体層)を介して電源用内部電極層141(内部電極層)とグランド用内部電極層142(内部電極層)とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層105は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142間の誘電体(絶縁体)として機能する。電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体104の内部において一層おきに配置されている。   In the ceramic sintered body 104, the power supply internal electrode layer 141 (internal electrode layer) and the ground internal electrode layer 142 (internal electrode layer) are alternately stacked via the ceramic dielectric layer 105 (dielectric layer). It has a structure. The ceramic dielectric layer 105 is made of a sintered body of barium titanate, which is a kind of high dielectric constant ceramic, and functions as a dielectric (insulator) between the power internal electrode layer 141 and the ground internal electrode layer 142. To do. Each of the power supply internal electrode layer 141 and the ground internal electrode layer 142 is a layer formed mainly of nickel, and is disposed in every other layer in the ceramic sintered body 104.

図1〜図4に示されるように、セラミック焼結体104には、多数のビアホール130が形成されている。これらのビアホール130は、セラミック焼結体104をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体104の全面にわたって格子状(アレイ状)に配置されている。各ビアホール130内には、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体131,132が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体131は、各電源用内部電極層141を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、各グランド用内部電極層142を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体131及び各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体131,132を5列×5列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。   As shown in FIGS. 1 to 4, a large number of via holes 130 are formed in the ceramic sintered body 104. These via holes 130 penetrate the ceramic sintered body 104 in the thickness direction and are arranged in a lattice shape (array shape) over the entire surface of the ceramic sintered body 104. In each via hole 130, a plurality of in-capacitor via conductors 131 and 132 that communicate between the capacitor main surface 102 and the capacitor back surface 103 of the ceramic sintered body 104 are formed using nickel as a main material. Each power supply capacitor internal via conductor 131 passes through each power supply internal electrode layer 141 and electrically connects them to each other. Each ground capacitor via conductor 132 passes through each ground internal electrode layer 142 and electrically connects them to each other. Each power source capacitor via conductor 131 and each ground capacitor inner via conductor 132 are arranged in an array as a whole. In the present embodiment, for convenience of explanation, the via conductors 131 and 132 in the capacitor are illustrated in 5 columns × 5 columns, but there are actually more columns.

そして図2等に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102上には、複数の主面側電源用電極111(表層電極)と複数の主面側グランド用電極112(表層電極)とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極112は、コンデンサ主面102上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極111は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極112は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されている。   2 and the like, a plurality of main surface side power supply electrodes 111 (surface layer electrodes) and a plurality of main surface side ground electrodes 112 (surface layer electrodes) are formed on the capacitor main surface 102 of the ceramic sintered body 104. ) And protruding. Each main surface side ground electrode 112 is individually formed on the capacitor main surface 102, but may be formed integrally. The main surface side power supply electrode 111 is directly connected to the end surface of the plurality of power supply capacitor internal via conductors 131 on the capacitor main surface 102 side, and the main surface side ground electrode 112 is connected to the plurality of ground capacitor internal electrodes. The via conductor 132 is directly connected to the end surface on the capacitor main surface 102 side.

また、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103上には、複数の裏面側電源用電極121(表層電極)と複数の裏面側グランド用電極122(表層電極)とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極122は、コンデンサ裏面103上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極121は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極122は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極111,121は電源用コンデンサ内ビア導体131及び電源用内部電極層141に導通しており、グランド用電極112,122はグランド用コンデンサ内ビア導体132及びグランド用内部電極層142に導通している。   Further, on the capacitor back surface 103 of the ceramic sintered body 104, a plurality of back surface side power supply electrodes 121 (surface layer electrodes) and a plurality of back surface side ground electrodes 122 (surface layer electrodes) are projected. Each back surface side ground electrode 122 is individually formed on the capacitor back surface 103, but may be formed integrally. The back surface side power supply electrode 121 is directly connected to the end surface on the capacitor back surface 103 side of the plurality of power supply capacitor internal via conductors 131, and the back surface side ground electrode 122 is connected to the plurality of ground capacitor internal via conductors 132. Is directly connected to the end surface on the capacitor back surface 103 side. Therefore, the power supply electrodes 111 and 121 are electrically connected to the power supply capacitor internal via conductor 131 and the power supply internal electrode layer 141, and the ground electrodes 112 and 122 are connected to the ground capacitor internal via conductor 132 and the ground internal electrode layer 142. Is conducting.

そして図1に示されるように、コンデンサ主面102側にある電極111,112は、ビア導体47、導体層42、ビア導体43、端子パッド44、はんだバンプ45及びICチップ21の面接続端子22を介して、ICチップ21に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面103側にある電極121,122は、図示しないマザーボードが有する電極(接触子)に対して、ビア導体47、導体層42、ビア導体43、BGA用パッド48及びはんだバンプ49を介して電気的に接続される。   As shown in FIG. 1, the electrodes 111 and 112 on the capacitor main surface 102 side include the via conductor 47, the conductor layer 42, the via conductor 43, the terminal pad 44, the solder bump 45, and the surface connection terminal 22 of the IC chip 21. Is electrically connected to the IC chip 21 via On the other hand, the electrodes 121 and 122 on the capacitor back surface 103 side pass through via conductors 47, conductor layers 42, via conductors 43, BGA pads 48, and solder bumps 49 with respect to electrodes (contactors) of a mother board (not shown). Are electrically connected.

図2等に示されるように、電極111,112,121,122は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極111,112、121,122及びコンデンサ内ビア導体131,132は、ICチップ21の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極111,112,121,122の直径が約500μmに設定され、ピッチの最小長さが約580μmに設定されている。   As shown in FIG. 2 and the like, the electrodes 111, 112, 121, and 122 are made of nickel as a main material, and the surface is entirely covered with a copper plating layer (not shown). These electrodes 111, 112, 121, 122 and the via conductors 131, 132 in the capacitor are disposed immediately below the substantially central portion of the IC chip 21. In the present embodiment, the diameters of the electrodes 111, 112, 121, and 122 are set to about 500 μm, and the minimum pitch length is set to about 580 μm.

例えば、マザーボード側から電極121,122を介して通電を行い、電源用内部電極層141−グランド用内部電極層142間に電圧を加えると、電源用内部電極層141に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層142に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ101がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ101では、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。   For example, when energization is performed from the motherboard side via the electrodes 121 and 122 and a voltage is applied between the power supply internal electrode layer 141 and the ground internal electrode layer 142, for example, positive charges are accumulated in the power supply internal electrode layer 141. For example, negative charges accumulate in the ground internal electrode layer 142. As a result, the ceramic capacitor 101 functions as a capacitor. In the ceramic capacitor 101, the via-conductor 131 for power supply capacitor and the via-conductor 132 for ground capacitor are alternately arranged adjacent to each other, and the via-conductor 131 for power-supply capacitor and the via-conductor 132 for ground capacitor are connected to each other. The directions of the flowing currents are set to be opposite to each other. Thereby, the inductance component is reduced.

図1〜図4等に示されるように、前記セラミック焼結体104は樹脂被覆層151によって覆われている。具体的に言うと、樹脂被覆層151は、1つの前記コンデンサ主面102全体と、4つの前記コンデンサ側面106全体とを覆っている。一方、樹脂被覆層151は、前記コンデンサ裏面103を完全に覆っておらず、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122が露出した状態になっている。なお、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の厚さは500μmに設定されている。また、樹脂被覆層151は、前記樹脂絶縁層33と同じ材料(即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂)によって形成されている。これにより、樹脂被覆層151の熱膨張係数も、樹脂絶縁層33の熱膨張係数と同じ値となっており、具体的には、10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)に設定されている。また、樹脂被覆層151の熱膨張係数は、セラミック焼結体104の熱膨張係数よりも大きい値に設定されている。   As shown in FIGS. 1 to 4 and the like, the ceramic sintered body 104 is covered with a resin coating layer 151. Specifically, the resin coating layer 151 covers the entire capacitor main surface 102 and the entire four capacitor side surfaces 106. On the other hand, the resin coating layer 151 does not completely cover the capacitor back surface 103, and the back side power supply electrode 121 and the back side ground electrode 122 are exposed. The thickness of the resin coating layer 151 that covers the capacitor main surface 102 and the capacitor side surface 106 is set to 500 μm. The resin coating layer 151 is formed of the same material as the resin insulation layer 33 (that is, an epoxy resin that is a thermosetting resin). Thereby, the thermal expansion coefficient of the resin coating layer 151 is also the same value as the thermal expansion coefficient of the resin insulating layer 33, specifically, about 10 to 60 ppm / ° C. (specifically, about 20 ppm / ° C.). Is set to Further, the thermal expansion coefficient of the resin coating layer 151 is set to a value larger than the thermal expansion coefficient of the ceramic sintered body 104.

図1等に示されるように、前記収容穴部90の内壁面91と、セラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間は、前記コア主面12に接する前記樹脂絶縁層33の一部である樹脂充填部33aによって埋められている。この樹脂充填部33aは、セラミックコンデンサ101をコア基板11に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ101は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法0.55mm以上(本実施形態では面取り寸法0.6mm)の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う樹脂充填部33aの変形時において、セラミックコンデンサ101の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部33aのクラックの発生を防止できる。   As shown in FIG. 1 and the like, the gap between the inner wall surface 91 of the accommodation hole 90 and the surface of the resin coating layer 151 covering the capacitor side surface 106 of the ceramic capacitor 101 is the resin insulation that is in contact with the core main surface 12. It is filled with a resin filling portion 33 a which is a part of the layer 33. The resin filling portion 33 a has a function of fixing the ceramic capacitor 101 to the core substrate 11. The ceramic capacitor 101 has a substantially square shape in plan view, and has chamfered portions with chamfering dimensions of 0.55 mm or more (in this embodiment, chamfering dimensions of 0.6 mm) at the four corners. Thereby, when the resin filling portion 33a is deformed due to a temperature change, stress concentration on the corner portion of the ceramic capacitor 101 can be alleviated, so that the occurrence of cracks in the resin filling portion 33a can be prevented.

次に、本実施形態の配線基板10の製造方法について述べる。   Next, a method for manufacturing the wiring board 10 of this embodiment will be described.

コア基板準備工程では、コア基板11の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。   In the core substrate preparation step, an intermediate product of the core substrate 11 is prepared by a conventionally known technique and prepared in advance.

コア基板11の中間製品は以下のように作製される。まず、縦350mm×横375mm×厚み0.6mmの基材161の両面に銅箔162が貼付された銅張積層板(図5参照)を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔162のエッチングを行って導体層163を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする(図6参照)。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔162をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材161の上面及び下面と導体層163とを粗化した後、基材161の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム(厚さ80μm)を熱圧着により貼付し、サブ基材164を形成する(図7参照)。   The intermediate product of the core substrate 11 is manufactured as follows. First, a copper clad laminate (see FIG. 5) in which a copper foil 162 is attached to both surfaces of a base material 161 having a length of 350 mm, a width of 375 mm, and a thickness of 0.6 mm is prepared. Next, the copper foil 162 on both sides of the copper-clad laminate is etched to pattern the conductor layer 163 by, for example, a subtractive method (see FIG. 6). Specifically, after the electroless copper plating, electrolytic copper plating is performed using the electroless copper plating layer as a common electrode. Further, the dry film is laminated, and the dry film is exposed and developed to form a dry film in a predetermined pattern. In this state, unnecessary electrolytic copper plating layer, electroless copper plating layer and copper foil 162 are removed by etching. Thereafter, the dry film is peeled off. Next, after roughening the upper and lower surfaces of the base material 161 and the conductor layer 163, an epoxy resin film (thickness of 80 μm) to which an inorganic filler has been added is attached to the upper and lower surfaces of the base material 161 by thermocompression bonding. Then, the sub-base material 164 is formed (see FIG. 7).

次に、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に、それぞれ導体層41(例えば、50μm)をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材161及びサブ基材164からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部90となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板11の中間製品を得る(図8参照)。なお、コア基板11の中間製品とは、コア基板11となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。   Next, the conductor layer 41 (for example, 50 μm) is patterned on the upper surface of the upper sub-base material 164 and the lower surface of the lower sub-base material 164, respectively. Specifically, after performing electroless copper plating on the upper surface of the upper sub-base material 164 and the lower surface of the lower sub-base material 164, an etching resist is formed, and then electrolytic copper plating is performed. Further, the etching resist is removed and soft etching is performed. Next, the laminated body composed of the base material 161 and the sub base material 164 is drilled using a router to form through holes to be the accommodation hole portions 90 at predetermined positions. (See FIG. 8). The intermediate product of the core substrate 11 is a multi-piece core substrate having a structure in which a plurality of regions to be the core substrate 11 are arranged vertically and horizontally along the plane direction.

また、部品準備工程(コンデンサ準備工程)では、セラミックコンデンサ101を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。   In the component preparation step (capacitor preparation step), the ceramic capacitor 101 is prepared by a conventionally known method and prepared in advance.

セラミックコンデンサ101は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層141となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層142となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。   The ceramic capacitor 101 is manufactured as follows. That is, a ceramic green sheet is formed, and nickel paste for internal electrode layers is screen printed on the green sheet and dried. As a result, a power internal electrode portion that will later become the power internal electrode layer 141 and a ground internal electrode portion that will be the ground internal electrode layer 142 are formed. Next, the green sheets with the power supply internal electrode portions and the green sheets with the ground internal electrode portions are alternately stacked, and each green sheet is integrated by applying a pressing force in the sheet stacking direction. To form a green sheet laminate.

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール130を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール130内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122を形成する。   Further, a number of via holes 130 are formed through the green sheet laminate using a laser processing machine, and a via conductor nickel paste is filled into each via hole 130 using a paste press-fitting and filling device (not shown). Next, a paste is printed on the upper surface of the green sheet laminate, and the main surface side power supply electrode 111 and the main surface side ground electrode 112 so as to cover the upper end surface of each conductor portion on the upper surface side of the green sheet laminate. Form. Further, a paste is printed on the lower surface of the green sheet laminate, and the back-side power supply electrode 121 and the back-side ground electrode 122 are formed so as to cover the lower end surface of each conductor portion on the lower surface side of the green sheet laminate. .

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極111,112,121,122をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体104となる。   Thereafter, the green sheet laminate is dried to solidify the electrodes 111, 112, 121, and 122 to some extent. Next, the green sheet laminate is degreased and fired at a predetermined temperature for a predetermined time. As a result, barium titanate and nickel in the paste are simultaneously sintered to form a ceramic sintered body 104.

次に、得られたセラミック焼結体104が有する各電極111,112,121,122に対して無電解銅めっき(厚さ10μm程度)を行う。その結果、各電極111,112,121,122の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ101が完成する。   Next, electroless copper plating (thickness of about 10 μm) is performed on each electrode 111, 112, 121, 122 included in the obtained ceramic sintered body 104. As a result, a copper plating layer is formed on each of the electrodes 111, 112, 121, 122, and the ceramic capacitor 101 is completed.

続くコンデンサ配置工程では、完成したセラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102を粗化した後、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、複数のセラミックコンデンサ101を、コンデンサ主面102を上にした状態で治具(図示略)にセットする。詳述すると、治具上には剥離可能な粘着テープ172(基材)が配置されており、各セラミックコンデンサ101は、粘着テープ172の粘着面(離型面)に貼り付けられて仮固定されている(図9参照)。このとき、各セラミックコンデンサ101は、粘着テープ172の粘着面と平行に配置した状態で、粘着面に沿って互いに離間配置されている。   In the subsequent capacitor placement process, after roughening the capacitor main surface 102 of the completed ceramic capacitor 101, a plurality of ceramic capacitors 101 are placed with the capacitor main surface 102 facing upward using a mounting device (manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd.). In this state, it is set on a jig (not shown). More specifically, a peelable adhesive tape 172 (base material) is disposed on the jig, and each ceramic capacitor 101 is affixed to the adhesive surface (release surface) of the adhesive tape 172 and temporarily fixed. (See FIG. 9). At this time, the ceramic capacitors 101 are spaced apart from each other along the adhesive surface in a state of being disposed in parallel with the adhesive surface of the adhesive tape 172.

続く樹脂充填工程では、治具にセットされた各セラミックコンデンサ101に、未硬化状態の樹脂被覆層151であるエポキシ樹脂フィルム173(厚さ400μm)をラミネートする(図10,図11参照)。このとき、エポキシ樹脂フィルム173の一部は、互いに隣接するセラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106間に充填される。なお、この状態のものは、樹脂被覆層151を有するセラミックコンデンサ101となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した配線基板内蔵用コンデンサ集合体174であると把握することができる。さらに、レーザー加工機を用いて配線基板内蔵用コンデンサ集合体174を分割する。具体的には、配線基板内蔵用コンデンサ集合体174を、互いに隣接するセラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106間に充填された樹脂被覆層151の部分(図11の一点鎖線参照)で分割して個片化する。その際、各コンデンサ側面106にそれぞれ厚さ500μmの樹脂被覆層151が形成されるように切断する。その結果、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われる一方、コンデンサ裏面103が樹脂被覆層151によって覆われていないセラミックコンデンサ101が多数個同時に得られる。そして、この時点で、粘着テープ172を剥離する。   In the subsequent resin filling step, an epoxy resin film 173 (thickness 400 μm) that is an uncured resin coating layer 151 is laminated on each ceramic capacitor 101 set in a jig (see FIGS. 10 and 11). At this time, a part of the epoxy resin film 173 is filled between the capacitor side surfaces 106 of the ceramic capacitors 101 adjacent to each other. In this state, it can be understood that the wiring board built-in capacitor assembly 174 is obtained by arranging a plurality of product regions to be the ceramic capacitor 101 having the resin coating layer 151 vertically and horizontally along the plane direction. Further, the wiring board built-in capacitor assembly 174 is divided using a laser processing machine. Specifically, the wiring board built-in capacitor assembly 174 is divided into pieces by dividing the resin coating layer 151 portion (see the one-dot chain line in FIG. 11) filled between the capacitor side surfaces 106 of the ceramic capacitors 101 adjacent to each other. Turn into. At that time, cutting is performed so that a resin coating layer 151 having a thickness of 500 μm is formed on each capacitor side surface 106. As a result, a large number of ceramic capacitors 101 in which the capacitor main surface 102 and the capacitor side surface 106 are covered with the resin coating layer 151 while the capacitor back surface 103 is not covered with the resin coating layer 151 are obtained simultaneously. At this point, the adhesive tape 172 is peeled off.

続く収容工程では、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、複数の収容穴部90内にそれぞれセラミックコンデンサ101を収容する(図12参照)。このとき、各収容穴部90のコア裏面13側開口は、剥離可能な粘着テープ171でシールされている。この粘着テープ171は、支持台(図示略)によって支持されている。かかる粘着テープ171の粘着面には、セラミックコンデンサ101が貼り付けられて仮固定されている。   In the subsequent housing step, the ceramic capacitors 101 are respectively housed in the plurality of housing holes 90 using a mounting device (manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd.) (see FIG. 12). At this time, the core back surface 13 side opening of each accommodation hole 90 is sealed with a peelable adhesive tape 171. The adhesive tape 171 is supported by a support base (not shown). The ceramic capacitor 101 is affixed and temporarily fixed to the adhesive surface of the adhesive tape 171.

次に、従来周知の手法に基づいてコア主面12の上に第1ビルドアップ層31を形成するとともに、コア裏面13の上に第2ビルドアップ層32を形成する。具体的には、まず固定工程を実施する。即ち、コア主面12及びコンデンサ主面102に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂絶縁層33を形成する(図13参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。併せて、樹脂絶縁層33の一部である樹脂充填部33aにより、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間を埋める。その後、加熱処理を行うと、樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)及び樹脂被覆層151が硬化して、セラミックコンデンサ101がコア基板11に固定される。そして、この時点で、粘着テープ171を剥離する。   Next, the first buildup layer 31 is formed on the core main surface 12 and the second buildup layer 32 is formed on the core back surface 13 based on a conventionally known method. Specifically, a fixing process is first performed. That is, a photosensitive epoxy resin is deposited on the core main surface 12 and the capacitor main surface 102, and exposure and development are performed to form the resin insulating layer 33 (see FIG. 13). In place of depositing the photosensitive epoxy resin, an insulating resin or a liquid crystal polymer (LCP) may be deposited. At the same time, a gap between the inner wall surface 91 of the accommodation hole 90 and the surface of the resin coating layer 151 covering the capacitor side surface 106 is filled with the resin filling portion 33a which is a part of the resin insulating layer 33. Thereafter, when heat treatment is performed, the resin insulating layer 33 (resin filling portion 33 a) and the resin coating layer 151 are cured, and the ceramic capacitor 101 is fixed to the core substrate 11. At this point, the adhesive tape 171 is peeled off.

次に、コア裏面13及びコンデンサ裏面103に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂絶縁層34を形成する(図14参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。続く露出工程では、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体47が形成されるべき位置にそれぞれビア孔181,182を形成する(図15参照)。具体的には、樹脂絶縁層33と、コンデンサ主面102を覆う樹脂被覆層151とを貫通するビア孔181を形成し、主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を露出させる。同様に、樹脂絶縁層34を貫通するビア孔182を形成し、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122を露出させる。   Next, a photosensitive epoxy resin is applied to the core back surface 13 and the capacitor back surface 103, and exposure and development are performed to form the resin insulating layer 34 (see FIG. 14). Instead of depositing the photosensitive epoxy resin, an insulating resin or a liquid crystal polymer may be deposited. In the subsequent exposure process, laser drilling is performed using a YAG laser or a carbon dioxide gas laser to form via holes 181 and 182 at positions where via conductors 47 are to be formed (see FIG. 15). Specifically, a via hole 181 passing through the resin insulating layer 33 and the resin coating layer 151 covering the capacitor main surface 102 is formed to expose the main surface side power supply electrode 111 and the main surface side ground electrode 112. . Similarly, a via hole 182 penetrating the resin insulating layer 34 is formed, and the back surface side power supply electrode 121 and the back surface side ground electrode 122 are exposed.

さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板11及び樹脂絶縁層33,34を貫通する貫通孔191を所定位置にあらかじめ形成しておく(図16参照)。そして、樹脂絶縁層33,34、ビア孔181,182の内面、及び、貫通孔191の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層33上及び樹脂絶縁層34上に導体層42がパターン形成される(図17参照)。これと同時に、貫通孔191内にスルーホール導体16が形成されるとともに、各ビア孔181,182の内部にビア導体47が形成される。   Further, drilling is performed using a drill machine, and a through hole 191 that penetrates the core substrate 11 and the resin insulating layers 33 and 34 is formed in advance at a predetermined position (see FIG. 16). Then, after electroless copper plating is performed on the resin insulating layers 33 and 34, the inner surfaces of the via holes 181 and 182 and the inner surfaces of the through holes 191, an etching resist is formed, and then electrolytic copper plating is performed. Further, the etching resist is removed and soft etching is performed. Thereby, the conductor layer 42 is patterned on the resin insulating layer 33 and the resin insulating layer 34 (see FIG. 17). At the same time, the through-hole conductor 16 is formed in the through hole 191, and the via conductor 47 is formed in each via hole 181, 182.

その後、穴埋め工程を実施する。具体的には、スルーホール導体16の空洞部を絶縁樹脂材料(エポキシ樹脂)で穴埋めし、閉塞体17を形成する(図18参照)。   Thereafter, a hole filling process is performed. Specifically, the cavity of the through-hole conductor 16 is filled with an insulating resin material (epoxy resin) to form a closing body 17 (see FIG. 18).

次に、樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔183,184を有する樹脂絶縁層35,36を形成する(図18参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔183,184が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔183,184の内部にビア導体43を形成するとともに、樹脂絶縁層35上に端子パッド44を形成し、樹脂絶縁層36上にBGA用パッド48を形成する。   Next, a photosensitive epoxy resin is deposited on the resin insulating layers 33 and 34, and exposure and development are performed, whereby the resin insulating layers 35 and 184 having via holes 183 and 184 at positions where the via conductors 43 are to be formed. 36 is formed (see FIG. 18). Instead of depositing the photosensitive epoxy resin, an insulating resin or a liquid crystal polymer may be deposited. In this case, via holes 183 and 184 are formed at positions where the via conductors 43 are to be formed by a laser processing machine or the like. Next, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form via conductors 43 in the via holes 183 and 184, and terminal pads 44 are formed on the resin insulating layer 35. A BGA pad 48 is formed.

次に、樹脂絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部40,46をパターニングする。さらに、端子パッド44上にはんだバンプ45を形成し、かつ、BGA用パッド48上にはんだバンプ49を形成する。なお、この状態のものは、配線基板10となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板10が多数個同時に得られる。   Next, solder resists 37 and 38 are formed by applying and curing a photosensitive epoxy resin on the resin insulating layers 35 and 36. Next, exposure and development are performed with a predetermined mask placed, and the openings 40 and 46 are patterned in the solder resists 37 and 38. Further, solder bumps 45 are formed on the terminal pads 44 and solder bumps 49 are formed on the BGA pads 48. It can be understood that the product in this state is a multi-cavity wiring board in which a plurality of product regions to be the wiring board 10 are arranged vertically and horizontally along the plane direction. Furthermore, when the multi-cavity wiring board is divided, a large number of wiring boards 10 which are individual products can be obtained simultaneously.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の配線基板10によれば、セラミックコンデンサ101を樹脂被覆層151で覆うことにより、収容穴部90とセラミックコンデンサ101との間に生じる隙間が小さくなるため、収容穴部90とセラミックコンデンサ101との間に多量の樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面12に接する樹脂絶縁層33を厚くしなくても、樹脂絶縁層33の一部(樹脂充填部33a)で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイドの発生等を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた配線基板10を得ることができる。   (1) According to the wiring board 10 of the present embodiment, the ceramic capacitor 101 is covered with the resin coating layer 151, so that a gap generated between the accommodation hole 90 and the ceramic capacitor 101 is reduced. Therefore, it is not necessary to fill a large amount of the resin insulating layer 33 (resin filling portion 33a) between the ceramic capacitor 101 and the ceramic capacitor 101. As a result, the gap can be sufficiently filled with a part of the resin insulation layer 33 (resin filling portion 33a) without increasing the thickness of the resin insulation layer 33 in contact with the core main surface 12. Can be prevented. Therefore, the wiring board 10 excellent in reliability can be obtained.

また、コア主面12に接する樹脂絶縁層33を厚くしなくても済むため、露出工程において、樹脂絶縁層33にレーザー孔あけ加工を行ってビア孔181を形成する際に、レーザーの出力調整がそれ程困難にはならない。よって、コンデンサ主面102上にある主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を確実に露出させることができる。その結果、セラミックコンデンサ101と第1ビルドアップ層31とを確実に電気的に接続できるため、配線基板10の信頼性が向上する。   Further, since it is not necessary to increase the thickness of the resin insulating layer 33 in contact with the core main surface 12, the laser output adjustment is performed when the via hole 181 is formed by performing laser drilling in the resin insulating layer 33 in the exposure process. Is not so difficult. Therefore, the main surface side power supply electrode 111 and the main surface side ground electrode 112 on the capacitor main surface 102 can be reliably exposed. As a result, since the ceramic capacitor 101 and the first buildup layer 31 can be reliably electrically connected, the reliability of the wiring board 10 is improved.

(2)本実施形態では、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間を埋める樹脂充填部が、樹脂絶縁層33の一部を構成する樹脂充填部33aであるため、樹脂充填部の形成に際して樹脂絶縁層33とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板10の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板10の低コスト化を図ることが可能となる。   (2) In the present embodiment, the resin filling portion that fills the gap between the inner wall surface 91 of the accommodation hole portion 90 and the surface of the resin coating layer 151 that covers the capacitor side surface 106 forms a part of the resin insulating layer 33. Since it is the portion 33a, it is not necessary to prepare a material different from the resin insulating layer 33 when forming the resin filling portion. Therefore, since the material necessary for manufacturing the wiring board 10 is reduced, the cost of the wiring board 10 can be reduced.

(3)例えば、樹脂被覆層151によってコンデンサ裏面103を完全に覆う場合、部品準備工程の段階で樹脂被覆層151を硬化状態にしておかないと、セラミックコンデンサ101が動いてしまうおそれがある。   (3) For example, when the capacitor back surface 103 is completely covered with the resin coating layer 151, the ceramic capacitor 101 may move unless the resin coating layer 151 is set in a cured state at the stage of the component preparation process.

一方、本実施形態の樹脂被覆層151は、コンデンサ裏面103を完全に覆っておらず、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122が露出した状態になっている。従って、部品準備工程の段階で樹脂被覆層151を硬化状態にしなくても済み、樹脂被覆層151は、固定工程において樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)と同時に硬化される。これにより、配線基板10の製造時の工程が簡略化されるため、配線基板10を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。   On the other hand, the resin coating layer 151 of the present embodiment does not completely cover the capacitor back surface 103, and the back surface side power supply electrode 121 and the back surface side ground electrode 122 are exposed. Therefore, the resin coating layer 151 does not need to be cured at the stage of the component preparation process, and the resin coating layer 151 is cured simultaneously with the resin insulating layer 33 (resin filling portion 33a) in the fixing process. Thereby, since the process at the time of manufacture of the wiring board 10 is simplified, while being able to manufacture the wiring board 10 easily, cost reduction can be achieved.

(4)本実施形態では、セラミックコンデンサ101がICチップ搭載領域23に搭載されたICチップ21の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ101とICチップ21とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ101によるICチップ21のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ICチップ21とセラミックコンデンサ101との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。   (4) In this embodiment, since the ceramic capacitor 101 is disposed immediately below the IC chip 21 mounted in the IC chip mounting region 23, the wiring connecting the ceramic capacitor 101 and the IC chip 21 is shortened, and the wiring inductance is reduced. Increase in ingredients is prevented. Therefore, the switching noise of the IC chip 21 due to the ceramic capacitor 101 can be reliably reduced, and the power supply voltage can be reliably stabilized. In addition, since noise entering between the IC chip 21 and the ceramic capacitor 101 can be suppressed to a very low level, high reliability can be obtained without causing malfunction such as malfunction.

(5)本実施形態では、ICチップ搭載領域23がセラミックコンデンサ101の真上の領域内に位置しているため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ101によって支持される。よって、上記ICチップ搭載領域23においては、第1ビルドアップ層31が変形しにくくなるため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するICチップ21のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ICチップ21として、熱膨張差による応力(歪)が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい10mm角以上の大型のICチップや、脆いとされるLow−k(低誘電率)のICチップを用いることができる。   (5) In this embodiment, since the IC chip mounting area 23 is located in the area immediately above the ceramic capacitor 101, the IC chip 21 mounted in the IC chip mounting area 23 has high rigidity and a thermal expansion coefficient. Supported by a small ceramic capacitor 101. Therefore, in the IC chip mounting area 23, the first buildup layer 31 is not easily deformed, so that the IC chip 21 mounted in the IC chip mounting area 23 can be supported more stably. Therefore, it is possible to prevent the IC chip 21 from cracking and poor connection due to large thermal stress. Therefore, the IC chip 21 is considered to be a large IC chip of 10 mm square or more, which has a large stress (strain) due to a difference in thermal expansion and is greatly affected by thermal stress, and has a large calorific value and severe thermal shock during use. A low-k (low dielectric constant) IC chip can be used.

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows.

・上記実施形態のセラミックコンデンサ101は、コンデンサ主面102全体とコンデンサ側面106全体とが樹脂被覆層151によって覆われる一方、コンデンサ裏面103は樹脂被覆層151によって完全に覆われていなかった。しかし、図19に示されるように、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106に加え、コンデンサ裏面103も樹脂被覆層151によって完全に覆われたセラミックコンデンサ195としてもよい。この場合、セラミックコンデンサ101の移動を防止するために、樹脂被覆層151は硬化状態に設定される。   In the ceramic capacitor 101 of the above embodiment, the entire capacitor main surface 102 and the entire capacitor side surface 106 are covered with the resin coating layer 151, while the capacitor back surface 103 is not completely covered with the resin coating layer 151. However, as shown in FIG. 19, in addition to the capacitor main surface 102 and the capacitor side surface 106, the capacitor back surface 103 may be a ceramic capacitor 195 completely covered with the resin coating layer 151. In this case, in order to prevent the ceramic capacitor 101 from moving, the resin coating layer 151 is set in a cured state.

・上記実施形態のセラミックコンデンサ101は、4つのコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われていたが、1つのコンデンサ側面106のみが樹脂被覆層151によって覆われていてもよいし、2つまたは3つのコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われていてもよい。また、樹脂被覆層151は、同樹脂被覆層151が覆う面(コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106)を完全に覆っていてもよいし、樹脂被覆層151が覆う面の一部のみを覆っていてもよい。   In the ceramic capacitor 101 of the above embodiment, the four capacitor side surfaces 106 are covered with the resin coating layer 151, but only one capacitor side surface 106 may be covered with the resin coating layer 151, or two or Three capacitor side surfaces 106 may be covered with the resin coating layer 151. Further, the resin coating layer 151 may completely cover the surfaces (capacitor main surface 102 and capacitor side surface 106) covered by the resin coating layer 151, or cover only a part of the surface covered by the resin coating layer 151. May be.

・上記実施形態の配線基板10は、コア基板11内にセラミックコンデンサ101を収容するとともに、ICチップ搭載領域23上にICチップ21を搭載することにより構成されていた。しかし、図20,図21に示されるように、コア基板11内にICチップ211を部品として収容するとともに、ICチップ搭載領域23上にセラミックコンデンサ212を搭載した配線基板213としてもよい。なお、ICチップ211は、部品主面である1つのチップ主面215、部品裏面である1つのチップ裏面216、及び、部品側面である4つのチップ側面217を有している。ICチップ211は、チップ裏面216全体とチップ側面217全体とが樹脂被覆層219によって覆われる一方、チップ主面215は樹脂被覆層219によって覆われていない。また、チップ主面215上の複数箇所には面接続端子218が突設されている。なお、ICチップ211は、コア基板11のコア主面12とチップ主面215とを同じ側に向けた状態で収容される(図21参照)。   The wiring substrate 10 of the above embodiment is configured by housing the ceramic capacitor 101 in the core substrate 11 and mounting the IC chip 21 on the IC chip mounting region 23. However, as shown in FIGS. 20 and 21, the IC chip 211 may be housed as a component in the core substrate 11, and the wiring substrate 213 may be mounted with the ceramic capacitor 212 on the IC chip mounting region 23. The IC chip 211 has one chip main surface 215 that is a component main surface, one chip back surface 216 that is a component back surface, and four chip side surfaces 217 that are component side surfaces. In the IC chip 211, the entire chip back surface 216 and the entire chip side surface 217 are covered with the resin coating layer 219, while the chip main surface 215 is not covered with the resin coating layer 219. In addition, surface connection terminals 218 protrude from a plurality of locations on the chip main surface 215. The IC chip 211 is accommodated with the core main surface 12 and the chip main surface 215 of the core substrate 11 facing the same side (see FIG. 21).

・また、図20に示される配線基板213は、ICチップ211から第1ビルドアップ層31の表面39上に搭載される電子部品(図示略)に対して信号を送るためのシグナル配線214を有していてもよい。なお、シグナル配線214は、導体層42、ビア導体43,47及び端子パッド44からなる配線である。   20 has a signal wiring 214 for sending signals from the IC chip 211 to electronic components (not shown) mounted on the surface 39 of the first buildup layer 31. The wiring board 213 shown in FIG. You may do it. The signal wiring 214 is a wiring composed of the conductor layer 42, the via conductors 43 and 47, and the terminal pad 44.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容した部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ熱膨張係数を有する材料によって形成されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。   (1) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface, a component main surface, a component back surface, and a component side surface, and covering at least the component side surface Housed in the housing hole with a resin coating layer, with the core main surface and the component main surface facing the same side, and with the inner wall surface of the housing hole facing the component side surface And a resin laminate that covers the inner wall surface of the housing hole and the side surface of the component, and a wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface. The part is fixed by filling a gap with the surface of the layer with a part of the interlayer insulating layer in contact with the core main surface, and the resin coating layer is a material having the same thermal expansion coefficient as the interlayer insulating layer Characterized by being formed by Wiring board with a built-in component that.

(2)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容した部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。   (2) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface, a component main surface, a component back surface, and a component side surface, and at least covering the component side surface Housed in the housing hole with a resin coating layer, with the core main surface and the component main surface facing the same side, and with the inner wall surface of the housing hole facing the component side surface And a resin laminate that covers the inner wall surface of the housing hole and the side surface of the component, and a wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface. The part is fixed by filling a gap with the surface of the layer with a part of the interlayer insulating layer in contact with the core main surface, and the resin coating layer is formed of the same material as the interlayer insulating layer Wiring base with built-in components .

(3)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記層間絶縁層の熱膨張係数が前記樹脂被覆層の熱膨張係数以上に設定されるとともに、前記樹脂被覆層の熱膨張係数が前記部品の熱膨張係数よりも大きく設定されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。   (3) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface, a component main surface, a component back surface, and a component side surface, and covering at least the component side surface It has a resin coating layer, and is accommodated in the accommodation hole portion with the core main surface and the component main surface facing the same side, and with the inner wall surface of the accommodation hole portion and the component facing each other. And a resin laminate that covers the inner wall surface of the housing hole and the side surface of the component, and a wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface. The part is fixed by filling a gap with the surface of the layer with a part of the interlayer insulating layer in contact with the core main surface, and the thermal expansion coefficient of the interlayer insulating layer is equal to or higher than the thermal expansion coefficient of the resin coating layer And the resin coating layer Component built-in wiring board expansion coefficient, characterized in that it is larger than the thermal expansion coefficient of the component.

(4)離型面を有する基材と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で前記離型面に沿って互いに離間配置される複数のコンデンサと、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された未硬化状態の樹脂被覆層とを備えることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ集合体。   (4) A substrate having a release surface, a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface, and having a structure in which a plurality of internal electrode layers are laminated via a dielectric layer, A plurality of capacitors that are spaced apart from each other along the release surface in a state of being disposed in parallel with the release surface, and an uncured resin coating layer that is filled between the capacitor side surfaces of adjacent capacitors. A capacitor assembly for wiring board built-in.

(5)離型面を有する基材と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有する複数のコンデンサとを備える配線基板内蔵用コンデンサ集合体の製造方法であって、前記基材を準備する基材準備工程と、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で、前記複数のコンデンサを前記離型面に沿って互いに離間配置するコンデンサ配置工程と、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に未硬化状態の樹脂被覆層を充填する樹脂充填工程とを含むことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ集合体の製造方法。   (5) A substrate having a release surface, a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface, and a plurality of capacitors having a structure in which a plurality of internal electrode layers are stacked via a dielectric layer. A method of manufacturing a wiring board built-in capacitor assembly, comprising: a base material preparation step for preparing the base material; and the plurality of capacitors in the state in which the capacitor back surface is disposed in parallel with the mold release surface. Capacitor assembly with a built-in wiring board, comprising: a capacitor disposing step of disposing each other along a plane; and a resin filling step of filling an uncured resin coating layer between the capacitor side surfaces of adjacent capacitors Body manufacturing method.

(6)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有する部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備える部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記部品側面が未硬化状態の樹脂被覆層によって覆われている部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層と前記樹脂被覆層とを硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。   (6) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface; a component main surface, a component back surface, and a component side surface; and covering at least the component side surface A method of manufacturing a component built-in wiring board comprising: a component having a resin coating layer; and a wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface, A core substrate preparing step for preparing a core substrate, a component preparing step for preparing a component covered at least with a resin coating layer whose side faces are uncured, and after the core substrate preparing step and the component preparing step, Housing that accommodates the component in the housing hole of the core substrate with the core main surface and the component main surface facing the same side, and with the inner wall surface of the housing hole facing the component side surface Then, after the accommodating step, the interlayer insulating layer is laminated on the core main surface and the component main surface, and the core is disposed in a gap between the inner wall surface of the accommodating hole and the resin coating layer covering the component side surface. And a fixing step of fixing the component by curing the interlayer insulating layer in contact with the core main surface and the resin coating layer after filling a part of the interlayer insulating layer in contact with the main surface. A method for manufacturing a built-in wiring board.

(7)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極、及び、少なくとも前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層を備えるコンデンサと、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記コンデンサ主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備えるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ側面が樹脂被覆層によって覆われているコンデンサを準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面とを対峙させた状態で、前記コア基板の収容穴部内に前記コンデンサを収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面、及び、前記コンデンサ主面を覆う樹脂被覆層上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記コンデンサを固定する固定工程と、前記固定工程後、前記層間絶縁層と、前記コンデンサ主面を覆う樹脂被覆部とを貫通するビア孔を形成して、前記コンデンサ主面上の前記複数の表層電極を露出させる露出工程とを含むことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。   (7) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface; a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface; and via a dielectric layer It has a structure in which a plurality of internal electrode layers are arranged in a stack, and a plurality of via conductors in a capacitor connected to the plurality of internal electrode layers, at least at the end on the capacitor main surface side in the plurality of via conductors in the capacitor A plurality of connected surface layer electrodes, a capacitor having a resin coating layer covering at least the capacitor main surface and the capacitor side surface, and an interlayer insulating layer and a conductor layer were laminated on the core main surface and the capacitor main surface. A wiring board with a built-in capacitor having a wiring laminated portion having a structure, comprising: a core board preparing step for preparing the core board; At least a component preparation step of preparing a capacitor in which the capacitor main surface and the capacitor side surface are covered with a resin coating layer, and after the core substrate preparation step and the component preparation step, the core main surface and the capacitor main surface, Facing the same side, and with the inner wall surface of the housing hole and the capacitor side face facing each other, the housing step of housing the capacitor in the housing hole portion of the core substrate, and after the housing step, Laminating the interlayer insulating layer on the core main surface and the resin coating layer covering the capacitor main surface, and the core main surface in a gap between the inner wall surface of the housing hole and the resin coating layer covering the capacitor side surface A fixing step of fixing the capacitor by curing the interlayer insulating layer in contact with the core main surface after filling a part of the interlayer insulating layer in contact with the core, and after the fixing step, A capacitor built-in comprising: an exposure step of forming a via hole penetrating the edge layer and a resin coating portion covering the capacitor main surface to expose the plurality of surface layer electrodes on the capacitor main surface A method for manufacturing a wiring board.

(8)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、少なくとも前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層を有するコンデンサと、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記コンデンサ主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備えるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、前記コンデンサを準備するコンデンサ準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記コンデンサ準備工程後、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に前記コンデンサを収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記コンデンサ主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記コンデンサを固定する固定工程とを含み、前記コンデンサ準備工程では、離型面を有する基材と、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で前記離型面に沿って互いに離間配置される複数の前記コンデンサと、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された未硬化状態の樹脂被覆層とを備える配線基板内蔵用コンデンサ集合体を、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された前記樹脂被覆層の部分で分割して個片化し、複数のコンデンサを得ることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。   (8) A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface; a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface; and via a dielectric layer A capacitor having a structure in which a plurality of internal electrode layers are laminated and having a resin coating layer covering at least the side surface of the capacitor, and an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the capacitor main surface. A method of manufacturing a capacitor-embedded wiring board comprising a wiring laminated portion having a structure, the core board preparing step for preparing the core substrate, the capacitor preparing step for preparing the capacitor, the core substrate preparing step, and the capacitor After the preparation step, the core main surface and the capacitor main surface are directed to the same side, and the inner wall surface of the housing hole and the capacitor side surface A housing step of housing the capacitor in the housing hole in a state of facing each other, and after the housing step, laminating the interlayer insulating layer on the core main surface and the capacitor main surface, and the housing hole portion After filling the gap between the inner wall surface of the capacitor and the resin coating layer covering the capacitor side surface with a part of the interlayer insulating layer in contact with the core main surface, the interlayer insulating layer in contact with the core main surface is cured to fix the capacitor In the capacitor preparing step, a plurality of base materials having a release surface and a plurality of capacitors spaced apart from each other along the release surface in a state where the capacitor back surface is arranged in parallel with the release surface. Wiring board built-in capacitor assembly comprising the capacitor and an uncured resin coating layer filled between the capacitor side surfaces of adjacent capacitors. Singulation is divided in the portion of the resin coating layer filled between the capacitor side of the capacitor, the capacitor built-in wiring board manufacturing method characterized by obtaining a plurality of capacitors.

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a wiring board according to an embodiment of the present invention. セラミックコンデンサを示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows a ceramic capacitor. セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。Schematic explanatory drawing for demonstrating the connection in the inner layer of a ceramic capacitor. セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。Schematic explanatory drawing for demonstrating the connection in the inner layer of a ceramic capacitor. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 他の実施形態におけるセラミックコンデンサを示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the ceramic capacitor in other embodiment. 他の実施形態における配線基板を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the wiring board in other embodiment. 同じく、配線基板の製造方法の説明図。Similarly, explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 従来技術における配線基板の製造方法の説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of the wiring board in a prior art. 同じく、配線基板の製造方法の説明図。Similarly, explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board. 同じく、配線基板の製造方法の説明図。Similarly, explanatory drawing of the manufacturing method of a wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

10,213…部品内蔵配線基板(配線基板)
11…コア基板
12…コア主面
13…コア裏面
31…配線積層部としての第1ビルドアップ層
33,35…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
33a…層間絶縁層の一部としての樹脂充填部
42…導体層
90…収容穴部
91…収容穴部の内壁面
101,195…部品及び配線基板内蔵用コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
102…部品主面としてのコンデンサ主面
103…部品裏面としてのコンデンサ裏面
105…誘電体層としてのセラミック誘電体層
106…部品側面としてのコンデンサ側面
111…表層電極としての主面側電源用電極
112…表層電極としての主面側グランド用電極
121…表層電極としての裏面側電源用電極
122…表層電極としての裏面側グランド用電極
131…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
132…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
141…内部電極層としての電源用内部電極層
142…内部電極層としてのグランド用内部電極層
151,219…樹脂被覆層
211…部品としてのICチップ
215…部品主面としてのチップ主面
216…部品裏面としてのチップ裏面
217…部品側面としてのチップ側面
10,213 ... Wiring board with built-in components (wiring board)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Core board | substrate 12 ... Core main surface 13 ... Core back surface 31 ... 1st buildup layers 33 and 35 as a wiring lamination | stacking part ... Resin insulating layer 33a as an interlayer insulation layer ... Resin filling part as a part of interlayer insulation layer 42 ... Conductive layer 90 ... Accommodating hole 91 ... Inner wall surface 101,195 of accommodating hole ... Ceramic capacitor 102 as capacitor for component and wiring board incorporation ... Condenser main surface 103 as component main surface ... Condenser back surface as component back surface DESCRIPTION OF SYMBOLS 105 ... Ceramic dielectric layer 106 as a dielectric layer ... Capacitor side surface 111 as a component side surface ... Main surface side power electrode 112 as a surface layer electrode ... Main surface side ground electrode 121 as a surface layer electrode ... Back surface as a surface layer electrode Side power electrode 122 ... Back side ground electrode 131 as a surface layer electrode ... Power source capacitor as a via conductor in the capacitor Via conductor 132... Ground capacitor via conductor 141 as a capacitor via conductor 141. Power supply internal electrode layer 142 as an internal electrode layer. Ground internal electrode layers 151 and 219 as internal electrode layers. Resin coating layer 211. IC chip 215 as a chip main surface 216 as a component main surface ... Chip back surface 217 as a component back surface ... Chip side surface as a component side surface

Claims (11)

コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、
部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容された部品と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部と
を備え、
前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されている
ことを特徴とする部品内蔵配線基板。
A core substrate having a core main surface and a core back surface and having an accommodation hole opening at least in the core main surface;
It has a component main surface, a component back surface and a component side surface, and has a resin coating layer covering at least the component side surface, the core main surface and the component main surface are directed to the same side, and the inside of the accommodation hole portion With the wall and the component side facing each other, the component housed in the housing hole,
A wiring laminated portion having a structure in which an interlayer insulating layer and a conductor layer are laminated on the core main surface and the component main surface;
The component is fixed by filling a gap between the inner wall surface of the housing hole and the surface of the resin coating layer covering the component side surface with a part of an interlayer insulating layer in contact with the core main surface. Wiring board with built-in components.
前記層間絶縁層及び前記樹脂被覆層は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵配線基板。   The component built-in wiring board according to claim 1, wherein the interlayer insulating layer and the resin coating layer are thermosetting resins. 前記樹脂被覆層は、前記部品主面及び前記部品側面を覆う一方、前記部品裏面を覆わないことを特徴とする請求項1または2に記載の部品内蔵配線基板。   The component built-in wiring board according to claim 1, wherein the resin coating layer covers the component main surface and the component side surface, but does not cover the component back surface. 前記部品は、
誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、
前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記部品主面側の端部に接続された複数の表層電極と
を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサである
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の部品内蔵配線基板。
The parts are
Having a structure in which a plurality of internal electrode layers are stacked via a dielectric layer;
A plurality of via conductors in the capacitor connected to the plurality of internal electrode layers;
A plurality of surface layer electrodes connected to at least an end portion on the component main surface side of the plurality of via conductors in the capacitor, and the plurality of via conductors in the capacitor are arranged in an array as a whole. The component built-in wiring board according to claim 1, wherein the wiring board has a built-in component.
コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、少なくとも前記コンデンサ側面が未硬化状態の樹脂被覆層によって覆われていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。   The capacitor has a capacitor main surface, a capacitor back surface, and a capacitor side surface, and has a structure in which a plurality of internal electrode layers are laminated via a dielectric layer, and at least the capacitor side surface is covered with an uncured resin coating layer. A wiring board built-in capacitor. 前記樹脂被覆層は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項5に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。   6. The wiring board built-in capacitor according to claim 5, wherein the resin coating layer is a thermosetting resin. 前記樹脂被覆層は、前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ側面を覆う一方、前記コンデンサ裏面を覆わないことを特徴とする請求項5または6に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。   7. The wiring board built-in capacitor according to claim 5, wherein the resin coating layer covers the capacitor main surface and the capacitor side surface, but does not cover the capacitor back surface. 前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極と
を備え、
前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されている
ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
A plurality of via conductors in the capacitor connected to the plurality of internal electrode layers;
A plurality of surface layer electrodes connected to at least the capacitor main surface side end of the plurality of capacitor via conductors;
The wiring board built-in capacitor according to claim 5, wherein the plurality of via conductors in the capacitor are arranged in an array as a whole.
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、
前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、
少なくとも前記部品側面が樹脂被覆層によって覆われている部品を準備する部品準備工程と、
前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、
前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記部品を固定する固定工程と
を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the component built-in wiring board according to any one of claims 1 to 4,
A core substrate preparation step of preparing the core substrate;
A component preparation step of preparing a component in which at least the component side surface is covered with a resin coating layer;
After the core substrate preparation step and the component preparation step, a housing step for housing the component in the housing hole of the core substrate;
After the accommodating step, the interlayer insulating layer is laminated on the core main surface and the component main surface, and the core main surface is disposed in a gap between the inner wall surface of the accommodating hole and the resin coating layer covering the component side surface. And a fixing step of fixing the component by curing the interlayer insulating layer in contact with the core main surface after filling a part of the interlayer insulating layer in contact therewith.
前記部品準備工程において準備される部品は、前記部品主面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われる一方、前記部品裏面が前記樹脂被覆層によって覆われていないことを特徴とする請求項9に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。   The component prepared in the component preparation step is characterized in that the component main surface and the component side surface are covered with the resin coating layer, while the component back surface is not covered with the resin coating layer. A method for manufacturing a component-embedded wiring board as described in 1. 前記部品準備工程において準備される部品は、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われており、
前記樹脂被覆層は硬化状態であることを特徴とする請求項9に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
The component prepared in the component preparation step, the component main surface, the component back surface and the component side surface is covered with the resin coating layer,
The method for manufacturing a component built-in wiring board according to claim 9, wherein the resin coating layer is in a cured state.
JP2008072679A 2007-03-22 2008-03-20 Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board Pending JP2008270776A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008072679A JP2008270776A (en) 2007-03-22 2008-03-20 Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007073980 2007-03-22
JP2008072679A JP2008270776A (en) 2007-03-22 2008-03-20 Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008270776A true JP2008270776A (en) 2008-11-06

Family

ID=40049804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008072679A Pending JP2008270776A (en) 2007-03-22 2008-03-20 Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008270776A (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007531A (en) * 1999-06-18 2001-01-12 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board
JP2002246755A (en) * 2000-12-15 2002-08-30 Ibiden Co Ltd Manufacturing method of multilayer printed-wiring board
JP2002246501A (en) * 2001-02-16 2002-08-30 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board incorporating semiconductor element and its producing method
JP2007067369A (en) * 2005-08-05 2007-03-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and method of manufacturing the same, and ceramic chip for embedment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007531A (en) * 1999-06-18 2001-01-12 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board
JP2002246755A (en) * 2000-12-15 2002-08-30 Ibiden Co Ltd Manufacturing method of multilayer printed-wiring board
JP2002246501A (en) * 2001-02-16 2002-08-30 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board incorporating semiconductor element and its producing method
JP2007067369A (en) * 2005-08-05 2007-03-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and method of manufacturing the same, and ceramic chip for embedment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5129645B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP4838068B2 (en) Wiring board
JP5203451B2 (en) Component built-in wiring board
US7932471B2 (en) Capacitor for incorporation in wiring board, wiring board, method of manufacturing wiring board, and ceramic chip for embedment
JP4954824B2 (en) Wiring board with built-in components, capacitor for wiring board
JP4954765B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP4405477B2 (en) WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP5179856B2 (en) Wiring board built-in component and manufacturing method thereof, wiring board
JP5078759B2 (en) Wiring board built-in electronic components and wiring board
JP5192865B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP5512558B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP4405478B2 (en) WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2007318089A (en) Wiring board
JP2008021980A (en) Capacitor, and wiring substrate
JP5192864B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP5306797B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP2008244029A (en) Wiring board with built-in component, and component used therefor
JP4814129B2 (en) Wiring board with built-in components, Wiring board built-in components
JP4668822B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2009147177A (en) Capacitor incorporated in wiring board, and wiring board
JP2015141953A (en) Component built-in wiring board and method for manufacturing the same
JP5122846B2 (en) Wiring board with built-in capacitor
JP4795860B2 (en) Capacitor, wiring board
JP5095456B2 (en) Manufacturing method of wiring board with built-in components
JP2008270776A (en) Wiring board having built-in component and manufacturing method thereof, and capacitor to be built in wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110111

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120720

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130108