JP2008270694A - 発光ダイオードの構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオード素子中において、半導体材料と金属との反応を防止する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された第1の導電性半導体層と、第1の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2の導電性半導体層と、第2の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。バリア層はコンタクト層の金属が第2の導電性半導体層に拡散するのを回避するために用いられる。
【選択図】図1
【解決手段】基板と、基板上に形成された第1の導電性半導体層と、第1の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2の導電性半導体層と、第2の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。バリア層はコンタクト層の金属が第2の導電性半導体層に拡散するのを回避するために用いられる。
【選択図】図1
Description
本発明は発光ダイオードの構造に関し、特にバリア層を備えた発光ダイオードの構造の関する
発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)は微小な固体(Solid-State)光源であり、小型で、耐振性に優れ、省エネルギーで、寿命が長く、色の多様性に富むといった長所を合わせて備えており、しかも各種の新たな応用ニーズに対応することができ、日常生活において身近な光源となっている。従来の白熱電灯および蛍光灯に比べて、発光ダイオードは多数個、多種類の組合わせが可能であり、かつ単一の発光ダイオードにおける発熱量は低いため、熱放射の発生を低減することができる。しかも発光ダイオードはフラットパッケージが可能で、しかも軽量小型の製品を開発可能である。以上の長所に基づいて、発光ダイオードは業界により期待され、従来の照明器具に取って代われる潜在力を持つ製品となっている。
身近な発光ダイオードの構造においては、エピタキシャル構造の半導体材料の表面にコンタクト層または金属電極をめっきして、効果的に導通可能な発光ダイオードを形成する必要がある。しかしながら、発光ダイオード素子は高温または高電力の状況下で使用する際、半導体材料は表面の金属と反応(reaction)、相転移(phase transformation)または金属拡散(diffusion)が発生して、発光ダイオードの寿命が短くなるか、または信頼性が低下してしまう。
したがって、発光ダイオード素子中において、半導体材料と金属との反応を如何に防止するかというこは、かなり重要な課題となっている。
よって本発明の目的は、コンタクト層の金属が半導体堆積層内に拡散するのを防止するために、バリア層を備えた発光ダイオードの構造を提供するところにある。
本発明の上記目的によれば、基板と、基板上に形成された第1の導電性半導体層と、第1の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2の導電性半導体層と、第2の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造を提供する。第1の導電性半導体層はカバー領域と露出領域とを有し、発光層、第2の導電性半導体層、バリア層およびコンタクト層がカバー領域上に形成されている。発光ダイオードの構造は、それぞれコンタクト層と第1の導電性半導体層の露出領域上に形成されている第1の電極と第2の電極とを備えている。バリア層の材料は例えば酸化ガリウム、酸化ニッケルといった金属酸化物とすることができ、バリア層の材料はタングステンまたはその合金とすることができ、バリア層の材料は窒化シリコン、窒化ボロン、または例えば窒化アルミニウムなどの金属窒化物とすることができる。
本発明の別の態様では、半導体層と、半導体堆積層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。半導体堆積層はn型半導体と、p型半導体と、n型半導体とp型半導体との間に介在されている発光層とを備えている。バリア層の材料は例えば酸化ガリウム、酸化ニッケルといった金属酸化物とすることができ、バリア層の材料はタングステンまたはその合金とすることができ、バリア層の材料は窒化シリコン、窒化ボロン、または例えば窒化アルミニウムなどの金属窒化物とすることができる。
(1)基板と、前記基板上に形成された第1の導電性半導体層と、前記第1の導電性半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2の導電性半導体層と、前記第2の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成されたコンタクト層と、を備えた、ことを特徴とする発光ダイオードの構造。
(2)前記バリア層の材料がタングステンまたはその合金である、ことを特徴とする(1)に記載の発光ダイオードの構造。
(3)前記バリア層の材料が酸化ガリウム、酸化ニッケルである、ことを特徴とする(1)に記載の発光ダイオードの構造。
(4)前記バリア層の材料が窒化シリコンまたは窒化ボロンである、ことを特徴とする(1)に記載の発光ダイオードの構造。
(5)n型半導体と、p型半導体と、前記n型半導体と前記p型半導体との間に介在されている発光層とからなる半導体堆積層と、前記半導体堆積層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成されたコンタクト層と、を備えた、ことを特徴とする発光ダイオードの構造。
(6)前記バリア層の材料がタングステンまたはその合金である、ことを特徴とする(5)に記載の発光ダイオードの構造。
(7)前記バリア層の材料が酸化ガリウム、酸化ニッケルである、ことを特徴とする(5)に記載の発光ダイオードの構造。
(8)前記バリア層の材料が窒化シリコンまたは窒化ボロンである、ことを特徴とする(5)に記載の発光ダイオードの構造。
本発明の発光ダイオードの構造では、半導体堆積層上に形成されたバリア層を利用することで、コンタクト層の金属原子が拡散して半導体堆積層内に浸入することがなくなり、しかもバリア層での隔離により、コンタクト層の金属と半導体堆積層の表面とに反応または相転移が発生するのを防止し、発光ダイオードの構造の信頼性を効果的に高めることができる。
以下にて図面および詳細な説明をもって本発明の技術的思想を明確に説明するものであり、当該技術分野におけるいずれの当業者であれば、本発明の好ましい実施例を理解した後に、本発明が開示する技術により、変更および付加を加えることが可能であり、これは本発明の技術的思想および範囲を逸脱することはない。
本発明の発光ダイオードの構造における好ましい実施例の断面図を示す図1を参照する。発光ダイオードの構造100は基板110と、基板110上に形成された半導体堆積層120と、半導体堆積層120上に形成されたバリア層130と、バリア層130上に形成されたコンタクト層140とを備えている。発光ダイオードの構造100はバリア層130により、コンタクト層140の金属原子が拡散して半導体堆積層120内に滲入することがなくなり、しかもコンタクト層140の金属と半導体堆積層120の表面とに反応または相転移が発生するのを防止し、発光ダイオードの構造100の信頼性を高めている。
バリア層130の材料は例えば酸化ガリウム、酸化ニッケルといった金属酸化物とすることができ、バリア層130の材料はタングステンまたはその合金とすることができ、バリア層130の材料は窒化シリコン、窒化ボロン、または例えば窒化アルミニウムなどの金属窒化物とすることができる。バリア層130は物理気相成長法、化学気相成長法、熱蒸着、電子ビーム蒸着またはイオンスパッタリングなどの方法で、半導体堆積層120の表面に形成することができる。
発光ダイオードの構造100の基板110はシリコン、炭化シリコン、サファイヤ、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは金属基板(銅基板、銅合金基板またはアルミニウム基板など)などとすることができる。半導体堆積層120は上から下に、第1の導電性半導体層122と、発光層126と、第2の導電性半導体層128とを備えている。このうち第1の導電性半導体層122と第2の導電性半導体層128とは互いに電気的特性が異なっており、例示するならば、第1の導電性半導体層122はn型半導体、第2の導電性半導体層128はp型半導体とするか、または第1の導電性半導体層122はp型半導体、第2の導電性半導体層128はn型半導体とすることができる。
発光ダイオードの構造100の半導体堆積層120において、第1の導電性半導体層122はカバー領域123と露出領域124とを備え、半導体堆積層120はエッチングにより第1の導電性半導体層122の露出領域124を露出させることができる。発光層126、第2の導電性半導体層128、バリア層130およびコンタクト層140がカバー領域123上に配置されている。発光ダイオードの構造100は電気的特性が逆である第1の電極150と第2の電極160とを備えることができ、第1の電極150および第2の電極160はそれぞれコンタクト層140と第1の導電性半導体層122の露出領域124上に形成されている。このうち、もし基板110が導電性の金属基板である場合には、第2の電極160は基板110における半導体堆積層120に対する裏面に形成してもよい。つまり第1の電極150と第2の電極160とが垂直に配置されることになる。
上記した本発明の好ましい実施例から理解できるように、本発明を応用することで下記の長所を備えることになる。本発明の発光ダイオードの構造では、半導体堆積層上に形成されたバリア層を利用することで、コンタクト層の金属原子が拡散して半導体堆積層内に浸入することがなくなり、しかもバリア層での隔離により、コンタクト層の金属と半導体堆積層の表面とに反応または相転移が発生するのを防止し、発光ダイオードの構造の信頼性を効果的に高めることができる。
確かに本発明では一つの好ましい実施例を上記のように開示したが、これは本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、本発明の技術的思想および範囲を逸脱することなく、各種の変更および付加を行うことができるので、本発明の保護範囲は別紙の特許請求の範囲による限定を基準と見なすべきである。
本発明の上記およびその他目的、特徴、長所および実施例をより明確に理解できるよう、添付の図面の詳細な説明を下記のとおり行う。
本発明の発光ダイオードの構造の好ましい実施例の断面図である。
100 発光ダイオードの構造
110 基板
120 半導体堆積層
122 第1の導電性半導体層
123 カバー領域
124 露出領域
126 発光層
128 第2の導電性半導体層
130 バリア層
140 コンタクト層
150 第1の電極
160 第2の電極
110 基板
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122 第1の導電性半導体層
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128 第2の導電性半導体層
130 バリア層
140 コンタクト層
150 第1の電極
160 第2の電極
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1の導電性半導体層と、
前記第1の導電性半導体層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第2の導電性半導体層と、
前記第2の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成されたコンタクト層と、を備えた、ことを特徴とする発光ダイオードの構造。 - 前記バリア層の材料がタングステンまたはその合金である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの構造。
- 前記バリア層の材料が酸化ガリウム、酸化ニッケルである、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの構造。
- 前記バリア層の材料が窒化シリコンまたは窒化ボロンである、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの構造。
- n型半導体と、p型半導体と、前記n型半導体と前記p型半導体との間に介在されている発光層とからなる半導体堆積層と、
前記半導体堆積層上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成されたコンタクト層と、を備えた、ことを特徴とする発光ダイオードの構造。 - 前記バリア層の材料がタングステンまたはその合金である、ことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードの構造。
- 前記バリア層の材料が酸化ガリウム、酸化ニッケルである、ことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードの構造。
- 前記バリア層の材料が窒化シリコンまたは窒化ボロンである、ことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードの構造。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |