JP2008034803A - 半導体発光装置および同装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置および同装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板、第1伝導型半導体材料層、発光層、第1電極、第2伝導型半導体材料層、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層、透明伝導層および第2電極が含まれ、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層が存在することによって、第2伝導型半導体材料層および透明伝導層の間のオーム接触を改善する。
【選択図】図２Ｇ
【解決手段】基板、第1伝導型半導体材料層、発光層、第1電極、第2伝導型半導体材料層、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層、透明伝導層および第2電極が含まれ、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層が存在することによって、第2伝導型半導体材料層および透明伝導層の間のオーム接触を改善する。
【選択図】図２Ｇ
Description
本発明は、半導体発光装置において、特にII-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある装置に関するものである。本発明の技術背景に関しては、下記の参考文献を参照してください。
［1］ K. キリヤマ、ユキミ タカハシ、F.
スノハラ。Zn3N2膜の光学バンドギャップ。フィジカル・レビュー B
1993;48(4):2781-2782;
［2］ B.Chelluri,T.Y.Chang,
A.Ourmazd,A.H.Dayem,J.L.Zyskind,A. Srivastava. II-V半導体化合物Zn3As2の分子線エピタキシャル成長。応用物理Lett.1986;49(24):1665-1667;
［3］ M.Sieberer,J.Redinger,S.Khmelevskyi,P.Mohn.I/II-V構成分子の4面体配位化合物における強磁性：最初からの計算。フィジカル・レビュー B 2006;73(024404):1-9; および
［4］ C M Fang, R A de Groot, R J Bruls, H T
Hintzen, G de With.Mg3N2およびMgSiN2の最初からのバンド構造計算。J.物理1999;固体 11: 4833-4842.
［1］ K. キリヤマ、ユキミ タカハシ、F.
スノハラ。Zn3N2膜の光学バンドギャップ。フィジカル・レビュー B
1993;48(4):2781-2782;
［2］ B.Chelluri,T.Y.Chang,
A.Ourmazd,A.H.Dayem,J.L.Zyskind,A. Srivastava. II-V半導体化合物Zn3As2の分子線エピタキシャル成長。応用物理Lett.1986;49(24):1665-1667;
［3］ M.Sieberer,J.Redinger,S.Khmelevskyi,P.Mohn.I/II-V構成分子の4面体配位化合物における強磁性：最初からの計算。フィジカル・レビュー B 2006;73(024404):1-9; および
［4］ C M Fang, R A de Groot, R J Bruls, H T
Hintzen, G de With.Mg3N2およびMgSiN2の最初からのバンド構造計算。J.物理1999;固体 11: 4833-4842.
発光ダイオードは、光ディスプレイ機器、交通規制標識、通信機器および照明機器などいろいろな種類の機器に応用することができる。 従来の光源とは異なり、発光ダイオードは、さまざまな産業に応用できる。
先行技術のタングステンランプと比較して、発光ダイオードは、電気の消費が少なく、反応が速い。その上に、発光ダイオードは、照明効率がより良く、耐用年限がより長く、大きさはより小さい。発光ダイオードは、電力の消費も少なく、水銀のような危険物質もない。
発光ダイオードの光を放つ原理は、順方向バイアスで光を発生させるために、P型およびN型半導体の発光層で電子および正孔が光子を形成することである。P型GaN半導体に不純物を添加することが困難であるため、P型GaN半導体および伝導層の接触によって、より高い抵抗を生じさせ、その結果P型GaN半導体の効率を低下させる。
台湾特許No.459,407は、P型GaN半導体層および伝導層の間の接触抵抗を低下させる提案を提供する。図1に関して、図1は、n+型逆トンネル層を持つ発光ダイオード構造を説明する。発光ダイオード構造には、絶縁サファイア基板11、GaN緩衝層12、N型GaN接触層13、N型AlGaN制約層14、InGaN発光層15、P型AlGaN制約層16、P型GaN接触層17、n+型逆トンネル層18、透明伝導層19、第1電極21および第2電極22が含まれる。
GaN緩衝層12は、絶縁サファイア基板11の上に形成される。N型GaN接触層13は、N型GaN接触層13の一部分が露出するように、GaN緩衝層12の上に形成される。第1電極21は、N型GaN接触層13の露出部分の上に形成される。N型AlGaN制約層14は、N型GaN接触層13の上に形成される。InGaN発光層15は、N型AlGaN制約層14の上に形成される。P型AlGaN制約層16は、InGaN発光層15の上に形成される。P型GaN接触層17は、P型AlGaN制約層16の上に形成される。n+型逆トンネル層18は、P型GaN接触層17の上に形成される。透明伝導層19は、n+型逆トンネル層18の一部分が露出するように、n+型逆トンネル層18の上に形成される。第2電極22は、n+型逆トンネル層18の露出部分の上に形成され、透明伝導層19に接触する。
発光ダイオードは、P型GaN接触層17および透明伝導層19の間のオーム接触を、それらの間にn+型逆トンネル層18を加えることによって改善する。
しかしながら、n+型逆トンネル層18の複雑な製造工程および難しい管理のために、発光ダイオードの完成品は不安定で、その上製造コストがより高い。
したがって、本発明の範囲は、P型GaN接触層および透明伝導層の間のオーム接触を改善することができるII-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置を提供することである。さらに、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置は、製造工程がより容易である。それはまた、製造に対する安定性を増し、その結果として製造コストがより低い。
台湾特許No.459,407
本発明の範囲は、P型GaN接触層および透明伝導層の間のオーム接触を改善することができるII-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置を提供することである。
本発明の好適な実施例による半導体発光装置には、基板、第1伝導型半導体材料層、発光層、第1電極、第2伝導型半導体材料層、II-Vグループ化合物接触層、透明伝導層および第2電極が含まれる。第1伝導型半導体材料層は、基板の上に形成される。発光層は、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように、第1伝導型半導体材料層の上に形成される。第1電極は、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に形成される。第2伝導型半導体材料層は、発光層の上に形成される。II-Vグループ化合物接触層は、第2伝導型半導体材料層の上に形成される。透明伝導層は、II-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するように、II-Vグループ化合物接触層の上に形成される。第2電極は、II-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に形成され、透明伝導層に接触する。
本発明の別の好適な実施例による半導体発光装置は、上述と実質的に同じであり、唯一違うのは、II-Vグループ化合物接触層が、II-IV-Vグループ化合物接触層によって代用されることである。
本発明の好適な実施例によれば、半導体発光装置を作製する方法が提供される。第一に、本発明による方法は、基板を用意する。その後、その方法は、基板の上に第1伝導型半導体材料層を形成する。次に、その方法は、第1伝導型半導体材料層の上に発光層を形成する。次に、その方法は、発光層の上に第2伝導型半導体材料層を形成する。次に、その方法は、第2伝導型半導体材料層の上にII-Vグループ化合物接触層を形成する。次に、その方法は、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように、II-Vグループ化合物接触層、第2伝導型半導体材料層、発光層および第1伝導型半導体材料層を部分的に除去する。その後、その方法は、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に第1電極を形成する。次に、その方法は、II-Vグループ化合物接触層の上に透明伝導層を形成する。その後、その方法は、II-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するように、透明伝導層を部分的に除去する。最後に、その方法は、第2電極が透明伝導層に接触するように、II-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に第2電極を形成する。
本発明の別の好適な実施例による方法は、上述と実質的に同じであり、唯一違うのは、II-Vグループ化合物接触層が、II-IV-Vグループ化合物接触層によって代用されることである。
本発明の利点および精神は、添付図面とともに以下の詳述によって理解されるであろう。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。
図2Aから図2Gまでを参照すると、図2Aから図2Gまでは、本発明の好適な実施例による半導体発光装置を作製する方法を説明する概略断面図である。
第一に、図2Aを参照すると、本発明の好適な実施例による方法は、基板31を用意し、基板31の上に第1伝導型半導体材料層32を形成する。
一実施例では、基板31の材料は、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4でもよい。
一実施例では、第1伝導型半導体材料層32は、GaN材料で形成され、第1伝導型はN型でよい。
一実施例では、基板31の材料は、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4でもよい。
一実施例では、第1伝導型半導体材料層32は、GaN材料で形成され、第1伝導型はN型でよい。
次に、図2Bを参照すると、その方法は、第1伝導型半導体材料層32の上に発光層33を形成する。
一実施例では、発光層33の材料は、InGaN、AlGaNまたはInGaAsでもよい。
次に、図2Cを参照すると、その方法は、発光層33の上に第2伝導型半導体材料層34を形成する。
一実施例では、第2伝導型半導体材料層34は、GaN材料で形成され、第2伝導型はP型でよい。
一実施例では、発光層33の材料は、InGaN、AlGaNまたはInGaAsでもよい。
次に、図2Cを参照すると、その方法は、発光層33の上に第2伝導型半導体材料層34を形成する。
一実施例では、第2伝導型半導体材料層34は、GaN材料で形成され、第2伝導型はP型でよい。
次に、図2Dを参照すると、その方法は、第2伝導型半導体材料層34の上にII-Vグループ化合物接触層35を形成する。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、一般的公式：MxNyによって表すことができる。その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数である。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35のIIグループ化学元素は、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaまたはRaでもよい。さらに、II-Vグループ化合物接触層35のVグループ化学元素は、N、P、As、SbまたはBiでもよい。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことがある。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることがある。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、一般的公式：MxNyによって表すことができる。その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数である。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35のIIグループ化学元素は、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaまたはRaでもよい。さらに、II-Vグループ化合物接触層35のVグループ化学元素は、N、P、As、SbまたはBiでもよい。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことがある。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることがある。
次に、図2Eを参照すると、その方法は、第1伝導型半導体材料層32の一部分が露出するように、II-Vグループ化合物接触層35、第2伝導型半導体材料層34、発光層33および第1伝導型半導体材料層32を部分的に除去する。その後、その方法は、第1伝導型半導体材料層32の露出部分の上に第1電極37を形成する。
次に、図2Fを参照すると、その方法は、II-Vグループ化合物接触層35の上に透明伝導層36を形成する。その後、その方法は、II-Vグループ化合物接触層35の一部分が露出するように、透明伝導層36を部分的に除去する。
一実施例では、透明伝導層36の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2でもよい。
一実施例では、透明伝導層36の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2でもよい。
最後に、図2Gを参照すると、その方法は、第2電極38が透明伝導層36に接触するように、II-Vグループ化合物接触層35の露出部分の上に第2電極38を形成する。
本発明の別の好適な実施例による方法は、上述と実質的に同じであり、唯一違うのは、II-Vグループ化合物接触層35が、II-IV-Vグループ化合物接触層によって代用されることである。例えば、II-IV-Vグループ化合物接触層の材料は、MgSiN2でよい。
再度図2Gを参照すると、図2Gは、本発明の好適な実施例による半導体発光装置の断面図である。
再度図2Gを参照すると、図2Gは、本発明の好適な実施例による半導体発光装置の断面図である。
本発明の好適な実施例による半導体発光装置には、基板31、第1伝導型半導体材料層32、発光層33、第1電極37、第2伝導型半導体材料層34、II-Vグループ化合物接触層35、透明伝導層36および第2電極38が含まれる。
第1伝導型半導体材料層32は、基板31の上に形成される。
一実施例では、基板31の材料は、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4でもよい。
一実施例では、第1伝導型半導体材料層32は、GaN材料で形成され、第1伝導型はN型でよい。
一実施例では、基板31の材料は、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4でもよい。
一実施例では、第1伝導型半導体材料層32は、GaN材料で形成され、第1伝導型はN型でよい。
発光層33は、第1伝導型半導体材料層32の一部分が露出するように、第1伝導型半導体材料層32の上に形成される。
一実施例では、発光層33の材料は、InGaN、AlGaNまたはInGaAsでもよい。
一実施例では、発光層33の材料は、InGaN、AlGaNまたはInGaAsでもよい。
第1電極37は、第1伝導型半導体材料層32の露出部分の上に形成される。
第2伝導型半導体材料層34は、発光層33の上に形成される。
一実施例では、第2伝導型半導体材料層34は、GaN材料で形成され、第2伝導型はP型でよい。
II-Vグループ化合物接触層35は、第2伝導型半導体材料層34の上に形成される。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、一般的公式：MxNyによって表すことができる。その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数である。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35のIIグループ化学元素は、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaまたはRaでもよい。さらに、II-Vグループ化合物接触層35のVグループ化学元素は、N、P、As、SbまたはBiでもよい。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことがある。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることがある。
第2伝導型半導体材料層34は、発光層33の上に形成される。
一実施例では、第2伝導型半導体材料層34は、GaN材料で形成され、第2伝導型はP型でよい。
II-Vグループ化合物接触層35は、第2伝導型半導体材料層34の上に形成される。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、一般的公式：MxNyによって表すことができる。その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数である。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35のIIグループ化学元素は、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaまたはRaでもよい。さらに、II-Vグループ化合物接触層35のVグループ化学元素は、N、P、As、SbまたはBiでもよい。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことがある。
一実施例では、II-Vグループ化合物接触層35は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることがある。
透明伝導層36は、II-Vグループ化合物接触層35の一部分が露出するように、II-Vグループ化合物接触層35の上に形成される。
一実施例では、透明伝導層36の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2でもよい。
一実施例では、透明伝導層36の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2でもよい。
第2電極38は、第2電極が透明伝導層に接触するように、II-Vグループ化合物接触層35の露出部分の上に形成される。
本発明の別の好適な実施例による半導体発光装置は、上述と実質的に同じであり、唯一違うのは、II-Vグループ化合物接触層35が、II-IV-Vグループ化合物接触層によって代用されることである。例えば、II-IV-Vグループ化合物接触層の材料は、MgSiN2でよい。
固体11の「Mg3N2およびMgSiN2の最初からのバンド構造計算」、J.物理（1999）による実験結果は、MgSiN2のエネルギーギャップがおよそ4.8eVであるのに対して、Mg3N2のエネルギーギャップは、およそ2.8eVであることを証明する。MgSiN2およびMgSiN2のエネルギーギャップ幅がInGaNのエネルギーギャップと類似しているので、P型GaN接触層および透明伝導層の間の抵抗値を減少させるのに役立つ。
図3を参照すると、図3は、本発明の好適な実施例によるII-IV-Vグループ化合物接触層がある場合とない場合のLEDについて実施されるI-Vテストの図面である。LEDに含まれるII-IV-Vグループ化合物接触層は、アンモニアおよびMgの間の反応によって用意される。II-IV-Vグループ化合物接触層はMg3N2である。図3を参照すると、II-IV-Vグループ化合物接触層のあるLEDは、II-IV-Vグループ化合物接触層のないものよりも抵抗値が低い。さらに、技術的観点から、本発明によって提供されるII-IV-Vグループ化合物接触層は、明細書に記載されない他の半導体発光装置に必ず応用される。
明らかに、本発明の好適な実施例による、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある装置は、P型GaN接触層および透明伝導層の間のオーム接触を改善することができる。さらに、先行技術と比較して、II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層は、製造工程がより容易である。それはまた製造の安定性を増し、その結果として製造コストがより低い。
上記の例および説明によって、本発明の特徴および精神は、できれば十分説明されることを望む。当業者は、本発明の教示を保持する間、その装置への多数の修正および変更にすぐに注意を払うであろう。したがって、上記開示は、添付請求の境界によってのみ限定されると解釈されることが望ましい。
１１ 絶縁サファイア基板
１２ GaN緩衝層
１３ N型GaN接触層
１４ N型AlGaN制約層
１５ InGaN発光層
１６ P型AlGaN制約層
１７ P型GaN接触層
１８ n+型逆トンネル層
１９ 透明伝導層
２１ 第1電極
２２ 第2電極
３１ 基板
３２ 第1伝導型半導体材料層
３３ 発光層
３４ 第2伝導型半導体材料層
３５ II-Vグループ化合物接触層
３６ 透明伝導層
３７ 第1電極
３８ 第2電極
１２ GaN緩衝層
１３ N型GaN接触層
１４ N型AlGaN制約層
１５ InGaN発光層
１６ P型AlGaN制約層
１７ P型GaN接触層
１８ n+型逆トンネル層
１９ 透明伝導層
２１ 第1電極
２２ 第2電極
３１ 基板
３２ 第1伝導型半導体材料層
３３ 発光層
３４ 第2伝導型半導体材料層
３５ II-Vグループ化合物接触層
３６ 透明伝導層
３７ 第1電極
３８ 第2電極
Claims (40)
- 基板、基板の上に形成される第1伝導型半導体材料層、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように第1伝導型半導体材料層の上に形成される発光層、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に形成される第1電極、発光層の上に形成される第2伝導型半導体材料層、第2伝導型半導体材料層の上に形成されるII-Vグループ化合物接触層、II-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するようにII-Vグループ化合物接触層の上に形成される透明伝導層、およびII-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に形成され、透明伝導層に接触する第2電極を備えることを特徴とする半導体発光装置。
- 基板が、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 第1伝導型半導体材料層および第2伝導型半導体材料層が、それぞれGaNで形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 第1伝導型はN型であり、第2伝導型はP型であることを特徴とする請求項1記載の半導体発行装置。
- 発光層が、InGaN、AlGaNまたはInGaAsで構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- II-Vグループ化合物接触層のIIグループ化学元素が、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaで構成されるグループから選択されるものであり、II-Vグループ化合物接触層のVグループ化学元素が、N、P、As、SbおよびBiで構成されるグループから選択されるものであることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- II-Vグループ化合物接触層の材料が、一般的公式：MxNyによって表すことができ、その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- II-Vグループ化合物接触層の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- II-Vグループ化合物接触層は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 透明伝導層の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 基板を準備する手段、基板の上に第1伝導型半導体材料層を形成する手段、第1伝導型半導体材料層の上に発光層を形成する手段、発光層の上に第2伝導型半導体材料層を形成する手段、第2伝導型半導体材料層の上にII-Vグループ化合物接触層を形成する手段、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように、II-Vグループ化合物接触層、第2伝導型半導体材料層、発光層および第1伝導型半導体材料層を部分的に除去する手段、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に第1電極を形成する手段、II-Vグループ化合物接触層の上に透明伝導層を形成する手段、II-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するように、透明伝導層を部分的に除去する手段、および第2電極が透明伝導層に接触するように、II-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に第2電極を形成する手段を備えることを特徴とする半導体発光装置を作製する方法。
- 基板が、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4で構成されるグループから選択される材料で構成されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 第1伝導型半導体材料層および第2伝導型半導体材料層が、それぞれGaNで形成されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 第1伝導型はN型であり、第2伝導型はP型であることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 発光層が、InGaN、AlGaNまたはInGaAsで構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- II-Vグループ化合物接触層のIIグループ化学元素が、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaで構成されるグループから選択されるものであり、II-Vグループ化合物接触層のVグループ化学元素が、N、P、As、SbおよびBiで構成されるグループから選択されるものであることを特徴とする請求項11記載の方法。
- II-Vグループ化合物接触層の材料が、一般的公式：MxNyによって表すことができ、その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3および1≦y≦3であり、xおよびyはモル数であることを特徴とする請求項11記載の方法。
- II-Vグループ化合物接触層の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことを特徴とする請求項11記載の方法。
- II-Vグループ化合物接触層は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 透明伝導層の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 基板、基板の上に形成される第1伝導型半導体材料層、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように、第1伝導型半導体材料層の上に形成される発光層、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に形成される第1電極、発光層の上に形成される第2伝導型半導体材料層、第2伝導型半導体材料層の上に形成されるII-IV-Vグループ化合物接触層、II-IV-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するように、II-IV-Vグループ化合物接触層の上に形成される透明伝導層、およびII-IV-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に形成され、透明伝導層に接触する第2電極を備えることを特徴とする半導体発光装置。
- 基板が、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- 第1伝導型半導体材料層および第2伝導型半導体材料層が、それぞれGaNで形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- 第1伝導型はN型であり、第2伝導型はP型であることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- 発光層が、InGaN、AlGaNまたはInGaAsで構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- II-IV-Vグループ化合物接触層のIIグループ化学元素が、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaで構成されるグループから選択されるものであり、II-IV-Vグループ化合物接触層のIVグループが、C、Si、Ge、SiおよびPbで構成されるグループから選択されるものであり、II-IV-Vグループ化合物接触層のVグループ化学元素が、N、P、As、SbおよびBiで構成されるグループから選択されるものであることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- II-IV-Vグループ化合物接触層の材料が、一般的公式：MxNyQzによって表すことができ、その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはIVグループ化学元素を表し、QはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3、1≦y≦3、1≦z≦3であり、xおよびyおよびzはモル数であることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- II-IV-Vグループ化合物接触層の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- II-IV-Vグループ化合物接触層は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- 透明伝導層の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項21記載の半導体発光装置。
- 基板を準備する手段、基板の上に第1伝導型半導体材料層を形成する手段、第1伝導型半導体材料層の上に発光層を形成する手段、発光層の上に第2伝導型半導体材料層を形成する手段、第2伝導型半導体材料層の上にII-IV-Vグループ化合物接触層を形成する手段、第1伝導型半導体材料層の一部分が露出するように、II-IV-Vグループ化合物接触層、第2伝導型半導体材料層、発光層および第1伝導型半導体材料層を部分的に除去する手段、第1伝導型半導体材料層の露出部分の上に第1電極を形成する手段、II-IV-Vグループ化合物接触層の上に透明伝導層を形成する手段、II-IV-Vグループ化合物接触層の一部分が露出するように、透明伝導層を部分的に除去する手段、および第2電極が透明伝導層に接触するように、II-IV-Vグループ化合物接触層の露出部分の上に第2電極を形成する手段を備えることを特徴とする半導体発光装置を作製する方法。
- 基板が、Si、GaN、AlN、サファイア、スピネル、SiC、GaAs、Al2O3、LiGaO2、LiAlO2またはMgAl2O4で構成されるグループから選択される材料で構成されることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 第1伝導型半導体材料層および第2伝導型半導体材料層が、それぞれGaNで形成されることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 第1伝導型はN型であり、第2伝導型はP型であることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 発光層が、InGaN、AlGaNまたはInGaAsで構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項31記載の方法。
- II-IV-Vグループ化合物接触層のIIグループ化学元素が、Zn、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaで構成されるグループから選択されるものであり、II-IV-Vグループ化合物接触層のIVグループが、C、Si、Ge、SiおよびPbで構成されるグループから選択されるものであり、II-IV-Vグループ化合物接触層のVグループ化学元素が、N、P、As、SbおよびBiで構成されるグループから選択されるものであることを特徴とする請求項31記載の方法。
- II-IV-Vグループ化合物接触層の材料が、一般的公式：MxNyQzによって表すことができ、その場合MはIIグループ化学元素を表し、NはIVグループ化学元素を表し、QはVグループ化学元素を表す。1≦x≦3、1≦y≦3、1≦z≦3であり、xおよびyおよびzはモル数であることを特徴とする請求項31記載の方法。
- II-IV-Vグループ化合物接触層の厚みは、0.5オングストロームから500オングストロームに及ぶことを特徴とする請求項31記載の方法。
- II-IV-Vグループ化合物接触層は、400℃から1,100℃に及ぶ温度で形成されることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 透明伝導層の材料は、Ni/Au、ITO、CTO、TiWN、In2O3、SnO2、CdO、ZnO、CuGaO2またはSrCu2O2で構成されるグループから選択される材料で形成されることを特徴とする請求項31記載の方法。
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