JP2008258546A - 窒化物系半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】出射光の軸が設計した方向からずれにくく、高い歩留まりで製造できる窒化物系半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第1凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。また、上述のサブマウントは、第1凹部の底面に形成された第2凹部に配置された接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。
【選択図】図1
【解決手段】ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第1凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。また、上述のサブマウントは、第1凹部の底面に形成された第2凹部に配置された接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。
【選択図】図1
Description
本発明はステムに窒化物系半導体レーザ素子が付設された窒化物系半導体レーザ装置に関するものである。
半導体レーザ素子は、単色性が良く、強い光が放射されるので、レーザ出射光を集光したときのスポットサイズを小さくすることができる。そのため、光ディスクや光磁気ディスクなどの光が照射され、記録および再生が行われる記録メディアの駆動装置における光ピックアップに設けられる光源として用いられる。
特に、波長が短く、光出力が得られる窒化物系半導体レーザ素子は、DVDなどの高密度記録メディアの駆動装置として用いられるよう、赤色半導体レーザ素子に代わる光ピックアップ素子として開発が行われている。
このような窒化物系半導体レーザ素子を搭載した装置が、特許文献1に提示されている。図3は、従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の断面模式図である。図4は、従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の斜視模式図である。なお、特許文献1で示されている窒化物系半導体レーザ装置は、図3および図4に該当するものである。
図3に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。まず、n型基板1上にMOCVD(metal organic chemical vapor deposition:有機金属気相成長)法などで窒化物系半導体積層部2を形成し、さらにn電極3およびp電極4を形成し、窒化物系半導体レーザ素子103を作製する。そして、窒化物系半導体レーザ素子103のn電極3は、ハンダ107を介してサブマウント102にダイボンディング法で接合される。
ここで、ダイボンディング法の概略について説明する。まず、サブマウント102の表面上にハンダ107を塗布して、ハンダ107の融点より若干高い温度まで加熱させてハンダ107を溶かした後、窒化物系半導体レーザ素子103をn電極3がサブマウント102側になるように載せる。そして、該温度を1分程度保持しながら、適当な荷重を加えることによって、n電極3とハンダ107とをなじませる。これにより、n電極3の最表面のAu層がハンダ107中に溶解して、該Auとハンダ材料との合金が形成される。同様にダイボンディング法によって、該サブマウント102は、ハンダ106を介してチップ搭載部301に接合され、固着される。
図4に示すように、チップ搭載部301は、ステム100に付設されステム100に突出するように形成されている。ステム100は、チップ搭載部301とピン105aとピン105bとを備える。ピン105aとチップ搭載部101とは、電気的に接続されており、サブマウント102とチップ搭載部301とはハンダ106を介して電気的に接続されている。図4に示すとおり、サブマウント102は、チップ搭載部301の表面上に固定される。そして、図4に示すように、ピン105bとp電極4とはワイヤ104を介して電気的に接続されている。
このようにして、窒化物系半導体レーザ素子103がステム100に設置され、窒化物系半導体レーザ装置が完成する。この窒化物系半導体レーザ装置に対して、窒素ガス封入のために、キャップ(図示していない)がステム100に施される。
特開2003−101113号公報
従来の技術で示されるような窒化物系半導体レーザ装置においては、チップ搭載部301の表面上にハンダ306を置き、さらにハンダ306の上にサブマウント102を置いて、加熱によりハンダ306を溶解させて接着するダイボンディング法を採用している。
しかし、加熱によりハンダ306を溶解させて接着している際、サブマウント102がチップ搭載部301に対して傾斜しそのまま接着してしまい、サブマウント102がチップ搭載部301に対して傾斜した状態で接合してしまう現象が発生することがある。そのため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれてしまい、その結果、窒化物系半導体レーザ装置の光学特性に変動が生じ、窒化物系半導体レーザ装置の歩留まりが低下するという大きな問題が生じる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明は、高い歩留まりで製造できる窒化物系半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
本発明は、ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第1凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。
また、本発明において、サブマウントは、第1凹部の底面に形成された第2凹部に配置された接合剤で固着されていることが好ましい。
また、本発明において、接合剤はハンダであることが好ましい。
本発明によるに窒化物系半導体レーザ装置よれば、サブマウントはステムに付設されたのチップ搭載部の第1凹部にガイドされ、嵌装されるので、サブマウントとステムとは所望の正確な位置に固定され、固着する。そのため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光はステムに対して設計通り所望の方向に発生し、光学特性の変動がないので、歩留まりの高い窒化物系半導体レーザ装置を得ることができる。
以下、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。
図1(A)は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図である。図1(B)は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。まず、図1(A)および図1(B)に基づいて説明する。
本発明の窒化物系半導体レーザ装置において、窒化物系半導体レーザ素子103が、n電極3をサブマウント102に対向させた状態でハンダ107を介してサブマウント102上に固着されている。該サブマウント102はサブマウント側を支持基体であるチップ搭載部101に対向させた状態でハンダ106を介してチップ搭載部101に固着されている。チップ搭載部101は、サブマウント102の搭載位置をガイドするための第1凹部108を備える。また、図1に図示されていないが、チップ搭載部101は、上述の図4で示したように、ステムに付設されている。窒化物系半導体レーザ素子103は、基板1、窒化物系半導体積層部2、n電極3およびp電極4を備える。
また、図1(A)に示す窒化物系半導体レーザ装置は、ジャンクションアップ方式で窒化物系半導体レーザ素子103をサブマウント102に搭載しているが、本発明の窒化物系半導体レーザ装置は、ジャンクションダウン方式で搭載した構造であってもよい。なお、ジャンクションアップ方式とは、窒化物系半導体レーザ素子103の基板1側の電極をサブマウント102に対向させて、窒化物系半導体レーザ素子103をサブマウント102に積載してなる構成をいう。ジャンクションダウン方式とは、窒化物系半導体レーザ素子103の窒化物系半導体積層部2側の電極をサブマウント102対向させて、窒化物系半導体レーザ素子103をサブマウント102に積載してなる構成をいう。
本発明において用語は、一般的には以下の意味に使用する。但し、本発明の目的の範囲においてこの意味に限定されるものではない。
「窒化物系半導体レーザ素子」とは、n型の基板1とこの基板1の上面に形成された窒化物系半導体積層部2と、基板1において、窒化物系半導体積層部2が形成された面とは反対の面上に形成されたn電極4と、窒化物系半導体2上に形成されたp電極4とを備えるものを意味する。本発明において、窒化物系半導体レーザ素子103は、適宜公知のものを用いることが可能である。
基板1は、Ga、AlおよびIn等から選択される少なくとも1つの元素と窒素元素との化合物からなるものである。基板1は、GaNからなるものが好ましい。また、基板1は、例えばSi、O、Cl、Sなどの不純物を含有していてもよい。
窒化物系半導体積層部2は、基板1がGaNである場合にその表面上に、例えば基板1側から順にGaNバッファ層、n−GaNコンタクト層、n−AlGaNクラッド層、n−GaNガイド層、GaInN多重量子井戸活性層、p−AlGaN蒸発防止層、p−GaNガイド層、p−AlGaNクラッド層およびp−GaNコンタクト層が積層されることにより構成される。
p電極3およびn電極4は、例えばパラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、金(Au)、チタン(Ti)およびアルミニウム(Al)など通常用いられる金属から適宜選ばれる金属からなる積層体を用いることができる。具体的には、p電極3は、窒化物系半導体積層部2側からパラジウム/モリブデン/金という3層からなる積層構造からなるものを採用できる。そして、n電極は、基板1側からチタン/アルミニウム/モリブデン/金という積層構造からなるものを採用できる。
「ステム」とは、チップ搭載部101が付設され、外部の電極と電気的に接続するためのピンを備えられたものを示す。チップ搭載部101には窒化物系半導体レーザ素子103が搭載され、該ピンと窒化物系半導体レーザ素子103とが電気的に接続される。ステムには、銅または鉄を主体とする金属または、表面に金属膜がめっき形成されたものを用いることができる。このめっき形成される金属膜としては、ニッケル(Ni)膜と金(Au)膜との積層膜を用いることができる。なお、チップ搭載部101における第1凹部108および、図1には図示されない本発明における第2凹部については、後に詳述する。
「サブマウント」とは、窒化物系半導体レーザ素子103を積載するための部品を意味している。サブマウント102を構成する材料として、一般的に知られている放熱材料を用いることができる。例えば、サブマウント102を構成する材料として、銀(Ag)、銅(Cu)、CuW、BeO、鉄(Fe)、アルミナ(Al2O3)、シリコン(Si)、窒化アルミニウム(AlN)、炭化ケイ素(SiC)、立方晶窒化硼素(cubic Boron Nitride:cBN)、CuMo、ダイヤモンドなどを用いることができる。
「接合剤」とは、サブマウントと窒化物系半導体レーザ素子との接合、および窒化物系半導体レーザ装置とチップ搭載部との接合、固着などに用いられるものを意味する。接合剤には、ハンダを用いることができる。ハンダの材料としては、インジウム(In)、InPb、InSn、InAg、InAgPbなどのInを含む合金、あるいは、スズ(Sn)、SnPb、SnSb、SnAg、SnAgPb、SnAgCu、SnPbSbなどのSnを含む合金、あるいは、Ag、金(Au)、Cuなどの粉末を混入したエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などが挙げられる。これらの材料の融点はおおむね100℃〜235℃程度である。また、より融点の高いハンダの材料の例としては、AuSi、AuSn、AuGa、AuGe、AuSb、AuNi、AuIn、AuAgSnなどのAuを含む合金などが挙げられる。これらの材料の融点は280℃程度、あるいはそれ以上である。
以下、実施の形態を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<第1実施形態>
図1(A)、図1(B)および図4を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第1実施形態を説明する。チップ搭載部101は、図4における説明で上述したとおり、ステムに付設されている。チップ搭載部101は、第1凹部108を備え、第1凹部108の底面に設置される接合剤としてのハンダ106でサブマウント102を介して、窒化物系半導体レーザ素子103と、電気的に接続され固着されている。ここで、第1凹部108の底面とは、図1(A)に示すようにサブマウント102の底面と固着される面を示す。第1凹部108は、サブマウント102が嵌装され固着される凹部のことを示す。第1凹部108は、ステムに付設されたチップ搭載部101における所望の位置にサブマウント102を固着するために設けられる。
図1(A)、図1(B)および図4を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第1実施形態を説明する。チップ搭載部101は、図4における説明で上述したとおり、ステムに付設されている。チップ搭載部101は、第1凹部108を備え、第1凹部108の底面に設置される接合剤としてのハンダ106でサブマウント102を介して、窒化物系半導体レーザ素子103と、電気的に接続され固着されている。ここで、第1凹部108の底面とは、図1(A)に示すようにサブマウント102の底面と固着される面を示す。第1凹部108は、サブマウント102が嵌装され固着される凹部のことを示す。第1凹部108は、ステムに付設されたチップ搭載部101における所望の位置にサブマウント102を固着するために設けられる。
窒化物系半導体レーザ装置は、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とステムとを備え、窒化物系半導体レーザ素子103は、n電極3を下にして、サブマウント102の表面にハンダ107を介して積載・固着されている。そして、窒化物系半導体レーザ装置において、サブマウント102は、ステムに付設されたチップ搭載部101に接合剤としてのハンダ106で固着されている。
図1(A)に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子103を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とをダイボンディング法によってハンダ107を介して固定する。ここで、ダイボンディング法とは、一般的には以下のような工程である。すなわち、上述のサブマウント102における窒化物系半導体レーザ素子103との接続表面にハンダ106を設けておく。そして、窒化物系半導体レーザ素子103をハンダ107上の所定の位置に配置してから、サブマウント102をハンダ107の融点より高い温度に加熱する。この状態で、窒化物系半導体レーザ素子103を押圧部材であるコレットによりサブマウント102へ押圧する。この結果、ハンダ107と窒化物系半導体レーザ素子103およびサブマウント102の表面とがなじみ、n電極3の最表面のAuなどからなる層は、ハンダ107中に溶解して、ハンダとAuなどの合金が形成される。その後、ハンダ107を冷却固化させる。このようにして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とが熱伝導性よく接着される。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子103を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とをダイボンディング法によってハンダ107を介して固定する。ここで、ダイボンディング法とは、一般的には以下のような工程である。すなわち、上述のサブマウント102における窒化物系半導体レーザ素子103との接続表面にハンダ106を設けておく。そして、窒化物系半導体レーザ素子103をハンダ107上の所定の位置に配置してから、サブマウント102をハンダ107の融点より高い温度に加熱する。この状態で、窒化物系半導体レーザ素子103を押圧部材であるコレットによりサブマウント102へ押圧する。この結果、ハンダ107と窒化物系半導体レーザ素子103およびサブマウント102の表面とがなじみ、n電極3の最表面のAuなどからなる層は、ハンダ107中に溶解して、ハンダとAuなどの合金が形成される。その後、ハンダ107を冷却固化させる。このようにして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とが熱伝導性よく接着される。
次に、ステムに突出するように形成されたチップ搭載部101の表面上に、当該サブマウント102を固着する。この固着の際に、チップ搭載部101における第1凹部108の表面にあらかじめハンダ106を配置する。そして、第1凹部108の底面に対して、サブマウント102の窒化物系半導体レーザ素子103を接着してない面を向けて、サブマウント102を第1凹部108に嵌装する。そして、上述のダイボンディング法で同様にして、チップ搭載部101とサブマウント102とをハンダ106を介して固着する。
最後に、p電極4と電気的に接続されたワイヤ104を、ステムにおけるピンと接続することで窒化物系半導体レーザ装置を完成する。
第1凹部108によって、サブマウント102を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子103の予め設計した出射光の軸がずれることを防止することができる。
つまり、第1凹部108にサブマウント102を嵌装した状態で、ダイボンディング法にてチップ搭載部101とサブマウント102とを固着するために、ステムにおける所望の位置にサブマウント102が組み込まれる。したがって、ハンダ106が溶解したときのチップ搭載部101に対するサブマウント102の位置は、垂直方向のずれおよび水平方向のずれが発生しにくい。すると窒化物系半導体レーザ素子103の出射光の方向がステムや端面に対して法線方向になり、まっすぐ光を取り出すことができる。これにより、光軸ずれは発生せず、光学的特性の歩留まり、ひいては、窒化物系半導体レーザ素子の歩留まりが向上する。
また、第1凹部108によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子103をサブマウント102を介して設置することができる。したがって、チップ搭載部101とサブマウント102との位置合わせを簡便にかつ正確に行なうことができるため、製造工程がより簡便化される。
また、第1凹部108の大きさについて、長手方向、短手方向および深さの観点から説明する。第1凹部の長手方向および短手方向の長さは、それぞれ、サブマウント102の長手方向および短手方向の長さの1.1〜1.3倍であることが好ましい。第1凹部の長手方向および短手方向の長さが、それぞれ、サブマウント102の長手方向および短手方向の長さの1.1倍未満の場合には、サブマウント102を嵌装しにくく、1.3倍を超える場合には、サブマウント102を第1凹部に嵌装し、ハンダ106が溶解したときの垂直方向のずれおよび水平方向のずれが発生しないとの効果が得られない虞があるためである。また、第1凹部108の深さは、20〜80μmであることが好ましい。該深さが、20μm未満の場合には、サブマウント102を嵌装しても、サブマウント102がチップ搭載部101からずれる虞があり、該深さが80μmを超える場合、窒化物系半導体レーザ素子103の発光点の位置がずれてしまう虞があるためである。
<第2実施形態>
図2(A)は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図である。図2(B)は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。図2(A)および図2(B)を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第2実施形態を説明する。
図2(A)は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図である。図2(B)は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。図2(A)および図2(B)を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第2実施形態を説明する。
チップ搭載部201は、図4における説明で上述したとおり、ステムに付設される。チップ搭載部201は、第1凹部208と第1凹部208の底面に形成された第2凹部209とを備え、第2凹部209の底面に設置される接合剤としてのハンダ206で窒化物系半導体レーザ素子103を積載したサブマウント102と、電気的に接続されている。図2(A)に示すように、第1凹部208は、上述したものと同様のものでサブマウント102が嵌装され固着される凹部のことを示し、第2凹部209はサブマウント202を固着するためのハンダ209を配置するための凹部を示す。第1凹部208によってサブマウント102は、嵌装され、さらに第2凹部209が設けられているためハンダ206が第1凹部208の所望の位置特に好ましくは中央からずれることなく位置する。
窒化物系半導体レーザ装置は、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント202とステムとを備え、窒化物系半導体レーザ素子103は、n電極3を下にして、サブマウント102の表面にハンダ107を用いて固定・積載されている。そして、窒化物系半導体レーザ装置において、サブマウント102は、ステムに付設されたチップ搭載部201に接合剤としてのハンダ206で固着されている。
図2(A)に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子103を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とを上述したダイボンディング法によってハンダ107を介して固定する。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子103を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子103とサブマウント102とを上述したダイボンディング法によってハンダ107を介して固定する。
次に、ステムに突出するように形成されたチップ搭載部201の表面上に、当該サブマウント102を固着する。この固着の際に、チップ搭載部201における第2凹部209の表面にあらかじめハンダ206を配置する。そして、第1凹部208に、サブマウント102の窒化物系半導体レーザ素子103を接着してない面を向けて、サブマウント102を第1凹部208に嵌装する。そして、上述のダイボンディング法と同様にして、チップ搭載部201とサブマウント102とをハンダ206を介して固着する。
最後に、p電極4と電気的に接続されたワイヤ104を、ステムにおけるピンと接続することで窒化物系半導体レーザ装置を完成する。
第1凹部208によって、サブマウント102を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子103の出射光の軸がずれることを防止することができる。
また、第1凹部208によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子103をサブマウント102を介して設置することができる。したがって、チップ搭載部201とサブマウント102との位置合わせを簡便にかつ正確に行なうことができるため、製造工程がより簡便化される。
本実施の形態では、さらに、第2凹部209が設けられているためハンダ206が第1凹部208の中央からずれることなく位置する。したがって、ダイボンディング法によってハンダ206が溶解したとき、チップ搭載部201に対するサブマウント102の位置は、垂直方向および水平方向にサブマウント102の固着位置のずれが発生しにくい。すると窒化物系半導体レーザ素子103の出射光の方向がステムや端面に対して法線方向になり、まっすぐ光を取り出すことができる。これにより、光軸ずれは発生せず、光学的特性の歩留まり、ひいては、窒化物系半導体レーザ素子の歩留まりが向上する。
ここで、第1凹部208の大きさは、第1実施形態において上述したとおりであることが好ましい。
「第1凹部208の長手方向の長さ/第2凹部209の長手方向の長さ」、および「第1凹部208の短手方向の長さ/第2凹部209の短手方向の長さ」の値は、それぞれ、1.1〜1.5倍であることが好ましい。該値が1.1倍未満の場合には、ハンダ206が嵌装しにくい虞があり、該値が1.5倍を超える場合には、ハンダ206の設置される位置がサブマウント102に対して不均等な位置になることによってサブマウント102がずれる虞があるためである。また、第2凹部209の深さは、10〜30μmであることが好ましい。該深さが、10μm未満の場合には、ハンダ206を嵌装しても、ハンダ206が第2凹部209からずれる虞があり、該深さが30μmを超える場合、ハンダ206の溶解した体積がサブマウント102を固着するのに十分確保できない虞があるためである。
<第3実施形態>
第1実施形態においては、サブマウント102を介して窒化物系半導体レーザ素子103が、チップ搭載部101に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
第1実施形態においては、サブマウント102を介して窒化物系半導体レーザ素子103が、チップ搭載部101に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
本実施の形態においては、第1実施形態で説明した第1凹部に、窒化物系半導体レーザ素子が、サブマウントを介することなく直接チップ搭載部に嵌装され、ハンダで固着されている。このとき第1凹部の大きさは、上述したサブマウントの大きさの代わりに窒化物系半導体レーザ素子の大きさに合わせて適宜調整する。本実施の形態においても、第1凹部によって、窒化物系半導体レーザ素子を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれることを防止することができる。また、第1凹部によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子を設置することができるため、製造工程が簡便化される。
<第4実施形態>
第2実施形態においては、サブマウント102を介して窒化物系半導体レーザ素子103が、チップ搭載部201に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
第2実施形態においては、サブマウント102を介して窒化物系半導体レーザ素子103が、チップ搭載部201に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
本実施の形態においては、第1実施形態で説明した第1凹部に、窒化物系半導体レーザ素子が、サブマウントを介することなく直接チップ搭載部に嵌装され、第2凹部に設置されたハンダで固着されている。このとき第1凹部の大きさは、上述したサブマウントの大きさの代わりに窒化物系半導体レーザ素子の大きさに合わせて適宜調整し、第2凹部の大きさは該第1凹部の大きさに合わせて適宜調整する。本実施の形態においても、第1凹部によって、窒化物系半導体レーザ素子を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれることを防止することができる。また、第1凹部によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子を設置することができるため、製造工程が簡便化される。
そして、第2凹部によって、ハンダ206のずれを防止することができる。
なお、本発明における窒化物系半導体レーザ装置について、ジャンクションアップ方式を例に説明したが、ジャンクションダウン方式であってもよい。
なお、本発明における窒化物系半導体レーザ装置について、ジャンクションアップ方式を例に説明したが、ジャンクションダウン方式であってもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 基板、2 窒化物系半導体積層部、3 n電極、4 p電極、100 ステム、101,201,301 チップ搭載部、102 サブマウント、103 窒化物系半導体レーザ素子、104 ワイヤ、105a ピン、105b ピン、106,107,206,306 ハンダ、108,208 第1凹部、209 第2凹部。
Claims (3)
- ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、
前記サブマウントは、前記チップ搭載部に設けられた第1凹部に嵌装され、接合剤で固着されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。 - 前記サブマウントは、前記第1凹部の底面に形成された第2凹部に配置された接合剤で固着されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ装置。
- 接合剤はハンダであることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物系半導体レーザ装置。
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JP2007101920A JP2008258546A (ja) | 2007-04-09 | 2007-04-09 | 窒化物系半導体レーザ装置 |
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