JP2008256484A - 形状測定装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】測定精度を向上させた形状測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る形状測定装置Mには、スリット光5が投影された被検物20の像をスリット光5と略平行に延びる線状の像に圧縮して結像させるシリンドリカルレンズ17と、シリンドリカルレンズ17により結像された前記線状の像を検出するリニアセンサ18とが設けられ、撮像部10によって撮像された被検物20の画像におけるスリット光5の位置情報に基づいて被検物20の形状を測定する形状測定部15は、リニアセンサ18により検出された線状の像に含まれる投影パターンの位置情報に基づいて、被検物20の画像におけるスリット光5の位置情報を補正する。
【選択図】図1

Description

本発明は、光切断法を用いて工業製品等の被検物の三次元形状を測定する形状測定装置に関する。
工業製品等の物体の表面形状を測定する技術は従来から種々提案されており、その一つに光学式の三次元形状測定装置がある。光学式の三次元形状測定装置も種々の方式や構成のもの(例えば、特許文献1参照)があるが、被検物の表面にスリット光を投影し、当該スリット光を被検物の表面全域に走査させつつ被検物に投影されたスリット光を撮像し、撮像された画像に対し画素毎に三角測量の原理を用いて被検物表面の高さを算出し、被検物表面の三次元形状を測定するものがある。この方式による形状測定方法は、一般に光切断法と称されている。
その構成例を図6に示しており、投影部51から直線状のスリット光52が支持台56上に載置された被検物53の表面に投影され、このとき、被検物53の表面に投影されたスリット光52は被検物53の表面三次元形状に応じて変形される。さらに、支持台56はスリット光52の延びる方向と異なる方向(例えば、図中の矢印の方向)に移動され、被検物53表面でスリット光52が所定間隔走査される毎に、スリット光52が投影された被検物53が投影方向と異なる角度から撮像レンズ54を介して撮像装置55(例えば、CCDセンサ)で撮像される。
撮像装置55により撮像された撮像画像データは、演算処理装置57に送られ、ここで撮像画像データの演算処理が行われる。演算処理装置57においては、このように撮像された被検物表面の撮像画像データより、スリット光52が延びる方向の画素毎に三角測量の原理等を用いて被検物表面の基準平面からの高さが算出され、被検物表面の三次元形状を求める演算処理が行われる。
特開2002−257528号公報
しかしながら、上述のような形状測定装置においては、測定精度が画素毎の分解能で決まってしまうため、撮像装置55として主に用いられる2次元CCDでは、測定精度に限界があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、測定精度を向上させた形状測定装置を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る形状測定装置は、所定の投影パターンを有したパターン光を被検物に投影する投影部と、前記投影部により投影された前記パターン光を前記被検物に対して相対移動させ、前記パターン光により前記被検物の表面を走査させる走査部と、前記パターン光が走査される前記被検物を観察する観察部と、前記観察された前記被検物における前記投影パターンの位置情報に基づいて前記被検物の形状を測定する形状測定部とを備え、前記パターン光が投影された前記被検物の像を前記投影パターンの延在方向と略平行に延びる線状の像に圧縮して結像させる像圧縮部と、前記パターン光が走査される毎に、前記像圧縮部により結像された前記線状の像を検出するリニアセンサとが設けられ、前記形状測定部は、前記リニアセンサにより検出された前記線状の像に含まれる前記投影パターンの位置情報に基づいて、前記被検物の形状を測定するようになっている。
なお、上述の発明において、前記観察部が前記被検物を観察する方向は、前記パターン光の長手方向から見て、前記投影部による前記パターン光の投影方向に対し傾斜するとともに、前記リニアセンサが前記像圧縮部を介して前記被検物の前記線状の像を検出する方向は、前記投影パターンの長手方向と直角な方向から見て、前記投影部による前記パターン光の投影方向に対し傾斜することが好ましい。
また、上述の発明において、前記観察部が前記被検物を観察する方向と、前記リニアセンサが前記像圧縮部を介して前記被検物の前記線状の像を検出する方向とが一致していることが好ましい。
また、上述の発明において、前記投影パターンは、前記パターン光の長手方向に対し輝度が正弦波状に変化する縞状のパターンであることが好ましい。
また、上述の発明において、前記観察部は、前記投影部により前記パターン光が投影された前記被検物の像を結像させる観察光学系と、前記観察光学系により結像された前記被検物の像を観察する観察器とを有して構成されており、前記観察器の観察面が前記観察光学系の光軸と直交する面に対し傾斜して配置され、前記観察面が前記観察光学系を介して前記被検物側で結像する焦点面は、前記投影部から前記被検物へ向けて前記パターン光が進む面上に配置されることが好ましい。
本発明によれば、測定精度を向上させることができる。
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本実施形態に係る三次元形状測定装置の概略構成を図1に示しており、まず、この形状測定装置について図1を参照しながら説明する。この形状測定装置Mは、被検物20が載置される支持台2と、支持台2に支持された被検物20に直線状のスリット光5を投影する投影部1と、スリット光5が投影された被検物20を撮像(観察)する撮像部10と、撮像部10により撮像(観察)された画像データに基づいて被検物20の形状を測定する演算処理部15とを主体に構成される。
投影部1は、内部構成を図示省略するが、光源からの照明光を受けて所定の投影パターンを有した直線状のスリット光5を生じさせるパターン発生部(図示せず)を有して構成される。スリット光5は、図2(a)に示すように、所定の幅(例えば0.5mm)を有する直線状に形成され、スリット光5の長手方向に対し輝度が正弦波状に変化する縞状の投影パターン6を有している。なお、パターン発生部は、投影パターンマスクや、シリンドリカルレンズ、細い帯状の切り欠きを有したスリット板等から構成され、(正弦波)パターンの位相が120度ずつ異なる3種類のスリット光5をそれぞれ切り替えて発生させることが可能である。
支持台2には、スリット光5の長手方向と略直角な方向に支持台2を移動させる駆動装置(図示せず)が設けられており、支持台2とともに被検物20をスリット光5の長手方向と略直角な方向に移動させることで、投影部1により投影されたスリット光5を被検物20に対し相対移動させて、スリット光5により被検物20の表面を走査させることができるようになっている。また、支持台2上には、輝度校正部材30が配設されている。なお、本実施形態において、説明容易化のため、図2(a)に示すようにスリット光5の長手方向をX方向と称し、スリット光5の長手方向と直角な方向、すなわちスリット光5による走査方向をY方向と称することにする。
撮像部10は、投影部1によりスリット光5が投影された被検物20の像を結像させる撮像光学系としての結像レンズ11と、結像レンズ11により結像された被検物20の像を撮像する撮像器13とを有して構成され、支持台2を駆動させてスリット光5が所定間隔走査される毎に被検物20を撮像するようになっている。なお、被検物20側から結像レンズ11を透過した光の一部がハーフミラー12を透過して撮像器13に達し、残りがハーフミラー12で反射して反射ミラー16へ向かうようになっている。
撮像器13は2次元CCD等から構成され、撮像器13の撮像面13aが結像レンズ11の光軸と直交する面(結像レンズ11の主平面)11aに対し傾斜して配置される。そのため、撮像面13aが結像レンズ11(およびハーフミラー12)を介して被検物20側で結像する焦点面FSは、撮像器13の撮像面13aおよび結像レンズ11の光軸と直交する面11aに対して傾斜するが、この焦点面FSは、投影部1から被検物20へ向けてスリット光5が進む面上に配置されている。
このように、撮像部10がシャインプルーフの条件を満たすことで、撮像部10で撮像されるスリット光5が常に合焦位置に位置することになるため、焦点深度を小さくして結像レンズ11のNAを大きくする(例えば、100mm程度の大きさの被検物20に対して0.02〜0.03にする)ことが可能になる。そのため、撮像部10で撮像される画像の解像度が向上してより鮮明となり、測定精度をより向上させることができる。
撮像部10(撮像器13)で撮像された被検物20の2次元画像データは、演算処理部15に送られ、ここで所定の画像演算処理がなされて被検物20の表面の高さが算出され、被検物20の三次元形状(表面形状)が求められる。このとき、演算処理部15では、被検物20の2次元画像において、被検物20の凹凸に応じて変形したスリット光5の位置情報に基づき、スリット光5が延びる方向の画素毎に三角測量の原理を用いて被検物20表面の基準平面からの高さが算出され、被検物20の三次元形状を求める演算処理が行われる。
ところで、ハーフミラー12で反射した結像レンズ11からの光は、反射ミラー16で反射してシリンドリカルレンズ17に達し、シリンドリカルレンズ17で被検物20の像がスリット光5と略平行に延びる線状の像L(図2(b)を参照)に圧縮されてリニアセンサ18上に結像される。この線状の像Lは、被検物20の像をY方向に圧縮した像であり、被検物20の凹凸に応じたスリット光5の変形に拘わらず、図2(b)に示すように、X方向(スリット光5の長手方向)に沿った投影パターン6の位置情報が含まれることになる。
リニアセンサ18は1次元CCD等から構成され、支持台2を駆動させてスリット光5が所定間隔走査される毎に、シリンドリカルレンズ17により結像された線状の像Lを検出するようになっている。なお、リニアセンサ18の長手方向は線状の像Lの長手方向と一致するように設定され、このとき、線状の像Lの幅がリニアセンサ18の幅より小さくなるように設定されることが好ましい。また、リニアセンサ18で検出された線状の像Lのデータは、演算処理部15に送られる。
なお、本実施形態においては、ハーフミラー12を用いることにより、撮像部10が被検物20を撮像する方向と、リニアセンサ18がシリンドリカルレンズ17を介して被検物20の線状の像Lを検出する方向とが一致している。
そのため、図4に示すように、スリット光5の長手方向(X方向)から見て、撮像部10の光軸が投影部1によるスリット光5の投影方向に対し(投影部1の光軸から鉛直方向を向く撮像部10の光軸に向けて角度θだけ)傾斜しており、撮像部10が被検物20を撮像する方向は、投影部1によるスリット光5の投影方向に対し傾斜することになる。また、図5に示すように、スリット光5の長手方向と直角な方向(Y方向)から見て、撮像部10の光軸が投影部1によるスリット光5の投影方向に対し(鉛直方向を向く投影部1の光軸から角度δだけ)傾斜しており、リニアセンサ18がシリンドリカルレンズ17を介して被検物20の線状の像Lを検出する方向は、投影部1によるスリット光5の投影方向に対し傾斜することになる。
次に、以上のように構成された形状測定装置Mによる被検物20の形状測定方法について以下に説明する。まず、撮像部10(撮像器13)およびリニアセンサ18の露光時間を決定するため、測定に先立って、投影部1により投影パターン6を有さない輝度が均一のスリット光5を被検物20に投影する。次に、支持台2とともに被検物20をY方向に移動させることで、投影部1により投影されたスリット光5を被検物20に対し相対移動させて、スリット光5により被検物20の表面を走査させる。このとき、支持台2上の輝度校正部材30にもスリット光5が投影されるようにする。
被検物20からの反射光の一部は、結像レンズ11およびハーフミラー12を透過して撮像器13に達し、残りは結像レンズ11を透過した後、ハーフミラー12および反射ミラー16で反射されてシリンドリカルレンズ17によりリニアセンサ18で結像する。そこで、支持台2を駆動させてスリット光5が所定間隔走査される毎に、リニアセンサ18を用いてシリンドリカルレンズ17により結像された線状の像を検出する。このとき、スリット光5の輝度は均一であり、リニアセンサ18で検出される輝度情報は被検物20や輝度校正部材30の反射率に応じて変化することになるため、演算処理部15は、リニアセンサ18により検出された最大輝度と最小輝度とに基づいて、撮像部10(撮像器13)およびリニアセンサ18の露光時間を決定する。
このように露光時間を決定すると、投影部1により、投影パターン6を有するスリット光5を被検物20に投影する。次に、支持台2とともに被検物20をY方向に移動させることで、投影部1により投影されたスリット光5を被検物20に対し相対移動させて、スリット光5により被検物20の表面を走査させる。なおこのとき、スリット光5が所定間隔走査される毎に、(正弦波)パターンの位相が120度ずつ異なる3種類のスリット光5をそれぞれ所定時間(リニアセンサ18の露光時間)ずつ切り替えて投影するようにする。
被検物20からの反射光の一部は、結像レンズ11およびハーフミラー12を透過して撮像器13で結像するので、撮像器13により、スリット光5が所定間隔走査される毎に被検物20を撮像する。このとき、撮像器13で撮像された被検物20の2次元画像データは、演算処理部15に送られる。
また、被検物20からの反射光の(他の)一部は、結像レンズ11を透過した後、ハーフミラー12および反射ミラー16で反射されてシリンドリカルレンズ17に達し、シリンドリカルレンズ17で被検物20の像がスリット光5と略平行に延びる線状の像L(図2(b)を参照)に圧縮されてリニアセンサ18上に結像される。そこで、スリット光5が所定間隔走査される毎に、リニアセンサ18を用いてシリンドリカルレンズ17により結像された線状の像Lを検出する。このとき、リニアセンサ18で検出された線状の像Lのデータは、演算処理部15に送られる。
なおこのとき、スリット光5が所定間隔走査される毎に、(正弦波)パターンの位相が120度ずつ異なる3種類のスリット光5がそれぞれ所定時間(リニアセンサ18の露光時間)ずつ切り替えて投影されており、リニアセンサ18を用いて、パターンの位相が120度ずつ異なる3種類のスリット光5についてそれぞれ線状の像Lを検出する。なお、リニアセンサ18なので検出を高速に行うことができ、例えば5000画素のリニアセンサ18を用いても1〜2秒程度で検出を完了することができる。またこのとき、撮像器13でも露光が行われているが、120度ずつ位相のずれたパターン光なので輝度が平均化され、撮像器13上では、輝度が均一なスリット光を用いた場合と同等の光切断像を得ることができる。
このようにして各データが演算処理部15に送られると、演算処理部15で所定の演算処理を行うことにより、リニアセンサ18により検出された線状の像Lに含まれる投影パターン6の位置情報に基づいて、スリット光5が所定間隔走査される毎に撮像器13で撮像された、被検物20の2次元画像におけるスリット光5の位置情報を補正する。前述したように、リニアセンサ18がシリンドリカルレンズ17を介して被検物20の線状の像Lを検出する方向は、スリット光5の長手方向と直角な方向(Y方向)から見て、投影部1によるスリット光5の投影方向に対し傾斜している。そのため、投影パターン6を有するスリット光5を用いることにより、被検物20の高さに応じたスリット光5のY方向の位置ずれが、線状の像L(すなわち、X方向)における投影パターン6の位相ずれとなって現れる。
リニアセンサ18に用いられる1次元CCDの単位長さあたりの画素数は、撮像器13に用いられる2次元CCDの単位長さあたりの画素数よりも多く、より細かい画素毎の情報を得ることが可能である。そこで、リニアセンサ18により検出された線状の像Lに含まれる投影パターン6の位置情報、すなわち投影パターン6の位相ずれに基づいて、被検物20の高さに応じたスリット光5のY方向の位置ずれ、すなわちX方向位置に対するスリット光5のY方向位置を画素毎に算出し、図3に示すように、撮像器13で撮像された2次元画像におけるスリット光5の画素毎の位置情報を増やすようにする。これにより、スリット光5の画素毎の位置情報を曲線近似したときに、近似の精度を向上させることができるため、スリット光5の検出精度が増して形状の測定精度を向上させることが可能になる。
なおこのとき、線状の像Lの情報から算出することができるのは、スリット光5同士の相対位置関係であるが、2次元画像におけるスリット光5の位置情報を用いることにより、スリット光5のY方向位置を算出することが可能である。そして、このように補正された(スリット光5が所定間隔走査される毎に撮像器13で撮像された、被検物20の2次元画像における)スリット光5の位置情報に基づいて、スリット光5が延びる方向の画素毎に、三角測量の原理を用いて被検物20表面の基準平面からの高さを算出し、被検物20の三次元形状を測定する。
この結果、本実施形態の形状測定装置Mによれば、リニアセンサ18により検出された線状の像Lに含まれる投影パターン6の位置情報に基づいて、撮像器13で撮像された被検物20の2次元画像におけるスリット光5の位置情報を補正するため、(X方向における)画素毎の分解能を高めることが可能になり、形状測定装置Mの測定精度を向上させることができる。
なお、前述したように、撮像部10が被検物20を撮像する方向は、スリット光5の長手方向から見て、投影部1によるスリット光5の投影方向に対し傾斜するとともに、リニアセンサ18がシリンドリカルレンズ17を介して被検物20の線状の像Lを検出する方向は、スリット光5の長手方向と直角な方向から見て、投影部1によるスリット光5の投影方向に対し傾斜することが好ましい。このようにすれば、撮像部10による撮像とリニアセンサ18による検出とを同時に行うことができ、測定時間を短縮することが可能になる。
また、撮像部10が被検物20を撮像する方向と、リニアセンサ18がシリンドリカルレンズ17を介して被検物20の線状の像Lを検出する方向とが一致していることが好ましく、このようにすれば、同じ方向からスリット光5を検出することになるため、スリット光5の位置情報を容易に補正することができる。
また、投影パターン6は、スリット光5の長手方向に対し輝度が正弦波状に変化する縞状のパターンであることが好ましく、このような明暗のはっきりしたパターンを用いることで、線状の像Lに含まれる投影パターン6の位置情報を容易に知ることができる。
本発明に係る形状測定装置の概略構成図である。 (a)はスリット光の模式図であり、(b)は線状の像の模式図である。 スリット光の画素毎の分布を示す模式図である。 投影部および撮像部をスリット光の長手方向から見た模式図である。 投影部および撮像部をスリット光の長手方向と直角な方向から見た模式図である。 従来における形状測定装置の概略構成図である。
符号の説明
M 形状測定装置 L 線状の像
1 投影部 2 支持台(走査部)
5 スリット光(パターン光) 6 投影パターン
10 撮像部(観察部)
11 結像レンズ(観察光学系)
13 撮像器(観察器) 13a 撮像面(観察面)
15 演算処理部
17 シリンドリカルレンズ(像圧縮部) 18 リニアセンサ
20 被検物

Claims (5)

  1. 所定の投影パターンを有したパターン光を被検物に投影する投影部と、
    前記投影部により投影された前記パターン光を前記被検物に対して相対移動させ、前記パターン光により前記被検物の表面を走査させる走査部と、
    前記パターン光が走査される前記被検物を観察する観察部と、
    前記観察された前記被検物における前記投影パターンの位置情報に基づいて前記被検物の形状を測定する形状測定部とを備え、
    前記パターン光が投影された前記被検物の像を前記投影パターンの延在方向と略平行に延びる線状の像に圧縮して結像させる像圧縮部と、
    前記パターン光が走査される毎に、前記像圧縮部により結像された前記線状の像を検出するリニアセンサとが設けられ、
    前記形状測定部は、前記リニアセンサにより検出された前記線状の像に含まれる前記投影パターンの位置情報に基づいて、前記被検物の形状を測定することを特徴とする形状測定装置。
  2. 前記観察部が前記被検物を観察する方向は、前記パターン光の長手方向から見て、前記投影部による前記パターン光の投影方向に対し傾斜するとともに、
    前記リニアセンサが前記像圧縮部を介して前記被検物の前記線状の像を検出する方向は、前記投影パターンの長手方向と直角な方向から見て、前記投影部による前記パターン光の投影方向に対し傾斜することを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
  3. 前記観察部が前記被検物を観察する方向と、前記リニアセンサが前記像圧縮部を介して前記被検物の前記線状の像を検出する方向とが一致していることを特徴とする請求項1もしくは請求項2に記載の形状測定装置。
  4. 前記投影パターンは、前記パターン光の長手方向に対し輝度が正弦波状に変化する縞状のパターンであることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の形状測定装置。
  5. 前記観察部は、前記投影部により前記パターン光が投影された前記被検物の像を結像させる観察光学系と、前記観察光学系により結像された前記被検物の像を観察する観察器とを有して構成されており、
    前記観察器の観察面が前記観察光学系の光軸と直交する面に対し傾斜して配置され、
    前記観察面が前記観察光学系を介して前記被検物側で結像する焦点面は、前記投影部から前記被検物へ向けて前記パターン光が進む面上に配置されることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の形状測定装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012078302A (ja) * 2010-10-06 2012-04-19 Nidec Tosok Corp ウェーハバンプの高さ測定装置及び高さ測定方法

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