JP2008246515A - リフロー装置 - Google Patents

Abstract

【課題】はんだの種類の切り替え時等で、リフロー炉の温度を設定温度に短時間で低下させることを可能とする。
【解決手段】
下部加熱装置の下方に冷却用Ｎ₂導入口が設けられている。プリヒート部を受け持つゾ
ーンＺ３〜Ｚ５のそれぞれの下部加熱装置に対して下方からＮ₂が供給される。Ｎ₂発生装置４５からのＮ₂が分岐部４６によってメイン供給と冷却用のサブ供給とに分離される。
サブ供給経路は、３個に分岐され、各分岐に対してバルブＶ３〜Ｖ５と流量調整ボリュームＬ３〜Ｌ５が設けられる。バルブＶ３〜Ｖ５を切り替えることによって、ゾーンＺ３〜Ｚ５に対する冷却用Ｎ₂の導通、遮断が制御される。鉛フリーはんだから共晶はんだへの
切り替え時には、ゾーンＺ３〜Ｚ５の下部加熱装置に対して、Ｎ₂が導入され、これらの
ゾーンの温度を短時間で下げることができる。
【選択図】図３

Description

この発明は、リフローまたは接着剤の硬化に適用されるリフロー装置に関する。

電子部品またはプリント配線基板に対して予めはんだを供給しておき、リフロー炉の中に基板を搬送コンベヤで搬送し、はんだ付けを行ったり、熱硬化性接着剤によって電子部品を基板上に固定するために、リフロー装置が使用されている。リフロー装置では、被加熱物例えば基板の表面温度を所望の温度プロファイルにしたがって制御することによって、所望のはんだ付けを行うことができる。生産条件を変更した場合、例えば異なる種類のはんだへ変更した場合に、短時間の内に変更後のはんだに対応することが作業性の向上のために要請される。

図６は、温度プロファイルの概略を示す。横軸が時間であり、縦軸が被加熱物例えば電子部品が実装されたプリント配線基板の表面温度である。最初の区間が加熱によって温度が上昇する昇温部Ｒ１であり、次の区間が温度がほぼ一定のプリヒート（予熱）部Ｒ２であり、次の区間が本加熱部Ｒ３であり、最後の区間が冷却部Ｒ４である。

昇温部Ｒ１は、常温からプリヒート部Ｒ２（例えば１５０°Ｃ〜１７０°Ｃ）まで基板を加熱する期間である。プリヒート部Ｒ２は、等温加熱を行い、フラックスを活性化し、電極、はんだ粉の表面の酸化膜を除去し、また、プリント配線基板の加熱ムラをなくすための期間である。本加熱部Ｒ３（例えばピーク温度で２２０°Ｃ〜２４０°Ｃ）は、はんだが溶融し、接合が完成する期間である。本加熱部Ｒ３では、はんだの溶融温度を超える温度まで昇温が必要とされる。本加熱部Ｒ３は、プリヒート部Ｒ２を経過していても、温度上昇のムラが存在するので、はんだの溶融温度を超える温度までの加熱が必要とされる。最後の冷却部Ｒ４は、急速にプリント配線基板を冷却し、はんだ組成を形成する期間である。

図６において、曲線１は、鉛フリーはんだの温度プロファイルを示す。共晶はんだの場合の温度プロファイルは、曲線２で示すものとなる。鉛フリーはんだの融点は、共晶はんだの融点より高いので、プリヒート部Ｒ２における設定温度が共晶はんだに比して高いものとされている。さらに、図６における曲線３は、電子部品をプリント配線基板に固定するための熱硬化性接着剤を硬化する場合のプロファイルを示す。はんだに比して接着剤は、設定温度が低く、また、複雑な温度制御が不要である。

使用されているはんだの種類（鉛フリーはんだと共晶はんだ）、プリント配線基板の種類等に応じてプロファイルが曲線１および曲線２の何れかになるように温度制御がなされる。また、リフロー装置を接着剤の硬化工程に使用する場合には、曲線３のプロファイルが使用される。リフロー装置の場合、設定温度を高くすることは、比較的短時間でなしうるが、断熱構造を有しているので、温度を低下させるには、時間がかかる。

例えば下記の特許文献１には、加熱用ヒータの通電をオフすると共に、外気または不活性ガスを特定のゾーンに送り込むことによって、短時間で特定のゾーンの温度を低下させることが記載されている。また、下記の特許文献２には、炉内の高温暖気を強制的に排出すると共に、炉内に冷気を供給して強制的に冷却することが記載されている。

特開平１１−１４５６１１号公報 特開平６−１７０５２４号公報

図６を参照して説明したように、はんだの種類を鉛フリーはんだから共晶はんだに変更するために、リフロー装置の炉の温度を下げる場合、温度プロファイルの中のプリヒート部Ｒ２を受け持つゾーンの温度を下げることが必要とされ、そのゾーンの温度を如何に短時間の内で低下させることができるかが重要である。しかしながら、上述した特許文献１および特許文献２に記載のものは、プリヒート部Ｒ２を本加熱部Ｒ３と区別して特定のゾーンの炉の温度を低下させるものではないので、構成が複雑となったり、温度を下げるのに要する時間が長くなったり、冷却のために使用するガスの量を多く必要とする等の問題があった。

したがって、この発明の目的は、インラインに配置された複数のゾーンの中で、プリヒート部を受け持つゾーンの温度を急速に低下させることによって、構成を複雑化することなく、はんだの種類の切り替えを高速且つ効率的に行うことができるリフロー装置を提供することにある。

この発明は、上述した課題を解決するために、搬送される被加熱物の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、複数のゾーンの温度を制御することによって、搬送される被加熱物の温度を所望のプロファイルで制御するリフロー装置において、
複数のゾーンの中で、ゾーン内の設定温度を変更する場合に、該設定温度の変化が大きい１または複数のゾーンに対して、ゾーン内のガスに比して低温のガスを導入するガス導入部を設け、
ガス導入部を介して該ゾーン内に低温のガスを導入して１または複数のゾーンの温度を短時間で低下させるようにしたリフロー装置である。
具体的には、リフロー時のプロファイルが昇温部とプリヒート部と本加熱部と冷却部とからなり、昇温部、プリヒート部および本加熱部の加熱をそれぞれ受け持つゾーンの中で、設定温度の変化の大きい１または複数のゾーンに対して、ゾーン内のガスに比して低温のガスを導入するようになされる。
さらに、短時間の冷却を可能とするために、プリヒート部の加熱を受け持つ１または複数のゾーン内のガスをリフロー炉の外部に設けられた冷却部を循環させるようになされる。

リフロー炉の設定温度の変更が必要な時、例えば鉛フリーはんだから共晶はんだへの切り替え時に、設定温度の変化の大きいゾーン例えばプリヒート部を受け持つゾーンの温度を急速に低下させることによって、切り替え作業を短時間且つ効率的に行うことができる。

図１は、この発明の一実施の形態によるリフロー装置の外板を除く概略的構成を示す。プリント配線基板の両面に表面実装用電子部品が搭載された被加熱物が搬送コンベヤの上に置かれ、搬入口１１からリフロー装置内に搬入される。搬送コンベヤが所定速度で矢印方向（図１に向かって左から右方向）へ被加熱物を搬送し、被加熱物が搬出口１２から取り出される。

搬入口１１から搬出口１２に至る搬送経路に沿って、リフロー炉が例えば９個のゾーンＺ１からＺ９に順次分割され、これらのゾーンＺ１〜Ｚ９がインライン状に配列されている。フラックス回収システム１３ａが搬入口側に設けられ、搬出口側にフラックス回収システム１３ｂおよび１３ｃが設けられている。入り口側から７個のゾーンＺ１〜Ｚ７が加熱ゾーンであり、出口側の２個のゾーンＺ８およびＺ９が冷却ゾーンである。冷却ゾーンＺ８およびＺ９に関連して強制冷却ユニット１４が設けられている。なお、ゾーン数は、一例であって、他の個数のゾーンを備えても良い。

上述した複数のゾーンＺ１〜Ｚ９がリフロー時の温度プロファイルにしたがって被加熱物の温度を制御する。図６における昇温部Ｒ１の温度制御を、主としてゾーンＺ１およびＺ２が受け持つ。プリヒート部Ｒ２の温度制御は、主としてゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５が受け持つ。本加熱部Ｒ３の温度制御は、冷却ゾーンＺ８およびＺ９が受け持つ。

加熱ゾーンＺ１〜Ｚ７のそれぞれは、それぞれ送風機を含む上部加熱装置および下部加熱装置を有する。例えばゾーンＺ１の上部加熱装置１５から搬送される被加熱物に対して熱風が吹きつけられ、下部加熱装置３５から搬送される被加熱物に対して熱風が吹きつけられる。

この発明の一実施の形態では、鉛フリーはんだから共晶はんだへの切り替え時に、加熱を停止すると共に、常温の雰囲気ガス（窒素：Ｎ₂）を外部からプリヒート部の温度制御
を受け持つゾーンＺ３，Ｚ４およびＺ５の下部加熱装置内に供給してこれらのゾーンＺ３，Ｚ４およびＺ５の炉内温度を短時間で下げる。この場合、本加熱部を受け持つゾーンＺ６に近いゾーンほど多くのＮ₂を導入するように、Ｎ₂導入量を制御しても良い。例えばゾーンＺ３、Ｚ４、Ｚ５の導入量（流量）を（１：２：４）と制御する。さらに、本加熱部を受け持つゾーンＺ６と隣接するゾーンＺ５のみにＮ₂を供給しても良い。ゾーンＺ５は
、高温とされたゾーンＺ６の影響を受けて温度が下がりにくいからである。なお、送風機の動作は、切り替え時でも停止しない。また、下部加熱装置３５に限らず、上部加熱装置１５から冷却用のＮ₂を導入しても良い。

また、この発明の一実施の形態では、ゾーンＺ４およびＺ５の上部加熱装置と関連して、リフロー時並びにはんだの種類の切り替え時を含んで、常時、雰囲気ガスのＮ₂を循環
冷却している。常時循環冷却を行うのは、構成の簡略化のためである。鉛フリーはんだから共晶はんだへの切り替え時に、加熱を停止すると、冷却されたＮ₂の作用で、短時間で
ゾーンＺ４およびＺ５の温度を下げることができる。このように、一実施の形態では、加熱ゾーンＺ４およびＺ５に関しては、Ｎ₂の外部からの供給と、Ｎ₂の冷却作用とを併用して鉛フリーはんだから共晶はんだへの切り替え時に温度を短時間で下げることを可能としている。なお、雰囲気ガスとしては、Ｎ₂以外の不活性ガスを使用しても良い。

上述したように、冷却用のＮ₂を下部加熱装置から導入しているが、上下の加熱装置は
、ガスの流れに関しては、互いに行き来するので、冷却用のＮ₂の導入による冷却効果は
、上部加熱装置に対しても波及する。同様に、上部加熱装置における循環冷却方式の冷却効果は、下部加熱装置に対しても波及する。

図２を参照して加熱装置の一例について説明する。例えばゾーンＺ５の構成が図２に示されている。上部加熱装置１５と下部加熱装置３５との対向間隙内で、プリント配線基板の両面に表面実装用電子部品が搭載された被加熱物Ｗが搬送コンベヤ４１上に置かれて搬送される。上部加熱装置１５と下部加熱装置３５とは、被加熱物Ｗに対して熱風を噴出して被加熱物Ｗを加熱する。なお、熱風と共に赤外線を照射しても良い。

上部加熱装置１５は、主加熱源１６、副加熱源１７、送風機例えば軸流ブロワ１８、蓄熱部材１９、熱風循環ダクト２０、開口部２１等からなる。開口部２１を通じて熱風（熱せられた雰囲気ガス例えばＮ₂）が被加熱物Ｗに対して吹きつけられる。主加熱源１６、
副加熱源１７は、例えば電熱ヒータで構成される。蓄熱部材１９は、例えばアルミニウムからなり、多数の孔が形成され、その孔を通じて熱風が通過して被加熱物Ｗに吹きつけられる。

熱風は、軸流ブロワ１８によって循環される。すなわち、（主加熱源１６→蓄熱部材１９→開口部２１→被加熱物Ｗ→熱風循環ダクト２０→副加熱源１７→熱風循環ダクト２０→軸流ブロワ１８→主加熱源１６）の経路を介して熱風が循環する。

この熱風の循環経路中の例えば上部２箇所に導出口としての孔２２ａおよび導入口としての孔２２ｂを設け、外部の空冷装置としてのラジエターボックス４２とホース４３ａおよび４３ｂを介して接続する。ラジエターボックス４２は、ガスの循環するパイプの周面に多数のフィンが設けられると共に、冷却ファンを備えた構成とされている。例えば孔２２ａから取り出された熱風がラジエターボックス４２によって冷却され、孔２２ｂからゾーンＺ５の上部加熱装置１５内に取り込まれる。軸流ブロワ１８の送風によって生じる圧力の高い箇所に導出口（孔２２ａ）が設けられ、圧力の低い箇所に導入口（孔２２ｂ）が設けられ、圧力差を利用してこのラジエターボックス４２を含む経路をガスが循環する。ラジエターボックス４２の下部には、フラックス回収用の容器４４が設けられている。

ラジエターボックス４２は、主加熱源１６および副加熱源１７が動作している状態でも、熱風を冷却している。この動作状態で、ゾーンＺ５の温度を設定温度となるように、主加熱源１６および副加熱源１７が動作される。したがって、はんだを鉛フリーはんだから共晶はんだに切り替える時に、主加熱源１６および副加熱源１７に対する通電を絶つと、ラジエターボックス４２による冷却作用によって短時間でゾーンＺ５の温度を下げることができる。さらに、ラジエターボックス４２が上部加熱装置１５のフラックス回収装置を兼ねることができる。ゾーンＺ５における循環冷却方式と同様の方式が隣接するゾーンＺ４に対しても適用されている。なお、循環冷却方式を下部加熱装置３５に対して適用しても良い。

さらに、上部加熱装置１５の上部に外気導入バルブ２３が設けられている。外気導入バルブ２３としては、電動ボールバルブを使用できる。外気導入バルブ２３は、はんだリフローから接着剤硬化へ切り替える時に導通され、外気が導入される。硬化の場合の温度は、はんだ付けに比して低く、且つＮ₂を必要としないので、加熱源への通電の停止、Ｎ₂の供給停止と共に、外気が導入される。

外気導入バルブは、ゾーンＺ５の場合、上部加熱装置１５の１箇所と下部加熱装置３５の１箇所とに設けられている。他のゾーンＺ１〜Ｚ４のそれぞれも同様に、上下各１箇所の外気導入バルブが設けられている。ゾーンＺ６およびＺ７の場合は、上下各２箇所の外気導入バルブが設けられている。合計で１８箇所の外気導入口が設けられ、大気導入時には、これらの外気導入口が一斉に導通される。

下部加熱装置３５は、上述した上部加熱装置１５と同様の構成とされており、対応する部分の説明を省略する。下部加熱装置３５の下部に設けた孔３６ａおよび３６ｂは、フラックス回収用の孔であり、図示しないが、ホースを通じて回収容器が接続されている。また、下部加熱装置３５の下部には、冷却用Ｎ₂導入口３７が設けられている。

図３に示すように、プリヒート部を受け持つゾーンＺ３、Ｚ４、Ｚ５のそれぞれの下部加熱装置に対して下方から冷却用Ｎ₂導入口を介してＮ₂が供給される。Ｎ₂発生装置４５
からのＮ₂が分岐部４６によってメイン供給と冷却用のサブ供給とに分離される。例えば
超低温の液化窒素を気化させることでＮ₂が発生される。メイン供給と温調は、段どり替
え中でも行われる。

サブ供給経路は、３個に分岐され、各分岐に対して電子的制御可能なバルブＶ３、Ｖ４およびＶ５と手動の流量調整ボリュームＬ３、Ｌ４、Ｌ５が設けられる。バルブＶ３、Ｖ４およびＶ５を切り替えることによって、ゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５に対する冷却用Ｎ₂の導通、遮断が制御される。また、流量調整ボリュームＬ３、Ｌ４、Ｌ５によって、導
入されるＮ₂の流量を調整することができる。例えば本加熱部を受け持つゾーンＺ６に近
いゾーンほどＮ₂の流量が多くされる。なお、図示しないが、各ゾーンに対するＮ₂の供給路中には、レギュレータ、圧力センサー等が配されている。鉛フリーはんだから共晶はんだへの切り替え時には、ゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５の下部加熱装置に対して、Ｎ₂が導
入され、下部からの冷却用のＮ₂が上部加熱装置１５に入り、さらに、ラジエターボック
ス４２を含む上述した循環経路で冷却されるので、これらのゾーンの温度を短時間で下げることができる。

図４を参照してこの発明の一実施の形態のリフロー装置に設けられた外部とのガスまたは外気導入用の孔について概略的に説明する。図４Ａは、リフロー装置の上面を示し、図４Ｂは、リフロー装置の下面を示す。各ゾーンの上面には、メインＮ₂の導入口ａ1からａ7が形成され、下面には、メインＮ₂の導入口ｂ1からｂ7が形成されている。メインＮ₂の
導入口を図４において、模式的に白い丸で表す。

ゾーンＺ４の上面にラジエターボックス４２に接続するための孔ｃ41およびｃ42が形成され、ゾーンＺ５の上面に他のラジエターボックスに接続するための孔ｃ51およびｃ52が形成されている。ラジエターボックスに接続するための孔を図４において、模式的に三角形で表す。

さらに、ゾーンＺ３の下面に冷却用Ｎ₂の導入口ｄ3が形成されている。ゾーンＺ４の下面およびゾーンＺ５の下面にそれぞれ冷却用Ｎ₂の導入口ｄ4およびｄ5がそれぞれ形成さ
れている。冷却用Ｎ₂の導入口を図４において、模式的に黒い丸で表す。

さらに、硬化のために温度を下げる場合に導通される外気導入口ｅ1〜ｅ5がゾーンＺ１〜Ｚ５のそれぞれの上面に形成されている。ゾーンＺ６の上面には、２箇所の外気導入口ｅ61およびｅ62が形成され、ゾーンＺ７の上面には、２箇所の外気導入口ｅ71およびｅ72が形成されている。下面にも外気導入口ｆ1〜ｆ72が同様の関係で形成され、合計１８箇
所の外気導入口が形成されている。

図４に示す導入口および導出口の配置は、一例であって、設置箇所は、他の場所であっても良い。但し、ガスまたは大気の導出口は、送風機の動作によって圧力の高くなっている箇所に設けられ、ガスまたは大気の導入口は、送風機の動作によって圧力の低くなっている箇所に設けられる。また、加熱装置の側面に対して導入口または導出口を設けても良い。

図５を参照してこの発明の一実施の形態における各ゾーンの温度設定の一例を説明する。図５において、ヒーター温度（上）は、上部加熱装置の主加熱源および副加熱源をそれぞれ構成するヒーターの設定温度を表し、ヒーター温度（下）は、下部加熱装置の主加熱源および副加熱源をそれぞれ構成するヒーターの設定温度を表す。鉛フリーはんだ、共晶はんだおよび硬化の場合のそれぞれの設定温度が示されている。

鉛フリーはんだ、共晶はんだおよび硬化の場合で、上部加熱装置の軸流ブロワの風量、並びに上部加熱装置の軸流ブロワの風量は、各ゾーンで中（Ｍｉｄ）に設定され、被加熱物の搬送速度は、０．９（ｍ／ｍｉｎ）に設定される。例えば鉛フリーはんだの場合では、プリヒート部を受け持つゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５のそれぞれのヒーター温度（上）およびヒーター温度（下）が１９０°Ｃに設定される。共晶はんだの場合では、ゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５のそれぞれのヒーター温度（上）およびヒーター温度（下）が１６０°Ｃに設定される。さらに、硬化の場合では、加熱ゾーンＺ１〜Ｚ７が１５０°Ｃに設定される。図５に示す設定によって鉛フリーはんだの場合の所望の温度（リフロー）プロファイルが得られ、また、共晶はんだの場合に所望の温度（リフロー）プロファイルを得ることができ、さらに，硬化の場合の所望の温度プロファイルを得ることができる。

例えばヒーター温度を１５０°Ｃに設定した場合に、被加熱物（例えば所定の厚み、大きさのプリント配線基板）の温度がほぼ１１０°Ｃとなり、ヒーター温度を１６０°Ｃに設定した場合に、被加熱物の温度がほぼ１４０°Ｃとなり、ヒーター温度を１９０°Ｃに設定した場合に、被加熱物の温度がほぼ１７０°Ｃ〜１８０°Ｃとなり、ヒーター温度を２４５°Ｃに設定した場合に、被加熱物の温度がほぼ２２５°Ｃとなり、ヒーター温度を２４０°Ｃに設定した場合に、被加熱物の温度がほぼ２３０°Ｃとなる。

したがって、鉛フリーはんだから共晶はんだの場合では、ゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５のそれぞれの温度を３０°Ｃ下げることが必要とされる。また、鉛フリーはんだから硬化の場合では、ゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５のそれぞれの温度を４０°Ｃ下げることが必要とされる。この発明の一実施の形態では、これらの温度切り替えを短時間で行うことができる。例えば３０分必要であったのが１５〜２０分に短縮することができる。

以上、この発明の実施の形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えばこの発明による冷却は、本加熱部に隣接するプリヒート部の終端部を受け持つゾーンに対してのみ適用するようにしても良い。また、鉛フリーはんだと共晶はんだの切り替え以外の温度プロファイルの切り替えに対してもこの発明を適用することができる。

この発明の一実施形態によるリフロー装置の概略を示す略線図である。 この発明の一実施の形態における一つのゾーンの構成の一例を示す断面図である。 この発明の一実施の形態におけるＮ₂供給によって冷却を行う方法を説明するための略線図である。 この発明の一実施の形態において設けられた導入口および孔の配置を説明するための略線図である。 各ゾーンの設定温度の一例を示す略線図である。 リフロー時の温度プロファイルの例を示すグラフである。

符号の説明

Ｚ１〜Ｚ９ ゾーン
Ｗ 被加熱物
１１ 被加熱物の搬入口
１２ 被加熱物の搬出口
１５ 上部加熱装置
１６ 主加熱源
１７ 副加熱源
１８ 軸流ブロワ
２２ａ，２２ｂ 循環用に設けられた孔
２３ 外気導入バルブ
３５ 下部加熱装置
４２ ラジエターボックス

Claims (9)

1. 搬送される被加熱物の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、上記複数のゾーンの温度を制御することによって、搬送される上記被加熱物の温度を所望のプロファイルで制御するリフロー装置において、
   上記複数のゾーンの中で、上記ゾーン内の設定温度を変更する場合に、該設定温度の変化が大きい１または複数の上記ゾーンに対して、上記ゾーン内のガスに比して低温のガスを導入するガス導入部を設け、
   上記ガス導入部を介して該ゾーン内に上記低温のガスを導入して１または複数の上記ゾーンの温度を短時間で低下させるようにしたリフロー装置。
2. リフロー時の上記プロファイルが昇温部とプリヒート部と本加熱部と冷却部とからなり、
   上記昇温部、上記プリヒート部および上記本加熱部の加熱をそれぞれ受け持つゾーンの中で、上記設定温度の変化の大きい１または複数の上記ゾーンに対して、上記ゾーン内のガスに比して低温のガスを導入するガス導入部を設ける請求項１記載のリフロー装置。
3. 鉛フリーはんだの上記プロファイルを共晶はんだの上記プロファイルへ切り替える時に上記低温のガスを導入する請求項１記載のリフロー装置。
4. 上記低温のガスの導入箇所が上記送風機により発生する圧力の低い箇所に設けられる請求項３記載のリフロー装置。
5. 上記ゾーンのそれぞれの加熱装置が上部加熱装置と下部加熱装置とから構成され、上記上部加熱装置と下部加熱装置との対向間隙を被加熱物が通過する構成とされ、
   上記ガス導入部が上記上部加熱装置と下部加熱装置との一方に設けられた請求項１記載のリフロー装置。
6. 上記設定温度の変化が大きい１または複数の上記ゾーン内のガスをリフロー炉の外部に設けられた冷却部を循環させる請求項１記載のリフロー装置。
7. 上記冷却部が上記ガスの通る管と、上記管の周面に設けられた冷却フィンと、上記管からフラックスを回収する回収部とからなる請求項６記載のリフロー装置。
8. 上記加熱部が加熱源と送風機とを有する熱風噴射型の加熱装置であり、
   上記送風機により発生する圧力の高い箇所から上記ガスを導出して上記冷却部へ供給し、上記冷却部により冷却されたガスを上記送風機により発生する圧力の低い箇所から上記加熱部に導入される請求項６記載のリフロー装置。
9. 上記ゾーンのそれぞれの加熱装置が上部加熱装置と下部加熱装置とから構成され、上記上部加熱装置と下部加熱装置との対向間隙を被加熱物が通過する構成とされ、
   上記ガスの導出部および上記ガスの導入部が上記上部加熱装置と下部加熱装置との一方に設けられた請求項８記載のリフロー装置。

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