JP2008244359A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【課題】リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】導電性を有する基板2と、前記基板2の第一の面側に略垂直方向に並べて形成される化合物半導体からなる複数のナノコラム3と、前記基板2の第二の面側に形成されるドレイン電極Dと、前記ナノコラム3の形成面4に形成されるソース電極Sと、前記基板2の第一の面側に形成されるゲート電極Gと、を有する電界効果トランジスタ。
【選択図】図1
【解決手段】導電性を有する基板2と、前記基板2の第一の面側に略垂直方向に並べて形成される化合物半導体からなる複数のナノコラム3と、前記基板2の第二の面側に形成されるドレイン電極Dと、前記ナノコラム3の形成面4に形成されるソース電極Sと、前記基板2の第一の面側に形成されるゲート電極Gと、を有する電界効果トランジスタ。
【選択図】図1
Description
本発明は、化合物半導体からなる縦型の電界効果トランジスタに関するものである。
GaN,InGaN,AlGaN,AlInGaNなどの窒化物系化合物半導体材料は、GaAs系等のIII−V族化合物半導体材料に比べてバンドギャップエネルギーが大きいので、これらの材料を用いた電子デバイスは耐熱温度が高く高温動作に優れている。そして近年は特にGaNを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイスを電源デバイスとして応用することが期待されている。
III−V族化合物半導体材料を使用した電界効果トランジスタとして、AlGaN/GaN系のHEMT(High Electron Mobility Transistor)が広く研究されている。ここで、このような電界効果トランジスタは、しきい値電圧が+1V程度と低い。そこで、ゲート電極と接する最上層のAlGaNの膜厚をエッチングや選択成長によって薄くし、ゲート電極下の空乏層をAlGaN/GaN界面の2次元電子ガスの領域まで到達させる。そして、ゲート電極に電圧を加えていない状態ではゲート電極直下の2次元電子ガスを遮断させることで、しきい値電圧を上げることが行われている(非特許文献1)。
他に、近年窒化物系化合物半導体を使用することにより、青色領域の波長の光を発光する発光素子が実現され、従来の赤色の波長の光を発光する発光素子とあわせて、可視光領域において短波長から長波長の波長の光を発光する発光素子が得られるようになった。そのため、発光素子において、光の三原色、赤、青、緑のすべてがカバーされフルカラーディスプレイの実現が可能となった。さらに、発光ダイオード等の発光輝度は年々上昇し、発光ダイオードを照明に用いることも行われつつある。
さらに、SiやGaAs基板上に窒化物系化合物半導体からなるナノコラムを形成することも行われている。このようにして形成されたナノコラム中の欠陥密度は非常に少なく、ナノコラム壁面の表面再結合の時間も非常に長い。そこでその性質を利用してAlGaInNの全組成において、ナノコラムの結晶成長を行わせて、可視光の全波長帯域での発光も確認されている(非特許文献2)。
M. kuraguchi et al., "Normally-off GaN-MISFET with wellcontrolled threshold voltage," International Workshop of Nitride 2006 (IWN06), WeED1-4, Oct. 2006, Kyoto, Japan.
A.Kikuchi,M.Kawai,M.Tada,K.Kishino,Jpn.J.Appl.Phys., Vol.43, No.12A, L1524 (2004).
非特許文献1に記載されている電界効果トランジスタのように、ゲート電極と接する最上層のAlGaNの膜厚をエッチングや選択成長によって薄くしてしきい値電圧を上げる手法では、AlGaNの膜厚の原子層レベルでの制御が必要であり、必ずしも所望の高いしきい値電圧を得られるとは限らないという問題がある。
さらに、GaN,InGaN,AlGaN,AlInGaNなどの窒化物系化合物半導体材料を成長するための格子定数が一致する適切な基板材料は現在のところ存在していない。たとえば、AlGaN/GaN系のHEMTにおいて、窒化物系化合物半導体材料を成長するために使用される代表的な基板であるサファイア基板、シリコンカーバイド基板などは、GaNとの格子不整合率は20%以上もある。そのため、成長した半導体層には多数の欠陥が入り、チャネルにおけるキャリアの移動度が低下してスイッチング速度が低下したり、耐圧が下がったり、リーク電流が増加して損失が大きくなったりするという問題がある。さらに、これらの基板は高価であり、また、基板の大面積化も困難であるので電界効果トランジスタの量産化には適さないという問題がある。
そこで本発明が解決しようとする課題は、リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供することである。
本発明に係る電界効果トランジスタは、導電性を有する基板と、前記基板の第一の面側に略垂直方向に並べて形成される化合物半導体からなる複数のナノコラムと、前記基板の第二の面側に形成されるドレイン電極と、前記ナノコラムの形成面に形成されるソース電極と、前記基板の第一の面側に形成されるゲート電極と、を有する。
好適には、前記複数のナノコラムの上部に形成され、前記複数のナノコラムの少なくとも一部を接続するナノコラム接続層をさらに有する。
なお、前記複数のナノコラムの、前記基板面に対する垂直方向の長さは50nm以上20μm以下である、ことが望ましい。
一層好適には、前記複数のナノコラム同士の間隙は、絶縁体によって充填されている。
好適に、前記ナノコラムの少なくとも一部の導電性はp型である。
好適に、前記ナノコラム接続層の少なくとも一部の導電性はp型である。
好ましくは、前記基板の第一の面側にバッファ層をさらに有する。
一層好ましくは、前記ゲート電極は絶縁膜を介して形成される。
本発明によれば、リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを得ることができる。
図1は、本発明の電界効果トランジスタ1の基本的な構造を示す断面図である。
図1に示した電界効果トランジスタ1は、導電性を有する基板2の表面(第一の面)側に、基板2面に対して略垂直方向に複数本の化合物半導体からなるナノコラム3を並べて形成している。電界効果トランジスタ1のソース電極S、ドレイン電極Dはそれぞれ、基板2の裏面(基板2の第二の面)側、ナノコラム3の形成面4(基板2の第一の面側)に形成する。図1に示した電界効果トランジスタ1では、ナノコラム3の形成面4にソース電極Sを形成し、基板2の裏面にドレイン電極Dを形成している。
図1に示した電界効果トランジスタ1は、導電性を有する基板2の表面(第一の面)側に、基板2面に対して略垂直方向に複数本の化合物半導体からなるナノコラム3を並べて形成している。電界効果トランジスタ1のソース電極S、ドレイン電極Dはそれぞれ、基板2の裏面(基板2の第二の面)側、ナノコラム3の形成面4(基板2の第一の面側)に形成する。図1に示した電界効果トランジスタ1では、ナノコラム3の形成面4にソース電極Sを形成し、基板2の裏面にドレイン電極Dを形成している。
基板2としては、Si,GaAs,InAs,AlAs,GaP,InP,AlP,GaSb,InSb,AsSb,GaN,SiC,ZnOの2元系の基板、その他のこれらの組み合わせた多元系の基板などを使用することができる。また、ナノコラム3の材料としてZnO,GaN,AlN,InNその他、ZnMgCdO(酸化物系),AlGaInN(窒化物系)などの多次元系の化合物の組み合わせを使用することができる。
基板2は例えばn型の導電性を有しており、ナノコラム3は基板2の第一の面に対して略垂直に形成されている。また、ソース電極Sとドレイン電極Dはそれぞれ、基板2の第二の面とナノコラム3の形成面4に対して形成している。そのため、ナノコラム3のコラム方向(基板と略垂直方向)がソース電極Sとドレイン電極Dの間を流れる電流経路となる。すなわち、ナノコラム3の電流経路を流れる電流が、ソース電極Sとドレイン電極Dによって取り出される。
このように、結晶性が良好なナノコラム3のコラム方向がソース電極Sとドレイン電極Dを流れる電流経路となるので、ドレイン電流のリークを少なくすることができる。また、ナノコラム3の結晶性は良好であるため、以下に説明するようにゲート電極Gに電圧が加わっていない状態では、ソース電極Sとドレイン電極Dの電流経路となる「コンタクト部8−ナノコラム3−基板2」により構成されるnpn構造において、ナノコラム3のp型の領域の逆耐圧を向上させることができる。
電界効果トランジスタ1のゲート電極Gは、図1に示したようにナノコラム3の形成面4に対して直接もしくは、ゲート絶縁膜5を介して形成されている(すなわち、基板2の第一の面側に形成されている。)。ゲート電極Gは以下で説明するように、ナノコラム3の導電性の制御を行い、ソース電極Sとドレイン電極Dの間を流れる電流の制御を行う。
また、ナノコラム3のコラム方向(基板2に対して略垂直方向)において、ナノコラム3の形成面4から所定の範囲までの長さのナノコラム3は、互いに接続するナノコラム接続層6を有している。これにより、ナノコラム3の形成面4は一様な平面またはそれに近い状態となり、ナノコラム3の形成面4に形成されたソース電極S(またはドレイン電極D)において、ナノコラム3を流れるソース電極Sとドレイン電極Dの間を流れるべき電流の取り出し効率が向上する。
ナノコラム3が互いに接続する箇所のナノコラム3のコラム方向(基板2に対して略垂直方向)において、ナノコラム3の形成面4から所定の範囲までの長さ、すなわち、ナノコラム接続層6の基板2と垂直方向に対する高さは具体的には、10nm以上1μm以下とすれば、上記の電流取り出し効率の向上を図ることができる。
一方で、ナノコラム3が形成される基板2の第一の面において、ナノコラム3の形成箇所、すなわち基板2とナノコラム3との接続点となる基板面の箇所では、上記のようなナノコラム接続層6を有さないようにする。
基板2面に対して略垂直方向に複数本の形成されたナノコラム3において、ナノコラム3同士の間隔が、50nm以上300nm以下であることが望ましい。ナノコラム3同士の間隔が近すぎると、トンネル効果により互いに隣接するナノコラム3間同士で電流が流れるという不具合が発生するためである。すなわち、本発明の電界効果トランジスタ1では、ナノコラム3がコラム方向において結晶性が良好である性質を利用し、コラム方向を電流経路の方向と一致させているので、上記のようにナノコラム3間同士で電流が流れると、電流経路の方向がナノコラム3のコラム方向以外に変化してしまうためである。また、ナノコラム3同士の間隔が遠すぎると、基板2面に対して形成されるナノコラム3の全体の本数が少なくなるので流せる電流が減少し、本発明の電界効果トランジスタ1を大電流の電源デバイスとして使用する場合に不利になるためである。
基板2面に対して略垂直方向に形成されたナノコラム3の直径は、10nm以上500nm以下であることが望ましい。本発明の電界効果トランジスタ1は、ナノコラム3を電流経路として使用しているので、ナノコラム3の直径が小さすぎると抵抗が増大し、大電流の電源デバイスとして使用する場合に不利になるためである。また、ナノコラム3の直径が大きすぎると、ナノコラム内に結晶欠陥が入りやすくなり、電界効果トランジスタ1のリーク電流が増大するためである。
また、基板2面に対して略垂直方向に形成されたナノコラム3のコラム方向の長さは50nm以上20μm以下であることが望ましい。本発明の電界効果トランジスタ1においてオフの状態では、電流経路のナノコラム3は良好な逆導電性(基板2の導電性とコンタクト部8の導電性と逆)を示すが、ナノコラム3が短すぎると逆方向の耐圧が低下し、ナノコラム3が長すぎるとピンチオフがナノコラム3全長にわたって行われないためである。
さらに、基板2面に対して略垂直方向に複数本の形成されたナノコラム3において、ナノコラム3同士の間隙は、絶縁体7によって充填されていることが望ましい。すなわち、電界効果トランジスタ1においてオフの状態において、ナノコラム3同士の間隙に絶縁性の高い絶縁体7によって充填されることにより、逆方向の耐圧を向上させるためである。
絶縁体としては具体的に絶縁性が高い、SiO2,SiNx,SiO1-xNx,Al2O3,CdO,MgOなどを使用することができる。
なお、電界効果トランジスタ1において、ノーマリーオフの特性を実現したい場合は、
ナノコラム3の少なくとも一部の導電性をp型とするようにする。具体的には、ナノコラム3の導電性はp型とし、実効アクセプタ濃度が5×1015cm-3以上5×1017cm-3以下とすればよい。
ナノコラム3の少なくとも一部の導電性をp型とするようにする。具体的には、ナノコラム3の導電性はp型とし、実効アクセプタ濃度が5×1015cm-3以上5×1017cm-3以下とすればよい。
複数本のナノコラム3の形成面4にソース電極Sが形成される場合には、ソース電極Sとナノコラム3とのコンタクト抵抗を低減させるため、少なくともソース電極Sが形成されるナノコラム3の形成面4の箇所(コンタクト部8)の導電型をn型とし、実効ドナー濃度が5×1018cm-3以上5×1022cm-3以下とするのが望ましい。なお、ナノコラム接続層6が形成される場合には、n型のコンタクト部8が形成されていない箇所のナノコラム接続層6の導電型はp型とする。
ソース電極Sが形成されるナノコラム3の形成面4の箇所の導電型をn型としてコンタクト部8を形成するためには、形成面4に対してn型のイオンを注入するイオン注入法、n型半導体層を形成面4に選択成長させる選択成長法、形成面4に対してn型の物質を拡散させる熱拡散法を採用することができる。
基板2面に対して略垂直方向に複数本の形成されたナノコラム3は、基板2に対して直接形成するだけではなく、基板2面に形成されたバッファ層を介して形成されるようにすると、平滑なバッファ層面にナノコラム3を形成することができる観点から好ましい。
なお、ゲート電極Gは、ゲート絶縁膜5を介してナノコラム3の形成面4に形成されるようにすると、ゲート絶縁膜5の厚さを20nm以上200nm以下に制御することで、しきい値電圧を制御させることができる。
ゲート絶縁膜5の材料としては具体的、SiO2,SiNx,SiO1-xNx,Al2O3,CdO,MgOなどを使用することができる。
(実施例1)
図1は、本発明の実施例の1つにおける電界効果トランジスタ1の断面図である。
図1に示した電界効果トランジスタ1は、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、図示しない厚さが100nmのZnOからなるバッファ層を形成し、ZnOバッファ層上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が150nm、長さが10μmのナノコラム3を100nmの間隔で基板2に対して略垂直方向に並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
図1は、本発明の実施例の1つにおける電界効果トランジスタ1の断面図である。
図1に示した電界効果トランジスタ1は、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、図示しない厚さが100nmのZnOからなるバッファ層を形成し、ZnOバッファ層上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が150nm、長さが10μmのナノコラム3を100nmの間隔で基板2に対して略垂直方向に並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
ナノコラム3のコラム方向(基板2に対して略垂直方向)において、ナノコラム3の形成面4から300nmの長さまでのナノコラム3は、互いに接続するナノコラム接続層6を有している。
ナノコラム3の形成面4には、厚さが50nmのSiO2からなるゲート絶縁膜5が形成され、ゲート絶縁膜5上にはTi/Auからなるゲート電極Gが形成されている。そして、ゲート電極Gが形成されている箇所と異なるナノコラム3の形成面4には、Ti/Alからなるソース電極Sが形成されている。
ナノコラム3の形成面4には、厚さが50nmのSiO2からなるゲート絶縁膜5が形成され、ゲート絶縁膜5上にはTi/Auからなるゲート電極Gが形成されている。そして、ゲート電極Gが形成されている箇所と異なるナノコラム3の形成面4には、Ti/Alからなるソース電極Sが形成されている。
ここで、ナノコラム3の導電型はp型であるが、ソース電極Sが形成されるナノコラム3の形成面4の箇所の導電型はSiイオンが注入されたn+型とし、厚さが300nm程度のコンタクト部8としている。なお、イオン注入が行われていないナノコラム3の形成面4のナノコラム接続層6は、p型となっている。
さらに、Si基板2の裏面には、Ti/Alからなるドレイン電極Dが形成されている。
さらに、Si基板2の裏面には、Ti/Alからなるドレイン電極Dが形成されている。
以上の構成からなる電界効果トランジスタ1は以下のような工程を経て製造することができる。説明は図2を参照しながら行う。
まず図2(a)に示したように、MOCVD法(有機金属気相成長)を使用した成長装置にn型の導電性を有するSi(111)基板2を搬送する。そして、基板2上に図示しないZnOバッファ層を100nm成長する。バッファ層を成長後、ナノコラム3の成長を行う。すなわち、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア(NH3)、p型ドーパントのMg用のガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム(CP2Mg)を使用して成長温度700℃でZnOバッファ層上にナノコラム3を成長する。
まず図2(a)に示したように、MOCVD法(有機金属気相成長)を使用した成長装置にn型の導電性を有するSi(111)基板2を搬送する。そして、基板2上に図示しないZnOバッファ層を100nm成長する。バッファ層を成長後、ナノコラム3の成長を行う。すなわち、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア(NH3)、p型ドーパントのMg用のガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム(CP2Mg)を使用して成長温度700℃でZnOバッファ層上にナノコラム3を成長する。
ナノコラム3の成長が終盤に差し掛かると、トリメチルガリウム(TMG)の流量を増加させて成長するナノコラム3の直径が太くなるようにする。そうすると図2(b)に示したように、形成面4付近のナノコラム3同士が互いに接続しナノコラム接続層6が形成される。
なお、ナノコラム3の先端同士が接続することにより、ナノコラム接続層6を形成する代わりに、ナノコラム3の成長の終盤に当該ナノコラム3の成長を終了させてもよい。そしてその後、ナノコラム3が成長された面に、一様に半導体層を形成することにより、その形成された箇所によってナノコラム3同士が接続されるナノコラム接続層6を形成しても良い。
その後、基板2を成長装置から搬出し、PECVD法(プラズマ化学気相成長)等によりSiO2がSi基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙に充填されるようにし、絶縁体7が形成される。
その後、基板2を成長装置から搬出し、PECVD法(プラズマ化学気相成長)等によりSiO2がSi基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙に充填されるようにし、絶縁体7が形成される。
次に、ソース電極Sが形成面4において形成されるべき箇所にコンタクト部8を形成する。図2(c)に示したように、PECVD法等により、厚さが1.5μm程度のSiO2膜を形成面4に堆積する。そして、ドライエッチングにより、ソース電極Sが形成される箇所について開口してマスク9を形成する。マスク9を形成後、Siイオン注入を行い、図2(c)に示したように、コンタクト部8が形成される。ここで、イオンの加速エネルギーは、注入深さが300nm程度となるように調整した。
イオン注入が終了後、PECVD方により、ゲート絶縁膜5の形成を行う。すなわち、基板温度300℃、プラズマ電力100W、SiH4流量5sccm、N2O流量500sccmで、形成面4に厚さ50nmのSiO2膜を成膜し、図2(d)に示したようにフォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート絶縁膜5の形成を行う。
ゲート絶縁膜5を形成後、EB蒸着法等により、Ti/Alからなるソース電極SとTi/Auからなるゲート電極Gを形成する。そして最後に、Ti/Alからなるドレイン電極Dを基板2の裏面に形成して図1に示した電界効果トランジスタ1が完成する。
(実施例2)
図3は、本発明の別の実施例における電界効果トランジスタ1の断面図である。
図3に示した電界効果トランジスタ1は、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が500nm、長さが10μmのナノコラム3を100nmの間隔で基板2に対して略垂直方向に並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
図3は、本発明の別の実施例における電界効果トランジスタ1の断面図である。
図3に示した電界効果トランジスタ1は、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が500nm、長さが10μmのナノコラム3を100nmの間隔で基板2に対して略垂直方向に並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
ナノコラム3の形成面4には、厚さが50nmのSiO2からなるゲート絶縁膜5が形成されている。ゲート絶縁膜5上にはTi/Auからなるゲート電極Gが形成されている。そして、ナノコラム3の形成面4には、ゲート絶縁膜5を挟んでTi/Alからなるソース電極Sが形成されている。さらに、ソース電極Sは、絶縁体7を跨ぐように形成されている。
ここで、ナノコラム3の導電型はp型であるが、ソース電極Sが形成されるナノコラム3の形成面4の箇所の導電型はSiイオンが注入されたn型とし、厚さが300nm程度のコンタクト部8としている。さらに、Si基板2の裏面には、Ti/Alからなるドレイン電極Dが形成されている。
実施例1の説明において図1に示した電界効果トランジスタ1と、本実施例の電界効果トランジスタ1とで根本的に異なる点は、本実施例の電界効果トランジスタ1では、ナノコラム接続層6を有していない点である。これにより、本実施例の電界効果トランジスタ1を製造するために、基板2上にナノコラム3を形成する際に、ナノコラム接続層6を形成する工程を省略することができ、また、構造も簡素化する。
もちろん、実施例1の電界効果トランジスタ1と同様にして、結晶性が良好なナノコラム3のコラム方向がソース電極Sとドレイン電極Dを流れる電流経路となるので、ドレイン電流のリークを少なくすることができ、逆方向の耐圧も向上する。
図3に示した電界効果トランジスタ1を製造する工程は、図2を参照しながら説明した実施例1の電界効果トランジスタ1を製造する工程と共通する。ただし、図3に示した電界効果トランジスタ1を製造する際は、図2(b)で示したナノコラム接続層6を形成する工程は不要である。
(実施例3)
図4は、本発明の別の実施例における電界効果トランジスタ1の断面図である。
まず図4(a)に示した、電界効果トランジスタ1aは、ソース−ドレイン電流が流れやすいように垂直方向の電流経路を基板上に作るスーパージャンクション型となっている。
図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aは、実施例2に示した電界効果トランジスタ1と同様にして、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が300nm、長さが10μmのナノコラム3を300nmの間隔で並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
図4は、本発明の別の実施例における電界効果トランジスタ1の断面図である。
まず図4(a)に示した、電界効果トランジスタ1aは、ソース−ドレイン電流が流れやすいように垂直方向の電流経路を基板上に作るスーパージャンクション型となっている。
図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aは、実施例2に示した電界効果トランジスタ1と同様にして、n型の導電性を有するSi(111)基板2上に、p型の導電性を有するGaNからなる直径が300nm、長さが10μmのナノコラム3を300nmの間隔で並べて形成されている。さらに、Si基板2上に形成されたナノコラム3同士の間隙には、SiO2からなる絶縁体7で充填されている。
図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aが実施例1,2に示した電界効果トランジスタ1と異なる点は、ナノコラム3における導電型の形成態様と、ゲート電極G,ソース電極Sの形成態様である。
すなわち、図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aを構成するナノコラム3は、上部ナノコラム3uと下部ナノコラム3lにおける導電型を互いに異ならせている。上部ナノコラム3uの導電型はp型とし、下部ナノコラム3lの導電型はn型とする。すなわち、ナノコラム3の少なくとも一部の導電型をp型としている。
すなわち、図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aを構成するナノコラム3は、上部ナノコラム3uと下部ナノコラム3lにおける導電型を互いに異ならせている。上部ナノコラム3uの導電型はp型とし、下部ナノコラム3lの導電型はn型とする。すなわち、ナノコラム3の少なくとも一部の導電型をp型としている。
ソース電極Sは、上部ナノコラム3uの形成面4の一部の箇所をイオン注入法等によりn型の導電性として形成したコンタクト部8上に形成されている。
ゲート電極Gは下部ナノコラム3lにまで達する位置を含む絶縁体7の位置を埋め込み底面として絶縁体7内部において埋め込まれている。
以上の構成からなる電界効果トランジスタ1aにおける、ソース電極S−ドレイン電極D間の電流経路は、ソース電極S−コンタクト部8−上部ナノコラム3u−下部ナノコラム3l−基板2−ドレイン電極Dとなっている。すなわち、電界効果トランジスタ1aにおいて「コンタクト部8−上部ナノコラム3u−下部ナノコラム3l」により構成されるnpn構造が形成されている。
そのため、電界効果トランジスタ3aは、上部ナノコラム3uの部分に対して電界を加えるゲート電極Gに電圧を加えていないときは、ソースS−ドレインD電流が流れないノーマリーオフ型の電界効果トランジスタとなる。そして、ゲート電極Gに電圧を加えると、絶縁体7と上部ナノコラム3uの境界において、発生する反転層によりn型の導電性を有するチャネル10が形成され、ソースS−ドレインD電流が流れる。
図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aを製造する際は、基板2上に、MOCVD法(有機金属気相成長)を使用し、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア(NH3)を用いて成長温度700℃で、基板2上にナノコラム3の成長を行う。
ただし、ナノコラム3のうち、上部ナノコラム3uと下部ナノコラム3lの成長は連続して行い、下部ナノコラム3lを成長する際は、n型ドーパントのSi用のガスとしてSiH4)を使用し、下部ナノコラム3lの成長が終了後、ドーパントのガスをp型ドーパントのMg用のガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム(CP2Mg)に変更して上部ナノコラム3uを成長する。
ただし、ナノコラム3のうち、上部ナノコラム3uと下部ナノコラム3lの成長は連続して行い、下部ナノコラム3lを成長する際は、n型ドーパントのSi用のガスとしてSiH4)を使用し、下部ナノコラム3lの成長が終了後、ドーパントのガスをp型ドーパントのMg用のガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム(CP2Mg)に変更して上部ナノコラム3uを成長する。
ナノコラム3の成長が終了後、マスキングとイオン注入法により、コンタクト部8を形成面4の一部の箇所に形成する。そして、ゲート電極Gを形成する箇所に相当する箇所のナノコラム3のエッチングを行い、エッチング箇所に絶縁体7を埋め込む。さらに、絶縁体7に底が下部ナノコラム3lに相当する位置にまで達する開口を設け、その開口内にゲート電極Gの材料を埋め込む。そして、ソース電極Sとドレイン電極Dを形成して、図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aが完成する。
図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aにおいて、コンタクト部8は、形成面4の一部の箇所にのみ形成されていたが、図4(b)に示した電界効果トランジスタ1bのように、コンタクト部8は形成面4の全面に形成されていても良い。このようなコンタクト部8を形成するためには、上述した図4(a)に示した電界効果トランジスタ1aの製造において、マスキングを施さずにイオン注入を行えばよい。
1…電界効果トランジスタ, 2…基板, 3…ナノコラム,4…形成面, 5…ゲート絶縁膜, 6…ナノコラム接続層, 7…絶縁体, 8…コンタクト部, 9…マスク,10…チャネル
Claims (8)
- 導電性を有する基板と、
前記基板の第一の面側に略垂直方向に並べて形成される化合物半導体からなる複数のナノコラムと、
前記基板の第二の面側に形成されるドレイン電極と、
前記ナノコラムの形成面に形成されるソース電極と、
前記基板の第一の面側に形成されるゲート電極と、
を有する電界効果トランジスタ。 - 前記複数のナノコラムの上部に形成され、前記複数のナノコラムの少なくとも一部を接続するナノコラム接続層をさらに有する請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数のナノコラムの、前記基板面に対する垂直方向の長さは50nm以上20μm以下である請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数のナノコラム同士の間隙は、絶縁体によって充填されている請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ナノコラムの少なくとも一部の導電性はp型である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ナノコラム接続層の少なくとも一部の導電性はp型である請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記基板の第一の面側にバッファ層をさらに有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート電極は絶縁膜を介して形成される請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007086063A patent/JP2008244359A/ja active Pending
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