JP2008244079A - Film-forming apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、成膜装置に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus.
従来から、プラズマを用いて原料ガスを分解し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。このプラズマCVD装置により、例えば基板上にアモルファスシリコン(a−Si)膜を形成することができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, a plasma CVD apparatus that decomposes a source gas using plasma and forms a thin film on a substrate is known (see, for example, Patent Document 1). With this plasma CVD apparatus, for example, an amorphous silicon (a-Si) film can be formed on a substrate.
図7,図8に従来から知られているプラズマCVD法を実施する成膜装置101を示す。この成膜装置101は真空チャンバ102を有している。真空チャンバ102の下部には、真空チャンバ102の底面を挿通するように支柱125が配置されている。その支柱125の真空チャンバ102内の先端には、板状のヒータベース103が取り付けられている。真空チャンバ102の上部には、絶縁フランジ181を介して電極フランジ104が取り付けられている。
7 and 8 show a
電極フランジ104は、有底容器状に形成され、容器開口部には容器内部を蓋するようにシャワープレート105が取り付けられている。したがって、シャワープレート105と電極フランジ104との間に空間124が形成されている。
The
電極フランジ104にはガス導入管107が接続されており、成膜ガス供給部121より成膜ガスを空間124内に導入することができるように構成されている。シャワープレート105には多数のガス噴出口106が設けられており、空間124内に導入された成膜ガスはガス噴出口106から真空チャンバ102内に噴出されるように構成されている。
A
また、基板110を成膜する際に、真空チャンバ102の内壁面などにも成膜材料が付着してしまうため、真空チャンバ102に接続されたフッ素ガス供給部122から供給されたフッ素ガスをラジカル源123で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ102内の成膜空間に供給し、付着物(成膜材料)を除去することができるように構成されている。
Further, when the
ヒータベース103は、表面が平坦に形成されており、その上面にヒータ115が載置されている。このようにヒータベース103の上にヒータ115を載置することで、ヒータ115の変形量を抑制することができる。また、ヒータ115は、ヒータベース103と同様に表面が平坦に形成されており、その上面に基板110が載置されている。基板110を配置すると、基板110とシャワープレート105とは互いに近接して略平行に位置するように構成されている。ヒータ115上に基板110を配置した状態で、ガス噴出口106から成膜ガスを噴出させると、その成膜ガスは基板110の表面に吹き付けられる。
The
電極フランジ104とシャワープレート105とは、ともに導電材で構成されており、電極フランジ104は真空チャンバ102の外部に設けられたRF電源(高周波電源)109に接続されている。
The
また、ヒータベース103の裏面112と、真空チャンバ102の壁面133との間を接続するように導電材からなるアースプレート130が複数配置されている。このアースプレート130は、一端がヒータベース103の裏面112にボルト141で固定され、他端が真空チャンバ102の内壁面133にボルト141で固定されている。つまり、真空チャンバ102が接地電位に保たれると、アースプレート130を介して、ヒータ115およびヒータベース103も接地電位に保たれるように構成されている。
A plurality of
上記構成の成膜装置101を用いて基板110の表面に薄膜を成膜するには、まず、真空ポンプ128で真空チャンバ102内を真空排気する。真空チャンバ102内を真空状態に維持した状態で、基板110を真空チャンバ102内に搬入し、ヒータ115上に載置する。その後、ガス導入管107から成膜ガス(原料ガス)を導入して、ガス噴出口106から真空チャンバ102内に成膜ガスを噴出させる。
In order to form a thin film on the surface of the
電極フランジ104は絶縁フランジ181を介して真空チャンバ102と絶縁されており、真空チャンバ102を接地電位に接続した状態で、RF電源109を起動して電極フランジ104に高周波電圧を印加する。そうすると、シャワープレート105とヒータ115との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ104と基板110の表面との間にプラズマが発生する。こうして発生したプラズマ内で成膜ガスが分解され、基板110の表面で気相成長反応が起こることにより、基板110の表面に薄膜が成膜される。
The
また、基板110への成膜が何度か繰り返されると、真空チャンバ102の内壁面133などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ102内をクリーニングする。クリーニングは、真空チャンバ102に接続されたフッ素ガス供給部122から供給されたフッ素ガスをラジカル源123で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ102内の成膜空間に供給し、化学反応させることで付着物を除去する。
Further, when the film formation on the
ここで、プラズマCVD法では通常13.56MHzを発振周波数とする高周波電源を使用することが一般的である。プラズマCVD装置で量産に対応できる成膜速度を得るには、成膜空間の圧力を100Pa〜300Paにすることが多い。この圧力条件においては電圧が印加されるシャワープレート105と接地電極として機能しているヒータ115との間の電極間距離は、15〜25mm程度にすることが一般的である。
Here, in the plasma CVD method, it is common to use a high-frequency power source whose oscillation frequency is usually 13.56 MHz. In order to obtain a film forming speed that can be used for mass production with a plasma CVD apparatus, the pressure in the film forming space is often set to 100 Pa to 300 Pa. Under this pressure condition, the interelectrode distance between the
このような狭い空間内で基板110の出し入れを行うことは困難であり、特に基板110の大型化が進んでいる現状においては、さらに基板110の出し入れの困難さは増している。この問題を解決するために、ヒータベース103およびヒータ115を上下方向に昇降可能に構成されたものが知られている。このような、ヒータベース103およびヒータ115が昇降可能に構成された成膜装置101では、ヒータベース103およびヒータ115の電位と真空チャンバ102の電位とを同電位にするため、つまり、接地電位にするために、可撓性を有したアースプレート130が設けられている。
ところで、上述の成膜装置101においては、成膜時にヒータ115が200〜480℃、ヒータベース103が180〜450℃の高温となる。(ちなみに真空チャンバ102は水冷されているため80〜100℃となる。)ヒータ115は、例えばアルミニウム合金で形成されているため、このような高温下においては、ヒータ115が熱により変形し、ヒータ115とヒータベース103との間に隙間d´が形成される。このような隙間d´が形成されると、ヒータ115とヒータベース103との間のインピーダンスが変化してしまい、異常放電が発生してしまうという問題があった。
By the way, in the above-described
また、ヒータベース103とアースプレート130との接続部にも隙間が発生し、クリーニングの際にフッ素ラジカルがその隙間に侵入することで、腐食が進行したり、異常放電が発生してしまうという問題があった。この結果、プラズマの安定性が低くなり、成膜にばらつきが生ずるという虞があった。
Further, a gap is also generated at the connection portion between the
そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、成膜装置内において異常放電が発生することなく、安定した成膜を行うことができる成膜装置を提供するものである。 Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a film forming apparatus capable of performing stable film formation without causing abnormal discharge in the film forming apparatus.
請求項1に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備えた成膜装置において、前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴としている。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a chamber configured to be capable of applying an AC voltage by introducing a film forming material gas, a heater disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate, and the heater In the film forming apparatus including the heater base configured to be capable of mounting a gap, a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base. It is characterized by being dressed.
このように構成することで、ヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる効果がある。 With this configuration, even when the heater becomes hot and deforms and a gap is generated between the heater and the heater base, the heater and the heater are elastically deformed by the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gap formed between the base and the base can be connected semi-continuously and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, it is possible to prevent electromagnetic waves from entering between the heater and the heater base. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge in the gap and to achieve stable film formation.
請求項2に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、前記テーブルが昇降可能に構成され、前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢されていることを特徴としている。
The invention described in
このように構成することで、テーブルとプレート部材との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりテーブルとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。 With this configuration, even when a gap is generated between the table and the plate member due to aged reasons, the gap between the table and the plate member is blocked by the biasing force of the plate biasing coil. Therefore, it is possible to prevent occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.
請求項3に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、前記テーブルが昇降可能に構成され、前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢され、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴としている。
The invention described in
このように構成することで、テーブルとプレート部材との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりテーブルとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。
また、ヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができる。
結果として、テーブルとプレート部材との接続部にプレート付勢用コイルを配置すると共に、ヒータとヒータベースとの間に隙間閉塞用コイルを配置したことにより、より確実に安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, even when a gap is generated between the table and the plate member due to aged reasons, the gap between the table and the plate member is blocked by the biasing force of the plate biasing coil. Therefore, it is possible to prevent occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance.
Even when the heater becomes hot and deforms to form a gap between the heater and the heater base, the gap is formed between the heater and the heater base by elastic deformation of the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gaps to be formed can be connected semi-continuously and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, intrusion of electromagnetic waves between the heater and the heater base can be prevented. Therefore, occurrence of abnormal discharge in the gap can be prevented.
As a result, a plate energizing coil is arranged at the connection portion between the table and the plate member, and a gap closing coil is arranged between the heater and the heater base, so that more reliable and stable film formation can be performed. There is an effect that can.
請求項4に記載した発明は、前記チャンバは、該チャンバ内部の付着物を除去するクリーニングガスを導入可能に構成されていることを特徴としている。 The invention described in claim 4 is characterized in that the chamber is configured to be capable of introducing a cleaning gas for removing deposits inside the chamber.
このように構成することで、フッ素ラジカルなどからなるクリーニングガスをチャンバ内に導入しても、プレート付勢用コイルで付勢している部分のテーブルとプレート部材との間へのクリーニングガスの侵入を防止することができる。したがって、テーブルとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。 With this configuration, even if a cleaning gas composed of fluorine radicals or the like is introduced into the chamber, the cleaning gas enters between the table and the plate member that is energized by the plate energizing coil. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of corrosion at the contact between the table and the plate member, thereby preventing the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.
請求項5に記載した発明は、前記プレート付勢用コイルの前記中心軸は、前記プレート部材を前記テーブルに接合するボルトの軸部を取り巻くように配置され、前記プレート付勢用コイルは、前記ボルトの頭部と前記プレート部材との間に介装されていることを特徴としている。 According to a fifth aspect of the present invention, the central axis of the plate biasing coil is disposed so as to surround a shaft portion of a bolt that joins the plate member to the table, and the plate biasing coil is It is characterized by being interposed between the head of the bolt and the plate member.
このように構成することで、プレート部材とテーブルとをボルトにより強固に締め付けることができると共に、経年的にボルトに緩みが発生した場合にも、プレート付勢用コイルによりプレート部材とテーブルとの間の隙間を閉塞することができるため、プレート付勢用コイルで付勢している部分のテーブルとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、テーブルとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。 With this configuration, the plate member and the table can be firmly tightened with the bolt, and even when the bolt is loosened over time, the plate urging coil can be used to connect the plate member and the table between the plate member and the table. Therefore, it is possible to prevent the entry of gas such as fluorine radicals between the table and the plate member at the portion energized by the plate energizing coil. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of corrosion at the contact between the table and the plate member, thereby preventing the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.
請求項6に記載した発明は、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記プレート部材は、前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されていることを特徴としている。 According to a sixth aspect of the present invention, the table includes a heater configured to mount the substrate, and a heater base configured to mount the heater, and the plate member includes the plate. The heater base is biased by a bias coil and is joined to the heater base.
このように構成することで、ヒータベースとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、プレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。 With this configuration, even when the bolt that joins the heater base and the plate member is loosened due to aging, etc., the bias between the heater base and the plate member is caused by the biasing force of the plate biasing coil. Since the gap between them can be closed, it is possible to prevent the entry of gas such as fluorine radicals between the heater base and the plate member in the portion energized by the plate energizing coil. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the contact between the heater base and the plate member, and it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.
請求項7に記載した発明は、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記プレート部材は、第1の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されると共に、第2の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータに付勢されて、前記ヒータに接合されていることを特徴としている。 According to a seventh aspect of the present invention, the table includes a heater configured to be capable of mounting the substrate, and a heater base configured to be capable of mounting the heater. The plate biasing coil is biased to the heater base and joined to the heater base, and the second plate biasing coil is biased to the heater and joined to the heater. It is characterized by that.
このように構成することで、ヒータベースとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、第1のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、第1のプレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。
同様に、ヒータとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、第2のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、同様の効果が得られる。
また、プレート部材がヒータベースだけでなくヒータにもボルトで固定されるため、より強固にプレート部材を固定させることができる。したがって、高温時にヒータとヒータベースとの間に隙間が形成されにくくすることができ、異常放電が発生することなく、より安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, even when the bolt that joins the heater base and the plate member is loosened due to aging or the like, the heater base and the plate are biased by the biasing force of the first plate biasing coil. Since the gap between the member and the member can be closed, intrusion of gases such as fluorine radicals between the heater base and the plate member in the portion energized by the first plate energizing coil is prevented. be able to. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the contact between the heater base and the plate member, and it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance.
Similarly, even when the bolt that joins the heater and the plate member is loosened due to aging, the gap between the heater and the plate member is reduced by the urging force of the second plate urging coil. Since it can be blocked, the same effect can be obtained.
Further, since the plate member is fixed not only to the heater base but also to the heater with bolts, the plate member can be fixed more firmly. Accordingly, it is possible to make it difficult to form a gap between the heater and the heater base at a high temperature, and it is possible to perform more stable film formation without causing abnormal discharge.
請求項8に記載した発明は、前記ボルトが、ニッケル合金からなることを特徴としている。 The invention described in claim 8 is characterized in that the bolt is made of a nickel alloy.
このように構成することで、ボルトに強度、耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。 With this configuration, the bolt has strength, heat resistance and corrosion resistance, so it will not be deformed even at high temperatures and will not corrode even when fluorine radicals or other gases are present in the vacuum chamber. Function. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.
請求項9に記載した発明は、前記プレート付勢用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴としている。 The invention described in claim 9 is characterized in that the plate biasing coil is made of a nickel alloy.
このように構成することで、プレート付勢用コイルに耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。 By configuring in this way, the plate biasing coil has heat resistance and corrosion resistance, so it does not deform even at high temperatures, and even if a gas such as fluorine radicals is present in the vacuum chamber, it is difficult to corrode. Works reliably. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.
請求項10に記載した発明は、前記隙間閉塞用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴としている。
このように構成することで、隙間閉塞用コイルに耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。
The invention described in
With this configuration, the gap closing coil has heat resistance and corrosion resistance, so that it does not deform even at high temperatures, and even if a gas such as fluorine radicals is present in the vacuum chamber, it is difficult to corrode and reliably. To work. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.
本発明によれば、成膜時などにヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができる。結果として、ヒータとヒータベースとの間に隙間閉塞用コイルを設けたことにより、安定した成膜を行うことができる効果がある。 According to the present invention, even when a heater is heated and deformed at the time of film formation or the like and a gap is generated between the heater and the heater base, due to the elastic deformation of the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gap formed between the heater and the heater base can be semi-continuously connected and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, electromagnetic waves can be prevented from entering between the heater and the heater base. it can. Therefore, occurrence of abnormal discharge in the gap can be prevented. As a result, by providing the gap closing coil between the heater and the heater base, there is an effect that stable film formation can be performed.
また、ヒータベースとプレート部材との間に経年的な理由により隙間が発生した場合でも、ボルトとプレート部材との間に設けられた第1のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができる。
さらに、ヒータとプレート部材との間に経年的な理由により隙間が発生した場合でも、ボルトとプレート部材との間に設けられた第2のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータとプレート部材との間の隙間を閉塞することができる。
Further, even when a gap occurs between the heater base and the plate member due to aging, the heater base and the plate are urged by the urging force of the first plate urging coil provided between the bolt and the plate member. The gap between the members can be closed.
Further, even when a gap is generated between the heater and the plate member due to aging, the heater and the plate member are separated by the urging force of the second plate urging coil provided between the bolt and the plate member. The gap between the two can be closed.
したがって、プレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間およびヒータとプレート部材との間へのクリーニングガスとしてのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータおよびヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、ヒータベースとプレート部材との接続部およびヒータとプレート部材との接続部に第1および第2のプレート付勢用コイルを設けたことにより、安定した成膜を行うことができる効果がある。 Therefore, it is possible to prevent entry of fluorine radicals or the like as a cleaning gas between the heater base and the plate member of the portion urged by the plate urging coil and between the heater and the plate member. Corrosion of the contact between the heater and the heater base and the plate member can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, the first and second plate urging coils are provided in the connection portion between the heater base and the plate member and the connection portion between the heater and the plate member, thereby providing an effect of performing stable film formation. is there.
次に、本発明の実施形態を図1〜図6に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.
図1は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図1に示すように、プラズマCVD法を実施する成膜装置1は、真空チャンバ2を有している。真空チャンバ2の下部には、真空チャンバ2の底部11を挿通するように支柱25が配置されており、支柱25の先端(真空チャンバ2内)は、板状のヒータベース3の底面12と接続されている。真空チャンバ2の上部には、絶縁フランジ81を介して電極フランジ4が取り付けられている。また、真空チャンバ2には、排気管27が接続されており、その先端には、真空ポンプ28が設けられおり、真空チャンバ2内を真空状態にすることができるように構成されている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, a film forming apparatus 1 that performs a plasma CVD method has a
また、支柱25は、真空チャンバ2の外部に設けられた図示しない昇降機構に接続されており、上下方向に移動可能に構成されている。つまり、支柱25の先端に接続されているヒータベース3およびヒータ15を上下方向に昇降可能に構成されている。真空チャンバ2の外部において、支柱25の周縁を覆うようにベローズ26が設けられている。
The
電極フランジ4は、有底容器状に形成され、容器開口部には容器内部を覆うようにシャワープレート5が取り付けられている。したがって、シャワープレート5と電極フランジ4との間に空間24が形成されている。
The electrode flange 4 is formed in a bottomed container shape, and a shower plate 5 is attached to the container opening so as to cover the inside of the container. Therefore, a
電極フランジ4にはガス導入管7が接続されており、真空チャンバ2の外部に設けられた成膜ガス供給部21から空間24に原料ガス(例えば、SiH4)を供給するように構成されている。また、シャワープレート5には多数のガス噴出口6が設けられており、空間24内に導入された成膜ガスはガス噴出口6から真空チャンバ2内に噴出されるように構成されている。
A gas introduction pipe 7 is connected to the electrode flange 4 and is configured to supply a source gas (for example, SiH 4 ) to the
また、電極フランジ4とシャワープレート5とは、ともに導電材で構成されており、電極フランジ4は真空チャンバ2の外部に設けられたRF電源(高周波電源)9に接続されている。
The electrode flange 4 and the shower plate 5 are both made of a conductive material, and the electrode flange 4 is connected to an RF power source (high frequency power source) 9 provided outside the
さらに、真空チャンバ2には別のガス導入管8が接続されている。ガス導入管8にはフッ素ガス供給部22とラジカル源23とが設けられており、フッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスをラジカル源23で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ2内の成膜空間に供給するように構成されている。
Further, another gas introduction pipe 8 is connected to the
ヒータベース3は、表面が平坦に形成された板状の部材であり、その上面にヒータ15が載置されている。ヒータベース3は、インコネル(登録商標)などのニッケル系合金で形成されている。なお、ヒータベース3は、剛性を有し、耐食性および耐熱性を有するものであればよい。
The
また、ヒータ15は、ヒータベース3と同様に表面が平坦に形成された板状の部材であり、その上面に基板10が載置されている。ヒータ15は、例えばアルミニウム合金で形成されている。ヒータ15は接地電極として機能するため、導電性を有するものが採用される。基板10をヒータ15上に配置すると、基板10とシャワープレート5とは互いに近接して平行に位置するように構成されている。ヒータ15上に基板10を配置した状態で、ガス噴出口6から成膜ガスを噴出させると、その成膜ガスは基板10の表面に吹き付けられる。
The
また、ヒータ15は、その内部にヒータ線16が内包されており、温度調節可能に構成されている。ヒータ線16は、ヒータ15の平面視略中央部の底面17から突出されており、ヒータベース3の平面視略中央部に形成された貫通孔18および支柱25の内部を挿通して、真空チャンバ2の外部へと導かれている。そして、ヒータ線16は真空チャンバ2の外部にて図示しない電源と接続され、温度調節がなされるように構成されている。
The
図2は、図1のA部拡大詳細図である。
図2に示すように、ヒータベース3の表面31における、ヒータ15の周縁部の内側に対応した位置には、ヒータ15の外周形状に沿うように凹部55が形成されている。凹部55には、環状の隙間閉塞用コイル60が配置されている。
FIG. 2 is an enlarged detail view of part A in FIG.
As shown in FIG. 2, a
図4は、隙間閉塞用コイル60を示し、(A)が平面図、(B)が部分側面図である。
図4に示すように、隙間閉塞用コイル60は、一本の鋼線がらせん状に構成され、その中心軸61が環状になるように形成されている。平面視環状の隙間閉塞用コイル60を上方から荷重をかけると、らせん状に積層されている鋼線が傾斜して高さ方向に収縮するようになる。このとき、もとの形状に戻ろうとする上方への付勢力が働くように構成されている。なお、隙間閉塞用コイル60は、凹部55に配置された状態で、表面31より若干突出するような大きさを有している。そして、凹部55に隙間閉塞用コイル60が配置された状態で、その上方にヒータ15が載置されている。
4A and 4B show the
As shown in FIG. 4, the
図3は、アースプレートの取付状態を示す斜視図である。
図2,図3に示すように、ヒータベース3およびヒータ15と、真空チャンバ2との間を接続するようにアースプレート30が略等間隔に複数配置されている。このアースプレート30は、一端がヒータベース3の表面31およびヒータ15の側面32にそれぞれボルト40で固定され、他端が真空チャンバ2の内壁面33にボルト41で固定されている。
FIG. 3 is a perspective view showing a ground plate attached state.
As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of
ここで、アースプレート30は、真空チャンバ2の内壁面33とボルト41で接続されており、その接続部から内壁面33に沿うように下方へ延出し、真空チャンバ2の底部11の若干手前側で略U字状に折り返し、上方へ延出されている。上方へ延出されたアースプレート30は、ヒータベース3の側面34に当接しながら、側面34をさらに上方へ延出され、ヒータベース3の表面31に当接するように略直角に折り返され、表面31に沿うように延出され、ヒータベース3とヒータ15との接続部35で上方へ略直角に折り返され、ヒータ15の側面32に沿うように延出されている。
Here, the
なお、アースプレート30は、フレキシブルな金属プレートで形成されており、例えば、ニッケル系合金やアルミ合金などで構成されている。また、アースプレート30は、幅が50mm程度であり、厚さ0.1mm程度で形成されている。アースプレート30は、幅が10〜200mm程度の導電材料からなり、耐食性が高く、可撓性を有する材料であればよい。
The
ボルト40は、インコネル(登録商標)やハステロイ(登録商標)などのニッケル系合金で形成されている。ボルト40の頭部44の底面45には、軸部46の周縁に沿うように凹部47が形成されている。ここで、インコネル(登録商標)やハステロイ(登録商標)などのニッケル系合金で形成された環状のプレート付勢用コイル50が、軸部46を挿通して凹部47に配置されている。なお、プレート付勢用コイル50は、隙間閉塞用コイル60と略同等の構成であり、大きさが異なるものである。また、プレート付勢用コイル50は、凹部47に配置された状態で、底面45より若干突出するような大きさを有している。ボルト40は、ヒータベース3およびヒータ15に形成されたネジ穴51に軸部46を螺合させて固定される。さらに、アースプレート30における、ネジ穴51に対応した位置には、ボルト40の軸部46が挿通可能な貫通孔52が形成されている。
The
また、真空チャンバ2の内壁面33とアースプレート30とはボルト41で固定接続されている。なお、ボルト41の材質は、真空チャンバ2の内壁面33近傍が高温にはならないため、特に拘らない。
Further, the
(作用)
次に、成膜装置1を用いて基板10に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置1を用いて基板10の表面に薄膜を成膜するには、まず、真空ポンプ28で真空チャンバ2内を真空排気する。真空チャンバ2内を真空状態に維持した状態で、基板10を真空チャンバ2内に搬入し、ヒータ15上に載置する。ここで、基板10を載置する前は、ヒータ15は真空チャンバ2内の下方に位置している。つまり、ヒータ15とシャワープレート5との間隔が広くなっており、基板10をヒータ15上に載置しやすい状態に保持されている。そして、基板10がヒータ15上に載置された後に、図示しない昇降装置が起動して支柱25が上方へ押し上げられ、それに合わせてヒータ15上に載置された基板10も上方へと移動して、シャワープレート5との間隔を、成膜を行うのに適正な距離に保持される。その後、ガス導入管7から成膜ガス(原料ガス)を導入して、ガス噴出口6から真空チャンバ2内に成膜ガスを噴出させる。
(Function)
Next, an operation when a film is formed on the
In order to form a thin film on the surface of the
電極フランジ4は絶縁フランジ81を介して真空チャンバ2と絶縁されており、真空チャンバ2を接地電位に接続した状態で、RF電源9を起動して電極フランジ4に高周波電圧を印加する。そうすると、シャワープレート5とヒータ15との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ4と基板10の表面との間にプラズマが発生する。こうして発生したプラズマ内で成膜ガスが分解され、基板10の表面で気相成長反応が起こることにより、基板10の表面に薄膜が成膜される。
The electrode flange 4 is insulated from the
なお、発振周波数として13.56MHzの高周波電源を使用している。また、このような成膜装置1で量産に対応できる成膜速度を得るには、成膜空間の圧力を100Pa〜300Paに設定する。この圧力条件においては電圧が印加されるシャワープレート5と接地電極であるヒータ15との間の電極間距離は、15〜25mm程度にすることが一般的である。
Note that a high frequency power supply of 13.56 MHz is used as the oscillation frequency. Further, in order to obtain a film forming speed that can be used for mass production with such a film forming apparatus 1, the pressure in the film forming space is set to 100 Pa to 300 Pa. Under this pressure condition, the interelectrode distance between the shower plate 5 to which a voltage is applied and the
また、基板10への成膜が何度か繰り返されると、真空チャンバ2の内壁面33などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ2内を定期的にクリーニングする。クリーニングは、真空チャンバ2に接続されたガス導入管8に設けられたフッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスをラジカル源23で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ2内の成膜空間に供給し、化学反応させることにより付着物を除去する。
When the film formation on the
ところで、上述の成膜装置1においては、成膜時にヒータ線16が加熱されることによりヒータ15が高温状態になる。このとき、ヒータ15においては450〜460℃、ヒータベース3においてもヒータ15と略同等で若干低めの温度となる。(ちなみに真空チャンバ2は水冷されているため80〜100℃となる。)ヒータ15は、アルミニウム合金で形成されているため、このような高温下においては、ヒータ15が熱により上下に湾曲変形する。つまり、ヒータ15の中央部が盛り上がるように変形したり、ヒータ15の周縁部が浮き上がるように変形したりする。ヒータベース3は、インコネル(登録商標)で形成されているため、アルミニウム合金と比較して変形量が小さい。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成される(図2参照)。
By the way, in the above-mentioned film-forming apparatus 1, the
ここで、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間閉塞用コイル60を介装させている。ヒータ15の周縁部に形成されている隙間dを隙間閉塞用コイル60の弾性変形により閉塞するように、隙間閉塞用コイル60が配置されている。したがって、ヒータ15とヒータベース3との隙間dを半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、隙間dの内部に電磁波の侵入を阻止することができる。
Here, a
また、ヒータベース3とアースプレート30とを接合するボルト40の頭部44の底面45にプレート付勢用コイル50を配置させた上で、ヒータベース3とアースプレート30とをボルト40により接合している。したがって、ボルト40が経時的に緩んできてもプレート付勢用コイル50の付勢力でヒータベース3とアースプレート30との間に形成される隙間を閉塞できるため、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間に、真空チャンバ2内をクリーニングする際に供給されるフッ素ラジカルなどのガスの侵入を阻止することができる。
In addition, the
同様に、ヒータ15とアースプレート30とを接続するボルト40の頭部44の底面45にプレート付勢用コイル50を配置させた上で、ヒータ15とアースプレート30とをボルト40により接合している。したがって、ボルト40が経時的に緩んできてもプレート付勢用コイル50の付勢力でヒータ15とアースプレート30との間に形成される隙間を閉塞できるため、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータ15とアースプレート30との間に、真空チャンバ2内をクリーニングする際に供給されるフッ素ラジカルなどのガスの侵入を阻止することができる。
Similarly, after the
また、ヒータ15とヒータベース3との間を連結するようにアースプレート30が設けられているため、高温時にヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成されるのを抑止することができる。
Further, since the
本実施形態によれば、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された真空チャンバ2と、真空チャンバ2内に配置され、基板10を載置可能に構成されたヒータ15と、ヒータ15を載置可能に構成されたヒータベース3とを備えた成膜装置1において、ヒータ15とヒータベース3との間に、ヒータ15の周縁部に沿った環状の中心軸61を有する隙間閉塞用コイル60を介装した。
According to the present embodiment, the
このように構成したため、ヒータ15が高温状態になり変形して、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間が生じた場合でも、ヒータ15周縁部に設けた隙間閉塞用コイル60の弾性変形によりヒータ15とヒータベース3との間に形成される隙間dを半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができる。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間への電磁波の侵入を防止することができるため、隙間d内での異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。
With this configuration, even when the
また、ヒータ15およびヒータベース3が昇降可能に構成され、真空チャンバ2とヒータ15およびヒータベース3とを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するアースプレート30を、真空チャンバ2およびヒータベース3に接合するとともに、アースプレート30と平行に配置された環状の中心軸61を有する第1のプレート付勢用コイル50により、ヒータベース3に付勢されるように配置した。
Further, the
このように構成したため、ヒータベース3とアースプレート30との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、第1のプレート付勢用コイル50の付勢力によりヒータベース3とアースプレート30との間の隙間を閉塞することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。
With this configuration, even when a gap is generated between the
さらに、アースプレート30を、ヒータ15にも接合するとともに、アースプレート30と平行に配置された環状の中心軸61を有する第2のプレート付勢用コイル50により、ヒータ15に付勢されるように配置した。
Further, the
このように構成したため、ヒータ15とアースプレート30との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、第2のプレート付勢用コイル50の付勢力によりヒータ15とアースプレート30との間の隙間を閉塞することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。
With this configuration, even when a gap is generated between the
さらに、アースプレート30がヒータベース3だけでなくヒータ15にも接合され、より強固にアースプレート30を固定させることができる。したがって、高温時にヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成されてもインピーダンスの変動がなく、異常放電が発生することなく、より安定した成膜を行うことができる。
Furthermore, the
また、真空チャンバ2は、真空チャンバ2内部の付着物を除去するため、フッ素ガス供給部22およびラジカル源23を設け、クリーニングガスを導入可能に構成した。
Further, the
このように構成したため、フッ素ラジカルなどからなるクリーニングガスを真空チャンバ2内に導入しても、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間およびヒータ15とアースプレート30との間へのクリーニングガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータ15およびヒータベース3とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, even when a cleaning gas composed of fluorine radicals or the like is introduced into the
また、プレート付勢用コイル50を、その中心軸61がアースプレート30とヒータベース3またはヒータ15とを接合するボルト40の軸部46を取り巻くように配置し、ボルト40の頭部44とアースプレート30との間に介装した。
Further, the
このように構成したため、アースプレート30とヒータベース3とをボルト40により強固に締め付けることができると共に、経年的にボルト40に緩みが発生した場合にも、第1のプレート付勢用コイル50の付勢力によりアースプレート30とヒータベース3との間の隙間を閉塞することができる。したがって、真空チャンバ2内のクリーニング時などに、第1のプレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間へのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータベース3とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができるため、安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, the
同様に、アースプレート30とヒータ15とをボルト40により強固に締め付けることができると共に、経年的にボルト40に緩みが発生した場合にも、第2のプレート付勢用コイル50の付勢力によりアースプレート30とヒータ15との間の隙間を閉塞することができる。したがって、真空チャンバ2内のクリーニング時などに、第2のプレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータ15とアースプレート30との間へのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータ15とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができるため、安定した成膜を行うことができる効果がある。
Similarly, the
さらに、ボルト40を、ニッケル合金で構成したため、ボルト40に強度、耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、ボルト40は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にボルトとしての機能を果たすことができる。したがって、異常放電の発生を防止することができる。
Furthermore, since the
そして、プレート付勢用コイル50を、ニッケル合金で構成したため、プレート付勢用コイル50に耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、プレート付勢用コイル50は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にスプリングコイルとしての機能を果たすことができる。したがって、アースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間でそれぞれ異常放電の発生を防止することができる。
Since the
同様に、隙間閉塞用コイル60を、ニッケル合金で構成したため、隙間閉塞用コイル60に耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、隙間閉塞用コイル60は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にスプリングコイルとしての機能を果たすことができる。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間に異常放電が発生することを防止することができる。
Similarly, since the
尚、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。 It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials, configurations, and the like given in the embodiment are merely examples, and can be changed as appropriate.
例えば、本実施形態において、ボルト40をアースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間の両方に設けた場合の説明をしたが、図5,図6に示すように、ボルト40をアースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間のいずれか一方だけに設けるようにしてもよい。
For example, in the present embodiment, the case where the
図5に示すように、アースプレート30をヒータベース3とボルト40により接合した場合には、アースプレート30のサイズを極力小さくすることができ、省資源化を図りながら、上述の実施形態と同様、腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる。なお、ボルト40を設ける位置は、ヒータベース3の表面31に限らず、ヒータベース3の側面34や底面12であってもよい。
As shown in FIG. 5, when the
図6に示すように、アースプレート30をヒータ15とボルト40により接合した場合には、アースプレート30がヒータベース3とヒータ15との間を延設されるため、高温時にヒータベース3とヒータ15との間の隙間が形成されるのを抑止することができると共に、上述の実施形態と同様、腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる。
As shown in FIG. 6, when the
また、本実施形態では、凹部55をヒータベース3側に設けて隙間閉塞用コイル60を配置した場合の説明をしたが、凹部をヒータ15側に設けて隙間閉塞用コイル60を設けてもよい。
Further, in the present embodiment, the case where the
また、本実施形態では、成膜をする際に、基板10側を接地電位とし、電極フランジ4側にRF電源109を接続した場合の説明をしたが、電極フランジ4側を接地電位とし、基板10側に電源を接続して成膜をする成膜装置に採用してもよい。
In the present embodiment, when the film is formed, the
1…成膜装置 2…真空チャンバ(チャンバ) 3…ヒータベース(テーブル) 10…基板 15…ヒータ(テーブル) 30…アースプレート(プレート部材) 40…ボルト 44…頭部 46…軸部 50…プレート付勢用コイル 60…隙間閉塞用コイル 61…中心軸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming
Claims (10)
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたヒータと、
該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備えた成膜装置において、
前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴とする成膜装置。 A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
A heater arranged in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate;
In a film forming apparatus including a heater base configured to be able to place the heater,
A film forming apparatus, wherein a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base.
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、
前記テーブルが昇降可能に構成され、
前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、
前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢されていることを特徴とする成膜装置。 A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
In a film forming apparatus provided with a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate,
The table is configured to be movable up and down,
In order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table,
The film forming apparatus, wherein the plate member is urged against the table by a plate urging coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member.
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、
前記テーブルが昇降可能に構成され、
前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、
前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢され、
前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、
前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴とする成膜装置。 A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
In a film forming apparatus provided with a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate,
The table is configured to be movable up and down,
In order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table,
The plate member is urged against the table by a plate urging coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member,
The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
A film forming apparatus, wherein a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base.
前記プレート付勢用コイルは、前記ボルトの頭部と前記プレート部材との間に介装されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の成膜装置。 The central axis of the plate biasing coil is disposed so as to surround a shaft portion of a bolt that joins the plate member to the table,
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the plate urging coil is interposed between a head portion of the bolt and the plate member.
前記プレート部材は、前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の成膜装置。 The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the plate member is biased to the heater base by the plate biasing coil and joined to the heater base.
前記プレート部材は、第1の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されると共に、第2の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータに付勢されて、前記ヒータに接合されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の成膜装置。 The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
The plate member is biased to the heater base by the first plate biasing coil and joined to the heater base, and is biased to the heater by the second plate biasing coil. The film forming apparatus according to claim 2, wherein the film forming apparatus is bonded to the heater.
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