JP2008244079A - Film-forming apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide film-forming apparatus capable of forming a film stably without generating abnormal discharge in the film-forming equipment. <P>SOLUTION: In the film-forming apparatus, a coil 60 for blocking a gap having an annular center axis is interposed between a heater 15 and a heater base 3 along the periphery of the heater 15. The heater 15 and the heater base 3 are composed so that they can be elevated. A flexible, conductive plate member 30 for holding the chamber 2, heater 15 and heater base 3 at the same potential is arranged so that it joins the chamber 2, heater base 3 and heater 15. The plate member 30 is energized to the heater base 3 and heater 15 by a coil 60 for energizing plates having an annular center axis arranged in parallel with the plate member 30. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus.

従来から、プラズマを用いて原料ガスを分解し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。このプラズマCVD装置により、例えば基板上にアモルファスシリコン(a−Si)膜を形成することができる。   2. Description of the Related Art Conventionally, a plasma CVD apparatus that decomposes a source gas using plasma and forms a thin film on a substrate is known (see, for example, Patent Document 1). With this plasma CVD apparatus, for example, an amorphous silicon (a-Si) film can be formed on a substrate.

図7,図8に従来から知られているプラズマCVD法を実施する成膜装置101を示す。この成膜装置101は真空チャンバ102を有している。真空チャンバ102の下部には、真空チャンバ102の底面を挿通するように支柱125が配置されている。その支柱125の真空チャンバ102内の先端には、板状のヒータベース103が取り付けられている。真空チャンバ102の上部には、絶縁フランジ181を介して電極フランジ104が取り付けられている。   7 and 8 show a film forming apparatus 101 that performs a conventionally known plasma CVD method. The film forming apparatus 101 has a vacuum chamber 102. A support column 125 is disposed below the vacuum chamber 102 so as to pass through the bottom surface of the vacuum chamber 102. A plate-like heater base 103 is attached to the tip of the column 125 in the vacuum chamber 102. An electrode flange 104 is attached to the upper portion of the vacuum chamber 102 via an insulating flange 181.

電極フランジ104は、有底容器状に形成され、容器開口部には容器内部を蓋するようにシャワープレート105が取り付けられている。したがって、シャワープレート105と電極フランジ104との間に空間124が形成されている。   The electrode flange 104 is formed in a bottomed container shape, and a shower plate 105 is attached to the container opening so as to cover the inside of the container. Therefore, a space 124 is formed between the shower plate 105 and the electrode flange 104.

電極フランジ104にはガス導入管107が接続されており、成膜ガス供給部121より成膜ガスを空間124内に導入することができるように構成されている。シャワープレート105には多数のガス噴出口106が設けられており、空間124内に導入された成膜ガスはガス噴出口106から真空チャンバ102内に噴出されるように構成されている。   A gas introduction pipe 107 is connected to the electrode flange 104 so that a film forming gas can be introduced into the space 124 from the film forming gas supply unit 121. The shower plate 105 is provided with a large number of gas jets 106, and the film forming gas introduced into the space 124 is jetted into the vacuum chamber 102 from the gas jets 106.

また、基板110を成膜する際に、真空チャンバ102の内壁面などにも成膜材料が付着してしまうため、真空チャンバ102に接続されたフッ素ガス供給部122から供給されたフッ素ガスをラジカル源123で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ102内の成膜空間に供給し、付着物(成膜材料)を除去することができるように構成されている。   Further, when the substrate 110 is formed, the film forming material adheres to the inner wall surface of the vacuum chamber 102 and the like, so that the fluorine gas supplied from the fluorine gas supply unit 122 connected to the vacuum chamber 102 is converted into radical It is configured so that it can be decomposed by the source 123, and fluorine radicals thereby can be supplied to the film formation space in the vacuum chamber 102 to remove the deposit (film formation material).

ヒータベース103は、表面が平坦に形成されており、その上面にヒータ115が載置されている。このようにヒータベース103の上にヒータ115を載置することで、ヒータ115の変形量を抑制することができる。また、ヒータ115は、ヒータベース103と同様に表面が平坦に形成されており、その上面に基板110が載置されている。基板110を配置すると、基板110とシャワープレート105とは互いに近接して略平行に位置するように構成されている。ヒータ115上に基板110を配置した状態で、ガス噴出口106から成膜ガスを噴出させると、その成膜ガスは基板110の表面に吹き付けられる。   The heater base 103 has a flat surface, and the heater 115 is placed on the upper surface thereof. By placing the heater 115 on the heater base 103 in this way, the deformation amount of the heater 115 can be suppressed. The heater 115 has a flat surface similar to the heater base 103, and the substrate 110 is placed on the upper surface thereof. When the board | substrate 110 is arrange | positioned, the board | substrate 110 and the shower plate 105 are comprised so that it may mutually adjoin and may be located in substantially parallel. When the deposition gas is ejected from the gas ejection port 106 with the substrate 110 placed on the heater 115, the deposition gas is sprayed onto the surface of the substrate 110.

電極フランジ104とシャワープレート105とは、ともに導電材で構成されており、電極フランジ104は真空チャンバ102の外部に設けられたRF電源(高周波電源)109に接続されている。   The electrode flange 104 and the shower plate 105 are both made of a conductive material, and the electrode flange 104 is connected to an RF power source (high frequency power source) 109 provided outside the vacuum chamber 102.

また、ヒータベース103の裏面112と、真空チャンバ102の壁面133との間を接続するように導電材からなるアースプレート130が複数配置されている。このアースプレート130は、一端がヒータベース103の裏面112にボルト141で固定され、他端が真空チャンバ102の内壁面133にボルト141で固定されている。つまり、真空チャンバ102が接地電位に保たれると、アースプレート130を介して、ヒータ115およびヒータベース103も接地電位に保たれるように構成されている。   A plurality of ground plates 130 made of a conductive material are arranged so as to connect the back surface 112 of the heater base 103 and the wall surface 133 of the vacuum chamber 102. One end of the ground plate 130 is fixed to the back surface 112 of the heater base 103 with a bolt 141, and the other end is fixed to the inner wall surface 133 of the vacuum chamber 102 with a bolt 141. That is, when the vacuum chamber 102 is maintained at the ground potential, the heater 115 and the heater base 103 are also maintained at the ground potential via the ground plate 130.

上記構成の成膜装置101を用いて基板110の表面に薄膜を成膜するには、まず、真空ポンプ128で真空チャンバ102内を真空排気する。真空チャンバ102内を真空状態に維持した状態で、基板110を真空チャンバ102内に搬入し、ヒータ115上に載置する。その後、ガス導入管107から成膜ガス(原料ガス)を導入して、ガス噴出口106から真空チャンバ102内に成膜ガスを噴出させる。   In order to form a thin film on the surface of the substrate 110 using the film forming apparatus 101 having the above configuration, first, the vacuum chamber 102 is evacuated by the vacuum pump 128. With the vacuum chamber 102 maintained in a vacuum state, the substrate 110 is carried into the vacuum chamber 102 and placed on the heater 115. Thereafter, a deposition gas (raw material gas) is introduced from the gas introduction pipe 107, and the deposition gas is ejected from the gas ejection port 106 into the vacuum chamber 102.

電極フランジ104は絶縁フランジ181を介して真空チャンバ102と絶縁されており、真空チャンバ102を接地電位に接続した状態で、RF電源109を起動して電極フランジ104に高周波電圧を印加する。そうすると、シャワープレート105とヒータ115との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ104と基板110の表面との間にプラズマが発生する。こうして発生したプラズマ内で成膜ガスが分解され、基板110の表面で気相成長反応が起こることにより、基板110の表面に薄膜が成膜される。   The electrode flange 104 is insulated from the vacuum chamber 102 via the insulating flange 181, and the RF power source 109 is activated to apply a high frequency voltage to the electrode flange 104 with the vacuum chamber 102 connected to the ground potential. Then, a high frequency voltage is applied between the shower plate 105 and the heater 115 to generate a discharge, and plasma is generated between the electrode flange 104 and the surface of the substrate 110. The deposition gas is decomposed in the plasma generated in this way, and a vapor phase growth reaction occurs on the surface of the substrate 110, whereby a thin film is formed on the surface of the substrate 110.

また、基板110への成膜が何度か繰り返されると、真空チャンバ102の内壁面133などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ102内をクリーニングする。クリーニングは、真空チャンバ102に接続されたフッ素ガス供給部122から供給されたフッ素ガスをラジカル源123で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ102内の成膜空間に供給し、化学反応させることで付着物を除去する。   Further, when the film formation on the substrate 110 is repeated several times, the film forming material adheres to the inner wall surface 133 of the vacuum chamber 102 and the like, and thus the inside of the vacuum chamber 102 is cleaned. In the cleaning, the fluorine gas supplied from the fluorine gas supply unit 122 connected to the vacuum chamber 102 is decomposed by the radical source 123, and the resulting fluorine radicals are supplied to the film forming space in the vacuum chamber 102 to cause a chemical reaction. To remove deposits.

ここで、プラズマCVD法では通常13.56MHzを発振周波数とする高周波電源を使用することが一般的である。プラズマCVD装置で量産に対応できる成膜速度を得るには、成膜空間の圧力を100Pa〜300Paにすることが多い。この圧力条件においては電圧が印加されるシャワープレート105と接地電極として機能しているヒータ115との間の電極間距離は、15〜25mm程度にすることが一般的である。   Here, in the plasma CVD method, it is common to use a high-frequency power source whose oscillation frequency is usually 13.56 MHz. In order to obtain a film forming speed that can be used for mass production with a plasma CVD apparatus, the pressure in the film forming space is often set to 100 Pa to 300 Pa. Under this pressure condition, the interelectrode distance between the shower plate 105 to which a voltage is applied and the heater 115 functioning as a ground electrode is generally about 15 to 25 mm.

このような狭い空間内で基板110の出し入れを行うことは困難であり、特に基板110の大型化が進んでいる現状においては、さらに基板110の出し入れの困難さは増している。この問題を解決するために、ヒータベース103およびヒータ115を上下方向に昇降可能に構成されたものが知られている。このような、ヒータベース103およびヒータ115が昇降可能に構成された成膜装置101では、ヒータベース103およびヒータ115の電位と真空チャンバ102の電位とを同電位にするため、つまり、接地電位にするために、可撓性を有したアースプレート130が設けられている。
特開平10−310866号公報
It is difficult to take in and out the substrate 110 in such a narrow space. In particular, in the current situation where the size of the substrate 110 is increasing, the difficulty of taking in and out the substrate 110 is further increased. In order to solve this problem, the heater base 103 and the heater 115 are known so as to be movable up and down. In the film forming apparatus 101 configured such that the heater base 103 and the heater 115 can be moved up and down, the potential of the heater base 103 and the heater 115 and the potential of the vacuum chamber 102 are set to the same potential, that is, to the ground potential. For this purpose, a ground plate 130 having flexibility is provided.
JP-A-10-310866

ところで、上述の成膜装置101においては、成膜時にヒータ115が200〜480℃、ヒータベース103が180〜450℃の高温となる。(ちなみに真空チャンバ102は水冷されているため80〜100℃となる。)ヒータ115は、例えばアルミニウム合金で形成されているため、このような高温下においては、ヒータ115が熱により変形し、ヒータ115とヒータベース103との間に隙間d´が形成される。このような隙間d´が形成されると、ヒータ115とヒータベース103との間のインピーダンスが変化してしまい、異常放電が発生してしまうという問題があった。   By the way, in the above-described film forming apparatus 101, the heater 115 is heated to 200 to 480 ° C. and the heater base 103 is heated to 180 to 450 ° C. during film formation. (By the way, since the vacuum chamber 102 is cooled with water, the temperature becomes 80 to 100 ° C.) Since the heater 115 is made of, for example, an aluminum alloy, the heater 115 is deformed by heat at such a high temperature. A gap d ′ is formed between 115 and the heater base 103. When such a gap d ′ is formed, there is a problem that the impedance between the heater 115 and the heater base 103 changes and abnormal discharge occurs.

また、ヒータベース103とアースプレート130との接続部にも隙間が発生し、クリーニングの際にフッ素ラジカルがその隙間に侵入することで、腐食が進行したり、異常放電が発生してしまうという問題があった。この結果、プラズマの安定性が低くなり、成膜にばらつきが生ずるという虞があった。   Further, a gap is also generated at the connection portion between the heater base 103 and the earth plate 130, and fluorine radicals enter the gap during cleaning, whereby corrosion progresses or abnormal discharge occurs. was there. As a result, the stability of the plasma is lowered, and there is a risk that the film formation varies.

そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、成膜装置内において異常放電が発生することなく、安定した成膜を行うことができる成膜装置を提供するものである。   Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a film forming apparatus capable of performing stable film formation without causing abnormal discharge in the film forming apparatus.

請求項1に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備えた成膜装置において、前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴としている。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a chamber configured to be capable of applying an AC voltage by introducing a film forming material gas, a heater disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate, and the heater In the film forming apparatus including the heater base configured to be capable of mounting a gap, a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base. It is characterized by being dressed.

このように構成することで、ヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, even when the heater becomes hot and deforms and a gap is generated between the heater and the heater base, the heater and the heater are elastically deformed by the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gap formed between the base and the base can be connected semi-continuously and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, it is possible to prevent electromagnetic waves from entering between the heater and the heater base. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge in the gap and to achieve stable film formation.

請求項2に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、前記テーブルが昇降可能に構成され、前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢されていることを特徴としている。   The invention described in claim 2 includes a chamber configured to be capable of applying an AC voltage by introducing a film forming material gas, and a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate. In the film forming apparatus, the table is configured to be movable up and down, and in order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table, and the plate The member is biased to the table by a plate biasing coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member.

このように構成することで、テーブルとプレート部材との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりテーブルとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, even when a gap is generated between the table and the plate member due to aged reasons, the gap between the table and the plate member is blocked by the biasing force of the plate biasing coil. Therefore, it is possible to prevent occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.

請求項3に記載した発明は、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、前記テーブルが昇降可能に構成され、前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢され、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴としている。   The invention described in claim 3 includes a chamber configured to be capable of applying an AC voltage by introducing a film forming material gas, and a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate. In the film forming apparatus, the table is configured to be movable up and down, and in order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table, and the plate The member is urged against the table by a plate urging coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member, and the table includes a heater configured to mount the substrate, A heater base configured to be capable of placing a heater, and a gap having an annular central axis along a peripheral edge of the heater between the heater and the heater base. Is characterized by occlusive coil is interposed.

このように構成することで、テーブルとプレート部材との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりテーブルとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。
また、ヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができる。
結果として、テーブルとプレート部材との接続部にプレート付勢用コイルを配置すると共に、ヒータとヒータベースとの間に隙間閉塞用コイルを配置したことにより、より確実に安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, even when a gap is generated between the table and the plate member due to aged reasons, the gap between the table and the plate member is blocked by the biasing force of the plate biasing coil. Therefore, it is possible to prevent occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance.
Even when the heater becomes hot and deforms to form a gap between the heater and the heater base, the gap is formed between the heater and the heater base by elastic deformation of the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gaps to be formed can be connected semi-continuously and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, intrusion of electromagnetic waves between the heater and the heater base can be prevented. Therefore, occurrence of abnormal discharge in the gap can be prevented.
As a result, a plate energizing coil is arranged at the connection portion between the table and the plate member, and a gap closing coil is arranged between the heater and the heater base, so that more reliable and stable film formation can be performed. There is an effect that can.

請求項4に記載した発明は、前記チャンバは、該チャンバ内部の付着物を除去するクリーニングガスを導入可能に構成されていることを特徴としている。   The invention described in claim 4 is characterized in that the chamber is configured to be capable of introducing a cleaning gas for removing deposits inside the chamber.

このように構成することで、フッ素ラジカルなどからなるクリーニングガスをチャンバ内に導入しても、プレート付勢用コイルで付勢している部分のテーブルとプレート部材との間へのクリーニングガスの侵入を防止することができる。したがって、テーブルとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, even if a cleaning gas composed of fluorine radicals or the like is introduced into the chamber, the cleaning gas enters between the table and the plate member that is energized by the plate energizing coil. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of corrosion at the contact between the table and the plate member, thereby preventing the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.

請求項5に記載した発明は、前記プレート付勢用コイルの前記中心軸は、前記プレート部材を前記テーブルに接合するボルトの軸部を取り巻くように配置され、前記プレート付勢用コイルは、前記ボルトの頭部と前記プレート部材との間に介装されていることを特徴としている。   According to a fifth aspect of the present invention, the central axis of the plate biasing coil is disposed so as to surround a shaft portion of a bolt that joins the plate member to the table, and the plate biasing coil is It is characterized by being interposed between the head of the bolt and the plate member.

このように構成することで、プレート部材とテーブルとをボルトにより強固に締め付けることができると共に、経年的にボルトに緩みが発生した場合にも、プレート付勢用コイルによりプレート部材とテーブルとの間の隙間を閉塞することができるため、プレート付勢用コイルで付勢している部分のテーブルとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、テーブルとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, the plate member and the table can be firmly tightened with the bolt, and even when the bolt is loosened over time, the plate urging coil can be used to connect the plate member and the table between the plate member and the table. Therefore, it is possible to prevent the entry of gas such as fluorine radicals between the table and the plate member at the portion energized by the plate energizing coil. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of corrosion at the contact between the table and the plate member, thereby preventing the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.

請求項6に記載した発明は、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記プレート部材は、前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されていることを特徴としている。   According to a sixth aspect of the present invention, the table includes a heater configured to mount the substrate, and a heater base configured to mount the heater, and the plate member includes the plate. The heater base is biased by a bias coil and is joined to the heater base.

このように構成することで、ヒータベースとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、プレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、プレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, even when the bolt that joins the heater base and the plate member is loosened due to aging, etc., the bias between the heater base and the plate member is caused by the biasing force of the plate biasing coil. Since the gap between them can be closed, it is possible to prevent the entry of gas such as fluorine radicals between the heater base and the plate member in the portion energized by the plate energizing coil. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the contact between the heater base and the plate member, and it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.

請求項7に記載した発明は、前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、前記プレート部材は、第1の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されると共に、第2の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータに付勢されて、前記ヒータに接合されていることを特徴としている。   According to a seventh aspect of the present invention, the table includes a heater configured to be capable of mounting the substrate, and a heater base configured to be capable of mounting the heater. The plate biasing coil is biased to the heater base and joined to the heater base, and the second plate biasing coil is biased to the heater and joined to the heater. It is characterized by that.

このように構成することで、ヒータベースとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、第1のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、第1のプレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間へのフッ素ラジカルなどのガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。
同様に、ヒータとプレート部材とを接合しているボルトが経年的な理由などにより緩みが発生した場合でも、第2のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータとプレート部材との間の隙間を閉塞することができるため、同様の効果が得られる。
また、プレート部材がヒータベースだけでなくヒータにもボルトで固定されるため、より強固にプレート部材を固定させることができる。したがって、高温時にヒータとヒータベースとの間に隙間が形成されにくくすることができ、異常放電が発生することなく、より安定した成膜を行うことができる効果がある。
With this configuration, even when the bolt that joins the heater base and the plate member is loosened due to aging or the like, the heater base and the plate are biased by the biasing force of the first plate biasing coil. Since the gap between the member and the member can be closed, intrusion of gases such as fluorine radicals between the heater base and the plate member in the portion energized by the first plate energizing coil is prevented. be able to. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the contact between the heater base and the plate member, and it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance.
Similarly, even when the bolt that joins the heater and the plate member is loosened due to aging, the gap between the heater and the plate member is reduced by the urging force of the second plate urging coil. Since it can be blocked, the same effect can be obtained.
Further, since the plate member is fixed not only to the heater base but also to the heater with bolts, the plate member can be fixed more firmly. Accordingly, it is possible to make it difficult to form a gap between the heater and the heater base at a high temperature, and it is possible to perform more stable film formation without causing abnormal discharge.

請求項8に記載した発明は、前記ボルトが、ニッケル合金からなることを特徴としている。   The invention described in claim 8 is characterized in that the bolt is made of a nickel alloy.

このように構成することで、ボルトに強度、耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。   With this configuration, the bolt has strength, heat resistance and corrosion resistance, so it will not be deformed even at high temperatures and will not corrode even when fluorine radicals or other gases are present in the vacuum chamber. Function. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.

請求項9に記載した発明は、前記プレート付勢用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴としている。   The invention described in claim 9 is characterized in that the plate biasing coil is made of a nickel alloy.

このように構成することで、プレート付勢用コイルに耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。   By configuring in this way, the plate biasing coil has heat resistance and corrosion resistance, so it does not deform even at high temperatures, and even if a gas such as fluorine radicals is present in the vacuum chamber, it is difficult to corrode. Works reliably. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.

請求項10に記載した発明は、前記隙間閉塞用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴としている。
このように構成することで、隙間閉塞用コイルに耐熱性および耐食性が備わっているため、高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルなどのガスが真空チャンバ内に存在しても腐食しにくく、確実に機能する。したがって、異常放電の発生を防止することができる効果がある。
The invention described in claim 10 is characterized in that the gap closing coil is made of a nickel alloy.
With this configuration, the gap closing coil has heat resistance and corrosion resistance, so that it does not deform even at high temperatures, and even if a gas such as fluorine radicals is present in the vacuum chamber, it is difficult to corrode and reliably. To work. Therefore, there is an effect that the occurrence of abnormal discharge can be prevented.

本発明によれば、成膜時などにヒータが高温状態になり変形して、ヒータとヒータベースとの間に隙間が生じた場合でも、ヒータ周縁部に設けた隙間閉塞用コイルの弾性変形によりヒータとヒータベースとの間に形成される隙間を半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、ヒータとヒータベースとの間への電磁波の侵入を防止することができる。したがって、隙間内での異常放電の発生を防止することができる。結果として、ヒータとヒータベースとの間に隙間閉塞用コイルを設けたことにより、安定した成膜を行うことができる効果がある。   According to the present invention, even when a heater is heated and deformed at the time of film formation or the like and a gap is generated between the heater and the heater base, due to the elastic deformation of the gap closing coil provided on the peripheral edge of the heater. Since the gap formed between the heater and the heater base can be semi-continuously connected and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, electromagnetic waves can be prevented from entering between the heater and the heater base. it can. Therefore, occurrence of abnormal discharge in the gap can be prevented. As a result, by providing the gap closing coil between the heater and the heater base, there is an effect that stable film formation can be performed.

また、ヒータベースとプレート部材との間に経年的な理由により隙間が発生した場合でも、ボルトとプレート部材との間に設けられた第1のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータベースとプレート部材との間の隙間を閉塞することができる。
さらに、ヒータとプレート部材との間に経年的な理由により隙間が発生した場合でも、ボルトとプレート部材との間に設けられた第2のプレート付勢用コイルの付勢力によりヒータとプレート部材との間の隙間を閉塞することができる。
Further, even when a gap occurs between the heater base and the plate member due to aging, the heater base and the plate are urged by the urging force of the first plate urging coil provided between the bolt and the plate member. The gap between the members can be closed.
Further, even when a gap is generated between the heater and the plate member due to aging, the heater and the plate member are separated by the urging force of the second plate urging coil provided between the bolt and the plate member. The gap between the two can be closed.

したがって、プレート付勢用コイルで付勢している部分のヒータベースとプレート部材との間およびヒータとプレート部材との間へのクリーニングガスとしてのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータおよびヒータベースとプレート部材との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、ヒータベースとプレート部材との接続部およびヒータとプレート部材との接続部に第1および第2のプレート付勢用コイルを設けたことにより、安定した成膜を行うことができる効果がある。   Therefore, it is possible to prevent entry of fluorine radicals or the like as a cleaning gas between the heater base and the plate member of the portion urged by the plate urging coil and between the heater and the plate member. Corrosion of the contact between the heater and the heater base and the plate member can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, the first and second plate urging coils are provided in the connection portion between the heater base and the plate member and the connection portion between the heater and the plate member, thereby providing an effect of performing stable film formation. is there.

次に、本発明の実施形態を図1〜図6に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。   Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

図1は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図1に示すように、プラズマCVD法を実施する成膜装置1は、真空チャンバ2を有している。真空チャンバ2の下部には、真空チャンバ2の底部11を挿通するように支柱25が配置されており、支柱25の先端(真空チャンバ2内)は、板状のヒータベース3の底面12と接続されている。真空チャンバ2の上部には、絶縁フランジ81を介して電極フランジ4が取り付けられている。また、真空チャンバ2には、排気管27が接続されており、その先端には、真空ポンプ28が設けられおり、真空チャンバ2内を真空状態にすることができるように構成されている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, a film forming apparatus 1 that performs a plasma CVD method has a vacuum chamber 2. A support column 25 is disposed below the vacuum chamber 2 so as to pass through the bottom 11 of the vacuum chamber 2, and the tip of the support column 25 (in the vacuum chamber 2) is connected to the bottom surface 12 of the plate-shaped heater base 3. Has been. The electrode flange 4 is attached to the upper part of the vacuum chamber 2 via an insulating flange 81. In addition, an exhaust pipe 27 is connected to the vacuum chamber 2, and a vacuum pump 28 is provided at the tip of the vacuum chamber 2, so that the inside of the vacuum chamber 2 can be evacuated.

また、支柱25は、真空チャンバ2の外部に設けられた図示しない昇降機構に接続されており、上下方向に移動可能に構成されている。つまり、支柱25の先端に接続されているヒータベース3およびヒータ15を上下方向に昇降可能に構成されている。真空チャンバ2の外部において、支柱25の周縁を覆うようにベローズ26が設けられている。   The support column 25 is connected to an elevating mechanism (not shown) provided outside the vacuum chamber 2 and is configured to be movable in the vertical direction. That is, the heater base 3 and the heater 15 connected to the tip of the column 25 can be moved up and down. A bellows 26 is provided outside the vacuum chamber 2 so as to cover the periphery of the column 25.

電極フランジ4は、有底容器状に形成され、容器開口部には容器内部を覆うようにシャワープレート5が取り付けられている。したがって、シャワープレート5と電極フランジ4との間に空間24が形成されている。   The electrode flange 4 is formed in a bottomed container shape, and a shower plate 5 is attached to the container opening so as to cover the inside of the container. Therefore, a space 24 is formed between the shower plate 5 and the electrode flange 4.

電極フランジ4にはガス導入管7が接続されており、真空チャンバ2の外部に設けられた成膜ガス供給部21から空間24に原料ガス(例えば、SiH)を供給するように構成されている。また、シャワープレート5には多数のガス噴出口6が設けられており、空間24内に導入された成膜ガスはガス噴出口6から真空チャンバ2内に噴出されるように構成されている。 A gas introduction pipe 7 is connected to the electrode flange 4 and is configured to supply a source gas (for example, SiH 4 ) to the space 24 from a film forming gas supply unit 21 provided outside the vacuum chamber 2. Yes. The shower plate 5 is provided with a large number of gas jets 6, and the film forming gas introduced into the space 24 is jetted from the gas jets 6 into the vacuum chamber 2.

また、電極フランジ4とシャワープレート5とは、ともに導電材で構成されており、電極フランジ4は真空チャンバ2の外部に設けられたRF電源(高周波電源)9に接続されている。   The electrode flange 4 and the shower plate 5 are both made of a conductive material, and the electrode flange 4 is connected to an RF power source (high frequency power source) 9 provided outside the vacuum chamber 2.

さらに、真空チャンバ2には別のガス導入管8が接続されている。ガス導入管8にはフッ素ガス供給部22とラジカル源23とが設けられており、フッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスをラジカル源23で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ2内の成膜空間に供給するように構成されている。   Further, another gas introduction pipe 8 is connected to the vacuum chamber 2. The gas introduction pipe 8 is provided with a fluorine gas supply unit 22 and a radical source 23. The fluorine gas supplied from the fluorine gas supply unit 22 is decomposed by the radical source 23, and the resulting fluorine radicals are converted into the vacuum chamber 2. It is configured to be supplied to the film forming space inside.

ヒータベース3は、表面が平坦に形成された板状の部材であり、その上面にヒータ15が載置されている。ヒータベース3は、インコネル(登録商標)などのニッケル系合金で形成されている。なお、ヒータベース3は、剛性を有し、耐食性および耐熱性を有するものであればよい。   The heater base 3 is a plate-like member having a flat surface, and the heater 15 is placed on the upper surface thereof. The heater base 3 is formed of a nickel-based alloy such as Inconel (registered trademark). The heater base 3 only needs to have rigidity, corrosion resistance, and heat resistance.

また、ヒータ15は、ヒータベース3と同様に表面が平坦に形成された板状の部材であり、その上面に基板10が載置されている。ヒータ15は、例えばアルミニウム合金で形成されている。ヒータ15は接地電極として機能するため、導電性を有するものが採用される。基板10をヒータ15上に配置すると、基板10とシャワープレート5とは互いに近接して平行に位置するように構成されている。ヒータ15上に基板10を配置した状態で、ガス噴出口6から成膜ガスを噴出させると、その成膜ガスは基板10の表面に吹き付けられる。   The heater 15 is a plate-like member having a flat surface similar to the heater base 3, and the substrate 10 is placed on the upper surface thereof. The heater 15 is made of, for example, an aluminum alloy. Since the heater 15 functions as a ground electrode, a conductive material is employed. When the substrate 10 is disposed on the heater 15, the substrate 10 and the shower plate 5 are configured to be positioned close to each other and in parallel. When the deposition gas is ejected from the gas ejection port 6 with the substrate 10 placed on the heater 15, the deposition gas is sprayed onto the surface of the substrate 10.

また、ヒータ15は、その内部にヒータ線16が内包されており、温度調節可能に構成されている。ヒータ線16は、ヒータ15の平面視略中央部の底面17から突出されており、ヒータベース3の平面視略中央部に形成された貫通孔18および支柱25の内部を挿通して、真空チャンバ2の外部へと導かれている。そして、ヒータ線16は真空チャンバ2の外部にて図示しない電源と接続され、温度調節がなされるように構成されている。   The heater 15 includes a heater wire 16 therein, and is configured to be temperature adjustable. The heater wire 16 protrudes from the bottom surface 17 of the substantially central portion in the plan view of the heater 15, and passes through the inside of the through hole 18 and the column 25 formed in the substantially central portion of the heater base 3 in the plan view. 2 to the outside. The heater wire 16 is connected to a power source (not shown) outside the vacuum chamber 2 so that the temperature is adjusted.

図2は、図1のA部拡大詳細図である。
図2に示すように、ヒータベース3の表面31における、ヒータ15の周縁部の内側に対応した位置には、ヒータ15の外周形状に沿うように凹部55が形成されている。凹部55には、環状の隙間閉塞用コイル60が配置されている。
FIG. 2 is an enlarged detail view of part A in FIG.
As shown in FIG. 2, a recess 55 is formed along the outer peripheral shape of the heater 15 at a position corresponding to the inside of the peripheral edge of the heater 15 on the surface 31 of the heater base 3. An annular gap closing coil 60 is disposed in the recess 55.

図4は、隙間閉塞用コイル60を示し、(A)が平面図、(B)が部分側面図である。
図4に示すように、隙間閉塞用コイル60は、一本の鋼線がらせん状に構成され、その中心軸61が環状になるように形成されている。平面視環状の隙間閉塞用コイル60を上方から荷重をかけると、らせん状に積層されている鋼線が傾斜して高さ方向に収縮するようになる。このとき、もとの形状に戻ろうとする上方への付勢力が働くように構成されている。なお、隙間閉塞用コイル60は、凹部55に配置された状態で、表面31より若干突出するような大きさを有している。そして、凹部55に隙間閉塞用コイル60が配置された状態で、その上方にヒータ15が載置されている。
4A and 4B show the gap closing coil 60, where FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a partial side view.
As shown in FIG. 4, the gap closing coil 60 is formed such that one steel wire is formed in a spiral shape and the central shaft 61 is annular. When a load is applied to the gap closing coil 60 having an annular shape in plan view from above, the steel wires stacked in a spiral shape are inclined and contract in the height direction. At this time, an upward urging force for returning to the original shape works. The gap closing coil 60 has a size that slightly protrudes from the surface 31 in a state where it is disposed in the recess 55. The heater 15 is placed above the gap closing coil 60 in the recess 55.

図3は、アースプレートの取付状態を示す斜視図である。
図2,図3に示すように、ヒータベース3およびヒータ15と、真空チャンバ2との間を接続するようにアースプレート30が略等間隔に複数配置されている。このアースプレート30は、一端がヒータベース3の表面31およびヒータ15の側面32にそれぞれボルト40で固定され、他端が真空チャンバ2の内壁面33にボルト41で固定されている。
FIG. 3 is a perspective view showing a ground plate attached state.
As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of ground plates 30 are arranged at substantially equal intervals so as to connect between the heater base 3 and the heater 15 and the vacuum chamber 2. One end of the ground plate 30 is fixed to the surface 31 of the heater base 3 and the side surface 32 of the heater 15 with bolts 40, and the other end is fixed to the inner wall surface 33 of the vacuum chamber 2 with bolts 41.

ここで、アースプレート30は、真空チャンバ2の内壁面33とボルト41で接続されており、その接続部から内壁面33に沿うように下方へ延出し、真空チャンバ2の底部11の若干手前側で略U字状に折り返し、上方へ延出されている。上方へ延出されたアースプレート30は、ヒータベース3の側面34に当接しながら、側面34をさらに上方へ延出され、ヒータベース3の表面31に当接するように略直角に折り返され、表面31に沿うように延出され、ヒータベース3とヒータ15との接続部35で上方へ略直角に折り返され、ヒータ15の側面32に沿うように延出されている。   Here, the ground plate 30 is connected to the inner wall surface 33 of the vacuum chamber 2 by bolts 41, extends downward from the connecting portion along the inner wall surface 33, and is slightly forward of the bottom 11 of the vacuum chamber 2. Is folded in a substantially U shape and extended upward. The ground plate 30 extended upward is extended further upward on the side surface 34 while being in contact with the side surface 34 of the heater base 3, and is folded back at a substantially right angle so as to contact the surface 31 of the heater base 3. 31 is extended along the side surface 32 of the heater 15 by being folded upward at a substantially right angle at a connecting portion 35 between the heater base 3 and the heater 15.

なお、アースプレート30は、フレキシブルな金属プレートで形成されており、例えば、ニッケル系合金やアルミ合金などで構成されている。また、アースプレート30は、幅が50mm程度であり、厚さ0.1mm程度で形成されている。アースプレート30は、幅が10〜200mm程度の導電材料からなり、耐食性が高く、可撓性を有する材料であればよい。   The ground plate 30 is formed of a flexible metal plate, and is made of, for example, a nickel alloy or an aluminum alloy. The earth plate 30 has a width of about 50 mm and a thickness of about 0.1 mm. The earth plate 30 may be made of a conductive material having a width of about 10 to 200 mm, high corrosion resistance, and flexibility.

ボルト40は、インコネル(登録商標)やハステロイ(登録商標)などのニッケル系合金で形成されている。ボルト40の頭部44の底面45には、軸部46の周縁に沿うように凹部47が形成されている。ここで、インコネル(登録商標)やハステロイ(登録商標)などのニッケル系合金で形成された環状のプレート付勢用コイル50が、軸部46を挿通して凹部47に配置されている。なお、プレート付勢用コイル50は、隙間閉塞用コイル60と略同等の構成であり、大きさが異なるものである。また、プレート付勢用コイル50は、凹部47に配置された状態で、底面45より若干突出するような大きさを有している。ボルト40は、ヒータベース3およびヒータ15に形成されたネジ穴51に軸部46を螺合させて固定される。さらに、アースプレート30における、ネジ穴51に対応した位置には、ボルト40の軸部46が挿通可能な貫通孔52が形成されている。   The bolt 40 is formed of a nickel-based alloy such as Inconel (registered trademark) or Hastelloy (registered trademark). A concave portion 47 is formed on the bottom surface 45 of the head portion 44 of the bolt 40 along the periphery of the shaft portion 46. Here, an annular plate biasing coil 50 formed of a nickel-based alloy such as Inconel (registered trademark) or Hastelloy (registered trademark) is disposed in the recess 47 through the shaft portion 46. The plate urging coil 50 has substantially the same configuration as the gap closing coil 60 and has a different size. The plate biasing coil 50 has a size such that it slightly protrudes from the bottom surface 45 in a state where it is disposed in the recess 47. The bolt 40 is fixed by screwing a shaft portion 46 into a screw hole 51 formed in the heater base 3 and the heater 15. Furthermore, a through hole 52 through which the shaft portion 46 of the bolt 40 can be inserted is formed at a position corresponding to the screw hole 51 in the ground plate 30.

また、真空チャンバ2の内壁面33とアースプレート30とはボルト41で固定接続されている。なお、ボルト41の材質は、真空チャンバ2の内壁面33近傍が高温にはならないため、特に拘らない。   Further, the inner wall surface 33 of the vacuum chamber 2 and the earth plate 30 are fixedly connected by bolts 41. The material of the bolt 41 is not particularly limited because the vicinity of the inner wall surface 33 of the vacuum chamber 2 does not become high temperature.

(作用)
次に、成膜装置1を用いて基板10に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置1を用いて基板10の表面に薄膜を成膜するには、まず、真空ポンプ28で真空チャンバ2内を真空排気する。真空チャンバ2内を真空状態に維持した状態で、基板10を真空チャンバ2内に搬入し、ヒータ15上に載置する。ここで、基板10を載置する前は、ヒータ15は真空チャンバ2内の下方に位置している。つまり、ヒータ15とシャワープレート5との間隔が広くなっており、基板10をヒータ15上に載置しやすい状態に保持されている。そして、基板10がヒータ15上に載置された後に、図示しない昇降装置が起動して支柱25が上方へ押し上げられ、それに合わせてヒータ15上に載置された基板10も上方へと移動して、シャワープレート5との間隔を、成膜を行うのに適正な距離に保持される。その後、ガス導入管7から成膜ガス(原料ガス)を導入して、ガス噴出口6から真空チャンバ2内に成膜ガスを噴出させる。
(Function)
Next, an operation when a film is formed on the substrate 10 using the film forming apparatus 1 will be described.
In order to form a thin film on the surface of the substrate 10 using the film forming apparatus 1 having the above configuration, first, the vacuum chamber 2 is evacuated by the vacuum pump 28. With the vacuum chamber 2 maintained in a vacuum state, the substrate 10 is carried into the vacuum chamber 2 and placed on the heater 15. Here, before the substrate 10 is placed, the heater 15 is positioned below the vacuum chamber 2. That is, the space between the heater 15 and the shower plate 5 is wide, and the substrate 10 is held in a state where it can be easily placed on the heater 15. Then, after the substrate 10 is placed on the heater 15, a lifting device (not shown) is activated and the support column 25 is pushed upward, and the substrate 10 placed on the heater 15 moves upward accordingly. Thus, the distance from the shower plate 5 is kept at an appropriate distance for film formation. Thereafter, a film forming gas (raw material gas) is introduced from the gas introduction pipe 7, and the film forming gas is ejected into the vacuum chamber 2 from the gas ejection port 6.

電極フランジ4は絶縁フランジ81を介して真空チャンバ2と絶縁されており、真空チャンバ2を接地電位に接続した状態で、RF電源9を起動して電極フランジ4に高周波電圧を印加する。そうすると、シャワープレート5とヒータ15との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ4と基板10の表面との間にプラズマが発生する。こうして発生したプラズマ内で成膜ガスが分解され、基板10の表面で気相成長反応が起こることにより、基板10の表面に薄膜が成膜される。   The electrode flange 4 is insulated from the vacuum chamber 2 via an insulating flange 81, and the RF power source 9 is activated to apply a high frequency voltage to the electrode flange 4 in a state where the vacuum chamber 2 is connected to the ground potential. Then, a high frequency voltage is applied between the shower plate 5 and the heater 15 to generate a discharge, and plasma is generated between the electrode flange 4 and the surface of the substrate 10. The deposition gas is decomposed in the plasma generated in this way, and a vapor phase growth reaction occurs on the surface of the substrate 10, whereby a thin film is formed on the surface of the substrate 10.

なお、発振周波数として13.56MHzの高周波電源を使用している。また、このような成膜装置1で量産に対応できる成膜速度を得るには、成膜空間の圧力を100Pa〜300Paに設定する。この圧力条件においては電圧が印加されるシャワープレート5と接地電極であるヒータ15との間の電極間距離は、15〜25mm程度にすることが一般的である。   Note that a high frequency power supply of 13.56 MHz is used as the oscillation frequency. Further, in order to obtain a film forming speed that can be used for mass production with such a film forming apparatus 1, the pressure in the film forming space is set to 100 Pa to 300 Pa. Under this pressure condition, the interelectrode distance between the shower plate 5 to which a voltage is applied and the heater 15 as a ground electrode is generally about 15 to 25 mm.

また、基板10への成膜が何度か繰り返されると、真空チャンバ2の内壁面33などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ2内を定期的にクリーニングする。クリーニングは、真空チャンバ2に接続されたガス導入管8に設けられたフッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスをラジカル源23で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ2内の成膜空間に供給し、化学反応させることにより付着物を除去する。   When the film formation on the substrate 10 is repeated several times, the film forming material adheres to the inner wall surface 33 of the vacuum chamber 2 and the like, so that the inside of the vacuum chamber 2 is periodically cleaned. In the cleaning, the fluorine gas supplied from the fluorine gas supply unit 22 provided in the gas introduction pipe 8 connected to the vacuum chamber 2 is decomposed by the radical source 23, and the fluorine radicals formed thereby are formed into a film in the vacuum chamber 2. The deposits are removed by supplying to the space and causing a chemical reaction.

ところで、上述の成膜装置1においては、成膜時にヒータ線16が加熱されることによりヒータ15が高温状態になる。このとき、ヒータ15においては450〜460℃、ヒータベース3においてもヒータ15と略同等で若干低めの温度となる。(ちなみに真空チャンバ2は水冷されているため80〜100℃となる。)ヒータ15は、アルミニウム合金で形成されているため、このような高温下においては、ヒータ15が熱により上下に湾曲変形する。つまり、ヒータ15の中央部が盛り上がるように変形したり、ヒータ15の周縁部が浮き上がるように変形したりする。ヒータベース3は、インコネル(登録商標)で形成されているため、アルミニウム合金と比較して変形量が小さい。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成される(図2参照)。   By the way, in the above-mentioned film-forming apparatus 1, the heater 15 will be in a high temperature state by heating the heater wire 16 at the time of film-forming. At this time, the heater 15 has a temperature of 450 to 460 ° C., and the heater base 3 is substantially the same as the heater 15 and has a slightly lower temperature. (By the way, since the vacuum chamber 2 is water-cooled, the temperature is 80 to 100 ° C.) Since the heater 15 is made of an aluminum alloy, the heater 15 is bent up and down by heat at such a high temperature. . That is, it deform | transforms so that the center part of the heater 15 may rise, or it deform | transforms so that the peripheral part of the heater 15 may float. Since the heater base 3 is formed of Inconel (registered trademark), the amount of deformation is small as compared with the aluminum alloy. Accordingly, a gap d is formed between the heater 15 and the heater base 3 (see FIG. 2).

ここで、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間閉塞用コイル60を介装させている。ヒータ15の周縁部に形成されている隙間dを隙間閉塞用コイル60の弾性変形により閉塞するように、隙間閉塞用コイル60が配置されている。したがって、ヒータ15とヒータベース3との隙間dを半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができるため、隙間dの内部に電磁波の侵入を阻止することができる。   Here, a gap closing coil 60 is interposed between the heater 15 and the heater base 3. The gap closing coil 60 is arranged so as to close the gap d formed at the peripheral edge of the heater 15 by elastic deformation of the gap closing coil 60. Accordingly, the gap d between the heater 15 and the heater base 3 can be semi-continuously connected and closed as a high-frequency circuit due to the skin effect, so that intrusion of electromagnetic waves into the gap d can be prevented.

また、ヒータベース3とアースプレート30とを接合するボルト40の頭部44の底面45にプレート付勢用コイル50を配置させた上で、ヒータベース3とアースプレート30とをボルト40により接合している。したがって、ボルト40が経時的に緩んできてもプレート付勢用コイル50の付勢力でヒータベース3とアースプレート30との間に形成される隙間を閉塞できるため、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間に、真空チャンバ2内をクリーニングする際に供給されるフッ素ラジカルなどのガスの侵入を阻止することができる。   In addition, the plate biasing coil 50 is disposed on the bottom surface 45 of the head 44 of the bolt 40 that joins the heater base 3 and the earth plate 30, and then the heater base 3 and the earth plate 30 are joined by the bolt 40. ing. Therefore, even if the bolt 40 is loosened with time, the gap formed between the heater base 3 and the earth plate 30 can be closed by the biasing force of the plate biasing coil 50, so Intrusion of gas such as fluorine radicals supplied when cleaning the inside of the vacuum chamber 2 can be prevented between the heater base 3 and the earth plate 30 in the energized portion.

同様に、ヒータ15とアースプレート30とを接続するボルト40の頭部44の底面45にプレート付勢用コイル50を配置させた上で、ヒータ15とアースプレート30とをボルト40により接合している。したがって、ボルト40が経時的に緩んできてもプレート付勢用コイル50の付勢力でヒータ15とアースプレート30との間に形成される隙間を閉塞できるため、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータ15とアースプレート30との間に、真空チャンバ2内をクリーニングする際に供給されるフッ素ラジカルなどのガスの侵入を阻止することができる。   Similarly, after the plate biasing coil 50 is disposed on the bottom surface 45 of the head 44 of the bolt 40 that connects the heater 15 and the earth plate 30, the heater 15 and the earth plate 30 are joined by the bolt 40. Yes. Therefore, even if the bolt 40 is loosened with time, the gap formed between the heater 15 and the ground plate 30 can be closed by the urging force of the plate urging coil 50, so that the urging force is applied by the plate urging coil 50. Intrusion of gas such as fluorine radicals supplied when the inside of the vacuum chamber 2 is cleaned can be prevented between the heater 15 and the earth plate 30 at the portion.

また、ヒータ15とヒータベース3との間を連結するようにアースプレート30が設けられているため、高温時にヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成されるのを抑止することができる。   Further, since the earth plate 30 is provided so as to connect the heater 15 and the heater base 3, it is possible to prevent the gap d from being formed between the heater 15 and the heater base 3 at a high temperature. it can.

本実施形態によれば、成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された真空チャンバ2と、真空チャンバ2内に配置され、基板10を載置可能に構成されたヒータ15と、ヒータ15を載置可能に構成されたヒータベース3とを備えた成膜装置1において、ヒータ15とヒータベース3との間に、ヒータ15の周縁部に沿った環状の中心軸61を有する隙間閉塞用コイル60を介装した。   According to the present embodiment, the vacuum chamber 2 configured to be capable of applying an AC voltage by introducing a film forming material gas, and the heater 15 disposed in the vacuum chamber 2 and configured to mount the substrate 10 thereon. In the film forming apparatus 1 including the heater base 3 configured to be able to place the heater 15, an annular central axis 61 along the peripheral edge of the heater 15 is provided between the heater 15 and the heater base 3. A gap closing coil 60 was interposed.

このように構成したため、ヒータ15が高温状態になり変形して、ヒータ15とヒータベース3との間に隙間が生じた場合でも、ヒータ15周縁部に設けた隙間閉塞用コイル60の弾性変形によりヒータ15とヒータベース3との間に形成される隙間dを半連続的に接続し、表皮効果による高周波回路として閉塞することができる。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間への電磁波の侵入を防止することができるため、隙間d内での異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。   With this configuration, even when the heater 15 becomes hot and deforms and a gap is generated between the heater 15 and the heater base 3, due to the elastic deformation of the gap closing coil 60 provided at the periphery of the heater 15. A gap d formed between the heater 15 and the heater base 3 can be connected semi-continuously, and can be closed as a high-frequency circuit due to the skin effect. Therefore, electromagnetic waves can be prevented from entering between the heater 15 and the heater base 3, so that abnormal discharge in the gap d can be prevented and stable film formation can be performed.

また、ヒータ15およびヒータベース3が昇降可能に構成され、真空チャンバ2とヒータ15およびヒータベース3とを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するアースプレート30を、真空チャンバ2およびヒータベース3に接合するとともに、アースプレート30と平行に配置された環状の中心軸61を有する第1のプレート付勢用コイル50により、ヒータベース3に付勢されるように配置した。   Further, the heater 15 and the heater base 3 are configured to be movable up and down, and in order to maintain the vacuum chamber 2 and the heater 15 and the heater base 3 at the same potential, the ground plate 30 having flexibility and conductivity is attached to the vacuum chamber 2. In addition to being joined to the heater base 3, the heater base 3 is arranged to be urged by a first plate urging coil 50 having an annular center shaft 61 arranged in parallel to the earth plate 30.

このように構成したため、ヒータベース3とアースプレート30との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、第1のプレート付勢用コイル50の付勢力によりヒータベース3とアースプレート30との間の隙間を閉塞することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。   With this configuration, even when a gap is generated between the heater base 3 and the ground plate 30 due to aging or the like, the heater base 3 and the ground plate 30 are biased by the biasing force of the first plate biasing coil 50. The gap between the two can be closed. Therefore, the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance can be prevented, and stable film formation can be performed.

さらに、アースプレート30を、ヒータ15にも接合するとともに、アースプレート30と平行に配置された環状の中心軸61を有する第2のプレート付勢用コイル50により、ヒータ15に付勢されるように配置した。   Further, the earth plate 30 is joined to the heater 15 and is urged by the heater 15 by the second plate urging coil 50 having an annular center shaft 61 arranged in parallel with the earth plate 30. Arranged.

このように構成したため、ヒータ15とアースプレート30との間に経年的な理由などにより隙間が発生した場合でも、第2のプレート付勢用コイル50の付勢力によりヒータ15とアースプレート30との間の隙間を閉塞することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができ、安定した成膜を行うことができる。   With this configuration, even when a gap is generated between the heater 15 and the ground plate 30 due to aging or the like, the bias between the heater 15 and the ground plate 30 is caused by the biasing force of the second plate biasing coil 50. The gap between them can be closed. Therefore, the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance can be prevented, and stable film formation can be performed.

さらに、アースプレート30がヒータベース3だけでなくヒータ15にも接合され、より強固にアースプレート30を固定させることができる。したがって、高温時にヒータ15とヒータベース3との間に隙間dが形成されてもインピーダンスの変動がなく、異常放電が発生することなく、より安定した成膜を行うことができる。   Furthermore, the earth plate 30 is joined not only to the heater base 3 but also to the heater 15, and the earth plate 30 can be fixed more firmly. Therefore, even if the gap d is formed between the heater 15 and the heater base 3 at a high temperature, the impedance does not fluctuate and a more stable film formation can be performed without causing abnormal discharge.

また、真空チャンバ2は、真空チャンバ2内部の付着物を除去するため、フッ素ガス供給部22およびラジカル源23を設け、クリーニングガスを導入可能に構成した。   Further, the vacuum chamber 2 is provided with a fluorine gas supply unit 22 and a radical source 23 in order to remove deposits inside the vacuum chamber 2 so that a cleaning gas can be introduced.

このように構成したため、フッ素ラジカルなどからなるクリーニングガスを真空チャンバ2内に導入しても、プレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間およびヒータ15とアースプレート30との間へのクリーニングガスの侵入を防止することができる。したがって、ヒータ15およびヒータベース3とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, even when a cleaning gas composed of fluorine radicals or the like is introduced into the vacuum chamber 2, the heater base 3 and the earth plate 30 that are energized by the plate energizing coil 50 and the heater It is possible to prevent the cleaning gas from entering between 15 and the ground plate 30. Therefore, it is possible to prevent the corrosion of the contacts of the heater 15 and the heater base 3 and the earth plate 30 and to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance. As a result, there is an effect that stable film formation can be performed.

また、プレート付勢用コイル50を、その中心軸61がアースプレート30とヒータベース3またはヒータ15とを接合するボルト40の軸部46を取り巻くように配置し、ボルト40の頭部44とアースプレート30との間に介装した。   Further, the plate urging coil 50 is arranged so that the central shaft 61 surrounds the shaft portion 46 of the bolt 40 that joins the ground plate 30 and the heater base 3 or the heater 15, and the head 44 of the bolt 40 and the ground. It was interposed between the plates 30.

このように構成したため、アースプレート30とヒータベース3とをボルト40により強固に締め付けることができると共に、経年的にボルト40に緩みが発生した場合にも、第1のプレート付勢用コイル50の付勢力によりアースプレート30とヒータベース3との間の隙間を閉塞することができる。したがって、真空チャンバ2内のクリーニング時などに、第1のプレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータベース3とアースプレート30との間へのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータベース3とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができるため、安定した成膜を行うことができる効果がある。   With this configuration, the ground plate 30 and the heater base 3 can be firmly tightened by the bolt 40, and the first plate biasing coil 50 can be secured even when the bolt 40 is loosened over time. The gap between the earth plate 30 and the heater base 3 can be closed by the urging force. Therefore, it is possible to prevent entry of fluorine radicals or the like between the heater base 3 and the earth plate 30 in the portion energized by the first plate energizing coil 50 during cleaning of the vacuum chamber 2 or the like. Therefore, the corrosion of the contact between the heater base 3 and the earth plate 30 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance, thereby providing an effect of performing stable film formation.

同様に、アースプレート30とヒータ15とをボルト40により強固に締め付けることができると共に、経年的にボルト40に緩みが発生した場合にも、第2のプレート付勢用コイル50の付勢力によりアースプレート30とヒータ15との間の隙間を閉塞することができる。したがって、真空チャンバ2内のクリーニング時などに、第2のプレート付勢用コイル50で付勢している部分のヒータ15とアースプレート30との間へのフッ素ラジカルなどの侵入を防止することができるため、ヒータ15とアースプレート30との接点の腐食の発生を防止することができる。したがって、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができるため、安定した成膜を行うことができる効果がある。   Similarly, the ground plate 30 and the heater 15 can be firmly tightened by the bolt 40, and when the bolt 40 is loosened with time, the ground plate 30 and the heater 15 are grounded by the biasing force of the second plate biasing coil 50. A gap between the plate 30 and the heater 15 can be closed. Accordingly, it is possible to prevent entry of fluorine radicals or the like between the heater 15 and the earth plate 30 in the portion energized by the second plate energizing coil 50 during cleaning of the vacuum chamber 2 or the like. Therefore, the corrosion of the contact between the heater 15 and the ground plate 30 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge due to the increase in contact resistance, thereby providing an effect of performing stable film formation.

さらに、ボルト40を、ニッケル合金で構成したため、ボルト40に強度、耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、ボルト40は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にボルトとしての機能を果たすことができる。したがって、異常放電の発生を防止することができる。   Furthermore, since the bolt 40 is made of a nickel alloy, the bolt 40 can be provided with strength, heat resistance and corrosion resistance. Therefore, the bolt 40 is not deformed even at a high temperature, is not easily corroded by fluorine radicals, and can reliably function as a bolt. Therefore, occurrence of abnormal discharge can be prevented.

そして、プレート付勢用コイル50を、ニッケル合金で構成したため、プレート付勢用コイル50に耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、プレート付勢用コイル50は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にスプリングコイルとしての機能を果たすことができる。したがって、アースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間でそれぞれ異常放電の発生を防止することができる。   Since the plate urging coil 50 is made of a nickel alloy, the plate urging coil 50 can be provided with heat resistance and corrosion resistance. Therefore, the plate urging coil 50 is not deformed even at a high temperature, is hardly corroded by fluorine radicals, and can reliably function as a spring coil. Therefore, it is possible to prevent occurrence of abnormal discharge between the ground plate 30 and the heater base 3 and between the ground plate 30 and the heater 15, respectively.

同様に、隙間閉塞用コイル60を、ニッケル合金で構成したため、隙間閉塞用コイル60に耐熱性および耐食性を備えることができる。したがって、隙間閉塞用コイル60は高温下でも変形などせず、フッ素ラジカルにより腐食しにくく、確実にスプリングコイルとしての機能を果たすことができる。したがって、ヒータ15とヒータベース3との間に異常放電が発生することを防止することができる。   Similarly, since the gap closing coil 60 is made of a nickel alloy, the gap closing coil 60 can be provided with heat resistance and corrosion resistance. Therefore, the gap closing coil 60 is not deformed even at a high temperature, is hardly corroded by fluorine radicals, and can reliably function as a spring coil. Therefore, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring between the heater 15 and the heater base 3.

尚、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。   It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials, configurations, and the like given in the embodiment are merely examples, and can be changed as appropriate.

例えば、本実施形態において、ボルト40をアースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間の両方に設けた場合の説明をしたが、図5,図6に示すように、ボルト40をアースプレート30とヒータベース3との間およびアースプレート30とヒータ15との間のいずれか一方だけに設けるようにしてもよい。   For example, in the present embodiment, the case where the bolts 40 are provided both between the ground plate 30 and the heater base 3 and between the ground plate 30 and the heater 15 has been described. As shown in FIGS. Further, the bolt 40 may be provided only between one of the ground plate 30 and the heater base 3 and between the ground plate 30 and the heater 15.

図5に示すように、アースプレート30をヒータベース3とボルト40により接合した場合には、アースプレート30のサイズを極力小さくすることができ、省資源化を図りながら、上述の実施形態と同様、腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる。なお、ボルト40を設ける位置は、ヒータベース3の表面31に限らず、ヒータベース3の側面34や底面12であってもよい。   As shown in FIG. 5, when the earth plate 30 is joined with the heater base 3 and the bolt 40, the size of the earth plate 30 can be reduced as much as possible, and the same as the above-described embodiment while saving resources. The occurrence of corrosion can be prevented and the occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance can be prevented. As a result, stable film formation can be performed. The position where the bolt 40 is provided is not limited to the surface 31 of the heater base 3 but may be the side surface 34 or the bottom surface 12 of the heater base 3.

図6に示すように、アースプレート30をヒータ15とボルト40により接合した場合には、アースプレート30がヒータベース3とヒータ15との間を延設されるため、高温時にヒータベース3とヒータ15との間の隙間が形成されるのを抑止することができると共に、上述の実施形態と同様、腐食の発生を防止することができ、それによる接触抵抗の増大に起因する異常放電の発生を防止することができる。結果として、安定した成膜を行うことができる。   As shown in FIG. 6, when the ground plate 30 is joined with the heater 15 and the bolt 40, the ground plate 30 extends between the heater base 3 and the heater 15, so that the heater base 3 and the heater are heated at high temperatures. 15 can be prevented from being formed, and similarly to the above-described embodiment, the occurrence of corrosion can be prevented, and the occurrence of abnormal discharge due to an increase in contact resistance can be prevented. Can be prevented. As a result, stable film formation can be performed.

また、本実施形態では、凹部55をヒータベース3側に設けて隙間閉塞用コイル60を配置した場合の説明をしたが、凹部をヒータ15側に設けて隙間閉塞用コイル60を設けてもよい。   Further, in the present embodiment, the case where the concave portion 55 is provided on the heater base 3 side and the gap closing coil 60 is disposed has been described. However, the concave portion may be provided on the heater 15 side and the gap closing coil 60 may be provided. .

また、本実施形態では、成膜をする際に、基板10側を接地電位とし、電極フランジ4側にRF電源109を接続した場合の説明をしたが、電極フランジ4側を接地電位とし、基板10側に電源を接続して成膜をする成膜装置に採用してもよい。   In the present embodiment, when the film is formed, the substrate 10 side is set to the ground potential and the RF power source 109 is connected to the electrode flange 4 side. However, the electrode flange 4 side is set to the ground potential, and the substrate is You may employ | adopt for the film-forming apparatus which connects a power supply to 10 side and forms a film.

本発明の実施形態における成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the film-forming apparatus in embodiment of this invention. 図1のA部拡大詳細図である。It is the A section enlarged detail drawing of FIG. 本発明の実施形態におけるアースプレートの取付状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the attachment state of the earth plate in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるプレート付勢用コイルまたは隙間閉塞用コイルを示し、(A)が平面図、(B)が部分側面図である。The plate biasing coil or gap closing coil in the embodiment of the present invention is shown, (A) is a plan view, (B) is a partial side view. 本発明の実施形態における別の態様を示す図1のA部拡大詳細図である。It is the A section enlarged detail drawing of Drawing 1 showing another mode in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態におけるさらに別の態様を示す図1のA部拡大詳細図である。It is the A section enlarged detail drawing of Drawing 1 showing another mode in an embodiment of the present invention. 従来の成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the conventional film-forming apparatus. 図7のB部拡大詳細図である。It is the B section enlarged detail drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…成膜装置 2…真空チャンバ(チャンバ) 3…ヒータベース(テーブル) 10…基板 15…ヒータ(テーブル) 30…アースプレート(プレート部材) 40…ボルト 44…頭部 46…軸部 50…プレート付勢用コイル 60…隙間閉塞用コイル 61…中心軸   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus 2 ... Vacuum chamber (chamber) 3 ... Heater base (table) 10 ... Substrate 15 ... Heater (table) 30 ... Earth plate (plate member) 40 ... Bolt 44 ... Head 46 ... Shaft part 50 ... Plate Coil for energizing 60 ... Coil for closing gap 61 ... Central axis

Claims (10)

成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたヒータと、
該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備えた成膜装置において、
前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴とする成膜装置。
A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
A heater arranged in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate;
In a film forming apparatus including a heater base configured to be able to place the heater,
A film forming apparatus, wherein a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base.
成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、
前記テーブルが昇降可能に構成され、
前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、
前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢されていることを特徴とする成膜装置。
A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
In a film forming apparatus provided with a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate,
The table is configured to be movable up and down,
In order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table,
The film forming apparatus, wherein the plate member is urged against the table by a plate urging coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member.
成膜材料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成されたチャンバと、
該チャンバ内に配置され、基板を載置可能に構成されたテーブルとを備えた成膜装置において、
前記テーブルが昇降可能に構成され、
前記チャンバおよび前記テーブルを同電位に保持するため、可撓性および導電性を有するプレート部材が、前記チャンバおよび前記テーブルに接合され、
前記プレート部材は、該プレート部材と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイルにより、前記テーブルに付勢され、
前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、
前記ヒータと前記ヒータベースとの間に、前記ヒータの周縁部に沿った環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイルが介装されていることを特徴とする成膜装置。
A chamber configured to introduce an AC voltage by introducing a film forming material gas;
In a film forming apparatus provided with a table disposed in the chamber and configured to be capable of mounting a substrate,
The table is configured to be movable up and down,
In order to hold the chamber and the table at the same potential, a plate member having flexibility and conductivity is joined to the chamber and the table,
The plate member is urged against the table by a plate urging coil having an annular central axis arranged in parallel with the plate member,
The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
A film forming apparatus, wherein a gap closing coil having an annular central axis along the peripheral edge of the heater is interposed between the heater and the heater base.
前記チャンバは、該チャンバ内部の付着物を除去するクリーニングガスを導入可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the chamber is configured to be able to introduce a cleaning gas for removing deposits inside the chamber. 前記プレート付勢用コイルの前記中心軸は、前記プレート部材を前記テーブルに接合するボルトの軸部を取り巻くように配置され、
前記プレート付勢用コイルは、前記ボルトの頭部と前記プレート部材との間に介装されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の成膜装置。
The central axis of the plate biasing coil is disposed so as to surround a shaft portion of a bolt that joins the plate member to the table,
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the plate urging coil is interposed between a head portion of the bolt and the plate member.
前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、
前記プレート部材は、前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の成膜装置。
The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the plate member is biased to the heater base by the plate biasing coil and joined to the heater base.
前記テーブルは、前記基板を載置可能に構成されたヒータと、該ヒータを載置可能に構成されたヒータベースとを備え、
前記プレート部材は、第1の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータベースに付勢されて、前記ヒータベースに接合されると共に、第2の前記プレート付勢用コイルにより前記ヒータに付勢されて、前記ヒータに接合されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の成膜装置。
The table includes a heater configured to be able to mount the substrate, and a heater base configured to be able to mount the heater.
The plate member is biased to the heater base by the first plate biasing coil and joined to the heater base, and is biased to the heater by the second plate biasing coil. The film forming apparatus according to claim 2, wherein the film forming apparatus is bonded to the heater.
前記ボルトが、ニッケル合金からなることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 5, wherein the bolt is made of a nickel alloy. 前記プレート付勢用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴とする請求項2〜8のいずれかに記載の成膜装置。   9. The film forming apparatus according to claim 2, wherein the plate biasing coil is made of a nickel alloy. 前記隙間閉塞用コイルが、ニッケル合金からなることを特徴とする請求項1,3,4,5,6,7,8,9のいずれかに記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to any one of claims 1, 3, 4, 5, 6, 7, 8, and 9, wherein the gap closing coil is made of a nickel alloy.
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