JP2008235789A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低背化を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に第1の絶縁膜2を介して第1の配線3を形成し、第1の配線3を覆うように接着層5を介して支持体4を接着する。前記半導体基板の裏面をエッチングし、第1の配線3の下部にある第1の絶縁膜2を露出させた後、前記露出した第1の絶縁膜2を含む前記半導体基板の裏面に第2の絶縁膜7を形成する。前記第1の絶縁膜2と前記第2の絶縁膜7をエッチングして、前記第1の配線3を露出させた後、第1の配線3に接続する第2の配線9を形成する。そして、前記半導体基板の裏面から前記接着層5に到達し、かつ前記支持体4に切り込みが入らないように切り込みを入れた後、この切り込みを入れた面から、ダイシングを行い、各々の前記半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図6
【解決手段】 半導体基板上に第1の絶縁膜2を介して第1の配線3を形成し、第1の配線3を覆うように接着層5を介して支持体4を接着する。前記半導体基板の裏面をエッチングし、第1の配線3の下部にある第1の絶縁膜2を露出させた後、前記露出した第1の絶縁膜2を含む前記半導体基板の裏面に第2の絶縁膜7を形成する。前記第1の絶縁膜2と前記第2の絶縁膜7をエッチングして、前記第1の配線3を露出させた後、第1の配線3に接続する第2の配線9を形成する。そして、前記半導体基板の裏面から前記接着層5に到達し、かつ前記支持体4に切り込みが入らないように切り込みを入れた後、この切り込みを入れた面から、ダイシングを行い、各々の前記半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図6
Description
半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体チップの外形寸法とほぼ同サイズの外形寸法を有するパッケージの製造方法に関する。
近年、パッケージ技術として、CSP(Chip Size Package)が注目されている。CSPとは、半導体チップの外形寸法とほぼ同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。従来より、CSPの一種として、BGA型の半導体装置が知られている。このBGA型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他方の面上に形成される半導体チップと電気的に接続したものである。
そして、このBGA型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに圧着することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
このようなBGA型の半導体装置は、側部に突出したリードピンを有するSOP(Small Outline Package)やQFP(Quad Flat Package)等の他のCSP型半導体装置に比べて、多数の導電端子を設けることができ、しかも小型化できるという長所を有する。このBGA型の半導体装置は、例えば携帯電話機に搭載されるデジタルカメラのイメージセンサチップとしての用途がある。
図10は従来の半導体装置の製造方法を示すもので、半導体チップ51上に絶縁膜52を介して第1の配線53が形成され、前記第1の配線53を被覆するようにガラス基板54が接着層55により接着された半導体基板を用意し、前記第1の配線53に接続され、かつ絶縁膜56を介して前記半導体チップ51の裏面上に延在する第2の配線57を形成する。そして、前記半導体基板を各半導体チップ51の境界S(ダイシングライン)に沿って分断する前段階として、半導体基板に切り込み溝Gを入れる工程を有していた。
上述した技術は、以下の特許文献1に記載されている。
特開2005−72554号公報
前述した半導体装置の製造方法では、切り込み溝Gがガラス基板54にまで到達するように形成していたため、ハンドリング時等にガラス基板54が割れないように厚くしていた。また、ガラス基板54上に接着層を用いて第2のガラス基板を積層し、ガラス基板を2枚重ねた支持体を用いることもあった。そのため、半導体装置の薄型化が図れなかった。
そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成されている半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して隣接する半導体素子の境界の部分に第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線を覆うように接着層を介して支持体を接着する工程と、前記半導体基板をエッチングして、第1の配線の下部にある第1の絶縁膜を露出させる工程と、前記露出した第1の絶縁膜を含む前記半導体基板の裏面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第1の配線を露出させる工程と、前記露出した第1の配線に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在するように第2の配線を形成する工程と、前記半導体基板の裏面から前記接着層に到達し、かつ前記支持体に切り込みが入らないように切り込みを入れる工程と、その後、切込みを入れた面から、ダイシングを行い、各々の前記半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする。
また、前記ダイシング時に除去される領域の幅は、前記隣接する半導体素子の境界の部分に形成された一対の第1の配線の間隔よりも小さいことを特徴とする。
更に、前記切り込みを保護膜で覆う工程を有し、前記ダイシングでは、前記保護膜、前記接着層及び前記支持体が切削されることを特徴とする。
そして、前記半導体基板上に前記接着層が形成されない空間を形成し、前記空間を利用して他のデバイス素子を配置することを特徴とするものである。
本発明は、支持体に切り込みが入らないように切り込みを入れることで、ガラス基板から成る支持体に生じる割れ、欠け等の発生を防止できる。従って、支持体の薄型化または1枚化が可能になり、半導体装置の低背化やコスト低減を図ることができる。
以下、本発明による半導体装置の製造方法を図1乃至図9を参照しながら説明する。
まず、図1に示すように、半導体基板(半導体ウエハ1a)を用意する。なお、前記半導体基板1aは、当該半導体基板1a上に、例えばCCDやCMOSのイメージセンサ、半導体メモリ、またその他のデバイス素子を、半導体のプロセスにより形成したものである。その表面上に第1の絶縁膜2を介して複数の第1の配線3を形成する。
ここで、前記第1の配線3は、後工程であるダイシング工程において、半導体チップ毎に分断するための境界S(ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる。)付近(つまり、半導体チップの端部付近)に、各々一対となるように所定の間隙を有して形成されている。尚、前記第1の配線3は、必ずしも一対となるように形成する必要はなく、境界S付近に所定間隔を有するように配置されているものであっても良い。
また、第1の配線3は、半導体装置のボンディングパットから、境界S付近まで拡張されたパッドである。すなわち、第1の配線3は外部接続パッドであって、半導体装置の図示しない回路と電気的に接続されている。
次に、第1の配線3が形成された半導体基板1a上に、支持体4として用いるガラス基板を、接着層5(例えば、透明のエポキシ樹脂)を用いて接着する。なお、ここでは、支持体としてガラス基板、接着層としてエポキシ樹脂を使用しているが、シリコン基板やプラスチックの板等を支持体として用いてもよく、接着層はこれらの支持体に対して適切な接着層を選択すればよい。
ここで本発明の特徴は、前記接着層の膜厚であり、本実施形態では接着層の膜厚を従来の10μmから50μm〜100μm程度に厚くしたことである。この接着層の膜厚は、半導体基板1aに切り込み溝Gを形成する際に、ダイシングブレードにより前記支持体4に切り込みが入らないために必要な膜厚である。そのため、後述する半導体基板への切り込み溝Gを形成する工程において、前記支持体4に切り込みが入ることがないので、ガラス基板等からなる支持体4の割れ、欠け等の発生を防止できる。
従って、従来に比して支持体4の厚さを低減することができ、例えば光デバイス素子をパッケージするものにおいて、その低背化が図れる。ちなみに、従来のガラス基板の厚さ400μmに対して200μmとその厚さを半減させることができた。また、従来のようにガラス基板から成る支持体を積層する必要がないため、低コスト化が図れる。
その後、図2に示すように、前記半導体基板1aについて、支持体4を接着した面と反対側の面(半導体基板の裏面)を研削して、基板の厚さを薄くする。前記研削された半導体基板1aの面ではスクラッチが発生し、幅、深さが数μm程度になる凹凸ができる。これを小さくするために、半導体基板1aの材料であるシリコンと第1の絶縁膜2の材料であるシリコン酸化膜に比して、高いエッチング選択比を有する薬液を用いてウエットエッチングを行う。なお、ウエットエッチングに代えてドライエッチングを行うものでもよい。
次に、図3に示すように、前記半導体基板1aの裏面に対して、第1の配線3の一部を露出するように開口部を設けた不図示のレジストパターンをマスクとして、半導体基板1aの等方性エッチングもしくは異方性エッチングを行う。この結果、第1の配線3が存在する部分では、境界Sの部分で半導体基板1aを開口する開口部6が形成され、第1の絶縁膜2が露出した状態となる。一方、第1の配線3が存在しない部分では、半導体基板1aが残ったままとなる。
なお、本実施形態では第1の配線3が形成された領域だけに開口部6を形成しているが、それに限らず、例えばダイシングラインに沿って、前記第1の配線3が形成された領域を含むダイシングライン全体の半導体基板1aをエッチング除去するものであっても良い。
ここで、前記開口部6において、その角になる部分が尖った形状となる傾向がある。そこで、図3に示すように、残渣や異物の除去、尖った部分の先端部を丸めるためにウエットエッチングまたはドライエッチングを行うことが好ましい。
次に、図4に示すように、前記半導体基板1aの裏面に対して、第2の絶縁膜7の成膜を行う。本実施形態ではシランベースの酸化膜を3μm程度成膜する。
次に、前記半導体基板1aの裏面に対して、不図示のレジストを塗布し、前記開口部6内を開口させるようにパターニングを行って、レジスト膜を形成する。そして、前記レジスト膜をマスクにして、第2の絶縁膜7、第1の絶縁膜2をエッチングし、第1の配線3の一部を露出させる。続いて、第1の配線3に接続し、かつ前記第2の絶縁膜7を介して半導体チップ1の裏面に延在するように第2の配線9を形成する。これにより、図5に示すように第1の配線3と第2の配線9が電気的に接続される。
次に、図6に示すように、ダイシングブレードを用いて、前記境界Sに沿って前記半導体基板1aに切り込みを入れて切り込み溝Gを形成する。このとき、前記接着層5に対しても例えば30μm程度の深さまで切削するように切り込み溝Gが形成される。
すなわち、図6(a)に示すように、半導体基板1a上において第1の配線3が存在する部分(即ち、開口部6内の境界Sに沿う部分)では、接着層5の一部が切削されて、上記切り込み溝Gが形成される。このとき、開口部6内の第1の配線3及び第2の配線9に接触しないような幅のダイシングブレードを用いる必要がある。すなわち、前記隣接する半導体チップ1の境界S付近に形成された一対の第1の配線3の間隔よりも小さい幅のダイシングブレードを用いる。
一方、図6(b)に示すように、半導体基板1a上において第1の配線3が存在しない領域(即ち開口部6が形成されない領域)では、半導体基板1a、第1の絶縁膜2、及び接着層5の一部が切削されて、上記切り込み溝Gが形成される。
なお、本実施形態では、切り込み溝Gの形状は楔形の断面形状をしているが、矩形状の断面形状であっても良い。
次に、第2の配線9上にNi-Auメッキ膜を形成した後、半導体基板1aの裏面を被覆するように保護膜10を形成する。なお、前記保護膜10を形成するためには、半導体基板1aの裏面を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂を上方から滴下し、半導体基板自体を回転させることで、この回転により生じる遠心力を利用して当該有機系樹脂を基板面上に広げるスピン塗布法を用いても良く、また、スプレー塗布法を用いても良い。
その後、図8に示すように、導電端子11を形成する部分の保護膜10に開口部を形成し、Ni-Auメッキ膜上に導電端子11を形成する。なお、前記導電端子11は、半田バンプや金バンプで作成する。
そして、切り込み溝Gを設けた部分から境界Sに沿ってダイシングを行い、各々の半導体チップ1に分離することで、CSP型の半導体装置20を形成する。
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、2段階のダイシング、即ち、切り込み溝Gを形成して、さらに、その切り込み溝Gを覆う保護膜10を形成した後にダイシングを行う。これにより、半導体装置を個々の半導体チップに分離するダイシングの際、境界S(即ちダイシングライン)に沿って形成された切り込み溝Gの内壁が保護膜10で覆われているため、前記接着層5、支持体4及び保護膜10をダイシングすることで分離を行うことができる。このとき、前記切り込み溝Gを形成したときのダイシングブレードよりも幅狭のダイシングブレードを用いる。
本発明では、切り込み溝Gを形成する際に、支持体4にまで切り込みが入らないようにしているため、ハンドリング時等における支持体4を構成するガラス基板等の割れ、欠け等の発生を防止できる。更に、積層されたガラス基板等を用いる必要がないため、半導体装置の低背化やコスト低減を図ることができる。
また、図9は本発明の他の実施形態を説明するための断面図であり、その特徴は、半導体チップ1上に接着層5が形成されない領域を構成することで、その部分に空間(キャビティ12)を形成する。そして、前記キャビティ12を利用して、半導体チップ1上に他のデバイス素子13を構成することができる。
なお、前記デバイス素子13は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子のような機械的デバイスでもよい。MEMSとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路等を半導体基板上に集積化したデバイスのことである。
このように本発明の半導体装置30では、接着層の厚みを利用して、半導体装置30にキャビティ12を設け、当該キャビティ12内に他のデバイス素子13を配置している。
ところで、デバイス素子13と支持体4との間に接着層5が介在すると、半導体装置の品質が低下することがある。例えば、デバイス素子が受光素子や発光素子である場合には、デバイス素子への光の入射(あるいはデバイス素子からの光の放射)を僅かでも妨げるような余計な物質が支持体とデバイス素子間に介在すると、半導体装置の動作品質が低下するという問題がある。例えば、所望の屈折率が得られないという問題である。また、ブルーレイ(Blu−ray)のような特定の波長の光が接着層に当たると当該接着層が劣化し、その劣化した接着層によって半導体装置の動作品質が低下するという問題がある。
従って、支持体4の貼り合わせを行う際に、支持体4の貼り合わせ面に接着層5を一様に形成するのではなく、キャビティ12の形成領域を除く領域にのみ形成してもよい。これにより、上記した接着層5による動作品質の劣化を抑えることができるからである。
なお、デバイス素子13は、例えばMEMS素子のような機械的デバイスであるが、デバイス素子以外にも、フィルタ部材やレンズ等の微細な部品をキャビティ12内に配置することもできる。このように、キャビティ12内に新たにデバイス素子や部品を封止する工程を有することで、完成する半導体装置の多様性が増す。なお、キャビティ12の高さ(接着層5の厚み)を調節することで、厚みのある素子を半導体基板1a上に封止することが可能である。
なお、本実施形態では、第2の配線9と電気的に接続する導電端子11を形成したが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、導電端子が形成されない半導体装置(例えばLGA:Land Grid Array型パッケージ)に適用されるものであってもよい。
Claims (4)
- 複数の半導体素子が形成されている半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して隣接する半導体素子の境界の部分に第1の配線を形成する工程と、
前記第1の配線を覆うように接着層を介して支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面をエッチングして、第1の配線の下部にある第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記露出した第1の絶縁膜を含む前記半導体基板の裏面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第1の配線を露出させる工程と、
前記露出した第1の配線に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在するように第2の配線を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面から前記接着層に到達し、かつ前記支持体に切り込みが入らないように切り込みを入れる工程と、
その後、切り込みを入れた面から、ダイシングを行い、各々の前記半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシング時に除去される領域の幅は、前記隣接する半導体素子の境界の部分に形成された一対の第1の配線の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記切り込みを保護膜で覆う工程を有し、前記ダイシングでは、前記保護膜、前記接着層及び前記支持体が切削されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板上に前記接着層が形成されない空間を形成し、前記空間を利用して他のデバイス素子を配置することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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