JP2008222602A

JP2008222602A - 光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2008222602A
Application number: JP2007060784A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Imamoto; 恒雄今本; Kazuhiro Yoshida; 和弘吉田; Yoichi Saito; 陽一齋藤; Aya Koide; 綾小出
Original assignee: Chiba University NUC; Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Current assignee: Chiba University NUC; Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Priority date: 2007-03-09
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2008-09-25
Anticipated expiration: 2027-03-09
Also published as: JP5032161B2; US20080221362A1; US7534920B2

Abstract

【課題】触媒的不斉合成反応の不斉触媒として用いた場合に、高い選択性や触媒活性を示す配位子を提供する。
【解決手段】下式の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化し、アルキニルリチウムを作用させ、更に脱プロトン化及び酸化的カップリングを行い得られる。脱ボラン化により脱保護することで、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。

【選択図】なし

Description

本発明は、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体及びその製造方法に関する。このビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体から得られるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、不斉合成反応に用いられる金属錯体の不斉触媒の配位子として有用である。

農薬や医薬品を始めとする光学活性な化合物の製造方法として、触媒的不斉合成が知られている。光学活性な触媒（以後、不斉触媒という）を用いて行う触媒的不斉合成反応は、ごく少量の不斉触媒を用いて大量の光学活性化合物を合成することができるため、工業的な利用価値が高い。有用な不斉触媒及びこれを構成する不斉配位子の一つとして、下記一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィノメタン及びこのロジウム錯体が知られている（特許文献１参照）。

また、特許文献１に記載の化合物と骨格が一部異なるが、類似の構造を有する下記一般式（６）で表される化合物及びそれを脱ボラン化した化合物も知られている（特許文献２及び非特許文献１参照）。

上述の化合物を含め、不斉触媒としての性能を一層高めるために、これまでに膨大な数の光学活性ジホスフィン配位子が開発されてきた。しかし対象とする基質によっては選択性や触媒活性等の面で更に改良の余地がある。

特開２０００−１３６１９３号公報特開平１１−８０１７９号公報 J. Am. Chem. Soc., Vol.128, No.29, 2006, p.9336-9337

本発明の目的は、従来の光学活性ジホスフィン配位子よりも各種の性能が更に向上した化合物を提供することにある。

本発明は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体を提供するものである。

また本発明は、前記のビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法であって、
下記一般式（２）で表されるｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化して下記一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランを得；
これにアルキニルリチウムを作用させて、立体配置が反転した下記一般式（４）で表される化合物を得；
一般式（４）で表される化合物を脱プロトン化した後に酸化的カップリングを行う；工程を有する光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法を提供するものである。

本発明の化合物から得られる光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、これを触媒的不斉合成反応の不斉触媒の配位子として用いた場合に、該不斉触媒が高い選択性や触媒活性を示すものとなる。

一般式（１）で表される本発明の化合物は、常法によりこれを脱ボラン化によって脱保護することで、下記一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体となる。

式中、Ｒ¹及びＲ²で表されるアルキル基は、置換されているか、又は置換されていないものである。またＲ¹及びＲ²で表されるアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のものである。Ｒ¹及びＲ²で表されるアルキル基の炭素数は１〜１８、特に１〜８であることが好ましい。Ｒ¹及びＲ²で表されるアルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｓ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｓ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｓ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｓ−オクチル基、ｔ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、メチルシクロヘキシル基、及びそれらをトリメチルシリル基、ニトロ基、ヒドロキシル基、ハロゲノ基等の官能基で置換した基が挙げられる。

Ｒ¹及びＲ²で表されるフェニル基は、置換されているか、又は置換されていないものである。フェニル基の水素を置換する基としては、上述した各種の官能基が挙げられる。

Ｒ¹及びＲ²で表されるアルキルシリル基はＲ^aＲ^bＲ^cＳｉ−で表される。この式中、Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ^cは同一の又は異なるアルキル基であり、特にＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^cはすべて同一のものであることが好ましい。このアルキル基は置換されているか、又は置換されていないものである。またＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^cで表されるアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のものである。Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ^cで表されるアルキル基の炭素数は、１〜８、特に１〜３であることが好ましい。

Ｒ¹とＲ²は同一でもよく、或いは異なっていてもよいが、同一であることが、合成が容易である点から好ましい。

Ｒ³としては嵩高な基が用いられ、具体的には分岐鎖アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基が用いられる。分岐鎖アルキル基としては、炭素数３〜２０、特に３〜８のものが挙げられる。分岐鎖アルキル基の具体例としては、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基などが挙げられる。脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜２０のものが挙げられる。その具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。

一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体におけるアルキニル基は、上述の特許文献２に記載の化合物におけるメチル基に比較すると、全体では嵩高いものであるが、炭素のｓｐ混成軌道による結合の直線性に由来して、炭素−炭素間の三重結合の部位が細く、当該部位に関してはメチル基よりも嵩が小さいと考えられる。また、アルキニル基は電子吸引性の基であることから、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体においては、リン原子の電子密度が低下している。この電子密度の低下に起因して、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、上述の特許文献２に記載の化合物とは異なる特徴的な触媒活性を有する。しかも、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体におけるアルキニル基は、触媒的不斉合成反応において、中心金属元素や基質分子に対してアルキンとして振る舞い、相互作用を起こすと考えられる。このような特徴的な作用は、特許文献２に記載の化合物では起こり得ない。

本発明においては、前記の式中、Ｒ¹及びＲ²が同一で、それらがフェニル基、ｔ−ブチル基、メチル基、トリイソプロピルシリル基、水素原子であることが特に好ましい。Ｒ³に関しては、ｔ−ブチル基、アダマンチル基であることが特に好ましい。そして、これらのＲ¹及びＲ²とＲ³とを適宜組み合わせてなる化合物が特に好ましい。

次に、一般式（１）で表される化合物の好ましい製造方法について説明する。出発物質としては、前記の一般式（２）で表される（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランを用いる。この化合物は公知の方法を用いて製造することができる。そのような製造方法は、例えば特開２００３−３００９８８号公報、J. Org. Chem., Vol.65, No.13, p4185〜4188(2000)、J. Org. Chem., Vol.65, No.6, p1877〜1880(2000)に記載されている。

一般式（２）で表される化合物をブロモ化することで、前記の一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランが得られる。ブロモ化の手順は次のとおりである。先ず、一般式（２）で表される化合物をリチオ化する。リチオ化には例えばｎ−ブチルリチウム等のアルキルリチウムが用いられる。リチオ化は好ましくは−８０〜−７０℃の低温下に行われる。リチオ化の次にブロモ化を行う。ブロモ化には例えばジブロモエタン等のアルキル臭化物が用いられる。このときに用いられる溶媒としては、例えばジエチルエーテルが挙げられる。

このようにして得られたｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランに対してｉｎｓｉｔｕでアルキニルリチウムを作用させる。これによって臭素とアルキニル基とを置換する。これによって前記の一般式（４）で表される化合物が得られる。このときに使用するアルキニルリチウムとしては以下の一般式（８）で表されるものが用いられる。一般式（８）において、Ｒは前記のＲ¹又はＲ²を表す。アルキニルリチウムの添加は、一般式（２）で表される化合物から一般式（３）で表される化合物を得る場合と同様に、好ましくは−８０〜−７０℃の低温下に行われる。次いで反応系を、室温程度まで昇温させる。驚くべきことに、本工程における置換反応は、ほとんど完全な立体配置の反転を伴って生じる。具体的には光学純度（ｅｅ）が９５％以上という高いものである。光学純度がこのように高いアルケンの置換反応は、本発明者らの知る限り本発明が初めてである。

このようにして得られた一般式（４）で表される化合物は、脱プロトン化及び酸化的カップリングを経て、目的とする化合物である一般式（１）で表される化合物となる。脱プロトン化には、例えばｓ−ブチルリチウムやｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウムが用いられる。脱プロトン化は、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下に−８０〜−７０℃の低温下に行われることが好ましい。脱プロトン化に用いられるアルキルリチウムは、例えばヘキサン等の有機溶媒に溶解した状態で添加される。また、脱プロトン化は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等のアミン類の共存下に行ってもよい。

脱プロトン化に引き続き、ｉｎｓｉｔｕで酸化的カップリングを行う。酸化的カップリングは常法に従い、例えば塩化銅（II）を用いることで行うことができる。このようにして、一般式（１）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体が得られる。カップリングにおいて、一般式（４）においてＲが互いに異なる２種の化合物を用いることで、一般式（１）においてＲ¹とＲ²とが異なる化合物が得られる。一般式（４）で表される化合物を１種のみ用いてカップリングを行うと、一般式（１）においてＲ¹とＲ²とが同一の化合物が得られる。なお、一般式（１）においてＲ¹又はＲ²がＨである化合物を得る場合には、先ず、一般式（１）においてＲ¹又はＲ²がアルキルシリル基である化合物を合成し、次いでこの化合物を脱シリル化することが好ましい。また一般式（１）においてＲ¹又はＲ²がメチル基である化合物を得る場合には、先ず、一般式（１）においてＲ¹又はＲ²がアルキルシリル基である化合物を合成し、次いでこの化合物を脱シリル化し、更にメチル化を行うことが好ましい。

一般式（１）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体を、不斉触媒の配位子として用いる場合には、該誘導体を脱ボラン化により脱保護すればよい。脱ボラン化は、例えばジエチルアミンやモルフォリンのような第二級アミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）やトリエチルアミンなどの塩基を用いて行うことができる（J. Am. Chem. Soc., 112, p.5244(1990)；J. Am. Chem. Soc., 121, p.1090(1999)）。また、第三級アミンを過剰に用いて行うこともできる（J. Am. Chem. Soc., 121, p.1090(1999)）。更に、テトラフルオロホウ酸やトリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸などの強酸を用いる方法（Tetrahedron Lett., 35, 9319(1994);J. Organomet. Chem., 621, 120(2001);J. Am. Chem. Soc., 120, p.1635(1998）も知られている。これらの方法に加え、特開２００５−９７１３１号公報に記載されている、モレキュラーシーブの存在下、アルコール溶媒中でホスフィンボランからホスフィンを遊離させる方法を用いることもできる。

脱ボラン化によって、前記の一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。この化合物を、ロジウムや銅等の金属に配位させることで不斉触媒が得られる。一般式（７）で表される化合物から不斉触媒を得るには、例えば実験化学講座第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行）第１８巻、第３２７〜３５３頁に記載されている方法を採用することができる。例えばロジウム錯体を得るには、一般式（７）で表される化合物を［ＲｈＸ（ｄｉｅｎｅ）₂］と反応させればよい。ここで、Ｘはハロゲン、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-などを表し、ｄｉｅｎｅは１，５−シクロオクタジエンやビシクロ［２，２，１］ヘプタ−２，５−ジエンなどの二座配位化合物である。このロジウム錯体における一般式（７）で表される化合物とロジウムのモル比は好ましくは１〜２：１である。

このようにして得られた不斉触媒は、例えば不飽和カルボン酸の不斉水素化による光学活性な飽和カルボン酸又はそのエステルの製造や、プロキラルなケトンの不斉ヒドロシリル化による光学活性な第二級アルコールの製造を始めとして、種々の不斉合成に好適に用いることができる。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。特に断らない限り「部」は「重量部」を意味する。

すべての使用溶媒は標準的な手順により乾燥し精製した。ＮＭＲスペクトルはＪＥＯＬＪＭＮ−ＧＸＳ−５００（５００ＭＨｚ）又はＪＥＯＲＪＭＮ−ＬＡ−４００（４００ＭＨｚ）測定器を用い、重クロロホルム溶媒で測定した。化学シフトはδｐｐｍで記述した。旋光度はＪＡＳＣＯＤＩＰ−３７０旋光計で測定した。光学純度（ｅｅ）はＣｈｉｒａｌｃｅｌＡＤ、ＯＪ−Ｈ、ＯＤ−Ｈ、ＯＢ、ＩＡカラムを使用したＨＰＬＣで測定した。移動相としては２−プロパノール／ヘキサン系の混合溶媒を使用した。Ｘ線結晶構造データはＢｒｕｋｅｒＳＭＡＲＴＡＰＥＸ II Ｘ線回折機を使いＭｏ−Ｋα線にて測定した。カラムクロマトグラフィーの際にはシリカゲル（ＫａｎｔｏＣｈｅｍｉｃａｌ、ＳｉｌｉｃａＧｅｌ６０Ｎｆｏｒｆｌａｓｈｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を使用した。

〔実施例１〕
〔１−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（フェニルエチニル）ホスフィン−ボラン（４ａ）の合成

（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン（＞９９％ｅｅ、１．８ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍＬに溶かし、−７８℃で窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６０Ｍ、１１．６ｍＬ、１８．５ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１５分撹拌熟成した。続いて１，２−ジブロモエタン（２．０ｍＬ、２３．１ｍｍｏｌ）を滴下して加え、反応混合物を同温度で撹拌熟成した。その結果、（Ｒ）−ブロモ−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランを得た。この化合物は単離せず、反応液のまま次の工程へ進んだ。

２時間後、−７８℃にて反応液にリチウムフェニルアセチリド（３０．８ｍｍｏｌ）−ジエチルエーテル３０ｍＬ溶液を加え、室温まで加温し、１時間３０分撹拌熟成した。反応後、１Ｍ塩酸でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和重曹水、次いで飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）にて精製し、表題化合物４ａを白色固体として得た（９７％ｅｅ、収量２．８ｇ、１２．８ｍｍｏｌ、収率８３％）。

1H NMR(500 MHz, CDCl3) δ 0.42-0.98 (m, 4H), 1.29 (d, J = 15.6 Hz, 9H), 1.51 (d, J = 10.0 Hz, 3H), 7.33-7.37 (m, 2H), 7.41 (tt, J = 15.3, 1.7 Hz, 1H), 7.50-7.52 (m, 2H).
13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 8.37 (d, J = 40 Hz), 24.96 (d, J = 4 Hz), 29.03 (d, J = 37 Hz), 79.42 (d, J = 90 Hz), 106.00 (d, J = 12 Hz), 120.77, 128.42, 130.01, 132.20.
31P NMR(162 MHz, CDCl3) δ 17.95 (q, J = 62Hz).
[α]22D 0.97 (c 1.00, CHCl3).
HPLC: Daicel Chiralcel OD-H, Hexane/i-PrOH=199/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=254 nm, tR=11.9 min (R), tR=13.1 min (S).

〔１−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン（１ａ）の合成

４ａ（９４％ｅｅ、０．９５ｇ、４．４ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）（０．８ｍＬ、５．２ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１３ｍＬに溶かし、−７８℃で窒素雰囲気下、ｓ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．０Ｍ、５．２ｍＬ、５．２ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を同温度で１時間、次いで−５０℃で１０分撹拌熟成した。塩化銅（II）（１．５ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）を強烈な撹拌のもとに加え、反応混合物を室温までゆっくり加温した。２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物１ａを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量０．６９ｇ、１．６ｍｍｏｌ、収率７３％）。

1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.57-0.80 (m, 6H), 1.33 (d, J = 15.6 Hz, 18H), 2.13-2.28 (m, 4H), 7.29-7.32 (m, 4H), 7.41 (tt, J = 15.0 Hz, 2.5 Hz, 2H), 7.46-7.47 (m, 4H). 13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 17.01 (d, J = 34 Hz), 25.30 (t, J = 3 Hz), 30.11 (d, J = 36 Hz), 77.88 (d, J = 88 Hz), 107.38 (t, J = 12 Hz), 120.39 (t, J = 3 Hz), 128.48, 130.22, 132.24.
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 29.62 (d, J = 15 Hz).
[α]22D 111.1 (c 1.00, CHCl3).

〔１−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン（７ａ）の合成

１ａ（３６ｍｇ、０．０８４ｍｍｏｌ）及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（５６ｍｇ、０．５１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．５ｍＬ）に溶かした溶液を窒素雰囲気下６０℃で１時間撹拌した。反応混合物を減圧濃縮し、窒素下においてフラッシュカラムクロマトグラフィー（ジエチルエーテル）にて精製して表題化合物７ａを得た（＞９９％ｅｅ、収量３２ｍｇ、０．０７９ｍｍｏｌ、収率９４％）。

〔実施例２〕
〔２−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（ｔ−ブチルエチニル）メチルホスフィン−ボラン（４ｂ）の合成

実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えてリチウムｔ−ブチルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物４ｂを得た（９７％ｅｅ、収量０．５７ｇ、２．９ｍｍｏｌ、収率８２％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.23-0.89 (m, 3H), 1.21 (d, J = 15.1 Hz, 9H), 1.27 (s, 9H), 1.38 (d, J = 10.0 Hz, 3H).
13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 0, 8.54 (d, J = 40 Hz), 24.77 (d, J = 3 Hz), 28.62 (d, J = 35 Hz), 30.20 (d, J = 2 Hz), 68.70 (d, J = 95), 116.79 (d, J = 10 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 15.71 (q, J = 65 Hz).
HPLC: Daicel Chiralpak IA, Hexane/i-PrOH=1000/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=13.7 min (R), tR=15.3 min (S).

〔２−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）（ｔ−ブチルエチニル）ホスフィノ）エタン（１ｂ）の合成

得られた４ｂを実施例１と同様に反応させ、表題化合物１ｂを得た（＞９９％ｅｅ、収量６１ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ、収率７３％）。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.22-0.87 (m, 6H), 1.21-1.25 (d, J = 15.1 Hz, 18H), 1.27 (s, 18H), 1.98 (m, 4H).

〔２−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔ−ブチル（ｔ−ブチルエチニル）ホスフィノ）エタン（７ｂ）の合成

得られた１ｂを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｂを得た（＞９９％ｅｅ、収量２８ｍｇ、０．０７５ｍｍｏｌ、収率９４％）。

〔実施例３〕
〔３−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（トリイソプロピルシリルエチニル）ホスフィン−ボラン（４ｃ）の合成

実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えて、リチウムトリイソプロピルシリルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物４ｃを得た（９８％ｅｅ、収量１．４ｇ、４．８ｍｍｏｌ、収率８６％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.27-0.73 (m, 3H), 1.09-1.10 (m, 21H), 1.24 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.43 (d, J = 10.2 Hz, 3H).
13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 8.45 (d, J = 40 Hz), 10.90, 18.43, 24.82 (d, J = 3 Hz), 28.62 (d, J = 38 Hz), 98.26 (d, J = 77 Hz), 113.26 (d, J = 3 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 17.48 (q, J = 63 Hz).
HPLC: Daicel Chiralpak IA, Hexane/i-PrOH=1000/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=11.0 min (R), tR=13.6 min (S).

〔３−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）トリイソプロピルシリルエチニルホスフィノ）エタン（１ｃ）の合成

得られた４ｃを実施例１と同様に反応させ、表題化合物１ｃを得た（＞９９％ｅｅ、収量１．１ｇ、１．９ｍｍｏｌ、収率７８％）。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.50-0.70 (m, 6H), 1.06-1.14 (m, 42H), 1.27 (d, J = 15.3 Hz, 18H), 1.99-2.11(m, 4H).

〔３−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）トリイソプロピルシリルエチニルホスフィノ）エタン（７ｃ）の合成

得られた１ｃを実施例１と同様に反応させた結果、表題化合物７ｃを得た（＞９９％ｅｅ、収量４４ｍｇ、０．０７９ｍｍｏｌ、収率９６％）。

〔実施例４〕
〔４−１〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン（１ｄ）の合成

テトラブチルアンモニウムフルオリド−ＴＨＦ溶液（１．０Ｍ、０．４ｍＬ、０．４ｍｍｏｌ）を１ｃ（６０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）に加え、反応混合物を室温で６時間撹拌熟成した。反応後、水でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精製し、表題化合物１ｄを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量１５ｍｇ、０．０５２ｍｍｏｌ、収率５２％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.24-0.90 (m, 6H), 1.29 (d, J = 15.7 Hz, 18H), 2.00-2.12 (m, 4H), 3.06 (d, J = 7.4 Hz, 2H).

〔４−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン（７ｄ）の合成

得られた１ｄを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｄを得た（＞９９％ｅｅ、収量１９ｍｇ、０．０７６ｍｍｏｌ、収率９４％）。

〔実施例５〕
〔５−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（トリメチルシリルエチニル）ホスフィン−ボラン（Ｘ−１）の合成

実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えて、リチウムトリメチルシリルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物Ｘ−１を得た（９９％ｅｅ、収量０．９２ｇ、４．３ｍｍｏｌ、収率８１％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.22 (s, 3H), 1.23 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.42 (d, J = 10.2 Hz, 3H).
13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 0, 8.92 (d, J = 40 Hz), 25.45 (d, J = 4 Hz), 29.28 (d, J = 38 Hz), 96.79 (d, J = 77 Hz), 116.66 (d, J = 3 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 17.12 (q, J = 60 Hz).
[α]22D -1.59 (c 1.00, CHCl3).
HPLC: Daicel Chiralcel OJ-H, Hexane/i-PrOH=99/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=8.8 min (R), tR=9.7 min (S).

〔５−２〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（エチニル）メチルホスフィン−ボラン（Ｘ−２）の合成

実施例４で用いた１ｃに代えて、Ｘ−１を使用した他は実施例４と同様に行い、表題化合物Ｘ−２を得た（９９％ｅｅ、収量１．２ｇ、８．６ｍｍｏｌ、収率９４％）。

〔５−３〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（１−プロピニル）メチルホスフィン−ボラン（Ｘ−３）の合成

得られたＸ−２（９９％ｅｅ、７１ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ１．０ｍＬに溶かした。次いでｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６Ｍ、０．３８ｍＬ、０．６ｍｍｏｌ）を−７８℃、窒素雰囲気下にて添加し、同温度で５分撹拌した。更によう化メチル（０．１６ｍｌ、２．５ｍｍｏｌ）を滴下して加え、反応混合物を室温で３時間撹拌した。反応後、水でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物Ｘ−３を白色固体として得た（９９％ｅｅ、収量７６ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ、収率９７％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.25-0.89 (m, 3H), 1.22 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.40 (d, J = 9.9 Hz, 3H), 2.02 (d, J = 3.7 Hz, 3H).

〔５−４〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）（１−プロピニル）ホスフィノ）エタン（１ｅ）の合成

得られた化合物Ｘ−３（６５ｍｇ、０．４２ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１．３ｍＬに溶かした溶液に、ｓ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．０Ｍ、０．４６ｍＬ、０．４６ｍｍｏｌ）を−７８℃、窒素雰囲気下で加え、同温度で１時間撹拌熟成した。塩化銅（II）（１４０ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を強烈な撹拌のもとに加え、反応混合物を室温までゆっくり加温した。２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物１ｅを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量２０．０ｍｇ、０．０６３ｍｍｏｌ、収率３０％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.25-0.88 (m, 3H), 1.23 (d, J = 15.4 Hz, 18H), 1.42 (d, J = 9.8 Hz, 6H), 2.63 (s, 6H).

〔５−５〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔ−ブチル（１−プロピニル）ホスフィノ）エタン（７ｅ）の合成

得られた１ｅを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｅを得た（＞９９％ｅｅ、収量２４ｍｇ、０．０８３ｍｍｏｌ、収率９８％）。

〔実施例６〕ロジウム触媒を使用した有機ボロン酸のエノンへの１，４−不斉付加
［Ｒｈ（ｎｂｄ）₂］ＢＦ₄（１．９ｍｇ、５．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン７ａ（７．５μｍｏｌ）をジオキサン（１ｍＬ）に溶かした溶液を、窒素雰囲気下、４０℃で１５分撹拌した。反応混合物に１．５ＭのＫＯＨ水溶液（０．１ｍＬ、０．１５ｍｍｏｌ）を添加し、反応液を１５分撹拌した。アリルボロン酸（１．０ｍｍｏｌ）及びα，β−不飽和カルボニル化合物（０．５０ｍｍｏｌ）を反応液に添加し、４０℃で２時間撹拌熟成した。反応混合物を飽和重曹水溶液でクエンチした。反応混合物をジエチルエーテルで５回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲル分取ＴＬＣ（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精製した。また、配位子として７ａに代えて、７ｂ、７ｃ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表１に示す。

〔実施例７〕ロジウム触媒を使用した不斉水素付加
５０ｍＬの水素化用容器［オートクレーブ］に０．５ｍｍｏｌの基質を装填した。容器はステンレス管を経由して水素ボンベにつないだ。容器内は真空とした後に、１ａｔｍの水素ガスで満たした（日本酸素、９９．９９９９％）。［Ｒｈ（ｎｂｄ）₂］ＢＦ₄（１．９ｍｇ、５．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン７ａ（７．５μｍｏｌ）を脱気したＭｅＯＨ（１ｍＬ）に溶かした溶液を、シリンジを経由して容器に添加し、次いで水素圧を３ａｔｍまで上昇させた。反応混合物を濃縮し、残留物をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにて溶離液として酢酸エチルを用いて精製した。また、配位子として７ａに代えて、７ｂ、７ｃ、７ｄ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表２に示す。

〔実施例８〕オキサベンゾノルボルナジエン誘導体のアルキル化を伴う開環
ＰｄＣｌ₂（ｃｏｄ）（１．１ｍｇ、４．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン７ｄ（６μｍｏｌ）をＣＨ₂Ｃｌ₂（１ｍＬ）に溶かした溶液を、窒素雰囲気下、４０℃で１５分撹拌した。この溶液に、オキサベンゾノルボルナジエン（５８ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）をＣＨ₂Ｃｌ₂（３ｍＬ）に溶かした溶液を添加した。続いてジメチル亜鉛１．０Ｍヘキサン溶液（０．６ｍｌ、０．６ｍｍｏｌ）を添加した。反応が完結するまで室温で溶液を撹拌熟成した。反応後、数滴の水の添加によりクエンチし、反応混合物をセライトの短いカラムに通した後に濃縮した。残留物を分取ＴＬＣ（ヘキサン／酢酸エチル）にて精製した。また、配位子として７ｄに代えて、７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表３に示す。

Claims

下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。
一般式（１）においてＲ¹とＲ²とが同一であり、それらがメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリイソプロピルシリル基又は水素原子である請求項１記載の誘導体。
一般式（１）においてＲ³がｔ−ブチル基である請求項１又は２記載の誘導体。
請求項１記載の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法であって、
下記一般式（２）で表されるｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化して下記一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランを得；
これにアルキニルリチウムを作用させて、立体配置が反転した下記一般式（４）で表される化合物を得；
一般式（４）で表される化合物を脱プロトン化した後に酸化的カップリングを行う；工程を有する光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法。