JP2008216933A

JP2008216933A - Semiconductor device and plasma display device

Info

Publication number: JP2008216933A
Application number: JP2007058096A
Authority: JP
Inventors: Toshio Hidaka; 寿夫日▲高▼; Kunihiko Ogata; 邦彦緒方
Original assignee: Hitachi Plasma Display Ltd
Current assignee: Hitachi Plasma Display Ltd
Priority date: 2007-03-08
Filing date: 2007-03-08
Publication date: 2008-09-18

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of improving heat radiation characteristics of a semiconductor device such as an address driver module. <P>SOLUTION: A semiconductor chip 40 is disposed in an opening 51 of a flexible substrate 50. A bonding pad formed on the semiconductor chip 40 and a metal wiring formed on a flexible substrate 50 are connected by a wire 52. Then resin is provided for sealing to cover the semiconductor chip 40 and wire 52. A metal plate 54 is bonded to the surface of the flexible substrate 50 on the opposite side of the surface where the semiconductor chip 40 is mounted. One surface of the metal plate 54 is made uneven to increase the surface area of the metal plate 54. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置およびプラズマディスプレイ装置に関し、特に、アドレスドライバモジュールを構成する半導体装置およびアドレスドライバモジュールを含むプラズマディスプレイ装置に適用して有効な技術に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device and a plasma display device, and more particularly to a technique effective when applied to a semiconductor device constituting an address driver module and a plasma display device including the address driver module.

特開２０００−２９９４１６号公報（特許文献１）には、例えば、プラズマディスプレイ装置に使用するアドレスドライバモジュールの構造が記載されている。具体的には、本願の図１６に示すように、フレキシブル基板１００に開口部１０１が設けられ、この開口部１０１に半導体チップ１０２が搭載されている。半導体チップ１０２のパッド（図示せず）とフレキシブル基板１００に形成された配線（図示せず）とはワイヤ１０３を用いて接続されている。そして、ワイヤ１０３を含む半導体チップ１０２は、樹脂１０４によって封止されている。一方、フレキシブル基板１００の半導体チップ１０２を搭載した面とは反対側の面に金属板１０５が接着されており、この金属版１０５と半導体チップ１０２とは、フレキシブル基板１００に設けられた開口部１０１を介して直接接触している。 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-299416 (Patent Document 1) describes the structure of an address driver module used for a plasma display device, for example. Specifically, as shown in FIG. 16 of the present application, an opening 101 is provided in the flexible substrate 100, and a semiconductor chip 102 is mounted in the opening 101. A pad (not shown) of the semiconductor chip 102 and a wiring (not shown) formed on the flexible substrate 100 are connected using a wire 103. The semiconductor chip 102 including the wire 103 is sealed with a resin 104. On the other hand, a metal plate 105 is bonded to the surface of the flexible substrate 100 opposite to the surface on which the semiconductor chip 102 is mounted. The metal plate 105 and the semiconductor chip 102 are provided with an opening 101 provided in the flexible substrate 100. Direct contact through.

このように半導体チップ１０２と金属板１０５とを直接接触するように構成したので、半導体チップ１０２を動作させることにより発生した熱は熱伝導率の高い金属板１０５を介して外部に放散される。したがって、アドレスドライバモジュールの放熱特性を向上することができるとしている。
特開２０００−２９９４１６号公報 Since the semiconductor chip 102 and the metal plate 105 are configured to be in direct contact as described above, heat generated by operating the semiconductor chip 102 is dissipated to the outside through the metal plate 105 having high thermal conductivity. Therefore, the heat dissipation characteristics of the address driver module can be improved.
JP 2000-299416 A

プラズマディスプレイ装置では、表面に電極を形成した２枚のガラス基板の間にヘリウムやネオンなどの希ガス元素からなる高圧の気体を封入し、そこに電圧をかけて紫外線を発生させる。発生した紫外線は、蛍光体によって可視光に変換される。このようにして表示が行なわれる。このような原理で発光するプラズマディスプレイ装置は、液晶表示装置などの他の表示装置に比べて、応答速度が速く、コントラストが高いという特徴を有する。さらに、視野角が広く、大画面化が容易である利点を有することから、大画面の薄型テレビとして広く普及している。 In a plasma display device, a high-pressure gas made of a rare gas element such as helium or neon is sealed between two glass substrates having electrodes formed on the surface, and ultraviolet rays are generated by applying a voltage thereto. The generated ultraviolet light is converted into visible light by the phosphor. In this way, display is performed. A plasma display device that emits light based on such a principle is characterized by a high response speed and a high contrast compared to other display devices such as a liquid crystal display device. Furthermore, since it has an advantage that the viewing angle is wide and the screen can be easily enlarged, it is widely used as a large-screen thin TV.

プラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルには、電極が形成されているが、この電極の1つとして、放電を発生させる電界を加える機能とどのセルを発光させるかを選択する機能を有するアドレス電極が形成されている。このアドレス電極には、放電を生じさせるために電圧が印加されるが、このアドレス電極に印加される電圧を制御する回路としてアドレスドライバモジュールが存在する。 An electrode is formed on the plasma display panel of the plasma display device. As one of the electrodes, an address electrode having a function of applying an electric field for generating discharge and a function of selecting which cell to emit light is formed. Has been. A voltage is applied to the address electrode in order to cause discharge. An address driver module exists as a circuit for controlling the voltage applied to the address electrode.

アドレスドライバモジュールは、トランジスタや回路素子（抵抗や容量）などから形成された制御回路を有する半導体チップを備えている。この半導体チップには、入力端子と出力端子が形成されており、シリアルデータを入力端子から入力し、このシリアルデータをパラレルデータに変換した後、出力端子からパラレルデータが出力されるようになっている。このとき出力されるデータは電圧であり、放電を起こさせるのに充分な高い電圧が出力されるようになっている。出力されたパラレルデータ（電圧）は、出力端子のそれぞれに接続されているアドレス電極に印加されるようになっている。 The address driver module includes a semiconductor chip having a control circuit formed from transistors, circuit elements (resistors and capacitors), and the like. In this semiconductor chip, an input terminal and an output terminal are formed. After serial data is input from the input terminal and converted to parallel data, the parallel data is output from the output terminal. Yes. The data output at this time is a voltage, and a voltage high enough to cause discharge is output. The output parallel data (voltage) is applied to the address electrodes connected to the output terminals.

アドレスドライバモジュールは、半導体チップを有しているが、半導体チップの出力端子はリード線を介してフレキシブル基板に接続されている。すなわち、アドレスドライバを構成する半導体チップは、フレキシブル基板に実装され、レジン（樹脂）で半導体チップが封止されている。なお、リード線は、プラズマディスプレイパネルに形成されているアドレス電極に接続されている。 The address driver module has a semiconductor chip, and the output terminal of the semiconductor chip is connected to the flexible substrate via a lead wire. That is, a semiconductor chip constituting an address driver is mounted on a flexible substrate, and the semiconductor chip is sealed with a resin (resin). The lead wire is connected to an address electrode formed on the plasma display panel.

このようにアドレスドライバモジュールの構造としては、従来、フレキシブル基板上に半導体チップを搭載し、この半導体チップを絶縁樹脂で封止するものが一般的である。しかし、絶縁樹脂は放熱特性が不足するため、絶縁樹脂上に放熱板を接着あるいは圧着して放熱特性を向上させる技術がある。特に、アドレスドライバモジュールは放電させる高電圧を発生するため、発熱しやすいという特徴がある。ところが、絶縁樹脂上に放熱板を形成する構造では、絶縁樹脂自体の熱伝導率が低いため、絶縁樹脂から放熱板への熱伝導に問題があり、充分な放熱特性の向上を図ることができない問題点がある。 Thus, as a structure of the address driver module, conventionally, a semiconductor chip is generally mounted on a flexible substrate, and the semiconductor chip is sealed with an insulating resin. However, since the insulating resin has insufficient heat dissipation characteristics, there is a technique for improving the heat dissipation characteristics by bonding or pressure bonding a heat dissipation plate on the insulating resin. In particular, the address driver module generates a high voltage to be discharged, and thus has a feature that it easily generates heat. However, in the structure in which the heat sink is formed on the insulating resin, since the heat conductivity of the insulating resin itself is low, there is a problem in the heat conduction from the insulating resin to the heat sink, and sufficient heat dissipation characteristics cannot be improved. There is a problem.

このため、特許文献１に記載されている技術のように、フレキシブル基板に開口部を設け、この開口部に半導体チップを搭載する一方、フレキシブル基板の半導体チップを搭載した面とは反対側の面に金属板を配置する構造が開示されている。この構造によれば、フレキシブル基板に形成された開口部を介して半導体チップと金属板が直接接触することになるので、半導体チップで発生した熱が金属板に伝導しやすい。そして、金属板に伝導した熱は外部に放散される。このようにして半導体チップの放熱特性を向上させることができる。 For this reason, like the technique described in Patent Document 1, an opening is provided in the flexible substrate, and a semiconductor chip is mounted on the opening, while the surface of the flexible substrate opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted is provided. The structure which arrange | positions a metal plate is disclosed. According to this structure, since the semiconductor chip and the metal plate are in direct contact via the opening formed in the flexible substrate, the heat generated in the semiconductor chip is easily conducted to the metal plate. And the heat conducted to the metal plate is dissipated outside. In this way, the heat dissipation characteristics of the semiconductor chip can be improved.

ここで、特許文献１に記載された技術では、金属板の表面積および板厚によって放熱特性が決まる。すなわち、金属板の大きさを大きくすることや板厚を厚くすることにより、金属板に伝導した熱を効率良く外部へ放散することができる。 Here, in the technique described in Patent Document 1, the heat dissipation characteristics are determined by the surface area and thickness of the metal plate. That is, by increasing the size of the metal plate or increasing the plate thickness, the heat conducted to the metal plate can be efficiently dissipated to the outside.

しかし、金属板の面積を大きくするとアドレスドライバモジュールのサイズが大きくなってしまう問題点がある。アドレスドライバモジュールをプラズマディスプレイ装置に搭載する領域は限られているため、金属板をあまり大きくすることができない問題点がある。また、金属板の板厚を厚くするとアドレスドライバモジュールの厚さが厚くなってしまうため、アドレスドライバモジュールを小型薄板化する観点から、金属板をあまり厚くすることもできない問題点がある。 However, when the area of the metal plate is increased, there is a problem that the size of the address driver module is increased. Since the area where the address driver module is mounted on the plasma display device is limited, there is a problem that the metal plate cannot be made too large. Moreover, since the thickness of the address driver module increases when the thickness of the metal plate is increased, there is a problem that the metal plate cannot be made too thick from the viewpoint of reducing the size of the address driver module.

本発明の目的は、例えば、アドレスドライバモジュールなどの半導体装置の放熱特性を向上することのできる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the heat dissipation characteristics of a semiconductor device such as an address driver module.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

本発明による半導体装置は、（ａ）半導体チップと、（ｂ）前記半導体チップを開口部に搭載する配線基板と、（ｃ）前記配線基板の前記半導体チップを搭載した面とは反対側の裏面に形成され、前記半導体チップと直接接する金属板とを備え、前記金属板には凹凸が形成されていることを特徴とする。 A semiconductor device according to the present invention includes (a) a semiconductor chip, (b) a wiring board on which the semiconductor chip is mounted in an opening, and (c) a back surface opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted. And a metal plate that is in direct contact with the semiconductor chip, wherein the metal plate is provided with irregularities.

また、本発明によるプラズマディスプレイ装置は、（ａ）複数のアドレス電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、（ｂ）前記プラズマディスプレイパネルに形成されている前記複数のアドレス電極に印加する電圧を制御するアドレスドライバモジュールとを備えるプラズマディスプレイ装置であって、前記アドレスドライバモジュールは、（ｂ１）アドレスドライバとなる半導体チップと、（ｂ２）前記半導体チップを開口部に搭載する配線基板と、（ｂ３）前記配線基板の前記半導体チップを搭載した面とは反対側の裏面に形成され、前記半導体チップと直接接する金属板とを有し、前記金属板には凹凸が形成されていることを特徴とする。 The plasma display device according to the present invention includes (a) a plasma display panel having a plurality of address electrodes, and (b) an address driver that controls voltages applied to the plurality of address electrodes formed in the plasma display panel. The address driver module includes: (b1) a semiconductor chip serving as an address driver; (b2) a wiring board on which the semiconductor chip is mounted in an opening; and (b3) the wiring board. And a metal plate directly in contact with the semiconductor chip, wherein the metal plate is provided with irregularities.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

半導体チップに直接接触する金属板に凹凸を設けたので、放熱特性の向上を図ることができる。 Since the unevenness is provided on the metal plate that is in direct contact with the semiconductor chip, the heat dissipation characteristics can be improved.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

（実施の形態１）
本実施の形態１では、フラットディスプレイパネルを用いたフラットディスプレイ装置の一例として、３電極型面放電構造のＡＣ型ＰＤＰ（Plasma Display Panel）を用いたプラズマディスプレイ装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 (Embodiment 1)
In the first embodiment, as an example of a flat display device using a flat display panel, a plasma display device using an AC type PDP (Plasma Display Panel) having a three-electrode surface discharge structure will be described. It is not limited to.

本実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置について図面を参照しながら説明する。図１は、３電極型面放電構造のＡＣ型ＰＤＰを適用したプラズマディスプレイ装置の縦方向を示す断面模式図である。 The plasma display device according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a vertical direction of a plasma display device to which an AC type PDP having a three-electrode surface discharge structure is applied.

図１に示すように、プラズマディスプレイ装置は、ＰＤＰ１０、シャーシ部構造体１などから構成される。ＰＤＰ１０は、主に前面ガラス基板５と背面ガラス基板４との２枚のガラス基板によって構成されており、このＰＤＰ１０が接着剤３などによりシャーシ部構造体１に対して接続固定されている。シャーシ部構造体１およびＰＤＰ１０は、台２などにより支持されている。 As shown in FIG. 1, the plasma display device includes a PDP 10, a chassis structure 1, and the like. The PDP 10 is mainly composed of two glass substrates, a front glass substrate 5 and a back glass substrate 4, and the PDP 10 is connected and fixed to the chassis structure 1 with an adhesive 3 or the like. The chassis unit structure 1 and the PDP 10 are supported by a table 2 or the like.

図２は、プラズマディスプレイ装置のＰＤＰ１０に形成されている表示セルに対応した一部の構成を示す斜視図である。図２に示すように、ＰＤＰ１０において、前面ガラス基板５には、Ｘ電極およびＹ電極が備えられている。各Ｘ電極およびＹ電極は、維持（サステイン）電極となるＢＵＳ電極（金属電極）１７と透明電極１６より構成される。例えば、Ｙ電極は、走査電極として機能する。Ｘ電極およびＹ電極は、誘電体層１８および保護層１９で覆われる。 FIG. 2 is a perspective view showing a part of the configuration corresponding to the display cell formed in the PDP 10 of the plasma display device. As shown in FIG. 2, in the PDP 10, the front glass substrate 5 is provided with an X electrode and a Y electrode. Each of the X electrode and the Y electrode includes a BUS electrode (metal electrode) 17 serving as a sustain (sustain) electrode and a transparent electrode 16. For example, the Y electrode functions as a scanning electrode. The X electrode and the Y electrode are covered with a dielectric layer 18 and a protective layer 19.

また、背面ガラス基板４には、Ｘ電極およびＹ電極と直交するようにアドレス電極１２が形成されている。アドレス電極１２は、誘電体層１３で覆われている。これらのＸ電極、Ｙ電極およびアドレス電極により、放電を発生する単位発光領域（放電セル）が、各Ｘ電極とＹ電極で挟まれた領域のアドレス電極と交差する領域に形成される。このように前面ガラス基板５と背面ガラス基板４で挟まれた領域に複数の放電セルが形成され、放電セルには、放電を発生させるための混合ガス（Ｎｅ、Ｘｅなど）が封入されている。 Further, address electrodes 12 are formed on the rear glass substrate 4 so as to be orthogonal to the X electrodes and the Y electrodes. The address electrode 12 is covered with a dielectric layer 13. By these X electrode, Y electrode and address electrode, a unit light emitting region (discharge cell) for generating discharge is formed in a region intersecting with the address electrode in the region sandwiched between each X electrode and Y electrode. Thus, a plurality of discharge cells are formed in a region sandwiched between the front glass substrate 5 and the back glass substrate 4, and a mixed gas (Ne, Xe, etc.) for generating a discharge is enclosed in the discharge cells. .

前面ガラス基板５と背面ガラス基板４との間には、例えば縦方向ストライプ状に区分された領域を形成するために、複数の隔壁（リブ）１４が形成されている。隔壁１４で区分された領域は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の蛍光体６ａ〜６ｃが塗布される。これら各色の放電セルにより画素（ピクセル）が構成される。なお、横方向にも隔壁を設ける形態なども可能である。 A plurality of partition walls (ribs) 14 are formed between the front glass substrate 5 and the back glass substrate 4 in order to form, for example, a region divided in a vertical stripe shape. The regions divided by the barrier ribs 14 are coated with phosphors 6a to 6c of R (red), G (green), and B (blue) colors. A pixel is formed by the discharge cells of these colors. In addition, the form etc. which provide a partition also in a horizontal direction are possible.

次に、プラズマディスプレイ装置を駆動する駆動回路について説明する。図３は、プラズマディスプレイ装置におけるＰＤＰ１０のＸ電極、Ｙ電極、アドレス電極およびＰＤＰを表示動作させるための駆動用回路を示すブロック図である。 Next, a driving circuit for driving the plasma display device will be described. FIG. 3 is a block diagram illustrating a driving circuit for causing the X electrode, the Y electrode, the address electrode, and the PDP of the PDP 10 in the plasma display device to perform display operation.

図３に示すように、ＰＤＰ１０に対する駆動用回路においては、ＰＤＰ１０の前面ガラス基板５に対応する前面基板２０や背面ガラス基板４に対応する背面基板２１に対して、制御回路２７、Ｘ電極駆動回路、Ｙ電極駆動回路、アドレス電極駆動回路などの各駆動回路（ドライバ）を有している。前面基板２０には、Ｘ電極（ｘ１、ｘ２、・・・、ｘｎ）およびＹ電極（ｙ１、ｙ２、・・・、ｙｎ）が複数本形成されている。背面基板２１には、アドレス電極（ａ１、ａ２、・・・、ａｍ）が複数本形成されている。 As shown in FIG. 3, in the driving circuit for the PDP 10, a control circuit 27 and an X electrode driving circuit are provided for the front substrate 20 corresponding to the front glass substrate 5 of the PDP 10 and the rear substrate 21 corresponding to the rear glass substrate 4. , Y electrode drive circuits, address electrode drive circuits, and other drive circuits (drivers). A plurality of X electrodes (x1, x2,..., Xn) and Y electrodes (y1, y2,..., Yn) are formed on the front substrate 20. On the rear substrate 21, a plurality of address electrodes (a1, a2,..., Am) are formed.

本実施の形態１では、特に、制御回路２７は、フレームメモリ３１を備える表示データ制御部２８とドライバ制御部とを有する。ドライバ制御部は、走査ドライバ制御部２９と共通ドライバ制御部３０とを有する。また、ドライバとして、アドレスドライバ回路２３、Ｘ共通ドライバ回路２６、走査ドライバ回路２４、Ｙ共通ドライバ回路２５を有している。 In the first embodiment, in particular, the control circuit 27 includes a display data control unit 28 including a frame memory 31 and a driver control unit. The driver control unit includes a scanning driver control unit 29 and a common driver control unit 30. The driver includes an address driver circuit 23, an X common driver circuit 26, a scan driver circuit 24, and a Y common driver circuit 25.

制御回路２７は、外部より入力されるインターフェイス信号｛ＣＬＫ（クロック）、Ｄ（データ）、Ｖｓｙｎｃ（垂直同期信号）、Ｈｓｙｎｃ（水平同期信号）｝により、ＰＤＰ１０の各ドライバを制御するための制御信号を形成し、各ドライバを制御する。表示データ制御部２８は、フレームメモリ３１に蓄積されるデータ信号をもとに、アドレスドライバ回路２３にデータ信号を出力する。また、走査ドライバ制御部２９は、走査ドライバ回路２４を制御し、共通ドライバ制御部３０は、Ｘ共通ドライバ回路２６およびＹ共通ドライバ回路２５を制御する。 The control circuit 27 is a control signal for controlling each driver of the PDP 10 by an interface signal {CLK (clock), D (data), Vsync (vertical synchronization signal), Hsync (horizontal synchronization signal)} input from the outside. And control each driver. The display data control unit 28 outputs a data signal to the address driver circuit 23 based on the data signal stored in the frame memory 31. The scan driver control unit 29 controls the scan driver circuit 24, and the common driver control unit 30 controls the X common driver circuit 26 and the Y common driver circuit 25.

各ドライバは、制御回路２７からの制御信号にしたがって電極を駆動する。ＰＤＰ１０の表示画面において、アドレスドライバ回路２３によってアドレス電極にアドレスパルスを印加し、走査ドライバ回路２４によってＹ電極にスキャンパルスを印加することにより、表示すべきセル（以下、表示セル２２と記す）を選択するためのアドレス放電が行なわれる。このアドレス放電により選択された表示セル２２において、壁電荷が形成される。次に、Ｘ共通ドライバ回路２６によってＸ電極にサステインパルスを印加し、Ｙ共通ドライバ回路２５によってＹ電極にサステインパルスを印加することにより、選択され、壁電荷が形成されている表示セル２２で、表示セル２２の放電を維持させるためのサステイン放電が行なわれる。 Each driver drives the electrode according to a control signal from the control circuit 27. On the display screen of the PDP 10, by applying an address pulse to the address electrode by the address driver circuit 23 and applying a scan pulse to the Y electrode by the scan driver circuit 24, cells to be displayed (hereinafter referred to as display cells 22) are displayed. Address discharge for selection is performed. Wall charges are formed in the display cells 22 selected by this address discharge. Next, by applying a sustain pulse to the X electrode by the X common driver circuit 26 and applying a sustain pulse to the Y electrode by the Y common driver circuit 25, the display cell 22 is selected and wall charges are formed. Sustain discharge for maintaining the discharge of the display cell 22 is performed.

表示セル２２では、封入されている放電ガスの放電が行なわれると、放電ガスを構成する分子が活性化（ラジカル化）する。そして、活性化した分子が励起状態から基底状態に遷移する際、紫外線を発生する。発生した紫外線は蛍光体に吸収され、蛍光体から可視光が発生する。このようにして、ＰＤＰ１０に画像が表示される。 In the display cell 22, when the enclosed discharge gas is discharged, the molecules constituting the discharge gas are activated (radicalized). When the activated molecule transitions from the excited state to the ground state, ultraviolet rays are generated. The generated ultraviolet light is absorbed by the phosphor, and visible light is generated from the phosphor. In this way, an image is displayed on the PDP 10.

次に、プラズマディスプレイ装置を駆動する駆動回路に使用されるアドレスドライバ回路２３について説明する。アドレスドライバ回路２３は、表示データ制御部２８から表示データを入力してＰＤＰ１０に形成されている複数のアドレス電極にアドレスパルスを印加する機能を有している。このとき、表示データ制御部２８から出力される表示データは、シリアルデータとなっている。これに対し、アドレスドライバ回路２３の出力は、複数のアドレス電極に対応した構成になっている。すなわち、アドレスドライバ回路２３の主要な機能は、表示データ制御部２８から表示データをシリアルデータとして入力し、このシリアルデータを複数のアドレス電極に対応したパラレルデータに変換するものである。さらに、アドレスドライバ回路２３の機能の一つは、複数のアドレス電極に印加する表示データの電圧値を通常のデジタルデータ（例えば、５Ｖ）から高電圧（例えば、２０Ｖ〜１００Ｖ）に変換して印加するものである。これは、ＰＤＰの表示セルでアドレス放電させるのに必要な電圧をアドレス電極に印加する必要があるからである。 Next, the address driver circuit 23 used in the drive circuit that drives the plasma display device will be described. The address driver circuit 23 has a function of inputting display data from the display data control unit 28 and applying address pulses to a plurality of address electrodes formed in the PDP 10. At this time, the display data output from the display data control unit 28 is serial data. On the other hand, the output of the address driver circuit 23 has a configuration corresponding to a plurality of address electrodes. That is, the main function of the address driver circuit 23 is to input display data as serial data from the display data control unit 28 and convert this serial data into parallel data corresponding to a plurality of address electrodes. Further, one of the functions of the address driver circuit 23 is to convert the voltage value of display data applied to a plurality of address electrodes from normal digital data (for example, 5V) to a high voltage (for example, 20V to 100V) and apply it. To do. This is because it is necessary to apply a voltage necessary for address discharge in the display cell of the PDP to the address electrode.

このような機能を有するアドレスドライバ回路２３は、半導体チップに形成されている。すなわち、アドレスドライバ回路２３の機能を実現するために、トランジスタや抵抗、容量素子などの素子が使用されるが、これらの素子は半導体製造技術を用いて半導体チップに形成されている。以下では、アドレスドライバ回路２３が形成された半導体チップ（アドレスドライバ、ベアチップドライバ）について説明する。 The address driver circuit 23 having such a function is formed in a semiconductor chip. That is, in order to realize the function of the address driver circuit 23, elements such as a transistor, a resistor, and a capacitor element are used, and these elements are formed on a semiconductor chip using a semiconductor manufacturing technique. Hereinafter, a semiconductor chip (address driver, bare chip driver) on which the address driver circuit 23 is formed will be described.

図４は、アドレスドライバ回路２３が形成されている半導体チップ４０の外観を示す上面図である。図４に示すように、半導体チップ４０は、長方形状の形状をしており、一対の長辺および一対の短辺（半導体チップの周辺）に沿ってボンディングパッド４１およびボンディングパッド４２が形成されている。このボンディングパッド４１は、アドレスドライバ回路２３にシリアルデータを入力する入力用パッドであり、ボンディングパッド４２は、アドレスドライバからパラレルデータを出力する出力用パッドである。なお、ロジック（ロジック電源）入力用パッドや高圧電源入力用パッドおよびＧＮＤを供給するためのパッドが形成されている。半導体チップ４０の内部には、アドレスドライバ回路２３を構成するトランジスタなど回路素子が形成されており、半導体チップ４０の表面にこれらの回路素子と電気的に接続するボンディングパッド４１やボンディングパッド４２が形成されている。つまり、半導体チップ４０の表面には、内部に形成されている回路素子に表示データを入力するための入力端子としてボンディングパッド４１が形成され、回路素子から出力された信号を外部に出力するための出力端子としてボンディングパッド４２が形成されている。 FIG. 4 is a top view showing an appearance of the semiconductor chip 40 in which the address driver circuit 23 is formed. As shown in FIG. 4, the semiconductor chip 40 has a rectangular shape, and a bonding pad 41 and a bonding pad 42 are formed along a pair of long sides and a pair of short sides (the periphery of the semiconductor chip). Yes. The bonding pad 41 is an input pad for inputting serial data to the address driver circuit 23, and the bonding pad 42 is an output pad for outputting parallel data from the address driver. Note that a logic (logic power supply) input pad, a high voltage power supply input pad, and a pad for supplying GND are formed. Circuit elements such as transistors constituting the address driver circuit 23 are formed inside the semiconductor chip 40, and bonding pads 41 and bonding pads 42 that are electrically connected to these circuit elements are formed on the surface of the semiconductor chip 40. Has been. That is, the bonding pad 41 is formed on the surface of the semiconductor chip 40 as an input terminal for inputting display data to the circuit element formed therein, and the signal output from the circuit element is output to the outside. Bonding pads 42 are formed as output terminals.

図４では、半導体チップ４０の1つの長辺に沿って出力用パッドであるボンディングパッド４２が形成され、もう一方の長辺に入力用パッドであるボンディングパッド４１が形成されている例を示している。さらに、半導体チップ４０の短辺にそっては、高圧電源用パッドやＧＮＤが形成されている。図４に示すボンディングパッドの配置は一例であり、出力用パッドが1つの長辺方向だけでなく、短辺方向にも形成されているような半導体チップの構成をしてもよいし、あるいは、もう一方の長辺にも出力用パッドが形成されていてもよい。 FIG. 4 shows an example in which a bonding pad 42 that is an output pad is formed along one long side of the semiconductor chip 40 and a bonding pad 41 that is an input pad is formed on the other long side. Yes. Further, along the short side of the semiconductor chip 40, a high-voltage power supply pad and GND are formed. The arrangement of the bonding pads shown in FIG. 4 is an example, and the semiconductor device may have a configuration in which output pads are formed not only in one long side direction but also in the short side direction, or An output pad may be formed on the other long side.

アドレスドライバを形成している半導体チップ４０においては、半導体チップ４０に形成されているボンディングパッドのうち、出力用パッド（ボンディングパッド４２）が入力用パッド（ボンディングパッド４１）に比べて多くなっている。これは、アドレスドライバに入力する信号はシリアルデータであり、アドレスドライバから出力する信号は、パラレルデータであるからである。つまり、複数の出力用パッドは、それぞれ個々のアドレス電極に対応した数だけ設けられているので、出力用パッドの数が多くなるという特徴がある。 In the semiconductor chip 40 forming the address driver, among the bonding pads formed on the semiconductor chip 40, the output pads (bonding pads 42) are larger than the input pads (bonding pads 41). . This is because the signal input to the address driver is serial data, and the signal output from the address driver is parallel data. That is, since the plurality of output pads are provided in a number corresponding to each address electrode, the number of output pads is increased.

アドレスドライバを形成している半導体チップ４０は上記のように構成されているが、実際の製品では、半導体チップ４０をフレキシブル基板（配線基板）に実装した状態で用いられる。半導体チップ４０をフレキシブル基板に実装したものは、アドレスドライバモジュールと呼ばれる。次に、このアドレスドライバモジュールの構成について説明する。 The semiconductor chip 40 forming the address driver is configured as described above. However, in an actual product, the semiconductor chip 40 is used in a state where it is mounted on a flexible substrate (wiring substrate). A semiconductor chip 40 mounted on a flexible substrate is called an address driver module. Next, the configuration of this address driver module will be described.

図５は、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを半導体チップ搭載側から見た平面図である。図５において、フレキシブル基板５０には、半導体チップ４０が搭載されており、この半導体チップ４０に形成されたボンディングパッドとフレキシブル基板５０に形成された金属配線とはワイヤ５２で接続されている。なお、半導体チップ４０を封止している樹脂の図示は省略している。 FIG. 5 is a plan view of the address driver module according to the first embodiment as viewed from the semiconductor chip mounting side. In FIG. 5, the semiconductor chip 40 is mounted on the flexible substrate 50, and the bonding pads formed on the semiconductor chip 40 and the metal wiring formed on the flexible substrate 50 are connected by wires 52. Note that illustration of the resin sealing the semiconductor chip 40 is omitted.

図６は、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを半導体チップ塔載側とは反対側の面から見た平面図である。図６において、フレキシブル基板５０には、金属板５４が形成されており、この金属板５４の表面には凹凸が形成されている。なお、図６の裏側に形成されている半導体チップ４０の位置を破線で示している。 FIG. 6 is a plan view of the address driver module according to the first embodiment viewed from the side opposite to the semiconductor chip tower mounting side. In FIG. 6, a metal plate 54 is formed on the flexible substrate 50, and irregularities are formed on the surface of the metal plate 54. The position of the semiconductor chip 40 formed on the back side of FIG. 6 is indicated by a broken line.

図７は、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールの構成を示す断面図である。図７は、図５のＡ−Ａ線で切断した断面に相当する。図７に示すように、フレキシブル基板５０には開口部５１が形成されており、この開口部５１にアドレスドライバである半導体チップ４０が配置されている。フレキシブル基板５０は絶縁材料から構成されており、その表面に金属配線（図示せず）が形成されている。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the address driver module according to the first embodiment. FIG. 7 corresponds to a cross section taken along line AA of FIG. As shown in FIG. 7, an opening 51 is formed in the flexible substrate 50, and a semiconductor chip 40 that is an address driver is disposed in the opening 51. The flexible substrate 50 is made of an insulating material, and a metal wiring (not shown) is formed on the surface thereof.

開口部５１に配置された半導体チップ４０とフレキシブル基板５０とはワイヤ５２により接続されている。具体的には、半導体チップ４０に形成されたボンディングパッドとフレキシブル基板５０に形成された金属配線がワイヤ５２で電気的に接続されている。そして、半導体チップ４０およびワイヤ５２は、これらを覆うように樹脂５３によって封止されている。 The semiconductor chip 40 disposed in the opening 51 and the flexible substrate 50 are connected by a wire 52. Specifically, the bonding pads formed on the semiconductor chip 40 and the metal wiring formed on the flexible substrate 50 are electrically connected by wires 52. The semiconductor chip 40 and the wire 52 are sealed with a resin 53 so as to cover them.

さらに、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールでは、フレキシブル基板５０の半導体チップ４０を搭載した面とは反対側の面に金属板５４が形成されている。この金属板５４は、例えば銅板などの熱伝導率の良好な金属から形成されている。すなわち、金属板５４は、アドレスドライバモジュールの放熱特性を向上させるために設けられている。この金属板５４は、フレキシブル基板５０に形成された開口部５１で半導体チップ４０と直接接触している。このため、半導体チップ４０で発生した熱が効率よく金属板５４に伝わり放熱性が向上する構造となっている。 Furthermore, in the address driver module according to the first embodiment, the metal plate 54 is formed on the surface of the flexible substrate 50 opposite to the surface on which the semiconductor chip 40 is mounted. The metal plate 54 is made of a metal having good thermal conductivity such as a copper plate. That is, the metal plate 54 is provided to improve the heat dissipation characteristics of the address driver module. The metal plate 54 is in direct contact with the semiconductor chip 40 through the opening 51 formed in the flexible substrate 50. For this reason, the heat generated in the semiconductor chip 40 is efficiently transmitted to the metal plate 54 and the heat dissipation is improved.

本実施の形態１における特徴の１つは、上述した金属板５４の表面に溝を形成して凹凸を設けている点にある。これにより、金属板５４の表面積を大きくすることができるので、外部と接触する金属板５４の放熱効率を向上させることができるのである。具体的に、図７では、金属板５４の面のうちフレキシブル基板５０と接触する面とは反対側の面に凹凸が形成されている。つまり、フレキシブル基板５０と接触する面とは反対側の面に凹凸を形成することにより、外部と直接接する金属板５４の表面積を大きくすることができ、効果的にアドレスドライバモジュールの放熱特性を向上することができる。 One of the features of the first embodiment is that grooves are formed on the surface of the metal plate 54 described above to provide unevenness. Thereby, since the surface area of the metal plate 54 can be increased, the heat dissipation efficiency of the metal plate 54 in contact with the outside can be improved. Specifically, in FIG. 7, irregularities are formed on the surface of the metal plate 54 opposite to the surface that contacts the flexible substrate 50. That is, by forming irregularities on the surface opposite to the surface in contact with the flexible substrate 50, the surface area of the metal plate 54 in direct contact with the outside can be increased, effectively improving the heat dissipation characteristics of the address driver module. can do.

アドレスドライバモジュールの放熱特性を充分に向上させる観点から、フレキシブル基板５０と接触する面とは反対側の全面に凹凸を形成することが望ましいが、一部の領域に凹凸を設けることによっても、平坦化している場合に比べて表面積を大きくすることができるので、放熱特性を向上できる効果が得られる。特に、一部に凹凸を設ける場合には、半導体チップ４０の直下の領域に凹凸を形成することで、顕著な効果を得ることができる。なぜなら、アドレスドライバモジュールの主要な熱源は、半導体チップ４０であることから、半導体チップ４０の直下領域にある金属板５４に凹凸を設けることにより、放熱特性を向上することができる。 From the viewpoint of sufficiently improving the heat dissipation characteristics of the address driver module, it is desirable to form irregularities on the entire surface opposite to the surface in contact with the flexible substrate 50. However, flatness can also be achieved by providing irregularities in some areas. Since the surface area can be increased as compared with the case where the heat dissipation is realized, the effect of improving the heat dissipation characteristics can be obtained. In particular, when unevenness is provided in part, a remarkable effect can be obtained by forming unevenness in a region immediately below the semiconductor chip 40. This is because, since the main heat source of the address driver module is the semiconductor chip 40, the heat radiation characteristics can be improved by providing irregularities on the metal plate 54 in the region immediately below the semiconductor chip 40.

なお、金属板５４の表面に形成された凹凸の凹部に対応する溝の方向は、フレキシブル基板５０をシャーシ部構造体に取り付けた状態において、装置内における空気（冷却ファンによる冷媒や装置内で自然対流している空気）の流れの向きと一致またはほぼ一致させるように形成することが望ましい。このような溝形状にすると、空気がより金属板５４と接することになり、金属板５４からの放熱効果が大きくなる。 Note that the direction of the groove corresponding to the concave and convex recesses formed on the surface of the metal plate 54 is the air in the apparatus (coolant by a cooling fan or natural in the apparatus) when the flexible board 50 is attached to the chassis structure. It is desirable to form it so that it matches or substantially matches the direction of the flow of the convection air). With such a groove shape, the air is more in contact with the metal plate 54, and the heat dissipation effect from the metal plate 54 is increased.

ここで、例えば、特許文献１に示すように、半導体チップの放熱特性を向上するために、金属板を用いる構成が開示されているが、金属板の表面は平坦化されている。金属板の放熱効率は、金属板の表面積の大きさに依存する。このため、金属板の放熱効率を向上させるためには、金属板の大きさを大きくすることが考えられる。 Here, for example, as shown in Patent Document 1, a configuration using a metal plate is disclosed in order to improve the heat dissipation characteristics of the semiconductor chip, but the surface of the metal plate is flattened. The heat dissipation efficiency of the metal plate depends on the size of the surface area of the metal plate. For this reason, in order to improve the heat dissipation efficiency of the metal plate, it is conceivable to increase the size of the metal plate.

しかし、金属板の大きさを大きくすると、アドレスドライバモジュールの大きさも大きくなってしまうので、アドレスドライバモジュールの小型化が図れない。これに対し、アドレスドライバモジュールの小型化を実現するために、金属板の大きさを小さくすると、金属板による放熱特性が充分得られない。このようにアドレスドライバモジュールのダウンサイジングと放熱特性の向上はトレードオフの関係がある。 However, when the size of the metal plate is increased, the size of the address driver module is also increased, so that the address driver module cannot be reduced in size. On the other hand, if the size of the metal plate is reduced in order to reduce the size of the address driver module, the heat dissipation characteristic by the metal plate cannot be obtained sufficiently. Thus, there is a trade-off between address driver module downsizing and improvement of heat dissipation characteristics.

そこで、本実施の形態１では、アドレスドライバモジュールの小型化を実現できるとともに放熱特性に優れたアドレスドライバモジュールを提供することを目的としている。具体的には、この目的を達成するため、図７に示すように、金属板５４の表面に凹凸を設けている。このように金属板５４の表面に凹凸を設けると、同じサイズで金属板５４の表面を平坦化している場合に比べて金属板５４の表面積を大きくすることができる。このため、金属板５４からの熱の放散が充分に行なわれ、アドレスドライバモジュールの放熱特性を向上させることができる。さらに、金属板５４の表面に凹凸を設けても、金属板５４自体の大きさには何ら変化がないので、アドレスドライバモジュールのサイズの増大を抑制することができる。つまり、本実施の形態１によれば、従来、トレードオフの関係にあるアドレスドライバモジュールの大型化の抑制と放熱効率の向上をともに実現できる顕著な効果を奏する。 Therefore, the first embodiment aims to provide an address driver module that can realize downsizing of the address driver module and has excellent heat dissipation characteristics. Specifically, in order to achieve this object, the surface of the metal plate 54 is provided with irregularities as shown in FIG. When the surface of the metal plate 54 is uneven as described above, the surface area of the metal plate 54 can be increased as compared with the case where the surface of the metal plate 54 is flattened with the same size. Therefore, heat is sufficiently dissipated from the metal plate 54, and the heat dissipation characteristics of the address driver module can be improved. Furthermore, even if the surface of the metal plate 54 is provided with irregularities, the size of the metal plate 54 itself does not change, so that an increase in the size of the address driver module can be suppressed. That is, according to the first embodiment, there is a remarkable effect that it is possible to realize both the suppression of the increase in the size of the address driver module and the improvement of the heat dissipation efficiency which are conventionally in a trade-off relationship.

なお、図７においては、金属板５４に設けられている凹凸は規則的なステップ状に形成されているが、これに限らない。例えば、金属板５４に不規則な凹凸形状を形成してもよい。この場合であっても、金属板５４に凹凸形状が形成されて表面積が大きくなることには変わりがないので、アドレスドライバモジュールの放熱効率を向上させることができる。 In FIG. 7, the unevenness provided on the metal plate 54 is formed in a regular step shape, but is not limited thereto. For example, an irregular uneven shape may be formed on the metal plate 54. Even in this case, since the uneven shape is formed on the metal plate 54 and the surface area is increased, the heat dissipation efficiency of the address driver module can be improved.

また、フレキシブル基板５０に接着している金属板５４の大きさは、フレキシブル基板５０と同程度かそれ以下にすることが望ましい。これにより、アドレスドライバモジュールの大きさを金属板５４ではなく、フレキシブル基板５０の大きさで規定することができる。つまり、放熱特性を左右する金属板５４の大きさでアドレスドライバモジュールのサイズが規定されない利点がある。このようにフレキシブル基板５０に接着している金属板５４の大きさをフレキシブル基板５０と同程度かそれ以下とするようにしても、金属板５４には凹凸が設けられ、金属板５４と外部が接触する表面積を大きくすることができるので、放熱特性を向上させることができる。 In addition, the size of the metal plate 54 bonded to the flexible substrate 50 is desirably about the same as or less than that of the flexible substrate 50. Thereby, the size of the address driver module can be defined by the size of the flexible substrate 50 instead of the metal plate 54. That is, there is an advantage that the size of the address driver module is not defined by the size of the metal plate 54 that affects the heat dissipation characteristics. Thus, even if the size of the metal plate 54 bonded to the flexible substrate 50 is set to be approximately equal to or less than that of the flexible substrate 50, the metal plate 54 is provided with irregularities, and the metal plate 54 and the outside are connected to each other. Since the contact surface area can be increased, the heat dissipation characteristics can be improved.

本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールは上記のように構成されており、以下に、放熱動作について説明する。まず、アドレスドライバモジュールを電気的に動作させると、半導体チップ４０で電力が消費される。このとき、半導体チップ４０から熱が発生する。発生した熱は図７に示すように、半導体チップ４０を封止する樹脂５３を介して外部に放散される。しかし、半導体チップ４０を封止する樹脂５３の熱伝導率はあまり高くないので、放熱効率が向上しない。ここで、本実施の形態１では、半導体チップ４０の下面に金属板５４が接している。したがって、半導体チップ４０から発生した熱は、金属板５４にも伝わる。金属板５４は、例えば、銅板などの熱伝導率の高い材料から形成されているので、半導体チップ４０で発生した熱の大部分は金属板５４に伝導する。金属板５４に伝導した熱は、主に金属板５４のフレキシブル基板５０と接触する面とは反対側の面から外部に放散される。このとき、金属板５４には凹凸が設けられているので、外部と接触する金属板５４の表面積が大きくなる。このため、効率よく熱が金属板５４から外部へ放散される。このようにして、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールによれば、放熱特性の向上を図ることができる。特に、プラズマディスプレイ装置に使用するアドレスドライバモジュールでは、アドレスドライバモジュールから出力してＰＤＰのアドレス電極に印加する電圧が高電圧となっている。このため、プラズマディスプレイ装置に使用されるアドレスドライバモジュールは消費電力が高く発熱しやすい。しかし、本実施の形態１によれば、金属板５４に凹凸形状を設けることにより、アドレスドライバモジュールの放熱特性を向上させているので、信頼性の高いアドレスドライバモジュールおよびプラズマディスプレイ装置を提供することができる。 The address driver module according to the first embodiment is configured as described above, and the heat dissipation operation will be described below. First, when the address driver module is electrically operated, power is consumed by the semiconductor chip 40. At this time, heat is generated from the semiconductor chip 40. As shown in FIG. 7, the generated heat is dissipated to the outside through a resin 53 that seals the semiconductor chip 40. However, since the thermal conductivity of the resin 53 for sealing the semiconductor chip 40 is not so high, the heat dissipation efficiency is not improved. Here, in the first embodiment, the metal plate 54 is in contact with the lower surface of the semiconductor chip 40. Therefore, the heat generated from the semiconductor chip 40 is also transmitted to the metal plate 54. Since the metal plate 54 is formed of a material having high thermal conductivity such as a copper plate, for example, most of the heat generated in the semiconductor chip 40 is conducted to the metal plate 54. The heat conducted to the metal plate 54 is dissipated to the outside mainly from the surface of the metal plate 54 opposite to the surface in contact with the flexible substrate 50. At this time, since the metal plate 54 is provided with irregularities, the surface area of the metal plate 54 in contact with the outside increases. For this reason, heat is efficiently dissipated from the metal plate 54 to the outside. Thus, according to the address driver module in the first embodiment, the heat dissipation characteristics can be improved. In particular, in an address driver module used in a plasma display device, the voltage output from the address driver module and applied to the address electrode of the PDP is a high voltage. For this reason, the address driver module used in the plasma display device has high power consumption and tends to generate heat. However, according to the first embodiment, since the heat dissipation characteristics of the address driver module are improved by providing the metal plate 54 with an uneven shape, a highly reliable address driver module and plasma display device are provided. Can do.

図７では、１つのフレキシブル基板５０に２つの半導体チップ（アドレスドライバ）４０が形成されて、１つのアドレスドライバモジュールが形成されている例を示しているが、１つのアドレスドライバモジュールに２つ以上の半導体チップ４０を搭載してもよいし、１つの半導体チップ４０だけを搭載してもよい。実際のプラズマディスプレイ装置では、１つのプラズマディスプレイ装置に対し図７に示すようなアドレスドライバモジュールが複数個搭載されている。つまり、プラズマディスプレイ装置に形成されているすべてのアドレス電極に対応して半導体チップ（アドレスドライバ）４０を設ける必要があるが、プラズマディスプレイ装置に形成されているアドレス電極の数が多くなるので、複数の半導体チップ４０で対応しているのである。 FIG. 7 shows an example in which two semiconductor chips (address drivers) 40 are formed on one flexible substrate 50 and one address driver module is formed, but two or more are included in one address driver module. The semiconductor chip 40 may be mounted, or only one semiconductor chip 40 may be mounted. In an actual plasma display device, a plurality of address driver modules as shown in FIG. 7 are mounted on one plasma display device. That is, it is necessary to provide the semiconductor chip (address driver) 40 corresponding to all the address electrodes formed in the plasma display device. However, since the number of address electrodes formed in the plasma display device increases, The semiconductor chip 40 corresponds to this.

次に、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールの製造方法について図面を参照しながら説明する。 Next, a method for manufacturing the address driver module according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.

まず、図８に示すように、金属板５４を用意する。金属板５４は、例えば、銅板などの熱伝導率の高い材料から構成されている。続いて、図９に示すように、金属板５４の一方の面に凹凸形状を形成する。凹凸形状を形成するには、例えば、プレス加工などを用いることができる。すなわち、金属板５４の上下から型を押し付けることにより、金属板５４の一方の面に凹凸を形成する。上下から押し付ける型の一方の表面は平坦形状をしており、もう一方の型の表面には凹凸が形成されているものを用いることで、金属板５４の一方の面に凹凸が転写される。 First, as shown in FIG. 8, a metal plate 54 is prepared. The metal plate 54 is made of a material having high thermal conductivity such as a copper plate, for example. Subsequently, as shown in FIG. 9, an uneven shape is formed on one surface of the metal plate 54. In order to form the uneven shape, for example, press working or the like can be used. That is, an unevenness is formed on one surface of the metal plate 54 by pressing the mold from above and below the metal plate 54. One surface of the mold pressed from above and below has a flat shape, and the surface of the other mold is formed with unevenness, whereby the unevenness is transferred to one surface of the metal plate 54.

次に、図１０に示すように、金属板５４とフレキシブル基板５０とを接着剤などを用いて接着する。このとき、金属板５４の凹凸形成面とは反対側の平坦面とフレキシブル基板５０とを接着する。これにより、金属板５４のフレキシブル基板５０とは接着しない面に凹凸形状を形成することができる。なお、フレキシブル基板５０には予め開口部５１が形成されている。また、フレキシブル基板５０の表面にはパターニングされた金属配線が形成されている。 Next, as shown in FIG. 10, the metal plate 54 and the flexible substrate 50 are bonded using an adhesive or the like. At this time, the flat surface of the metal plate 54 opposite to the uneven surface is bonded to the flexible substrate 50. Thereby, an uneven shape can be formed on the surface of the metal plate 54 that does not adhere to the flexible substrate 50. Note that an opening 51 is formed in the flexible substrate 50 in advance. Also, patterned metal wiring is formed on the surface of the flexible substrate 50.

続いて、図１１に示すように、フレキシブル基板５０に形成されている開口部５１に半導体チップ４０を配置する。これにより、フレキシブル基板５０に形成されている開口部５１を介して半導体チップ４０と金属板５４が直接接触することになる。この半導体チップ４０と金属板５４は、例えば、接着剤によって接着される。半導体チップ４０は、通常の半導体装置の製造技術を用いて、トランジスタなどの回路素子が形成され、アドレスドライバ回路が形成されている。そして、半導体チップ４０の表面にはボンディングパッドが形成されている。 Subsequently, as shown in FIG. 11, the semiconductor chip 40 is disposed in the opening 51 formed in the flexible substrate 50. As a result, the semiconductor chip 40 and the metal plate 54 come into direct contact via the opening 51 formed in the flexible substrate 50. The semiconductor chip 40 and the metal plate 54 are bonded by, for example, an adhesive. In the semiconductor chip 40, circuit elements such as transistors are formed using an ordinary semiconductor device manufacturing technique, and an address driver circuit is formed. A bonding pad is formed on the surface of the semiconductor chip 40.

次に、図１２に示すように、半導体チップ４０とフレキシブル基板５０とをワイヤ５２で接続する。具体的には、半導体チップ４０に形成されているボンディングパッドとフレキシブル基板５０に形成されている金属配線とをワイヤ５２を用いて電気的に接続する。 Next, as shown in FIG. 12, the semiconductor chip 40 and the flexible substrate 50 are connected by wires 52. Specifically, the bonding pads formed on the semiconductor chip 40 and the metal wiring formed on the flexible substrate 50 are electrically connected using the wires 52.

その後、図１３に示すように、半導体チップ４０とワイヤ５２を覆うように樹脂５３で封止する。このようにして、本実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを形成することができる。製造されたアドレスドライバモジュールは、プラズマディスプレイ装置に実装される。 Thereafter, as shown in FIG. 13, the semiconductor chip 40 and the wires 52 are sealed with a resin 53 so as to cover them. In this manner, the address driver module according to the first embodiment can be formed. The manufactured address driver module is mounted on the plasma display device.

本実施の形態１では、フレキシブル基板５０に金属板５４を接着する前の工程で、金属板５４の一方の面に凹凸を形成している。しかし、製造方法はこれに限られず、フレキシブル基板５０に金属板５４を接着した後、金属板５４に凹凸を形成してもよい。 In the first embodiment, unevenness is formed on one surface of the metal plate 54 in a step before the metal plate 54 is bonded to the flexible substrate 50. However, the manufacturing method is not limited to this, and the metal plate 54 may be bonded to the flexible substrate 50 and then the unevenness may be formed on the metal plate 54.

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、金属板５４のフレキシブル基板５０と接着する面とは反対側の面に凹凸を設ける例について説明したが、本実施の形態２では、金属基板のフレキシブル基板と接着する面側に凹凸を設ける例について説明する。 (Embodiment 2)
In the first embodiment, the example in which the unevenness is provided on the surface of the metal plate 54 opposite to the surface to be bonded to the flexible substrate 50 has been described. In the second embodiment, the surface to be bonded to the flexible substrate of the metal substrate. An example of providing unevenness on the side will be described.

図１４は、本実施の形態２におけるアドレスドライバモジュールの構成を示す断面図である。図１４は、前記実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールとほぼ同様の構成をしているので、異なる構成についてだけ説明する。 FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the address driver module according to the second embodiment. FIG. 14 has almost the same configuration as that of the address driver module in the first embodiment, and only a different configuration will be described.

図１４において、本実施の形態２におけるアドレスドライバモジュールが前記実施の形態１と異なる点は、金属板５５に形成されている凹凸の位置関係である。すなわち、前記実施の形態１では、金属板５４のフレキシブル基板５０との接着面とは反対側に凹凸を形成していたが、本実施の形態２では、金属板５５のフレキシブル基板５０との接着面側に凹凸を設けている。ただし、金属板５５とフレキシブル基板５０の接触面に凹凸を設けると、金属板５５とフレキシブル基板５０との接着力が低下するので、図１４に示すように、この接着領域には凹凸を設けず、接着領域の外側の領域に凹凸を設けるようにしている。言い換えれば、半導体チップ４０の実装面側に凹凸を設けているということもできる。このため、本実施の形態２では、金属板５５の少なくとも一方向（所定方向、例えば、半導体チップ４０が並んでいる方向）の長さは、フレキシブル基板５０の一方向の長さよりも長くなっている。 In FIG. 14, the address driver module in the second embodiment is different from the first embodiment in the positional relationship of unevenness formed on the metal plate 55. That is, in the first embodiment, the unevenness is formed on the opposite side of the surface of the metal plate 54 that is bonded to the flexible substrate 50, but in the second embodiment, the metal plate 55 is bonded to the flexible substrate 50. Unevenness is provided on the surface side. However, if unevenness is provided on the contact surface between the metal plate 55 and the flexible substrate 50, the adhesive force between the metal plate 55 and the flexible substrate 50 is reduced. Therefore, as shown in FIG. Asperities are provided in a region outside the bonding region. In other words, it can be said that unevenness is provided on the mounting surface side of the semiconductor chip 40. For this reason, in the second embodiment, the length of at least one direction of the metal plate 55 (predetermined direction, for example, the direction in which the semiconductor chips 40 are arranged) is longer than the length of the flexible substrate 50 in one direction. Yes.

本実施の形態２においても、金属板５５に凹凸を設けることにより、金属板５５の表面積を大きくすることができるので、放熱特性の向上を図ることができる。特に、本実施の形態２の構成は、前記実施の形態１のように金属板５４のフレキシブル基板５０との接着面とは反対側の面に凹凸を設けることができない制約があるときに有効である。 Also in the second embodiment, since the surface area of the metal plate 55 can be increased by providing irregularities on the metal plate 55, the heat dissipation characteristics can be improved. In particular, the configuration of the second embodiment is effective when there is a restriction that unevenness cannot be provided on the surface of the metal plate 54 opposite to the bonding surface with the flexible substrate 50 as in the first embodiment. is there.

（実施の形態３）
前記実施の形態１では、金属板５４のフレキシブル基板５０と接着する面とは反対側の面に凹凸を設ける例について説明したが、本実施の形態３では、さらに、金属基板のフレキシブル基板と接着する面側にも凹凸を設ける例について説明する。つまり、前記実施の形態１の構成と前記実施の形態２の構成を組み合わせた構成が本実施の形態３である。 (Embodiment 3)
In the first embodiment, the example in which the unevenness is provided on the surface of the metal plate 54 opposite to the surface to be bonded to the flexible substrate 50 has been described. However, in the third embodiment, the metal substrate 54 is further bonded to the flexible substrate. An example in which unevenness is also provided on the surface side to be performed will be described. That is, the configuration in which the configuration of the first embodiment and the configuration of the second embodiment are combined is the third embodiment.

図１５は、本実施の形態３におけるアドレスドライバモジュールの構成を示す断面図である。図１５は、前記実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールとほぼ同様の構成をしているので、異なる構成についてだけ説明する。 FIG. 15 is a cross-sectional view showing the configuration of the address driver module according to the third embodiment. FIG. 15 has almost the same configuration as that of the address driver module according to the first embodiment, and only a different configuration will be described.

図１５において、本実施の形態３におけるアドレスドライバモジュールが前記実施の形態１と異なる点は、金属板５６に形成されている凹凸の位置関係である。すなわち、前記実施の形態１では、金属板５４のフレキシブル基板５０との接着面とは反対側に凹凸を形成していたが、本実施の形態３では、さらに、金属板５６のフレキシブル基板５０との接着面側にも凹凸を設けている。ただし、前記実施の形態２と同様に、接着領域の外側の領域に凹凸を設けるようにしている。言い換えれば、半導体チップ４０の実装面側に凹凸を設けているということもできる。このため、本実施の形態３では、金属板５６の少なくとも一方向（所定方向、例えば、半導体チップ４０が並んでいる方向）の長さは、フレキシブル基板５０の一方向の長さよりも大きくなっている。 In FIG. 15, the address driver module according to the third embodiment is different from the first embodiment in the positional relationship of the unevenness formed on the metal plate 56. That is, in the first embodiment, the unevenness is formed on the opposite side of the surface of the metal plate 54 that is bonded to the flexible substrate 50, but in the third embodiment, the flexible substrate 50 of the metal plate 56 is further Irregularities are also provided on the bonding surface side. However, as in the second embodiment, irregularities are provided in the region outside the adhesion region. In other words, it can be said that unevenness is provided on the mounting surface side of the semiconductor chip 40. For this reason, in the third embodiment, the length of at least one direction of the metal plate 56 (predetermined direction, for example, the direction in which the semiconductor chips 40 are arranged) is larger than the length of the flexible substrate 50 in one direction. Yes.

本実施の形態３によれば、金属板５６の両面に凹凸を設けることにより、金属板５６の表面積を大きくすることができるので、前記実施の形態１や前記実施の形態２に比べてさらに放熱特性の向上を図ることができる。 According to the third embodiment, since the surface area of the metal plate 56 can be increased by providing irregularities on both surfaces of the metal plate 56, heat dissipation is further achieved as compared with the first embodiment and the second embodiment. The characteristics can be improved.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

上述したフレキシブル基板上には、特に図示はしていないが、半導体チップ以外の抵抗やコンデンサなどの電気部品が搭載されていても適用可能である。 Although not specifically illustrated, the above-described flexible substrate is applicable even when an electrical component other than a semiconductor chip such as a resistor or a capacitor is mounted.

本発明は、半導体装置を製造する製造業あるいはプラズマディスプレイ装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。 The present invention can be widely used in manufacturing industries for manufacturing semiconductor devices or manufacturing industries for manufacturing plasma display devices.

本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の縦方向を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the vertical direction of the plasma display apparatus in Embodiment 1 of this invention. プラズマディスプレイパネルの単位発光領域を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the unit light emission area | region of a plasma display panel. プラズマディスプレイ装置のＰＤＰと駆動回路の主要構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main structures of PDP and a drive circuit of a plasma display apparatus. アドレスドライバである半導体チップを示す上面図である。It is a top view which shows the semiconductor chip which is an address driver. 実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを半導体チップ塔載側から見た平面図である。FIG. 3 is a plan view of the address driver module according to the first embodiment when viewed from the semiconductor chip tower side. 実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを半導体チップ塔載面とは反対側から見た平面図である。FIG. 3 is a plan view of the address driver module according to the first embodiment when viewed from the side opposite to the semiconductor chip tower mounting surface. 実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールを示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the address driver module in the first embodiment. 実施の形態１におけるアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the address driver module in the first embodiment. FIG. 図８に続くアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the address driver module following FIG. 8. 図９に続くアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the address driver module following FIG. 9. 図１０に続くアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the address driver module following FIG. 10. 図１１に続くアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the address driver module following FIG. 11. 図１２に続くアドレスドライバモジュールの製造工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the address driver module following FIG. 12. 実施の形態２におけるアドレスドライバモジュールを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an address driver module in a second embodiment. 実施の形態３におけるアドレスドライバモジュールを示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing an address driver module in a third embodiment. 本発明者らが検討したアドレスドライバモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the address driver module which the present inventors examined.

Explanation of symbols

１シャーシ部構造体
２台
３接着剤
４背面ガラス基板
５前面ガラス基板
６ａ〜６ｃ蛍光体
１０ＰＤＰ
１２アドレス電極
１３誘電体層
１４隔壁
１６透明電極
１７ＢＵＳ電極
１８誘電体層
１９保護層
２０前面基板
２１背面基板
２２表示セル
２３アドレスドライバ回路
２４走査ドライバ回路
２５Ｙ共通ドライバ回路
２６Ｘ共通ドライバ回路
２７制御回路
２８表示データ制御部
２９走査ドライバ制御部
３０共通ドライバ制御部
３１フレームメモリ
４０半導体チップ
４１ボンディングパッド
４２ボンディングパッド
５０フレキシブル基板
５１開口部
５２ワイヤ
５３樹脂
５４金属板
５５金属板
５６金属板
１００フレキシブル基板
１０１開口部
１０２半導体チップ
１０３ワイヤ
１０４樹脂
１０５金属板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chassis part structure 2 units | sets 3 Adhesive 4 Back glass substrate 5 Front glass substrate 6a-6c Phosphor 10 PDP
12 Address electrode 13 Dielectric layer 14 Partition 16 Transparent electrode 17 BUS electrode 18 Dielectric layer 19 Protective layer 20 Front substrate 21 Rear substrate 22 Display cell 23 Address driver circuit 24 Scan driver circuit 25 Y common driver circuit 26 X common driver circuit 27 Control circuit 28 Display data control unit 29 Scan driver control unit 30 Common driver control unit 31 Frame memory 40 Semiconductor chip 41 Bonding pad 42 Bonding pad 50 Flexible substrate 51 Opening portion 52 Wire 53 Resin 54 Metal plate 55 Metal plate 56 Metal plate 100 Flexible Substrate 101 Opening 102 Semiconductor chip 103 Wire 104 Resin 105 Metal plate

Claims

(A) a semiconductor chip;
(B) a wiring board on which the semiconductor chip is mounted in the opening;
(C) a metal plate that is formed on the back surface of the wiring board opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, and is in direct contact with the semiconductor chip;
An unevenness is formed on the metal plate.

The semiconductor device according to claim 1,
Irregularities are formed on the surface of the metal plate opposite to the contact surface with the wiring board.

The semiconductor device according to claim 1,
The length of the predetermined direction of the metal plate is longer than the length of the predetermined direction of the wiring board,
An unevenness is formed in a region of the metal plate on the contact surface side with the wiring board and outside the wiring board.

The semiconductor device according to claim 1,
The length of the predetermined direction of the metal plate is longer than the length of the predetermined direction of the wiring board,
Concavities and convexities are present on both the surface of the metal plate opposite to the contact surface with the wiring substrate and the surface of the metal plate on the contact surface side of the wiring substrate and on the outside of the wiring substrate. A semiconductor device formed.

(A) a plasma display panel comprising a plurality of address electrodes;
(B) a plasma display device comprising an address driver module for controlling a voltage applied to the plurality of address electrodes,
The address driver module is
(B1) a semiconductor chip serving as an address driver;
(B2) a wiring board on which the semiconductor chip is mounted in the opening;
(B3) a metal plate that is formed on the back surface of the wiring board opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, and that is in direct contact with the semiconductor chip;
An unevenness is formed on the metal plate.

The plasma display device according to claim 5, wherein
A plasma display device characterized in that a direction of a groove corresponding to a concave and convex portion formed on the metal plate is matched or substantially matched with a direction of air flow in the plasma display device.