JP2008214189A - シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ルツボの外面に非晶質のシリカ粉末を主成分とするバインダー層2と非晶質のシリカ砂からなるスタッコ層3が交互に任意回数積層されて外層部が形成され、この外層部が、600〜1200℃で0.5〜12時間加熱保持して焼成され、結晶質のシリカ同士が焼結により拡散結合した成形体とされていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
1b 外側面
2 バインダー層
3 スタッコ層
4 石英ルツボ部
4a 平坦面
7 シリカ砂
8 凸部
10 カーボン製外ルツボ
10a 内面
15 シリコン溶融用ルツボ
15a 底面部
15b 側面部
16 カーボン製部材
17 発熱体
21 チャンバー
22 ルツボ
23 発熱体
24 シリコン単結晶引上装置
30 軸
32 溶融シリコン
40 種結晶
41 シリコン単結晶
A 一酸化炭素ガスの流れ
B アルゴンガスの流れ
Claims (3)
- 石英ルツボの外面に非晶質のシリカ粉末を主成分とするバインダー層と非晶質のシリカ砂からなるスタッコ層が交互に任意回数積層されて外層部が形成され、この外層部が、600〜1200℃で0.5〜12時間加熱保持して焼成され、結晶質のシリカ同士が焼結により拡散結合した成形体とされていることを特徴とするシリコン溶融用ルツボ。
- 請求項1に記載のシリコン溶融用ルツボを具備することを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
- 請求項1に記載のシリコン溶融用ルツボと、該ルツボの半径方向外方を開放状態としてその底面部を支持するカーボン製部材とを具備することを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
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-
2008
- 2008-06-16 JP JP2008157020A patent/JP4985554B2/ja not_active Expired - Lifetime
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