JP2008204944A - イオン注入装置の改良 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、イオン注入装置を通るイオンビームのパスに近接する表面を有するイオン注入装置のコンポーネントに関する。
【解決手段】かかる表面は堆積され易く、本発明は、堆積した材料の剥離に関連する問題に対処する。イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定している表面を有するイオン注入装置コンポーネントが提供される。その表面の少なくとも一部は粗面化されている。表面の一部は粗面化されて、表面の近接部分の配向における大幅な変更により、少なくとも一部画定された表面フィーチャーが提供されている。
【選択図】図1
【解決手段】かかる表面は堆積され易く、本発明は、堆積した材料の剥離に関連する問題に対処する。イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定している表面を有するイオン注入装置コンポーネントが提供される。その表面の少なくとも一部は粗面化されている。表面の一部は粗面化されて、表面の近接部分の配向における大幅な変更により、少なくとも一部画定された表面フィーチャーが提供されている。
【選択図】図1
Description
本発明はイオン注入装置におけるコンポーネントに関し、コンポーネントはイオン注入装置を通るイオンビームのパスに近接した表面を有している。かかる表面は、堆積され易く、本発明は、堆積した材料の剥離に関連する問題に対処する。
イオン注入装置は、半導体装置及びその他材料の製造に用いられている。かかるイオン注入装置において、半導体ウェハ又はその他基板は、所望の種をウェハ本体に注入することにより修正されて、例えば、異なる導電性の領域を形成する。
イオン注入装置は周知であり、通常、次のような一般設計に従っている。イオン源は、通常、ホットプラズマが生成されるアークチャンバを含む。プラズマは、注入される所望の種のイオンを含有している。
引出しレンズアセンブリは、電界を生成し、イオン源からイオンを引き出し、イオンの混合ビームを形成する。特定種のイオンのみが、ウェハ又はその他基板における注入に、通常、必要とされる。例えば、半導体ウェハにおける注入のための特定のドーパントである。必要なイオンは、混合イオンビームから選択される。これは、質量分解スリットに不随して質量分析磁石を用いることによりイオン源から発生する。質量分析磁石及びそれに関連したイオン光学について、適切な動作パラメータを設定することにより、必要なイオン種のみを含有しているイオンビームが、質量分解スリットから発生する。
このイオンビームは、プロセスチャンバに搬送され、そこで、イオンビームは、基板ホルダーによりイオンビームパスの適所に保持された基板上に入射する。従って、イオンは、イオン源で生成され、イオンビームパスに沿って、プロセスチャンバに搬送される。
上述した動作に加えて、更なる手順を実施してもよい。例えば、低エネルギー注入を実施するのが一般的であるが、これには、動きの遅いイオンビームが、空間電荷ブローアップを受け易いという点で関連の問題がある。従って、イオンは、イオン源から引き出されると、加速されて、高エネルギーでイオンビームパスに沿って移動することが多い。イオンビームは、ウェハでの注入前に減速レンズアセンブリを通過する。更に、その他のイオン光学をイオンビームパスに沿って含めて、イオンビームを導いて成形し、イオンビームからの電流の喪失を防ぐ。プラズマフラッドシステム等のその他のコンポーネントを、イオンビームパスに沿って配置してもよい。
イオン注入装置の様々な部品は、コントローラ、典型的には熟練した人、プログラムされたコンピュータ等の管理下で動作する。この一般的なタイプのイオン注入装置のより詳細な説明については、米国特許第4,754,200号にある。
イオン注入装置の通常動作中、イオン注入装置内の様々なコンポーネントに堆積する材料が生成される。この材料は数多くの源から生じる。例えば、注入される種やイオンビームに取り込まれた汚染物質等、材料の中にはイオンビームから失われるものがある。堆積材料の他の主たる源は、注入される半導体ウェハに提供されるフォトレジストカバーである。ウェハに当たるイオンビームにより生成される熱によって、炭素、水素及び炭化水素が脱ガスされて、表面に堆積する。汚染物質のその他の源は、イオンビームパスを囲むイオン注入装置コンポーネントからの材料である。イオンビームがかかるコンポーネントに当たると、材料がその表面からスパッタされて、イオン注入装置内の他の表面にただ付くだけとなる。イオンビームパスを囲んでいる表面は、典型的にはグラファイトでできているため、堆積した材料の主たる成分はグラファイトである。
明らかに、イオンビームに近接した表面は、堆積物を最も受けやすい。堆積した材料の量が蓄積すると、堆積物が剥離して、フレーク又は粒子を形成する機会が増える。これらのフレーク又は粒子は、元の表面から離れることが多く、イオンビームに取り込まれる。従って、フレーク又は粒子はウェハに達し、そこで、汚染物質となって、半導体材料を損傷する恐れがある。
背景技術に対して、本発明の第1の態様は、イオン注入装置コンポーネントであって、イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有し、表面の少なくとも一部が粗面化されているイオン注入装置コンポーネントにある。
これは、イオン注入装置内では平滑な表面を利用するという定説に反するものである。特に、電圧を伝えるコンポーネントは平滑であると、良好な電界特性が確保され、電圧が大きい場合のアーク放電の機会が最少になる。他のコンポーネントは、一般に、その表面を粗面化するのに後の処理なしで形成され、通常、平滑化プロセスもそれに適用される。しかしながら、表面の粗面化は、堆積した材料については有利であることが知見されている。表面の粗面化は、材料の堆積を防ぐものではないが、連続した広い表面がなければ、剥離やフレーク形成を許すだけの十分に大きな堆積物の蓄積が阻止される。加えて、粗面化は、堆積物を捕捉したり、材料が表面から離れるのを防止する補助となる。
コンポーネントの中には、他のものよりも表面粗面化から利点が得られるものがある。例えば、コンポーネントの中には、イオンビームに定期的に囲まれるものがある。イオンビームに定期的に囲まれるこれらのコンポーネント部分には、堆積物の大量の蓄積が観察される傾向がない。これは、恐らく、イオンビームが、形成された堆積物をスパッタオフするか、熱サイクルのいずれかにより、これらの表面を清浄にする役割を果たすためと考えられる。しかしながら、直接イオンビームに当たらなかったり、たまにしかイオンビームに当たらないその他のコンポーネントは、表面粗面化による利点がある。更に、イオンビームに定期的に囲まれるが、イオンビームがコンポーネントに当たる領域から離れたコンポーネントの領域もまた粗面化による利点がある。
表面を粗面化すると、表面フィーチャーのパターン、例えば、表面フィーチャーの規則パターンが得られる。表面フィーチャーは、表面の近接部分の配向における大幅な変更により、少なくとも一部画定される。特に、表面フィーチャーは、鋭角をなす近接面により、少なくとも一部画定される。
様々な表面フィーチャー又は表面パターニングを形成してよい。例えば、表面に溝の列を形成することにより、粗面化してもよい。溝の深さの好ましい範囲は、0.1mm〜10mm、0.25mm〜7.5mm及び0.5mm〜5mmである。任意で、表面に並んだ溝の列を与えてもよい。並んだ溝は、規則的な間隔が開いていてよい。これらの溝のピッチの好ましい範囲は、0.1mm〜10mm、0.25mm〜7.5mm及び0.5mm〜5mmである。
溝が表面に形成される場合、表面の平面と断面の両方において様々な形状を採ってよい。例えば、溝は鎖状であっても、湾曲していたり、捩られていてもよい。断面に関しては、v形、u形、鋸歯溝及び箱状トレンチは、全て現在考えられるものである。
任意で、表面は、交差溝を2列以上形成することにより、粗面化してもよい。第1列と第2列の溝を、第1列と第2列を直交させて形成してもよい。溝がv形の場合には、四面体の配列が形成される。
任意で、表面は、交差溝を2列以上形成することにより、粗面化してもよい。第1列と第2列の溝を、第1列と第2列を直交させて形成してもよい。溝がv形の場合には、四面体の配列が形成される。
本発明の第2の態様は、イオン注入装置コンポーネントであって、イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、表面が切子面を有していて、端部で分離された複数の面を提供している、イオン注入装置コンポーネントにある。
本発明の第3の態様は、イオン注入装置コンポーネントであって、イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、表面の少なくとも一部が、0.5mm〜5mmの深さ及び0.5mm〜5mmのピッチを備えた表面フィーチャーを含むパターンで型押しされている、イオン注入装置コンポーネントにある。
本発明の第3の態様は、イオン注入装置コンポーネントであって、イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、表面の少なくとも一部が、0.5mm〜5mmの深さ及び0.5mm〜5mmのピッチを備えた表面フィーチャーを含むパターンで型押しされている、イオン注入装置コンポーネントにある。
本発明はまた、上述したコンポーネントのいずれかを含むイオン注入装置にも係る。
本発明の第4の態様は、イオン注入装置コンポーネントを製造する方法であって、イオン注入装置コンポーネントが、イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定するための表面を有しており、方法が、表面の少なくとも一部を粗面化する工程を含む方法にある。粗面化を実施して、上述したコンポーネントのいずれかを製造してよい。
本発明の第5の態様は、イオン注入装置を通るイオンビームパスを画定している表面に蓄積した堆積物の剥離を防ぐ方法であって、上述したコンポーネントのいずれかをイオン注入装置に提供する工程を含む方法にある。
本発明の内容を説明するために、例示の用途を図1に示す。ただし、これは本発明の用途の単なる一例に過ぎず、決して限定されるものではないものと考えられる。
図1に、本発明に従って使用される、半導体ウェハ12にイオンを注入するためのイオン注入装置10を示す。イオン注入装置10は、バルブ24を通してポンピングされる真空チャンバ15を含む。イオンは、イオン源14により生成され、引出しレンズアセンブリ26により引き出されて、イオンビーム34が形成される。本実施形態において、このイオンビーム34は、イオン注入装置10を通して、操縦及び成形されて、イオンビーム34が、質量分析ステージ30を通過する。所望の質量のイオンが選択されて、質量分解スリット32を通過して、イオンビームパス34に沿って、半導体ウェハ12に向かって、前方へ搬送される。半導体ウェハ12に達する前に、イオンは、減速レンズアセンブリ48により減速され、プラズマフラッドシステム49を通過する。これは、イオンビーム34を中和する作用をする。
イオン源14は、所望種のイオンビームを生成する。イオン源14は、通常、その一端に配置されたカソード20を有するアークチャンバ16を含む。イオン源14が動作すると、アークチャンバ16の壁18により、アノードが提供される。カソード20は十分に加熱されて、熱電子を生成する。カソード20により放出される熱電子は、アノードに、この場合は、近接するチャンバ壁18に引き付けられる。熱電子は、アークチャンバ16を横断する際に、ガス分子をイオン化し、これによって、プラズマが形成され、所望のイオンが生成される。
熱電子が従うパスを制御して、電子が、チャンバ壁18までの最短パスに単に従わないようにしてもよい。磁石アセンブリ46は、アークチャンバ16を通して延びる磁場を与えて、熱電子が、アークチャンバ16の長さに沿って、アークチャンバ16の反対端部に位置する対向カソード44に向かって螺旋パスに従うようにする。
ガス供給部22は、アークチャンバ16に、注入すべき種か、前駆体ガス種のいずれかを供給する。アークチャンバ16は、真空チャンバ15内で減圧で保持される。アークチャンバ16を移動する熱電子は、アークチャンバ16に存在するガス分子をイオン化して、分子も破壊する。プラズマ中に作成されたイオンはまた、微量の汚染イオン、例えば、通常、グラファイトであるチャンバ壁の材料から生成されるようなものも含有している。
アークチャンバ16内からのイオンは、負にバイアスのかかった(接地に対して)引き出し電極26を用いて、アークチャンバ16の前プレート27に設けられた出口アパーチャ28を通して引き出される。電源21により、イオン源14と、続く質量分析ステージ30との間に、電位差が形成されて、引き出されたイオンが加速され、イオン源14及び分析ステージ30が、絶縁体(図示せず)により互いに電気的に分離されるようにする。
引き出されたイオンの混合物が、質量分析ステージ30を通過すると、混合物が、磁場の影響下で湾曲パスを通過する。イオンが移動した曲率半径は、その質量、充填状態及びエネルギーにより決まる。磁場を制御して、設定ビームエネルギーについて、所望の質量対充填比のエネルギーのイオンのみが、質量分解スリット32と一致するパスに沿って出る。すると、イオンビーム34は、ターゲットに、すなわち、注入される基板ウェハ12に、又は、ウェハ12がターゲット位置にない時は、ビームトップ38に搬送される。ウェハ12又はビームトップ38に達する前に、イオンは、減速レンズアセンブリ48を用いて減速される。減速レンズアセンブリ48は、質量分析ステージ30と、ターゲット位置の上流の間に位置している。減速レンズアセンブリ48の次には、プラズマフラッドシステム49がある。これは、動作すると、半導体ウェハ12が利用できる電子のフラッドが生成され、入射正イオンの影響を中和する。
半導体ウェハ12は、ウェハホルダー36上に据付けられ、ウェハ12は、ウェハホルダー36に連続的に搬送され、連続注入がなされる。或いは、平行処理を行って、多くのウェハ12を回転台36の上に配置し、ウェハが代わる代わるイオンビームに瞬間的に当たるように回転させてもよい。
好適にプログラムされるコンピュータを含むコントローラは50で示されている。コントローラ50は、イオン注入装置10の動作を管理するためのソフトウェアを備えている。
通常、イオン注入装置10には、グラファイトやフォトレジスト等の材料が堆積し易い。特に、イオンビームパス34に近い表面では材料の堆積が特に見られ、後に砕けてこの表面からなくなる材料は、イオンビームに取り込まれやすい。上述した通り、堆積した材料が過剰に蓄積すると、剥離につながって、フレークが剥がれて、イオンビームに取り込まれる。これらフレークのサイズは様々であり、さらに細かくなると、大量の微小粒子(サブマイクロメートル)となる。これらの粒子は、半導体ウェハ12に堆積して貼り付く。この問題を軽減するためには、特定の表面に修正を行って、微粒子の堆積を防ぐとよい。当然、材料の堆積の防ぐのは難しいが、後に剥離する傾向のある材料が広い面積に形成されるのを防ぐ対策を講じるとよい。
特に、イオン注入装置10内のコンポーネントに粗面化された表面を与えるとよい。かかる表面を粗面化すると、しないよりも表面積が広くなるのを防ぎ、材料蓄積による大きなフレークも防ぐ。電気的に受動的な表面が、かかる処理には特に好適である。電気的に能動的な表面、特に、高電圧が流れるような表面は、粗面化が電気的特性に悪影響を及ぼすため、かかる処理がし難い。例えば、高電圧が流れる表面の粗面化によって、アーク放電のリスクが増大する。
粗面化に特に好適と考えられる表面としては、飛行管の表面、アパーチャプレートの裏側の表面、質量分解スリット32を含む質量分析器30、プラズマフラッドシステム49、及び高電圧を流さない減速レンズ電極アセンブリ48の電極が挙げられる。
表面粗面化の多くの形態を用いて、フレーク形成を防いでよい。以下にいくつかの好ましい実施形態を説明する。
図2a〜2cに、本発明の第1の実施形態により用いてよい表面パターニングを示す。粗面化された表面202を備えた、イオン注入装置10内のコンポーネント200の一部を図2a〜2cに示す。表面202は、並んだ隣接する鎖状v形溝204の列を有しており、連続した鋭利な頂部206と鋭利な底部208を形成している。溝204のサイズは、図2bに示す深さとピッチに夫々対応する寸法AとBにより表される。これらの寸法は、様々な値を採ることができ、全て同じである必要はない。A又はBの典型的な値は、0.5mm〜5mmの範囲である。
図2a〜2cに、本発明の第1の実施形態により用いてよい表面パターニングを示す。粗面化された表面202を備えた、イオン注入装置10内のコンポーネント200の一部を図2a〜2cに示す。表面202は、並んだ隣接する鎖状v形溝204の列を有しており、連続した鋭利な頂部206と鋭利な底部208を形成している。溝204のサイズは、図2bに示す深さとピッチに夫々対応する寸法AとBにより表される。これらの寸法は、様々な値を採ることができ、全て同じである必要はない。A又はBの典型的な値は、0.5mm〜5mmの範囲である。
図3a〜3cに、本発明の第2の実施形態を示す。ここでも、イオン注入装置10内のコンポーネント30の一部が示されており、粗面化された表面302を備えている。表面302も溝304の列を有している。溝304の側部が、図2a〜2cの実施形態と同じ角度とする必要がないことを示すために、図3aから3cの溝304は、直立側と傾斜側とを有している。この構成だと、図3bの側面図で最もよく分かる通り、鋸刃形状となる。溝304は、深さとピッチに対応する寸法AとBにより表される。図2a〜2cの実施形態に関して、0.5mm〜5mmの典型的なサイズが好適である。
図2a〜2c及び図3a〜3cに示す実施形態は、鋭利な頂部206及び306を形成するべく近接した溝204及び304を有しているが、溝は分離されていてもよい。こうすると、近接する溝204、304間で平らな部分ができる。平らな部分は、例えば、0.5mm〜5mmといった小さな幅として、フレーク形成を防止しなければならない。平らな部分404により分離された溝404を有する粗面化された表面402の一例を、図4a〜4cに示す。これらの図面において、コンポーネント400は、平行なトレンチ404の列の形態の溝404を備えている。トレンチ404は、平らな底部404と垂直な側部410とを有する。典型的な深さAは0.5mm〜5mm、平らな頂部406と平らな底部408についての典型的な幅Bも0.5mm〜5mmである。
図5a〜5cに、本発明の第4の実施形態を示す。コンポーネント500は、溝付きチャネル504の列を含む粗面化された表面502を備えている。図5bに最も良く示されている通り、略u形のチャネル504が、平らな部分506により分離されている。上記したことから明らかなように、溝付きチャネル504は隣接していて、鋭利な頂部506を形成している。各溝付きチャネル504により画定される角度は、図5a及び5bでは180°未満で示されている。
図2〜5の実施形態は全て、並んだ溝204、304、404及び504を示している。しかしながら、溝の交差配列も用いて、表面202、302、402及び502を粗面化してもよい。例えば、並んだ溝204、304、404、504の2つの配列を、互いに交差するような角度で形成してもよい。図6a〜6cに、かかる構成を示す。表面602は、第1列と第2列のv形溝604を形成することにより、粗面化されている。各列の溝604は、平行な隣接した溝604を有しており、底部608の列を形成している。2列は直角となるように配列されていて、交差底部608は、頂部606となる部分を切り取っており、四面体612の規則配列を形成している。
表面202、302、402、502及び602に形成された頂部のあるパターンとは、堆積物が、剥離してフレークを形成するのに十分なサイズまで蓄積するような広い平らな領域がないことを意味している。従って、堆積が続いても、大きなフレークが、後に、表面202、302、402、502及び602から剥がれることはない。実際、パターン化された表面202、302、402、502及び602は、例えば、イオンビーム34の入射や熱サイクルの実施により剥がれるような堆積した材料を極めて良好に保持する。
表面202、302、402、502及び602は、様々なやり方で粗面化してよい。パターンの形成方法は、表面202、302、402、502及び602自身の材料に応じて異なる。例えば、金属表面を機械加工して、必要なパターンを形成したり、プレスしてパターンを形成してよい。機械加工としては、サンディングやグラインディングが挙げられる。グラファイト等のその他の材料については、アブレーション、スパッタリング又はエッチング等のその他の技術を用いてもよい(グラファイト部品は、通常、金属部品と同様に機械加工される)。
当業者であれば分かる通り、特許請求の範囲により定義される本発明の範囲から逸脱することなく、上記実施形態を修正してもよい。
例えば、上記実施形態では全て、鎖状溝の列が表面に形成されている。しかしながら、溝は鎖状である必要はない。例えば、溝は湾曲していたり、捻られていてもよい。更に、溝は全て同じ形状であったり、全て同じサイズである必要はない。
例えば、上記実施形態では全て、鎖状溝の列が表面に形成されている。しかしながら、溝は鎖状である必要はない。例えば、溝は湾曲していたり、捻られていてもよい。更に、溝は全て同じ形状であったり、全て同じサイズである必要はない。
本発明をより良く理解するために、添付図面を参照して、好ましい実施形態を説明する。
イオン注入装置の概略図である。
本発明の第1の実施形態によるコンポーネントの、v形溝のある粗面化された表面の斜視図である。
図2aのv形溝の断面図である。
図2aに示す表面の平面図である。
本発明の第2の実施形態によるコンポーネントの、鋸刃形溝のある粗面化された表面の斜視図である。
図3aの鋸刃形溝の断面図である。
図3aに示す表面の平面図である。
本発明の第3の実施形態によるコンポーネントの、トレンチのある粗面化された表面の斜視図である。
図4aのトレンチの断面図である。
図4aに示す表面の平面図である。
本発明の第4の実施形態によるコンポーネントの、溝付きチャネルのある粗面化された表面の斜視図である。
図5aの溝付きチャネルの断面図である。
図5aに示す表面の平面図である。
本発明の第5の実施形態によるコンポーネントの、交差するv形溝があって、四面体を形成している粗面化された表面の斜視図である。
図6aの交差するv形溝の断面図である。
図6aに示す表面の平面図である。
Claims (18)
- イオン注入装置コンポーネントにおいて、前記イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、前記表面の少なくとも一部が粗面化されているイオン注入装置コンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、表面フィーチャーのパターンが提供されている請求項1記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、表面フィーチャーの規則パターンが提供されている請求項2記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、前記表面の近接する部分の配向における大幅な変更により、少なくとも一部画定された表面フィーチャーが提供されている請求項2又は3記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、鋭角の角度を成す近接する面により、少なくとも一部画定された表面フィーチャーを提供している請求項4記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、溝の列を提供している先行する請求項のいずれか1項記載のコンポーネント。
- 前記溝の深さが、0.1mm〜10mm、0.25mm〜7.5mm又は0.5mm〜5mmの範囲である請求項6記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されていて、並んだ溝の列を提供している請求項6又は7記載のコンポーネント。
- 前記列が、0.1mm〜10mm、0.25mm〜7.5mm又は0.5mm〜5mmの範囲の規則的な間隔を備えた溝を含む請求項8記載のコンポーネント。
- 前記溝が、v形、u形、鋸刃又は箱状トレンチの断面形状のうちいずれかを有する請求項6〜9のいずれか1項記載のコンポーネント。
- 前記表面の一部が粗面化されて、少なくとも2つの交差列の溝を提供している請求項6〜10のいずれか1項記載のコンポーネント。
- 前記第1の列及び第2の列が、直交して配置されている請求項11記載のコンポーネント。
- 前記第1及び第2の列が、交差して四面体の配列を形成するv形溝を含む請求項12記載のコンポーネント。
- イオン注入装置コンポーネントにおいて、前記イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、前記表面が切子面を有していて、端部で分離された複数の面を提供しているイオン注入装置コンポーネント。
- イオン注入装置コンポーネントにおいて、前記イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定する表面を有しており、前記表面の少なくとも一部が、0.5mm〜5mmの深さ及び0.5mm〜5mmのピッチを備えた表面フィーチャーを含むパターンで型押しされているイオン注入装置コンポーネント。
- 先行する請求項のいずれか1項記載のコンポーネントを含むイオン注入装置。
- イオン注入装置コンポーネントを製造する方法において、前記イオン注入装置コンポーネントが、前記イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定するための表面を有しており、前記方法が前記表面の少なくとも一部を粗面化する工程を含む方法。
- イオン注入装置を通るイオンビームパスを画定している表面に蓄積した堆積物の剥離を防ぐ方法において、請求項1〜15のいずれか1項に記載のコンポーネントを前記イオン注入装置に提供する工程を含む方法。
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