JP2008201647A - Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶 - Google Patents
Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板8を保持するためのサセプタ6の表面6aに対向する対向面11aとサセプタの周囲を覆うように配置された側面11bとによって区画される成長室19を形成し、対向面11a、側面11b、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを成長室19に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板8上へのIII族窒化物結晶の成長時に対向面11aの温度および側面11bの温度をそれぞれサセプタ6の表面6aに保持された基板8の温度よりも高くする。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 基板を保持するためのサセプタの表面に対向する対向面と前記サセプタの周囲を覆うように配置された側面とによって区画される成長室を形成し、
前記対向面、前記側面、および前記対向面と前記側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを前記成長室に導入し、
前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に前記対向面の温度および前記側面の温度をそれぞれ前記サセプタの表面に保持された基板の温度よりも高くすることを特徴とする、III族窒化物結晶の成長方法。 - 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、前記対向面の温度および前記側面の温度をそれぞれIII族窒化物結晶が成長しない温度にすることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、前記対向面の温度および前記側面の温度をそれぞれ1200℃以上にすることを特徴とする、請求項1または2に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、前記基板を冷却することを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記基板をIII族窒化物結晶が成長する温度まで冷却することを特徴とする、請求項4に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記サセプタを透光性の材質で形成することによって前記基板を前記サセプタ側から冷却することを特徴とする、請求項4または5に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記サセプタの表面をIII族窒化物結晶が成長しない温度に加熱することを特徴とする、請求項6に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、前記サセプタのうち前記基板によって被覆されていない部分にガスを吹き付けることを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、前記基板上に成長したIII族窒化物結晶の側面にガスを吹き付けることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 請求項1から9のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の成長方法で成長させたことを特徴とする、III族窒化物結晶。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010269968A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置 |
JP2013058741A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Hitachi Cable Ltd | 金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレート |
JP2013060340A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Tokuyama Corp | ハイドライド気相エピタキシー装置およびアルミニウム系iii族窒化物単結晶を製造する方法 |
JP2016189429A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 大陽日酸株式会社 | 高温加熱装置、気相成長装置、及び気相成長方法 |
KR20200001511A (ko) | 2018-06-26 | 2020-01-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 |
US11414747B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-16 | Tokyo Electron Limited | Sputtering device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261026A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Sharp Corp | Iii−v族化合物半導体製造装置及びiii−v族化合物半導体の製造方法 |
JP2006282504A (ja) * | 2001-04-12 | 2006-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法 |
JP2006321705A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Mie Univ | AlN単結晶膜の作製方法 |
JP2007042841A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | ハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法 |
JP2007042843A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | Al含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびAl含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにAl含有窒化物半導体基板 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261026A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Sharp Corp | Iii−v族化合物半導体製造装置及びiii−v族化合物半導体の製造方法 |
JP2006282504A (ja) * | 2001-04-12 | 2006-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法 |
JP2006321705A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Mie Univ | AlN単結晶膜の作製方法 |
JP2007042841A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | ハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法 |
JP2007042843A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | Al含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびAl含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにAl含有窒化物半導体基板 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010269968A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置 |
JP2013058741A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Hitachi Cable Ltd | 金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレート |
JP2013060340A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Tokuyama Corp | ハイドライド気相エピタキシー装置およびアルミニウム系iii族窒化物単結晶を製造する方法 |
JP2016189429A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 大陽日酸株式会社 | 高温加熱装置、気相成長装置、及び気相成長方法 |
KR20200001511A (ko) | 2018-06-26 | 2020-01-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 |
US11414747B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-16 | Tokyo Electron Limited | Sputtering device |
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