JP2008198375A - スイッチングモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】モジュールサイズの小型化(薄型化)を図るとともに、クリックバネと電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキがなく、信頼性の高いスイッチングモジュールを提供すること。
【解決手段】本発明に係るスイッチングモジュール1は、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板10と、前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記磁気センサと重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネ3と、前記クリックバネが押圧を受けた際に、前記磁気センサへ近づく該クリックバネの部分に配された磁性体4と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係るスイッチングモジュール1は、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板10と、前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記磁気センサと重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネ3と、前記クリックバネが押圧を受けた際に、前記磁気センサへ近づく該クリックバネの部分に配された磁性体4と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチングモジュールに関する。
従来、携帯電話やノートパソコンなどの電子機器に使用される薄型のスイッチ入力装置として、メンブレンスイッチが知られている。このメンブレンスイッチは、一般的に、下部電極が設けられた下部電極シートと、前記下部電極に対応する上部電極が設けられた上部電極シートと、前記下部電極シートと前記上部電極シートとの間に介装されたスペーサとにより構成されている。また、スイッチを押したときのクリック感を得るために、前記上部電極の上方又は下部電極と上部電極との間にメタルドーム等のクリック板を配設することもある。
このように、従来のメンブレンスイッチは、電気的接触の有無によりON/OFF操作がなされるものであり、その信頼性や、クリックバネと電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキが問題となっている。また、この問題を解決するため、特許文献1に示されるように、キー部分に磁石を設置し、検出部に磁気センサを設置することで非接点化を目指したスイッチングモジュールもあるが、基板上に磁気センサを設置しているため、モジュールサイズ(特に高さ)に問題がある。
特開2005−158569号公報
本発明はこのような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、モジュールサイズの小型化(薄型化)を図るとともに、クリックバネと電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキがなく、信頼性の高いスイッチングモジュールを提供することを目的とする。
本発明の請求項1に記載のスイッチングモジュールは、磁気センサを内在するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記磁気センサと重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネと、前記クリックバネが押圧を受けた際に、前記磁気センサへ近づく該クリックバネの部分に配された磁性体と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
本発明の請求項2に記載のスイッチングモジュールは、請求項1において、前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記クリックバネを囲むように配されたスペーサと、前記クリックバネを覆うとともに、前記スペーサ上に配されたシート体と、をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のスイッチングモジュールは、請求項1又は2において、前記磁気センサは、外部へアナログ信号を出力することを特徴とする。
本発明の請求項2に記載のスイッチングモジュールは、請求項1において、前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記クリックバネを囲むように配されたスペーサと、前記クリックバネを覆うとともに、前記スペーサ上に配されたシート体と、をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のスイッチングモジュールは、請求項1又は2において、前記磁気センサは、外部へアナログ信号を出力することを特徴とする。
本発明のスイッチングモジュールでは、クリックバネが押圧されると、クリックバネに取り付けられた磁性体が磁気センサに近づく方向に移動し、これに伴って変化する磁界を磁気センサで検知することにより入力操作を検知するため、クリックバネと基板との間に接点が必要ない。このように接点基板が存在しないため、従来のように、クリックバネと電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキがなく、高い信頼性を有するスイッチングモジュールを提供することができる。また、本発明のスイッチングモジュールでは、磁気センサをフレキシブル基板内に内在させることで、モジュールサイズの小型化(薄型化)も同時に図ることができる。
以下、本発明に係るスイッチングモジュールの一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明のスイッチングモジュールの一例を示す断面図であり、図2はスイッチ(クリックバネ)が押下された状態を示す断面図である。
本発明のスイッチングモジュール1は、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板(フレキシブルプリント配線板)10と、前記フレキシブル基板10の一面上に配されたスイッチ部7とから構成される。
スイッチ部7は、フレキシブル基板10の一面上に配された支持基板12と、前記フレキシブル基板10の一面上にあって、支持基板12を介して前記磁気センサ2と重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネ3と、前記クリックバネ3が押圧を受けた際に、前記磁気センサ2へ近づく該クリックバネ3の部分に配された磁性体4と、前記フレキシブル基板10の一面上にあって、前記クリックバネ3を囲むように配されたスペーサ5と、前記クリックバネ3を覆うとともに、前記スペーサ5上に配されたシート体6と、から構成される。
本発明のスイッチングモジュール1は、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板(フレキシブルプリント配線板)10と、前記フレキシブル基板10の一面上に配されたスイッチ部7とから構成される。
スイッチ部7は、フレキシブル基板10の一面上に配された支持基板12と、前記フレキシブル基板10の一面上にあって、支持基板12を介して前記磁気センサ2と重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネ3と、前記クリックバネ3が押圧を受けた際に、前記磁気センサ2へ近づく該クリックバネ3の部分に配された磁性体4と、前記フレキシブル基板10の一面上にあって、前記クリックバネ3を囲むように配されたスペーサ5と、前記クリックバネ3を覆うとともに、前記スペーサ5上に配されたシート体6と、から構成される。
本発明のスイッチングモジュール1では、図2に示すように、クリックバネ3が押圧されると、クリックバネ3に取り付けられた磁性体4が磁気センサ2に近づく方向に移動し、これに伴って変化する磁界を磁気センサ2で検知することにより入力操作を検知するため、クリックバネ3とフレキシブル基板10との間に電気的接点が必要ない。このように接点基板が存在しないため、従来のように、クリックバネ3と電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキがなく、高い信頼性を有するスイッチングモジュールを提供することができる。
フレキシブル基板(フレキシブルプリント配線板)10は、柔軟性を持ったプリント基板のことで、FPC(Flexible Printed Circuits)とも呼ばれる。
ここで本実施形態のフレキシブル基板10は、多層構造をなし、支持基板12上に設置された磁気センサ2上に、予め個別に作製された配線つき基板14を積層し一括で多層化することにより構成されている。
磁気センサ2をなす軟磁性体膜と、配線付き基材14とは、それぞれの層間導通用パッドが導電性ペーストからなる貫通電極15によって接続されており、再配線層を構成している。
ここで本実施形態のフレキシブル基板10は、多層構造をなし、支持基板12上に設置された磁気センサ2上に、予め個別に作製された配線つき基板14を積層し一括で多層化することにより構成されている。
磁気センサ2をなす軟磁性体膜と、配線付き基材14とは、それぞれの層間導通用パッドが導電性ペーストからなる貫通電極15によって接続されており、再配線層を構成している。
磁気センサ2は、例えば後述するような方法により、フレキシブル基板10中に内在される(埋め込まれる)。これにより、モジュールサイズの小型化(薄型化)を図ることができる。
前記フレキシブル基板10の一面(支持基板12側)上に、入力操作キーとしてクリックバネ3が配置されている。クリックバネ3は、前記磁気センサ2と重なる位置に配され、上方に凸形状(ド―ム状)をなす。クリックバネ3は、下面に磁性体4が組み込まれ、クリックバネ3が押下されることにより、磁気センサ2に近接する。
クリックバネ3は、一定の操作感(クリック感)を得るためにステンレス等の金属板からなる。
クリックバネ3は、一定の操作感(クリック感)を得るためにステンレス等の金属板からなる。
クリックバネ3が押圧を受けた際に、前記磁気センサ2へ近づく該クリックバネ3の部分に、磁性体4が配されている。
磁性体4は、フェライト系、サマリウム・コバルト系、ネオジウム系などが挙げられるが、磁気センサ2から検出可能な磁束密度が得られるように、その大きさを含め設定されることが好ましい。磁気センサ2がホールセンサの場合、感磁方向は、チップと垂直方向のため、磁性体4は図1に対して90度回転させたほうが好ましい。
磁性体4は、フェライト系、サマリウム・コバルト系、ネオジウム系などが挙げられるが、磁気センサ2から検出可能な磁束密度が得られるように、その大きさを含め設定されることが好ましい。磁気センサ2がホールセンサの場合、感磁方向は、チップと垂直方向のため、磁性体4は図1に対して90度回転させたほうが好ましい。
磁気センサ2は、磁性体4の移動に基づく磁界の変化を検知することによってON/OFFを出力するセンサであり、例えば、軟磁性体膜からなるMR(磁気抵抗)センサ等が挙げられる。MRセンサは、チップ表面方向の磁界を検知するため、磁性体4は磁気センサ2と平行方向に着磁されていることが好ましい。
磁気センサ2はフレキシブル基板10に内在され(埋め込まれ)ている。
磁気センサ2と外部との接続はフレキシブル基板10を用いているため、接点は外部で取り出すことが可能であり、スイッチ内に接続部を持たない。
磁気センサ2はフレキシブル基板10に内在され(埋め込まれ)ている。
磁気センサ2と外部との接続はフレキシブル基板10を用いているため、接点は外部で取り出すことが可能であり、スイッチ内に接続部を持たない。
ここで、図3は、前記磁気センサ2を含んで構成される磁気センサモジュールの一例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。
磁気センサモジュール30は、図3(b)に示すように、非磁性基板31と、非磁性基板31の一面上に配された絶縁層32と、絶縁層32の一面上に配された磁気センサ(軟磁性体膜)2と、磁気センサ2の端部に配され、導電体からなる端子部a〜dと、から構成される。、
また、スイッチ部7において、磁性体4を有しているため、磁気センサモジュール30において、硬磁性膜の形成は不要である。
磁気センサモジュール30は、図3(b)に示すように、非磁性基板31と、非磁性基板31の一面上に配された絶縁層32と、絶縁層32の一面上に配された磁気センサ(軟磁性体膜)2と、磁気センサ2の端部に配され、導電体からなる端子部a〜dと、から構成される。、
また、スイッチ部7において、磁性体4を有しているため、磁気センサモジュール30において、硬磁性膜の形成は不要である。
磁気センサ(軟磁性体膜)2は、図3(a)に示すように、メアンダ形状にパターン形成される。
ここで本実施形態の磁気センサ(軟磁性体膜)2は、例えば4つのパターンブロックを有し、互いに隣り合うブロックのパターン形成方向が、それぞれ直交するように形成されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
ここで本実施形態の磁気センサ(軟磁性体膜)2は、例えば4つのパターンブロックを有し、互いに隣り合うブロックのパターン形成方向が、それぞれ直交するように形成されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
端子部a〜dは、磁気センサ2の端部であって、隣り合うパターンブロックを接続する部分にそれぞれ配され、フレキシブル基板10側の導電層(銅箔18)及び貫通電極15を通して外部と電気的に接続される。
そして、図3(a)において端子部a−端子部b間で電源をとった場合には、端子部c−端子部d間で電圧測定を行うことにより磁界の変化を検知する。また、端子部c−端子部d間で電源をとった場合には、端子部a−端子部b間で電圧測定を行うことにより磁界の変化を検知する。
そして、図3(a)において端子部a−端子部b間で電源をとった場合には、端子部c−端子部d間で電圧測定を行うことにより磁界の変化を検知する。また、端子部c−端子部d間で電源をとった場合には、端子部a−端子部b間で電圧測定を行うことにより磁界の変化を検知する。
スペーサ5において、積層したときに磁気センサ2と重なる部位には、予め、磁気センサ2の面積よりもやや大きな開口部5aが形成してある。これにより、クリックバネ3の横方向の移動を防止できる。
スペーサ5の材料としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)などの樹脂や金属などが用いられる。
スペーサ5の材料としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)などの樹脂や金属などが用いられる。
シート体6は、クリックバネ3を覆うとともに、前記スペーサ5上に配される。このシート体6により、クリックバネ3は、移動しないようにフレキシブル基板10に固定される。
シート体6は、例えばポリエステル系フィルムからなるシート基材と、一面に形成された粘着層とからなり、粘着層をスペーサ5に対向させて貼り合わせられる。
シート体6は、例えばポリエステル系フィルムからなるシート基材と、一面に形成された粘着層とからなり、粘着層をスペーサ5に対向させて貼り合わせられる。
このような構造を有するスイッチングモジュール1では、図2に示すように、入力操作キーの押下に伴って磁性体4が磁気センサ2に近づく方向に移動することによって、磁界の変化が生じる。磁気センサ2がある磁界より大きいときにON出力、小さいときにOFF出力をするように設定しておくことにより、ON/OFFの動作を検出することが可能となる。
また、前記磁気センサ2は、磁界の大きさに比例して外部へアナログ信号を出力することが好ましい。磁気センサ2が磁界の大きさに比例してアナログ信号を出力することで、押圧の強さを測定することも可能となる。
このようなスイッチ構造を有する本発明のスイッチングモジュール1では、クリックバネ3が押されると、クリックバネ3に取り付けられた磁性体4が磁気センサ2に近づく方向に移動し、これに伴って変化する磁界を磁気センサ2で検知することにより入力操作を検知するため、クリックバネ3とフレキシブル基板10との間に接点が必要ない。このように、このスイッチングモジュール1では接点基板が存在しないため、従来のように、クリックバネ3と電極部との位置ズレによるスイッチング圧力のバラツキがなく、高い信頼性を確保することが可能である。また、磁気センサ2が、フレキシブル基板10中に内在されることより、モジュールサイズの小型化(薄型化)も同時に図ることができる。
つぎに、このようなスイッチングモジュール1の製造方法について説明する。
まず、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板10の製造方法について説明する。なお、スイッチングモジュール1およびフレキシブル基板10の製造方法は、これに限定されるものではない。
まず、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板10の製造方法について説明する。なお、スイッチングモジュール1およびフレキシブル基板10の製造方法は、これに限定されるものではない。
図4は、フレキシブル基板の製造方法における各工程(前半の工程)を示す断面図である。
以下、図4を用いて、このフレキシブル基板の製造方法について説明する。
〔1〕
図4(a)に示すように、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層17の片面に導電層となる銅箔18が設けてある片面銅張板(以下、CCL(copper clad Laminate)という。)に、フォトリソグラフィーによりエッチングレジストを形成した後に、塩化第二鉄を主成分とするエッチャントを用いて、化学エッチングにより、図4(b)に示すように、回路パターンを形成する。
図4(a)に示すように、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層17の片面に導電層となる銅箔18が設けてある片面銅張板(以下、CCL(copper clad Laminate)という。)に、フォトリソグラフィーによりエッチングレジストを形成した後に、塩化第二鉄を主成分とするエッチャントを用いて、化学エッチングにより、図4(b)に示すように、回路パターンを形成する。
CCLとしては、25μm厚のポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層17に、12μm厚の銅箔18が張り合わされているものを使用した。なお、このCCLには、銅箔18にポリイミドワニスを塗布してワニスを硬化させた、いわゆるキャスティング法により作製されたCCLを使用することもできる。また、ポリイミド樹脂フィルム上にシード層をスパッタし、めっきにより銅を成長させたCCLや、圧延または電解銅箔とポリイミド樹脂フィルムとを接着材によって貼りあわせたCCLを使用することができる。
また、絶縁層17は、必ずしもポリイミド樹脂フィルムでなくともよく、液晶ポリマーなどのプラスチックフィルムを使用することもできる。また、銅のエッチャントは、塩化第二鉄を主成分とするものに限らず、塩化第二銅を主成分とするエッチャントを用いてもよい。
〔2〕
図4(c)に示すように、〔1〕の工程を経たCCLの、回路パターンとは反対側の面に、層間接着材19及び樹脂フィルム20を加熱圧着により貼り合わせる。層間接着材19には、25μm厚のエポキシ系熱硬化性フィルム接着材を使用し、樹脂フィルム20には、25μm厚のポリイミドフィルムを使用した。加熱圧着には真空ラミネータを用い、減圧下の雰囲気中にて、層間接着材19の硬化温度以下の温度において、0.3MPaの圧力でプレスして貼りあわせた。絶縁層17及び層間接着材19は、接着性を有する絶縁基材を構成する。なお、絶縁層17として、熱可塑性を有する樹脂または半硬化状態の熱硬化樹脂からなる接着性を有するものを用いれば、層間接着材19を貼り合わせる必要はない。
図4(c)に示すように、〔1〕の工程を経たCCLの、回路パターンとは反対側の面に、層間接着材19及び樹脂フィルム20を加熱圧着により貼り合わせる。層間接着材19には、25μm厚のエポキシ系熱硬化性フィルム接着材を使用し、樹脂フィルム20には、25μm厚のポリイミドフィルムを使用した。加熱圧着には真空ラミネータを用い、減圧下の雰囲気中にて、層間接着材19の硬化温度以下の温度において、0.3MPaの圧力でプレスして貼りあわせた。絶縁層17及び層間接着材19は、接着性を有する絶縁基材を構成する。なお、絶縁層17として、熱可塑性を有する樹脂または半硬化状態の熱硬化樹脂からなる接着性を有するものを用いれば、層間接着材19を貼り合わせる必要はない。
ここで使用する層間接着材19は、エポキシ系の熱硬化性フィルム接着材に限定されることはなく、アクリル系などの接着材も使用できるし、熱可塑性ポリイミドなどに代表される熱可塑性接着材であってもよい。また、層間接着材19は、必ずしもフィルム状でなくともよく、ワニス状の樹脂を塗布して用いてもよい。樹脂フィルム20は、ポリイミドの他に、ポリエチレンテレフタレート(PET)や、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのプラスチックフィルムを使用することも可能であり、また、UV(紫外線)照射によって接着や剥離が可能なフィルムを使用することもできる。
〔3〕
次に、図4(d)に示すように、前述の絶縁層17、層間接着材19及び樹脂フィルム20に、YAGレーザを用いて、直径100μmのビアホール21を成形するとともに、銅箔18には、直径30μm程度の小孔22を開口する。そして、CF4 及びO2 混合ガスによるプラズマデスミア処理を施した後に、図4(e)に示すように、スクリーン印刷法により、ビアホール21及び小孔22に導電性ペーストを充填して貫通電極15とし、樹脂フィルム20を剥離する。このとき、印刷充填した導電性ペーストからなる貫通電極15の先端は、剥離した樹脂フィルム20の厚さ分だけ、層間接着材19の表面より突出し、突起を形成している。
次に、図4(d)に示すように、前述の絶縁層17、層間接着材19及び樹脂フィルム20に、YAGレーザを用いて、直径100μmのビアホール21を成形するとともに、銅箔18には、直径30μm程度の小孔22を開口する。そして、CF4 及びO2 混合ガスによるプラズマデスミア処理を施した後に、図4(e)に示すように、スクリーン印刷法により、ビアホール21及び小孔22に導電性ペーストを充填して貫通電極15とし、樹脂フィルム20を剥離する。このとき、印刷充填した導電性ペーストからなる貫通電極15の先端は、剥離した樹脂フィルム20の厚さ分だけ、層間接着材19の表面より突出し、突起を形成している。
なお、ビアホール21及び小孔22の形成のために使用するレーザは、YAGレーザの他に、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを使用することもできる。また、ドリル加工や化学的なエッチングによって、ビアホール21及び小孔22を形成してもよい。プラズマデスミア処理は、使用するガスの種類が、CF4 及びO2 の混合ガスに限定されることはなく、Arなど、その他の不活性ガスを使用することもできる。また、ドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理でもよい。貫通電極15をなす導電性ペーストは、本実施形態では、ニッケル、銀、銅から選択される少なくとも1種類の低電気抵抗の金属粒子と、錫、ビスマス、インジウム、鉛から選択される少なくとも1種類の低融点金属粒子とを含み、エポキシ樹脂を主成分とするバインダ成分を混合したペーストを用いた。
〔4〕
図5は、磁気センサモジュール30をなす磁気センサチップの作製例を示す断面図である。
図5は、磁気センサモジュール30をなす磁気センサチップの作製例を示す断面図である。
次に、図5を用いて磁気センサチップの作製例を示す。図5(a)に示すように、ダイシング前の非磁性基板31の一面上に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなる絶縁層32を形成する。なお、絶縁層32の形成は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより行うことができる。
次に、図5(b)に示すように、絶縁層32上に、磁気センサ2となる軟磁性膜、及び、端子部a〜dを形成する。ブロービングにより検査を行った後、図5(c)に示すように、ダイシングによってチップを個片化する。
〔5〕
そして、図4(f)に示すように、〔3〕の工程で作製した基材に、〔4〕の工程で作製した磁気センサチップを半導体チップ用マウンタで位置合わせして、層間接着材19及び貫通電極15をなす導電性ペーストの硬化温度以下で加熱し、仮留めを行う。
そして、図4(f)に示すように、〔3〕の工程で作製した基材に、〔4〕の工程で作製した磁気センサチップを半導体チップ用マウンタで位置合わせして、層間接着材19及び貫通電極15をなす導電性ペーストの硬化温度以下で加熱し、仮留めを行う。
〔6〕
図6は、フレキシブル基板の製造法における各工程(後半の工程)を示す断面図である。
図6は、フレキシブル基板の製造法における各工程(後半の工程)を示す断面図である。
次に、図6に示すように、〔5〕の工程で形成した基材の回路パターン(銅箔18)が形成された側に、前述の〔1〕乃至〔3〕の工程と同様の工程により作製された配線付き基材14を、図示しないパターンを用いて位置合わせし、また、回路パターン(銅箔18)が形成された側の反対側には、40μm厚の樹脂フィルム16の片面に25μm厚の接着材1が張り合わされたスペーサー28を配置し、さらに、磁気センサ2の下層側には、磁気センサ2を介して配線付き基材14に対向する支持基板12として、100μm厚の銅箔を配置して積層させた。
スペーサー28において、積層したときに磁気センサ2と重なる部位には、予め、磁気センサ2の面積よりもやや大きな開口部が形成してある。なお、スペーサの材料は、樹脂フィルム16については〔1〕の工程で作製した基材の絶縁層17と同じ樹脂を使用することが望ましいが、他の樹脂や金属などを使用してもよい。接着材17は、〔2〕の工程で作製した基材の層間接着材19と同じ材料を使用することが望ましいが、他の材料を使用することも可能である。
支持基板12は、銅箔に限定されることはなく、他の金属板や樹脂板を使用することができる。
支持基板12は、銅箔に限定されることはなく、他の金属板や樹脂板を使用することができる。
以上のようにして、磁気センサ2を内在するフレキシブル基板10が作製される。
そして、フレキシブル基板10の一面上(支持基板12側)であって、前記磁気センサ2と重なる位置にクリックバネ3および磁性体4を配する。また、クリックバネ3の周囲にスペーサ5を配するとともに、クリックバネ3及びスペーサ5上を覆うようにシート体6を配することにより、図1に示すようなスイッチングモジュール1が得られる。
以上、本発明のスイッチングモジュールについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
本発明は、スイッチングモジュールに適用可能である。
1 スイッチングモジュール、2 磁気センサ、3 クリックバネ、4 磁性体、5 スペーサ、6 シート体、10 フレキシブル基板。
Claims (3)
- 磁気センサを内在するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記磁気センサと重なる位置に配され、上方に凸形状をなすクリックバネと、
前記クリックバネが押圧を受けた際に、前記磁気センサへ近づく該クリックバネの部分に配された磁性体と、を少なくとも備えたことを特徴とするスイッチングモジュール。 - 前記フレキシブル基板の一面上にあって、前記クリックバネを囲むように配されたスペーサと、
前記クリックバネを覆うとともに、前記スペーサ上に配されたシート体と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のスイッチングモジュール。 - 前記磁気センサは、外部へアナログ信号を出力することを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチングモジュール。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104681337A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-03 | 珠海市智迪科技有限公司 | 一种按键及鼠标 |
WO2018133131A1 (zh) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 深圳市煌兆铭科技有限公司 | 键盘开关和键盘 |
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2007
- 2007-02-08 JP JP2007029295A patent/JP2008198375A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN104681337A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-03 | 珠海市智迪科技有限公司 | 一种按键及鼠标 |
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