JP2008187100A - 残留光除去構造、これを用いた光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器 - Google Patents

Abstract

【課題】光増幅システムにおいて希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去するための残留光除去構造の提供。
【解決手段】希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおける希土類添加光ファイバの出射端側に設けられ、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去する構造であって、希土類添加光ファイバの出射端に接続される光ファイバの保護被覆の周囲に、残留光透過物質が設けられ、該残留光透過物質の外周に残留光吸収物質が設けられ、且つ該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられたことを特徴とする残留光除去構造。
【選択図】図３

Description

本発明は、光ファイバレーザや光ファイバ増幅器などの希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおいて、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去するための残留光除去構造、該除去構造を用いた光ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器に関する。

レーザ光は、加工機や医療機器、測定器など様々な分野で利用されるようになってきた。加工機の分野においては、レーザが集光性に優れ、パワー密度の高い小さなビームスポットが得られるため、精密加工が可能なこと、また、非接触加工であり、かつレーザ光の吸収可能な硬い物質への加工も可能であることなどから、急速に用途が拡大している。
特に、希土類添加光ファイバをレーザ媒質とした光ファイバレーザは、従来の固体レーザに比べ、高効率であり、装置がコンパクトにでき、レーザ発振媒質と伝播媒質とを兼用できる、といった特徴を有している。近年では、特にファイバレーザの高出力が急速に進み、１ｋＷを超えるような高出力のファイバレーザが報告されるようになってきている。

光ファイバレーザでこのような非常に高い出力を実現するためには、希土類添加光ファイバに多くの励起光を投入しなければならない。通常、希土類添加光ファイバを用いたファイバレーザにおいて、励起光からレーザ出力への変換効率は、高くても５０％程度であるため、レーザ出力の倍以上の励起光を投入しなければならない。すなわち、上述のｋＷ級のファイバレーザでは、投入される励起光もｋＷ級となる。しかし、通常の希土類添加光ファイバレーザのように、コアに励起光を投入するコア励起を行う場合は、コア直径が数μｍ〜１０μｍと極小であるため、多くの励起光を投入するのは難しい。そこで、光ファイバレーザを構成する際には、ダブルクラッド構造の光ファイバを用いたクラッド励起方式がよく用いられる。ダブルクラッド構造の光ファイバは、クラッドが第１クラッドと第２クラッドの２層構造になっており、第１クラッドはコアに対するクラッドとして働くだけでなく、第１クラッド自身も第２クラッドをクラッドとしてコアの働きもする。第１クラッドは通常１００μｍ以上の直径を有するので、比較的容易に多くの励起光を投入することが可能となる。

第１クラッドに励起光を投入する手段としては、主に希土類添加ダブルクラッドファイバの端面から励起光を入射する方法と、希土類添加ダブルクラッドファイバの側面から励起光を入射する方法に大別される。
希土類添加ダブルクラッドファイバの端面から励起光を入射する方法としては、特許文献１に開示されているような光結合器を用いる方法がある。ここに開示されている光結合器を使用した光ファイバレーザの構成例を図１に示す。
この光ファイバレーザ１００において、光結合器１０３は、マルチモード光ファイバからなる６つの励起ポート１０２とシングルモードファイバからなる１つの信号ポート１１２とを有し、これらを溶融延伸して一体化することにより形成された１つの出射ポート１０４を有している。各励起ポート１０２には励起光源１０１が接続されており、励起光源１０１から出射された励起光は出射ポート１０４から出射される。また、信号ポート１１２には信号光源１１１が接続されており、信号光源１１１から出射された信号光は出射ポート１０４から出射される。
この光結合器１０３の出射ポート１０４の直径が、希土類添加ダブルクラッドファイバ１０５の第１クラッドの直径と同じかそれ以下であり、かつ出射ポートのＮＡ（開口数）が、希土類添加ダブルクラッドファイバ１０５の第１クラッドのＮＡより小さければ、入射側融着接続部１０６を介して出射ポート１０４から出射される励起光を低損失で希土類添加ダブルクラッドファイバ１０５の第１クラッドへと入射することが可能となる。

このようにして、希土類添加ダブルクラッドファイバの第１クラッドに投入された励起光は、第１クラッド内を伝播しながらコアを横切る際に、コアに添加された希土類イオンに吸収される。励起光を吸収して励起状態にある希土類イオンは、信号光源から入射された信号光によって誘導放出を起こし、信号光を増幅する。増幅された信号光は出射側融着接続部１０７を介して大口径シングルモード光ファイバ１０８に入射し、レーザ光として出力される。
米国特許第５８６４６４４号明細書

しかし、第１クラッドに投入された励起光は、その全てがコアに添加された希土類イオンに吸収されるのでなく、投入した励起光の１０％程度は吸収されずに出射端から漏れ出してくる。
この漏れだした励起光は、大口径シングルモード光ファイバのクラッドに入射する。また、希土類添加ダブルクラッド光ファイバの第１クラッドからは、コアを伝播する信号光の増幅には寄与しなかったＡＳＥ光も漏れ出し、同様に大口径シングルモード光ファイバのクラッドに入射する。さらに、出射側融着接続部のコアにおいては接続損失が発生し、この損失分は希土類添加ダブルクラッド光ファイバのコアから大口径シングルモードファイバのコアには結合せず、やはり大口径シングルモード光ファイバのクラッドに入射する。特に、高出力ファイバレーザでは、わずかな接続損失であっても相当量のレーザ光が大口径シングルモードファイバのクラッドに漏れ出す。

ここで、希土類添加ダブルクラッドファイバ１０５と大口径シングルモードファイバ１０８の接続部、すなわち出射側融着接続部の一般的な構造と融着部を通過する光の様子を図２に示す。
希土類添加ダブルクラッドファイバは、上述のようにクラッド部分が２層構造をなしている。一般的な希土類添加ダブルクラッドファイバは、第１クラッド１０５２が純粋石英からなり、その外側にポリマー樹脂を塗布することで第２クラッド１０５３とされる。希土類添加ダブルクラッドファイバと他の光ファイバを融着接続する場合には、まず、保護被覆１０５４および第２クラッド１０５３を除去して第１クラッド１０５２が露出した状態とし、光ファイバクリーバでコアの軸方向に対してクリーブ面が垂直になるように端面出しを行う。同様に、大口径シングルモードファイバ１０８も、保護被覆１０８３を除去してクラッド１０８２を露出した状態としてクリーブを行う。その後、融着接続機にて放電加熱あるいは炭酸ガスレーザを照射するなどして加熱し、両ファイバの端面が溶解したところで、ファイバ端面同士を接続させて融着接続する。融着接続部１０７１は、石英ガラスがむき出しの状態で壊れやすいために、接着剤１０７２を使用して融着部保護管１０７３に固定される。

このような接続を行った場合、希土類添加光ファイバ１０５の第１クラッドに伝播してくる残留励起光およびＡＳＥ光などの残留光は、図中の符号１１１１で示したような経路をたどりながら伝播する。希土類添加光ファイバの第２クラッドによって第１クラッド１０５２に閉じ込められて伝播してきた残留光は、第２クラッド１０５３が除去されても、周囲が空気であるため外部に漏れ出すことなく、第１クラッド内をそのまま伝播する。さらに、融着接続部１０７１を通過し、大口径シングルモードファイバに入射しても、保護被覆１０８３が除去されている部分では、クラッド１０８２内を外部に漏れ出すことなく伝播し、保護被覆１０８３のある部分まで伝播すると、クラッド１０８２の屈折率よりも保護被覆１０８３の屈折率が高いために、第１クラッド１０８２から保護被覆１０８３へと漏れ出す。
一方、希土類添加光ファイバ１０５のコア１０５１に閉じ込められて伝播してきたレーザ光（増幅光）は、図中の符号１１１２のような経路をたどりながら伝播し、融着接続部１０７１を通過する際に、大部分は大口径シングルモードファイバ１０８のコア１０８１に結合し、１１１２ａとしてコア１０８１内を伝播するが、接続損失に相当する量のレーザ光は１１１２ｂとしてクラッド１０８２内を伝播する。クラッドに漏れ出したレーザ光１１１２ｂは、保護被覆１０８３が除去されている部分ではクラッド１０８２内を外部に漏れ出すことなく伝播し、保護被覆１０８３のある部分まで伝播すると、クラッド１０８２の屈折率よりも保護被覆１０８３の屈折率が高いために第１クラッド１０８２から保護被覆１０８３へと漏れ出す。保護被覆へと漏れ出した光１１１１，１１１２ｂが接着剤１０７２まで到達すると、その一部は接着剤１０７２へと漏れだし（１１１１ａ、１１１２ｃ）、吸収されて熱に変わる。接着剤１０７２へと漏れ出した残りは、保護被覆１０８３内を残留光（１１１１ｂ，１１１１ｄ）としてそのまま伝播する。
このような現象は、希土類添加ダブルクラッドファイバと融着されるファイバの口径にかかわらず発生する。また、シングルモードファイバではなく、数個の高次モードが伝播しうるマルチモードファイバが使用される場合にも同様に生じる現象である。

近年の高出力ファイバレーザの場合には、希土類添加ダブルクラッドファイバに投入される励起光パワーが数１０Ｗからキロワットに及ぶこともあり、残留励起光パワーは数Ｗから数１００Ｗに及ぶ場合がある。一方、レーザ出力も数１０Ｗからキロワットに及ぶことがあるので、わずかな接続損失であっても数１０Ｗのレーザ光が漏れ出す場合もある。このような高強度の光が大口径シングルモードファイバ１０８の保護被覆１０８３に入射すると、保護被覆が焼損する場合がある。特に、保護被覆１０８３と保護被覆除去部の境界は、保護被覆除去時にごみが付着したり、保護被覆カスが残る場合が多く出火しやすい。したがって融着接続部１０７内で保護被覆が燃えないように対策がとられる場合があるが、十分な対策方法はない。したがって、融着接続部１０７の出射側に漏れ出して保護被覆を伝播する残留光を完全になくすことは非常に難しく、数Ｗ以上に達する残留光が保護被覆を伝播することがある。
そのような高強度の光が伝播している部分では、保護被覆が焼損したり、保護被覆へのゴミの付着や光ファイバレーザ内の他部品の接触が原因で出火してしまう問題があった。

本発明は、前記事情に鑑みてなされ、光ファイバレーザや光ファイバ増幅器などの光増幅システムにおいて希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去するための残留光除去構造の提供を目的とする。

前記目的を達成するため、本発明は、希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおける希土類添加光ファイバの出射端側に設けられ、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去する構造であって、
希土類添加光ファイバの出射端に接続される光ファイバの保護被覆の周囲に、残留光透過物質が設けられ、該残留光透過物質の外周に残留光吸収物質が設けられ、且つ該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられたことを特徴とする残留光除去構造を提供する。

また本発明は、希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおける希土類添加光ファイバの出射端側に設けられ、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去する構造であって、
希土類添加光ファイバの出射端に接続される光ファイバの保護被覆の周囲に、希土類添加光ファイバの出射端側から順に、
高耐熱樹脂が残留光透過物質として設けられ、該高耐熱樹脂の外周にファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長の光を吸収する残留光吸収物質が設けられ、該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられた第１の残留光除去構造と、
ファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長における屈折率が保護被覆の屈折率よりも高い残留光透過物質が設けられ、該残留光透過物質の外周にファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長の光を吸収する残留光吸収物質が設けられ、該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられた第２の残留光除去構造とが設けられたことを特徴とする残留光除去構造を提供する。

また本発明は、前述した本発明に係る残留光除去構造を有する光ファイバレーザ、及び光ファイバ増幅器を提供する。

本発明の残留光除去構造によれば、光ファイバレーザや光ファイバ増幅器などの光増幅システムにおいて希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を確実に除去することができ、残留光による保護被覆の焼損などの不具合を防ぎ、光増幅システムの安全性を高めることができる。

通常、融着接続部が光ファイバレーザ内に収納された状態では、大口径シングルモードファイバは空中に浮いており、保護被覆の周囲には空気のみが存在する。一般的に保護被覆の屈折率がおよそ１．５であるのに対して、空気中の屈折率は１であるから、残留光は保護被覆と空気の境界面で全反射を繰り返しながら伝播することになる。大口径シングルモードファイバは、いつかはファイバレーザ内の筐体やゴミ、他部品に接触するが、そこではじめて残留光が保護被覆外部に漏れ出し、接触したものが残留光を吸収して発熱してしまい、その熱に耐えられずに焼損してしまう。

このようなことをなくすためには、残留光自体を無くすことが最も有効であるが、上述のように融着接続部外部に漏れ出してくる残留光自体をなくすことは難しい。
本発明者は、融着接続部から出射側へ数ｃｍの場所で保護被覆の周囲を保護被覆よりも屈折率が高く、かつ残留光波長での透過率が高い残留光透過物質で覆い、さらにその外側に、残留光を吸収し、かつ耐熱性のよい残留光吸収物質を設け、さらに残留光吸収物質で発生した熱を放熱させる放熱部を設けることで構成した残留光除去構造を開発し、これによって残留光を十分に除去できることを実証し、本発明を完成させた。

保護被覆を伝播してきた光は、保護被覆の周囲に保護被覆よりも屈折率の高い物質があると、屈折率の高い側へと漏れ出す。さらにこの物質は、残留光波長での透過率が高いために、漏れ出した残留光は、ほとんど吸収されることなく伝播する。透過率が低い場合には、残留光を吸収して発熱するため、残留光透過物質の耐熱性が低ければ、変質したり焼損することがある。保護被覆と接触している残留光透過物質は、ほとんど残留光を吸収しないので、焼損の原因となる発熱がない。

その後、残留光は、残留光吸収物質へと到達した時点で、熱へと変換される。このとき、残留光吸収物質の表面積は、もともとの保護被覆の表面積よりも大きいため、発生した熱を放熱させやすい。発生した熱は、残留光吸収物質に熱的に接触するように設けられた放熱部によって、空気中へと放熱することができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、以下の実施例は本発明の例示に過ぎず、本発明は以下の実施例の記載にのみ限定されるものではない。

実施例１を図３に示す。本実施例の残留光除去構造３００は、光学樹脂３０１，金属筐体３０２，ヒートシンク３０３からなっている。
金属筐体３０２は、アルミ製で大きさが１５ｍｍ×１５ｍｍ×４０ｍｍで長手方向に５ｍｍ×５ｍｍの穴の開いた筒状の構造をしており、ヒートシンク３０３上に固定されている。その表面は、残留光を吸収するように黒アルマイト処理が施されている。
この穴に、大口径シングルモードファイバを通し、穴の内部には光学樹脂３０１が充填されている。

光学樹脂３０１は、保護被覆から十分に残留光をもたらすために、保護被覆よりも屈折率が高いこと、残留光を吸収して発熱しないように透過性が高いこと、さらに、吸収材料が残留光を吸収して発生する熱に耐えられるように耐熱性のよい材料を用いることが望ましい。本実施例では、耐熱性はさほど高くはないが、屈折率調整の容易なＵＶ硬化タイプのエポキシ系樹脂を使用した。この樹脂は、硬化後の屈折率が１．５５である。

金属筐体の長さが短い場合には、残留光の除去が十分に出来ない場合があるので、１０ｍｍ以上の長さがあることが好ましい。

また、１つの残留光除去構造で残留光を除去し切れなかった場合は、複数の残留光除去構造を使用することで、残留光を除去してもよい。
また、金属筐体、ヒートシンクが個別の部品となっているが、放熱性を向上させるためにヒートシンクを使用せず、金属筐体自体に放熱構造を持たせてもよい。

本実施例では、希土類添加ダブルクラッドファイバとして、コアにＹｂを添加したＹｂ添加ダブルクラッドファイバを用いているので、大口径シングルモードファイバの被覆樹脂には、波長が９００ｎｍ〜１１０ｎｍの光が伝播している。使用した光学樹脂のこの波長域での透過率は、約９０％／ｎｍである。

なお、残留光除去構造を設置する部分は、保護被覆を除去してクラッドの周囲に直接構成してもよい。

このように残留光除去構造３００を構成した上で、図１に示した構成の光ファイバレーザを作製し、大口径シングルモードファイバ１０８の融着接続１０７から５０ｍｍのところに、この残留光除去構造３００を設置し、レーザ出力が３０Ｗとなるように調整し、金属筐体３０２の表面温度を測定した。このときの残留励起光は１０Ｗ、接続損失から算出したコアからの漏れ光は３Ｗであり、合計で１３Ｗの光が大口径シングルモードファイバのクラッドに入射している。

レーザ光が出射されると同時に、金属筐体の温度が上昇したが、出射開始から３０分程度で温度が安定し、その温度は４０℃程度であった。

次に、残留光除去構造を取り外し、取り外した部分の大口径シングルモードファイバの保護被覆表面に黒体塗料を塗布し、同様の測定を行ったところ、レーザ光出射の数秒後 には黒体塗料を塗布した部分から出火した。
すなわち、前記残留光除去構造を設けることで、大口径シングルモードファイバの焼損を防止できることを確認できた。

実施例１の光ファイバレーザにおいて、レーザ出力を１００Ｗとしたところ、金属筐体温度が８０℃となった。通常、エポキシ系樹脂は、ガラス転移温度が５０℃〜１５０℃程度であり、実施例１の構成では、より高強度のレーザ出力では長期的な信頼性は確保できない。
そこで、図４に示すように、残留光除去構造を大口径シングルモードファイバの長手方向に２つ設置した。

２つの残留光除去構造３００，４００は、基本構造は同じであるが、残留光透過材料は異なるものが使用されている。
第１の残留光除去構造３００は、高強度の残留光が漏れ出したことによる発熱に耐え得るように、高耐熱樹脂を使用した。一般的にシリコーン系やフッ素系の樹脂は、耐熱性が高いとされる。本実施例では、シリコーン系樹脂を使用した。第１の残留光除去構造３００の発熱を抑えるために、残留光がすべてシリコーン系樹脂から漏れ出さないよう、屈折率が保護被覆と同程度か若干低めのものを使用する。若干低めの屈折率を持った樹脂を使用することで、保護被覆を伝播してきた残留光のうち、ＮＡの大きい成分のみが第１の残留光除去構造３００で除去され、ＮＡの小さい成分は第１の残留光除去構造３００を通過する。すなわち高耐熱樹脂の屈折率により、全残留光のうち第１の残留光除去構造３００で何％除去するかを制御することができる。

第１の残留光除去構造３００で除去されなかった残留光は、第２の残留光除去構造４００へと入射する。第２の残留光除去構造４００に使用する残留光透過材料は、シリコーン系やフッ素樹脂より低耐熱樹脂で、屈折率調整が容易なエポキシ系あるいはアクリレート系樹脂を使用することができる。第２の残留光除去構造４００をこのように構成することで、実施例１で示したのとと同様に残留光が除去される。

この２つの残留光除去構造３００，４００を設けて、レーザ出力を再度１００Ｗとしたところ、第１の残留光除去構造３００の金属筐体温度は７０℃、第２の残留光除去構造の金属筐体温度は３０℃であった。第１の残留光除去構造３００の金属筐体が１０℃低下したことから、熱的な負担が軽減され、２つの残留光除去構造３００，４００に分担されていることが分かる。さらにどちらの金属筐体温度においても、使用している残留光透過物質の耐熱性はまったく問題ない。
すなわち、残留光除去構造を２つ設けることで、より高出力なファイバレーザの残留光除去が可能であることがわかった。

光ファイバレーザの構造を例示する構成図である。 光ファイバレーザにおける出射側融着接続部の一般的な構造と融着部を通過する光の様子を説明するための概略縦断面図である。 本発明に係る実施例１で作製した残留光除去構造の斜視図である。 本発明に係る実施例２で作製した残留光除去構造の概略構成図である。

符号の説明

１００…光ファイバレーザ、１０１…励起光源、１０２…励起ポート、１０３…光結合器、１０４…出射ポート、１０５…希土類添加ダブルクラッドファイバ、１０６…入射側融着接続部、１０７…出射側融着接続部、１０８…大口径シングルモード光ファイバ、１０５１…コア、１０５２…第１クラッド、１０５３…第２クラッド、１０５４…保護被覆、１０７１…融着接続部、１０７２…接着剤、１０７３…融着部保護管、１０８１…コア、１０８２…クラッド、１０８３…保護被覆、１１１１，１１１１ａ，１１１１ｂ，１１１２ｂ，１１１２ｃ，１１１２ｄ…光（残留光）、１１１２，１１１２ａ…光（増幅光）、３００…残留光除去構造（第１の残留光除去構造）、３０１…光学樹脂（残留光透過物質）、３０２…金属筐体（残留光吸収物質）、３０３…ヒートシンク（放熱部）、４００…第２の残留光除去構造。

Claims (10)

1. 希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおける希土類添加光ファイバの出射端側に設けられ、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去する構造であって、
   希土類添加光ファイバの出射端に接続される光ファイバの保護被覆の周囲に、残留光透過物質が設けられ、該残留光透過物質の外周に残留光吸収物質が設けられ、且つ該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられたことを特徴とする残留光除去構造。
2. 前記光増幅システムの励起波長域又はレーザ波長における前記残留光透過物質の屈折率が、前記保護被覆の屈折率と同じか又は高いことを特徴とする請求項１に記載の残留光除去構造。
3. 前記残留光透過材料に周囲を覆われた保護被覆の一部が除去されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の残留光除去構造。
4. 前記残留光吸収物質が、希土類添加光ファイバの出射端側の接続点及びその近傍部を囲んで設けられた金属筐体の内壁面に設けられ、前記残留光透過物質が前記金属筐体の内部に充填され、この金属筐体の表面積が残留光透過物質で覆われている保護被覆の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の残留光除去構造。
5. 希土類添加光ファイバを用いた光増幅システムにおける希土類添加光ファイバの出射端側に設けられ、希土類添加光ファイバの出射端から出射される増幅光以外の残留光を除去する構造であって、
   希土類添加光ファイバの出射端に接続される光ファイバの保護被覆の周囲に、希土類添加光ファイバの出射端側から順に、
   高耐熱樹脂が残留光透過物質として設けられ、該高耐熱樹脂の外周にファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長の光を吸収する残留光吸収物質が設けられ、該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられた第１の残留光除去構造と、
   ファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長における屈折率が保護被覆の屈折率よりも高い残留光透過物質が設けられ、該残留光透過物質の外周にファイバレーザの励起波長域又はレーザ波長の光を吸収する残留光吸収物質が設けられ、該残留光吸収物質に熱的に接触した放熱部が設けられた第２の残留光除去構造とが設けられたことを特徴とする残留光除去構造。
6. 前記第１の残留光除去構造の高耐熱樹脂の屈折率が保護被覆の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項５に記載の残留光除去構造。
7. 前記残留光透過材料に周囲を覆われた保護被覆の一部が除去されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の残留光除去構造。
8. 前記残留光吸収物質が、希土類添加光ファイバの出射端側の接続点及びその近傍部を囲んで設けられた金属筐体の内壁面に設けられ、前記残留光透過物質が前記金属筐体の内部に充填され、この金属筐体の表面積が残留光透過物質で覆われている保護被覆の面積よりも大きいことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の残留光除去構造。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の残留光除去構造を有する光ファイバレーザ。
10. 請求項１〜８のいずれかに記載の残留光除去構造を有する光ファイバ増幅器。

Images