JP2008187004A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs various processes on a substrate.
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 Conventionally, in order to perform various processes on substrates such as semiconductor wafers, photomask glass substrates, liquid crystal display glass substrates, plasma display glass substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, etc. A substrate processing apparatus is used.
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある(例えば、特許文献1参照)。 There is a substrate processing apparatus that performs a cleaning process by immersing a plurality of substrates in a processing solution stored in a processing tank (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
In the substrate processing apparatus of
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献1の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される。
If pure water adheres to the substrate after the cleaning process, particles are likely to adhere to the substrate. Further, when the pure water adhering to the substrate is naturally dried, a watermark is formed on the substrate. Therefore, in the substrate processing apparatus of
なお、特許文献1において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−70℃である。
ところで、上記の特許文献1では、乾燥処理時に処理槽内から引き上げられる基板周辺の雰囲気の露点分布を均一化するための構成が提案されている。
By the way, in said
このように、処理槽内から引き上げられる基板の乾燥時には、その基板周辺の雰囲気の露点を十分に管理する必要がある。特に、基板にドライエアを供給する場合には、乾燥効率が低下しないように基板周辺の雰囲気の露点を低い状態に保つことが重要である。 As described above, when the substrate pulled up from the processing tank is dried, it is necessary to sufficiently manage the dew point of the atmosphere around the substrate. In particular, when supplying dry air to the substrate, it is important to keep the dew point of the atmosphere around the substrate low so that the drying efficiency does not decrease.
ドライエアの露点を低く保つためには、ドライエアと外気との接触を防止することが好ましい。そこで、基板が引き上げられる処理槽の直上に、ドライエアと外気とを遮断するための筒状の閉塞部材を設けることが考えられる。 In order to keep the dew point of dry air low, it is preferable to prevent contact between dry air and outside air. In view of this, it is conceivable to provide a cylindrical blocking member for blocking dry air and outside air immediately above the processing tank in which the substrate is pulled up.
しかしながら、実際には、処理槽に対する基板の搬入および搬出は搬送装置により行われているので、閉塞部材を処理槽上に設けると、閉塞部材と搬送装置とが干渉する。そのため、基板の搬入および搬出時に、閉塞部材を移動させるための機構が必要となる。 However, in practice, since the substrate is carried into and out of the processing tank by the transport device, if the closing member is provided on the processing tank, the closing member and the transport device interfere with each other. Therefore, a mechanism for moving the closing member is required when the substrate is carried in and out.
また、この基板処理装置においては、処理槽内の薬液の劣化防止、および処理槽内の薬液への汚染物の侵入を防止するために、処理槽上に開閉機構を備える上蓋が設けられている。したがって、このような上蓋とともに、閉塞部材を移動させる機構を新たに設けると基板処理装置が大型化する。 Further, in this substrate processing apparatus, an upper lid having an opening / closing mechanism is provided on the processing tank in order to prevent deterioration of the chemical liquid in the processing tank and to prevent contamination from entering the chemical liquid in the processing tank. . Therefore, if a mechanism for moving the closing member is provided together with such an upper lid, the substrate processing apparatus is increased in size.
本発明の目的は、処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持するとともに、大型化が十分に抑制された基板処理装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the dew point of the atmosphere on the processing tank is maintained in a low state and the enlargement is sufficiently suppressed.
(1)本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送機構により搬入される基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させるとともに、処理槽の上方位置において搬送機構との間で基板の受け渡しが可能な基板昇降機構と、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部に対して対向して配置され、基板に供給された気体を排出する気体排出部と、気体供給部による気体の供給路および気体排出部による気体の排出路を除いて処理槽上の空間の周囲および上部を取り囲むように設けられる遮蔽部材と、遮蔽部材の少なくとも上部分を略水平方向の軸の周りで開閉させる開閉機構とを備えたものである。 (1) The substrate processing apparatus which concerns on this invention is a substrate processing apparatus which performs a predetermined process to the board | substrate carried in by the conveyance mechanism which conveys a board | substrate, Comprising: The processing tank which stores a processing liquid, and the process in a processing tank The substrate is raised and lowered between the liquid and the upper position of the processing tank, and the substrate lifting mechanism capable of transferring the substrate to and from the transfer mechanism at the upper position of the processing tank, and the substrate lifting mechanism lifts the substrate from the processing tank. A gas supply unit that supplies a gas to the substrate, a gas discharge unit that is disposed opposite to the gas supply unit and discharges the gas supplied to the substrate, and a gas supply path and a gas discharge unit by the gas supply unit A shielding member provided so as to surround the periphery and upper part of the space on the processing tank except for the gas discharge path, and an opening / closing mechanism for opening and closing at least the upper part of the shielding member around a substantially horizontal axis A.
この発明に係る基板処理装置においては、処理槽上の空間の周囲および上部が、遮蔽部材により取り囲まれている。基板の搬入時には、遮蔽部材の少なくとも上部分が開閉機構により開かれる。その状態で、搬送機構により搬入される基板が処理槽の上方位置で基板昇降機構に渡される。そして、遮蔽部材の少なくとも上部分が開閉機構により閉じられる。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the periphery and upper part of the space on the processing tank are surrounded by the shielding member. When the substrate is carried in, at least the upper part of the shielding member is opened by the opening / closing mechanism. In this state, the substrate carried in by the transport mechanism is transferred to the substrate lifting mechanism at a position above the processing tank. Then, at least the upper part of the shielding member is closed by the opening / closing mechanism.
基板昇降機構は、渡された基板を処理槽の上方位置から処理槽内の処理液中に下降させる。これにより、基板が処理槽内の処理液により処理される。 The substrate lifting mechanism lowers the transferred substrate from the upper position of the processing tank into the processing liquid in the processing tank. Thereby, a board | substrate is processed with the process liquid in a processing tank.
次に、基板昇降機構により基板が処理槽から引き上げられる。気体供給部により処理槽から引き上げられる基板に気体が供給され、基板に供給された気体は、気体排出部により排出される。これにより、基板が乾燥される。 Next, the substrate is lifted from the processing tank by the substrate lifting mechanism. A gas is supplied to the substrate pulled up from the processing tank by the gas supply unit, and the gas supplied to the substrate is discharged by the gas discharge unit. Thereby, the substrate is dried.
この場合、基板の周囲の雰囲気が遮蔽部材により外気から遮断されるので、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇が十分に防止される。その結果、処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。 In this case, since the atmosphere around the substrate is blocked from the outside air by the shielding member, an increase in the dew point due to the outside air entering the atmosphere around the substrate is sufficiently prevented. As a result, the dew point of the atmosphere on the treatment tank can be kept low.
続いて、開閉機構により遮蔽部材の少なくとも上部分が、再び開閉機構により開かれる。この状態で、基板昇降機構により処理槽の上方位置に引き上げられた基板が、搬送機構により受け取られる。 Subsequently, at least the upper part of the shielding member is opened again by the opening / closing mechanism by the opening / closing mechanism. In this state, the substrate pulled up to the upper position of the processing tank by the substrate lifting mechanism is received by the transport mechanism.
上記のように、搬送機構と基板昇降機構との間での基板の受け渡しの際に、遮蔽部材の少なくとも上部分が開くことにより、遮蔽部材の少なくとも上部分が処理槽上の空間の上部から退避され、搬送機構が遮蔽部材と干渉することが防止される。したがって、遮蔽部材を処理槽上から退避させるための移動機構が不要である。 As described above, when the substrate is transferred between the transport mechanism and the substrate lifting mechanism, at least the upper part of the shielding member is opened, so that at least the upper part of the shielding member is retracted from the upper part of the space on the processing tank. This prevents the transport mechanism from interfering with the shielding member. Therefore, a moving mechanism for retracting the shielding member from the processing tank is unnecessary.
また、遮蔽部材の上部分は、略水平方向に平行な軸の周りで開閉するので、遮蔽部材の上部分が水平移動する場合に比べて、基板処理装置の大型化が十分に抑制される。 Moreover, since the upper part of the shielding member opens and closes around an axis substantially parallel to the horizontal direction, the increase in the size of the substrate processing apparatus is sufficiently suppressed as compared with the case where the upper part of the shielding member moves horizontally.
(2)基板処理装置は、処理槽および処理槽の上方位置を取り囲むように設けられる遮蔽ダクトと、遮蔽ダクトの上端部に開閉可能に設けられる蓋部材とをさらに備え、遮蔽部材は、処理槽上の空間の周囲を取り囲むように蓋部材の下面に設けられる周壁部と、蓋部材とを含み、開閉機構は、蓋部材を周壁部とともに略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。 (2) The substrate processing apparatus further includes a processing tank and a shielding duct provided so as to surround the upper position of the processing tank, and a lid member provided at an upper end portion of the shielding duct so as to be openable and closable. The lid member may include a peripheral wall portion provided on the lower surface of the lid member so as to surround the upper space, and the opening / closing mechanism may open and close the lid member together with the peripheral wall portion around a substantially horizontal axis.
この場合、蓋部材が遮蔽ダクトの上端部を閉塞することにより、処理槽および処理槽の上方位置が、遮蔽ダクトおよび蓋部材により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が遮蔽ダクトおよび蓋部材により外気から遮断される。 In this case, the lid member closes the upper end portion of the shielding duct, whereby the processing tank and the upper position of the processing tank are surrounded by the shielding duct and the lid member. Thereby, the atmosphere around the substrate pulled up from the processing tank is blocked from the outside air by the shielding duct and the lid member.
さらに、処理槽上の空間の周囲が、遮蔽ダクトの内側で蓋部材の下面に設けられた周壁部により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が遮蔽ダクトおよび周壁部により外気から遮断されるので、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇がより十分に防止される。その結果、処理槽上の雰囲気の露点をより十分に低い状態に維持することができる。 Furthermore, the periphery of the space on the treatment tank is surrounded by a peripheral wall provided on the lower surface of the lid member inside the shielding duct. Thereby, since the atmosphere around the substrate pulled up from the processing tank is blocked from the outside air by the shielding duct and the peripheral wall portion, an increase in the dew point due to the entry of the outside air into the atmosphere around the substrate is more sufficiently prevented. As a result, the dew point of the atmosphere on the treatment tank can be maintained in a sufficiently lower state.
また、開閉機構は、蓋部材を周壁部とともに略水平方向に平行な軸の周りで開閉させる。これにより、蓋部材および周壁部がともに処理槽上の空間の周囲および上部から退避される。それにより、搬送機構が蓋部材および周壁部と干渉することが防止される。 The opening / closing mechanism opens and closes the lid member around the axis parallel to the substantially horizontal direction together with the peripheral wall portion. Thereby, both a cover member and a surrounding wall part are evacuated from the circumference | surroundings and upper part of the space on a processing tank. This prevents the transport mechanism from interfering with the lid member and the peripheral wall.
さらに、蓋部材および周壁部を処理槽上の空間の周囲および上部から退避させるための移動機構を個別に設ける必要がない。これにより、基板処理装置の大型化がより十分に抑制される。 Furthermore, it is not necessary to provide a moving mechanism for retracting the lid member and the peripheral wall portion from the periphery and the upper part of the space on the processing tank. Thereby, the enlargement of a substrate processing apparatus is suppressed more fully.
(3)遮蔽部材は、処理槽上の空間の周囲を取り囲むように設けられた周壁部と、周壁部の上部開口に略水平方向の軸の周りで開閉可能に設けられた蓋部とを含み、開閉機構は、蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。 (3) The shielding member includes a peripheral wall provided so as to surround the space on the processing tank, and a lid provided in the upper opening of the peripheral wall so as to be opened and closed around a substantially horizontal axis. The opening / closing mechanism may open / close the lid around a substantially horizontal axis.
この場合、蓋部が周壁部の上部開口を閉塞することにより、処理槽上の空間の周囲および上部が、周壁部および蓋部により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が周壁部および蓋部により外気から遮断される。それにより、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇が十分に防止され、処理槽上の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。 In this case, when the lid portion closes the upper opening of the peripheral wall portion, the periphery and the upper portion of the space on the processing tank are surrounded by the peripheral wall portion and the lid portion. Thereby, the atmosphere around the substrate pulled up from the processing tank is blocked from the outside air by the peripheral wall portion and the lid portion. Thereby, an increase in dew point due to the intrusion of outside air into the atmosphere around the substrate can be sufficiently prevented, and the dew point of the atmosphere on the treatment tank can be kept sufficiently low.
また、開閉機構は、蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させる。これにより、蓋部が処理槽上の空間の上部から退避される。それにより、搬送機構が蓋部と干渉することが防止される。 The opening / closing mechanism opens and closes the lid portion around a substantially horizontal axis. Thereby, a cover part is evacuated from the upper part of the space on a processing tank. This prevents the transport mechanism from interfering with the lid.
さらに、遮蔽部材は周壁部および蓋部からなり、構造が単純である。それにより、基板処理装置の製造が容易となる。 Further, the shielding member includes a peripheral wall portion and a lid portion, and the structure is simple. Thereby, manufacture of a substrate processing apparatus becomes easy.
(4)蓋部は、第1の部分および第2の部分に分割され、開閉機構は、第1の部分および第2の部分が互いに外方に開くように、第1の部分および第2の部分をそれぞれ略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。 (4) The lid portion is divided into a first portion and a second portion, and the opening / closing mechanism includes the first portion and the second portion so that the first portion and the second portion open outward. Each portion may be opened and closed about a substantially horizontal axis.
この場合、蓋部の第1の部分および第2の部分が互いに外方に開くことにより、第1の部分および第2の部分が処理槽上の空間の上部から退避される。それにより、蓋部全体が開閉機構により開閉される場合に比べて、第1の部分および第2の部分が開閉するために必要な空間を小さくすることができる。したがって、基板処理装置の大型化がより十分に抑制される。 In this case, the first part and the second part of the lid part are opened outward from each other, whereby the first part and the second part are retracted from the upper part of the space on the processing tank. Thereby, compared with the case where the whole cover part is opened and closed by the opening and closing mechanism, the space required for opening and closing the first part and the second part can be reduced. Therefore, the enlargement of the substrate processing apparatus is more sufficiently suppressed.
(5)気体供給部は、処理槽の一側方に配置され、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へ気体を供給する気体供給ダクトを含んでもよい。 (5) The gas supply unit may include a gas supply duct that is disposed on one side of the processing tank and supplies gas from one side to the other side of the processing tank along the upper end of the processing tank.
この場合、処理槽の一側方に配置される気体供給部から、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へと基板に気体が供給される。それにより、基板に付着した処理液が、処理槽の一側方から他側方に流れる気体により効率的に乾燥される。 In this case, gas is supplied to the substrate from one side along the upper end of the processing tank to the other side of the processing tank from the gas supply unit arranged on one side of the processing tank. Thereby, the processing liquid adhering to the substrate is efficiently dried by the gas flowing from one side of the processing tank to the other side.
(6)基板処理装置は、気体供給部による基板への気体供給量と、気体排出部による遮蔽部材の内部雰囲気の排気量とを調整する調整部をさらに備えてもよい。 (6) The substrate processing apparatus may further include an adjustment unit that adjusts the gas supply amount to the substrate by the gas supply unit and the exhaust amount of the internal atmosphere of the shielding member by the gas discharge unit.
この場合、調整部により、気体供給部による基板への気体供給量と、気体排出部による遮蔽部材の内部雰囲気の排気量とが調整される。 In this case, the adjustment unit adjusts the gas supply amount to the substrate by the gas supply unit and the exhaust amount of the internal atmosphere of the shielding member by the gas discharge unit.
これにより、基板への気体供給量を遮蔽部材の内部雰囲気の排気量よりも大きくすることにより、遮蔽部材により取り囲まれる処理槽上の空間を外部に対して陽圧とすることができる。それにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することを十分かつ確実に防止できる。 Thereby, by making the gas supply amount to the substrate larger than the exhaust amount of the internal atmosphere of the shielding member, the space on the processing tank surrounded by the shielding member can be made positive with respect to the outside. Thereby, it is possible to sufficiently and reliably prevent the outside air from entering the atmosphere around the substrate pulled up from the processing tank.
本発明に係る基板処理装置によれば、処理槽上の雰囲気の露点が低い状態に維持されるとともに、大型化が十分に抑制される。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the dew point of the atmosphere on the processing tank is maintained at a low state, and the enlargement is sufficiently suppressed.
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。 A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. In the following description, the substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and the like.
(1)第1の実施の形態
(1−a)基板処理装置の構成および動作
図1は、第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、処理槽4、ダクト20、昇降機構30、処理液ミキシング装置50、ドライエア発生装置60、外気遮蔽部材70、制御部80、搬送駆動部300、搬送ロボット310および開閉駆動部700を備える。
(1) First Embodiment (1-a) Configuration and Operation of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. As shown in FIG. 1, the
ダクト20は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト20の上端部には外気遮蔽部材70が開閉自在に取り付けられている。
The
外気遮蔽部材70は、上蓋部71、筒部72およびヒンジ部73を含む。外気遮蔽部材70の上蓋部71は、矩形の平板形状を有し、ヒンジ部73を中心として回動可能である。
The outside
外気遮蔽部材70は、開閉駆動部700により駆動される。この場合、上蓋部71がヒンジ部73を中心として回動する。それにより、ダクト20の上端部が開放または閉塞する。
The outside
筒部72は、ダクト20よりも小さい矩形の略筒形状を有する。上蓋部71がダクト20の上端部を閉塞した状態で、筒部72は上蓋部71の下面に形成されている。外気遮蔽部材70の構造の詳細は後述する。
The
ダクト20の内部には、処理槽4が設けられている。処理槽4は複数の基板Wを収容可能な内槽40および内槽40の上部外周を取り囲むように設けられた外槽43により形成されている。内槽40は略直方体形状を有する。
A
内槽40の底部には、内槽40内に処理液を供給するための処理液供給管41の一端および内槽40内の処理液を排出するための処理液排出管42の一端が接続されている。本実施の形態において、内槽40内では処理液により基板Wの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽40内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
Connected to the bottom of the
すなわち、内槽40内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽40内に基板Wを浸漬することにより、基板Wの表面を洗浄する。その後、内槽40内の洗浄液をリンス液に置換する。
That is, the surface of the substrate W is cleaned by supplying the cleaning liquid into the
洗浄液としては、BHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。 A chemical solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid or ammonia is used as the cleaning liquid. As the rinsing liquid, pure water, carbonated water, hydrogen water, electrolytic ion water or the like is used.
本実施の形態では、処理液供給管41の他端が処理液ミキシング装置50に接続されている。処理液ミキシング装置50には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置50は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置50は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管41を介して内槽40内に供給する。
In the present embodiment, the other end of the processing
外槽43の底部には、内槽40の上部から溢れ出し(オーバーフロー)、外槽43内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管44の一端が接続されている。
One end of a processing
ダクト20の内部とダクト20の上方位置との間で上下方向に移動可能な昇降機構30が設けられている。昇降機構30は、複数の基板Wを保持する保持部31を内槽40の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Wを内槽40内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
An elevating
処理槽4の上端部近傍に位置するダクト20の部分において、対向する2つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63が取り付けられている。
In the portion of the
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト62には複数の通気ガイド62aが設けられている。ドライエア排気ダクト63には複数の通気ガイド63aが設けられている。ドライエア供給ダクト62は配管61を介してドライエア発生装置60と接続されている。
In the present embodiment, the dry
ドライエア発生装置60により発生されたドライエアDFが、配管61を通じてドライエア供給ダクト62に送られる。それにより、昇降機構30により内槽40から引き上げられる基板WにドライエアDFが吹き付けられ、基板Wの乾燥処理が行われる。基板Wに吹き付けられたドライエアDFおよび基板W周辺の雰囲気がドライエア排気ダクト63から排気される。
The dry air DF generated by the
なお、本実施の形態において、ドライエアDFとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト62からダウンフローダクト20内に供給されるドライエアDFの露点は、例えば約−70℃である。
In the present embodiment, the dry air DF refers to a gas having a very low dew point. The dew point of the dry air DF supplied from the dry
外気遮蔽部材70の上方には、搬送エリアTEが設けられている。搬送エリアTEには、搬送ロボット310が移動可能に設けられている。
A transfer area TE is provided above the outside
搬送ロボット310は、アームヒンジ部311および2本のアーム312を備える。搬送ロボット310は、搬送駆動部300により駆動される。この場合、2本のアーム312がアームヒンジ部311を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット310の下端部が開閉する。これにより、搬送ロボット310は、複数の基板Wを保持する保持部31を2本のアーム312の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット310は、搬送駆動部300により駆動されることにより、搬送エリアTE内を移動する。
The
図1に示すように、制御部80は、昇降機構30、処理液ミキシング装置50、ドライエア発生装置60、搬送駆動部300および開閉駆動部700と接続されている。制御部80がこれらの構成部の動作を制御することにより、複数の基板Wを保持する保持部31の昇降動作、基板Wの洗浄処理、基板Wの乾燥処理、処理槽4に対する基板Wの搬入搬出動作、およびダクト20の上端部の開閉動作が制御される。
As shown in FIG. 1, the
(1−b)外気遮蔽部材70について
ここで、外気遮蔽部材70の構造の詳細を説明する。図2は、図1の外気遮蔽部材70の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図2では、外気遮蔽部材70の構造を明確に示すために、処理槽4の外槽43およびダクト20の図示を省略している。
(1-b) Outside
図2に示すように、外気遮蔽部材70の筒部72は、第1の遮断側板72a、第2の遮断側板72b、第3の遮断側板72cおよび第4の遮断側板72dを有する。第1の遮断側板72aおよび第2の遮断側板72bが互いに対向し、第3の遮断側板72cおよび第4の遮断側板72dが互いに対向している。
As shown in FIG. 2, the
ダクト20(図1)の上端部が上蓋部71により閉塞された状態で、第1の遮断側板72aはドライエア供給ダクト62の上部に位置し、第2の遮断側板72aはドライエア排気ダクト63の上部に位置する。第1および第2の遮断側板72a,72bの幅W1は、ドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63の幅W2とほぼ等しい。
In a state where the upper end portion of the duct 20 (FIG. 1) is closed by the
第1および第2の遮断側板72a,72bは、上蓋部71の下面からドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63の上端部まで延びている。一方、第3および第4の遮断側板73a,73bは、上蓋部71の下面から処理槽4の上端部まで延びている。
The first and second blocking
これにより、ダクト20(図1)の上端部が上蓋部71により閉塞された場合には、処理槽4の直上の空間WUが、上蓋部71の下面、筒部72の第1〜第4の遮断側板72a〜72d、ドライエア供給ダクト62のドライエア供給口621およびドライエア排気ダクト63の排気口631により取り囲まれる。それにより、空間WU内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。
Thereby, when the upper end part of the duct 20 (FIG. 1) is obstruct | occluded by the
その結果、処理槽4の内槽40から引き上げられる基板Wにドライエア供給ダクト62からドライエアDFを供給する際に、その基板W周辺の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。
As a result, when the dry air DF is supplied from the dry
特に、空間WU内へのドライエアDFの供給量および空間WU内の雰囲気の排気量を調整し、空間WU内を外部に対して陽圧とする場合には、空間WU内の雰囲気を外気から確実に遮断することができる。この場合、基板W周辺の雰囲気の露点をより十分に低い状態に維持することができる。これにより、乾燥処理時に基板Wをより効率的に乾燥させることが可能となる。 In particular, when the supply amount of dry air DF into the space WU and the exhaust amount of the atmosphere in the space WU are adjusted so that the inside of the space WU is positive with respect to the outside, the atmosphere in the space WU is surely secured from the outside air. Can be blocked. In this case, the dew point of the atmosphere around the substrate W can be kept sufficiently lower. Thereby, the substrate W can be dried more efficiently during the drying process.
なお、図1に、ドライエア排気ダクト63の下流にバルブCBを設ける例が点線で示されている。このバルブCBを制御部80により制御することにより、上記の空間WU内の雰囲気の排気量を容易に調整することができる。また、ドライエア発生装置60を制御部80により制御することにより、空間WU内へのドライエアDFの供給量を容易に調整することができる。それにより、空間WU内の圧力を容易に調整することができる。
In FIG. 1, an example in which the valve CB is provided downstream of the dry
図1および図2に示すように、本実施の形態において、筒部72は上蓋部71の下面から延びるように、上蓋部71と一体的に形成されている。それにより、上蓋部71が開くと筒部72もヒンジ部73を中心として回動する。これにより、筒部72は処理槽4上の領域に位置しない。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the present embodiment, the
このように、この基板処理装置100においては、筒部72が上蓋部71の開閉動作とともに移動する。これにより、処理槽4に対する基板Wの搬入および搬出時に搬送ロボット310と筒部72との干渉が防止される。
As described above, in the
また、筒部72を移動させるための新たな機構を要しないので、基板処理装置100の大型化が抑制されている。
In addition, since a new mechanism for moving the
さらに、筒部72は、搬送ロボット310による基板Wの搬入および搬出時に、ダクト20に対して上方に退避する。これにより、ダクト20の内部で筒部72を水平移動させる必要がないので、ダクト20を大型化する必要がない。その結果、基板処理装置100の大型化が十分に抑制されている。
Further, the
(1−c)基板処理装置100の一連の動作
図3〜図5は、図1の基板処理装置100における一連の動作を示す図である。初めに、図3(a)に示すように、外気遮蔽部材70がダクト20の上端部を閉塞した状態で、内槽40内には純水PWが貯留されている。
(1-c) Series of Operations of
次に、図3(b)に示すように、外気遮蔽部材70の上蓋部71がヒンジ部73を中心として回動する(矢印A1)。これにより、ダクト20の上端部が開放される。
Next, as shown in FIG. 3B, the
そして、複数の基板Wを保持する保持部31を搬送する搬送ロボット310が搬送エリアTE内でダクト20の上方位置に移動する(矢印A2)。
Then, the
さらに、搬送ロボット310は、ダクト20の上方位置から下降し、複数の基板Wを保持する保持部31をダクト20内に搬入する(矢印A3)。
Further, the
続いて、昇降機構30が、ダクト20内に搬入された保持部31を下降させる。これにより、保持部31により保持された複数の基板Wが下降し、内槽40内に収容される。
Subsequently, the elevating
搬送ロボット310がダクト20から退避した後、外気遮蔽部材70の上蓋部71が再びヒンジ部73を中心として回動する(矢印A4)。これにより、ダクト20の上端部が閉塞される。
After the
処理液ミキシング装置50は、例えば薬液CLと純水PWとの混合液を洗浄液として内槽40内に供給する。それにより、複数の基板Wが内槽40内で洗浄液に浸漬され、各基板Wの表面が洗浄される。
The processing
その後、図4(c)に示すように、処理液ミキシング装置50は、純水PWをリンス液として内槽40内に供給し、内槽40内の洗浄液を純水PWに置換する。これにより、複数の基板Wが内槽40内で純水PWに浸漬される。これにより、各基板Wの洗浄処理が完了する。
Thereafter, as shown in FIG. 4C, the treatment
次に、図4(d)に示すように、昇降機構30が、保持部31を上昇させる。これにより、保持部31により保持された複数の基板Wが上昇する。このとき、ドライエア発生装置60(図1)が、内槽40から引き上げられる複数の基板WにドライエアDFを供給する。これにより、各基板Wに付着した純水PWがドライエアDFにより置換され、各基板Wの表面が乾燥される(乾燥処理)。
Next, as shown in FIG. 4D, the elevating
なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置60(図1)は、ダクト20内へのドライエアDFの供給量を低減している(スローリーク)。 It should be noted that the dry air generator 60 (FIG. 1) reduces the amount of dry air DF supplied into the duct 20 (slow leak) except during the drying process.
複数の基板Wの内槽40からの引き上げ時においては、処理液ミキシング装置50が少量の純水PWを継続して内槽40内に供給している。したがって、複数の基板Wの内槽40からの引き上げ時には、内槽40の上部開口から純水PWが溢れ出している。内槽40から溢れ出した純水PWは図1の外槽43へ流れ込み、外槽43に接続された図1の処理液排出管44から排出される。
At the time of pulling up the plurality of substrates W from the
最後に、図5(e)に示すように、外気遮蔽部材70の上蓋部71がヒンジ部73を中心として回動する(矢印B1)。これにより、ダクト20の上端部が開放される。
Finally, as shown in FIG. 5E, the
そして、搬送ロボット310が複数の基板Wを保持する保持部31を受け取るとともに上昇し、保持部31をダクト20から搬出する(矢印B2)。その後、搬送ロボット310は、ダクト20の上方位置から移動する(矢印B3)。
Then, the
搬送ロボット310がダクト20から退避した後、外気遮蔽部材70の上蓋部71がヒンジ部73を中心として回動する(矢印B4)。これにより、ダクト20の上端部が閉塞される。
After the
(1−d)変形例
本実施の形態において、外気遮蔽部材70の筒部72は、矩形の筒形状を有するが、円形の筒形状を有してもよいし、楕円形の筒形状を有してもよい。
(1-d) Modification In the present embodiment, the
鉛直方向において、筒部72の第1〜第4の遮断側板72a〜72dの鉛直方向の長さ(高さ)は、等しくてもよい。この場合においても、処理槽4の直上の空間WU(図2)が、上蓋部71の下面、筒部72の第1〜第4の遮断側板72a〜72d、ドライエア供給ダクト62のドライエア供給口621およびドライエア排気ダクト63の排気口631により取り囲まれる。それにより、空間WU内の雰囲気を外部の雰囲気から遮断することができる。
In the vertical direction, the vertical lengths (heights) of the first to fourth
なお、この場合、ダクト20はドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63の両側面に近接するように形成されることが好ましい。すなわち、ダクト20の幅が、図2に示される第1および第2の遮断側板72a,72bの幅W1とほぼ等しくなるように形成されることが好ましい。
In this case, the
これにより、処理槽4から引き上げられる基板Wにドライエア供給ダクト62からドライエアDFを供給する際に、その基板W周辺の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。
Thereby, when supplying the dry air DF from the dry
本実施の形態において、乾燥処理は基板WにドライエアDFを供給することにより行われるが、基板Wに供給する気体はドライエアDFに限られない。ドライエアDFに代えて、例えばIPA(イソプロピルアルコール)蒸気を用いてもよいし、低温のN2(窒素)ガスを用いてもよい。 In the present embodiment, the drying process is performed by supplying the dry air DF to the substrate W, but the gas supplied to the substrate W is not limited to the dry air DF. Instead of the dry air DF, for example, IPA (isopropyl alcohol) vapor may be used, or low-temperature N 2 (nitrogen) gas may be used.
洗浄処理は、必ずしも薬液およびリンス液を用いて行われる必要はなく、薬液のみを用いて行われてもよいし、リンス液のみを用いて行われてもよい。 The cleaning process is not necessarily performed using the chemical solution and the rinse solution, and may be performed using only the chemical solution or may be performed using only the rinse solution.
(2)第2の実施の形態
第2の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。
(2) Second Embodiment The substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described while referring to differences from the
(2−a)基板処理装置の構成および動作
図6は、第2の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図6に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100Aは、第1の実施の形態に係る基板処理装置100の構成のうち、外気遮蔽部材70および開閉駆動部700に代えて、内蓋開閉駆動部400、外気遮蔽部材430、スライド開閉駆動部500、スライド板510およびスライド機構511を備える。
(2-a) Configuration and Operation of Substrate Processing Apparatus FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. As shown in FIG. 6, the
ダクト20の上端部には、スライド板510が取り付けられている。また、ダクト20の上端部の一辺には、スライド機構511が取り付けられている。スライド機構511は、スライド開閉駆動部500に接続されている。
A
スライド機構511は、スライド開閉駆動部500により駆動される。この場合、スライド板510が水平方向に移動する。それにより、ダクト20の上端部が開放または閉塞する。
The
ダクト20内には、外気遮蔽部材430が設けられている。この外気遮蔽部材430は、下側が開口した略箱形状を有する。
An outside
外気遮蔽部材430の上端開口に内蓋410a,410bが設けられている。内蓋410a,410bは、同一形状を有する長方形の板材であり、それらの一辺はヒンジ部420を介して後述する外気遮蔽部材430の側板(図7)に接続されている。これにより、外気遮蔽部材430の上端部は観音開きの構造となっている。
内蓋410a,410bは内蓋開閉駆動部400により駆動される。この場合、内蓋410a,410bがそれぞれヒンジ部420を中心として開閉動作する。それにより、外気遮蔽部材430の上端部が開放または閉塞する。
The
図6に示すように、本例において制御部80は、昇降機構30、処理液ミキシング装置50、ドライエア発生装置60、搬送駆動部300、内蓋開閉駆動部400、スライド開閉駆動部500の動作を制御する。これにより、複数の基板Wを保持する保持部31の昇降動作、基板Wの洗浄処理、基板Wの乾燥処理、基板処理装置100Aに対する基板Wの搬入搬出動作、およびダクト20の上端部の開閉動作および外気遮蔽部材430の上端部の開閉動作が制御される。
As shown in FIG. 6, in this example, the
(2−b)外気遮蔽部材430について
ここで、外気遮蔽部材430の構造の詳細を説明する。図7は、図6の外気遮蔽部材430の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図7では、外気遮蔽部材430の構造を明確に示すために、処理槽4の外槽43およびダクト20の図示を省略している。
(2-b) Outside
図7に示すように、外気遮蔽部材430は、鉛直方向に延びる第1の遮断側板430a、第2の遮断側板430b、第3の遮断側板430cおよび第4の遮断側板430dを有する。第1の遮断側板430aおよび第2の遮断側板430bが互いに対向し、第3の遮断側板430cおよび第4の遮断側板430dが互いに対向している。
As shown in FIG. 7, the outside
第1の遮断側板430aはドライエア供給ダクト62のドライエア供給口621の上端部に接続され、第2の遮断側板430bはドライエア排気ダクト63の排気口631の上端部に接続されている。
The first
第3の遮断側板430cおよび第4の遮断側板430dは、ドライエア供給ダクト62のドライエア供給口621およびドライエア排気ダクト63の排気口631の側部に接続されている。
The third blocking side plate 430 c and the fourth blocking
第1の遮断側板430aの上端部にヒンジ部420を介して内蓋410aが取り付けられ、第2の遮断側板430bの上端部にヒンジ部420を介して内蓋410bが取り付けられている。
An
これにより、外気遮蔽部材430の上端部が内蓋410a,410bにより閉塞された場合には、処理槽4の直上の空間WUが、内蓋410a,410b、第1〜第4の遮断側板430a〜430d、ドライエア供給ダクト62のドライエア供給口621およびドライエア排気ダクト63の排気口631により取り囲まれる。それにより、本実施の形態においても、空間WU内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。
Thereby, when the upper end part of the external
加えて、本実施の形態において、ダクト20(図6)の上端部には、上述のようにスライド板510およびスライド機構511が設けられている。スライド機構511は、スライド板510を水平方向へ移動可能に支持する。
In addition, in the present embodiment, the
これにより、ダクト20(図6)の上端部が、スライド板510により閉塞された場合には、ダクト20の内部の空間がダクト20の外部の空間から遮断される。これにより、外気遮蔽部材430により取り囲まれた空間WU内の雰囲気が確実に外部の雰囲気から遮断される。
Thereby, when the upper end portion of the duct 20 (FIG. 6) is closed by the
図6および図7に示すように、本実施の形態においては、スライド板510が水平方向に移動することによりダクト20の上端部が開放される。また、内蓋410a,410bがヒンジ部420を中心として開閉動作することにより外気遮蔽部材430の上端部が開放される。これにより、外気遮蔽部材430の上端部の開放時には、内蓋410a,410bおよびスライド板510が処理槽4の上方の領域に位置しない。
As shown in FIGS. 6 and 7, in the present embodiment, the upper end of the
それにより、基板Wの搬入および搬出時に搬送ロボット310が外気遮蔽部材430およびスライド板510と干渉することが防止される。また、本実施の形態では、外気遮蔽部材430の上端部が回動しつつ開放される。これにより、外気遮蔽部材430が水平移動しないので、ダクト20を大型化する必要がない。その結果、基板処理装置100Aの大型化が十分に抑制されている。
This prevents the
(2−c)基板処理装置100Aの動作
ここで、基板処理装置100Aにおける一連の動作は、第1の実施の形態に係る基板処理装置100とほぼ同じであるが、搬送ロボット310による保持部31のダクト20内への搬入動作は以下のように行われる。
(2-c) Operation of
図8は、図6の搬送ロボット310による保持部31のダクト20内への搬入動作を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a carry-in operation of the holding
図8に示すように、初めに、スライド板510が水平方向に移動する(矢印C1)。これにより、ダクト20の上端部が開放される。
As shown in FIG. 8, first, the
続いて、内蓋410a,410bがヒンジ部420を中心として回動し(矢印C2)、外気遮蔽部材430の上端部が開放される。
Subsequently, the
そして、搬送ロボット310が搬送エリアTE内でダクト20の上方位置に移動する(矢印C3)。このとき、搬送ロボット310は複数の基板Wを保持する保持部31を保持している。
Then, the
そこで、搬送ロボット310は、ダクト20の上方位置から下降し、複数の基板Wを保持する保持部31をダクト20内に搬入する(矢印C4)。
Therefore, the
搬送ロボット310がダクト20から退避した後、スライド板510が再び水平方向に移動する。これにより、ダクト20の上端部が閉塞される。また、内蓋410a,410bがヒンジ部420を中心として回動する。これにより、外気遮蔽部材430の上端部が閉塞される。
After the
続いて、昇降機構30が、ダクト20内に搬入された保持部31を下降させる。これにより、保持部31により保持された複数の基板Wが下降し、内槽40内に収容される。以降、第1の実施の形態と同様に、内槽40内に収容された基板Wに洗浄処理および乾燥処理が行われる。
Subsequently, the elevating
複数の基板Wが処理槽4から引き上げられる際には、上記と同様の手順で、外気遮蔽部材430およびダクト20の上端部が開放される。そして、処理済の複数の基板Wを保持する保持部31が搬送ロボット310により搬送される。
When the plurality of substrates W are pulled up from the
本例においても、図6に、ドライエア排気ダクト63の下流にバルブCBを設ける例が点線で示されている。このバルブCBを制御することにより、空間WU内の雰囲気の排気量を容易に調整することができる。また、ドライエア発生装置60を制御部80により制御することにより、空間WU内へのドライエアDFの供給量を容易に調整することができる。それにより、空間WU内の圧力を容易に調整することができる。
Also in this example, an example in which the valve CB is provided downstream of the dry
(3) 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(3) Correspondence between each component of claim and each part of embodiment The following describes an example of a correspondence between each component of the claim and each part of the embodiment. It is not limited.
上記実施の形態では、搬送駆動部300および搬送ロボット310が搬送機構の例であり、昇降装置30が基板昇降機構の例であり、ドライエア発生装置60、配管61、ドライエア供給ダクト62、ドライエア排気ダクト63が気体供給部の例である。
In the above embodiment, the
また、外気遮蔽部材70,430が遮蔽部材の例であり、内蓋開閉駆動部400および開閉駆動部700が開閉機構の例であり、ダクト20が遮蔽ダクトの例であり、上蓋部71が蓋部材の例であり、第1の遮断側板72a,430a、第2の遮断側板72b,430b、第3の遮断側板72c,430cおよび第4の遮断側板72d,430dが周壁部の例である。
Further, the outside
さらに、内蓋410a,410bが蓋部の例であり、内蓋410aが第1の部分の例であり、内蓋410bが第2の部分の例であり、ドライエア供給ダクト62が気体供給ダクトの例である。
Furthermore, the
また、ドライエア排気ダクト63が気体排出部の例であり、ドライエア発生装置60、制御部80およびバルブCBが調整部の例である。
Moreover, the dry
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。 In addition, as each component of a claim, the other various element which has the structure or function described in the claim can also be used.
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。 The substrate processing apparatus according to the present invention is a semiconductor wafer, a photomask glass substrate, a liquid crystal display glass substrate, a plasma display glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and the like. Can be used effectively.
4 処理槽
20 ダクト
30 昇降機構
60 ドライエア発生装置
61 配管
62 ドライエア供給ダクト
63 ドライエア排気ダクト
70,430 外気遮蔽部材
71 上蓋部
72a,430a 第1の遮断側板
72b,430b 第2の遮断側板
72c,430c 第3の遮断側板
72d,430d 第4の遮断側板
80 制御部
100 基板処理装置
300 搬送駆動部
310 搬送ロボット
400 内蓋開閉駆動部
410a,410b 内蓋
700 開閉駆動部
CB バルブ
DF ドライエア
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (6)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させるとともに、前記処理槽の上方位置において前記搬送機構との間で基板の受け渡しが可能な基板昇降機構と、
前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部に対して対向して配置され、基板に供給された気体を排出する気体排出部と、
前記気体供給部による気体の供給路および前記気体排出部による気体の排出路を除いて前記処理槽上の空間の周囲および上部を取り囲むように設けられる遮蔽部材と、
前記遮蔽部材の少なくとも上部分を略水平方向の軸の周りで開閉させる開閉機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate carried by a transport mechanism for transporting a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A substrate lifting mechanism capable of moving the substrate up and down between the processing liquid in the processing tank and an upper position of the processing tank, and capable of transferring the substrate to and from the transfer mechanism at an upper position of the processing tank;
A gas supply unit for supplying gas to the substrate pulled up from the processing tank by the substrate lifting mechanism;
A gas discharger disposed opposite to the gas supply unit, for discharging the gas supplied to the substrate;
A shielding member provided so as to surround the periphery and upper part of the space on the processing tank except for the gas supply path by the gas supply section and the gas discharge path by the gas discharge section;
A substrate processing apparatus, comprising: an opening / closing mechanism that opens and closes at least an upper portion of the shielding member around a substantially horizontal axis.
前記遮蔽ダクトの上端部に開閉可能に設けられる蓋部材とをさらに備え、
前記遮蔽部材は、前記処理槽上の空間の周囲を取り囲むように前記蓋部材の下面に設けられる周壁部と、前記蓋部材とを含み、
前記開閉機構は、前記蓋部材を前記周壁部とともに略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 A shielding duct provided so as to surround the processing tank and an upper position of the processing tank;
A lid member provided at the upper end of the shielding duct so as to be openable and closable,
The shielding member includes a peripheral wall portion provided on a lower surface of the lid member so as to surround a space on the processing tank, and the lid member,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing mechanism opens and closes the lid member together with the peripheral wall portion around a substantially horizontal axis.
前記処理槽上の空間の周囲を取り囲むように設けられた周壁部と、
前記周壁部の上部開口に略水平方向の軸の周りで開閉可能に設けられた蓋部とを含み、
前記開閉機構は、前記蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 The shielding member is
A peripheral wall provided to surround the space on the treatment tank;
A lid portion provided at the upper opening of the peripheral wall portion so as to be openable and closable around a substantially horizontal axis;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing mechanism opens and closes the lid portion around a substantially horizontal axis.
前記開閉機構は、前記第1の部分および前記第2の部分が互いに外方に開くように、前記第1の部分および前記第2の部分をそれぞれ略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 The lid is divided into a first part and a second part;
The opening / closing mechanism opens and closes the first portion and the second portion around a substantially horizontal axis so that the first portion and the second portion open outward from each other. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein:
前記処理槽の一側方に配置され、前記処理槽の上端に沿って前記一側方から前記処理槽の他側方へ気体を供給する気体供給ダクトを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 The gas supply unit
The gas supply duct is disposed on one side of the processing tank and supplies a gas from the one side to the other side of the processing tank along an upper end of the processing tank. 5. The substrate processing apparatus according to any one of 4 above.
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---|---|
JP (1) | JP2008187004A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238771A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device, and substrate processing method |
JP2012186289A (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Tech In Tech Co Ltd | Substrate processing apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594978A (en) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | Semiconductor substrate dipping treatment tank |
JP2001308062A (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Toho Kasei Kk | Device and method for etching treatment |
JP2006310759A (en) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
-
2007
- 2007-01-30 JP JP2007019162A patent/JP2008187004A/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594978A (en) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | Semiconductor substrate dipping treatment tank |
JP2001308062A (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Toho Kasei Kk | Device and method for etching treatment |
JP2006310759A (en) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238771A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device, and substrate processing method |
JP2012186289A (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Tech In Tech Co Ltd | Substrate processing apparatus |
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