JP2002016041A - Liquid processing apparatus - Google Patents

Liquid processing apparatus

Info

Publication number
JP2002016041A
JP2002016041A JP2000198645A JP2000198645A JP2002016041A JP 2002016041 A JP2002016041 A JP 2002016041A JP 2000198645 A JP2000198645 A JP 2000198645A JP 2000198645 A JP2000198645 A JP 2000198645A JP 2002016041 A JP2002016041 A JP 2002016041A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
wafer
substrate
chamber
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000198645A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4505563B2 (en
Inventor
Yuji Kamikawa
裕二 上川
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, 東京エレクトロン株式会社 filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000198645A priority Critical patent/JP4505563B2/en
Priority claimed from US09/888,380 external-priority patent/US6776173B2/en
Priority claimed from US09/933,671 external-priority patent/US6495805B2/en
Publication of JP2002016041A publication Critical patent/JP2002016041A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4505563B2 publication Critical patent/JP4505563B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact liquid processing apparatus suitably for effective liquid treatment, such as cleaning of a substrate, easy treatment of a plurality of substrates, and especially for a substrate with a large diameter, without enlarging in its size of the apparatus. SOLUTION: The liquid processing apparatus 1 for feeding a prescribed processing liquid and processing a substrate includes a table rotation mechanism 8, made up of a table 31 with a jig 33 for holding a substrate (wafer W) and a motor 32 mounted on the table 31 for rotating the table 31, a posture-shifting mechanism 9 for shifting the posture of the table 31, so that the wafer (W) held by the jig 33 can be held in the vertical or horizontal state, a processing chamber 51 for storing the table 31 and carrying out prescribed liquid processing for the wafer (W), a moving mechanism (x-axis driving mechanism) 10 for sliding both the table rotation mechanism 8 and the attitude shifting mechanism 9 so that the table 31 can be stored in the processing chamber 51, and a wafer carriage mechanism 7, for carrying the wafer (W) in a horizontal state between a carrier (C) for storing the wafer (W) and the table 31.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL
CD基板等の各種基板に対して所定の液処理や乾燥処理
を施すために用いられる液処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a liquid processing apparatus used for performing predetermined liquid processing and drying processing on various substrates such as a CD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、基板としての半導体ウエハ(ウエハ)を所定の
薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し、ウエハからパー
ティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーシ
ョンを除去するウエハ洗浄装置や、Nガス等の不活性
ガスや揮発性および親水性の高いIPA蒸気等によって
ウエハから液滴を取り除いてウエハを乾燥させるウエハ
乾燥装置が使用されている。このような洗浄装置や乾燥
装置としては、複数枚のウエハをウエハ洗浄室やウエハ
乾燥室内に収納してバッチ式に処理するものや、1枚ず
つウエハを処理する枚葉式が知られている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, a semiconductor wafer (wafer) as a substrate is washed with a predetermined chemical solution or a cleaning solution such as pure water, and contaminants such as particles, organic contaminants and metal impurities are removed from the wafer. There is used a wafer cleaning apparatus for removing cations and a wafer drying apparatus for removing liquid droplets from a wafer with an inert gas such as N 2 gas or highly volatile and highly hydrophilic IPA vapor to dry the wafer. As such a cleaning device or a drying device, there are known a device that stores a plurality of wafers in a wafer cleaning chamber or a wafer drying chamber and processes the wafers in batches, and a single wafer type that processes wafers one by one. .

【0003】このうち枚葉式の洗浄装置としては、例え
ば、ウエハをその周縁部で保持して水平面内で回転させ
つつウエハの表裏面にそれぞれ処理液を吐出し、また、
ブラシ等でウエハの表面を走査するスクラバーと呼ばれ
るものが知られている。
[0003] Among them, as a single wafer type cleaning apparatus, for example, a processing liquid is discharged to the front and back surfaces of a wafer while rotating the wafer in a horizontal plane while holding the wafer at a peripheral edge thereof.
A so-called scrubber that scans the surface of a wafer with a brush or the like is known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなウエハを水
平保持して洗浄処理を行った場合には、洗浄処理後にウ
エハを回転させてウエハに付着した処理液を振り切る
際、液切れの状態が必ずしもよいものではないという問
題があった。また、雰囲気制御のために密閉構造とした
場合には、蓋体の開閉機構とウエハの搬送機構の制御等
の制御系が複雑となり、また、一般的に排気量が多くな
ることから、使用する薬液の温度が下がりやすく、高温
の薬液を用いることが困難であった。
When a cleaning process is performed while holding such a wafer horizontally, when the wafer is rotated after the cleaning process to shake off the processing liquid adhering to the wafer, the liquid may run out. There was a problem that it was not always good. In the case of using a closed structure for controlling the atmosphere, a control system such as a control of an opening / closing mechanism of a lid and a control mechanism of a wafer transfer mechanism is complicated, and an exhaust amount is generally increased. The temperature of the chemical solution tends to decrease, and it is difficult to use a high-temperature chemical solution.

【0005】また、近年、半導体デバイスの微細高集積
化や量産化に伴って、ウエハの大きさについては、20
0mmφから300mmφへの大口径化が進んでいる。
従って、従来の洗浄装置の構造をそのまま300mmφ
の大口径ウエハの洗浄装置に適合させると、装置の大型
化は免れないため、ウエハの搬送形態や処理形態を改善
することによって処理装置の大型化を回避し、または大
型化の程度を最小限に抑制することに対する要望は大き
いものと考えられる。
In recent years, as semiconductor devices become finer and more highly integrated and mass-produced, the size of wafers becomes larger.
The diameter is increasing from 0 mmφ to 300 mmφ.
Therefore, the structure of the conventional cleaning device can be directly changed to 300 mmφ.
If it is adapted to a large-diameter wafer cleaning device, the size of the device is unavoidable, so the size of the processing device can be avoided or minimized by improving the wafer transfer mode and processing mode. It is considered that there is a great demand for suppression.

【0006】また、洗浄処理と乾燥処理とを同じ処理装
置で行うことが可能であれば、より好ましいと考えられ
る。加えて、ウエハを水平に載置する場合には、数枚、
例えば、2枚〜5枚といった複数枚のウエハを複数段に
重ねて処理を行うことは困難であるが、ウエハを立設状
態、例えば垂直状態に保持できれば、このような複数枚
の処理も容易となり、処理スピードを上げることが可能
となる。
It would be more preferable if the cleaning and drying processes could be performed by the same processing apparatus. In addition, when placing the wafer horizontally, several
For example, it is difficult to perform processing by stacking a plurality of wafers such as two to five wafers in a plurality of stages. However, if the wafers can be held in an upright state, for example, in a vertical state, such a plurality of wafers can be easily processed. And the processing speed can be increased.

【0007】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、基板の洗浄等の液処理を効
率的に行うことが可能であり、また、複数枚の基板の処
理にも容易に対処可能であり、さらに、特に大口径の基
板の液処理を行うために生ずる処理装置の大型化を抑制
したコンパクトな液処理装置を提供することを目的とす
る。
[0007] The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and enables efficient liquid processing such as cleaning of a substrate, and processing of a plurality of substrates. It is another object of the present invention to provide a compact liquid processing apparatus which can easily cope with the above problem, and further suppresses an increase in the size of the processing apparatus particularly required for performing liquid processing of a large-diameter substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板に所定の処理液を供給して液
処理を行う液処理装置であって、前記基板を1枚または
数枚保持可能な治具が配設されたテーブルに、前記基板
が面内回転するように前記テーブルを回転させる駆動機
構が取り付けられてなるテーブル回転機構と、前記基板
を姿勢変換する機構と、前記治具に保持された立設状態
の基板に所定の液処理を施す処理チャンバと、前記テー
ブルが前記処理チャンバに収容されるように、相対的に
前記処理チャンバと前記テーブルの位置を調節可能な移
動機構と、前記基板を収納するキャリアと前記テーブル
との間で前記基板の搬送を行う基板搬送機構と、を具備
することを特徴とする液処理装置、が提供される。
According to the present invention, there is provided, in accordance with the present invention, a liquid processing apparatus for performing a liquid processing by supplying a predetermined processing liquid to a substrate. A table provided with a jig capable of holding several sheets, a table rotation mechanism in which a drive mechanism for rotating the table so that the substrate rotates in-plane is attached, and a mechanism for changing the posture of the substrate, The position of the processing chamber and the table can be relatively adjusted so that the processing chamber that performs predetermined liquid processing on the substrate in an upright state held by the jig and the table is housed in the processing chamber. And a substrate transport mechanism that transports the substrate between the carrier that stores the substrate and the table.

【0009】また、本発明によれば、基板に所定の処理
液を供給して液処理を行う液処理装置であって、前記基
板を1枚または数枚保持可能な治具が配設されたテーブ
ルに、前記基板が面内回転するように前記テーブルを回
転させる駆動機構が取り付けられてなるテーブル回転機
構と、前記治具に保持された基板を立設状態または水平
状態で保持可能なように前記テーブル回転機構の姿勢変
換を行う姿勢変換機構と、前記テーブルを収容し、前記
治具に保持された基板に所定の液処理を施す処理チャン
バと、前記テーブルが前記処理チャンバに収容されるよ
うに前記テーブル回転機構と前記姿勢変換機構をともに
スライドさせる移動機構と、前記基板を収納可能なキャ
リアと前記テーブルとの間で前記基板を水平状態で搬送
する基板搬送機構と、を具備することを特徴とする液処
理装置、が提供される。
According to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for performing a liquid processing by supplying a predetermined processing liquid to a substrate, wherein a jig capable of holding one or several substrates is provided. A table rotation mechanism in which a drive mechanism for rotating the table is mounted on the table so that the substrate rotates in a plane, and a table held by the jig can be held in an upright state or a horizontal state. A posture changing mechanism for changing the posture of the table rotating mechanism, a processing chamber for housing the table and performing predetermined liquid processing on the substrate held by the jig, and a table for housing the table in the processing chamber. A moving mechanism for sliding the table rotating mechanism and the attitude changing mechanism together, and a substrate transport mechanism for transporting the substrate in a horizontal state between a carrier capable of storing the substrate and the table. The liquid processing apparatus characterized by comprising a, is provided.

【0010】これら本発明の液処理装置は、基板が収容
されたキャリアと基板に液処理を施す処理チャンバの間
の搬送距離が短く、装置がコンパクト化されている。ま
た、基板の移し替えの回数が少なく、従って、パーティ
クル等の発生が抑制される構造となっている。さらに、
基板を立設状態、例えば垂直状態に保持して液処理が行
われることから、基板に付着した処理液の液切りが容易
となり、しかも、基板の表裏面のいずれについても均一
な液処理が可能であるという特徴を有する。なお、本発
明の液処理装置は、処理チャンバ内の雰囲気制御が容易
であるから、乾燥処理も容易に行うことができる。
In the liquid processing apparatus of the present invention, the transport distance between the carrier accommodating the substrate and the processing chamber for performing the liquid processing on the substrate is short, and the apparatus is compact. In addition, the number of times of transfer of the substrate is small, so that the generation of particles and the like is suppressed. further,
Since liquid processing is performed while the substrate is held in an upright state, for example, in a vertical state, it is easy to drain the processing liquid attached to the substrate, and uniform liquid processing is possible on both the front and back surfaces of the substrate. It has the characteristic that it is. In the liquid processing apparatus of the present invention, since the atmosphere in the processing chamber is easily controlled, the drying processing can be easily performed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について具体的に説明する。本発明の液
処理装置は、各種基板を被処理体とする洗浄処理装置、
乾燥処理装置等に適用できるが、本実施形態では、半導
体ウエハ(ウエハ)の搬入、洗浄、乾燥、搬出を一貫し
て行うように構成された洗浄処理装置として用いた場合
について説明する。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings. The liquid processing apparatus of the present invention is a cleaning processing apparatus using various substrates as objects to be processed,
Although the present invention can be applied to a drying processing apparatus and the like, the present embodiment will describe a case where the semiconductor wafer (wafer) is used as a cleaning processing apparatus configured to consistently carry in, clean, dry, and carry out.

【0012】図1は本実施形態に係る枚葉式の洗浄処理
装置1の斜視図であり、図2はその側面図、図3はその
平面図である。これら図1から図3に示されるように、
洗浄処理装置1は、ウエハWを複数枚、例えば25枚ほ
ど水平状態で収納可能なキャリア(収納容器)Cを載置
するためのキャリアステージ2a・2bと、ウエハWに
洗浄処理を施す洗浄処理ユニット3a〜3cと、キャリ
アステージ2a・2bと洗浄処理ユニット3a〜3cと
の間に設けられ、ウエハWの搬送を行うウエハ搬送ユニ
ット4、液処理のための薬液を貯蔵等する薬液貯蔵ユニ
ット5a〜5cと、洗浄処理装置1内に配設された各種
の電動駆動機構のための電源ユニット6と、から主に構
成されている。
FIG. 1 is a perspective view of a single wafer type cleaning apparatus 1 according to the present embodiment, FIG. 2 is a side view thereof, and FIG. 3 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 1 to 3,
The cleaning apparatus 1 includes carrier stages 2a and 2b on which carriers (storage containers) C capable of storing a plurality of, for example, about 25 wafers W in a horizontal state, and a cleaning process for performing a cleaning process on the wafers W are provided. A wafer transfer unit 4 provided between the units 3a to 3c, the carrier stages 2a and 2b, and the cleaning units 3a to 3c for transferring the wafer W; a chemical storage unit 5a for storing a chemical for liquid processing; 5c, and a power supply unit 6 for various electric drive mechanisms provided in the cleaning apparatus 1.

【0013】キャリアステージ2a・2bはキャリアC
を載置する場所であり、キャリアCは、そのウエハWを
搬入出するための搬入出口がウエハ搬送ユニット4の壁
部11に設けられた窓部12a(キャリアステージ2a
側)・12b(キャリアステージ2b側)に対面するよ
うにして、キャリアステージ2a・2b上に載置され
る。
The carrier stages 2a and 2b are carriers C
The carrier C has a loading / unloading port for loading / unloading the wafer W and a window 12 a (carrier stage 2 a) provided in the wall 11 of the wafer transfer unit 4.
Side) and 12b (on the side of the carrier stage 2b) are placed on the carrier stages 2a and 2b.

【0014】壁部11の内側(ウエハ搬送ユニット4
側)には、窓部12a・12bを開閉するシャッターと
キャリアCの搬入出口を開閉する蓋体の開閉を行う蓋体
開閉機構とを有する開閉装置14a(キャリアステージ
2a側)・14b(キャリアステージ2b側)が配設さ
れており、キャリアCをキャリアステージ2a・2bに
載置していない状態では、シャッターを閉じた状態とす
る。一方、ウエハWをキャリアCから搬出する際または
キャリアCへ搬入する際にはシャッターおよびキャリア
Cの蓋体が蓋体開閉機構により開かれた状態とされる。
The inside of the wall 11 (the wafer transfer unit 4
Opening devices 14a (carrier stage 2a side) and 14b (carrier stage) having shutters for opening and closing the windows 12a and 12b and a lid opening and closing mechanism for opening and closing a lid for opening and closing the loading / unloading opening of the carrier C. 2b) and the shutter is closed when the carrier C is not mounted on the carrier stages 2a and 2b. On the other hand, when the wafer W is unloaded from the carrier C or loaded into the carrier C, the shutter and the lid of the carrier C are opened by the lid opening and closing mechanism.

【0015】ウエハ搬送ユニット4内には、開閉装置1
4a・14bに隣接して、キャリアC内のウエハWの枚
数を計測するための検出センサ機構13a(キャリアス
テージ2a側)・13b(キャリアステージ2b側)が
配設されている。検出センサ機構13a・13bは、例
えば、赤外線センサヘッドをZ方向にスキャンさせなが
ら、ウエハWのY方向端の2箇所でウエハWの枚数を検
査する。
The opening and closing device 1 is provided in the wafer transfer unit 4.
Adjacent to 4a and 14b, detection sensor mechanisms 13a (on the carrier stage 2a side) and 13b (on the carrier stage 2b side) for measuring the number of wafers W in the carrier C are provided. The detection sensor mechanisms 13a and 13b, for example, inspect the number of wafers W at two ends of the wafer W in the Y direction while scanning the infrared sensor head in the Z direction.

【0016】検出センサ機構13a・13bとしてはま
た、ウエハWの枚数の検査と並行して、ウエハWの収納
状態、例えば、キャリアC内にウエハWが所定のピッチ
で平行に1枚ずつ収納されているかどうか、ウエハWが
段差ずれして斜めに収納されていないかどうか、ウエハ
WがキャリアC内の所定位置から飛び出していないか等
を検出するセンサを具備したものを用いることが、より
好ましい。さらに、ウエハWの収納状態を確認した後
に、同センサを用いてウエハWの枚数を検出するように
してもよい。なお、後述するウエハ搬送機構7に検出セ
ンサ機構を取り付けて、ウエハ搬送機構7とともに移動
可能な構造とすれば、検出センサ機構は1箇所のみの配
設で済ませることが可能である。
As the detection sensor mechanisms 13a and 13b, in parallel with the inspection of the number of wafers W, the stored state of the wafers W, for example, the wafers W are stored one by one in the carrier C in parallel at a predetermined pitch. It is more preferable to use a sensor provided with a sensor for detecting whether or not the wafer W is not accommodated obliquely with a step difference, and whether or not the wafer W has jumped out of a predetermined position in the carrier C. . Furthermore, the number of wafers W may be detected by using the same sensor after confirming the storage state of the wafers W. If a detection sensor mechanism is attached to the wafer transfer mechanism 7 described later and the structure is configured to be movable together with the wafer transfer mechanism 7, it is possible to dispose only one detection sensor mechanism.

【0017】ウエハ搬送ユニット4には、キャリアステ
ージ2a・2bに載置されたキャリアCと後述するテー
ブル31に配設された保持治具33との間でウエハWを
水平状態で搬送するウエハ搬送機構7が配設されてい
る。ウエハ搬送機構7は、未処理のウエハWを搬送する
ための搬送アーム21aと、液処理済みのウエハWを搬
送するための搬送アーム21bを有しており、各搬送ア
ーム21a・21bは、それぞれ1枚のウエハWを搬送
することが可能となっている。
The wafer transfer unit 4 transfers a wafer W in a horizontal state between a carrier C placed on the carrier stages 2a and 2b and a holding jig 33 provided on a table 31 described later. A mechanism 7 is provided. The wafer transfer mechanism 7 has a transfer arm 21a for transferring an unprocessed wafer W and a transfer arm 21b for transferring a liquid-processed wafer W. The transfer arms 21a and 21b are respectively It is possible to transfer one wafer W.

【0018】搬送アーム21a・21bを保持する搬送
アーム保持部22は図示しないX軸駆動機構を内在し、
テーブル23に設けられた溝部またはガイドレール等の
案内機構24に沿って、X方向にスライド可能となって
いる。また、搬送アーム保持部22は、X−Y面内のθ
方向に回転可能に構成されている。このθ方向回転を行
う図示しないθ回転駆動機構は、搬送アーム保持部22
に内在させることが可能であるが、後述するZ軸駆動機
構99やテーブル23もともに回転する構造として設け
ることも可能である。
The transfer arm holder 22 for holding the transfer arms 21a and 21b includes an X-axis drive mechanism (not shown).
It is slidable in the X direction along a guide mechanism 24 such as a groove or a guide rail provided on the table 23. In addition, the transfer arm holding unit 22 is configured to store θ in the XY plane.
It is configured to be rotatable in the direction. The θ rotation drive mechanism (not shown) for rotating the θ direction is provided with a transfer arm holding unit 22.
However, it is also possible to provide a Z-axis drive mechanism 99 and a table 23 which will be described later as a structure that rotates together.

【0019】このようなX軸駆動機構やθ回転駆動機構
を用いれば、例えば、X軸駆動機構を用いて搬送アーム
21aをキャリアC内へ挿入し、キャリアC内のウエハ
Wを搬出した後、θ回転駆動機構を用いて搬送アーム2
1aの向きを180°回転させてウエハWを洗浄処理ユ
ニット3a側へ向け、洗浄処理ユニット3aに配設され
たテーブル31上の保持治具33にウエハWが保持され
るように再びX軸駆動機構を用いて搬送アーム21aを
挿入し、その後に搬送アーム21aを元の位置に戻すこ
とによって、ウエハWをテーブル31上に搬送すること
や、その逆の動作が可能となる。なお、X軸駆動機構に
代えて、またはX軸駆動機構とともに、搬送アーム21
a・21bが、多関節アーム等の伸縮自在な形態を有し
ていることにより、ウエハWをキャリアCとテーブル3
1との間で搬送することが可能な形態とすることも好ま
しい。
If such an X-axis drive mechanism or a θ-rotation drive mechanism is used, for example, the transfer arm 21a is inserted into the carrier C using the X-axis drive mechanism, and after the wafer W in the carrier C is unloaded, Transfer arm 2 using θ rotation drive mechanism
The direction of 1a is rotated by 180 ° to turn the wafer W toward the cleaning processing unit 3a, and the X-axis drive is performed again so that the wafer W is held by the holding jig 33 on the table 31 provided in the cleaning processing unit 3a. By inserting the transfer arm 21a using the mechanism and then returning the transfer arm 21a to the original position, the wafer W can be transferred onto the table 31 and the reverse operation can be performed. Note that, instead of or together with the X-axis drive mechanism, the transfer arm 21
a and 21b have a telescopic form such as an articulated arm, so that the wafer W
It is also preferable to adopt a form that can be conveyed between the two.

【0020】搬送アーム21a・21bおよび搬送アー
ム保持部22ならびにテーブル23は、Z軸駆動機構9
9によりZ方向(垂直方向)に移動可能となっている。
キャリアC内では、ウエハWは異なる高さ位置に収納さ
れていることから、このZ軸駆動機構99を用いて搬送
アーム21aの高さを所定のウエハWの高さ位置に合わ
せる。例えば、キャリアCから所定位置のウエハWを搬
出する際には、所定のウエハWの下側に搬送アーム21
aを挿入することができるように搬送アーム21aの高
さをZ軸駆動機構99を用いて合わせた後、X軸駆動機
構を動作させて搬送アーム21aをキャリアC内に挿入
し、その後にZ軸駆動機構99により搬送アーム21a
を所定高さほど上昇させて搬送アーム21a上にウエハ
Wを保持し、その状態でX軸駆動機構により搬送アーム
21aを元の位置まで退却させることにより、キャリア
Cから所定のウエハWを搬出することができる。
The transfer arms 21a and 21b, the transfer arm holder 22, and the table 23
9 allows movement in the Z direction (vertical direction).
Since the wafers W are stored at different heights in the carrier C, the Z-axis drive mechanism 99 is used to adjust the height of the transfer arm 21a to a predetermined height of the wafer W. For example, when unloading a wafer W at a predetermined position from the carrier C, the transfer arm 21 is positioned below the predetermined wafer W.
After the height of the transfer arm 21a is adjusted using the Z-axis drive mechanism 99 so that the transfer arm 21a can be inserted, the X-axis drive mechanism is operated to insert the transfer arm 21a into the carrier C. The transfer arm 21a is driven by the shaft drive mechanism 99.
Is lifted by a predetermined height to hold the wafer W on the transfer arm 21a, and in this state, the transfer arm 21a is retracted to the original position by the X-axis drive mechanism, thereby unloading the predetermined wafer W from the carrier C. Can be.

【0021】搬送アーム21a・21bおよび搬送アー
ム保持部22ならびにテーブル23はまた、Y軸駆動機
構98によりガイドレール97に沿ってY方向に移動可
能となっており、ウエハ搬送機構7は、キャリアステー
ジ2a・2bに載置されたキャリアCにいずれにもアク
セス可能となっている。また、ウエハ搬送機構7は、洗
浄処理ユニット3a〜3cに配設されているテーブル3
1のいずれにもアクセス可能となっている。
The transfer arms 21a and 21b, the transfer arm holder 22, and the table 23 can be moved in the Y direction along a guide rail 97 by a Y-axis drive mechanism 98. Any of the carriers C placed on the 2a and 2b can be accessed. In addition, the wafer transfer mechanism 7 includes a table 3 provided in the cleaning units 3a to 3c.
1 can be accessed.

【0022】ウエハ搬送ユニット4の天井部分には、フ
ィルタファンユニット28aが配設されており、ウエハ
搬送ユニット4内にパーティクルを除去した空気等が送
風されるようになっている。また、ウエハ搬送ユニット
4と洗浄処理ユニット3a〜3cとの境界を形成する壁
部25には、ウエハWをウエハ搬送機構7と洗浄処理ユ
ニット3a〜3cの各テーブル31との間でのウエハW
の搬送を可能とするために、開閉可能な窓部26a〜2
6cが形成されている。なお、窓部26a〜26cに
は、窓部26a〜26cの開閉を行うシャッター27a
〜27cがウエハ搬送ユニット4側に配設されており、
ウエハ搬送ユニット4と洗浄処理ユニット3a〜3cの
雰囲気が分離できるようになっている。シャッター27
a〜27cは洗浄処理ユニット3a〜3c側に設けるこ
ともできる。
A filter fan unit 28a is provided on the ceiling of the wafer transfer unit 4 so that air or the like from which particles are removed is blown into the wafer transfer unit 4. In addition, the wall 25 that forms the boundary between the wafer transfer unit 4 and the cleaning units 3a to 3c is provided with the wafer W between the wafer transfer mechanism 7 and the tables 31 of the cleaning units 3a to 3c.
Windows 26a-2 that can be opened and closed to enable transport of
6c is formed. The windows 26a to 26c have shutters 27a for opening and closing the windows 26a to 26c.
To 27c are disposed on the wafer transfer unit 4 side,
The atmosphere of the wafer transfer unit 4 and the atmosphere of the cleaning processing units 3a to 3c can be separated. Shutter 27
a to 27c can be provided on the cleaning processing units 3a to 3c side.

【0023】洗浄処理ユニット3a〜3cは、それぞれ
が隔壁で隔てられた構造となっており、洗浄処理ユニッ
ト3a〜3c間の雰囲気が互いに拡散することのない構
造となっている。これにより、各洗浄処理ユニット3a
〜3c毎に異なる処理液を用いて、所定の液処理を行う
ことが可能である。以下、洗浄処理ユニット3a〜3c
は全て同じ構成を有することから、洗浄処理ユニット3
aを例にその構成について説明する。
Each of the cleaning units 3a to 3c has a structure separated from each other by a partition, so that the atmosphere between the cleaning units 3a to 3c does not diffuse with each other. Thereby, each cleaning processing unit 3a
It is possible to perform a predetermined liquid processing using a different processing liquid for each of the steps 3c to 3c. Hereinafter, the cleaning units 3a to 3c
Have the same configuration, the cleaning unit 3
The configuration will be described using a as an example.

【0024】洗浄処理ユニット3aの天井部分にも、フ
ィルタファンユニット28bが配設されており、洗浄処
理ユニット3a内にパーティクルを除去した空気等が送
風されるようになっている。洗浄処理ユニット3aは、
テーブル31にテーブル31を回転させるモータ(駆動
機構)32が軸部材37を介して取り付けられてなるテ
ーブル回転機構8を有する。テーブル31の表面にはウ
エハWを保持するための保持治具33が配設されてお
り、ウエハWはその表裏面がテーブル31の表面と平行
となるようにテーブル31上空に、つまりテーブル31
の表面から浮いた状態で保持治具33に保持される。
A filter fan unit 28b is also provided on the ceiling of the cleaning unit 3a so that air or the like from which particles have been removed is blown into the cleaning unit 3a. The cleaning unit 3a includes:
The table 31 has a table rotating mechanism 8 in which a motor (drive mechanism) 32 for rotating the table 31 is attached via a shaft member 37. A holding jig 33 for holding the wafer W is disposed on the surface of the table 31, and the wafer W is placed above the table 31 so that the front and back surfaces thereof are parallel to the surface of the table 31, that is, the table 31.
Is held by the holding jig 33 in a state of being floated from the surface.

【0025】保持治具33は、ウエハWを周縁部で保持
できる構造のものであればよく、例えば、ウエハWを保
持するための溝が形成されたピンを挙げることができ
る。図3ではピン状の保持治具33を4箇所に配設した
場合を示しており、この場合には、ウエハWの搬入出を
可能とすべく、保持治具33の窓部26a側の1箇所に
ついては、例えば、ウエハWの搬入出の際にはウエハW
の移動に支障が生じないように転倒させる機構を有し、
かつ、ウエハWを保持している間はロックが掛かってウ
エハWが保持治具33から飛び出すことを防止する構造
のもの等を用いることができる。
The holding jig 33 may have any structure as long as it can hold the wafer W at the peripheral edge. For example, a pin having a groove for holding the wafer W can be used. FIG. 3 shows a case in which the pin-shaped holding jigs 33 are arranged at four positions. In this case, in order to enable loading / unloading of the wafer W, one of the holding jigs 33 on the side of the window 26a is set. For example, when loading / unloading the wafer W,
It has a mechanism to fall down so as not to hinder the movement of
In addition, it is possible to use a device having a structure that locks the wafer W while the wafer W is held and prevents the wafer W from jumping out of the holding jig 33.

【0026】テーブル31とモータ32を連結する軸部
材37は、テーブル31の下側に配置された円盤38の
中心部を貫通している。円盤38は、後述するように、
テーブル31を処理チャンバ51へ挿入したときに、処
理チャンバ51のテーブル挿入口54を閉塞するための
部材であり、回転することはない。従って、軸部材37
が円盤38を貫通する部分は、軸部材37が回転可能で
はあるが、処理チャンバ51からの処理液の漏出が起こ
らないようにシール構造が採られる。
A shaft member 37 connecting the table 31 and the motor 32 passes through the center of a disk 38 disposed below the table 31. The disk 38 is, as described later,
When the table 31 is inserted into the processing chamber 51, it is a member for closing the table insertion port 54 of the processing chamber 51, and does not rotate. Therefore, the shaft member 37
Although the shaft member 37 is rotatable at the portion penetrating the disk 38, a sealing structure is adopted so that the processing liquid does not leak from the processing chamber 51.

【0027】円盤38には、円盤38とテーブル回転機
構8をY−Z面内で所定角度ほど回転させるために、脚
部34と回転軸35ならびに円盤保持部材36を有する
姿勢変換機構9が取り付けられており、この姿勢変換機
構9により、ウエハWを水平状態と、立設状態例えば垂
直状態(ウエハWの表面と水平方向とのなす角が90°
の場合)との間の任意の状態で保持することができるよ
うになっている。
To rotate the disk 38 and the table rotating mechanism 8 by a predetermined angle in the YZ plane, the disk 38 is provided with an attitude converting mechanism 9 having a leg 34, a rotating shaft 35 and a disk holding member 36. The attitude conversion mechanism 9 moves the wafer W in a horizontal state and in an upright state, for example, in a vertical state (an angle between the surface of the wafer W and the horizontal direction is 90 °).
) Can be held in any state.

【0028】姿勢変換機構9の駆動は、モータやアクチ
ュエータ等の駆動装置を用いて行うことができる。円盤
保持部材36は、軸部材37のカバーとしての役割も果
たしており、例えば軸部材37とモータ32全体を取り
囲むような形態とすると、モータ32で発生するパーテ
ィクル等が洗浄処理ユニット3a内の雰囲気を悪化させ
ることを抑制することができる。
Driving of the posture changing mechanism 9 can be performed using a driving device such as a motor or an actuator. The disk holding member 36 also plays a role as a cover for the shaft member 37. For example, if the disk holding member 36 surrounds the shaft member 37 and the entire motor 32, particles generated by the motor 32 cause the atmosphere in the cleaning processing unit 3a to change. Deterioration can be suppressed.

【0029】姿勢変換機構9の脚部34は、ガイドレー
ル39上をX方向に移動可能なX軸駆動機構10上に配
設されており、これによりテーブル回転機構8と姿勢変
換機構9は、洗浄処理ユニット3a内をX方向に移動可
能となっている。このX軸駆動機構10を用いて、ウエ
ハWが立設状態で保持されるように姿勢変換されたテー
ブル回転機構8のテーブル31の部分を処理チャンバ5
1に挿入することができる。
The leg 34 of the posture changing mechanism 9 is disposed on the X-axis driving mechanism 10 which can move on the guide rail 39 in the X direction, so that the table rotating mechanism 8 and the posture changing mechanism 9 The inside of the cleaning processing unit 3a can be moved in the X direction. Using the X-axis drive mechanism 10, the portion of the table 31 of the table rotation mechanism 8 whose posture has been changed so that the wafer W is held in an upright state is processed in the processing chamber 5.
1 can be inserted.

【0030】なお、ガイドレール39の下部箱体20a
には、例えば、テーブル回転機構8、姿勢変換機構9、
X軸駆動機構10等の制御装置を収納することができ
る。また、図1から図3には示していないが、ガイドレ
ール39が配設されたスペースと処理チャンバ51が配
設されたスペースとの間に開閉可能なシャッターを設け
て、処理チャンバ51内の雰囲気が洗浄処理ユニット3
全体に拡散しないような構造とすることができる。
The lower box 20a of the guide rail 39
Includes, for example, a table rotation mechanism 8, a posture conversion mechanism 9,
A control device such as the X-axis drive mechanism 10 can be housed. Although not shown in FIGS. 1 to 3, a shutter that can be opened and closed is provided between the space in which the guide rail 39 is provided and the space in which the processing chamber 51 is provided, and the inside of the processing chamber 51 is provided. Atmosphere is cleaning unit 3
A structure that does not diffuse throughout can be provided.

【0031】洗浄処理ユニット3aには、テーブル31
上に保持されたウエハWの洗浄処理を行うための処理チ
ャンバ51が配設されている。図4および図5は、テー
ブル31を処理チャンバ51に挿入した状態の一形態を
示す断面図である。ここで、図4および図5において
は、姿勢変換機構9やX軸駆動機構10の記載を省略し
ており、処理チャンバ51については、断面略台形の筒
形の形態を有している外側チャンバ52aと、X方向に
スライド可能な内側チャンバ52bとからなる二重構造
を有するものを示している。
The cleaning unit 3a includes a table 31
A processing chamber 51 for performing a cleaning process on the wafer W held thereon is provided. FIG. 4 and FIG. 5 are cross-sectional views showing one mode in a state where the table 31 is inserted into the processing chamber 51. Here, in FIGS. 4 and 5, the description of the attitude conversion mechanism 9 and the X-axis drive mechanism 10 is omitted, and the processing chamber 51 is an outer chamber having a substantially trapezoidal cylindrical cross section. 52 shows a dual structure including a second chamber 52a and an inner chamber 52b slidable in the X direction.

【0032】図4は内側チャンバ52bを図中右側へ待
避させ、外側チャンバ52aを用いて液処理を行う際の
状態を示しており、図5は内側チャンバ52bを外側チ
ャンバ52a内に収納して、内側チャンバ52bによる
液処理を行う状態を示している。なお、外側チャンバ5
2aはメンテナンス等の際に、図4に示される内側チャ
ンバ52bの位置へ待避させることができるようになっ
ている。
FIG. 4 shows a state in which the inner chamber 52b is retracted to the right side in the figure and liquid processing is performed using the outer chamber 52a. FIG. 5 shows the state in which the inner chamber 52b is housed in the outer chamber 52a. , The liquid processing by the inner chamber 52b is performed. The outer chamber 5
2a can be retracted to the position of the inner chamber 52b shown in FIG. 4 during maintenance or the like.

【0033】図4に示すように、外側チャンバ52aに
おける洗浄処理は、垂直壁53aと、テーブル挿入口5
4が形成された垂直壁53bと、テーブル挿入口54を
閉塞するテーブル回転機構8の円盤38とにより形成さ
れる処理空間95において行われる。垂直壁53bの上
部には、排気バルブ65と排気管67からなる排気経路
が設けられており、処理空間95の雰囲気の調整が可能
となっている。また、垂直壁53bの下部には、ドレイ
ンバルブ61とドレイン管63からなるドレイン(排液
経路)が形成されており、処理空間95から使用された
洗浄液が排出されるようになっている。
As shown in FIG. 4, the cleaning process in the outer chamber 52a is performed by the vertical wall 53a and the table insertion port 5a.
4 is performed in a processing space 95 formed by the vertical wall 53b in which the table 4 is formed and the disk 38 of the table rotating mechanism 8 that closes the table insertion port 54. An exhaust path including an exhaust valve 65 and an exhaust pipe 67 is provided above the vertical wall 53b, so that the atmosphere of the processing space 95 can be adjusted. In addition, a drain (drainage path) including a drain valve 61 and a drain pipe 63 is formed below the vertical wall 53b, and the used cleaning liquid is discharged from the processing space 95.

【0034】ここで、外側チャンバ52aは、垂直壁5
3b側が長径側に設定され、また、外側チャンバ52a
の胴部下側面に、垂直壁53b側が下方となるような勾
配が形成されるように固定されているので、使用された
洗浄液は容易にドレインバルブ61からドレイン管63
を通して排出される。
Here, the outer chamber 52a is provided with the vertical wall 5
3b is set to the longer diameter side, and the outer chamber 52a
Is fixed to the lower side surface of the torso so that the vertical wall 53b is directed downward, so that the used cleaning liquid can be easily supplied from the drain valve 61 to the drain pipe 63.
Is discharged through.

【0035】外側チャンバ52a内の上端近傍部分に
は、複数の吐出口55を有する吐出ノズル56が、吐出
口55が水平方向に並ぶようにして垂直壁53bに取り
付けられている。吐出ノズル56からは、薬液貯蔵ユニ
ット5a内の供給源から供給された純水、IPA等の各
種薬液や、Nガス等の乾燥ガスが吐出可能となってい
る。また、垂直壁53bには、テーブル31の裏面を洗
浄するための吐出ノズル74aが配設されている。この
ような吐出ノズル74aは主に種々の薬液処理後に純水
でテーブル31の裏面の洗浄を行う際に使用される。な
お、吐出ノズル56は、図4および図5中には1本しか
示されていないが、複数本設けることが可能である。
A discharge nozzle 56 having a plurality of discharge ports 55 is attached to a vertical wall 53b near the upper end in the outer chamber 52a so that the discharge ports 55 are arranged in a horizontal direction. From the discharge nozzle 56, the pure water supplied from a source in the chemical liquid storing unit 5a, and various chemical such as IPA, a dry gas such as N 2 gas has become possible ejection. In addition, a discharge nozzle 74a for cleaning the back surface of the table 31 is provided on the vertical wall 53b. Such a discharge nozzle 74a is mainly used when cleaning the back surface of the table 31 with pure water after various chemical treatments. Although only one ejection nozzle 56 is shown in FIGS. 4 and 5, a plurality of ejection nozzles can be provided.

【0036】内側チャンバ52bは、外側チャンバ52
aよりも径が小さい断面略台形の筒状の形態を有し、図
4に示す位置と図5に示す位置との間でX方向に平行移
動(スライド)可能に構成されている。内側チャンバ5
2bは、その短径側の端面にリング部材59bを、長径
側の端面にリング部材59aを有しており、内側チャン
バ52bが外側チャンバ52a内に配置されたときに
は、リング部材59aが垂直壁53aに密着し、また、
リング部材59bが垂直壁53bに密着することで処理
空間96が形成される。なお、リング部材59aと垂直
壁53aの接離部分およびリング部材59bと垂直壁5
3bの接離部分に、図示しないシール部材等を配設する
と、密着性がより向上する。
The inner chamber 52b is
It has a tubular shape with a cross section of substantially trapezoidal shape smaller in diameter than "a", and is configured to be able to translate (slide) in the X direction between the position shown in FIG. 4 and the position shown in FIG. Inner chamber 5
2b has a ring member 59b on its short-diameter end face and a ring member 59a on its long-diameter end face. When the inner chamber 52b is disposed in the outer chamber 52a, the ring member 59a is attached to the vertical wall 53a. Adhere to
The processing space 96 is formed by the ring member 59b being in close contact with the vertical wall 53b. The ring member 59a and the vertical wall 53a are separated from and separated from each other.
If a sealing member or the like (not shown) is provided at the contact / separation portion of 3b, the adhesion is further improved.

【0037】なお、内側チャンバ52bを外側チャンバ
52aから待避させたときには、リング部材59bが垂
直壁53aに密着するとともにリング部材59aが垂直
壁53cに密着することによって、外側チャンバ52a
によって形成される処理空間95の雰囲気は、内側チャ
ンバ52b内の雰囲気と隔離される。
When the inner chamber 52b is retracted from the outer chamber 52a, the ring member 59b comes into close contact with the vertical wall 53a, and the ring member 59a comes into close contact with the vertical wall 53c.
Is separated from the atmosphere in the inner chamber 52b.

【0038】内側チャンバ52b内の上部には、複数の
吐出口57を有する吐出ノズル58が、吐出口57が水
平方向に並ぶようにして取り付けられている。吐出ノズ
ル58からは、薬液貯蔵ユニット5a内の供給源から供
給された各種薬液、純水、IPA等が吐出される。ま
た、内側チャンバ52bの上部内壁には、テーブル31
の表面を洗浄するための処理液の吐出ノズル74bが配
設されており、純水等の洗浄液を吐出可能となってい
る。なお、これら各種の吐出ノズル56・58・74a
・74bからは、超音波が印加された処理液を供給して
もよい。
A discharge nozzle 58 having a plurality of discharge ports 57 is mounted on the upper part in the inner chamber 52b so that the discharge ports 57 are arranged in a horizontal direction. From the discharge nozzle 58, various chemicals, pure water, IPA and the like supplied from a supply source in the chemical storage unit 5a are discharged. The table 31 is provided on the upper inner wall of the inner chamber 52b.
A processing liquid discharge nozzle 74b for cleaning the surface of the substrate is provided, and a cleaning liquid such as pure water can be discharged. These various discharge nozzles 56, 58, 74a
A processing liquid to which ultrasonic waves have been applied may be supplied from 74b.

【0039】リング部材59aの上端部には排気口66
が形成されており、排気管68を通じて、処理空間96
内の雰囲気調整または退避位置での内側チャンバ52b
内の雰囲気調整を行うことが可能となっている。また、
リング部材59aの下端部には処理液排出口46が形成
されており、この処理液排出口46と連通するようにド
レイン誘導部材47が配設されている。
An exhaust port 66 is provided at the upper end of the ring member 59a.
Is formed, and the processing space 96 is formed through the exhaust pipe 68.
Inner chamber 52b at the atmosphere adjustment or retreat position
It is possible to adjust the atmosphere inside. Also,
A processing liquid outlet 46 is formed at the lower end of the ring member 59a, and a drain guide member 47 is provided so as to communicate with the processing liquid outlet 46.

【0040】内側チャンバ52bは、モータ32側を短
径側とし、また下側面に勾配が形成されるようにして配
設されている。つまり、処理液排出口46は内側チャン
バ52bの下側面に形成された勾配の下方側に形成され
ていることから、内側チャンバ52bで使用された処理
液は、容易に処理液排出口46からドレイン誘導部材4
7へ流れ込む。
The inner chamber 52b is disposed such that the motor 32 side is a short diameter side and a gradient is formed on a lower side surface. That is, since the processing liquid outlet 46 is formed below the slope formed on the lower surface of the inner chamber 52b, the processing liquid used in the inner chamber 52b can be easily drained from the processing liquid outlet 46. Guiding member 4
Flow into 7.

【0041】ドレイン誘導部材47は下方に伸び、その
先端部48は水平方向を向くように構成されている。一
方、垂直壁53aの下方には別体としてドレイン管49
が配置されており、ドレイン管49の先端には先端部と
してのキャップ部50が形成されている。
The drain guide member 47 extends downward, and its tip end 48 is configured to face in the horizontal direction. On the other hand, a drain tube 49 is separately provided below the vertical wall 53a.
Are disposed, and a cap 50 as a tip is formed at the tip of the drain tube 49.

【0042】内側チャンバ52bが退避位置にあるとき
は、ドレイン誘導部材47の先端部48とキャップ部5
0とは隔離された状態にあるが、内側チャンバ52bを
ウエハWの洗浄処理等のために外側チャンバ52a内に
収容されるようにスライドさせると、先端部48がキャ
ップ部50に嵌合されて気密にシールされ、これによ
り、ドレイン誘導部材47とドレイン管49とが連通
し、処理液の排液が可能となる構造となっている。他
方、ウエハWの液処理が終了して、内側チャンバ52b
を外側チャンバ52aから退避させる際には、先端部4
8とキャップ部50とは離隔される。
When the inner chamber 52b is at the retracted position, the tip 48 of the drain guiding member 47 and the cap 5
However, when the inner chamber 52b is slid so as to be accommodated in the outer chamber 52a for cleaning processing of the wafer W, the distal end portion 48 is fitted to the cap portion 50. The structure is airtightly sealed, whereby the drain guide member 47 and the drain tube 49 communicate with each other, and the processing liquid can be drained. On the other hand, when the liquid processing of the wafer W is completed, the inner chamber 52b
When retracting from the outer chamber 52a, the tip 4
8 and the cap portion 50 are separated from each other.

【0043】このような外側チャンバ52aと内側チャ
ンバ52bのX方向の長さ、つまり胴体の長さは、テー
ブル31とウエハWとの距離に応じた長さに設定するこ
とができることから、洗浄処理ユニット3a〜3cでは
小型化が容易である。この場合には、処理雰囲気の制御
も容易となり、排気量を低減できるので、高温の薬液を
用いた場合でもその温度低下が小さく、従って使用する
ことができる薬液の種類の範囲が広がる利点がある。ま
た、処理液は吐出ノズル55・57から直接にウエハW
の表面に向けて吐出され、ブラシ等を用いないことから
チャンバ内の構造が簡単である。
The length of the outer chamber 52a and the inner chamber 52b in the X direction, that is, the length of the body, can be set to a length corresponding to the distance between the table 31 and the wafer W. The units 3a to 3c can be easily reduced in size. In this case, the control of the processing atmosphere becomes easy, and the amount of exhaust can be reduced. Therefore, even when a high-temperature chemical is used, the temperature drop is small, and therefore, there is an advantage that the range of types of the chemical that can be used is widened. . Further, the processing liquid is directly supplied from the discharge nozzles 55 and 57 to the wafer W.
Since the ink is discharged toward the surface of the chamber and a brush or the like is not used, the structure in the chamber is simple.

【0044】次に、キャリアCに収納されたウエハWの
洗浄工程について、キャリアステージ2aに載置された
キャリアC内のウエハWを、洗浄処理ユニット3a〜3
cで処理する場合を例として説明する。先ず、複数枚の
ウエハWが所定の間隔で平行に収納されたキャリアC
を、キャリアCにおいてウエハWの出し入れを行う搬入
出口が窓部12と対面するようにキャリアステージ2a
に載置する。
Next, in the cleaning step of the wafer W stored in the carrier C, the wafer W in the carrier C mounted on the carrier stage 2a is cleaned by the cleaning units 3a to 3a.
The case of processing in c will be described as an example. First, a carrier C in which a plurality of wafers W are stored in parallel at predetermined intervals.
To the carrier stage 2 a so that the loading / unloading port for loading / unloading the wafer W in the carrier C faces the window 12.
Place on.

【0045】キャリアC内の所定のウエハWを搬送する
ために、開閉装置14aを用いて窓部12aを閉じてい
るシャッターを開き、また、キャリアCの搬入出口を閉
塞している蓋体を開いて、キャリアCの内部とウエハ搬
送ユニット4の内部が連通する状態とする。その後に、
検出センサ機構13aをZ方向にスキャンさせて、キャ
リアC内のウエハWの枚数および収納状態を確認する。
ここで、異常が検出された場合には処理を中断し、例え
ば、キャリアステージ2bに別のキャリアCが載置され
ていた場合には、その別のキャリアCから同様の処理を
開始する。
In order to transfer a predetermined wafer W in the carrier C, the shutter closing the window 12a is opened using the opening / closing device 14a, and the lid closing the loading / unloading opening of the carrier C is opened. Then, the inside of the carrier C and the inside of the wafer transfer unit 4 are brought into communication with each other. Then,
By scanning the detection sensor mechanism 13a in the Z direction, the number of wafers W in the carrier C and the stored state are checked.
Here, when an abnormality is detected, the processing is interrupted. For example, when another carrier C is mounted on the carrier stage 2b, the same processing is started from the other carrier C.

【0046】キャリアC内のウエハWに異常が検出され
なかった場合には、搬送アーム21aが搬出する所定の
ウエハWの下側に位置するようにZ軸駆動機構99を動
作させて搬送アーム21aの高さを合わせた後、ウエハ
搬送機構7の有するX軸駆動機構を動作させて、搬送ア
ーム21aをキャリアC内に挿入し、Z軸駆動機構99
を所定高さほど上昇させて搬送アーム21aに所定の1
枚のウエハWを保持させ、再びX軸駆動機構を動作させ
て搬送アーム21aを元の位置へ戻す。その後、次にウ
エハWの搬入出まで、開閉装置14aを動作させて窓部
12aおよびキャリアCの蓋体を閉めておく。
If no abnormality is detected in the wafer W in the carrier C, the Z-axis drive mechanism 99 is operated so that the transfer arm 21a is positioned below the predetermined wafer W to be carried out, and the transfer arm 21a is moved. After the height is adjusted, the X-axis drive mechanism of the wafer transfer mechanism 7 is operated to insert the transfer arm 21a into the carrier C, and the Z-axis drive mechanism 99
Is raised by a predetermined height, and a predetermined 1
The wafer W is held, and the X-axis driving mechanism is operated again to return the transfer arm 21a to the original position. Thereafter, the opening / closing device 14a is operated to close the window 12a and the cover of the carrier C until the wafer W is loaded / unloaded next time.

【0047】続いて、搬送アーム21aに保持されたウ
エハWが、ウエハ搬送ユニット4と洗浄処理ユニット3
aとの境界をなす壁部25に形成された窓部26aに対
面するように、ウエハ搬送機構7の有するθ回転駆動機
構を180°回転させる。そして、窓部26aを閉じて
いたシャッター27aを開き、ウエハ搬送機構7のX軸
駆動機構を動作させて、洗浄処理ユニット3aにおいて
窓部26aに対面する位置に待機させていたテーブル3
1上の保持治具33にウエハWが保持されるように搬送
アーム21aを挿入する。
Subsequently, the wafer W held by the transfer arm 21a is moved to the wafer transfer unit 4 and the cleaning unit 3
The θ rotation drive mechanism of the wafer transfer mechanism 7 is rotated by 180 ° so as to face the window 26a formed in the wall 25 that forms a boundary with the axis a. Then, the shutter 27a closing the window 26a is opened, and the X-axis driving mechanism of the wafer transfer mechanism 7 is operated, so that the table 3 which is waiting at the position facing the window 26a in the cleaning unit 3a.
The transfer arm 21a is inserted so that the wafer W is held by the holding jig 33 on the first.

【0048】このとき、ウエハWの搬入出が可能なよう
に、テーブル31上に配設されたウエハWを保持するた
めの保持治具33のうち窓部26a側のものは待避させ
た状態にある。また、搬送アーム21aの高さはウエハ
搬送ユニット4のZ軸駆動機構99によりウエハWが保
持治具33に収納されるように調節されている。
At this time, among the holding jigs 33 for holding the wafers W disposed on the table 31, those on the side of the window 26 a are retracted so that the wafers W can be loaded and unloaded. is there. The height of the transfer arm 21 a is adjusted by the Z-axis drive mechanism 99 of the wafer transfer unit 4 so that the wafer W is stored in the holding jig 33.

【0049】ウエハWが保持治具33に保持されたら、
ウエハ搬送機構7が有するZ軸駆動機構99を動作させ
て搬送アーム21aの位置を下げ、さらにX軸駆動機構
を動作させて搬送アーム21aを元の位置に戻し、シャ
ッター27aを閉じる。テーブル31においては、保持
治具33を所定の状態として、ウエハWをその周縁部で
確実に保持した状態とする。
When the wafer W is held by the holding jig 33,
The Z-axis drive mechanism 99 of the wafer transfer mechanism 7 is operated to lower the position of the transfer arm 21a, and the X-axis drive mechanism is further operated to return the transfer arm 21a to the original position and close the shutter 27a. In the table 31, the holding jig 33 is set in a predetermined state, and the wafer W is securely held at its peripheral edge.

【0050】こうして洗浄処理ユニット3aでのウエハ
Wの洗浄処理を開始することができるが、引き続き、ウ
エハ搬送ユニット4においては、キャリアC内の別のウ
エハWを先にキャリアCから洗浄処理ユニット3aに搬
送した方法と同様の方法を用いて洗浄処理ユニット3b
に搬送し、その後にさらにキャリアC内の所定のウエハ
Wを洗浄処理ユニット3cに搬送し、逐次、洗浄処理ユ
ニット3b・3cでの洗浄処理を、後述する洗浄処理ユ
ニット3aにおける洗浄方法と同様にして開始する。な
お、ウエハWの洗浄処理ユニット3b・3cへの搬送に
は、ウエハ搬送機構7が有するY軸駆動機構98を用い
る。
In this manner, the cleaning process of the wafer W in the cleaning unit 3a can be started. Subsequently, in the wafer transfer unit 4, another wafer W in the carrier C is first moved from the carrier C to the cleaning unit 3a. Cleaning unit 3b using a method similar to the method carried to
After that, the predetermined wafer W in the carrier C is further transferred to the cleaning processing unit 3c, and the cleaning processing in the cleaning processing units 3b and 3c is sequentially performed in the same manner as the cleaning method in the cleaning processing unit 3a described later. Start. Note that the Y-axis drive mechanism 98 of the wafer transfer mechanism 7 is used to transfer the wafer W to the cleaning units 3b and 3c.

【0051】次に、姿勢変換機構9を用いて、テーブル
31が処理チャンバ51側を向くように、例えば、テー
ブル回転機構8を、例えば90°ほど倒し、テーブル回
転機構8を水平状態に保持する。こうしてウエハWは略
垂直状態に保持されることとなる。そして、X軸駆動機
構10を用いて、テーブル31が外側チャンバ52aに
収容され、また、円盤38により外側チャンバ52aの
テーブル挿入口54が閉塞されるように、テーブル回転
機構8および姿勢変換機構9をスライドさせる。
Next, the table rotation mechanism 8 is tilted by, for example, about 90 ° using the attitude conversion mechanism 9 so that the table 31 faces the processing chamber 51, and the table rotation mechanism 8 is held in a horizontal state. . Thus, the wafer W is held substantially vertically. Then, using the X-axis drive mechanism 10, the table rotating mechanism 8 and the posture changing mechanism 9 are so arranged that the table 31 is housed in the outer chamber 52a and the disk 38 closes the table insertion opening 54 of the outer chamber 52a. Slide.

【0052】処理チャンバ51において、例えば、内側
チャンバ52bでは薬液を用いたポリマー除去等の処理
を、外側チャンバ52aでは純水を用いた処理とその後
の乾燥処理を行うとすると、最初は内側チャンバ52b
を外側チャンバ52a内に配置した状態として、モータ
32によりテーブル31を所定の回転数で回転させなが
ら、吐出ノズル58を用いて所定の薬液をウエハWの表
裏面に向かって吐出する。そして、薬液を用いた処理が
終了した後に吐出ノズル74bから純水を吐出させて、
テーブル31の表面を洗浄する。
In the processing chamber 51, for example, when processing such as removal of a polymer using a chemical solution is performed in the inner chamber 52b, and processing using pure water and subsequent drying processing are performed in the outer chamber 52a, first, the inner chamber 52b
Is placed in the outer chamber 52a, a predetermined chemical solution is discharged toward the front and back surfaces of the wafer W using the discharge nozzle 58 while the table 31 is rotated at a predetermined rotation speed by the motor 32. Then, after the process using the chemical solution is completed, pure water is discharged from the discharge nozzle 74b,
The surface of the table 31 is cleaned.

【0053】次に、内側チャンバ52bを外側チャンバ
52aから待避させた状態として、テーブル31を所定
の回転数で回転させながら、吐出ノズル56を用いて純
水を吐出してウエハWの洗浄を行い、しかる後に吐出ノ
ズル74aから純水を吐出して、テーブル31の裏面の
洗浄を行う。その後、処理液の吐出を行わずに、所定の
回転数でテーブル31を回転させて、テーブル31やウ
エハWに付着した純水を振り切り、必要に応じて、IP
AやNガス等をウエハWに噴射して乾燥処理を行う。
Next, while the inner chamber 52b is retracted from the outer chamber 52a, the wafer W is cleaned by discharging pure water using the discharge nozzle 56 while rotating the table 31 at a predetermined rotation speed. Thereafter, pure water is discharged from the discharge nozzle 74a to clean the back surface of the table 31. Thereafter, without discharging the processing liquid, the table 31 is rotated at a predetermined number of revolutions to shake off the pure water adhering to the table 31 and the wafer W.
A or N 2 gas or the like is sprayed on the wafer W to perform a drying process.

【0054】液処理および乾燥処理が終了した後には、
X軸駆動機構10を用いて、テーブル31を処理チャン
バ51から搬出するために、テーブル回転機構8を処理
チャンバ51から離れるようにスライドさせ、続いて姿
勢変換機構9を動作させてテーブル回転機構8を垂直状
態に立て直し、テーブル31を窓部26aと対面する位
置へ戻す。ウエハWを保持している保持治具33の位置
をウエハWの搬出が行うことができる適切な位置に合わ
せ、保持治具33の中の可動なもののロックを解除して
待避させる。
After the completion of the liquid treatment and the drying treatment,
In order to carry out the table 31 from the processing chamber 51 using the X-axis driving mechanism 10, the table rotating mechanism 8 is slid away from the processing chamber 51, and then the attitude converting mechanism 9 is operated to move the table rotating mechanism 8 Is returned to the vertical state, and the table 31 is returned to the position facing the window 26a. The position of the holding jig 33 holding the wafer W is adjusted to an appropriate position where the wafer W can be unloaded, and the movable jig in the holding jig 33 is unlocked and retracted.

【0055】保持治具33からのウエハWの搬出には搬
送アーム21bを用いる。搬送アーム21bが洗浄処理
済みのウエハWを搬出することができるように、ウエハ
搬送機構7のZ軸駆動機構99を動作させて搬送アーム
21bの高さ位置を調節し、シャッター27aを開いて
X軸駆動機構により搬送アーム21bをテーブル31と
ウエハWとの間に挿入し、Z軸駆動機構99を動作させ
て搬送アーム21bによりウエハWを軽く持ち上げ、さ
らにX軸駆動機構により搬送アーム21bを元の位置に
戻すことで、ウエハWをテーブル31上の保持治具33
から搬出することができる。
The transfer arm 21b is used for unloading the wafer W from the holding jig 33. The height position of the transfer arm 21b is adjusted by operating the Z-axis drive mechanism 99 of the wafer transfer mechanism 7 so that the transfer arm 21b can unload the wafer W having been subjected to the cleaning process, and the shutter 27a is opened to release the wafer X. The transfer arm 21b is inserted between the table 31 and the wafer W by the shaft drive mechanism, the Z-axis drive mechanism 99 is operated to lift the wafer W lightly by the transfer arm 21b, and the transfer arm 21b is moved back by the X-axis drive mechanism. The wafer W is returned to the position shown in FIG.
Can be carried out from

【0056】シャッター27aを閉じた後に、搬送アー
ム21bがキャリアステージ2a側を向くようにウエハ
搬送機構7のθ回転駆動機構を駆動させ、開閉装置14
aを用いて窓部12aを開くとともにキャリアCの蓋体
を開いて、キャリアCの内部とウエハ搬送ユニット4が
連通した状態とし、ウエハWを戻すべき所定の高さにZ
軸駆動機構99を用いて搬送アーム21bの高さを調節
した後、X軸駆動機構を用いて搬送アーム21bをキャ
リアC内に挿入し、ウエハWを搬入して搬送アーム21
bを元の位置に戻す。このように、洗浄処理前のウエハ
Wを搬送アーム21aで、洗浄処理後のウエハWを搬送
アーム21bで、それぞれ搬送することにより、搬送ア
ーム21bは洗浄処理前のウエハWを保持しないことか
ら、洗浄処理後のウエハWを汚すことがない。
After the shutter 27a is closed, the θ rotation drive mechanism of the wafer transfer mechanism 7 is driven so that the transfer arm 21b faces the carrier stage 2a.
a to open the window portion 12a and open the lid of the carrier C so that the inside of the carrier C and the wafer transfer unit 4 are in communication with each other.
After adjusting the height of the transfer arm 21b using the axis drive mechanism 99, the transfer arm 21b is inserted into the carrier C using the X-axis drive mechanism, and the wafer W is loaded and transferred.
Return b to its original position. As described above, since the wafer W before the cleaning process is transferred by the transfer arm 21a and the wafer W after the cleaning process is transferred by the transfer arm 21b, the transfer arm 21b does not hold the wafer W before the cleaning process. The wafer W after the cleaning process is not stained.

【0057】続いて、キャリアC内に未処理のウエハW
があり、その洗浄処理を行う場合には、ウエハ搬送機構
7のθ回転駆動機構を動作させて搬送アーム21aを窓
部26aに対面させた後、前述した方法により所定のウ
エハWの搬出、テーブル31への搬送、洗浄処理、キャ
リアCへの搬送、といった一連の作業を繰り返す。この
ような作業は、洗浄処理ユニット3b・3cでの処理に
ついても同様に行うことができる。また、キャリアステ
ージ2bにキャリアCを載置しておけば、キャリアステ
ージ2aに載置したキャリアC内のウエハWの処理に引
き続いて、キャリアステージ2bに載置されたキャリア
C内のウエハWの処理を開始することができる。
Subsequently, the unprocessed wafer W is placed in the carrier C.
When performing the cleaning process, the θ rotation drive mechanism of the wafer transfer mechanism 7 is operated so that the transfer arm 21a faces the window 26a. A series of operations such as transport to the carrier 31, cleaning processing, and transport to the carrier C are repeated. Such an operation can be similarly performed for the processing in the cleaning processing units 3b and 3c. Further, if the carrier C is mounted on the carrier stage 2b, the wafer W in the carrier C mounted on the carrier stage 2b is processed following the processing of the wafer W in the carrier C mounted on the carrier stage 2a. Processing can begin.

【0058】上述した洗浄処理方法は、3箇所に配設さ
れた洗浄処理ユニット3a〜3cで全て同じ洗浄処理を
行った場合であるが、洗浄処理装置1を用いた洗浄処理
方法は、このような方法に限定されるものではない。例
えば、キャリアステージ2aに載置されたキャリアC内
のウエハWについては、所定の薬液を使用して洗浄処理
ユニット3aのみを用いて行い、一方、キャリアステー
ジ2bに載置されたキャリアC内のウエハWについて
は、別の薬液を使用して洗浄処理ユニット3b・3cを
用いて行うというように、洗浄処理ユニット3a〜3c
を使用する薬液別に使い分け、または処理内容の違いに
よって使い分けることも可能である。
The above-described cleaning processing method is a case where the same cleaning processing is performed in all three cleaning processing units 3a to 3c. The cleaning processing method using the cleaning processing apparatus 1 is as described above. The method is not limited to this. For example, for the wafer W in the carrier C mounted on the carrier stage 2a, the cleaning is performed using only the cleaning processing unit 3a using a predetermined chemical solution, while the wafer W in the carrier C mounted on the carrier stage 2b is used. For the wafer W, the cleaning units 3a to 3c are used, for example, by using the cleaning units 3b and 3c using different chemicals.
It is also possible to use differently according to the chemical solution to be used, or to use properly according to the difference in the processing content.

【0059】ところで、洗浄処理装置1では、ウエハW
を保持するためにテーブル31上に配設された保持治具
33には、1枚のウエハWのみが保持可能であったが、
保持治具33の形態を数枚、例えば、2枚〜5枚程度を
保持可能とすることにより、処理時間の短縮を図ること
ができる。図6は2枚のウエハWを保持する保持治具3
3aをテーブル31上に配設した例を示す断面図および
平面図である。
In the cleaning processing apparatus 1, the wafer W
The holding jig 33 provided on the table 31 for holding the wafer W can hold only one wafer W.
The processing time can be shortened by enabling the holding jig 33 to hold several sheets, for example, about 2 to 5 sheets. FIG. 6 shows a holding jig 3 for holding two wafers W.
3A and 3B are a cross-sectional view and a plan view showing an example in which 3a is arranged on a table 31.

【0060】ウエハ搬送機構7の搬送アーム21aは1
枚のウエハWを搬送することが可能であるから、搬送ア
ーム21aをテーブル31とキャリアCとの間で2往復
させることにより、2枚のウエハWを保持治具33aに
収納することができ、逆に、搬送アーム21bを2往復
させて保持治具33aからキャリアCに戻すことができ
る。このような複数枚のウエハWの搬送時間よりも通
常、処理チャンバ51内での1回の洗浄処理時間の方が
長いことから、1度に複数枚の洗浄処理を行うことによ
り、処理時間の短縮が図られる。なお、搬送アーム21
a・21bを、それぞれテーブル31に保持されるウエ
ハWの枚数に合わせて複数配設すると、1往復の搬送で
済ませることができ、処理時間の短縮が図られる。
The transfer arm 21a of the wafer transfer mechanism 7
Since two wafers W can be transferred, the two arms W can be stored in the holding jig 33a by reciprocating the transfer arm 21a between the table 31 and the carrier C twice. Conversely, the carrier arm 21b can reciprocate two times to return the carrier C from the holding jig 33a. Usually, one cleaning processing time in the processing chamber 51 is longer than the transfer time of such a plurality of wafers W. Therefore, by performing a plurality of cleaning processing at once, the processing time can be reduced. Shortening is achieved. The transfer arm 21
If a and 21b are provided in plurality in accordance with the number of wafers W held on the table 31, respectively, it is possible to carry out one reciprocating transfer, thereby shortening the processing time.

【0061】図7の断面図は、保持治具33aを用いた
場合の外側チャンバ52aと内側チャンバ52bの形態
を図4と同様にして示したものである。図4と比較し
て、図7では、保持治具33aが保持するウエハWの枚
数に応じて吐出ノズル56・58に形成される吐出口5
5・57の数を増やして吐出ノズル56・58のX方向
長さを長くし、また、外側チャンバ52aと内側チャン
バ52bは、吐出ノズル56・58を内部に配設できる
ようにX方向に胴長な形状とされている。但し、ウエハ
Wの保持間隔が狭い場合には、吐出口55・57の数を
増やすことは必要であるが、吐出ノズル56・58のX
方向長さを長くすることは必ずしも必要ではなく、ま
た、外側チャンバ52aと内側チャンバ52bのX方向
長さについても、必ずしも長くする必要はない。
The sectional view of FIG. 7 shows the form of the outer chamber 52a and the inner chamber 52b when the holding jig 33a is used, as in FIG. Compared to FIG. 4, in FIG. 7, the ejection openings 5 formed in the ejection nozzles 56 and 58 in accordance with the number of wafers W held by the holding jig 33a.
The number of the discharge nozzles 56 and 58 is increased to increase the length of the discharge nozzles 56 and 58 in the X direction, and the outer chamber 52a and the inner chamber 52b are arranged in the X direction so that the discharge nozzles 56 and 58 can be disposed inside. It has a long shape. However, when the holding interval of the wafer W is narrow, it is necessary to increase the number of the discharge ports 55 and 57, but the X of the discharge nozzles 56 and 58
It is not always necessary to increase the length in the direction, and the length in the X direction of the outer chamber 52a and the inner chamber 52b is not necessarily required to be longer.

【0062】保持治具33aのように保持するウエハW
の枚数が増えると、モータ32にはより大きな負荷が掛
かるようになることから、モータ32の大型化が必要と
なる場合が考えられる。このようなモータ32の大型化
や処理チャンバ51(外側チャンバ52aと内側チャン
バ52b)の大型化等は、実際の処理にあたって要求さ
れるウエハWの処理効率と対比させながら、好適な条件
に設定すればよい。
The wafer W held like a holding jig 33a
When the number of sheets increases, a larger load is applied to the motor 32, so that it may be necessary to increase the size of the motor 32. The enlargement of the motor 32 and the enlargement of the processing chamber 51 (the outer chamber 52a and the inner chamber 52b) should be set to suitable conditions while being compared with the processing efficiency of the wafer W required for actual processing. I just need.

【0063】上述した本発明の洗浄処理装置1は、洗浄
処理装置単体として用いる場合以外に、例えば、図8の
平面図に示すように、真空処理部90と組み合わせて1
つのウエハ処理装置100として用いることも可能であ
る。真空処理部90は、例えば、第1ロードロック室9
1、第2ロードロック室92、エッチング処理室93、
アッシング処理室94を有しており、ウエハ搬送機構7
が第1ロードロック室91にアクセス可能な構造となっ
ている。
The cleaning apparatus 1 of the present invention described above is used in combination with a vacuum processing section 90 as shown in the plan view of FIG.
It is also possible to use as one wafer processing apparatus 100. The vacuum processing unit 90 includes, for example, the first load lock chamber 9.
1, a second load lock chamber 92, an etching chamber 93,
An ashing processing chamber 94;
Have a structure capable of accessing the first load lock chamber 91.

【0064】第1ロードロック室91と第2ロードロッ
ク室92との間、第2ロードロック室92とエッチング
処理室93との間、第2ロードロック室92とアッシン
グ処理室94との間には、それぞれこれらの間を気密に
シールしかつ開閉可能に構成された図示しないゲートバ
ルブが介装され、エッチング処理室93とアッシング処
理室94では、それぞれ所定のエッチング処理やアッシ
ング処理が行われる。
Between the first load lock chamber 91 and the second load lock chamber 92, between the second load lock chamber 92 and the etching chamber 93, and between the second load lock chamber 92 and the ashing chamber 94. Are provided with a gate valve (not shown) which hermetically seals them and can be opened and closed. In the etching processing chamber 93 and the ashing processing chamber 94, predetermined etching processing and ashing processing are respectively performed.

【0065】こうして、例えば、キャリアC内のウエハ
Wを、先ず、ウエハ搬送機構7を用いて真空処理部90
へ搬送し、エッチング処理室93において所定のエッチ
ング処理を行った後、ウエハWを洗浄処理ユニット3a
〜3cのいずれかへ搬送して所定の洗浄処理を行い、そ
の後にキャリアCへ戻すといった処理が可能となり、逆
に、ウエハWについて洗浄処理ユニット3a〜3cのい
ずれかで、洗浄、乾燥処理を行った後に、ウエハWを真
空処理部90へ搬送して、所定のエッチング処理やアッ
シング処理を行うこともできる。
In this way, for example, the wafer W in the carrier C is first transferred to the vacuum processing section 90 by using the wafer transfer mechanism 7.
After the wafer W has been subjected to a predetermined etching process in the etching process chamber 93, the wafer W is cleaned.
To the carrier C, and then return to the carrier C. Conversely, the cleaning and drying process is performed on the wafer W in any of the cleaning units 3a to 3c. After performing, the wafer W may be transferred to the vacuum processing unit 90, and a predetermined etching process or ashing process may be performed.

【0066】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明が上記実施の形態に限定されるもので
ないことはいうまでもなく、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、処理チャンバ51として
外側チャンバ52aおよび内側チャンバ52bからなる
二重構造のものを用いて処理を行う場合について説明し
たが、チャンバは3つ以上であってもよいし、1つであ
ってもよい。また、外側チャンバ52aおよび内側チャ
ンバ52bは、例えば、一方を洗浄に他方を乾燥のみに
用いても構わず、洗浄と乾燥の両方を連続して行う用途
にも用いることができる。
Although the embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
For example, in the above-described embodiment, a case has been described in which the processing is performed using the processing chamber 51 having a double structure including the outer chamber 52a and the inner chamber 52b; however, three or more chambers may be used. It may be one. Further, the outer chamber 52a and the inner chamber 52b may be used, for example, for cleaning one and only drying the other, or for performing both cleaning and drying continuously.

【0067】さらに、上記実施の形態では、テーブル3
1およびウエハWを処理チャンバ51内に収容するため
に、テーブル回転機構8と姿勢変換機構9をX方向にス
ライドさせたが、処理チャンバ51をX方向にスライド
させることによって、テーブル31とウエハWが処理チ
ャンバ51に収容されるように構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the table 3
The table rotation mechanism 8 and the attitude conversion mechanism 9 are slid in the X direction to accommodate the wafer 1 and the wafer W in the processing chamber 51. However, by sliding the processing chamber 51 in the X direction, the table 31 and the wafer W are slid. May be configured to be accommodated in the processing chamber 51.

【0068】さらにまた、上記実施の形態では、ウエハ
Wを立設状態に保持する形態としてウエハWを垂直状態
に保持する形態を示したが、ウエハWを立設状態に保持
することには、ウエハWの表面と水平方向とのなす角
が、例えば45°〜90°の範囲の任意の角度となるよ
うに、ウエハWを傾斜させた状態として保持することが
含まれる。つまり、姿勢変換機構の傾き角度を任意に設
定して、ウエハWを処理チャンバ51内に収容し、液処
理を行うことが可能である。この場合には、例えば、処
理チャンバ51の配設状態やテーブル挿入口54の形状
をウエハWの傾斜角度に合わせて傾斜させたり、テーブ
ル31と軸部材37との結合部分に傾斜化機能を持たせ
たり、または、上記実施の形態では軸部材37は円盤3
8を垂直に貫通しているが、軸部材37が円盤38を貫
通する角度を変化させる等、適宜、装置部材の形状や配
設の形態を変更すればよい。
Further, in the above-described embodiment, the mode of holding the wafer W in the vertical state has been described as the mode of holding the wafer W in the upright state. This includes holding the wafer W in an inclined state such that the angle between the surface of the wafer W and the horizontal direction is, for example, any angle in the range of 45 ° to 90 °. That is, it is possible to arbitrarily set the inclination angle of the attitude conversion mechanism, accommodate the wafer W in the processing chamber 51, and perform liquid processing. In this case, for example, the arrangement state of the processing chamber 51 and the shape of the table insertion port 54 are inclined in accordance with the inclination angle of the wafer W, and the coupling portion between the table 31 and the shaft member 37 has an inclination function. In the above embodiment, the shaft member 37 is
8, the shape and arrangement of the device members may be changed as appropriate, such as by changing the angle at which the shaft member 37 passes through the disk 38.

【0069】さらに、上記実施の形態では本発明を洗浄
処理に適用した場合について示したが、これに限らず、
所定の塗布液を塗布する塗布処理やエッチング処理等に
適用することも可能である。さらにまた、半導体ウエハ
に適用した場合について示したが、これに限らず、液晶
表示装置(LCD)用基板等、他の基板の処理にも適用
することができる。
Further, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to the cleaning process has been described. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to a coating process of applying a predetermined coating solution, an etching process, and the like. Furthermore, the case where the present invention is applied to a semiconductor wafer has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to processing of other substrates such as a substrate for a liquid crystal display (LCD).

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明の液処理装置は、基板が収容され
るキャリアと液処理を行うために基板を保持するテーブ
ルとの間の搬送経路が短く、装置が小型化されるという
効果を奏する。また、テーブルを方向転換させてテーブ
ルとその上の保持治具に保持された基板を直接に処理チ
ャンバに収容して液処理する構造を採用することによっ
ても装置がコンパクト化されている。さらに基板の移し
替えの回数が少ないことから、基板の移し替えによるパ
ーティクルの発生が抑制されて基板の汚れ発生が防止さ
れるという利点を有する。さらにまた、複数の液処理ユ
ニットが配設されていることから、液処理ユニット毎に
異なる薬液を用いることが可能であり、多目的な液処理
装置として用いることも可能である。なお、本発明の液
処理装置では、液処理チャンバの小型化が容易であるこ
とから、液処理チャンバ内の雰囲気調整が容易であり、
高温の薬液を用いてもその温度の低下が起こり難く、所
定の薬液特性を得ることが容易となる利点もある。
The liquid processing apparatus according to the present invention has an effect that the transport path between the carrier accommodating the substrate and the table holding the substrate for performing the liquid processing is short, and the apparatus is miniaturized. . Further, the apparatus can be made compact by adopting a structure in which the direction of the table is changed and the table and the substrate held by the holding jig on the table are directly accommodated in the processing chamber to perform liquid processing. Furthermore, since the number of times of transfer of the substrate is small, there is an advantage that the generation of particles due to the transfer of the substrate is suppressed and the generation of stain on the substrate is prevented. Furthermore, since a plurality of liquid processing units are provided, different chemicals can be used for each of the liquid processing units, and can be used as a versatile liquid processing apparatus. In the liquid processing apparatus of the present invention, since the size of the liquid processing chamber can be easily reduced, the atmosphere in the liquid processing chamber can be easily adjusted.
There is also an advantage that even when a high-temperature chemical solution is used, the temperature is hardly lowered, and it is easy to obtain predetermined chemical solution characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液処理装置の一実施形態に係る洗浄処
理装置を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing a cleaning apparatus according to an embodiment of the liquid processing apparatus of the present invention.

【図2】図1記載の洗浄処理装置の側面図。FIG. 2 is a side view of the cleaning apparatus shown in FIG. 1;

【図3】図1記載の洗浄処理装置の平面図。FIG. 3 is a plan view of the cleaning apparatus shown in FIG. 1;

【図4】図1記載の洗浄処理装置に配設される洗浄処理
ユニットの一実施形態を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing one embodiment of a cleaning unit provided in the cleaning apparatus shown in FIG. 1;

【図5】図4に示した洗浄処理ユニットを構成する内側
チャンバを外側チャンバ内に配置した状態を示す断面
図。
FIG. 5 is a sectional view showing a state in which an inner chamber constituting the cleaning processing unit shown in FIG. 4 is arranged in an outer chamber.

【図6】本発明の液処理装置における基板保持形態の一
例を示す断面図および平面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view and a plan view illustrating an example of a substrate holding form in the liquid processing apparatus of the present invention.

【図7】図6記載の基板保持形態を用いた場合におい
て、基板を処理チャンバに収容した状態を示す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which a substrate is accommodated in a processing chamber when the substrate holding configuration shown in FIG. 6 is used.

【図8】図1記載の洗浄処理装置と真空処理装置と連結
させた処理装置の一実施形態を示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing one embodiment of a processing apparatus connected to the cleaning processing apparatus and the vacuum processing apparatus shown in FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1;洗浄処理装置 2a・2b;キャリアステージ 3a〜3c;洗浄処理ユニット 4;ウエハ搬送ユニット 5a〜5c;薬液貯蔵ユニット 6;電源ユニット 7;ウエハ搬送機構 8;テーブル回転機構 9;姿勢変換機構 10;X軸駆動機構 21a・21b;搬送アーム 22;搬送アーム保持部 23;テーブル 26a〜26c;窓部 31;テーブル 32;モータ(回転機構) 33;保持治具 51;処理チャンバ 52a;外側チャンバ 52b;内側チャンバ 90;真空処理部 98;Y軸駆動機構 99;Z軸駆動機構 100;ウエハ処理装置 W;半導体ウエハ(基板) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Cleaning processing apparatus 2a, 2b; Carrier stage 3a-3c; Cleaning processing unit 4: Wafer transfer unit 5a-5c; Chemical storage unit 6; Power supply unit 7; Wafer transfer mechanism 8; X-axis drive mechanisms 21a and 21b; transfer arm 22; transfer arm holder 23; tables 26a to 26c; window 31; table 32; motor (rotation mechanism) 33; holding jig 51; processing chamber 52a; Inner chamber 90; vacuum processing section 98; Y-axis drive mechanism 99; Z-axis drive mechanism 100; wafer processing apparatus W; semiconductor wafer (substrate)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B201 AA03 AB23 AB33 AB42 BB22 BB33 BB93 BB94 CB15 CC01 CC13 CD33 5F031 CA02 DA17 FA01 FA11 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 GA50 MA23 NA02 NA09 PA03 5F046 AA28 CD01 HA03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3B201 AA03 AB23 AB33 AB42 BB22 BB33 BB93 BB94 CB15 CC01 CC13 CD33 5F031 CA02 DA17 FA01 FA11 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 GA50 MA23 NA02 NA09 PA03 5F046 AA28 CD01 HA03

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に所定の処理液を供給して液処理を
行う液処理装置であって、 前記基板を1枚または数枚保持可能な治具が配設された
テーブルに、前記基板が面内回転するように前記テーブ
ルを回転させる駆動機構が取り付けられてなるテーブル
回転機構と、 前記基板を姿勢変換する機構と、 前記治具に保持された立設状態の基板に所定の液処理を
施す処理チャンバと、 前記テーブルが前記処理チャンバに収容されるように、
相対的に前記処理チャンバと前記テーブルの位置を調節
可能な移動機構と、 前記基板を収納するキャリアと前記テーブルとの間で前
記基板の搬送を行う基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
1. A liquid processing apparatus for performing a liquid processing by supplying a predetermined processing liquid to a substrate, wherein the substrate is mounted on a table provided with a jig capable of holding one or several substrates. A table rotation mechanism having a drive mechanism for rotating the table so that the table rotates so as to rotate in a plane; a mechanism for changing the posture of the substrate; and performing a predetermined liquid treatment on the substrate in an upright state held by the jig. A processing chamber to be applied, and the table is housed in the processing chamber.
A moving mechanism that can relatively adjust the positions of the processing chamber and the table; and a substrate transport mechanism that transports the substrate between the carrier that stores the substrate and the table. Liquid processing equipment.
【請求項2】 基板に所定の処理液を供給して液処理を
行う液処理装置であって、 前記基板を1枚または数枚保持可能な治具が配設された
テーブルに、前記基板が面内回転するように前記テーブ
ルを回転させる駆動機構が取り付けられてなるテーブル
回転機構と、 前記治具に保持された基板を立設状態または水平状態で
保持可能なように前記テーブル回転機構の姿勢変換を行
う姿勢変換機構と、 前記テーブルを収容し、前記治具に保持された基板に所
定の液処理を施す処理チャンバと、 前記テーブルが前記処理チャンバに収容されるように前
記テーブル回転機構と前記姿勢変換機構をともにスライ
ドさせる移動機構と、 前記基板を収納可能なキャリアと前記テーブルとの間で
前記基板を水平状態で搬送する基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
2. A liquid processing apparatus for performing a liquid processing by supplying a predetermined processing liquid to a substrate, wherein the substrate is provided on a table provided with a jig capable of holding one or several substrates. A table rotating mechanism having a driving mechanism for rotating the table so as to rotate in a plane, and a posture of the table rotating mechanism so that the substrate held by the jig can be held in an upright state or a horizontal state. An attitude conversion mechanism that performs conversion, a processing chamber that houses the table, and performs a predetermined liquid process on a substrate held by the jig, and a table rotation mechanism so that the table is housed in the processing chamber. A moving mechanism that slides the attitude changing mechanism together; and a substrate transport mechanism that transports the substrate in a horizontal state between a carrier capable of storing the substrate and the table. A liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 前記基板搬送機構は、未処理の基板を搬
送するための1個の搬送アームと、液処理済みの基板を
搬送するための別の1個の搬送アームを有することを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の液処理装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein the substrate transfer mechanism has one transfer arm for transferring an unprocessed substrate and another transfer arm for transferring a liquid-processed substrate. The liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 前記搬送アームおよび前記別の搬送アー
ムが、それぞれ1枚の基板を搬送することが可能である
ことを特徴とする請求項3に記載の液処理装置。
4. The liquid processing apparatus according to claim 3, wherein each of the transfer arm and the another transfer arm can transfer one substrate.
【請求項5】 前記処理チャンバが、外側チャンバと内
側チャンバとからなる二重構造を有することを特徴とす
る請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の液処理
装置。
5. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the processing chamber has a double structure including an outer chamber and an inner chamber.
【請求項6】 前記処理チャンバが複数配設され、前記
複数の処理チャンバのそれぞれに前記テーブル回転機構
が配設されており、かつ、前記基板搬送機構が前記複数
のテーブル回転機構にアクセスできるように移動機構を
具備することを特徴とする請求項1から請求項5のいず
れか1項に記載の液処理装置。
6. A plurality of processing chambers are provided, and the table rotation mechanism is provided in each of the plurality of processing chambers, and the substrate transport mechanism can access the plurality of table rotation mechanisms. The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising a moving mechanism.
【請求項7】 前記キャリアを載置するステージが複数
箇所設けられており、前記基板搬送機構が前記各ステー
ジに載置されたキャリアとアクセスできるように移動機
構を具備することを特徴とする請求項1から請求項6の
いずれか1項に記載の液処理装置。
7. The apparatus according to claim 1, wherein a plurality of stages for mounting the carriers are provided, and a moving mechanism is provided so that the substrate transfer mechanism can access the carriers mounted on each of the stages. The liquid processing apparatus according to claim 1.
JP2000198645A 2000-06-30 2000-06-30 Liquid processing equipment Expired - Lifetime JP4505563B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000198645A JP4505563B2 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Liquid processing equipment

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000198645A JP4505563B2 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Liquid processing equipment
US09/888,380 US6776173B2 (en) 2000-06-30 2001-06-26 Liquid processing apparatus
KR1020010036512A KR100797435B1 (en) 2000-06-30 2001-06-26 Lequid processing apparatus
TW090115801A TW507282B (en) 2000-06-30 2001-06-28 Liquid processing apparatus
DE60141374T DE60141374D1 (en) 2000-06-30 2001-06-29 A liquid treatment apparatus
EP01114880A EP1168421B1 (en) 2000-06-30 2001-06-29 Liquid processing apparatus
AT01114880T AT459097T (en) 2000-06-30 2001-06-29 LIQUID TREATMENT APPARATUS
CNB011328193A CN1290161C (en) 2000-06-30 2001-06-30 Liquid processing device
CNB2005101084715A CN100411129C (en) 2000-06-30 2001-06-30 Liquid processing apparatus
US09/933,671 US6495805B2 (en) 2000-06-30 2001-08-22 Method of determining set temperature trajectory for heat treatment system
US10/851,335 US7284560B2 (en) 2000-06-30 2004-05-24 Liquid processing apparatus
KR1020070056885A KR100825935B1 (en) 2000-06-30 2007-06-11 Lequid processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002016041A true JP2002016041A (en) 2002-01-18
JP4505563B2 JP4505563B2 (en) 2010-07-21

Family

ID=18696780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000198645A Expired - Lifetime JP4505563B2 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Liquid processing equipment

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4505563B2 (en)
CN (1) CN100411129C (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006046657A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2006173193A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Tokyo Electron Ltd Processing unit and processing method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101353490B1 (en) * 2006-07-20 2014-01-27 에프엔에스테크 주식회사 Processing apparatus for substrate
US9646859B2 (en) * 2010-04-30 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Disk-brush cleaner module with fluid jet
CN113078089A (en) * 2021-06-07 2021-07-06 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer transfer device, semiconductor process equipment and wafer transfer control method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055036A (en) * 1991-02-26 1991-10-08 Tokyo Electron Sagami Limited Method of loading and unloading wafer boat
US5317778A (en) * 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US6009890A (en) * 1997-01-21 2000-01-04 Tokyo Electron Limited Substrate transporting and processing system
JP3627132B2 (en) * 1997-11-18 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate drying processing apparatus and substrate drying processing method
JP2000036527A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Tokyo Electron Ltd Substrate transfer processing apparatus and method therefor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006046657A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JPWO2006046657A1 (en) * 2004-10-28 2008-05-22 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing equipment
JP4486649B2 (en) * 2004-10-28 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing equipment
US8201567B2 (en) 2004-10-28 2012-06-19 Tokyo Electron Limited Liquid treating apparatus
JP2006173193A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Tokyo Electron Ltd Processing unit and processing method
JP4602750B2 (en) * 2004-12-13 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus and processing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN100411129C (en) 2008-08-13
CN1755911A (en) 2006-04-05
JP4505563B2 (en) 2010-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002324828A (en) Substrate both-face treating device
EP1168421B1 (en) Liquid processing apparatus
US6797076B1 (en) Spray nozzle system for a semiconductor wafer container cleaning aparatus
KR101798320B1 (en) Substrate processing apparatus
JP5544985B2 (en) Liquid processing equipment
JP2003297788A (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
JP4401285B2 (en) Substrate processing equipment
CN107221491B (en) Substrate cleaning device
JP4069236B2 (en) Liquid processing equipment
JP2005079250A (en) Substrate processing apparatus
WO2014046044A1 (en) Substrate-case cleaning device
JP4505563B2 (en) Liquid processing equipment
JP4129958B2 (en) Rotation drive
JP4647646B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4091335B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
EP3796368A1 (en) Transport device having local purge function
JP3992488B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP3643954B2 (en) Cleaning processing equipment
JP4506916B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP6722551B2 (en) Substrate processing method
JPH10308430A (en) Substrate processor
JP2000049215A (en) Processing system
JP2011061156A (en) Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP4766467B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4688533B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060626

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070409

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070615

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20071005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100226

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4505563

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term