JP2008186936A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10、ダイヤモンド半導体層11、化合物半導体層12がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層11を(111)面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層12を(0001)面の六方晶化合物半導体、あるいは、(111)面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には2次元電子ガス13が生成される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明によるFETの第一の実施例の断面構造を示す図である。
図3は、本発明によるFETの第二の実施例の断面構造を示す図である。
図5は、本発明によるFETの第三の実施例の断面構造を示す図である。
図6は、本発明によるFETの第四の実施例の断面構造を示す図である。
図8は、本発明によるFETの第五の実施例の断面構造を示す図である。
図10は、本発明によるFETの第六の実施例の断面構造を示す図である。
図11は、本発明によるFETの第七の実施例の断面構造を示す図である。
図12は、本発明によるFETの第八の実施例の断面構造を示す図である。
図13は、本発明によるFETの第九の実施例の断面構造を示す図である。
図14は、本発明によるFETの第十の実施例の断面構造を示す図である。
11 … (111)ダイヤモンド層
12 … (0001)面アンドープh−BN層
13、203 … 2次元電子ガス
15、205 … ソース電極
16、206 … ドレイン電極
17、207 … ゲート電極
22 … (0001)面n型h−BN層
32 … (0001)面アンドープh−AlN層
42 … (0001)面アンドープh−GaN層
52 … (0001)面n型h−GaN層
62 … (0001)面アンドープh−InN層
72 … (111)面アンドープc−BN層
82 … (111)面アンドープc−AlN層
92 … (111)面アンドープc−GaN層
102 … (111)面アンドープc−InN層
201 … ダイヤモンド層
202 … n型AlN層またはn型BN層
Claims (6)
- 基板、ダイヤモンド半導体層、化合物半導体層がこの順で形成された電界効果トランジスタであって、前記ダイヤモンド半導体層が(111)結晶面と平行に形成されたダイヤモンド半導体からなると共に、前記化合物半導体層が(0001)結晶面と平行に形成された六方晶化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項1記載の電界効果トランジスタにおいて、前記六方晶化合物半導体がBN、GaN、AlN、InN、SiCのうちの何れか一つ、または、二つ以上の混晶であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 基板、ダイヤモンド半導体層、化合物半導体層がこの順で形成された電界効果トランジスタであって、前記ダイヤモンド半導体層が(111)結晶面と平行に形成されたダイヤモンド半導体からなると共に、前記化合物半導体層が(111)結晶面と平行に形成された立方晶化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項3記載の電界効果トランジスタにおいて、前記立方晶化合物半導体がBN、GaN、AlN、InN、SiC、GaAs、AlAs、InAs、GaP、AlP、InPのうちの何れか一つ、または、二つ以上の混晶であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項1ないし4の何れかに記載の電界効果トランジスタにおいて、前記化合物半導体層の前記ダイヤモンド半導体層との界面には、少なくとも自発性分極に起因した正の固定電荷を有すると共に、前記化合物半導体層と前記ダイヤモンド半導体層の界面近傍には2次元電子ガスが生成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項1ないし5の何れかに記載の電界効果トランジスタにおいて、前記化合物半導体層内にn形不純物が添加されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
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