JP2008183604A - レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法 - Google Patents

Abstract

【課題】溶接ワークが微細で複雑な構造の場合にも良好なレーザ溶接ができるレーザ溶接装置およびレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】溶接ワーク４に加圧力を与える押さえ爪１３を備えるレーザ溶接装置を用いることで、所定の圧力で微小な溶接予定箇所２２近傍を確実に押さえて微細で複雑な構造の溶接ワーク４であっても２枚の金属板５、６を確実に密着させてレーザ溶接することができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを溶接することができるレーザ溶接装置およびレーザ溶接方法に関する。

重ね合わされた２枚の金属板をレーザ溶接する場合において、金属板間での密着具合により溶接性に大きな影響が現れる。また、曲げ加工を施した金属部材では、加工後にスプリングバックが起こり、金属板を重ね合わせた状態で大きな隙間を生じてしまうことがある。この場合、溶接が困難となるため、部材上面から荷重を負荷した状態で溶接予定箇所の部材がしっかり密着するようにしてレーザ溶接がされている。特許文献１では、先端に鋼球を具備した押さえ治具により溶接箇所の近傍を加圧することで密着性を得る方法が開示されている。

特許文献２では、シーム溶接時にフランジ部の空隙を２つのローラによって加圧して密着させて溶接していく方法が開示されている。
特許文献３では、レーザ照射ユニットの先端にローラが具備されており、加圧しながらシーム溶接を行う方法が開示されている。
特許文献４では、照射ユニットの先端に転動体（硬球やホイール）を具備してシーム溶接を行う方法と、スポット溶接の場合には転動体の代わりにゴムなどを付けると良いことが述べられている。

特許文献５では、車両の電気配線に用いられるフラットワイヤハーネスを製造する際に、被覆電線と端子部を溶接するときに被覆電線を端子部で包み折曲アームで挟んで端子部にレーザービームを照射して電線と端子部を溶接することが開示されている。
特開平１０−１１３７８３号公報 特開２０００−９４１６８号公報 特開２００１−３８４８０号公報 特開２００３−２０５３７９号公報 特開平５−１４４３３５号公報

しかし、溶接箇所の大きさが数ｍｍ程度と微細な場合には、鋼球やローラによる加圧方法では密着性の良い加圧ができないばかりか、半導体モジュールの電極端子のように溶接面近傍が垂直に切り立った構造においては、電極端子の切り立った箇所が妨げになり溶接予定箇所を加圧することで良好な密着性を得ること自体ができなくなり良好な溶接ができない。

さらに、半導体モジュールの配線ように溶接箇所が入り組んでいる場合には、照射ユニットの先端に加圧機構を設置すると、加圧機構が大きくなり過ぎて他の電極端子や配線に接触してしまい、溶接予定箇所を加圧して良好な密着性を得ることが困難になり良好な溶接ができない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、溶接ワークが微細で複雑な構造の場合にも良好なレーザ溶接ができるレーザ溶接装置およびレーザ溶接方法を提供することにある。

前記の目的を達成するために、重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークをレーザ溶接するレーザ溶接装置において、前記２枚の金属板を加圧して接触させるため、少なくとも２箇所で加圧する押さえ爪と、該押さえ爪によって加圧された箇所の間の領域にレーザ光を照射する照射ユニットとを具備する構成とする。
また、前記押さえ爪が、レーザ溶接中にレーザ光の光路に接触しないとよい。

また、押さえ爪が、溶接ワークに対して垂直方向に伸びる垂直部分と該垂直部分に繋がり該垂直部分を支持する水平方向に伸びる水平部分とを有するとよい。
また、重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
前記溶接ワークを水平移動させ前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
前記レーザ光の焦点が前記溶接予定箇所に対して予め定めた高さになるように、前記照射ユニットを垂直移動させる工程と、
前記押さえ爪で前記溶接ワークに加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
を含むレーザ溶接方法とする。

また、重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
前記溶接ワークを水平移動させ前記押さえ爪の間に位置する前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
前記レーザ光の前記焦点が前記溶接予定箇所に対して予め定めた高さとなるようにして前記照射ユニットと前記押さえ爪を同時に垂直移動させる工程と、
前記押さえ爪を垂直移動させて前記押さえ爪の先端部分に前記溶接ワークを接触させる工程と、
前記押さえ爪で前記溶接ワークに加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
を含むレーザ溶接方法とする。

また、重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
前記溶接ワークを水平移動させ前記二股に分かれた押さえ爪の間に位置する前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
前記レーザ光の前記焦点を前記押さえ爪の先端部分を基準として予め定めた高さとなる位置に調整する工程と、
前記照射ユニットと前記押さえ爪を同時に垂直移動させ、前記押さえ爪の先端部分を前記溶接ワークに接触させ加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
を含むレーザ溶接方法とする。

また、前記溶接ワークが、半導体モジュールの電極端子であってもよい。

この発明によれば、溶接ワークに加圧力を与える押さえ爪を備えるレーザ溶接装置を用いることで、所定の圧力で微小な溶接予定箇所近傍を確実に押さえて溶接ワークである２枚の金属板を確実に密着させてレーザ溶接することができる。
特に溶接予定箇所近傍が切り立った電極端子のような形状の根元部分の微小な平坦部においても、所定の加圧力で加圧し確実に密着させてレーザ溶接が可能となり、溶接強度のバラツキを少なくできて高い信頼性を持つ溶接部の形成が可能となる。

実施の形態を以下の実施例で説明する。

図１は、この発明の第１実施例のレーザ溶接装置の要部構成図であり、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の矢印Ａから見た平面図である。このレーザ溶接装置は、固定台１と、この固定台１の下台１ａに固定されるＸ−Ｙステージ３（溶接ワークの搭載台で溶接ワークを水平移動させる）と、この固定台１の固定板１ｄに固定される支持台可動用シリンダ７と、この支持台可動用シリンダ７により固定板１ｄに設けられたガイド２に沿って垂直移動（上下移動）する支持台８と、この支持台８に固定される照射ユニット９および架台可動用シリンダ１１と、この架台可動用シリンダ１１に固定される架台１２と、この架台１２に固定される押さえ爪１３（溶接ワークを押さえる爪）とで構成される。押さえ爪１３は少なくとも２箇所で溶接ワークを押さえるのが望ましい。１箇所では溶接ワークの課と向きを矯正できないからである。溶接ワークの表面が平坦であれば、対応する押さえ爪１３の先端は同じ高さに揃える。前記固定台１は下台１ａとこの下台１ａに固定される支柱１ｂとこの支柱１ｂに固定される上台１ｃとこの上台１ｃと固定される固定板１ｄとこの固定板１ｄに設置されたガイド２で構成される。

図示の例では押さえ爪１３はピンセットに類似した形状とした。溶接ワーク４の２枚の金属板（上側金属板６と下側金属板５）を所定の加圧力で微小な溶接予定箇所を密着させるためのものである。
この押さえ爪１３はＸ−Ｙステージ３に対して垂直方向に伸びる細長い垂直部分１７と、この垂直部分１７に繋がり垂直部分１７を支持する水平方向に伸びた水平部分１８で構成され、この水平部分１８の一部が架台１２に固定されている。

尚、押さえ爪１３の形状は板状に限るものではない。後述するように、溶接ワークを密着させるための加圧力を印加でき、レーザ光の経路を遮ぎらないものであればよい。
支持台可動用シリンダ７を用いて支持台８を上下に移動させることで、照射ユニット９と架台可動用シリンダ１１と架台１２および押さえ爪１３も同時に上下に移動させ、溶接ワーク４の溶接予定箇所２２をレーザ光の照射位置２１に合わせることができる。架台可動用シリンダ１１を用いて架台１２を上下に移動させることで、押さえ爪１３を上下に移動させ、溶接ワーク４に接触させ、さらに溶接ワーク４に所定の加圧力を加えて２枚の金属板（上側金属板６と下側金属板５）の溶接予定箇所２２を密着させることができる。

図２は、図１の照射ユニットと溶接ワークおよび押さえ爪の概略配置図であり、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の矢印Ｂから見た溶接ワークと押さえ爪の正面図である。
図２において、押さえ爪１３で溶接ワーク４の上側金属板６を加圧した状態において、この押さえ爪１３がレーザ光の光路１４に接触しないように配置されている。照射ユニット９のレーザ光の光軸１０は垂直軸１５に対してθ１だけ傾斜させており、さらに照射ユニット９からの照射角がθ２であった場合、押さえ爪１３の形状は、垂直軸１５に対してθ１＋θ２／２の角度から照射されるレーザ光の光路１４に接触しないようにする必要がある。図２の例では、レーザ光の焦点は上側金属板６の上面に調整される。

前記の照射ユニット９の傾角θ１は５°〜１５°程度であり、照射角θ２は２４°〜３６°程度である。照射ユニット９を傾斜させるのは溶接箇所１９から飛び出す溶接スパッタ（溶融した金属の小塊）が照射ユニット９に付着するのを防ぐためである。
押さえ爪１３の材質としては、銅、アルミニウム、ステンレス、炭素鋼などの金属材料か、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミなどのセラミック材を用いると良い。また、この押さえ爪１３の少なくとも先端部分２３（垂直部分１７の溶接ワーク４と接する箇所付近）については、上側金属板６から反射したレーザ光が吸収しにくいようなめっき処理、例えば金めっきを施しておくとレーザ光の反射光を受ける先端部分２３が溶融することがなくなり、押さえ爪１３の長寿命化を図ることができる。

尚、前記の押さえ爪１３の先端部の形状の一例を挙げると、幅Ｗ１は１ｍｍ程度、その厚さＮは１．５ｍｍ程度、爪の隙間Ｔは４ｍｍ程度、押さえ爪の加圧部の長さ（垂直高さｈ）は７ｍｍ程度で根元部分の幅Ｗ２は３．５ｍｍ程度である。先端部を鋭利にすると、溶接ワーク表面に加圧痕が残る場合がある。加圧力、溶接ワークの材料、押さえ爪の材質を勘案して、先端部の接触面積を調整すれば、加圧痕を防ぐことができる。また、レーザ光の焦点の大きさＤ１は０．４ｍｍ程度で、溶接箇所の大きさＤ２は１．５ｍｍ程度ある。

図３は、上側金属板が曲げ加工された場合のレーザ溶接を行っている様子を示した図で、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の矢印Ｃから見た平面図である。これは上側金属板６が電極端子（例えば、図４に示す半導体モジュールの板状配線：リードフレーム配線）などの場合である。
図４は、Ｘ−Ｙステージに搭載した半導体モジュールの要部断面図である。

この半導体モジュールは次のように製作される。まず、放熱板である銅ベース３１に絶縁基板３２を固着し、この絶縁基板３２に半導体チップ３３や制御端子ピン３６を固着し、半導体チップ３３上に熱を放散させるヒートスプレッダ３４を固着し、このヒートスプレッダ３４に板状配線３５をレーザ溶接する。レーザ溶接が終了すると、銅ベース３１の裏面を露出させて全体をモールド樹脂３７で被覆して製作される。Ｘ−Ｙステージ３を基準として制御端子ピン３６の高さは板状配線３５の高さより高くなっている。

図３において、上側金属板６は曲げ加工されており、加圧可能部分が狭い状態の溶接ワーク４である。このような形状の上側金属板６として図４に示す電極端子（板状配線３５）がある。上側金属板６は垂直に切り立った部分６ｂ（点線で示すように斜めに切り立った電極端子６ｃ場合もある）と、平坦部６ａから構成されており、半導体モジュールの電極端子（板状配線３５）の場合には平坦部３５ａの長さは２．５ｍｍ、幅は５．５ｍｍ〜７ｍｍ、押さえ爪１３の先端部の間隔Ｔは４ｍｍである。また、前記したように、照射ユニット９の傾角θ１は５°〜１５°、照射角θ２は２４°〜３６°である。このような微細な寸法の溶接予定箇所２２（溶接部位）の加圧は前記の特許文献１〜５で説明したレーザ溶接装置では不可能である。

一方、図１のレーザ溶接装置を用いると、図３（ｂ）に示すように、垂直に切り立った箇所の根元付近の平坦部６ａ（図４の３５ａに相当する）の溶接予定箇所２２を押さえ爪１３の先端部分２０で挟んで加圧することができるために、溶接予定箇所２２の溶接ワーク４を良好に密着させることができて、微細なレーザ溶接をすることができる。

図５〜図９は、この発明の第２実施例のレーザ溶接方法について工程順に示した溶接工程図である。ここでは、図１のレーザ溶接装置を用いて溶接する場合のレーザ溶接方法について説明する。
まず、下側金属板５の上面に上側金属板６を重ね合わせた溶接ワーク４をＸ−Ｙステージ３に載せる。但し、溶接ワーク４が図４に示す半導体モジュールの板状配線３５とヒートスプレッタ３４の場合は上側金属板６は板状配線３５であり、下側金属板５はヒートスプレッダ３４である 。図中の１４ａはレーザ光の予定光路である(図５)。

つぎに、Ｘ−Ｙステージ３で溶接ワーク４である上下側金属板６、５を水平方向に移動させ、溶接ワーク４の溶接予定箇所２２を照射ユニット９から出射されるレーザ光の照射位置２１にＸ−Ｙ方向で合わせる。
この溶接予定箇所２２をＸ−Ｙ方向で照射位置２１に合わせるために、溶接予定箇所２２を写し出す補助光（可視光）とＣＣＤカメラが用いられる。補助光の光源とＣＣＤカメラとこれらを用いた一合わせ機構は図示を省略した。

つぎに、照射ユニット９と架台可動用シリンダ１１を固定した支持台８を固定板１ｄに取り付けられたガイド２に沿って垂直に支持台可動用シリンダ７を用いて下降させて、レーザ光の焦点を溶接ワークに対して予め設定した高さとなる位置に移動する（図６）。
つぎに、架台可動用シリンダ１１により、架台１２を介して押さえ爪１３を降下させ、溶接予定箇所２２が押さえ爪１３の先端部分２０の間に位置するように（図２参照）押さえ爪１３の先端部分２０を上側金属板６に接触させ、さらに押さえ爪１３で所定の加圧力で押さえて溶接予定箇所２２の溶接ワーク４（上側金属板６と下側金属板５）を密着させる。上側金属板６と下側金属板５との間に隙間があると、十分な接合強度が得られないため、上側金属板６と下側金属板５とが、レーザ溶接できる程度に密着させる必要がある。例えば、その加圧力は４９０Ｐａ〜１４７０Ｐａ（５ｇ／ｃｍ^２〜１５ｇ／ｃｍ^２）の範囲である（図７）。

つぎに、溶接予定箇所２２に照射ユニット９よりレーザ光を照射してレーザ溶接を行い溶接箇所１９を形成する(図８)。
つぎに、レーザ溶接が終了後、架台１２を架台可動用シリンダ１１で上昇させて押さえ爪１３を上側金属板６から離し、Ｘ−Ｙステージ３で溶接ワーク４を水平移動させてつぎの溶接予定箇所２２へ移動する。移動の途中に図４に示すような制御端子ピン３６のような背の高い障害物がある場合には、障害物である制御端子ピン３６を押さえ爪１３の先端部分２０が乗越えられるよう支持台８を上昇させる（図９）。

続いて、押さえ爪１３が制御端子ピン３６を乗越えた後、焦点位置２１の直下の所まで次の溶接予定箇所２２を移動させる（図６に戻る） 。
このような操作を繰り返して実行して複数の箇所の溶接を行う。
溶接ワーク４である上下側金属板６、５を押さえる押さえ爪１３の垂直部分１７（加圧部）は細長くなっており上側金属板６に接触するその先端部分２０の面積が小さく、溶接箇所の大きさは直径が０．５ｍｍ程度である。

また、この押さえ爪１３は支持台８を移動させることにより上方へ大きく移動できるため、半導体モジュールのように電極端子（制御端子ピン３６）が林立していても、押さえ爪１３はそれらの電極端子を容易に乗越えてつぎの溶接予定箇所２２を照射位置２１まで移動させることができる。また、高さの違いが小さい溶接予定箇所２２の場合には、架台可動用シリンダ１１を上昇させるだけで、溶接予定箇所２２を容易に照射位置２１まで移動させることができる。

つまり、このレーザ溶接装置を用いると、押さえ爪１３で２枚の金属板の微小な溶接予定箇所２２を確実に密着させることができて微細な配線の溶接ができる。また、複数の溶接予定箇所を、架台可動用シリンダ１３および支持台可動用シリンダ７を用いて押さえ爪１３を垂直移動させることで容易に溶接できる。

図１０および図１１は、この発明の第３実施例のレーザ溶接装置の要部構成図であり、図１０は溶接前の図、図１１は溶接中の図である。
図１との違いは、押さえ爪１３ａを架台を介して直接支持板に固定された点である。この場合、レーザ光の焦点を押さえ爪の先端部分２０の端部（溶接ワーク４に接する箇所）を基準として固定させる。焦点を溶接ワーク表面から浅く（あるいは深く）ずらして溶接を行う場合にはあらかじめずらしておく。

こうすることで、図１の架台可動用シリンダ１１がなくなり、支持台可動用シリンダ７により照射ユニット９と押さえ爪１３ａは同時に垂直移動してレーザ光の焦点合わせと溶接ワーク４への加圧が同時に行なわれる。Ｘ−Ｙステージ３と支持台可動用シリンダ７を用いて、溶接ワーク４を水平および垂直移動させる。装置として図１より架台可動用シリンダ１１が無くなった分単純化され小型化されている。また障害物を乗越えられるように押さえ爪１３ａの垂直部分１７の長さは図１より長くする。

レーザ溶接方法としては、Ｘ−Ｙステージ３を移動させてレーザ光の照射位置２１の直下に一するように溶接予定箇所２２を水平移動させる。つぎに、支持台８を垂直移動させて溶接予定箇所２２をレーザ光の焦点位置２１に合わせ、さらに、押さえ爪１３ａで２枚の金属板の溶接予定箇所２２に所定の加圧力を加え密着させる。つぎに、レーザ光を溶接ワーク４の溶接予定箇所２２に照射してレーザ溶接を行う。この場合、垂直方向の移動は支持台８の移動のみなので図１の場合に比べて作業時間は短くなる。

尚、図１０および図１１では、照射ユニット９と押さえ爪１３ａを固定する架台１２ａを支持台８に固定させたが、押さえ爪１３ａを照射ユニット９に直接固定するか架台１２ａを省いて支持台８に直接固定してもよい。
上記の各実施例では、押さえ爪１３による溶接ワークの加圧の後にレーザ光を照射して溶接を行っている。さらに、この構造に対して、照射ユニット９を微小に移動させてレーザ光の照射位置２１を動かす位置調整機構を備えてもよい。位置調整機構は、照射ユニット９の傾角（図２のθ１）を微小に変更するものでもよいし、照射ユニット９を下台１ａと平行に（たとえば、Ｘ＝Ｙ方向に）移動するものでもよい。

照射ユニット９の傾角を変更する場合には、焦点位置や焦点位置付近でのレーザ光のスポット径などの影響を考慮する必要があるため、焦点位置付近でのレーザ光のスポット径など若干の変化が許容できる場合に用いるとよい。
照射ユニット９を下台１ａと平行に移動させる場合に、照射ユニット９の傾角やレーザ光のスポット径などに影響がないので、押さえ爪１３で溶接ワークを加圧した状態で照射ユニット９のみＸ−Ｙ方向に微小に移動させ、同一条件でレーザ溶接ができる。

これらの構成により、押さえ爪１３を溶接ワークから離さずに近接する複数箇所の溶接を連続して行うことができるため、作業性が向上する。例えば、半導体モジュールのリードフレーム配線の溶接を行う場合には、１つのリードフレームを所定の位置に押さえ爪１３で加圧して密着させたあと、レーザ溶接を行い、照射ユニット９のみ微小に移動させて、次のレーザ溶接を行えばよい。

この発明の第１実施例のレーザ溶接装置の要部構成図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ａから見た平面図 図１の照射ユニットと溶接ワークおよび押さえ爪の概略配置図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ｂから見た溶接ワークと押さえ爪の正面図 上側金属板が曲げ加工された場合のレーザ溶接を行っている様子を示した図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ｃから見た平面図 半導体モジュールの要部断面図 この発明の第２実施例のレーザ溶接の工程図 図５に続く、この発明の第２実施例のレーザ溶接の工程図 図６に続く、この発明の第２実施例のレーザ溶接の工程図 図７に続く、この発明の第２実施例のレーザ溶接の工程図 図７に続く、この発明の第２実施例のレーザ溶接の工程図 この発明の第３実施例のレーザ溶接装置の要部構成図であり、溶接前の図 この発明の第３実施例のレーザ溶接装置の要部構成図であり、溶接中の図

符号の説明

１ 固定台
１ｄ 固定板
２ ガイド
３ Ｘ−Ｙステージ
４ 溶接ワーク
５ 下側金属板
６ 上側金属板
７ 支持台可動用シリンダ
８ 支持台
９ 照射ユニット
１０ レーザ光の光軸
１１ 架台可動用シリンダ
１２ 架台
１３ 二股に分かれた押さえ爪（押さえ爪）
１４ レーザ光の光路
１５ 垂直軸
１７ 垂直部分
１８ 水平部分
１９ 溶接箇所
２０ 先端部分
２１ 照射位置
２２ 溶接予定箇所

Claims (7)

1. 重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークをレーザ溶接するレーザ溶接装置において、前記２枚の金属板を加圧して接触させるため、少なくとも２箇所で加圧する押さえ爪と、該押さえ爪によって加圧された箇所の間の領域にレーザ光を照射する照射ユニットとを具備することを特徴とするレーザ溶接装置。
2. 前記押さえ爪が、レーザ溶接中にレーザ光の光路に接触しないことを特徴とする請求項１に記載のレーザ溶接装置。
3. 前記押さえ爪が、溶接ワークに対して垂直方向に伸びる垂直部分と該垂直部分に繋がり該垂直部分を支持する水平方向に伸びる水平部分とを有することを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ溶接装置。
4. 重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
   前記溶接ワークを水平移動させ前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
   前記レーザ光の焦点が前記溶接予定箇所に対して予め定めた高さになるように、前記照射ユニットを垂直移動させる工程と、
   前記押さえ爪で前記溶接ワークに加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
   前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
   を含むことを特徴とするレーザ溶接方法。
5. 重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
   前記溶接ワークを水平移動させ前記押さえ爪の間に位置する前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
   前記レーザ光の前記焦点が前記溶接予定箇所に対して予め定めた高さとなるようにして前記照射ユニットと前記押さえ爪を同時に垂直移動させる工程と、
   前記押さえ爪を垂直移動させて前記押さえ爪の先端部分に前記溶接ワークを接触させる工程と、
   前記押さえ爪で前記溶接ワークに加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
   前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
   を含むことを特徴とするレーザ溶接方法。
6. 重ね合わされた２枚の金属板からなる溶接ワークを押さえ爪によって少なくとも２箇所で加圧し、加圧された箇所の間の領域に照射ユニットからレーザ光を照射して前記溶接ワークを溶接するレーザ溶接方法において、
   前記溶接ワークを水平移動させ前記押さえ爪の間に位置する前記照射ユニットから出射されるレーザ光の照射位置の直下に溶接予定箇所を位置させる工程と、
   前記レーザ光の前記焦点を前記押さえ爪の先端部分を基準として予め定めた高さとなる位置に調整する工程と、
   前記照射ユニットと前記押さえ爪を同時に垂直移動させ、前記押さえ爪の先端部分を前記溶接ワークに接触させ加圧力を加え前記溶接ワークである前記２枚の金属板の前記溶接予定箇所を密着させる工程と、
   前記溶接予定箇所に前記レーザ光を照射してレーザ溶接する工程と、
   を含むことを特徴とするレーザ溶接方法。
7. 前記溶接ワークが、半導体モジュールの電極端子であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載のレーザ溶接方法。

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