JP2008177560A - Solar cell and string - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池、特に鉛フリーはんだでコーティングした太陽電池およびストリングとその材料に関する。 The present invention relates to solar cells, in particular solar cells and strings coated with lead-free solder, and materials thereof.
はんだコーティングを行う場合における太陽電池の構造を図1に示す。エッチングが行われたP型シリコン基板1の受光面となる片面側にn型拡散層2が形成されており、さらに、そのn型拡散層2の上に表面反射率を低減させるための反射防止膜3が形成されている。一方、P型シリコン基板1の裏面には、裏面アルミ電極4が形成されている。さらに、P型シリコン基板1の裏面の一部と、受光面側の反射防止膜3には銀電極5,6が形成されている。そして、銀電極5,6に対しては、はんだ層7によるコーティングが施されている。
The structure of the solar cell in the case of performing solder coating is shown in FIG. An n-type diffusion layer 2 is formed on one side which becomes a light-receiving surface of the etched P-
このような太陽電池は図2に示すような方法により製造されていた。すなわち、結晶系シリコンの場合は、まずP型シリコン基板1に対してエッチングを行う。これが基板エッチング工程である。そして、エッチングを行ったP型シリコン基板1に対して、受光面となる片面側にn型拡散層2を形成するn型拡散層形成工程を行い、その上に表面反射率を低減させるための反射防止膜3を形成する反射防止膜形成工程を行う。
Such a solar cell has been manufactured by a method as shown in FIG. That is, in the case of crystalline silicon, the P-
そして、P型シリコン基板1の裏面には、Alペーストをスクリーン印刷法により、ほぼ全面に印刷し、乾燥させた後、高温で酸化性雰囲気中で焼成して裏面アルミ電極4を形成する。これが裏面アルミペースト印刷・乾燥・焼成工程である。
Then, on the back surface of the P-
さらにスクリーン印刷法により、P型シリコン基板1の裏面の一部と、受光面側の反射防止膜へ銀ペーストをパターン状に印刷し、高温で酸化性雰囲気中で焼成して銀電極5,6を形成する。すなわち、裏面銀ペースト印刷を行った後乾燥させる裏面銀ペースト印刷・乾燥工程を行い、焼成させて銀電極6を形成し、さらに、受光面銀ペースト印刷を行った後乾燥させる受光面側銀ペースト・乾燥工程を行い、焼成させて銀電極5を形成する。なお、銀電極5と銀電極6とを焼成させる場合は同時に焼成させる同時焼成工程を行うことが可能である。その後、上述のようにして形成される太陽電池素子を、活性剤を含むフラックスへ常温で数10秒間浸漬させる。これがフラックス浸漬工程である。太陽電池素子をフラックスへ浸漬させた後、温風乾燥させ、約195℃の2重量%銀入りの6:4共晶はんだ浴に約1分間浸漬して、銀電極5,6に対して、はんだ層7によるコーティングを行う。これがはんだコーティング工程である。
Further, silver paste is printed in a pattern on a part of the back surface of the P-
はんだ層7によるコーティングが完了した後は、常温水中もしくは温水中での超音波洗浄を数回繰り返した後、最後に純水リンスを行い、温風乾燥を行う。これが洗浄・乾燥工程である。上述した工程により、太陽電池を製造が製造されるのである。
After the coating with the
一方、太陽電池をインターコネクターで接続させたストリングは図3に示される。すなわち、図3は、従来のストリングを示す図で、太陽電池10の表面主電極11は6:4はんだでコーティングされており、複数の太陽電池10が、6:4はんだでコーティングされたインターコネクタ12で接続されている。このようなストリングは下記に示すような方法にて製造されていた。すなわち、銅リード線に6:4共晶はんだをコーティングしたインターコネクター12を太陽電池10の主電極11に重ねて400℃程度の熱風吹付けにより溶融・冷却固化することにより接続する。これを表、裏と繰返してストリングを作製し、太陽電池モジュールの製造に供していた。
On the other hand, a string in which solar cells are connected by an interconnector is shown in FIG. That is, FIG. 3 is a diagram showing a conventional string. The surface main electrode 11 of the
近年、環境問題の観点から、鉛の人体への害が問題視され、種々のデバイスから鉛を使用しない方向に開発が進んでいる。そして、太陽電池の製造においても、鉛を含有しない鉛フリーの状態で製造を行うことが業界から強く切望されている。 In recent years, from the viewpoint of environmental problems, the harm of lead to the human body is regarded as a problem, and development is progressing in a direction not to use lead from various devices. And also in manufacture of a solar cell, manufacturing in the lead-free state which does not contain lead is strongly desired from the industry.
しかしながら、これまで鉛フリーのはんだを用いた太陽電池は生産されていなかった。たとえば、従来の6:4共晶はんだから鉛を除いたSn浴ではんだコーティングをおこなったところ、銀ペースト焼結体中の銀がSn浴中に取込まれてしまい、電極が所々で消滅し太陽電池化できないという問題があった。これはSnの融点が231.9℃と、6:4共晶はんだの183℃に比べ約50℃も高温となったためだと考えられる。 However, solar cells using lead-free solder have not been produced so far. For example, when solder coating is performed with an Sn bath in which lead is removed from a conventional 6: 4 eutectic solder, the silver in the silver paste sintered body is taken into the Sn bath, and the electrodes disappear in some places. There was a problem that it could not be converted into solar cells. This is considered to be because the melting point of Sn was 231.9 ° C., which was about 50 ° C. higher than 183 ° C. of 6: 4 eutectic solder.
本発明は上述の問題を解決するためのものであり、良好なセル特性を維持し、かつ、鉛を含まない鉛フリーはんだによりコーティングした太陽電池を提供することにある。また、本発明は、鉛フリーはんだでコーティングしたリード線を有するインターコネクターを提供するとともに、そのようなインターコネクターで太陽電池を接続した、信頼性を有するストリングを提供することをも目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a solar cell coated with a lead-free solder that maintains good cell characteristics and does not contain lead. Another object of the present invention is to provide an interconnector having a lead wire coated with lead-free solder, and also to provide a reliable string in which solar cells are connected by such an interconnector.
本発明に係る太陽電池は、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた電極を有する太陽電池である。 The solar cell according to the present invention is a solar cell having an electrode coated with lead-free solder not containing lead.
また、本発明に係る太陽電池は、前記電極が、ペーストを焼成することにより形成された電極であることを特徴とする太陽電池である。 The solar cell according to the present invention is a solar cell characterized in that the electrode is an electrode formed by firing a paste.
また、本発明に係る太陽電池は、前記電極が、金属蒸着法、スパッタリング法、もしくは、めっき法のいずれかにより形成された電極であることを特徴とする太陽電池である。 The solar cell according to the present invention is a solar cell characterized in that the electrode is an electrode formed by any one of a metal vapor deposition method, a sputtering method, and a plating method.
また、本発明に係る太陽電池は、前記鉛フリーはんだは、Sn−Bi−Ag系はんだであることを特徴とする太陽電池である。 Moreover, the solar cell according to the present invention is a solar cell characterized in that the lead-free solder is Sn-Bi-Ag solder.
また、本発明に係る太陽電池は、前記鉛フリーはんだは、Sn−Ag系はんだであることを特徴とする太陽電池である。 The solar cell according to the present invention is a solar cell characterized in that the lead-free solder is Sn-Ag solder.
また、本発明に係る太陽電池は、前記ペーストは、銀粉末と、ガラス粉末と、有機質ビヒクルと、有機溶媒と、酸化りんと、ハロゲン化物と、を含有することを特徴とする太陽電池である。 Moreover, the solar cell according to the present invention is a solar cell characterized in that the paste contains silver powder, glass powder, an organic vehicle, an organic solvent, phosphorus oxide, and a halide.
また、本発明に係る太陽電池は、樹脂と溶剤と樹脂安定剤とからなるフラックスで洗浄された後、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた電極を有する太陽電池である。 Moreover, the solar cell which concerns on this invention is a solar cell which has the electrode coated with the lead-free solder which does not contain lead, after wash | cleaning with the flux which consists of resin, a solvent, and a resin stabilizer.
また、本発明に係る太陽電池用インターコネクターは、鉛フリーはんだでコーティングされた太陽電池用インターコネクターである。 The solar cell interconnector according to the present invention is a solar cell interconnector coated with lead-free solder.
また、本発明に係るストリングは、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた電極を有する太陽電池を、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた太陽電池用インターコネクターで配線したストリングである。 Moreover, the string which concerns on this invention is a string which wired the solar cell which has the electrode coated with the lead-free solder which does not contain lead with the interconnector for solar cells coated with the lead-free solder which does not contain lead.
また、本発明に係るストリングは、前記太陽電池に使用される鉛フリーはんだと、前記インターコネクターに使用される鉛フリーはんだと、は同じ組成であるストリングである。 In the string according to the present invention, the lead-free solder used for the solar cell and the lead-free solder used for the interconnector have the same composition.
また、本発明に係るストリングは、前記太陽電池に使用される鉛フリーはんだ、もしくは、前記インターコネクターに使用される鉛フリーはんだ、の少なくともいずれか一方にBiを含有するストリングである。 Moreover, the string which concerns on this invention is a string which contains Bi in at least any one of the lead-free solder used for the said solar cell, or the lead-free solder used for the said interconnector.
また、本発明に係る太陽電池は、前記Biの含有量が、3〜89重量%である太陽電池である。 Moreover, the solar cell which concerns on this invention is a solar cell whose content of said Bi is 3-89 weight%.
また、本発明に係るストリングは、前記Biの含有量が、3〜89重量%であるストリングである。 Moreover, the string which concerns on this invention is a string whose content of the said Bi is 3-89 weight%.
また、本発明に係るストリングは、前記太陽電池に使用される鉛フリーはんだ、もしくは、前記インターコネクターに使用される鉛フリーはんだ、の少なくともいずれか一方にAgを含有するストリングである。 Moreover, the string which concerns on this invention is a string which contains Ag in at least any one of the lead-free solder used for the said solar cell, or the lead-free solder used for the said interconnector.
また、本発明に係る太陽電池は、前記Agの含有量が、3.5〜4.5重量%である太陽電池である。 Moreover, the solar cell which concerns on this invention is a solar cell whose content of the said Ag is 3.5 to 4.5 weight%.
また、本発明に係るストリングは、前記Agの含有量が、3.5〜4.5重量%であるストリングである。 Moreover, the string which concerns on this invention is a string whose content of said Ag is 3.5 to 4.5 weight%.
本発明に係る太陽電池は、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた太陽電池であり、環境問題を解決しつつ、良好なセル特性を維持し、信頼性の高い太陽電池である。また、本発明に係る太陽電池を、鉛フリーはんだでコーティングされた太陽電池用インターコネクターで接続したストリングは、環境問題を解決しつつ、信頼性を有するストリングである。本発明に係る太陽電池は、従来の太陽電池を製造する際に、はんだ材料を変更するだけで製造できる。したがって、従来の太陽電池の製造方法を利用することで簡易に本発明に係る太陽電池を製造することができる。 The solar cell according to the present invention is a solar cell coated with lead-free solder that does not contain lead, and is a highly reliable solar cell that maintains good cell characteristics while solving environmental problems. Moreover, the string which connected the solar cell which concerns on this invention with the interconnector for solar cells coated with lead-free solder is a string which has reliability, solving an environmental problem. The solar cell according to the present invention can be manufactured simply by changing the solder material when manufacturing a conventional solar cell. Therefore, the solar cell which concerns on this invention can be easily manufactured by utilizing the manufacturing method of the conventional solar cell.
本発明に係る太陽電池は、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた電極を有する太陽電池である。太陽電池の電極に対してコーティングすることにより、電極を機械的な衝撃および雰囲気中の湿度から保護することが可能である。また、太陽電池の電極に対してコーティングすることにより、太陽電池同士をインターコネクターにて接続する際に配線を容易にすることが可能である。 The solar cell according to the present invention is a solar cell having an electrode coated with lead-free solder not containing lead. By coating the electrode of the solar cell, it is possible to protect the electrode from mechanical shock and humidity in the atmosphere. In addition, by coating the electrodes of the solar cells, it is possible to facilitate wiring when connecting the solar cells with an interconnector.
図4は本発明に係る太陽電池で、はんだ層8以外は図1の従来の太陽電池と同じである。すなわち、はんだ層8は、従来は6:4共晶はんだであるはんだ層7であったが、本実施例では鉛フリーはんだであるはんだ層8である。
FIG. 4 shows a solar cell according to the present invention, which is the same as the conventional solar cell of FIG. That is, the
鉛フリーはんだとしては、Sn−Bi−Ag系はんだまたはSn−Ag系はんだを使用することが可能である。Sn−Bi−Ag系はんだまたはSn−Ag系はんだは、Snはんだよりも融点の低いはんだである。ここで、Sn−Bi−Ag系はんだは、0.1%以上のAgを含むSn−Bi−Ag系はんだである。また、Sn−Ag系はんだは、0.1%以上のAgを含むSn−Ag系はんだである。Sn−Bi−Ag系はんだにおいて、Biの含有量が3〜89重量%であれば好適である。また、Biの含有量が35〜60重量%であればさらに好適である。このようにBiの含有量を設定するのは以下の理由によるものである。すなわち、はんだディップ工程を問題なく行うためには、現行のディップ温度である195℃程度で行うことが望ましく、少なくとも特性や信頼性などの点で実用上の限界である225℃以下で行う必要がある。225℃以下の融点となる組成は、0.1%Ag含有の場合においてBiが5〜88重量%で、1.3%Ag含有の場合においてはびが3〜89重量%である。一方、195℃以下の融点となる組成は、0.1%Ag含有の場合においてBiが27〜79重量%で、1.8%Ag含有の場合においてはBiが35〜60重量%である。以上より、Sn−Bi−Ag系はんだにおいて、Biの含有量が3〜89重量%であれば好適である。よって、Biの含有量が3〜89重量%であれば好適であり、35〜60重量%であればさらに好適である。同様にSn−Ag系はんだにおいても、225℃以下の融点となる組成は、Agが3.5〜4.5重量%である。一方、195℃以下の融点となる組成は、この系では存在しない。以上よりSn−Ag系はんだにおいて、Agの含有量が3.5〜4.5重量%が好適である。 As the lead-free solder, Sn-Bi-Ag solder or Sn-Ag solder can be used. Sn-Bi-Ag solder or Sn-Ag solder is a solder having a lower melting point than Sn solder. Here, the Sn—Bi—Ag solder is an Sn—Bi—Ag solder containing 0.1% or more of Ag. The Sn—Ag solder is Sn—Ag solder containing 0.1% or more of Ag. In the Sn-Bi-Ag solder, it is preferable that the Bi content is 3 to 89% by weight. Further, it is more preferable that the Bi content is 35 to 60% by weight. The Bi content is set as described above for the following reason. In other words, in order to perform the solder dipping process without any problem, it is desirable to carry out at the current dip temperature of about 195 ° C., and at least 225 ° C. or less, which is a practical limit in terms of characteristics and reliability. is there. In the composition having a melting point of 225 ° C. or lower, Bi is 5 to 88% by weight when 0.1% Ag is contained, and 3 to 89% by weight when 1.3% Ag is contained. On the other hand, in the composition having a melting point of 195 ° C. or lower, Bi is 27 to 79% by weight when 0.1% Ag is contained, and Bi is 35 to 60% by weight when 1.8% Ag is contained. As mentioned above, in Sn-Bi-Ag type solder, if Bi content is 3-89 weight%, it is suitable. Therefore, the Bi content is preferably 3 to 89% by weight, and more preferably 35 to 60% by weight. Similarly, in the Sn-Ag solder, the composition having a melting point of 225 ° C. or lower has an Ag of 3.5 to 4.5% by weight. On the other hand, there is no composition having a melting point of 195 ° C. or lower in this system. As described above, in the Sn-Ag solder, the content of Ag is preferably 3.5 to 4.5% by weight.
太陽電池の電極を作製する際に使用する銀ペーストとしては、銀粉末と、ガラス粉末と、有機質ビヒクルと、有機溶媒とを主成分とし、塩化イリジウムと酸化りんを含むことを特徴とする銀ペースト材料を使用することができる。また、太陽電池の電極を作製する際に使用するフラックスとしては、ポリアルキルグリコール系樹脂と溶剤のみからなり、活性剤を含まないことを特徴とするフラックス材料を使用することができる。すなわち、樹脂と溶剤と樹脂安定剤とからなるフラックスを使用することができ、樹脂と溶剤と樹脂安定剤とからなるフラックスで洗浄された後、鉛フリーはんだで電極をコーティングすることができる。 A silver paste used for producing an electrode of a solar cell includes a silver powder, a glass powder, an organic vehicle, and an organic solvent as main components, and contains iridium chloride and phosphorus oxide. Material can be used. Moreover, as a flux used when producing the electrode of a solar cell, the flux material which consists only of polyalkylglycol-type resin and a solvent, and does not contain an activator can be used. That is, a flux composed of a resin, a solvent, and a resin stabilizer can be used. After washing with a flux composed of a resin, a solvent, and a resin stabilizer, the electrode can be coated with lead-free solder.
太陽電池の電極は、ペーストを焼成することにより形成することが可能であり、また、金属蒸着法、スパッタリング法、もしくは、めっき法のいずれかにより形成することも可能である。 The electrode of the solar cell can be formed by firing a paste, and can also be formed by any of a metal vapor deposition method, a sputtering method, or a plating method.
また、本発明に係るインターコネクターは、鉛フリーはんだでコーティングされた太陽電池用インターコネクターである。 The interconnector according to the present invention is a solar cell interconnector coated with lead-free solder.
また、本発明に係るストリングは、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされた電極を有する太陽電池を、鉛を含まない鉛フリーはんだでコーティングされたリード線を有するインターコネクターで配線したストリングである。図5は本発明に係る太陽電池を用いたストリングを示すもので、太陽電池10の表面主電極21は、鉛フリーはんだでコーティングされており、複数の太陽電池10が、鉛フリーはんだでコーティングされたリード線を有するインターコネクタ22で接続されている。ここで、太陽電池に使用される鉛フリーはんだと、インターコネクターに使用される鉛フリーはんだとが同じ組成であれば、製造工程における加工が簡単で安定しているという利点が得られる。なお、太陽電池に使用される鉛フリーはんだと、インターコネクターに使用される鉛フリーはんだとが違う組成の場合は、それぞれの融点が異なるため、はんだ付け工程での微妙な温度調整などが必要となってくる。
The string according to the present invention is a string in which a solar cell having an electrode coated with lead-free solder not containing lead is wired with an interconnector having a lead wire coated with lead-free solder not containing lead. . FIG. 5 shows a string using a solar cell according to the present invention. The surface
また、太陽電池に使用される鉛フリーはんだ、もしくは、インターコネクターに使用される鉛フリーはんだ、の少なくともいずれか一方にAgを含有することにより、以下の効果がある。すなわち、太陽電池に使用される鉛フリーはんだにAgを含めることは、太陽電池のAgペースト電極中に含まれるAgの溶出を著しく遅らせる効果がある。一方、太陽電池電極側はんだにAgが含まれていない場合でも、インターコネクターに使用される鉛フリーはんだにAgを含めることによって、インターコネクターはんだ付け工程でのAgペースト電極からのAgの溶出を少しでも低減させることが可能である。 In addition, by containing Ag in at least one of lead-free solder used for solar cells and lead-free solder used for interconnectors, the following effects can be obtained. That is, including Ag in the lead-free solder used in the solar cell has the effect of significantly delaying elution of Ag contained in the Ag paste electrode of the solar cell. On the other hand, even when Ag is not included in the solar cell electrode side solder, by including Ag in the lead-free solder used for the interconnector, the Ag paste electrode slightly dissolves in the interconnector soldering process. However, it can be reduced.
また、太陽電池に使用される鉛フリーはんだ、もしくは、インターコネクターに使用される鉛フリーはんだ、の少なくともいずれか一方にBiを含有する場合、太陽電池の電極とインターコネクターのリード線とを、鉛フリーはんだの融点を下げることなしに接続することが可能である。ここで、Biの含有量は、3〜89重量%であれば好適であり、35〜60重量%であればさらに好適である。同様に、太陽電池に使用される鉛フリーはんだもしくはインターコネクターに使用される鉛フリーはんだの少なくとも一方がSn−Ag系の場合、そのAgの含有量は3.5〜4.5重量%が好適である。 In addition, when Bi is contained in at least one of lead-free solder used in solar cells and lead-free solder used in interconnectors, the lead wires of the solar cells and interconnectors are It is possible to connect without lowering the melting point of free solder. Here, the Bi content is preferably 3 to 89% by weight, and more preferably 35 to 60% by weight. Similarly, when at least one of the lead-free solder used for the solar cell or the lead-free solder used for the interconnector is Sn-Ag, the content of Ag is preferably 3.5 to 4.5% by weight. It is.
<発明の実施の形態>
(実施の形態1)
図4に示されるように、テクスチャエッチングされたP型シリコン基板1の片側表面に、Pの熱拡散によりn型拡散層2を形成し、その上に反射防止膜3としてプラズマCVD法によりシリコン窒化膜を形成した。裏面に市販のアルミペーストをスクリーン印刷法にて印刷し150℃程度で乾燥の後、空気中で焼成し裏面アルミ電極4を形成した。
<Embodiment of the Invention>
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 4, an n-type diffusion layer 2 is formed by thermal diffusion of P on one surface of a texture-etched P-
片側表面にn型拡散層2および反射防止膜3を設け、さらに、裏面に裏面アルミ電極4を設けたP型シリコン基板1に対して、銀ペースト焼成、蒸着法、スパッタリング法、もしくは、めっき法にて、電極形成を行うことができる。
A silver paste firing, vapor deposition method, sputtering method, or plating method is applied to a P-
銀ペースト焼成により電極形成を行う場合は下記に示す手順にて行うことができる。すなわち、表1の組成からなる銀ペーストをペースト法にて、P型シリコン基板1の裏面の所定位置に約30ミクロン厚に印刷し、150℃で約4分乾燥する。次いでP型シリコン基板1の受光面側へ銀ペーストをパターン状に印刷して乾燥後、600℃の温度条件下、酸化性雰囲気中で2分間焼成することにより表裏面の銀電極5,6を形成することができる。
When forming an electrode by firing silver paste, it can be performed by the following procedure. That is, a silver paste having the composition shown in Table 1 is printed at a predetermined position on the back surface of the P-
また、蒸着法により電極形成を行う場合は下記に示す手順にて行うことができる。すなわち、反射防止膜表面にレジスト法により、所定のパターンを抜き、HFで反射防止膜をエッチング除去して、乾燥させた後、70℃程度の温度条件下で、Ti,Pd,Agの順にそれぞれ0.1、0.1、1μmの厚さで蒸着を行う。その後、レジストを剥離させた後、350℃の温度条件下、窒素中で熱処理を行うことにより銀電極を形成することができる。なお、スパッタリング法にて銀電極を形成する場合においても、電極形成の手順は蒸着法による手順と同様に行うことが可能である。 Moreover, when performing electrode formation by a vapor deposition method, it can carry out in the procedure shown below. That is, a predetermined pattern is extracted on the surface of the antireflection film by a resist method, the antireflection film is removed by etching with HF, dried, and then Ti, Pd, Ag in the order of about 70 ° C. Vapor deposition is performed at a thickness of 0.1, 0.1, and 1 μm. Thereafter, after removing the resist, a silver electrode can be formed by performing heat treatment in nitrogen at 350 ° C. In addition, also when forming a silver electrode by sputtering method, the procedure of electrode formation can be performed similarly to the procedure by a vapor deposition method.
また、めっき法にて電極形成を行う場合は下記に示す手順にて行うことができる。すなわち、反射防止膜表面にレジスト法により、所定のパターンを抜き、HFで反射防止膜をエッチング除去を行う。そして、めっき前処理を行った後、Ni,Agの無電解めっきをそれぞれ0.5、2.5μmの厚さで形成する。その後レジスト剥離を行い、150℃窒素中で熱処理することにより銀電極を形成することができる。 Moreover, when performing electrode formation by the plating method, it can carry out in the procedure shown below. That is, a predetermined pattern is extracted on the surface of the antireflection film by a resist method, and the antireflection film is etched away with HF. Then, after pre-plating treatment, Ni and Ag electroless plating are formed with thicknesses of 0.5 and 2.5 μm, respectively. Thereafter, the resist is peeled off, and a silver electrode can be formed by heat treatment in nitrogen at 150 ° C.
銀電極を形成させた太陽電池セルを、表2の組成のフラックス中へ浸漬し、熱風乾燥後、表3に示す組成のはんだ浴に浸漬し、はんだ層8を形成することができる。はんだには濡れ性向上のため微量のりんやアンチモン、ガリウムを含有させることが可能である。その後、純水もしくは温純水でリンスを行った後、乾燥させ太陽電池を完成させた。なお、表3には鉛フリーはんだとして、Sn−Bi−Ag系はんだと、Sn−Ag系はんだとが記載してあるが、いずれのものであっても電極を被覆することができる。
The solar battery cell on which the silver electrode is formed can be immersed in a flux having the composition shown in Table 2, dried with hot air, and then immersed in a solder bath having the composition shown in Table 3 to form the
この太陽電池の特性検査を行い、FF値が0.69以下のものを不良と判定した。銀ペースト焼結体がはんだ浴に食われる現象、すなわち、銀ペースト焼結体中の銀がSn浴中に取り込まれてしまい電極が所々で消滅して太陽電池化できないという現象が発生した際には、FF値が大幅に低下し、不良を容易に判断できる。従来法としてのSnのみ浴との比較結果を表4に示す。電極の形成は、ペースト焼成法、蒸着法、スパッタリング法、めっき法のそれぞれの形成方法を使用した。なお試験数は5であった。本発明に係るめっき組成は、Sn−Bi−Ag系はんだ、もしくは、Sn−Ag系はんだの双方にて電極の被覆を行った。 This solar cell was inspected for characteristics, and those having an FF value of 0.69 or less were determined to be defective. When the phenomenon that the silver paste sintered body is eaten by the solder bath, that is, the phenomenon that the silver in the silver paste sintered body is taken into the Sn bath and the electrode disappears in some places and cannot be made into a solar cell occurs. Since the FF value is greatly reduced, a defect can be easily determined. Table 4 shows the results of comparison with the conventional Sn-only bath. The electrodes were formed using paste forming methods, vapor deposition methods, sputtering methods, and plating methods. The number of tests was 5. In the plating composition according to the present invention, the electrode was coated with both Sn-Bi-Ag solder or Sn-Ag solder.
はんだ組成が、Sn−Bi−Ag系もしくはSn−Ag系のいずれの場合、電極形成方法にかかわらず、FF値において不良と判定されるものはなかった。一方、はんだ組成が、Snのみの場合は、電極形成方法がいずれの場合であっても、試験数5の全てにおいてFF値の不良が判定された。
When the solder composition was Sn-Bi-Ag type or Sn-Ag type, none was judged to be defective in the FF value regardless of the electrode forming method. On the other hand, when the solder composition was only Sn, the FF value was judged to be defective in all the
したがって、Snはんだに比べて低温化はんだであるSn−Bi−Ag系はんだもしくはSn−Ag系はんだを使用することにより、ペースト焼成法、蒸着法、スパッタリング法、めっき法のうちのいずれの電極形成方法であっても、金属電極に対して良好なはんだコーティングが可能であることが理解できる。 Therefore, by using Sn-Bi-Ag solder or Sn-Ag solder, which is a low temperature solder compared to Sn solder, any electrode formation among paste firing method, vapor deposition method, sputtering method and plating method can be performed. It can be understood that even with this method, a good solder coating can be applied to the metal electrode.
なお、ペースト焼成法、蒸着法、スパッタリング法、めっき法のうちのいずれの電極形成方法であっても、銀を上層金属とする代わりに、銅などを上層金属として使用することができる。なお、上層金属とは、めっき法や蒸着法の場合、2〜3種類の金属を順番に形成することが一般的であるが、その際の最も外側の層にある金属のことである。また、めっき法においては無電解めっきのみならず電解めっき法にても電極形成を行うことができる。また、本発明に係る太陽電池は、はんだ材料を変更するのみであり、何ら複雑さは無く、従来の太陽電池形成工程を全てそのまま適用することができる。 In addition, in any electrode forming method among paste baking, vapor deposition, sputtering, and plating, copper or the like can be used as the upper metal instead of silver as the upper metal. In addition, in the case of a plating method or a vapor deposition method, the upper layer metal is generally a metal in the outermost layer at that time, although two to three kinds of metals are generally formed in order. Moreover, in the plating method, electrodes can be formed not only by electroless plating but also by electrolytic plating. Moreover, the solar cell according to the present invention only changes the solder material, has no complexity, and can apply all conventional solar cell forming steps as they are.
(実施の形態2)
鉛フリーはんだ材料に対する銀ペースト材料の比較を行った。銀ペーストとしては、銀粉末と、ガラス粉末と、有機質ビヒクルと、有機溶媒と、酸化りんと、ハロゲン化物と、を含有する銀ペーストを使用した。具体的には、表1に記載された銀ペーストである。一方、比較例としては市販品の銀ペースト(DuPont社8050S)を用いた。セル化の手順としては実施の形態1で記載したのと同様のセル化手順を使用した。なお、電極形成手法としては実施の形態1と同様の手法を用いた。FF値についての評価手法としても実施の形態1にて説明した通りである。結果を表5に示す。試験数は5とした。
(Embodiment 2)
The silver paste material was compared with the lead-free solder material. As the silver paste, a silver paste containing silver powder, glass powder, an organic vehicle, an organic solvent, phosphorus oxide, and a halide was used. Specifically, the silver paste described in Table 1. On the other hand, as a comparative example, a commercially available silver paste (DuPont 8050S) was used. As the cell formation procedure, the same cell formation procedure as described in the first embodiment was used. As the electrode formation method, the same method as in the first embodiment was used. The evaluation method for the FF value is also as described in the first embodiment. The results are shown in Table 5. The number of tests was 5.
はんだ材料としては、Sn−Bi−Ag系はんだもしくはSn−Ag系はんだのいずれのはんだを使用した場合においても、表1記載の銀ペーストを使用して電極を形成した場合、FF値が不良であるFF不良数は無かった。一方、Snはんだを使用した場合、表1記載の銀ペーストを使用して電極を形成したとしても、試験数5の全てにおいてFF不良であった。なお、Sn−Bi−Ag系はんだもしくはSn−Ag系はんだのいずれのはんだを使用した場合においても、市販の銀ペーストを使用して電極を形成した場合、試験数5の全てにおいてFF不良であった。また、Snはんだを使用し、市販の銀ペーストを使用して電極を形成した場合、試験数5の全てにおいてFF不良であった。表5の結果から、市販の銀ペーストを用いて電極を形成した場合、表3に記載されたはんだ浴であっても、はんだコーティングが不十分であることがわかる。
As a solder material, when any of Sn-Bi-Ag solder or Sn-Ag solder is used and an electrode is formed using the silver paste shown in Table 1, the FF value is poor. There were no FF defects. On the other hand, when Sn solder was used, even if the electrodes were formed using the silver paste shown in Table 1, all of the
(実施の形態3)
実施の形態3ではフラックス材料の比較を行った。電極形成に使用する銀ペーストは表1に記載されたものを用いた。フラックスは、表2に記載されたフラックスと、市販品のフラックス(サンワ化学製SF−60)と、を使用して両者を比較した。なお、市販品のフラックス(サンワ化学製SF−60)はハロゲン化合物を含んでいる。
(Embodiment 3)
In
セル化の手順としては実施の形態1で記載したのと同様のセル化手順を使用した。なお、電極形成手法としては実施の形態1と同様の手法を用いた。FF値についての評価手法としても実施の形態1にて説明した通りである。試験数は5とした。FF値が不良となる場合のFF不良数を判定した。 As the cell formation procedure, the same cell formation procedure as described in the first embodiment was used. As the electrode formation method, the same method as in the first embodiment was used. The evaluation method for the FF value is also as described in the first embodiment. The number of tests was 5. The number of FF defects when the FF value was defective was determined.
一方、簡易的な信頼性評価として耐湿性試験(85℃、85%RH,500h)後の外観検査を加えた。この耐湿性試験は、はんだコーティングを終えたセルを上記方法にて洗浄乾燥したセルに対して実施するもので、ハロゲンなど腐食性物質の洗浄が不充分であればはんだや銀が変色する、あるいは腐食粉を生成し不良を容易に判別できることがわかっている。耐湿性試験の結果、不良と判別されたものを信頼性不良と判断した。上述のFF不良数の結果と信頼性不良数の結果とを表6に示す。 On the other hand, an appearance inspection after a moisture resistance test (85 ° C., 85% RH, 500 h) was added as a simple reliability evaluation. This moisture resistance test is performed on a cell that has been solder coated and washed and dried by the above method. If the cleaning of corrosive substances such as halogen is insufficient, the solder or silver may be discolored, or It has been found that corrosion powder is generated and defects can be easily identified. As a result of the moisture resistance test, those determined to be defective were determined to be poor reliability. Table 6 shows the result of the number of FF defects and the result of the number of reliability defects.
表6の結果から、表2記載のフラックスを使用した場合においては、鉛フリーはんだ組成を用いると、電極コーティングにおいて不良数が無く、しかも信頼性においても不良数がないことが理解できる。一方、市販の活性剤を含むフラックスを使用した場合においては、鉛フリーはんだ組成を用いると、電極コーティングはできるものの、信頼性においてはほとんどが不良となり、実用的でないことがわかる。 From the results shown in Table 6, it can be understood that when the flux shown in Table 2 is used, if the lead-free solder composition is used, there is no number of defects in electrode coating and there is no number of defects in reliability. On the other hand, when a flux containing a commercially available activator is used, it can be seen that the lead-free solder composition can be used for electrode coating, but most of the reliability is poor and impractical.
(実施の形態4)
実施の形態4では、太陽電池の電極を被覆するはんだ組成と、インターコネクター側のリード線を被覆するはんだ組成と、の組み合わせることにより、はんだ付け性およびストリング状態での信頼性を評価した。はんだ付けにおいてフラックスは使用していない。結果を表7に示す。
(Embodiment 4)
In
結果として、いずれの組合せでもストリングを形成するに際して配線接続が可能であり、しかもストリング状態での信頼性も有していることがわかる。 As a result, it can be seen that, in any combination, wiring connection is possible when forming a string, and the reliability in the string state is also achieved.
図4に示されるような本発明に係る太陽電池を下記のような手法で作製した。すなわち、テクスチャエッチングされた厚さ330ミクロンで、125mm角型のP型シリコン基板1の片側表面に、900℃のPの熱拡散により約50Ω/□の面抵抗値をもつn型拡散層2を形成し、その上に反射防止膜3としてプラズマCVD法により約60nmのシリコン窒化膜を形成した。裏面に市販のアルミペースト4をスクリーン印刷法にて印刷し150℃程度で乾燥ののち、空気中700℃で焼成し裏アルミ電極4を形成した。
A solar cell according to the present invention as shown in FIG. 4 was produced by the following method. That is, an n-type diffusion layer 2 having a surface resistance of about 50Ω / □ is formed on one surface of a 125 mm square P-
続いて、銀ペースト焼成法にて電極を形成した。すなわち、表1の組成からなる銀ペースト6を同法にて裏面の所定の位置に約30ミクロン厚に印刷し150℃で約4分乾燥した。次いで受光面側へ銀ペースト5をパターン状に印刷・乾燥後、600℃、酸化性雰囲気中で2分間焼成することにより表裏面の銀電極を形成した。
Subsequently, an electrode was formed by a silver paste firing method. That is, the
このようにして作製した太陽電池化セルを表2の組成のフラックス中へ常温下1分間浸漬し、100℃1分間の熱風乾燥後、表3に示す組成のはんだ浴に1分間浸漬し、はんだ層8を形成した。はんだには濡れ性向上のため微量のりんやアンチモン、ガリウムが含有される。これを純水、温純水で計5分間のリンスの後、乾燥させ太陽電池を完成させた。
The solar cell thus produced was immersed in a flux having the composition shown in Table 2 for 1 minute at room temperature, dried with hot air at 100 ° C. for 1 minute, and then immersed in a solder bath having the composition shown in Table 3 for 1 minute.
また、本発明に係るインターコネクターは、所望の組成のはんだ浴に、幅が2mmで厚さが0.2mmの銅線を浸漬し、一定速度で巻取り引出すという方法で製造することが可能である。 In addition, the interconnector according to the present invention can be manufactured by a method in which a copper wire having a width of 2 mm and a thickness of 0.2 mm is immersed in a solder bath having a desired composition, and wound at a constant speed. is there.
また、本発明に係るストリングは、下記のように製造される。すなわち、図3に示すように、所望の長さにカットしたインターコネクターを太陽電池の受光面電極に接するようにセットし、インターコネクターごと400℃程度の熱風を吹付け、そのはんだ同士をいったん融解させた後、冷却・固化することでインターコネクターと太陽電池とを一体化させる。その後、太陽電池の裏面側電極に対しても、太陽電池を反転するなどし、同様の工程を行うことで、本発明に係るストリングを製造することが可能である。 The string according to the present invention is manufactured as follows. That is, as shown in FIG. 3, the interconnector cut to a desired length is set so as to be in contact with the light receiving surface electrode of the solar cell, hot air of about 400 ° C. is blown together with the interconnector, and the solder is once melted. Then, the interconnector and the solar cell are integrated by cooling and solidifying. Thereafter, the string according to the present invention can be manufactured by performing the same process on the back surface side electrode of the solar cell by inverting the solar cell.
なお、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed this time are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 P型シリコン基板、2 n型拡散層、3 反射防止膜、4 裏面アルミ電極、5,6 銀電極、7 はんだ層、8 はんだ層、10 太陽電池、11 6:4はんだでコーティングされた主電極、12 6:4はんだでコーティングされたインターコネクター、21 鉛フリーはんだでコーティングされた主電極、22 鉛フリーはんだでコーティングされたインターコネクター。 1 P-type silicon substrate, 2 n-type diffusion layer, 3 antireflection film, 4 back aluminum electrode, 5,6 silver electrode, 7 solder layer, 8 solder layer, 10 solar cell, 1 16: 4 main coated with solder Electrode, 126: 4 solder coated interconnector, 21 Lead-free solder coated main electrode, 22 Lead-free solder coated interconnector.
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