JP2008175929A - 反射鏡の製造方法及び光学機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板20上に銀を用いた反射膜22を形成し、反射膜22の上に酸化アルミニウムを用いた第1保護層23とチタン系化合物を用いた第2保護層24とを形成する反射鏡19の製造方法において、反射膜22は第1保護層23と第2保護層24の少なくとも一方より速い膜形成速度で蒸着されることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図2は、本実施形態に係る反射鏡の製造方法により製造した反射鏡19の断面図である。反射鏡19は、基板20と、下地層21、反射膜22、第1保護層23および第2保護層24とを順に有している。
まず、基板20を真空蒸着装置(不図示)の回転ドームに設置する。真空蒸着装置は、図示省略するが、真空蒸着装置内の真空度を調節する真空ポンプと、基板20を保持したまま回転する回転ドームと、蒸着材料を載置する反応容器と、反応容器内の蒸着材料を蒸発させる加熱装置と、各層の膜厚と膜形成速度(蒸着レート)とを測定する測定部と、真空蒸着装置全体を制御する制御部とを有している。制御部は図示しない操作部に接続しており、操作者は操作部を介して各層の蒸着条件等を入力できるようになっている。
5 撮像素子
14 ミラーペンタ
19 反射鏡
20 基板
21 下地層
22 反射膜
23 第1保護層
24 第2保護層
Claims (14)
- 基板上に銀を用いた反射膜を形成し、前記反射膜の上に酸化アルミニウムを用いた第1保護層とチタン系化合物を用いた第2保護層とを形成する反射鏡の製造方法において、
前記反射膜の膜形成速度は、前記第1保護層と前記第2保護層との少なくとも一方の膜形成速度より速いことを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1に記載の反射鏡の製造方法において、
前記反射膜の膜形成速度は、前記第1保護層と前記第2保護層との少なくとも一方の膜形成速度の7倍以上であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の反射鏡の製造方法において、
前記反射膜の膜形成速度は、前記第1保護層と前記第2保護層との少なくとも一方の膜形成速度の10倍以上であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記反射膜はフラッシュ蒸着により形成することを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
350〜400nmの波長領域において、最も上側に形成される層に入射する光の反射率が90%以上であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
450〜750nmの波長領域において、最も上側に形成される層に入射する光の反射率の変動量が3%以内であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
400〜750nmの波長領域において、最も上側に形成される層に入射する光の反射率が96%以上であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記第2保護層の膜厚を500〜1000オングストロームとすることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記第1保護層と前記第2保護層との膜厚の合計を1000〜1500オングストロームとすることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記チタン系化合物は、チタン酸化物であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記チタン系化合物は、二酸化チタンと二酸化ジルコニウムとの混合物であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の反射鏡の製造方法において、
前記基板と前記反射膜との間に、酸化アルミニウムを用いた下地層を形成することを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 基板上に銀を用いた反射膜を形成し、前記反射膜の上に第1保護層と第2保護層とを形成する反射鏡の製造方法において、
前記反射膜の膜形成速度は、前記第1保護層と前記第2保護層との少なくとも一方の膜形成速度の7倍以上であることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載の反射鏡の製造方法により製造された反射鏡を備える光学機器。
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JP2007007635A JP2008175929A (ja) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | 反射鏡の製造方法及び光学機器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012154318A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-16 | Ibiden Co Ltd | 排ガス処理装置 |
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2007
- 2007-01-17 JP JP2007007635A patent/JP2008175929A/ja active Pending
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