JP2008170773A - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】形成装置と搬送装置を装備した生産ラインを用いたカラーフィルタの製造方法で、ライン途中で発生したＭＶＡフォトレジストコート処理不良の基板からレジストを剥膜再生時、既存ラインを利用し、装置停止が最小限で、自動運営により、ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法を提供し、再生基板を再利用するカラーフィルタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭＶＡパターンを形成のプロセス処理ラインを用いて、レジストコート処理不良の基板からレジストを剥膜するＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法であるプロセス処理及び基板の動作を逐次管理するプロセスをプロセス制御部に登録し、ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法であるプロキシミティ露光装置の露光処理の条件がＮＧ情報レシピ、露光ギャップが５００μｍ〜１０００μｍ、且つ露光量が１５０ｍＪ／ｃｍ²〜２００ｍＪ／ｃｍ²により全面露光する工程を含むカラーフィルタの製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、フォトリソグラフィ法を利用してカラーフィルタを製造するための生産ラインを用いたカラーフィルタの製造方法であり、ＭＶＡ（分割垂直配向：ポジ型フォトレジスト製）の剥離方法を含むカラーフィルタの製造方法に関する。

従来のカラーフィルタの製造工程には、ガラス基板上に、遮光パターンのブラックマトリックス（ＢＭ）層の形成と、Ｒ（赤色）画素、Ｇ（緑色）画素、Ｂ（青色）画素との着色層の形成と、機能追加するパターン、例えばＷＨＩＴＥ等の透明の積層体の形成と、透明電極層等の形成と、種々のパターン、例えばＭＶＡやＰＳ（フォトスぺーサ）を形成する工程が含まれている。

生産ラインは、複数台の処理ラインをライン連結した構成である。処理ラインは、処理手段の順番に直列に連結したインライン配列の製造装置が配置されている。処理ラインは、フォトリソグラフィ法を用いた処理手段、例えばレジスト塗布処理手段、フォトマスクを介した露光処理手段、レジスト現像処理手段のフォトプロセスからなるラインである。生産ラインは、種々のパターンを形成するために、複数の処理ラインを配置しており、パターン形成が繰り返し実施するように処理装置が配置されている。

なお、生産ラインは、複数の処理ラインを備えた一連の長パスラインからなる構成であり、ローダー及びアンローダーは、自動倉庫に連結され、ガラス基板の投入及び搬出と、カラーフィルタの基板の一時保管等が自動化され、ライン管理されている。一連の長パスラインである生産ラインでは、その製造装置の処理手段において、省力化、自動化等で有益となる効果がある。

カラーフィルタの製造方法は、生産ラインでの各処理ラインを用いた製造方法であり、生産ラインの先頭で、ガラス基板をローダー（基板供給口）より投入し、生産ラインの後尾の、アンローダー（基板受取口）から基板を搬出する。

例えば、従来のカラーフィルタを製造する生産ラインでは、ガラス基板上に種々のパターンを形成するために、ＢＭの形成装置、Ｒ画素形成装置、Ｇ画素形成装置、Ｂ画素形成工装置、透明積層体等の形成装置、透明電極の形成装置、ＭＶＡ形成装置、等の製造工程の処理装置がある。各々製造方法は、フォトリソグラフィ法を用いた処理手段、例えばレジスト塗布処理手段、フォトマスクを介した露光処理手段、レジスト現像処理手段のフォトプロセスが繰り返し実施するように処理装置が配置されている。

一方、生産ラインでは、処理装置又は処理手段のトラブル、又は品質のトラブル等の発生する場合があり、その処置では、処置が長時間となり、装置の停止時間が増加する、又は製品ロス等が増加する問題がある。すなわち、この場合では、一連の長パスラインである生産ラインは不利益となる。

従来の生産ラインを用いたカラーフィルタの製造方法では、生産ライン内（フォトプロセスの途中）での不良基板の発生時、生産ラインが停止する問題や、不良基板の回収等の問題が発生する。近年、生産ラインでは、処理ラインのライン数、装置の台数若しくは処理手段が増加する傾向にあり、生産ラインの品質不良や設備停止の頻度が増加傾向であり、特に最終工程のライントラブル、例えばＭＶＡでの発生等の問題がある。

前記ＭＶＡの処理ラインでは、ＭＶＡ用フォトレジストコート不良の基板、ＭＶＡ用フォトレジスト膜厚不良の基板、又は露光不良の基板が各々の処理装置で発生する場合がある。この場合、全ての不良基板は、基板不良としてライン外へ回収する。又は、別方法として、不良基板は、フォトレジスト剥離による基板再生を行い、再生した基板を処理ラインへ再投入する。

前記不良基板のフォトレジスト剥離による基板再生は、露光処理手段を用いて、マスクを載置しない状態で不良基板を全面露光した後、現像処理にてフォトレジスト全面を剥離する。なお、全面露光は、ライン内の露光装置を、又はライン外の露光装置を用いる場合がある。

図３は、従来の従来のカラーフィルタを製造する処理ラインを説明する平面図である。

図３は、カラーフィルタの製造工程のうち、ＭＶＡのパターンを形成する装置をライン連結した、すなわち、ＭＶＡ形成のプロセスの処理ライン１０である。処理ライン１０の先頭に自動倉庫（一時保管倉庫）が配置され、ライン内にガラス基板を投入するローダー１８（基板供給口）と、フォトレジストコート装置１１と、露光装置１２と、現像装置１３と、ライン後尾の、アンローダー１９（基板受取口）及びプロセス処理制御部１７が配置され、各々の処理装置間は自動搬送ラインで連結されている。なお、アンローダー１９は、自動倉庫に連結されており、ＭＶＡ形成の処理ライン１０でのプロセスの処理手段は、生産管理側の指示命令によりプロセス処理制御部１７へ伝達されて、ガラス基板の投入、各処理手段の実行、カラーフィルタの基板の搬出及び一時保管等が自動化されている。

ＭＶＡ形成の処理ライン１０には、ラインの先頭の、ライン内にローダー１８（基板供給口）からガラス基板３１ａが投入され、ライン内の、レジストコート装置１１、露光装置１２、現像装置１３を通過してライン後尾の、アンローダー１９（基板受取口）からカラーフィルタの基板３１を搬出する。なお、ＭＶＡ形成の処理プロセスの製造情報は、予め、指示されており、その指示の製造手順に従って準備され、指示の製造条件に従って処理される。

ＭＶＡの形成工程では、ＭＶＡ用フォトレジスト処理手段で発生する、コート不良の基板、フォトレジスト膜厚不良の基板、露光処理手段で発生する、露光不良の基板が各々の工程で発生する場合がある。その場合、ライン全体は停止状態となり、設備稼働率の低下する問題がある。

以下に、ＭＶＡの製造方法を説明する。ＭＶＡ用フォトレジストは、ポジ型である。

従来、液晶表示装置では、微細化と大型画面化及び高品質へ加速し、近年、画面の視野角拡大化の技術が提案されている。この技術の中でＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｍｅｎｔ）方式と呼ばれる技術が知られている。この方式は、液晶セルをいくつかのパートに分け、各セルで異なった方向に向いて並んだ液晶分子を存在させている。以下の説明において、ＭＶＡは、ＭＶＡ方式の液晶表示装置に組みこまれるカラーフィルタに形成する液晶配向用の突起をいう。ＭＶＡ（分割垂直配向突起）設計を利用したＭＶＡのパターンの形成は、高視野角化したカラーフィルタを得るうえで有効である。

前記ＭＶＡ（分割垂直配向突起）設計を利用したサブＰＳ（フォトスペーサ）付きカラーフィルタの製造方法の一例について説明する。

最初に、カラーフィルタ用のガラス基板上に遮光パターン形成用フォトレジスト液を塗
布し、フォトレジストにパターン露光し、現像処理により、基板上に遮光パターン、例えばＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。なお、ＢＭは透過光を遮蔽する役割である。ＢＭのパターンは、格子状、又はストライプ状の形状であり、その開口部に画素を形成する。

次いで、ＢＭの開口部に、Ｒ画素と、Ｇ画素と、Ｂ画素パターンを形成する。Ｒ画素の形成は、基板上にＲ画素用フォトレジスト液を塗布し、フォトレジストにパターン露光し、現像処理により、基板上にＲ画素パターン部を形成する。なお、画素パターンは、Ｒ用の、Ｇ用の、Ｂ画素用と、３回の工程を繰り返し実行する。

次いで、真空成膜法により、遮光パターン及び画素部をおおう金属酸化膜からなる透明電極を形成する。

次いで、その透明電極上にＭＶＡパターン部を形成する。ＭＶＡパターンの形成は、基板の透明電極上にＭＶＡ用フォトレジスト液を塗布し、フォトレジストにＭＶＡパターンを露光し、現像処理により、ＭＶＡ部を形成する。

なお、ＭＶＡパターンは、透明電極上に形成する特殊形状の透明性樹脂基材のパターンである。その平面視形状は、山型で傾斜面は４５度、又は半円の近似したパターン形状である。その配置は、遮光膜に対して４５度傾斜させており、液晶画面の視野角を拡大する目的のものである。なお、ＭＶＡ設計とは、ＭＶＡパターンのデータを作成する設計ツールである。

図４は、従来のＭＶＡ設計を利用したサブＰＳ付きカラーフィルタの一例の部分拡大図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、ｙ−ｙ’面の側断面図である。なお、図４（ａ）の平面図は、ＰＳ形成の直前のものであり、ＰＳのパターンは図示されていない。

図４（ａ）の平面図では、前記ＰＳとサブＰＳの形成面であり、その平面図では、遮光部ＢＭ３２のパターンは横方向に形成され、縦方向に所定の間隔で配置されている。すなわち、前記ＢＭは、ストライプ形状である。ＢＭ３２間、例えばＢＭパターン開口部３２ａにＲ（赤色）画素３３ａ、Ｇ（緑）画素３３ｂ、Ｂ（青色）画素３３ｃと、その表面に透明電極３４が形成されており、その透明電極３４面上にＭＶＡ４０のパターンが形成されている。

ＭＶＡ４０は、ＢＭ３２と、角度４５度で交差する状態で配置されている。ＭＶＡは、横方向に所定の間隔毎に、山型に折り返された、すなわち９０度方向を変えて、ＢＭと角度１３５度で交差する形状であり、その繰り返しにより配置されている。ＭＶＡ４０では、その形成位置は隣接するパターンとの距離が４０μｍの前後である。ＭＶＡ４０は、線幅が１２〜２０μｍであり、膜厚は１．２〜４．２μｍである。

従来のカラーフィルタ、特にＭＶＡ設計を利用したサブＰＳ付きカラーフィルタと、その製造方法を一例の形態に基づいて以下説明する。

最初に、カラーフィルタ用のガラス基板上にＢＭ３２を形成した。

次いで、そのＢＭ開口部３２ａに、Ｒ画素３３ａと、Ｇ画素３３ｂと、Ｂ画素３３ｃのパターンを形成した。次いで、その画素３３上に透明電極３４を形成した。

次いで、その透明電極３４上にＭＶＡ（分割垂直配向突起）４０のパターンを形成した。

ＭＶＡ用フォトレジストは、ポジ型フォトレジスト（ロームアンドハース（株）製）を用いて、フォトレジスト膜厚さを１．５μｍで形成した。ＭＶＡ用フォトマスクは、図４に示すＭＶＡパターンを形成したものであり、直線状のパターンであり、その線幅は１５μｍ、隣接ＭＶＡパターンとの距離は、４０μｍである。以下に、ＭＶＡを形成する露光処理手段について説明する。

図５は、上述したＭＶＡの形成工程のうち、露光処理時を説明する側断面図である。

図５では、基板３１上にＭＶＡ用フォトレジスト４１を形成、そのフォトレジスト面４１と、その上方に向き合うように載置したフォトマスク５０と、フォトマスクの上側の光源から照射光を露光する。フォトマスクの光透過の露光光は直進し、フォトレジストを照射する。この場合フォトレジスト面とフォトマスク面では微小距離の隙間、すなわちギャップ６０、は露光光が直進する距離内に制限することが必要となる。

図５の露光処理では、ＭＶＡ用フォトレジスト面にフォトマスクを介して照射光を露光する。この場合、フォトレジスト４１面とフォトマスク５０面では微小距離の隙間、すなわち露光ギャップを設けており、例えば基準情報レシピの露光ギャップ６０を設定し、露光量を照射する方法でパターンをフォトレジスト上に転写する。この場合、露光処理の条件、すなわち基準情報レシピは、ギャップと、露光量を含むデータであり、基準情報レシピの露光ギャップが１５０μｍのギャップ、その露光量は、１００ｍＪ／ｍ²である。この場合、露光処理の条件が基準情報レシピにより実行され、正常なフォトレジストパターンが結像された。

前述したように、ＭＶＡの形成工程では、ＭＶＡ用フォトレジストコート不良の基板が発生すること、若しくはフォトレジスト膜厚不良の基板が発生すること、露光不良の基板が発生すること、等が各々の工程で発生する場合がある。

不良基板は、フォトレジスト剥離による基板再生は行わず、基板不良としてライン外へ回収する。この場合、基板不良となり、不良品となる。

別方法として、不良基板は、フォトレジスト剥離による基板再生を行う。この場合、ライン内の露光処理の装置、例えば露光装置では、既設のマスクを取り外し、若しくはパターンが形成されていないマスクを載置するマスクの交換作業が必要となり、その間、ラインは停止状態となり、設備稼働率の低下する問題がある。

次いで、その基板を現像液若しくは剥膜液を用いた現像処理若しくは洗浄処理によりＭＶＡ用フォトレジストを全て剥膜する。次いで、再度ＭＶＡの形成工程へ投入する。この場合では、基板は再生品の扱いとなる。

以下に公知文献を記す。
特開２００４−１０９９６８号公報

本発明の課題は、種々のパターン形成する装置と搬送装置とそれを管理するライン製造制御部を装備したカラーフィルタの生産ラインを用いた液晶表示装置用のカラーフィルタの製造方法において、ライン途中で発生したＭＶＡパターンのポジ型フォトレジストのコート処理不良及びフォトレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板からフォトレジストを剥膜する基板再生時、既存ライン設備を利用し、ライン装置の停止が最小限であり、自動運営により、ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法を提供して、再生基板を効率よく再利用するカラーフィルタの製造方法を提供することである。

本発明の請求項１に係る発明は、カラーフィルタの種々のパターンを形成する複数の装置と、その工程間をライン連結する搬送装置と、
各パターン形成する装置がフォトリソグラフィプロセス処理の、レジストコート装置、露光装置、現像装置、ローダーとアンローダーを少なくともライン連結した、プロセス処理制御部を備えた処理ラインからなり、
パターン形成する装置と搬送装置を管理するライン製造制御部を装備したカラーフィルタの生産ラインを用いて、
第一の装置による遮光部パターンを形成する工程と、
第二の装置によるその開口部に画素部パターンを形成する工程と、
第三の装置によるその上に透明電極を形成する工程と、
さらに第四の装置によるＭＶＡパターンを形成する工程と、
第五の装置によるＰＳを形成する工程を含み、
第四の装置のポジ型フォトレジストからなるＭＶＡパターンを形成する装置の、フォトリソグラフィ法によりプロセス処理を実行する、レジストコート処理手段と、プロキシミティ露光装置の露光処理手段と、レジスト現像処理手段とを連結した処理ラインを備え、
その処理ラインが、プロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセス制御部により、ローダー（供給口）からガラス基板を処理ライン内へ投入し、その順番で基板上にプロセス処理を実行した後、アンローダー（受取口）より処理ライン外へＭＶＡパターンを形成した基板を搬出するカラーフィルタの製造方法において、
前記ＭＶＡパターンの形成工程のプロセス処理ラインを用いて、
ポジ型フォトレジストのコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板から、そのフォトレジストを剥膜するために、
ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法であるプロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセスをプロセス制御部に登録し、
そのプロセス制御部を用いた自動運営により、
ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法を用いたフォトレジストを剥膜する工程を含むことを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。

本発明の請求項２に係る発明は、前記ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法は、
（ａ）プロキシミティ露光装置が、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報を検知する手順、
（ｂ）プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件をＮＧ情報レシピに変更する手順、
（ｂ１）プロキシミティ露光装置が、品質フラグに完了マークＰを記録する手順、
（ｂ２）プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件を基準情報レシピに変更する手順、（ｃ）アンローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報及び完了マークＰを検知する手順、
（ｃ１）アンローダーが、搬送先をローダーへ変更する手順、
（ｃ２）アンローダーが、品質フラグに完了マークＡを記録する手順、
（ｄ）ローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報及び完了マークＰ及びＡを検知する手順、
（ｄ１）ローダーが、品質フラグのＮＧ情報、完了マークＰ及びＡを消去する手段、
（ｅ）ローダーが、基板をＭＶＡ形成工程の処理ラインへ再度投入する手段、
を含むことを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法である。

本発明の請求項３に係る発明は、前記プロキシミティ露光装置が露光処理の条件のＮＧ
情報レシピは、露光ギャップが、５００μｍ〜１０００μｍの範囲の距離に設定し、マスク下面をフォトレジスト面より大きく離して、且つ、露光量が、１５０ｍＪ／ｃｍ²〜２００ｍＪ／ｃｍ²に設定した、露光ギャップ及び露光量のみ変更した露光処理の条件にすることを特徴とする請求項１、又は２記載のカラーフィルタの製造方法である。

本発明のＭＶＡの剥離方法を含むカラーフィルタの製造方法を用いれば、ＭＶＡ形成工程で発生するポジ型フォトレジストのＭＶＡ用フォトレジストのコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板の再生がそのＭＶＡ生産ライン内で可能になり、リアルタイムに基板の再利用できる。

本発明のＭＶＡの剥離方法を含むカラーフィルタの製造方法を用いれば、ＭＶＡ形成工程で発生するポジ型フォトレジストのＭＶＡ用フォトレジストのコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板の再生時間が従来の方法より短時間となる。

本発明のＭＶＡの剥離方法を含むカラーフィルタの製造方法を用いれば、露光時の、生産時に用いる標準情報レシピとＭＶＡ用フォトレジスト剥離時に用いるＮＧ情報レシピとの切り替えが自動的にできるため、生産ライン内においてもＭＶＡフォトレジスト不良基板の自動剥離が可能となる。

本発明のＭＶＡ（ポジ型フォトレジスト）の剥離方法を含むカラーフィルタ板の製造方法を一実施形態に基づいて以下説明する。

図１は、本発明のＭＶＡ（ポジ型フォトレジスト）の剥離方法を含むカラーフィルタ板の製造方法に用いるカラーフィルタ板の生産ラインの平面図であり、（ａ）は、生産ラインであり、（ｂ）は、そのパターンを形成する処理ラインである。

本発明のカラーフィルタを製造する生産ラインについて説明する。図１（ａ）に示すカラーフィルタの生産ライン１は、カラーフィルタの種々のパターンを形成する装置２と、その工程間をライン連結する搬送装置３と、パターン形成する装置と搬送装置を管理するライン製造制御部４を装備したラインである。

図１（ｂ）に示すように、前記パターン形成する装置２は、フォトリソグラフィプロセス処理の、レジストコート装置１１、露光装置１２、現像装置１３、ローダー１８とアンローダー１９をライン連結した、プロセス処理制御部１７を備えた処理ライン１０から構成されている。

本発明のカラーフィルタの製造方法は、パターン形成する装置２、例えば各々の処理ライン１０と搬送装置３、その生産ラインを管理するライン製造制御部４を装備した生産ライン１を用いて、各種パターンを製造する方法である。

生産ライン１では、第一の装置による遮光部パターンを形成する工程２１と、第二の装置によるその開口部に画素部パターンを形成する工程２２と、第三の装置によるその上に透明電極を形成する工程２３と、さらに第四の装置によるＭＶＡパターンを形成する工程２４と、第五の装置によるＰＳを形成する工程２５を含むライン配置である。

図１（ｂ）に示すように、第四の装置のポジ型フォトレジストからなるＭＶＡパターンを形成する装置２４は、フォトリソグラフィ法によりプロセス処理を実行する、レジストコート処理手段１１ａと、プロキシミティ露光装置の露光処理手段１２ａと、レジスト現
像処理手段１３ａとを連結した処理ライン１０を備えている。その処理ライン１０が、プロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセス制御部１７により、ローダー（供給口）１８からガラス基板３１ａを処理ライン内へ投入し、その順番で基板３１上にプロセス処理を実行した後、アンローダー（受取口）１９より処理ライン１０外へＭＶＡパターンを形成した基板を搬出するカラーフィルタの製造方法である。

本発明のカラーフィルタの製造方法は、前記ＭＶＡパターンの形成工程のプロセス処理ライン１０を用いて、ポジ型フォトレジストのコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板から、そのフォトレジストを剥膜するための、ＭＶＡ用フォトレジストの剥離方法である。そのために、プロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセスをプロセス制御部に登録し、そのプロセス制御部を用いた自動運営により、ＭＶＡ用フォトレジストの剥離方法を用いたフォトレジストを剥膜する工程を含む製造方法である。

上述したように、ＭＶＡの処理ライン１０では、そのプロセス処理及び基板の動作を実行する手順はプロセス処理制御部により行われている。本発明では、ＭＶＡの処理ラインのプロセス処理制御部へＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法のプロセス処理及び基板の動作手順を登録し、自動化した。以下に本発明のＭＶＡ用フォトレジスト剥離の手順、特に露光条件、例えば、ＮＧ情報レシピと露光量を説明する。

前記ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法の手順は、以下の（ａ）〜（ｅ）を含むものであり、（ａ）の手順では、プロキシミティ露光装置が、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報を検知することである。ガラス基板のＩＤ番号毎に品質情報を付与する、該品質フラグを活用するシステムにＮＧ情報を追加して、ＮＧ情報にコート処理不良、レジスト膜厚不良、又は露光処理不良を区分して登録する。従って、工程内で不良を検知した場合、逐次、操作端末画面からプロセス処理制御部へ情報入力することが必要となる。従って、生産ライン内では、ガラス基板は、常時ＮＧ情報の有無を確認されており、処理手段、例えば露光処理手段１２ａでは、露光装置によりＮＧ情報の有無を確認されており、その情報レシピに対応するように準備されている。

次いで、（ｂ）の手順では、プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件をＮＧ情報レシピに変更することである。ＮＧ情報レシピは、予めファイルデータとして登録されており、露光処理の条件として、例えば標準情報レシピ、又はＮＧ情報レシピを併用する。露光装置によりＮＧ情報を検知した場合、ＮＧ情報レシピに、正常の場合、標準情報レシピを選択する。

前記ＮＧ情報レシピは、露光ギャップが、５００μｍ〜１０００μｍの範囲の距離に設定すること、且つ、露光量が、１５０ｍＪ／ｃｍ²〜２００ｍＪ／ｃｍ²で、のみ変更した露光処理の条件にすることである。

次いで、（ｂ１）手順では、プロキシミティ露光装置が、品質フラグに完了マークＰを記録することと、（ｂ２）手順では、プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件を基準情報レシピに変更することであり、露光装置が、実行する。露光装置では、露光処理手段を実行し、露光処理の条件を基準情報レシピに戻してあと、完了マークＰを登録する。以降の工程では、完了マークＰを確認する。

次いで、（ｃ）手順は、アンローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報及び完了マークＰを検知することであり、（ｃ１）手順は、アンローダーが、搬送先をローダーへ変更することであり、（ｃ２）手順は、アンローダーが、品質フラグに完了マークＡを記録することである。次いで（ｄ）手順は、ローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮ
Ｇ情報及び完了マークＰ及びＡを検知することであり、（ｄ１）手段は、ローダーが、品質フラグのＮＧ情報、完了マークＰ及びＡを消去することであり、ローダー、又はアンローダーが、実行する。

最後に、（ｅ）手段は、ローダーが、基板をＭＶＡ形成工程の処理ラインへ再度投入することであり、再投入を実行して、本発明のＭＶＡ用フォトレジスト剥離の処理が実行された後、不良基板が再生され、再利用される。

次いで、本発明のＭＶＡ（ポジ型フォトレジスト）の剥離方法について詳細に説明する。

図２は、本発明のカラーフィルタの製造方法であり、ＭＶＡ（ポジ型フォトレジスト）の剥離方法を説明する露光処理時の側断面図である。

図２に示すＮＧ情報レシピは、露光ギャップが、５００μｍ〜１０００μｍの範囲の距離に設定すること、且つ、露光量が、１５０ｍＪ／ｃｍ²〜２００ｍＪ／ｃｍ²で、のみ変更した露光処理の条件にするである。

図２は、本発明のＭＶＡの形成工程のうち、露光処理時を説明する側断面図である。

図２では、基板３１上にＭＶＡ用フォトレジスト４１を形成、そのフォトレジスト面４１と、その上方に向き合うように載置したフォトマスク５０と、フォトマスクの上側の光源から照射光を露光する。この場合フォトレジスト面とフォトマスク面では微小距離の隙間、すなわちギャップは、ＮＧ情報レシピの露光ギャップ６１に設定されており、露光光が直進する距離をはるかに超えた距離であり、フォトマスクの光透過の露光光は散乱して、フォトレジストを照射する。

ＭＶＡ用フォトレジスト面にフォトマスクを介して照射光を露光する。この場合フォトレジスト面とフォトマスク面では微小距離の隙間、すなわちギャップ、例えばＮＧ情報レシピの露光ギャップ６１を設定し、露光量を照射する方法でパターンをフォトレジスト上に転写する。この場合、露光処理の条件、すなわちＮＧ情報レシピは、ギャップと、露光量を含むデータとし、ＮＧ情報レシピの露光ギャップ６１が５００〜１０００μｍのギャップ、その露光量は、１５０〜２００ｍＪ／ｍ²である。この場合、露光処理の条件がＮＧ情報レシピにより実行され、正常なフォトレジストパターンが結像されず、消失する。

図２のＮＧ情報レシピの露光ギャップ６１では、その間隔が５００μｍ以上に設定されており、通常では、光の回折の影響を受け、ＭＶＡのパターンの配置、例えばパターン幅が１０μｍ、パターンとの間隔距離が４０μｍの露光面では、フォトレジスト上にパターンが結像できず、消失する。本発明では、この現象に着目して、ライン内で発生したコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板を全面露光した後、現像処理することで、ＭＶＡ用フォトレジストからそのフォトレジストを剥膜した。

図１（ｂ）を参照し、本発明の一実施例を以下に説明する。

例えば、一実施例のＭＶＡ処理ライン１０では、レジストコート処理手段１１ａのあとのライン内に、レジストコート付加処理手段１１ｂを追加した。レジストコート付加処理手段１１ｂには、レジスト膜厚測定器を付設し、その測定データを工程管理グラフ上で監視し、品質フラグ上に情報入力、その合否判定及びその基板処置を指示し、ＭＶＡ用フォトレジスト剥離の場合、その基板の品質フラグにＮＧ情報を入力し、追加の品質情報を入力した。さらに、レジストコート付加処理手段１１ｂには、基板の取り出し口を設け、品
質監視用基板の取り出しと、又は不良基板のライン外への回収した。

同様に、一実施例のＭＶＡの処理ライン１０では、露光処理手段１２ａのあとライン内に露光付加処理手段１２ｂを追加した。露光付加処理手段１２ｂには、基板の取り出し口を設け、品質監視用基板の取り出し、オフラインでの外観検査を実行する品質監視と、又は不良基板を検出した場合、そのロットアウトの基板をライン外へ回収した。

本発明のカラーフィルタを製造する製造装置を説明する平面図であり、（ａ）は、生産ラインであり、（ｂ）は、その処理ラインである。 本発明のカラーフィルタの製造方法であり、ＭＶＡ（ポジフォトレジスト）の剥離方法を説明する露光処理時の側断面図である。 従来のカラーフィルタを製造する製造装置の処理ラインを説明する平面図である。 従来のカラーフィルタのＭＶＡパターンを説明する図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、側断面図である。 従来のカラーフィルタの製造方法であり、ＭＶＡ（ポジフォトレジスト）の露光処理時を説明する側断面図である。

符号の説明

１…生産ライン
２…パターン形成する装置
３…搬送装置
４…ライン製造制御部
１０…処理ライン
１１…レジストコート装置
１１ａ…レジストコート処理手段
１１ｂ…レジストコート付加処理手段
１２…露光装置
１２ａ…露光処理手段
１２ｂ…露光付加処理手段
１３…現像装置
１３ａ…現像処理手段
１７…プロセス処理制御部
１８…ローダー
１９…アンローダー
２１…第一の装置
２２…第二の装置
２３…第三の装置
２４…第四の装置
２５…第五の装置
３０…カラーフィルタ
３１ａ…ガラス基板
３１…基板
３２…ＢＭ
３２ｂ…ＢＭパターン開口部
３３…画素
３３ａ…Ｒ画素
３３ｂ…Ｇ画素
３３ｃ…Ｂ画素
３４…透明電極
４０…ＭＶＡ
４１…ＭＶＡ用フォトレジスト
５０…ＭＶＡ用フォトマスク
６０…基準情報レシピの露光ギャップ
６１…ＮＧ情報レシピの露光ギャップ

Claims (3)

1. カラーフィルタの種々のパターンを形成する複数の装置と、その工程間をライン連結する搬送装置と、
   各パターン形成する装置がフォトリソグラフィプロセス処理の、レジストコート装置、露光装置、現像装置、ローダーとアンローダーを少なくともライン連結した、プロセス処理制御部を備えた処理ラインからなり、
   パターン形成する装置と搬送装置を管理するライン製造制御部を装備したカラーフィルタの生産ラインを用いて、
   第一の装置による遮光部パターンを形成する工程と、
   第二の装置によるその開口部に画素部パターンを形成する工程と、
   第三の装置によるその上に透明電極を形成する工程と、
   さらに第四の装置によるＭＶＡパターンを形成する工程と、
   第五の装置によるＰＳを形成する工程を含み、
   第四の装置のポジ型フォトレジストからなるＭＶＡパターンを形成する装置の、フォトリソグラフィ法によりプロセス処理を実行する、レジストコート処理手段と、プロキシミティ露光装置の露光処理手段と、レジスト現像処理手段とを連結した処理ラインを備え、
   その処理ラインが、プロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセス制御部により、ローダー（供給口）からガラス基板を処理ライン内へ投入し、その順番で基板上にプロセス処理を実行した後、アンローダー（受取口）より処理ライン外へＭＶＡパターンを形成した基板を搬出するカラーフィルタの製造方法において、
   前記ＭＶＡパターンの形成工程のプロセス処理ラインを用いて、
   ポジ型フォトレジストのコート処理不良及びレジスト膜厚不良、又は露光処理不良の基板から、そのレジストを剥膜するために、
   ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法であるプロセス処理及び基板の動作を逐次に管理するプロセスをプロセス制御部に登録し、
   そのプロセス制御部を用いた自動運営により、
   ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法を用いたレジストを剥膜する工程を含むことを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
2. 前記ＭＶＡ用フォトレジスト剥離方法は、
   （ａ）プロキシミティ露光装置が、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報を検知する手順、
   （ｂ）プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件をＮＧ情報レシピに変更する手順、
   （ｂ１）プロキシミティ露光装置が、品質フラグに完了マークＰを記録する手順、
   （ｂ２）プロキシミティ露光装置が、露光処理の条件を基準情報レシピに変更する手順、（ｃ）アンローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報及び完了マークＰを検知する手順、
   （ｃ１）アンローダーが、搬送先をローダーへ変更する手順、
   （ｃ２）アンローダーが、品質フラグに完了マークＡを記録する手順、
   （ｄ）ローダーが、ガラス基板毎の品質フラグのＮＧ情報及び完了マークＰ及びＡを検知する手順、
   （ｄ１）ローダーが、品質フラグのＮＧ情報、完了マークＰ及びＡを消去する手段、
   （ｅ）ローダーが、基板をＭＶＡ形成工程の処理ラインへ再度投入する手段、
   を含むことを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。
3. 前記プロキシミティ露光装置が露光処理の条件のＮＧ情報レシピは、
   露光ギャップが、５００μｍ〜１０００μｍの範囲の距離に設定し、マスク下面をフォトレジスト面より大きく離して、且つ、露光量が、１５０ｍＪ／ｃｍ²〜２００ｍＪ／ｃｍ²に設定した、露光ギャップ及び露光量のみ変更した露光処理の条件にすることを特徴とす
   る請求項１、又は２記載のカラーフィルタの製造方法。

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