JP2008169471A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008169471A5 JP2008169471A5 JP2007290709A JP2007290709A JP2008169471A5 JP 2008169471 A5 JP2008169471 A5 JP 2008169471A5 JP 2007290709 A JP2007290709 A JP 2007290709A JP 2007290709 A JP2007290709 A JP 2007290709A JP 2008169471 A5 JP2008169471 A5 JP 2008169471A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- coating
- valve
- mixing point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 106
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 52
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 51
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 51
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 21
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000003111 delayed Effects 0.000 claims 2
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 claims 1
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Description
本発明の改良によれば、概して、P[ms]=60+0.05×Vよりも短いか又はP[ms]=50+0.05×Vよりも短くさえあるパルス休止が用いられ得る。図4及び図5には、上記関係式に対応する2つの直線がプロットされている。図4及び図5から、これらの限界線は概してガラス基板(図5)及びガラスセラミック基板(図4)の双方の場合によく適しており、ガラスセラミック基板では特に、より大きな反応器容積、好ましくは100ミリリットルよりも大きい場合に適していることが明らかである。
Claims (32)
- 物品を交互層でコーティングする、コーティングシステムであって、
コーティングすべき物品を配置することができる少なくとも1つの反応室、又は、コーティングすべき物品で反応室を形成するように意図される装置、
コーティングの際に使用されるプロセスガス、特に前駆体ガス用の供給部、
前記反応器内でプラズマを発生させるためにパルスで動作することができる電磁エネルギー源、及び
パルスプラズマが前記反応器内で生成されるように、動作中に前記電磁エネルギー源が電磁エネルギーパルスを出力するように設定される、前記電磁エネルギー源を制御する制御装置
を有し、
前記制御装置は、持続時間Dの長さ及びパルス間の休止Pの長さを有するプラズマパルスを生成する、時間的に間隔の空いたパルスを前記電磁エネルギー源が出力するように前記電磁エネルギー源を制御するように設定され、該設定は、2つの時間的に隣接するパルス間の前記パルス休止P(ミリ秒)がPmin[ms]=2.5+0.05×V、好ましくはPmin[ms]=2.5+0.055×V(式中、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示し、Pmin[ms]は持続時間(ミリ秒)を示す)よりも長い前記プラズマパルスに有効であることを特徴とする、コーティングシステム。 - 前記制御装置は、前記プラズマパルス間の前記休止PがPmin[ms]=10+0.133×V(式中、Pmin[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)よりも長い持続時間を有するように前記電磁エネルギー源を制御するように設定されることを特徴とする、請求項1に記載のコーティングシステム。
- 前記制御装置は、前記2つのプラズマパルス間の前記休止がP[ms]=80+0.05×V、好ましくはP[ms]=60+0.05×V、特に好ましくはP[ms]=50+0.05×V(式中、P[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)よりも短くなるように設定されることを特徴とする、請求項1又は2に記載のコーティングシステム。
- 前記制御装置は、前記隣接するプラズマパルス間の前記休止が、少なくとも下記式:
P[ms]=max(2.5 + 0.05 × V, V × [(1/6) × exp(-V/300) + (1/20)]
(式中、P[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)の長さを有するように前記電磁エネルギー源を制御するように設定されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のコーティングシステム。 - コーティングすべき物品を配置することができる少なくとも1つの反応室、又は、コーティングすべき物品で反応室を形成するように意図される装置、
前記反応器内でパルスプラズマを発生させるためにパルスで動作することができる電磁エネルギー源、
コーティングの際に使用されるプロセスガス、特に前駆体ガス用の供給部であって、該ガスをコーティングシステムのガス変更装置によって前記反応室に導入することができ、前記ガス変更装置は、少なくとも1つのガス混合点を有し、該ガス混合点へ、弁が設けられた少なくとも2つの各種前駆体ガス用の供給管路と、異なるプロセスガス混合物を生成するために前記弁の1つを介して導入されるガスの1つと該ガス混合点において混合されるように意図される他のガス用の少なくとも1つの供給管路とが開いており、また、前記反応室への排出管路が開いており、前記他のガス用の供給管路及び前記反応室への排出管路は前記2つの弁間の接続部で接続され、各場合に、ポンプ装置に接続されるバイパス管路が前記各種前駆体ガス用の供給管路のそれぞれに対して設けられ、各場合に、他の弁が前記バイパス管路に接続される、供給部、及び
前記弁及び前記電磁エネルギー源用に設けられる制御装置であって、プロセスガス混合物を変更するために、前駆体ガスの供給管路の弁が閉じると同時に該前駆体ガス用のバイパス管路の弁が開き、逆に、他の前駆体ガスの供給管路の弁が開くと同時に該前駆体ガスのバイパス管路の弁が閉じるように前記バイパス管路の弁及び各種前駆体ガス用の前記供給管路の弁を制御し、また、前記制御装置は、前記弁の切り替え時間に応じて前記交互層系の層(ply)を堆積するパルス列の開始時点を設定し、前記パルス列間に、少なくとも0.8×│tadvance−treturn│から多くとも5×│tadvance−treturn│(式中、tadvanceは前記ガスが前記ガス混合点から前記反応室に達するのに要する持続時間を示し、treturnは前記反応室内に以前に入れられた前記プロセスガス混合物を空にするのに要される持続時間を示す)の持続時間を有する休止を設定する制御装置
を備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティングシステム。 - 前記制御装置は、前記交互層系の層を堆積するパルス列が各々、各プロセスガス混合物用に割り当てられた弁の切り替え時点に対して持続時間Tだけ遅延した時点で開始して、前記供給管路内の前記交互層系の層を堆積するように前記電磁エネルギー源を制御し、前記持続時間Tは少なくとも0.8×tadvanceから多くとも50×tadvanceであることを特徴とする、請求項5に記載のコーティングシステム。
- 前記バイパス管路内の圧力を前記ガス混合点における圧力に適合させるために調節器が設けられていることを特徴とする、請求項4に記載のガス変更装置を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のコーティングシステム。
- 前記バイパス管路内の圧力を前記ガス混合点における圧力の20%未満の圧力差に適合させるために調節器が設けられていることを特徴とする、請求項7に記載のコーティングシステム。
- 調節器であって、該調節器により、前記ガスが前記ガス混合点に供給される際の前記供給管路に沿った圧力低下が維持されるか又は2倍以上に設定される調節器をさらに有することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のコーティングシステム。
- 前記ガス混合点は混合点弁ユニットの一要素であり、該混合点弁ユニットは2つの弁から成り、該2つの弁は、プロセスガス混合物の各種前駆体ガス用の2つの供給管路、及び、前記弁の一方を介して導入される前記ガスの1つと前記ガス混合点において混合されるように意図される他のガス用の少なくとも1つの供給管路、並びに、前記反応室への排出管路に接続され、前記他のガス用の供給管路及び前記反応室への排出管路は、前記2つの弁間の接続部で接続されることを特徴とする、請求項4に記載のガス変更装置を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のコーティングシステム。
- 前記2つの弁の弁座は、共通の弁ブロックにおいて組み合わされることを特徴とする、請求項10に記載のコーティングシステム。
- 前記2つの弁の前記弁座間から前記ガス混合点の中間への接続は各々、該ガス混合点から前記反応室までの前記排出管路の長さの1/10よりも小さいことを特徴とする、請求項10又は11に記載のコーティングシステム。
- コーティングすべき物品を配置することができる少なくとも1つの反応室、又は、コーティングすべき物品で反応室を形成するように意図される装置、
コーティングの際に使用されるプロセスガス、特に前駆体ガス用の供給部、
前記供給部は、前記ガスをガス変更装置によって前記反応室に導入することができ、該ガス変更装置は、少なくとも1つのガス混合点を有し、該ガス混合点へ、各種前駆体ガス用の2つの供給管路と、異なるプロセスガス混合物を生成するためにそれぞれ前記供給管路の一方を介して導入されるガスの1つと前記ガス混合点において混合されるように意図される他のガス用の少なくとも1つの供給管路とが開いており、また、前記ガス混合点から前記反応室へ出る排出管路が開いており、
前記反応室への排出管路は、前記反応室への複数の迂回路を有して延びる迂回管路を有し、及び/又は前記排出管路内に障害物を有し、該障害物によりガス流中に渦をもたらし、それにより、前記ガス混合点内で互いに接触状態となる前記ガスを混合する乱流が生じることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載のコーティングシステム。 - コーティングすべき物品を配置することができる複数の反応室、又は、コーティングすべき物品で反応室を形成するように意図される装置、
前記反応室への排出管路を有するガス供給装置、及び
前記反応室内の、前記プロセスガスが充填された領域内でプラズマを発生させるために、電磁エネルギーを放射する装置
を有し、
前記排出管路は複数の分岐に分かれ、該分岐はそれぞれ反応室に接続され、各々正確に2つの分岐が、前記ガス供給装置の排出管路を有する前記管路システムの1つの管路及び管路の分岐から派生していることで、前記排出管路は2n(ここで、n=2、3、...である)の分岐管路に分かれ、多くの場合、各室用の供給管路も等しく分かれることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載のコーティングシステム。 - 前記分岐管路は平面内で前記排出管路から分岐することを特徴とする、請求項13又は14に記載のコーティングシステム。
- 前記分岐管路がある平面に対して横断方向に沿って配置される複数のガス混合点を有することを特徴とする、請求項15に記載のコーティングシステム。
- 前記反応室の内部でのコーティング中に生成される輝線及び/又はスペクトルの時間分解測定のための分光器構成を有することを特徴とする、請求項1〜16のいずれか一項に記載のコーティングシステム。
- 前駆体ガスのパルス列の形を求める、特に前駆体ガスの時間密度プロファイル及び速度を測定する装置を有することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか一項に記載のコーティングシステム。
- 前記前駆体ガスのパルス列の形を求める装置は、蛍光線及び/又は吸収線を測定する光学的分光器構成を含むことを特徴とする、請求項18に記載のコーティングシステム。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載のコーティングシステムにおいて、プラズマ誘導化学気相堆積により物品をコーティングする方法であって、
コーティングすべき物品をコーティング反応器内に配置するか、又は、反応室がコーティングすべき物品で形成され、少なくとも該反応室のコーティング領域が真空排気され、プロセスガスが該コーティング領域に導かれ、堆積用のプラズマを電磁エネルギーを導入することにより発生させ、該電磁エネルギーは、時間的に間隔の空いたプラズマパルスが生成されるようにパルスの形態で導入され、パルスで動作することができる電磁エネルギー源が、前記電磁エネルギーを生成するのに用いられると共に制御装置により制御され、
前記制御装置は、前記電磁エネルギーの放射パルスが前記反応器内で持続時間Dの長さ及びパルス間の休止Pの長さを有するプラズマパルス生成するように前記電磁エネルギー源を制御し、前記制御装置は、2つの時間的に隣接するパルス間の前記パルス休止P(ミリ秒)がPmin[ms]=2.5+0.05×V、好ましくはPmin[ms]=2.5+0.055×V(式中、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示し、Pmin[ms]は持続時間(ミリ秒)を示す)よりも長い前記プラズマパルスに有効であることを特徴とする方法。 - 前記休止Pは、
P[ms]=10+0.133×V
(式中、P[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)
よりも長くなるように設定されることを特徴とする、請求項20に記載の方法。 - 前記時間的に隣接するパルス間の前記休止Pは、
P[ms]=max(2.5 + 0.05 × V, V × [(1/6) × exp(-V/300) + (1/20)]
(式中、P[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)
よりも長くなるように設定されることを特徴とする、請求項20又は21に記載の方法。 - 前記休止は、
P[ms]=80+0.05×V、好ましくはP[ms]=60+0.05×V、特に好ましくはP[ms]=50+0.05×V
(式中、P[ms]は持続時間(ミリ秒)を示し、Vは前記反応室のコーティング容積(ミリリットル)を示す)よりも短くなるように設定されることを特徴とする、請求項20〜22のいずれか一項に記載の方法。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載のコーティングシステムにおいて、物品を交互層でコーティングする方法であって、
コーティングすべき物品を少なくとも1つの反応室内に配置するか、又は、反応室がコーティングすべき物品で形成され、少なくとも該反応室のコーティング領域が真空排気され、各種プロセスガスが該コーティング領域に連続的に導かれ、パルスプラズマをパルスで動作する電磁エネルギー源により堆積のために発生させ、その結果、異なる組成の層を有する層系が前記物品に堆積され、前記反応室への前記プロセスガスの導入がガス変更装置により行われ、該ガス変更装置は少なくとも1つのガス混合点を有し、該ガス混合点へ、弁が設けられた少なくとも2つの各種前駆体ガス用の供給管路と、他のガス用の少なくとも1つの供給管路とが開いており、前記他のガスは、前記弁の1つを介して導入されるガスの1つとそれぞれガス混合点において混合されると共に排出管路により前記反応室に運び去られ、前記他のガス用の供給管路及び前記反応室への排出管路は前記2つの弁間の接続部で接続され、各場合に、ポンプ装置に接続されるバイパス管路が前記各種前駆体ガス用の供給管路のそれぞれに対して設けられ、各場合に、他の弁が前記バイパス管路に接続され、前記プロセスガス混合物は、前記バイパス管路の前記弁及び前記各種前駆体ガス用の供給管路の弁を切り替えることによって変更され、それにより、前記前駆体ガスの供給管路内の弁が閉じると同時に該前駆体ガス用の前記バイパス管路の弁が開き、逆に、前記他の前駆体ガスの供給管路の弁が開くと同時に該前駆体ガスのバイパス管路の弁が閉じるようになっており、前記交互層の層は各々、プラズマパルスのパルス列により堆積され、前記弁の切り替え時間に応じて前記交互層系の層を堆積するパルス列の開始時点が設定され、連続層を堆積する前記パルス列間に、少なくとも0.8×│tadvance−treturn│から多くとも5×│tadvance−treturn│(式中、tadvanceは前記ガスが前記ガス混合点から前記反応室に達するのに要する持続時間を示し、treturnは前記反応室内に以前に入れられた前記プロセスガス混合物を空にするのに要される持続時間を示す)の持続時間を有する休止が設定される方法。 - 前記電磁エネルギー源は、前記交互層系の層を堆積するパルス列が各々、各プロセスガス混合物用に割り当てられた弁の切り替え時点に対して持続時間Tだけ遅延した時点で開始して、前記供給管路の前記交互層系の層を堆積するように制御され、前記持続時間Tは少なくとも0.8×tadvanceから多くとも50×tadvanceであることを特徴とする、請求項24に記載の方法。
- 前記バイパス管路内の圧力が、調節器により前記ガス混合点における圧力に合わされることを特徴とする、請求項24又は25に記載の方法。
- 前記バイパス管路内の圧力が、前記ガス混合点における圧力の20%未満の圧力差に合わされることを特徴とする、請求項26に記載の方法。
- 前記ガスは、前記2つの弁の弁座が共通の弁ブロックにおいて組み合わされる混合点弁ユニットにおいて混合されることを特徴とする、請求項24〜27のいずれか一項に記載の方法。
- 酸素が前記混合点において少なくとも1つの前駆体と混合されることを特徴とする、請求項24〜28のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載のコーティングシステムにおいて物品を交互層でコーティングする方法であって、
コーティングすべき物品を少なくとも1つの反応室に配置するか、又は、該少なくとも1つの反応室が少なくとも1つのコーティングすべき物品で形成され、少なくとも該反応室のコーティング領域が真空排気され、各種プロセスガスが前記コーティング領域に順に導かれ、堆積用のプラズマを発生させ、その結果、異なる組成の層を有する層系が前記物品に堆積され、前記反応室への前記プロセスガスの導入がガス変更装置により行われ、該ガス変更装置は少なくとも1つの混合点を有し、前記反応室への排出管路が前記ガス混合点から出ており、
前記反応室への排出管路は、前記反応室への複数の迂回路を有して延びる迂回管路を有し、及び/又は前記排出管路内に障害物を有し、前記ガス混合点内で互いに接触状態となる前記ガスのガス流が渦を巻き、前記迂回管路の迂回路及び/又は前記障害物にて乱流混合され、該障害物によりガス流中に渦をもたらし、それにより、前記ガス混合点内で互いと接触状態となる前記ガスを混合する乱流が生じる、方法。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載のコーティングシステムにおいて、物品を交互層でコーティングする方法であって、
コーティングすべき複数の物品を複数の反応室内に配置するか、又は、該反応室がコーティングすべき物品で形成され、少なくとも該反応室のコーティング領域が真空排気され、プロセスガスが前記コーティング領域に導かれ、堆積用のプラズマを発生させ、それにより、コーティングが堆積され、前記反応室への前記プロセスガスの導入は、ガス混合点から派生する排出管路により行われ、
前記プロセスガスの各種ガスは前記混合点において混合され、前記排出管路を介して前記ガス流が2n(ここで、n=2、3、...)の分岐に分かれて対応する複数の細流となり、これらの細流は各々、前記反応室へ導かれ、各細流は多くの場合、前記ガス流から等しく分かれ、該ガス流の各分岐(division)にて正確に2つの細流に分かれることを特徴とする、方法。 - 前記細流は前記排出管路の1つから分岐することを特徴とする、請求項31に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006053365 | 2006-11-10 | ||
DE102006053365.8 | 2006-11-10 | ||
DE102007037527.3 | 2007-08-09 | ||
DE102007037527A DE102007037527B4 (de) | 2006-11-10 | 2007-08-09 | Verfahren zum Beschichten von Gegenständen mit Wechselschichten |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008169471A JP2008169471A (ja) | 2008-07-24 |
JP2008169471A5 true JP2008169471A5 (ja) | 2008-11-06 |
JP5026229B2 JP5026229B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39048833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007290709A Active JP5026229B2 (ja) | 2006-11-10 | 2007-11-08 | コーティングシステム及びコーティング方法、並びにコーティングされた物品 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8268410B2 (ja) |
EP (1) | EP1921179B1 (ja) |
JP (1) | JP5026229B2 (ja) |
KR (1) | KR101411632B1 (ja) |
CN (1) | CN101225514B (ja) |
AT (1) | ATE541066T1 (ja) |
DE (1) | DE102007037527B4 (ja) |
TW (1) | TWI401335B (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8269410B2 (en) * | 2005-03-18 | 2012-09-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
MX345403B (es) | 2009-05-13 | 2017-01-30 | Sio2 Medical Products Inc | Revestimiento por pecvd utilizando un precursor organosilícico. |
US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
DE102010048960A1 (de) * | 2010-10-18 | 2012-04-19 | Khs Corpoplast Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
CA2887352A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
EP2914762B1 (en) | 2012-11-01 | 2020-05-13 | SiO2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
WO2014085348A2 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
KR102472240B1 (ko) | 2013-03-11 | 2022-11-30 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 코팅된 패키징 |
US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
WO2014144926A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating method |
CN103762321B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-06-09 | 中山市贝利斯特包装制品有限公司 | 一种有机器件薄膜封装方法及装置 |
CN103757607A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-30 | 刘键 | 一种有机器件封装方法及装置 |
US11066745B2 (en) | 2014-03-28 | 2021-07-20 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
CN105590825A (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-18 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 气体输送装置及等离子体处理装置 |
US11077233B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-08-03 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
KR101975872B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2019-09-10 | 유림에코 주식회사 | 부표 코팅 조성물을 이용한 부표 |
KR101975868B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2019-05-07 | 유림에코 주식회사 | 부표 코팅 조성물을 이용한 부표 |
KR102086574B1 (ko) * | 2018-04-03 | 2020-03-09 | 전남대학교산학협력단 | 분말 입자를 코팅할 수 있는 증착장치 및 분말 입자의 코팅 방법 |
CN117612920B (zh) * | 2024-01-23 | 2024-04-05 | 上海邦芯半导体科技有限公司 | 反应气体切换系统及等离子体处理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4761269A (en) * | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
US5146869A (en) * | 1990-06-11 | 1992-09-15 | National Semiconductor Corporation | Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor |
DE4120176C1 (ja) * | 1991-06-19 | 1992-02-27 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
CA2186587C (en) | 1994-03-29 | 2004-05-18 | Martin Heming | Pcvd process and device for coating domed substrates |
CN1228810C (zh) * | 1997-04-21 | 2005-11-23 | 东京电子亚利桑那公司 | 物理汽相沉积的方法和设备 |
US6511539B1 (en) * | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
JP4703810B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Cvd成膜方法 |
KR100443908B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 화학기상증착장치 및 이를 이용한나이트라이드막 형성방법 |
KR100979575B1 (ko) | 2002-01-17 | 2010-09-01 | 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 | 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법 |
DE10258678B4 (de) * | 2002-12-13 | 2004-12-30 | Schott Ag | Schnelles Verfahren zur Herstellung von Multilayer-Barriereschichten |
AR047196A1 (es) * | 2002-12-04 | 2006-01-11 | Dana Corp | Sistema y metodo de tratamiento de gases de escape de motores y vehiculo movil que contiene al sistema |
US20050260354A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems |
DE102004042431B4 (de) | 2004-08-31 | 2008-07-03 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabeschichtung von Werkstücken mit spektraler Auswertung der Prozessparameter und Verwendung der Vorrichtung |
US7959984B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system |
-
2007
- 2007-08-09 DE DE102007037527A patent/DE102007037527B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-07 TW TW096142010A patent/TWI401335B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-08 JP JP2007290709A patent/JP5026229B2/ja active Active
- 2007-11-08 US US11/937,279 patent/US8268410B2/en active Active
- 2007-11-08 EP EP07021685A patent/EP1921179B1/de active Active
- 2007-11-08 AT AT07021685T patent/ATE541066T1/de active
- 2007-11-09 CN CN2007101997826A patent/CN101225514B/zh active Active
- 2007-11-09 KR KR1020070114462A patent/KR101411632B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008169471A5 (ja) | ||
JP5026229B2 (ja) | コーティングシステム及びコーティング方法、並びにコーティングされた物品 | |
CA3154777C (en) | Fluid distributing device for a thin-film deposition apparatus, related apparatus and methods | |
MXPA04011431A (es) | Dispositivo y metodo para el tratamiento de piezas de trabajo. | |
KR101482805B1 (ko) | 플라즈마 아크 코팅용 장치와 방법 | |
CN104169461A (zh) | 用于以水平激光进行原子层沉积的设备及工艺 | |
UA109250C2 (ru) | Устройство для нанесения покрытия осаждением из паровой фазы на обрабатываемую деталь (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ осаждением паровой фазы НА обрабатываемую деталь | |
HRP20121013T1 (hr) | Generator industrijske pare za polaganje premaza metalne legure na metalnu traku i odgovarajuä†i postupak | |
KR20050033841A (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 | |
KR102659545B1 (ko) | Ald 방법 및 장치 | |
KR20060129356A (ko) | 성막 장치와 성막 방법 | |
CN109415808A (zh) | 用于涂覆基材的方法和装置 | |
Schäfer et al. | Study of thin Film Formation From Silicon‐Containing Precursors Produced by an RF Non‐Thermal Plasma Jet at Atmospheric Pressure | |
CN109321895A (zh) | 一种用于ald工艺的气体传输装置及其进气方法 | |
EP1664376B1 (en) | Apparatus for conveying gases to and from a chamber | |
KR20220093357A (ko) | 2차원 층을 증착하기 위한 cvd 반응기의 용도 | |
KR100709035B1 (ko) | 박막증착장치용 직접액체분사시스템 | |
KR20240077733A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20070113398A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
TW201536948A (zh) | 反應器上包含方向控制閥之氣體混合裝置 | |
GB2425539A (en) | Deposition system with three way valve | |
CN113529055A (zh) | 一种ald沉积装置及方法 | |
FI20215939A1 (en) | Precursor container device | |
JPS6242412A (ja) | 気相励起装置 | |
JPS61218817A (ja) | 微粒子流の流れ制御装置 |