JP2008164576A - 水分計 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 46
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 103
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3554—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for determining moisture content
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/031—Multipass arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/39—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明の水分計は、測定対象ガスが導入されるサンプルセル11と、オプティカルチャンバ19と、オプティカルチャンバ内の圧力を調整することにより、バックグラウンド信号の影響を変化させるバックグラウンド信号制御手段と、光検出器の検出値に基づいて水分濃度値を求める演算制御部34とを備えている。バックグラウンド信号制御手段はオプティカルチャンバ内の圧力を変えるものであり、例えばオプティカルチャンバ内の圧力を大気圧よりも定常的に加圧し、又は定常状態から一時的に加圧又は減圧するものである。
【選択図】図1
Description
ガス中の水分を計測する方法として、例えば、水晶振動子の周波数変化を計測する水晶発振式や、ガス中の水分を吸着させて静電容量変化を計測する静電容量式が知られている。また、波長可変型のレーザを用いて赤外吸収分光法により水分濃度を測定するレーザ水分計も提案されている(特許文献1,2参照。)。
Herriott式のガスセルは、2枚の球面鏡又は放物面鏡からなる凹面鏡を対向させて配置し、一方のミラーの周縁部に設けた小孔からレーザ光を入射し、2枚の凹面鏡の間で多重反射させた後、再び、入射孔から入射光とは異なる角度で取り出すものである。
光源室は、周囲大気が混入することで周囲大気に含まれる大量の水分(数千〜数万ppm)によるバックグラウンドレベルの上昇を防ぐために、光源室内は、高純度ガス(例えば、高純度窒素ガス)により常時大気圧レベルにパージされている。
さらに、チャンバ内を完全に高純度ガス(例えば、高純度窒素ガス)に置換したとしても、その高純度ガス中に含まれる微量水分の影響で、チャンバ内のバックグラウンドレベルが上昇し、相対的にセル内の検出下限を押し上げてしまうこともある。
本発明の水分計は、レーザ光が通過する窓材を少なくとも一つ備え、内部に測定対象ガスが導入されるサンプルセルと、サンプルセルとは窓材を隔てて隣接し、パージ用ドライガスを流通させるための入口ポート及び出口ポート、レーザ光を窓材から上記サンプルセル内に照射するレーザ光源並びに上記窓材を経てサンプルセルから戻ったレーザ光の減衰を検出する光検出器を備えたオプティカルチャンバと、上記オプティカルチャンバ内の圧力を調整することにより、バックグラウンド信号の影響を変化させるバックグラウンド信号制御手段と、上記光検出器の検出値に基づいて水分濃度値を求める演算制御部と、を備えている。
しかしながら、実際に装置を使用する場合は必ずしもゼロガスが用意されるとは限らず、とりわけプロセス中に組み込んでその場(in-situ)モニタリングを行なおうとした場合、サンプルガスに完全なゼロガスが導入できる状況にないことが多い。このような場合、得られた吸収スペクトル信号がサンプルガス由来のものか、バックグラウンド信号由来のものかの判別は困難である。
そこで、サンプルセルに多量のゼロガスが流されていない環境でも、光学系のバックグラウンド信号による影響を除去し、微量水分量を高感度に測定できるようにする。
以下に本発明の実施例を説明する。
図1は水分計のチャンバ内を加圧状態にする一実施例を示す概略構成図であり、サンプルガスが導入されるセル内に一対の対向した凹面ミラー17a,17bがレーザ光を多重反射するように配置されたサンプルセル11と、サンプルセル11に隣接し、内部の圧力を保つように密閉構造となったチャンバ(光源室)19からなる。
密閉構造には略密閉構造を含み、光源室の加圧状態が維持されるのに充分な密閉状態であればよい。
光源にはレーザ光を使用する。これは、ハロゲンランプなどのランプ光源では、ミラー17a,17bの間で多重反射する間に光束の発散が大きくなり、出射孔から充分な光量を取り出せないからである。
コネクタ20は、真空機器などでよく使用されるハーメチックシール方式のコネクタを用いるのがよい。
レーザ制御部38は、(B)に示すように、レーザ光源21に流す電流を低周波の走査周波数(例えば周期が約10ミリ秒)と高周波の変調周波数(例えば周波数が約140KHz)の2つの周波数で変調することにより、(A)に示すように、レーザ光波長をノミナル波長λ1〜λ2の間で低周波と高周波の両方で変調させる。
ガス供給機構1は調整バルブ2とパージガス供給ライン3を経て、チャンバ19の上部側面に設けられているパージガス導入口25に接続されている。ガス供給機構1及び調整バルブ2により、バックグラウンド信号制御手段を構成している。
パージガス導入口25及びポート27には、市販のコックを用いることができる。
チャンバ19の上蓋や側板、フランジ16aなどは、O−リングを介してシールすることで、チャンバ19内を密閉することができる。
測定にあたってはまず、排気バルブ37を「開」の状態にして、約5時間、高純度ガスで減圧弁の2次圧を0.3MPa程度でパージする。その後、排気バルブ37を「閉」の状態にする。
チャンバ19内のレーザ光源21から出たレーザ光はミラー22で反射され、サンプルセル11に向かう。サンプルセル11の入口部にある窓材13と孔14を通過した後、対向して配置されている2枚のミラー17a,17bの内、まずミラー17bに入射する。その後、ミラー17aとミラー17bの間で多重反射を繰り返す。
光電変換された信号が光検出器23に接続されているプリアンプ10で増幅された後、演算制御部34による演算部に送られ、ここで2次高調波測定法によって高感度検出される。検出された結果は表示部36に、例えば2次高調波スペクトルとして表示される。
また、図7は3回の反射回数を例示したが、通常は4回以上の反射を行なって光路長をかせぎ、吸収感度を上げ、検出感度を高めている。
図3は本発明の水分計の他の実施例を示す概略構成図である。
上述の実施例により、加圧状態にするとバックグラウンド信号が低下することがわかった。次にそのバックグラウンド信号の有無を検出する。
図3に示す水分計は、サンプルガスが流れるサンプルセル11と、サンプルセル11に隣接するオプティカルチャンバ19と、チャンバ19内の圧力を調整することにより、バックグラウンド信号の影響を変化させる圧力調整機構33と、水分濃度値を求めるとともにバックグラウンド信号の影響の有無を検出する演算制御部34とにより構成されている。以下の実施例では、バックグラウンド信号制御手段は、圧力調整機構33と演算制御部34によって構成されている。
サンプルセル11とオプティカルチャンバ19の間には、レーザ光の入口及び出口を兼ねている窓材13が配置されている。
圧力調整機構33には、手動で調整できるニードル弁のようなものや、外部からの信号で圧力調整できるプレッシャレギュレータを用いることができる。
そこで、チャンバ内の圧力を加圧するとオプティカルチャンバ内の水分による吸収ピークが小さくなる理由を図4により説明する。
この吸収スペクトルのプロファイルは、同分子数、一定温度における、+100kPa時の吸収プロファイルと、+200kPa時の吸収プロファイルを示している。これら大気圧レベルにおけるスペクトルの広がりは、分子の衝突に起因するローレンツ広がりと呼ばれているものであり、吸収スペクトルのプロファイルは次式(1)により表わされる(非特許文献3参照。)。
である。
しかしながら実際は、バックグラウンド信号の原因である水分は、オプティカルチャンバ内の圧力にかかわらず、チャンバ壁や光学部品などからほぼ一定に脱離するものが支配的であるため、オプティカルチャンバ内の圧力が2倍になっても一定体積中の水分子数はほとんど変化せず、ローレンツ広がりにより吸収ピークの減少分だけ信号が小さくなる。
そして、その圧力変化に伴う吸収ピーク値の変化が予め定めた閾値以下であれば水分によるバックグラウンドはないと判断するのである。
図5は水分計のさらに他の実施例を示す概略構成図である。
この水分計は、サンプルセル11と、その両端に配置される二つのチャンバ19a,19bと、両チャンバ19a,19bを接続する圧力調整機構33と、演算制御部34から構成されている。
図5のサンプルセル11は内部にミラーを持たないシングルパスタイプのものであるが、内部にミラーを備えた次の図4に示すマルチパスセルタイプのものも用いることもできる。
図6は水分計のさらに他の実施例を示す概略図である。
この水分計は、サンプルセル11が多重反射型セルで構成され、サンプルセル11の両端にはオプティカルチャンバとしての二つのチャンバ19a,19bが配置されている。
サンプルセル11内の両端には一対のミラー17a,17bが設けられている。また、サンプルセル11とチャンバ19a,19bの間には、レーザ光の入口となる窓材13と、レーザ光の出口となる窓材15がそれぞれ配置されている。窓材13に隣接したチャンバ19a内にはレーザ光源21が配置され、窓材15に隣接したチャンバ19b内には光検出器23が配置されている。
また、ポート27aには圧力調整機構33aが設けられ、ポート27bには圧力調整機構33bが設けられており、両圧力調整機構33a,33b及び光検出器23は演算制御部34に接続されている。
図7は水分量のバックグラウンド信号を得るための操作・演算処理手順を説明するフロー図である。
以下にこのフローを詳細に説明する。
まず、バックグラウンド信号の影響は水分計の濃度指示として現れるため、サンプルガス中の水分濃度がある程度安定している必要がある。サンプル中の水分濃度が急激に変化していなければ、水分濃度値aを記録する。
ここで、仮にバックグラウンド信号由来となる水分が充分少ない場合は(水分濃度値a−水分濃度値b)が装置の検出限界より小さくなる。そうなると、バックグラウンド信号の影響が無くなったと判定できる。
一方、(水分濃度値a−水分濃度値b)が装置の検出限界より小さくならない場合は、バックグラウンド信号の影響があると判定できる。
図8は上述の図7に示したフローを、自動的に且つ正確に行なう装置構成例を示した実施例である。
この水分計は、図3の実施例で示した構成とほぼ同じであり、サンプルガスが流れるサンプルセル11と、サンプルセル11に隣接するオプティカルチャンバ19と、チャンバ内の圧力を調整する圧力調整機構33と、バックグラウンド信号の影響の有無を検出する演算制御部34とにより構成されている。
まず、上述の説明同様、サンプルガス中の水分が安定し、オプティカルチャンバ内の圧力が一定状態における場合の水分濃度aを記録する。
その後、圧力計からの出力信号を得て、一時的に圧力を変化させる制御信号を圧力調整機構33に送信する。このフローを例にとると、圧力計の値から+100kPaの値を圧力調整機構に設定する。
このようにチャンバ19内の圧力を電気的に把握・制御できれば、自動的に図5のフローを実施することができ、バックグラウンド信号をチェックすることが可能となる。
また、上述の説明は図5,6に示す水分計においても同様に実施できるものである。
また、実施例1に示すようにオプティカルチャンバ内を定常的に加圧状態にした上で、その加圧状態から一時的に加圧又は減圧するようにしてもよい。
13,15 窓材
17a,17b ミラー
19,19a,19b チャンバ
21 レーザ
23 光検出器
25,25a,25b,27,27a,27b ポート
29 サンプルガス導入口
31 サンプルガス排出口
33,33a,33b 圧力調整機構
34 演算制御部
Claims (11)
- レーザ光が通過する窓材を少なくとも一つ備え、内部に測定対象ガスが導入されるサンプルセルと、
前記サンプルセルとは前記窓材を隔てて隣接し、パージ用ドライガスを流通させるための入口ポート及び出口ポート、レーザ光を前記窓材から前記サンプルセル内に照射するレーザ光源並びに前記窓材を経てサンプルセルから戻ったレーザ光の減衰を検出する光検出器を備えたオプティカルチャンバと、
前記オプティカルチャンバ内の圧力を調整することにより、バックグラウンド信号の影響を変化させるバックグラウンド信号制御手段と、
前記光検出器の検出値に基づいて水分濃度値を求める演算制御部と、を備えた水分計。 - 前記バックグラウンド信号制御手段はオプティカルチャンバ内を大気圧に対して定常的に加圧状態とする加圧機構である請求項1に記載の水分計。
- 前記加圧機構は、前記オプティカルチャンバ内にガスを導入するガス供給機構と、前記オプティカルチャンバ内の圧力を調整する圧力調整バルブからなるものである請求項2に記載の水分計。
- 前記オプティカルチャンバ内の圧力は大気圧に対して定常的に0.5気圧以上加圧されている請求項2又は3に記載の水分計。
- 前記バックグラウンド信号制御手段は前記オプティカルチャンバ内の圧力を定常状態から一時的に加圧又は減圧する圧力調整機構であり、
前記演算制御部は、前記光検出器の検出値に基づいて水分濃度値を求めるとともに、定常状態での水分濃度値と一時的に圧力を変化させた時の水分濃度値とを比較し、その差に基づいてバックグラウンド信号の影響の有無を検出するものである請求項1に記載の水分計。 - 前記圧力調整機構は前記オプティカルチャンバ内の圧力変化を外部に伝達する圧力計と、外部からの制御信号により圧力を制御する圧力調整バルブ又はプレッシャレギュレータとからなるものである請求項5に記載の水分計。
- 前記オプティカルチャンバにガスを導入するガス供給機構を備えている請求項6に記載の水分計。
- 前記サンプルセル内には前記オプティカルチャンバから入射したレーザ光を多重反射させるための一対の対向ミラーが備えられている請求項1から7のいずれか一項に記載の水分計。
- 前記オプティカルチャンバのチャンバは前記サンプルセルの両端にそれぞれ窓材を介して対向して2つ備えられ、一方のチャンバには前記レーザ光源が配置され、他方のチャンバには前記光検出器が配置されている請求項1から8のいずれか一項に記載の水分計。
- 前記サンプルセルはHerriottタイプの多重反射型セルであり、前記窓材及び前記オプティカルチャンバのチャンバはそれぞれ一つによって構成されている請求項1から8のいずれか一項に記載の水分計。
- 前記オプティカルチャンバ内のレーザ光源は波長可変レーザ光源であり、
前記演算制御部は、レーザ光源からのレーザ光波長を、試料ガス中の対象ガスが吸収をもつ波長を含む波長範囲を一定の走査周波数で走査するとともに、走査周波数よりも高い変調周波数で変調して出力するレーザ制御部、及び前記変調周波数の2倍の周波数をもつレーザ光検出信号に基づいて2次高調波測定法により水分濃度を求める演算部を備えたものである請求項1から10のいずれか一項に記載の水分計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007021045A JP4715759B2 (ja) | 2006-04-25 | 2007-01-31 | 水分計 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006120599 | 2006-04-25 | ||
JP2006120599 | 2006-04-25 | ||
JP2006328977 | 2006-12-06 | ||
JP2006328977 | 2006-12-06 | ||
JP2007021045A JP4715759B2 (ja) | 2006-04-25 | 2007-01-31 | 水分計 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008164576A true JP2008164576A (ja) | 2008-07-17 |
JP4715759B2 JP4715759B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=39694267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007021045A Active JP4715759B2 (ja) | 2006-04-25 | 2007-01-31 | 水分計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4715759B2 (ja) |
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