JP2008160103A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁層20上に第1の領域及び第2の領域を有するシリコン層30を形成する工程と、シリコン層30の第1の領域に不純物をドープする工程と、不純物をドープした後シリコン層30の表面に熱酸化膜16を形成する工程と、熱酸化膜16を除去する工程と、第1の領域において第1のフィールド酸化膜41を絶縁層20に接するように形成する工程と、第2の領域において第2のフィールド酸化膜42をシリコン層30を介して絶縁層20上に形成する工程と、第1の領域におけるシリコン層30に、完全空乏型のトランジスタを形成する工程と、第2の領域におけるシリコン層30に、部分空乏型のトランジスタを形成する工程とを有する。
【選択図】 図3
Description
図1は、本願発明の第1の実施例を示す断面図である。この図1を用いて本願発明の第1の実施例を説明する。
(第2の実施例の説明)
図2(a)〜(g)は、本願発明の第2の実施例を示す工程断面図である。この図2(a)〜(g)を用いて本願発明の第2の実施例を説明する。本願発明の第2の実施例は、本願発明の第1の実施例に記載の半導体装置の製造方法に相当するものである。
(第3の実施例の説明)
20 絶縁層
31 第1のシリコン層
32 第2のシリコン層
33 高濃度層
41 第1のフィールド酸化膜
42 第2のフィールド酸化膜
50 ゲート酸化膜
60 ゲート電極
71 ソース及びドレイン領域
72 チャネル領域
80 層間絶縁膜
90 コンタクト
95 上層配線
Claims (8)
- 絶縁層上に第1の領域及び第2の領域を有するシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層の前記第1の領域に、不純物をドープする工程と、
前記不純物をドープした後、前記シリコン層の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記熱酸化膜を除去した後、前記シリコン層の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして前記シリコン層を酸化することによって、前記第1の領域において前記シリコン層を複数の島領域に素子分離する第1の素子分離膜を、前記絶縁層に接するように形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして前記シリコン層を酸化することによって、前記第2の領域において前記シリコン層を複数の島領域に素子分離する第2の素子分離膜を、前記シリコン層を介して前記絶縁層上に形成する工程と、
前記第1の領域における前記シリコン層に、完全空乏型のトランジスタを形成する工程と、
前記第2の領域における前記シリコン層に、部分空乏型のトランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁層上に第1の領域及び第2の領域を有するシリコン層を形成する工程と、
前記第2の領域における前記シリコン層の表面全面に、マスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして前記シリコン層の表面を除去する工程と、
前記シリコン層の表面を除去した後、前記マスクパターンを除去する工程と、
前記絶縁層に接し、前記第1の領域において前記シリコン層を複数の島領域に素子分離する第1の素子分離膜と、前記シリコン層を介して前記絶縁層上にあり、前記第2の領域において前記シリコン層を複数の島領域に素子分離する第2の素子分離膜とを同時に形成する工程と、
前記第1の領域における前記シリコン層に、完全空乏型のトランジスタを形成する工程と、
前記第2の領域における前記シリコン層に、部分空乏型のトランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物には、アルゴン、ボロン、リンのいずれかを選択することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスクパターンは、パッド酸化膜を介して形成することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁層には、シリコン基板上に形成された絶縁層を選択することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の素子分離膜及び前記第2の素子分離膜を同時に形成することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の領域において前記シリコン層に、不純物が周囲よりも高濃度にドープされた高濃度層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高濃度層は、前記絶縁層に接するように広範囲に形成することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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JP2014175373A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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