JP2008151689A - 位置計測装置、撮像装置、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 移動可能なステージ上のマークに照明光を照射し、該マークからの光束により撮像手段上に該マークの像を形成し、該撮像手段の出力に基づいて生成される信号波形からマークの位置を計測する。また、ステージ位置を計測するステージ位置計測手段と、撮像期間中の照明光強度を連続的に計測する光強度計測手段と、撮像期間中のステージ位置の変化と照明光強度の変化とに基づいて前記信号波形を補正する信号波形補正手段とを備える。
【選択図】 図1
Description
半導体製造用露光装置におけるマーク撮像方法の従来例を述べる。
図8において、Rは露光用原版であるレチクル、Wは被露光基板であるウエハ、WMは被観察マークであるウエハマーク、1はz軸を光軸とする投影光学系である。また、Sは被観察マーク撮像用光学系であり、2は位置合わせ用照明手段、3はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段である。7はA/D変換手段、8は積算回路、9は画像処理手段、10はステージ駆動手段、11は3次元に移動可能なステージ、12は干渉計などのステージ位置計測手段である。
まず、ステージ上の被観察マークWMを観測できる位置にステージ11を移動させる。次いで、露光光を照射する位置合わせ用照明手段2から照射した光束により、ビームスプリッタ3、レチクルRおよび投影光学系1を介して、被観察マークWMを照明する。図2(a)は被観察マークを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置したものである。マークWMから反射した光束は、再度投影光学系1およびレチクルRを介してビームスプリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系5を介して撮像手段6の撮像面上にマークWMの像を形成する。撮像手段6においてマークWMの像を光電変換する。その後、A/D変換回路7において、2次元のデジタル信号列に変換する。積算回路8は、図2(a)に示すY方向に積算処理を行い、図2(b)に示すように2次元信号を1次元のデジタル信号列S0(x)に変換する。その変換されたデジタル信号列を用いて画像処理手段9にてマークWMの中心位置を計測し、またはコントラスト値等を計測し光学系の焦点位置を探査する指標に用いる。
そして、本発明に係る第1の位置計測装置は、前記撮像手段の前記マークの像の撮像期間中の前記ステージ位置の変化と前記照明光強度の変化とに基づいて前記信号波形を補正する信号波形補正手段を備えることを特徴とする。
そして、本発明に係る第1の撮像装置は、前記撮像に際し、前記ステージの位置の変化および前記照明光強度の変化が許容範囲内に収束してから被観察面の撮像を開始する撮像制御手段を備えることを特徴とする。
以下、本発明の好ましい実施の形態を実施例に基づき説明する。以下においては、本発明を半導体製造用露光装置に適用した実施例を示す。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例に係る半導体製造用露光装置の構成を示す。
図1において、Rはレチクル、Wは被露光基板であるウエハ、1は光軸が図示したxyz座標系のz軸と平行な投影光学系である。また、Sはマーク撮像用光学系であり、2は光源、3と17はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段(例えばCCD)である。7はA/D変換回路(手段)、8は一次元デジタル信号列を生成する積算回路(手段)、9は画像処理回路(手段)、10はステージ駆動手段である。11はxyz座標系のx、y、z軸方向の3つ方向に(3次元的に)移動可能なステージである。12はステージ11の上記x,y軸方向(光軸と直交する平面内)の位置を計測するための、干渉計などのステージ位置計測手段である。13はステージ位置計測手段12の計測結果を記憶するステージ位置記憶回路(手段)である。14は積算回路8からのデジタル信号列を補正する波形補正回路(手段)である。15はマークを照明する光の強度を計測する照明光強度計測手段、16は照明光強度記憶回路(手段)である。すなわち、図1の装置は、図8の従来の装置に対し、ステージ位置記憶回路13、波形補正回路14、照明光強度計測手段15、照明光強度記憶回路16およびビームスプリッタ17を付加したものである。
まずステージ駆動手段10、位置計測手段12を用いてステージ11上のマークWMを観測できる位置にステージ11を移動させる。次いで、光源2からの光束(ウエハWを露光するのに使う露光光と同じ波長の光)により、ビームスプリッタ17、3、結像光学系4、レチクルRおよび投影光学系1を介して、マークWMを照明する。図2(a)はマークWMを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置した格子状のマークである。マークWMを含む領域(被観察面)で反射した光束は、再度投影光学系1、レチクルRを介してビームスプリッタ3に到達する。そして、この反射光束はビームスプリッタ3で反射して結像光学系5を介して撮像手段6の撮像面上にマークWMの像を形成する。
その補正されたデジタル信号列S0(x)を用いて画像処理手段9にてマークWMのマーク中心位置を計測する。または、投影光学系1の焦点位置(ベストフォーカス位置)を検出するために、デジタル信号信号列S0(x)のコントラスト値(すなわちマーク像のコントラスト値)を計測する。
また、記憶されているステージ位置変化や照明光強度変化のバラツキが大きく、Sm、Spが予め設定された範囲(許容範囲)を超える場合、再度マークMWを撮像(再撮像)しても良い。さらには、撮像前(または撮像準備期間中)からステージ位置や照明光強度をモニタし続け、バラツキもしくは分散等が予め設定された範囲内に入ってから、画像の撮像を行うようにしても良い。
第1の実施例は、まずステージ駆動手段10、位置計測手段12を用いてステージ11上のマークWMを観測できる位置にステージ11を移動させ、ステージ11を一旦停止してからマークの位置計測を行っていた。しかし、第2の実施例では、ステージ11を静止させることなく、ステージ11を動かしたままマーク位置計測を行う。
まずステージ駆動手段10と位置計測手段12を用いてステージ11を移動させながら、ステージ11上のマークWMが撮像手段6の観測範囲に入ったら続いてマーク位置計測を行う。この計測は、最初に、光源2から照射した光束により、ビームスプリッタ17、3、結像光学系4、レチクルRおよび投影光学系1を介して、マークWMを照明する。図2(a)はマークWMを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置した格子状のマークである。
その補正されたデジタル信号列S0(x)を用いて画像処理手段9にてマークWMのマーク中心位置を計測する。または、投影光学系1の焦点位置(ベストフォーカス位置)を検出するために、デジタル信号信号列S0(x)(すなわちマーク像)のコントラスト値を計測する。
図6は、本発明の第3の実施例に係る半導体製造用露光装置の構成を示す。
図6において、Rはレチクル、Wは被露光基板であるウエハ、1は光軸が図示したxyz座標系のz軸と平行な投影光学系である。また、Sはマーク撮像用光学系であり、2は光源、3と17はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段(例えばCCD)である。7はA/D変換回路(手段)、8は一次元デジタル信号列を生成する積算回路(手段)、9は画像処理回路(手段)、10はステージ駆動手段である。11はxyz座標系のx、y、z軸方向の3つ方向に(3次元的に)移動可能なステージである。12はステージ11の上記x,y軸方向の位置を計測するための、干渉計などのステージ位置計測手段である。13はステージ位置計測手段12の計測結果を記憶するステージ位置記憶回路(手段)である。14は積算回路8からのデジタル信号列を補正する波形補正回路(手段)である。15はマークを照明する光の強度を計測する照明光強度計測手段、16は照明光強度記憶回路(手段)である。第1および第2の実施例では、マークWMをレチクルRを介して撮像している。しかし、本実施例のように、レチクルRを介さないでステージ上のマークを撮像することも可能である。マーク撮像および信号波形補正手順については、第1および第2の実施例と同様である。
図7は、本発明の第4の実施例に係る半導体製造用露光装置の構成を示す。
図7において、図1および図6と同じ符号は、図1および図6と共通または対応する部材を示す。
本実施例のように、レチクルRや投影光学系1を介さないでステージ上のマークを直接撮像することも可能である。マーク撮像および信号波形補正手順については、第1および第2の実施例と同様である。
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図9は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
2:光源
3:ビームスプリッタ
4:結像光学系
5:結像光学系
6:撮像手段
7:A/D変換回路
8:積算回路
9:画像処理手段
10:ステージ駆動手段
11:ステージ
12:ステージ位置計測回路
13:ステージ位置記憶回路
14:信号波形補正回路
15:照明光強度計測回路
16:照明光強度記憶回路
17:ビームスプリッタ
W:ウエハ
WM:マーク
R:レチクル
S:位置合わせ用光学系
WP:撮像画面
Claims (6)
- 移動可能なステージ上のマークに照明光を照射し、該マークからの光束により撮像手段上に該マークの像を形成し、該撮像手段の出力に基づいて生成される信号波形から該マークの位置を計測する位置計測装置であって、
前記ステージの位置を計測するステージ位置計測手段と、
前記照明光の強度を計測する光強度計測手段と、
前記撮像手段の前記マークの像の撮像期間中の前記ステージ位置の変化と前記照明光強度の変化とに基づいて前記信号波形を補正する信号波形補正手段と、
を備えることを特徴とする位置計測装置。 - 移動可能なステージ上のマークに照明光を照射し、該マークからの光束により撮像手段上に該マークの像を形成し、該撮像手段の出力に基づいて生成される信号波形から該マークの位置を計測する位置計測装置であって、
前記ステージの位置を計測するステージ位置計測手段と、
前記照明光の強度を計測する光強度計測手段と、
前記撮像手段の前記マークの像の撮像期間中の前記ステージ位置の変化と前記照明光強度の変化とに基づいて前記撮像期間中の平均ステージ位置を決め、前記信号波形から求めたマーク位置を前記平均ステージ位置を使って補正するマーク位置補正手段と、
を備えることを特徴とする位置計測装置。 - 投影光学系の光軸と直交する平面に沿って移動可能なステージ上のマークを含む被観察面を照明し、該被観察面の像を撮像して該被観察面に対応する信号を生成する撮像装置であって、
前記ステージの位置を計測する位置計測手段と、
照明光強度を計測する光強度計測手段と、
前記ステージの位置の変化および前記照明光強度の変化が許容範囲内に収束してから被観察面の撮像を開始する撮像制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。 - 投影光学系の光軸と直交する平面に沿って移動可能なステージ上のマークを含む被観察面を照明し、該被観察面の像を撮像して該被観察面に対応する信号を生成する撮像装置であって、
前記ステージの位置を計測する位置計測手段と、
照明光強度を計測する光強度計測手段と、
撮像期間中のステージ位置の変化または照明光強度の変化が許容範囲外であった場合には、再び被観察面の撮像を行う再撮像制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1および2に記載の位置計測装置ならびに請求項3および4に記載の撮像装置のいずれか1つを有することを特徴とする露光装置。
- 請求項5に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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