JP2008142956A - 印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置 - Google Patents

印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】パターンの寸法精度を保ちつつ、中抜けによるパターンの欠損を抑制することができる凸版反転オフセット印刷用印刷版及び該印刷版を用いた液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置の提供。
【解決手段】基板に転写するパターンに対応する必要パターン部が凹部となり、基板に転写しないパターンに対応する不要パターン部が凸部となる凸版反転オフセット印刷用の印刷版６において、印刷版６の少なくとも一つの必要パターン部の内部に、少なくとも一つの凸型に形成された補助パターン９を備えるものであり、この補助パターン９により、大面積の必要パターン部の底部にブラケット１のインキ５が接触して残留する中抜けと呼ばれるパターンの欠損を抑制することができ、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在する場合であっても、印刷版６を用いてパターンを形成することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置に関し、特に、凸版反転オフセット印刷法で用いる印刷版の構造及びその製造方法並びにその印刷版を用いて製造された液晶表示装置に関する。
近年、高解像度のディスプレイとして液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のスイッチング素子が形成された基板（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ。）とカラーフィルタ、ブラックマトリクス等が形成された対向基板（以下、ＣＦ基板と呼ぶ。）との間に液晶を狭持し、ＴＦＴ基板と対向基板の各々に設けた電極間、又はＴＦＴ基板内に設けた複数の電極間の電界で液晶分子の配向方向を変化させ、光の透過量を各々の画素で制御するものである。
このＴＦＴ基板やＣＦ基板には，配線や電極などの高精細なパターンやカラーフィルタなどの比較的線幅の大きなパターン、絶縁膜などの基板全面を覆うパターン等、様々なパターンが形成されており、これらのパターンの形成方法として、従来はフォトリソグラフィー法が用いられてきた。しかし近年、液晶表示装置の低コスト化のため、工程が複雑で高価な製造装置を必要とするフォトリソグラフィー法の代替技術として、例えば、特許第３７３０００２号などに記載されている凸版反転オフセット印刷法が提案されている。
図１１を用いて凸版反転オフセット印刷法を説明する。
まず、エッチングマスクとなるレジストからなるインキ５をコーター４に用意し、このインキ５をシリコーン樹脂などからなるブランケット１の外周面に均一な厚さに塗布する。次に、インキ５の塗布膜が形成されたブランケット１を印刷版６に転動させながら接触させ、印刷版６の凸部にブランケット１上の不要なインキ５を転写する。この際の印刷版６には、所望のパターンを反転させたパターンが凸部となるようにあらかじめ形成されているため、ブランケット１の外周面には必要とする所望のパターンのインキ５が残る。次に、所望パターンのインキ５のみが形成されているブランケット１を基板８の上に転動させつつ接触させ、基板８に所望のレジストインキパターン７を形成する。
特許第３７３０００２号公報
この印刷法は、コーター４でブランケット１上に塗布したインキ５の所望パターンのみを基板８に転写することができるため、フォトリソグラフィー法と同等の高精細なパターンの形成が可能であるが、大面積パターンの印刷を行う場合には、印刷版６の凹部の底にブランケット１上のインキ５が接触してしまい、大面積パターンの内部が欠落する中抜けと呼ばれる不具合が発生するという問題があった。
この中抜け現象を図１２及び図１３を参照して説明する。
図１２は、従来の高精細パターンの凸版反転オフセット印刷法の動作概念図である。図１２（ａ）に示すように、ブランケット１の外周面にインキ５が均一な厚さに塗布された状態で、印刷版６に転動させながら接触させると、印刷版６の凸部にブランケット上の不要なインキが転写する。その際、図１２の例では所望のパターンが高精細パターンであるため、インキ５が印刷版６の凹部底に接触することがなく、図１２（ｂ）に示すように、中抜けは発生しない。
一方、図１３は、大面積パターンを従来の凸版反転オフセット印刷法で形成する際の動作概念図である。この場合は、所望のパターンが大面積パターンであるため、図１３（ａ）に示すように、ブランケット１を印刷版６に転動させながら接触させる際に、印刷版６の凹部底にブランケット１上のインキ５が接してしまい（中抜け発生箇所２０参照）、図１３（ｂ）に示すように、印刷版６の凹部底に中抜けによる残留インキ２１が生じ、ブランケット１上から必要パターンのインキ５が欠損してしまう。
図１４に大面積の配線パターンを凸版反転オフセット印刷法にて印刷した場合の、出来上がりパターンの例を示す。配線パターンが大面積パターンであるためブラケット１上に中抜けが発生し、その結果、基板８に転写したインキ５をマスクとして配線パターン１３をエッチングすると、図１４のように配線パターン１３内部に、残留インキ２１に対応する中抜け部分２２が生じてしまう。さらに、印刷版６の凹部底にブランケット１上のインキ５が接触する際に、凹部の底のインキ接触部とインキ非接触部とが同一平面上にあるため、ブラケット１上のインキ５が不均一に欠損し、中抜けによる欠損パターンは図１４のようにゆがんでしまい、中抜けによる欠損パターンの大面積化、欠損パターンの周りのインキ膜厚不均一化などを引き起こしてしまう。
この問題に対して、印刷版６の凹凸の高さの差を大きくすれば中抜けは発生しにくくなるが、印刷版６は主にウェットエッチングにより形成しているために等方的にエッチングが進行し、パターン間隔が狭い領域では、高精細なパターンを形成することが困難となる。つまり、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するＴＦＴ基板などの印刷版６を作製することは困難であった。また、凹凸の高さの差を大きくするために長時間のエッチングが必要となり、さらに長時間のエッチングによりパターンの寸法精度が悪化するなどの問題も有していた。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在する場合であっても、パターンの寸法精度を保ちつつ、中抜けによるパターンの欠損を抑制することができる凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版において、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に、凸型に形成された補助パターンが形成されているものである。
本発明においては、前記補助パターンを含む前記第１のパターン部の表面に撥インキ処理層が形成されている構成、又は、少なくとも前記補助パターンの上面に撥インキ処理層が形成されている構成とすることができ、前記撥インキ処理層は、フッ素コーティング樹脂、シリコーン樹脂、シランカップリング剤のいずれか一つからなることが好ましい。
また、本発明においては、前記補助パターンは、前記第２のパターン部よりも低く形成されている構成とすることができる。
また、本発明においては、前記補助パターンの幅は、略３〜１０μｍとすることができまた、前記第１のパターン部と前記第２のパターン部の高さの差をＡとした場合に、直径が１７．８×Ａ１．３７μｍ以内の領域に対して、前記補助パターンが少なくとも一つ配置される構成とすることができる。
また、本発明の薄膜トランジスタ基板は、上記いずれか一に記載の前記印刷版を用いて形成された配線パターン又は透明導電層パターンを有し、前記配線パターン又は前記透明導電層パターンの内部に、配線又は透明導電層のない、前記補助パターンに基づく孤立した欠損パターンが形成されているものである。
また、本発明の薄膜トランジスタ基板は、上記いずれか一に記載の前記印刷版を用いて形成されたコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの外部に、層間接続に寄与しない、前記補助パターンに基づく他のコンタクトホールが形成されているものである。
また、本発明の液晶表示装置は、上記薄膜トランジスタ基板を備えるものである。
また、本発明は、転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、印刷版基板上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、前記金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凹型の前記第１のパターン部を形成する工程と、前記金属膜をエッチングして除去する工程と、を少なくとも有し、前記第１のレジストパターンを形成する工程では、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残し、前記第１のパターン部を形成する工程では、前記所定の部分に凸型の補助パターンを形成するものである。
また、本発明は、転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、印刷版基板上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凹型の前記第１のパターン部を形成する工程と、前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、を少なくとも有し、前記第１のレジストパターンを形成する工程では、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残し、前記第１のパターン部を形成する工程では、前記所定の部分に凸型の補助パターンを形成するものである。
本発明においては、前記印刷版基板上に第２のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第１のパターン部に隣接する前記第２のパターン部に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記印刷版基板に撥インキ処理を施す工程と、前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、を有する構成、又は、前記第１のパターン部の内部に撥インキ処理液滴を滴下する工程を有する構成とすることができる。
また、本発明は、転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、印刷版基板上に第１の金属膜を成膜する工程と、前記第１の金属膜上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の金属膜をエッチングする工程と、前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、前記第１の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凸型の補助パターンを形成する工程と、前記第１の金属膜をエッチングして除去する工程と、前記印刷版基板上に第２の金属膜を成膜する工程と、前記第２の金属膜上に第２レジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記第２の金属膜をエッチングする工程と、前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、前記第２の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、その内部に凸型の前記補助パターンが配置された前記第１のパターン部を形成する工程と、前記第２の金属膜をエッチングして除去する工程と、を少なくとも有するものであり、前記第２の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチング後、前記第２の金属膜を除去する前に、前記印刷版基板全面に撥インキ処理を施す構成とすることができる。
また、本発明は、転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、印刷版基板上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凸型の補助パターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、前記印刷版基板上に第２のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、その内部に凸型の前記補助パターンが配置された前記第１のパターン部を形成する工程と、前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、を少なくとも有するものであり、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチング後、前記第２のレジストパターンを剥離する前に、前記印刷版基板全面に撥インキ処理を施す構成とすることができる。
このように、凸版反転オフセット印刷用の印刷版において、印刷版の少なくとも一つの第１のパターン部の内部に凸型に形成された補助パターンを形成することにより、凸版反転オフセット印刷固有の問題である中抜けを抑制することができる。
すなわち、大面積パターンを凸版反転オフセット印刷法で印刷する場合であっても、大面積の第１のパターン部（必要パターン部）の内部に凸型の補助パターンが形成されているため、印刷版の凹部の底にインキが接触することによる中抜けを防止することができ、補助パターン部分のみに中抜け欠損パターンを限定することができる。また、補助パターンは凸型となっているため、中抜け欠損パターンを高精細に制御することができ、欠損パターン周囲の必要パターンのインキ膜厚が不均一になることもない。
また、凸型の補助パターンの少なくとも上面に撥インキ処理層を形成することにより、ブランケット上のインキが印刷版の補助パターンに接触しても、インキが転写されずに中抜けを防止することもできる。
また、凸型補助パターンの高さを第２のパターン部（不要パターン部）よりも低くすることにより、ブランケット上のインキが補助パターンに接触しても、ブランケットから補助パターンにかかる圧力、いわゆる印圧を低くすることができるため、よりインキが転写されにくくなり、中抜けを防止することができる。
本発明の凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置によれば、印刷版の少なくとも一つの凹型の必要パターン部の内部に少なくとも一つの凸型の補助パターンを形成することにより、必要パターンが大面積の場合であっても、印刷版の凹部の底面にインキが接触して、パターン制御不能な大面積の中抜けパターン欠損が生じることが無く、また、インキの転写位置および面積を完全に制御することができる。
また、凸型の補助パターンに撥インキ処理層を設けることにより、ブランケットから凸型補助パターンへのインキの転写を抑制することができ、中抜けパターン欠損を防止することができる。
また、凸型の補助パターンの高さを不要パターン部よりも低くすることにより、印刷版へのインキ転写時に補助パターンにかかる印圧が低くなり、凸型補助パターンへのインキの転写をより抑制することができ、中抜けパターン欠損を防止することができる。
上記効果を、図４を用いて説明する。図４の領域１で示された部分は、従来の印刷版で中抜けが生じることなく印刷が可能な領域を示し、領域２で示された部分は、従来の印刷版ではパターン制御不能な大面積の中抜け不良が発生する領域を示す。本発明によれば、領域２の部分であっても、中抜けによるパターン欠損を防止もしくは抑制できるため、印刷版作製時のエッチング寸法精度が向上し、高精細パターンと大面積パターンとが共存したパターンを凸版反転オフセット印刷法で形成することができる。
本発明は、その好ましい一実施の形態において、基板に転写するパターンに対応する必要パターン部が凹部となり、基板に転写しないパターンに対応する不要パターン部が凸部となる凸版反転オフセット印刷用の印刷版において、印刷版の少なくとも一つの凹型の必要パターン部の内部に、少なくとも一つの凸型に形成された補助パターンを備えるものであり、この補助パターンにより、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在する場合であっても、パターンの寸法精度を保ちつつ、凸版反転オフセット印刷固有の問題である中抜けによるパターンの欠損を抑制することができ、液晶表示装置のＴＦＴ基板やＣＦ基板などを高い歩留まりで安価に製造することができる。
上記した本発明の一実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置について、図１乃至図４を参照して説明する。図１は、本実施例の凸版反転オフセット印刷用印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図であり、図２は、その印刷版の製造方法を示す工程断面図である。また、図３は、その印刷版によって形成される配線パターンの例を示す図であり、図４は、本実施例の効果を説明する図である。
以下、図１を参照して、本実施例の印刷版の構造及び印刷時の動作について説明する。
まず、印刷版の構造について説明する。本実施例の印刷版６は、凸版反転オフセット印刷用であり、必要パターン部（すなわち、ＴＦＴ基板やＣＦ基板に転写するパターンに対応する部分）は凹型、不要パターン部（すなわち、ＴＦＴ基板やＣＦ基板に転写するパターン以外に対応する部分）は凸型となるように凹凸パターンが設けられており、さらに、少なくとも一つの必要パターン部の内部には、凸型の補助パターン９が設けられている。
上記補助パターン９は、凹部と凸部の高さの差（凹凸高さ）をＡとすると、必要パターン部の内部の直径が１７．８×Ａ１．３７（μｍ）以内の領域に対して少なくとも一つ存在することが望ましい。その根拠は、図４に示した凹凸高さＡと印刷線幅Ｂの関係図によるものである。すなわち、図４の領域１で示された部分は、従来の印刷版で中抜けが生じることなく印刷が可能な領域であり、領域２で示された部分は、従来の印刷版ではパターン制御不能な大面積の中抜け不良が発生する領域であり、その境界が、Ｂ＝１７．８×Ａ１．３７で表されることから、凹凸高さＡに応じ、直径が１７．８×Ａ１．３７（μｍ）以内の領域に対して補助パターン９が少なくとも一つ形成されていれば、凹凸高さＡが小さい印刷版６でも中抜けを制御しながら不良が発生しない大面積パターンを印刷することが可能となるからである。
また、上記補助パターン９の幅は、略３〜１０μｍの範囲で形成することが望ましい。下限の３μｍは、補助パターン９を印刷版６に形成する際にフォトリソグラフィー法を用いる必要があり、３μｍ以下ではパターン精度を出すことが困難だからである。また、上限の１０μｍは、一般的な配線幅は１０μｍ程度であり、１０μｍ幅の配線パターンを形成するには必要パターン部の幅は１０μｍとなり、必要パターン部内に形成する補助パターン９の幅は１０μｍ未満とする必要があるからである。
なお、図１は本実施例の印刷版を模式的に示した図であり、印刷版６の厚み、印刷版６における必要パターン部及び不要パターン部の幅や数量、配置、ブラケット１のサイズなどは図の構成に限定されない。また、図１では、転写胴２として円筒型のものを記載しているが、円筒型以外の形状、例えば、平面の転写胴などを用いることができる。
次に、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷方法について説明する。まず、図１（ａ）に示すように、シリコーンゴムなどからなるブランケット１の外周面に、エッチングマスク用のレジストなどからなるインキ５を均一な厚さに塗布し、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどの平坦性が高く、親インキ性の高い材料で形成された印刷版６に転動させながら接触させてゆくと、図１（ｂ）に示すように、印刷版６の凸部にブランケット１上の不要なインキが転写する。その際、印刷版６の材料として親インキ性の材料を選んでいるため、ブランケット１上の不要なインキ５は印刷版６の凸部に１００％転写する。また、印刷版６の必要パターン部には、凸型の補助パターン９が形成されているため、必要パターン部が大面積であっても、凹型の必要パターン部の底にインキ５が接触することがない。つまり、従来問題であった欠損位置が制御不能で欠損面積が大きい中抜けは発生せず、補助パターン９を設けた部分のみに高精細の中抜け欠損パターンを限定することができる。
その後、外周面に所望パターンのインキ５のみが形成されたブランケット１を基板（図示せず）の上に転動させつつ接触させ、インキ５を基板に転写する。インキ５を基板に１００％転写させるためには、ブランケット１の表面エネルギー＜基板の表面エネルギーの関係になる基板を選択することが望ましいが、ブランケットの表面エネルギー＞基板の表面エネルギーとなる基板を用いる場合には、基板の表面にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などの表面エネルギーを向上する処理を実施し、親インキ性を高めておくことが望ましい。このようにインキ５を基板に印刷することで、基板上に高精細なレジストパターンを形成することができる。
上記凸型の補助パターン９を設けた印刷版６を用いて形成した、中抜け欠損パターンを制御した配線パターンの例を図３（ａ）に示す。図１４に示した従来のパターンと比べると、小面積で高精細な補助パターン９に対応する部分のみが欠損パターン１４となるため、中抜けを抑制することが可能となる。また、本実施例の印刷版６は、従来の中抜け対策のように印刷版６の凹凸高さを大きくする必要がないため、高精細パターンを形成することができる。つまり、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するＴＦＴ基板などの印刷版６も作製することが可能となる。
次に、本実施例の印刷版６の製造方法について図２を参照して説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、印刷版基板１１の不要パターン部となる領域に、金属膜などからなる版エッチング用マスク１２を形成する。その際、必要パターン部の少なくとも一部の、後に凸型の補助パターン９となる領域にも版エッチング用マスク１２を形成する。
この版エッチングマスク１２は、フォトリソグラフィー法を用いて形成することができ、例えば、印刷版基板１１にＣｒなどの金属膜を成膜し、フォトレジストを塗布、露光、現像して所定のパターンにし、レジストで被覆されていない部分の金属膜をエッチングにより除去した後、レジストを剥離することによって形成することができる。また、金属膜は、蒸着法、スパッタ法などによって成膜することができ、ウェットエッチング法などによりエッチングすることができる。また、この版エッチングマスク１２は、金属膜を用いずにフォトリスグラフィー法でパターニングしたレジストを用いることもできる。
次に、図２（ｂ）に示すように、印刷版基板１１の版エッチングマスク１２で被覆していない部分をエッチングして凹型とする。このエッチングは、フッ酸などによるウェットエッチング法を用いることができる。ここでエッチングする深さが印刷版６の凹凸高さＡとなり、例えば、凹凸高さＡを２〜５μｍ程度とすることができる。
最後に、図２（ｃ）に示すように、版エッチングマスク１２をウェットエッチングなどで除去し、本実施例の印刷版６が完成する。
以下に、本実施例の印刷版６の利用例として、ＴＦＴ基板を作製する方法を説明する。ここでは、逆スタガ構造のチャネルエッチ型アモルファスシリコンＴＦＴ基板の製造方法について説明するが、他の構造や種類の基板に対しても同様に適用することができる。
まず、ガラス基板全面にゲート金属膜を例えばスパッタ法により成膜する。ゲート金属膜としては、例えば上層Ｍｏ５０ｎｍ、下層Ａｌ２００ｎｍの積層膜を使用する。次に、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷法により、ゲートパターンエッチング用のレジストを形成する。次に、ゲート金属膜をエッチングする。ＭｏとＡｌの積層膜をエッチングする場合は、例えばリン酸／硝酸／酢酸／水の混酸を用いて、一括して順テーパーにエッチングすることができる。エッチング後、レジストを剥離する。この製法で形成されたパターンは、必要パターン内に図３（ａ）のような、補助パターン８に対応した部分が欠損したゲート金属層パターンとなるが、欠損パターン１４は孤立しており、パターン全体の面積に対して十分に小さいため、表示不良になる恐れはない。
次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、基板全面にＳｉＮｘ膜からなるゲート絶縁膜を３００ｎｍの厚さで形成する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜の上に、ＴＦＴの半導体層となるａ−Ｓｉ層を２００ｎｍ、さらにその上にｎ＋型ａ−Ｓｉ層を形成する。次に、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷法により、半導体層のアイランド状パターンエッチング用のレジストを形成する。このレジスト印刷の際に、半導体層表面の親インキ性を高めるために、ＨＭＤＳ処理を施すことが望ましい。その後、例えばドライエッチングにてｎ＋型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の二層をエッチングし、エッチング後にレジストを剥離する。このようにして二層構造のＴＦＴ領域を形成する。この状態では、ＴＦＴ領域以外の箇所はゲート絶縁膜が露出している構造となっている。上記半導体層に本実施例の印刷版６を用いる場合は、補助パターン９を薄膜トランジスタのチャネル領域以外に配置する必要がある。これは、チャネル領域に補助パターン９による半導体層の欠損パターンが生じると、トランジスタ特性を著しく劣化する恐れがあるためである。また、望ましくは、後述する第２の実施例や第３の実施例の印刷版６を用いることで、補助パターン９に対応する部分を欠損させることなく、半導体層を形成することができる。
次に、例えばスパッタ法を用いて、基板全面にドレイン金属膜を成膜する。ドレイン金属膜としては、例えば上層からＭｏ５０ｎｍ、Ａｌ２００ｎｍ、Ｍｏ５０ｎｍ三層の積層膜を使用する。次に、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷法により、ドレインパターンエッチング用のレジストを形成する。次に、ドレイン金属膜をエッチングする。ＭｏとＡｌの積層膜をエッチングする場合は、例えばリン酸／硝酸／酢酸／水の混酸を用いて、一括して順テーパーにエッチングすることができる。このドレイン層パターニングにより、同時にトランジスタのドレイン電極およびソース電極も形成される。この製法で形成されたパターンは、ゲート金属層パターンと同様に、必要パターン内に図３（ａ）のような、補助パターン９に対応する部分が欠損したドレイン金属層パターンとなるが、欠損パターン１４は孤立しており、パターン全体の面積に対して十分に小さいため、表示不良になる恐れはない。
次に、ＴＦＴ領域にあるｎ＋型ａ−Ｓｉ層の、ドレイン電極とソース電極とで挟まれた箇所（チャネル領域）を例えばドライエッチングなどで選択的にエッチングする。このエッチングの後にドレイン層パターニング時に印刷にて形成したレジストを剥離する。
次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、２００ｎｍの厚さのＳｉＮｘ膜からなるパッシベーション絶縁膜を、基板全面に成膜する。
次に、パッシベーション膜とその下にあるゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成する。まず、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷法により、コンタクトホールパターンエッチング用のレジストを形成する。このレジスト印刷の際に、パッシベーション膜表面の親インキ性を高めるために、ＨＭＤＳ処理を施すことが望ましい。その後、パッシベーション膜とその下にあるゲート絶縁膜を例えばドライエッチングによりエッチングする。このコンタクトホールエッチングによりパッシベーション膜およびゲート絶縁膜の下のゲート層およびドレイン層の表面が露出する。エッチング後、レジストを剥離する。なお、このコンタクトホールエッチング工程には、バッファードフッ酸などの薬液によるウェットエッチングを使用することも可能である。この製法で形成されたコンタクトホールは、所望のコンタクトホール以外にも、補助パターン９で欠損したレジストにより孤立した不要なコンタクトホールが形成されるが、ホール面積が小さく、また、補助パターン９で欠損する箇所をあらかじめ設計できるため、表示不良になる恐れはない。
次に、例えばスパッタ法を用いて、基板全面にピクセル電極となる透明導電膜を成膜する。透明導電膜としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどを５０ｎｍの厚さで形成できる。次に、本実施例の印刷版６を用いた凸版反転オフセット印刷法により、ピクセル電極パターンエッチング用のレジストを形成する。このレジスト印刷の際に、透明導電膜表面の親インキ性を高めるために、ＨＭＤＳ処理を施すことが望ましい。次に、透明導電膜を例えばウェットエッチングでエッチングする。エッチング後にレジストを剥離する。この製法で形成されたパターンは、ゲート／ドレイン金属層パターンと同様に、必要パターン内に図３（ａ）のような、補助パターン９に対応する部分が欠損したピクセル電極パターンとなるが、欠損パターン１４は孤立しており、パターン全体の面積に対して十分に小さいため、表示不良になる恐れはない。
なお、上記説明では本実施例の印刷版６を用いてエッチングマスク用のレジストを形成したが、エッチングマスク用のレジストのみならず、以下のようなＴＦＴ基板やＣＦ基板を直接構成する各層の機能を果たすインキを用いて、構成材料を基板に直接印刷法でパターニングすることも可能であり、構成材料を直接パターニングすることにより、レジストパターンを印刷してパターニングする際に必要なエッチング工程やレジスト剥離工程などが不要となり、製造工程を簡略化することができる。
直接印刷用のインキの例を以下に挙げる。ゲート層、ドレイン層、遮光層は、ナノ粒子径の金属を分散させたインキを用いる。ナノ粒子の粒径は、１〜６０ｎｍがよく、望ましくは５ｎｍ程度とする。また、ピクセルなどに使用する透明導電層用のインキは、ＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明金属をナノ粒子径で分散させたものを用いる。絶縁膜層は、アクリル樹脂などを溶剤に溶解させたものを使用する。カラーフィルタの色層は、各種染料顔料を溶媒に分散させたインキを使用する。また、半導体層を形成するインキとしては、ペンタセン、テトラセンなどを溶媒に分散させたものや、導電性高分子であるポリチオフェンやポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。
このように、印刷版６の少なくとも一つの必要パターン部の内部に、少なくとも一つの凸型に形成された補助パターン９を設けることにより、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するパターンであっても、パターンの寸法精度を保ちつつ、凸版反転オフセット印刷固有の問題である中抜けによるパターンの欠損を抑制することができ、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板やＣＦ基板などを高い歩留まりで安価に製造することができる。
次に、本発明の第２の実施例に係る凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置について、図５乃至図８を参照して説明する。図５及び図６は、本実施例の凸版反転オフセット印刷用印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図であり、図７及び図８は、その印刷版の製造方法を示す工程断面図である。
以下、図５を参照して、本実施例の印刷版の構造及び印刷時の動作について説明する。
まず、印刷版の構造について説明する。本実施例の印刷版６は凸版反転オフセット印刷用であり、必要パターン部は凹型、不要パターン部は凸型に凹凸パターンが設けられており、少なくとも一つの必要パターン部の内部に凸型の補助パターン９が設けられている。さらに、必要パターン部の表面には撥インキ処理層１６が形成されている。なお、補助パターン９の配置や幅、転写胴２の形状、印刷版６の材料などに関しては前記した第１の実施例と同様である。
次に、本実施例の印刷版を用いた印刷方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すように、シリコーンゴムなどからなるブランケット１の外周面に、エッチングマスク用のレジストなどからなるインキ５が均一な厚さに塗布された状態で、印刷版６に転動させながら接触させてゆくと、図５（ｂ）に示すように、印刷版６の凸部にブランケット１上の不要なインキ５が転写する。その際、印刷版６の材料として親インキ性の材料を選んでいるため、ブランケット１上の不要なインキ５が印刷版６の凸部に１００％転写する。このインキ転写の際に、補助パターン９にもブランケット１上のインキ５が接触するが、印刷版６の必要パターン部の表面には撥インキ処理層１６が形成されているため、補助パターン９にはインキが転写しない。つまり、従来問題だった中抜け欠損の問題を完全に抑制することができる。
その後、外周面に所望パターンのインキ５のみが形成されたブランケット１を基板（図示せず）の上に転動させつつ接触させ、インキ５を基板に転写する。なお、基板の選択や処理に関しては第１の実施例と同様である。このようにインキ５を基板に印刷することで、高精細なレジストパターンを基板に形成することができる。
上記凸型の補助パターン９を設けた印刷版６を用いて形成した、中抜け欠損パターンを制御した出来上がり配線パターンの例を図３（ｂ）に示す。従来、配線パターンが大面積である場合に発生していた中抜け欠損パターンがなく、所望の配線パターンが形成されている。また、本実施例の印刷版６は従来の中抜け対策のように、印刷版６の凹凸高さを大きくする必要がないため、高精細パターンを形成することができる。つまり、高精細パターンと大面積パターンが両方存在するＴＦＴ基板などの印刷版も作製することが可能となる。
なお、この撥インキ処理層１６は、必要パターン部の全てに形成されている必要はなく、例えば、図６に示すように、補助パターン９の上面及びその周辺にのみ撥インキ処理層１６が形成されている構成としてもよいし、補助パターン９の上面にのみ撥インキ処理層１６が形成されている構成としてもよい。
次に、本実施例の印刷版の製造方法について説明する。図７は、図５の印刷版６の製造方法の概略図である。
まず、図７（ａ）に示すように、印刷版基板１１の不要パターン部となる領域に、金属膜などからなる版エッチング用マスク１２を形成する。その際、必要パターン部の少なくとも一部の、後に凸型の補助パターン９となる領域にも版エッチング用マスク１２を形成する。この版エッチングマスク１２は、第１の実施例と同様に、フォトリソグラフィー法を用いて、例えばＣｒなどの金属膜で形成してもよいし、金属膜を用いずにフォトリスグラフィー法でパターニングしたレジストを用いてもよい。
次に、図７（ｂ）に示すように、印刷版基板１１の版エッチングマスク１２で被覆していない領域をエッチングして凹型とする。このエッチングは、第１の実施例と同様に、フッ酸などによるウェットエッチング法を用いることができる。ここでエッチングする深さが印刷版６の凹凸高さＡとなり、例えば、凹凸高さＡを２〜５μｍ程度とすることができる。
次に、図７（ｃ）に示すように、版エッチングマスク１２をウェットエッチングなどで除去する。
次に、図７（ｄ）に示すように、印刷版基板１１の不要パターン部を覆うように撥インキ処理用マスク１５を形成する。この撥インキ処理用マスク１５としては、フォトリソグラフィー法にて形成したレジストを用いることができる。
次に、図７（ｅ）に示すように、印刷版基板１１表面の撥インキ処理用マスク１５で覆われていない領域に撥インキ処理を施して撥インキ処理層１６を形成する。例えば、ポリテトラフルオロエチレンからなるフッ素コーティング樹脂やジメチルシロキサンなどのシリコーン樹脂およびシランカップリング剤などを溶剤に溶かしておき、それを塗布、乾燥することで、撥インキ性を持たせることができる。塗布の方法としては、スピンコート法、スリットコート法または、スプレー法などを用いることができる。このとき撥インキ材の乾燥後の表面エネルギーは、撥インキ材＜インキとなるような撥インキ材を使用する。好ましくは、撥インキ材の表面エネルギーが１８dyn/cm以下となるような材料を使用する。具体的には、撥インキ材として、Ｎovec EGC-1720（住友スリーエム（株）製）を使用すると、コーティング後の表面エネルギーは、１３dyn/cmとなり、撥インキ材として優れた機能を示す。
最後に、図７（ｆ）に示すように、撥インキ処理用マスク１５を剥離して、本実施例の印刷版６が完成する。
図８は、図６の印刷版６の製造方法の概略図である。印刷版基板１１に凹凸加工を施す図８（ａ）〜（ｃ）は、上記した図７（ａ）〜（ｃ）と同様である。その後、図８（ｄ）に示すように、必要パターン部の全て、もしくは補助パターン９の上面および周辺に撥インキ処理液滴１７を滴下する。滴下後、撥インキ処理液滴１７を乾燥させることにより、図８（ｅ）に示すように補助パターン９の上面および周辺に撥インキ処理層１６が形成され、本実施例の印刷版６が完成する。
このように、印刷版６の少なくとも一つの必要パターン部に内部に、少なくとも一つの凸型に形成された補助パターン９を設け、かつ、少なくとも補助パターン９の上面に撥インキ処理層１６を形成することにより、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するパターンであっても、パターンの寸法精度を保ちつつ、凸版反転オフセット印刷固有の問題である中抜けによるパターンの欠損を防止することができ、この印刷版６を用いることにより、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板やＣＦ基板などを高い歩留まりで安価に製造することができる。
次に、本発明の第３の実施例に係る凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法並びに液晶表示装置について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、本実施例の凸版反転オフセット印刷用印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図であり、図１０は、その印刷版の製造方法を示す工程断面図である。
以下、図９を参照して、本実施例の印刷版の構造及び印刷時の動作について説明する。
まず、印刷版の構造について説明する。本実施例の印刷版６は凸版反転オフセット印刷用であり、必要パターン部は凹型、不要パターン部は凸型に凹凸パターンが設けられており、少なくとも一つの必要パターン部の内部に凸型の補助パターン９が設けられている。さらに、補助パターン９は不要パターン部よりも低く形成されている。なお、補助パターン９の配置や幅、転写胴２の形状、印刷版６の材料などに関しては前記した第１の実施例と同様である。また、少なくとも補助パターン９の上面に撥インキ処理層１６を形成してもよい。
次に、本実施例の印刷版を用いた印刷方法を説明する。まず、図９（ａ）に示すように、シリコーンゴムなどからなるブランケット１の外周面に、エッチングマスク用のレジストなどからなるインキ５が均一な厚さに塗布された状態で、印刷版６に転動させながら接触させてゆくと、図９（ｂ）に示すように、印刷版６の凸部にブランケット１上の不要なインキ５が転写する。その際、印刷版６の材料として親インキ性の材料を選んでいるため、ブランケット１上の不要なインキ５が印刷版６の凸部に１００％転写する。このインキ転写の際に、補助パターン９にもブランケット１上のインキ５が接触するが、補助パターン９は不要パターン部よりも低く形成されているため、補助パターン９にかかる印圧は不要パターン部よりも低くなり、補助パターン９へのインキ転写抑制効果が高くなる。
その後、外周面に所望パターンのインキ５のみが形成されたブランケット１を基板（図示せず）の上に転動させつつ接触させ、インキ５を基板に転写する。なお、基板の選択や処理に関しては第１の実施例と同様である。このようにインキ５を基板に印刷することで、高精細なレジストパターンを基板に形成することができる。
次に、本実施例の印刷版の製造方法について説明する。図１０は、図９の印刷版の製造方法の概略図である。
まず、図１０（ａ）に示すように、印刷版基板１１の補助パターン９となる領域に第１エッチング用マスク１８を形成する。この第１エッチング用マスク１８は、フォトリソグラフィー法を用いて、例えばＣｒなどの金属膜で形成してもよいし、金属膜を用いずにフォトリスグラフィー法でパターニングしたレジストを用いてもよい。
次に、図１０（ｂ）に示すように、印刷版基板１１の第１エッチング用マスク１８で被覆していない領域をエッチングする。ここでエッチングする深さは、後の補助パターン９の高さとなり、１〜３μｍ程度とすることができる。
次に、第１エッチング用マスク１８をウェットエッチングなどで除去した後、図１０（ｃ）に示すように、不要パターン部に第２エッチング用マスク１９を形成する。この第２エッチング用マスク１９も、フォトリソグラフィー法を用いて、例えばＣｒなどの金属膜で形成してもよいし、金属膜を用いずにフォトリスグラフィー法でパターニングしたレジストを用いてもよい。
次に、図１０（ｄ）に示すように、印刷版基板１１の第２エッチング用マスク１９で被覆していない部分をエッチングして凹型とする。ここでエッチングする深さが、印刷版６の凹凸高さＡとなり、例えば、凹凸高さＡを２〜５μｍとすることができる。また、このエッチングの際に補助パターン９の部分も同時にエッチングされるため、補助パターン９の高さを不要パターン領域よりも低く形成することができる。つまり、第１のエッチング深さ＜第２のエッチング深さとする。
次に、図１０（ｅ）に示すように、印刷版基板１１表面の第２エッチング用マスク１９で被覆していない領域に撥インキ処理を施して撥インキ処理層１６を形成する。この撥インキ処理は、前記した第２の実施例と同様の手法、材料を使用することができる。
最後に、図１０（ｆ）に示すように、第２エッチング用マスク１９をウェットエッチングなどで除去して、本実施例の印刷版６が完成する。
このように、印刷版６の少なくとも一つの必要パターン部の内部に、少なくとも一つの凸型に形成された補助パターン９を設け、かつ、補助パターン９を不要パターン部よりも低くし、更に、必要に応じて少なくとも補助パターン９の上面に撥インキ処理層１６を形成することにより、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するパターンであっても、パターンの寸法精度を保ちつつ、凸版反転オフセット印刷固有の問題である中抜けによるパターンの欠損を防止することができ、この印刷版６を用いることにより、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板やＣＦ基板などを高い歩留まりで安価に製造することができる。
なお、上記各実施例では、本発明の印刷版６を用いてＴＦＴ基板やＣＦ基板などの液晶表示装置を構成する基板を製造したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、高精細なパターンと大面積パターンとが両方存在するパターンを備える任意の基板に対して同様に適用することができる。
本発明は、凸版反転オフセット印刷法で使用する印刷板、及びその印刷板を用いた基板の製造方法、並びにその方法で製造される基板に利用可能である。
本発明の第１の実施例に係る印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図である。 本発明の第１の実施例に係る印刷版の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施例及び第２の実施例に係る印刷版で形成される配線パターンの例を示す図である。 本発明の効果を説明するための図である。 本発明の第２の実施例に係る印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図である。 本発明の第２の実施例に係る印刷版の他の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図である。 本発明の第２の実施例に係る印刷版の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第２の実施例に係る印刷版の他の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施例に係る印刷版の構造及び印刷時の動作を模式的に示す断面図である。 本発明の第３の実施例に係る印刷版の製造方法を示す工程断面図である。 従来の凸版反転オフセット印刷法を模式的に示す断面図である。 従来の凸版反転オフセット印刷法の動作（中抜けが生じない場合）を模式的に示す断面図である。 従来の凸版反転オフセット印刷法の動作（中抜けが生じる場合）を模式的に示す断面図である。 従来の凸版反転オフセット印刷法で形成される配線パターンの例を示す図である。
符号の説明
１ ブラケット
２ 転写胴
３ 転写軸
４ コーター
５ インキ
６ 印刷版
７ レジストインキパターン
８ 基板
９ 補助パターン
１１ 印刷版基板
１２ 版エッチング用マスク
１３ 配線パターン
１４ 欠損パターン
１５ 撥インキ処理用マスク
１６ 撥インキ処理層
１７ 撥インキ処理滴
１８ 第１エッチング用マスク
１９ 第２エッチング用マスク
２０ 中抜け発生箇所
２１ 中抜けによる残留インキ
２２ 中抜け部分

Claims (18)

  1. 転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版において、
    少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に、凸型に形成された補助パターンが形成されていることを特徴とする印刷版。
  2. 前記補助パターンを含む前記第１のパターン部の表面に撥インキ処理層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の印刷版。
  3. 少なくとも前記補助パターンの上面に撥インキ処理層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の印刷版。
  4. 前記撥インキ処理層は、フッ素コーティング樹脂、シリコーン樹脂、シランカップリング剤のいずれか一つからなることを特徴とする請求項２又は３に記載の印刷版。
  5. 前記補助パターンは、前記第２のパターン部よりも低く形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の印刷版。
  6. 前記補助パターンの幅は、略３〜１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の印刷版。
  7. 前記第１のパターン部と前記第２のパターン部の高さの差をＡとした場合に、前記第１のパターン部の内部の直径が１７．８×Ａ１．３７μｍ以内の領域に対して、前記補助パターンが少なくとも一つ配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の印刷版。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の前記印刷版を用いて形成された配線パターン又は透明導電層パターンを有し、前記配線パターン又は前記透明導電層パターンの内部に、配線又は透明導電層のない、前記補助パターンに基づく孤立した欠損パターンが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
  9. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の前記印刷版を用いて形成されたコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの外部に、層間接続に寄与しない、前記補助パターンに基づく他のコンタクトホールが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
  10. 請求項８又は９に記載の前記薄膜トランジスタ基板を備えることを特徴とする液晶表示装置。
  11. 転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、
    印刷版基板上に金属膜を成膜する工程と、
    前記金属膜上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
    前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凹型の前記第１のパターン部を形成する工程と、
    前記金属膜をエッチングして除去する工程と、を少なくとも有し、
    前記第１のレジストパターンを形成する工程では、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残し、前記第１のパターン部を形成する工程では、前記所定の部分に凸型の補助パターンを形成することを特徴とする印刷版の製造方法。
  12. 転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、
    印刷版基板上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凹型の前記第１のパターン部を形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、を少なくとも有し、
    前記第１のレジストパターンを形成する工程では、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残し、前記第１のパターン部を形成する工程では、前記所定の部分に凸型の補助パターンを形成することを特徴とする印刷版の製造方法。
  13. 前記印刷版基板上に第２のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第１のパターン部に隣接する前記第２のパターン部に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記印刷版基板に撥インキ処理を施す工程と、
    前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の印刷版の製造方法。
  14. 前記第１のパターン部の内部に撥インキ処理液滴を滴下する工程を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の印刷版の製造方法。
  15. 転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、
    印刷版基板上に第１の金属膜を成膜する工程と、
    前記第１の金属膜上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の金属膜をエッチングする工程と、
    前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記第１の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凸型の補助パターンを形成する工程と、
    前記第１の金属膜をエッチングして除去する工程と、
    前記印刷版基板上に第２の金属膜を成膜する工程と、
    前記第２の金属膜上に第２レジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンをマスクとして前記第２の金属膜をエッチングする工程と、
    前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記第２の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、その内部に凸型の前記補助パターンが配置された前記第１のパターン部を形成する工程と、
    前記第２の金属膜をエッチングして除去する工程と、を少なくとも有することを特徴とする印刷版の製造方法。
  16. 前記第２の金属膜をマスクとして前記印刷版基板をエッチング後、前記第２の金属膜を除去する前に、前記印刷版基板全面に撥インキ処理を施すことを特徴とする請求項１５に記載の印刷版の製造方法。
  17. 転写パターンに対応して凹型に形成された第１のパターン部と、凸型に形成された第２のパターン部とを含む凸版反転オフセット印刷用の印刷版の製造方法であって、
    印刷版基板上に第１のレジストを塗布し、露光・現像して、少なくとも一つの前記第１のパターン部の内部に対応する所定の部分に前記第１のレジストを残した第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、凸型の補助パターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記印刷版基板上に第２のレジストを塗布し、露光・現像して、前記第２のパターン部に対応する部分に前記第２のレジストを残した第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチングして、その内部に凸型の前記補助パターンが配置された前記第１のパターン部を形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、を少なくとも有することを特徴とする印刷版の製造方法。
  18. 前記第２のレジストパターンをマスクとして前記印刷版基板をエッチング後、前記第２のレジストパターンを剥離する前に、前記印刷版基板全面に撥インキ処理を施すことを特徴とする請求項１７に記載の印刷版の製造方法。
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