JP2008141426A - Electronic component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily adjust the inductive coupling strength between resonators in an electronic component provided with a plurality of resonators. <P>SOLUTION: The electronic component 1 is provided with a multilayer substrate 20 and a first or a third resonator set in the multilayer substrate 20. The first resonator has conductive layers 111 to 113 for the resonator, a second resonator has conductive layers 121 to 123 for the resonator, and the third resonator has conductive layers 131 to 133 for the resonator. The conductive layers 111 to 113 and the conductive layers 121 to 123 are coupled inductively, and the conductive layers 131 to 133 and the conductive layers 121 to 123 are coupled inductively, too. Lengths of the conductive layers 121 to 123 are shorter than the lengths of the conductive layers 111 to 113 and the lengths of the conductive layers 131 to 133. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の共振器を有する電子部品に関する。   The present invention relates to an electronic component having a plurality of resonators.

ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN(ローカルエリアネットワーク)用の通信装置では、小型化、薄型化の要求が強いことから、それに用いられる電子部品の小型化、薄型化が要求されている。上記通信装置における電子部品の一つに、受信信号を濾波するバンドパスフィルタがある。このバンドパスフィルタにおいても、小型化、薄型化が要求されている。そこで、上記の通信装置における使用周波数帯域に対応でき、且つ小型化、薄型化を実現可能なバンドパスフィルタとして、例えば特許文献1ないし3に示されるように、積層基板における導体層を用いて構成された複数の共振器を備えた積層型のフィルタが提案されている。以下、共振器を構成する導体層を共振器用導体層という。   Bluetooth communication devices and wireless LAN (local area network) communication devices are strongly demanded to be smaller and thinner, and therefore, electronic components used therefor are required to be smaller and thinner. One of the electronic components in the communication apparatus is a band-pass filter that filters a received signal. This band pass filter is also required to be small and thin. Therefore, as a band-pass filter that can correspond to the frequency band used in the communication device and can be reduced in size and thickness, for example, as shown in Patent Documents 1 to 3, it is configured using a conductor layer in a multilayer substrate. A multilayer filter including a plurality of resonators has been proposed. Hereinafter, the conductor layer constituting the resonator is referred to as a resonator conductor layer.

特許文献1に記載されたフィルタは、同じ誘電体層上に並べて配置された3個の共振器電極を備えている。このフィルタにおいて、隣接する共振器電極同士は電磁結合している。   The filter described in Patent Document 1 includes three resonator electrodes arranged side by side on the same dielectric layer. In this filter, adjacent resonator electrodes are electromagnetically coupled.

特許文献2に記載されたフィルタは、それぞれ共振器を構成する3個のインダクタ電極を備えている。このフィルタでは、3個のインダクタ電極は、同じ誘電体層上に並べて配置され、互いに接続されている。   The filter described in Patent Document 2 includes three inductor electrodes that constitute a resonator. In this filter, the three inductor electrodes are arranged side by side on the same dielectric layer and connected to each other.

特許文献3に記載されたフィルタは、それぞれ共振器を構成する第1ないし第3のストリップラインを備えている。このフィルタでは、第2のストリップラインの配設位置が、誘電体層の積み重ね方向に対して、第1および第3のストリップラインの配設位置と異なっている。また、このフィルタでは、第1のストリップラインと第2のストリップラインが電磁結合し、第2のストリップラインと第3のストリップラインが電磁結合している。   The filter described in Patent Document 3 includes first to third striplines that constitute resonators. In this filter, the arrangement position of the second strip line is different from the arrangement positions of the first and third strip lines in the stacking direction of the dielectric layers. In this filter, the first strip line and the second strip line are electromagnetically coupled, and the second strip line and the third strip line are electromagnetically coupled.

特開2005−159512号公報JP 2005-159512 A 特開2002−217668号公報JP 2002-217668 A 特開平9−307389号公報JP-A-9-307389

一般的に、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタでは、共振器の数を多くすると、通過帯域幅が広くなると共に減衰極が急峻になる。   In general, in a band-pass filter including a plurality of resonators, when the number of resonators is increased, the passband width is widened and the attenuation pole is steep.

ところで、複数の共振器を備えた従来の積層型のバンドパスフィルタでは、小型化、薄型化する場合には、隣接する共振器間の距離を短くせざるを得ない。すると、隣接する共振器間の誘導性結合が強くなりすぎて、所望のバンドパスフィルタの特性を実現することが困難になるという問題が発生する。具体的には、隣接する共振器間の誘導性結合が強くなりすぎると、バンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す曲線のうちの減衰極の近傍の部分における傾きが小さくなる。すると、通過帯域における通過・減衰特性と通過帯域外における通過・減衰特性とを明確に区別することが難しくなる。   By the way, in the conventional multilayer bandpass filter provided with a plurality of resonators, the distance between adjacent resonators must be shortened when the size and thickness of the filter are reduced. Then, the inductive coupling between adjacent resonators becomes too strong, and there arises a problem that it becomes difficult to realize a desired bandpass filter characteristic. Specifically, if the inductive coupling between adjacent resonators becomes too strong, the slope in the portion near the attenuation pole in the curve indicating the pass / attenuation characteristics of the bandpass filter becomes small. Then, it becomes difficult to clearly distinguish between the pass / attenuation characteristics in the pass band and the pass / attenuation characteristics outside the pass band.

特許文献3には、隣接するストリップラインの配設位置を、誘電体層の積み重ね方向に対して異ならせることによって、隣接するストリップラインの間隔を大きくし、隣接するストリップライン間の電磁干渉を抑える技術が記載されている。しかし、バンドパスフィルタを小型化、薄型化してゆくと、特許文献3に記載された技術を用いても、隣接する共振器間の距離を十分に大きくすることは困難になる。   In Patent Document 3, the arrangement position of adjacent strip lines is made different with respect to the stacking direction of the dielectric layers, thereby increasing the interval between adjacent strip lines and suppressing electromagnetic interference between adjacent strip lines. The technology is described. However, if the bandpass filter is reduced in size and thickness, it is difficult to sufficiently increase the distance between adjacent resonators even if the technique described in Patent Document 3 is used.

また、特許文献3には、隣接するストリップライン間の誘電体の厚みを変えることによって隣接するストリップライン間の電磁結合を調整できることが記載されている。しかし、バンドパスフィルタを小型化、薄型化してゆくと、特許文献3に記載された技術を用いても、隣接する共振器間の距離を大きく変えることは困難になり、そのため、バンドパスフィルタの特性の調整も大幅にはできなくなる。   Patent Document 3 describes that electromagnetic coupling between adjacent strip lines can be adjusted by changing the thickness of a dielectric between adjacent strip lines. However, as the bandpass filter is reduced in size and thickness, it becomes difficult to greatly change the distance between adjacent resonators even if the technique described in Patent Document 3 is used. The characteristic cannot be adjusted greatly.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の共振器を備えた電子部品であって、共振器間の誘導性結合の大きさを容易に調整可能な電子部品を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an electronic component including a plurality of resonators that can easily adjust the size of inductive coupling between the resonators. It is to provide.

本発明の電子部品は、積層された複数の誘電体層を含む積層基板と、積層基板内に設けられた複数の共振器とを備えている。本発明の電子部品において、複数の共振器は、第1および第2の共振器を含んでいる。第1の共振器は、積層基板内に設けられた第1の共振器用導体層を有している。第2の共振器は、積層基板内に設けられた第2の共振器用導体層を有している。第1の共振器用導体層と第2の共振器用導体層は、誘導性結合し且つ電磁波の進行方向についての長さが異なっている。   The electronic component of the present invention includes a laminated substrate including a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of resonators provided in the laminated substrate. In the electronic component of the present invention, the plurality of resonators include first and second resonators. The first resonator has a first resonator conductor layer provided in the multilayer substrate. The second resonator has a second resonator conductor layer provided in the multilayer substrate. The first resonator conductor layer and the second resonator conductor layer are inductively coupled and have different lengths in the traveling direction of the electromagnetic wave.

本発明の電子部品では、誘導性結合する第1および第2の共振器用導体層における電磁波の進行方向についての長さが互いに異なっている。そのため、本発明では、第1および第2の共振器用導体層の長さの違いによって、第1の共振器と第2の共振器の誘導性結合の大きさを調整することができる。   In the electronic component of the present invention, the lengths of the electromagnetic wave traveling directions in the first and second resonator conductor layers that are inductively coupled are different from each other. Therefore, in the present invention, the magnitude of inductive coupling between the first resonator and the second resonator can be adjusted by the difference in length between the first and second resonator conductor layers.

本発明の電子部品において、第1の共振器は、更に、第1の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタを有し、第2の共振器は、更に、第2の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第2のキャパシタを有し、第1および第2の共振器用導体層の各他端部はグランドに接続されていてもよい。この場合、第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さく、第2のキャパシタのキャパシタンスは、第1のキャパシタのキャパシタンスよりも大きくてもよい。   In the electronic component of the present invention, the first resonator further includes a first capacitor provided between one end of the first resonator conductor layer and the ground, and the second resonator includes: In addition, a second capacitor is provided between one end of the second resonator conductor layer and the ground, and each other end of the first and second resonator conductor layers is connected to the ground. May be. In this case, the length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is smaller than the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave, and the capacitance of the second capacitor is It may be larger than the capacitance of the capacitor.

また、本発明の電子部品において、複数の共振器は、更に第3の共振器を含んでいてもよい。この場合、第3の共振器は、積層基板内に設けられた第3の共振器用導体層を有している。第2の共振器用導体層は、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層との間に配置されている。第3の共振器用導体層と第2の共振器用導体層は誘導性結合している。第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さと等しい。第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さと異なっている。   In the electronic component of the present invention, the plurality of resonators may further include a third resonator. In this case, the third resonator has a third resonator conductor layer provided in the multilayer substrate. The second resonator conductor layer is disposed between the first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer. The third resonator conductor layer and the second resonator conductor layer are inductively coupled. The length of the third resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is equal to the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave and the length of the third resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. Is different.

第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さくてもよい。   The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave and the length of the third resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. It may be smaller than this.

また、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層は、第2の共振器用導体層を通り第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向に平行な仮想の直線を中心として線対称となる形状を有していてもよい。   The first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer pass through the second resonator conductor layer and are centered on an imaginary straight line parallel to the traveling direction of the electromagnetic wave of the second resonator conductor layer. You may have a symmetrical shape.

また、第1の共振器は、更に、第1の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタを有し、第2の共振器は、更に、第2の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第2のキャパシタを有し、第3の共振器は、更に、第3の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第3のキャパシタを有し、第1ないし第3の共振器用導体層の各他端部はグランドに接続されていてもよい。この場合、第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さく、第2のキャパシタのキャパシタンスは、第1のキャパシタのキャパシタンスおよび第3のキャパシタのキャパシタンスよりも大きくてもよい。   The first resonator further includes a first capacitor provided between one end of the first resonator conductor layer and the ground, and the second resonator further includes a second capacitor A second capacitor is provided between one end of the resonator conductor layer and the ground, and the third resonator is further provided between one end of the third resonator conductor layer and the ground. And the other end of each of the first to third resonator conductor layers may be connected to the ground. In this case, the length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is equal to the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave and the traveling direction of the electromagnetic wave in the third resonator conductor layer. The capacitance of the second capacitor may be greater than the capacitance of the first capacitor and the capacitance of the third capacitor.

また、本発明の電子部品において、第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さの25%以上100%未満であってもよい。あるいは、第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さの25%以上75%以下であってもよい。   In the electronic component of the present invention, the length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is 25% or more and less than 100% of the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. It may be. Alternatively, the length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave may be 25% or more and 75% or less of the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave.

また、本発明の電子部品において、複数の共振器は、いずれも、一端が開放され他端が短絡された1/4波長共振器であってもよい。   In the electronic component of the present invention, each of the plurality of resonators may be a quarter wavelength resonator in which one end is opened and the other end is short-circuited.

また、本発明の電子部品は、更に、積層基板の外周部に配置された入力端子および出力端子を備え、複数の共振器は、回路構成上、入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現してもよい。   In addition, the electronic component of the present invention further includes an input terminal and an output terminal arranged on the outer peripheral portion of the multilayer substrate, and the plurality of resonators are provided between the input terminal and the output terminal on the circuit configuration, A band-pass filter function may be realized.

本発明の電子部品では、誘導性結合する第1および第2の共振器用導体層における電磁波の進行方向についての長さが互いに異なっている。そのため、本発明では、第1および第2の共振器用導体層の長さの違いによって、第1の共振器と第2の共振器の誘導性結合の大きさを調整することができる。従って、本発明によれば、共振器間の誘導性結合の大きさを容易に調整することができるという効果を奏する。   In the electronic component of the present invention, the lengths of the electromagnetic wave traveling directions in the first and second resonator conductor layers that are inductively coupled are different from each other. Therefore, in the present invention, the magnitude of inductive coupling between the first resonator and the second resonator can be adjusted by the difference in length between the first and second resonator conductor layers. Therefore, according to the present invention, there is an effect that the size of the inductive coupling between the resonators can be easily adjusted.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図4を参照して、本発明の一実施の形態に係る電子部品の回路構成について説明する。本実施の形態に係る電子部品1は、バンドパスフィルタの機能を有している。図4に示したように、電子部品1は、入力端子2と、出力端子3と、3つの共振器4,5,6と、キャパシタ17〜19とを備えている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a circuit configuration of an electronic component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic component 1 according to the present embodiment has a function of a band pass filter. As shown in FIG. 4, the electronic component 1 includes an input terminal 2, an output terminal 3, three resonators 4, 5 and 6, and capacitors 17 to 19.

共振器4は、インダクタ11とキャパシタ14とを有している。共振器5は、インダクタ12とキャパシタ15とを有している。共振器6は、インダクタ13とキャパシタ16とを有している。共振器5は、共振器4と共振器6との間に配置されている。また、インダクタ12は、インダクタ11とインダクタ13との間に配置されている。インダクタ11,12は隣接し、誘導性結合している。インダクタ12,13も隣接し、誘導性結合している。図4では、インダクタ11,12間の誘導性結合と、インダクタ12,13間の誘導性結合を、それぞれ記号Mを付した曲線で表している。   The resonator 4 includes an inductor 11 and a capacitor 14. The resonator 5 includes an inductor 12 and a capacitor 15. The resonator 6 includes an inductor 13 and a capacitor 16. The resonator 5 is disposed between the resonator 4 and the resonator 6. Further, the inductor 12 is disposed between the inductor 11 and the inductor 13. Inductors 11 and 12 are adjacent and inductively coupled. Inductors 12 and 13 are also adjacent and inductively coupled. In FIG. 4, the inductive coupling between the inductors 11 and 12 and the inductive coupling between the inductors 12 and 13 are represented by curves with a symbol M, respectively.

インダクタ11の一端とキャパシタ14,17,19の各一端は、入力端子2に接続されている。インダクタ11の他端とキャパシタ14の他端はグランドに接続されている。インダクタ12の一端とキャパシタ15,18の各一端は、キャパシタ17の他端に接続されている。インダクタ12の他端とキャパシタ15の他端はグランドに接続されている。インダクタ13の一端、キャパシタ16の一端、キャパシタ19の他端および出力端子3は、キャパシタ18の他端に接続されている。インダクタ13の他端とキャパシタ16の他端はグランドに接続されている。   One end of the inductor 11 and one end of each of the capacitors 14, 17, and 19 are connected to the input terminal 2. The other end of the inductor 11 and the other end of the capacitor 14 are connected to the ground. One end of the inductor 12 and one end of each of the capacitors 15 and 18 are connected to the other end of the capacitor 17. The other end of the inductor 12 and the other end of the capacitor 15 are connected to the ground. One end of the inductor 13, one end of the capacitor 16, the other end of the capacitor 19 and the output terminal 3 are connected to the other end of the capacitor 18. The other end of the inductor 13 and the other end of the capacitor 16 are connected to the ground.

共振器4,5,6は、回路構成上、入力端子2と出力端子3との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現する。共振器4,5,6はいずれも、一端が開放され他端が短絡された1/4波長共振器である。隣接する共振器4,5は誘導性結合し、隣接する共振器6,5も誘導性結合している。共振器4,5,6は、それぞれ本発明における第1の共振器、第2の共振器、第3の共振器に対応する。キャパシタ14,15,16は、それぞれ本発明における第1のキャパシタ、第2のキャパシタ、第3のキャパシタに対応する。   The resonators 4, 5, and 6 are provided between the input terminal 2 and the output terminal 3 in terms of circuit configuration, and realize the function of a bandpass filter. Each of the resonators 4, 5, and 6 is a quarter wavelength resonator in which one end is opened and the other end is short-circuited. Adjacent resonators 4 and 5 are inductively coupled, and adjacent resonators 6 and 5 are also inductively coupled. The resonators 4, 5, and 6 correspond to the first resonator, the second resonator, and the third resonator in the present invention, respectively. The capacitors 14, 15, and 16 correspond to the first capacitor, the second capacitor, and the third capacitor, respectively, in the present invention.

本実施の形態に係る電子部品1では、入力端子2に信号が入力されると、そのうちの所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器4,5,6を用いて構成されたバンドパスフィルタを通過し、出力端子3から出力される。   In the electronic component 1 according to the present embodiment, when a signal is input to the input terminal 2, a signal having a frequency within a predetermined frequency band is selectively configured using the resonators 4, 5, and 6. The signal passes through the bandpass filter and is output from the output terminal 3.

次に、図1および図2を参照して、電子部品1の構造の概略について説明する。図1は、電子部品1の主要部分を示す斜視図である。図2は、電子部品1の外観を示す斜視図である。   Next, an outline of the structure of the electronic component 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing the main part of the electronic component 1. FIG. 2 is a perspective view showing an external appearance of the electronic component 1.

電子部品1は、電子部品1の構成要素を一体化するための積層基板20を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板20は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。インダクタ11〜13は、いずれも、積層基板20内の1つ以上の導体層を用いて構成されている。キャパシタ14〜19は、積層基板20内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。   The electronic component 1 includes a laminated substrate 20 for integrating the components of the electronic component 1. As will be described in detail later, the laminated substrate 20 includes a plurality of laminated dielectric layers and a plurality of conductor layers. Each of the inductors 11 to 13 is configured using one or more conductor layers in the multilayer substrate 20. The capacitors 14 to 19 are configured using a conductor layer and a dielectric layer in the multilayer substrate 20.

図2に示したように、積層基板20は、外周部として、上面と、底面と、4つの側面を有する直方体形状をなしている。積層基板20における1つの側面には、入力端子22と、その両側に配置された2つのグランド用端子24,25が設けられている。積層基板20において、入力端子22が設けられた側面と反対側の側面には、出力端子23と、その両側に配置された2つのグランド用端子26,27が設けられている。入力端子22は図4における入力端子2に対応し、出力端子23は図4における出力端子3に対応する。グランド用端子24,25,26,27はグランドに接続される。   As shown in FIG. 2, the laminated substrate 20 has a rectangular parallelepiped shape having an upper surface, a bottom surface, and four side surfaces as an outer peripheral portion. An input terminal 22 and two ground terminals 24 and 25 arranged on both sides thereof are provided on one side surface of the multilayer substrate 20. In the laminated substrate 20, an output terminal 23 and two ground terminals 26 and 27 disposed on both sides thereof are provided on the side surface opposite to the side surface on which the input terminal 22 is provided. The input terminal 22 corresponds to the input terminal 2 in FIG. 4, and the output terminal 23 corresponds to the output terminal 3 in FIG. The ground terminals 24, 25, 26, and 27 are connected to the ground.

次に、図5ないし図7を参照して、積層基板20における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図5において(a)〜(c)は、それぞれ、上から1層目ないし3層目の誘電体層の上面を示している。図6において(a)〜(c)は、それぞれ、上から4層目ないし6層目の誘電体層の上面を示している。図7において(a)〜(c)は、それぞれ、上から7層目ないし9層目の誘電体層の上面を示している。   Next, with reference to FIGS. 5 to 7, the dielectric layer and the conductor layer in the multilayer substrate 20 will be described in detail. 5A to 5C respectively show the top surfaces of the first to third dielectric layers from the top. 6A to 6C respectively show the top surfaces of the fourth to sixth dielectric layers from the top. 7A to 7C show the top surfaces of the seventh to ninth dielectric layers from the top, respectively.

図5(a)に示した1層目の誘電体層31の上面には導体層は形成されていない。図5(b)に示した2層目の誘電体層32の上面には、グランドに接続されるグランド用導体層321が形成されている。この導体層321は、グランド用端子24〜27に接続される。また、誘電体層32には、導体層321に接続されたスルーホール322が形成されている。   No conductor layer is formed on the top surface of the first dielectric layer 31 shown in FIG. A ground conductor layer 321 connected to the ground is formed on the upper surface of the second dielectric layer 32 shown in FIG. 5B. The conductor layer 321 is connected to the ground terminals 24-27. In addition, a through hole 322 connected to the conductor layer 321 is formed in the dielectric layer 32.

図5(c)に示した3層目の誘電体層33の上面には、共振器用導体層111,121,131が形成されている。導体層111,121,131は、いずれも一方向に長い形状を有している。導体層111,121,131は、それぞれの長手方向が平行になり、且つ導体層121が導体層111と導体層131との間に配置されるように、並べて配置されている。導体層111,131の長手方向の長さは等しく、導体層121の長手方向の長さは、導体層111,131の長手方向の長さよりも小さくなっている。導体層111,121は隣接し、誘導性結合している。導体層121,131も隣接し、誘導性結合している。導体層111における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層131における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。   Resonator conductor layers 111, 121, and 131 are formed on the top surface of the third dielectric layer 33 shown in FIG. The conductor layers 111, 121, and 131 all have a shape that is long in one direction. The conductor layers 111, 121, and 131 are arranged side by side so that their longitudinal directions are parallel to each other and the conductor layer 121 is disposed between the conductor layer 111 and the conductor layer 131. The lengths of the conductor layers 111 and 131 in the longitudinal direction are equal, and the length of the conductor layer 121 in the longitudinal direction is smaller than the length of the conductor layers 111 and 131 in the longitudinal direction. The conductor layers 111 and 121 are adjacent and inductively coupled. The conductor layers 121 and 131 are also adjacent and inductively coupled. One end of the conductor layer 111 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 25. One end of the conductor layer 131 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 27.

また、誘電体層33には、導体層111における他端部に接続されたスルーホール331と、導体層121における長手方向の両端部に接続されたスルーホール332,333と、導体層131における他端部に接続されたスルーホール334とが形成されている。スルーホール332は、スルーホール322に接続されている。   The dielectric layer 33 has through holes 331 connected to the other end of the conductor layer 111, through holes 332 and 333 connected to both ends of the conductor layer 121 in the longitudinal direction, and others in the conductor layer 131. A through hole 334 connected to the end is formed. The through hole 332 is connected to the through hole 322.

図6(a)に示した4層目の誘電体層34の上面には、共振器用導体層112,122,132が形成されている。導体層112,122,132の形状、配置および相互の関係は、導体層111,121,131と同様である。導体層112における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層132における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。   Resonator conductor layers 112, 122, and 132 are formed on the top surface of the fourth dielectric layer 34 shown in FIG. The shape, arrangement, and mutual relationship of the conductor layers 112, 122, and 132 are the same as those of the conductor layers 111, 121, and 131. One end of the conductor layer 112 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 25. One end of the conductor layer 132 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 27.

また、誘電体層34には、導体層112における他端部に接続されたスルーホール341と、導体層122における長手方向の両端部に接続されたスルーホール342,343と、導体層132における他端部に接続されたスルーホール344とが形成されている。スルーホール341,342,343,344は、それぞれスルーホール331,332,333,334に接続されている。   The dielectric layer 34 has through holes 341 connected to the other end of the conductor layer 112, through holes 342 and 343 connected to both ends in the longitudinal direction of the conductor layer 122, and others in the conductor layer 132. A through hole 344 connected to the end is formed. The through holes 341, 342, 343, and 344 are connected to the through holes 331, 332, 333, and 334, respectively.

図6(b)に示した5層目の誘電体層35の上面には、共振器用導体層113,123,133が形成されている。導体層113,123,133の形状、配置および相互の関係は、導体層111,121,131と同様である。導体層113における長手方向の一端部はグランド用端子25に接続される。導体層133における長手方向の一端部はグランド用端子27に接続される。   Resonator conductor layers 113, 123, and 133 are formed on the top surface of the fifth dielectric layer 35 shown in FIG. 6B. The shape, arrangement, and mutual relationship of the conductor layers 113, 123, and 133 are the same as those of the conductor layers 111, 121, and 131. One end of the conductor layer 113 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 25. One end of the conductor layer 133 in the longitudinal direction is connected to the ground terminal 27.

また、誘電体層35には、導体層113における他端部に接続されたスルーホール351と、導体層123における長手方向の一端部に接続されたスルーホール353と、導体層133における他端部に接続されたスルーホール354とが形成されている。スルーホール351,353,354は、それぞれスルーホール341,343,344に接続されている。また、スルーホール342は、導体層123における長手方向の他端部に接続されている。   The dielectric layer 35 includes a through hole 351 connected to the other end of the conductor layer 113, a through hole 353 connected to one end of the conductor layer 123 in the longitudinal direction, and the other end of the conductor layer 133. And through-holes 354 connected to each other. The through holes 351, 353, and 354 are connected to the through holes 341, 343, and 344, respectively. Further, the through hole 342 is connected to the other end of the conductor layer 123 in the longitudinal direction.

導体層111,112,113は、スルーホール331,341とグランド用端子25を介して互いに接続されている。導体層111,112,113は、図4におけるインダクタ11を構成する。また、導体層111,112,113は、本発明における第1の共振器用導体層に対応する。   The conductor layers 111, 112, and 113 are connected to each other through the through holes 331 and 341 and the ground terminal 25. The conductor layers 111, 112, and 113 constitute the inductor 11 in FIG. The conductor layers 111, 112, and 113 correspond to the first resonator conductor layer in the present invention.

導体層121,122,123は、スルーホール332,333,342,343を介して互いに接続されている。導体層121,122,123は、図4におけるインダクタ12を構成する。また、導体層121,122,123は、本発明における第2の共振器用導体層に対応する。   The conductor layers 121, 122, 123 are connected to each other through through holes 332, 333, 342, 343. The conductor layers 121, 122, 123 constitute the inductor 12 in FIG. The conductor layers 121, 122, and 123 correspond to the second resonator conductor layer in the present invention.

導体層131,132,133は、スルーホール334,344とグランド用端子27を介して互いに接続されている。導体層131,132,133は、図4におけるインダクタ13を構成する。また、導体層131,132,133は、本発明における第3の共振器用導体層に対応する。   The conductor layers 131, 132, and 133 are connected to each other through the through holes 334 and 344 and the ground terminal 27. The conductor layers 131, 132, 133 constitute the inductor 13 in FIG. The conductor layers 131, 132, and 133 correspond to the third resonator conductor layer in the present invention.

図6(c)に示した6層目の誘電体層36の上面には、キャパシタ用導体層361,362が形成されている。また、誘電体層36には、導体層361およびスルーホール351に接続されたスルーホール363と、導体層362およびスルーホール354に接続されたスルーホール364と、スルーホール353に接続されたスルーホール365とが形成されている。   Capacitor conductor layers 361 and 362 are formed on the top surface of the sixth dielectric layer 36 shown in FIG. 6C. The dielectric layer 36 includes a through hole 363 connected to the conductor layer 361 and the through hole 351, a through hole 364 connected to the conductor layer 362 and the through hole 354, and a through hole connected to the through hole 353. 365 is formed.

図7(a)に示した7層目の誘電体層37の上面には、キャパシタ用導体層371,372が形成されている。また、誘電体層37には、スルーホール363に接続されたスルーホール373と、スルーホール364に接続されたスルーホール374と、スルーホール365に接続されたスルーホール375とが形成されている。   Capacitor conductor layers 371 and 372 are formed on the top surface of the seventh dielectric layer 37 shown in FIG. The dielectric layer 37 has a through hole 373 connected to the through hole 363, a through hole 374 connected to the through hole 364, and a through hole 375 connected to the through hole 365.

図7(b)に示した8層目の誘電体層38の上面には、キャパシタ用導体層381,382,383が形成されている。導体層381は入力端子22に接続される。導体層382は出力端子23に接続される。また、導体層381,382,383には、それぞれ、スルーホール373,374,375が接続されている。   Capacitor conductor layers 381, 382, and 383 are formed on the top surface of the eighth dielectric layer 38 shown in FIG. 7B. The conductor layer 381 is connected to the input terminal 22. The conductor layer 382 is connected to the output terminal 23. Further, through holes 373, 374, and 375 are connected to the conductor layers 381, 382, and 383, respectively.

図7(c)に示した9層目の誘電体層39の上面には、グランドに接続されるグランド用導体層391が形成されている。この導体層391は、グランド用端子24〜27に接続される。   A ground conductor layer 391 connected to the ground is formed on the top surface of the ninth dielectric layer 39 shown in FIG. 7C. The conductor layer 391 is connected to the ground terminals 24 to 27.

図7(b)に示した導体層381は、複数のスルーホールを介して、導体層111,112,113,361に接続されている。導体層382は、複数のスルーホールを介して、導体層131,132,133,362に接続されている。導体層383は、複数のスルーホールを介して、導体層121,122,123に接続されている。導体層381,382,383は、誘電体層38を介して導体層391に対向している。導体層381,391および誘電体層38は、図4におけるキャパシタ14を構成している。導体層382,391および誘電体層38は、図4におけるキャパシタ16を構成している。導体層383,391および誘電体層38は、図4におけるキャパシタ15を構成している。   The conductor layer 381 shown in FIG. 7B is connected to the conductor layers 111, 112, 113, and 361 through a plurality of through holes. The conductor layer 382 is connected to the conductor layers 131, 132, 133, and 362 through a plurality of through holes. The conductor layer 383 is connected to the conductor layers 121, 122, and 123 through a plurality of through holes. The conductor layers 381, 382, and 383 are opposed to the conductor layer 391 with the dielectric layer 38 in between. The conductor layers 381, 391 and the dielectric layer 38 constitute the capacitor 14 in FIG. The conductor layers 382 and 391 and the dielectric layer 38 constitute the capacitor 16 in FIG. The conductor layers 383 and 391 and the dielectric layer 38 constitute the capacitor 15 in FIG.

図7(a)に示した導体層371は、誘電体層37を介して導体層381,382,383に対向している。導体層371,381,383および誘電体層37は、図4におけるキャパシタ17を構成している。導体層371,382,383および誘電体層37は、図4におけるキャパシタ18を構成している。   The conductor layer 371 shown in FIG. 7A is opposed to the conductor layers 381, 382 and 383 with the dielectric layer 37 interposed therebetween. The conductor layers 371, 381, 383 and the dielectric layer 37 constitute the capacitor 17 in FIG. The conductor layers 371, 382, and 383 and the dielectric layer 37 constitute the capacitor 18 in FIG.

図7(a)に示した導体層372は、誘電体層37を介して導体層381,382に対向している。導体層372,381,382および誘電体層37は、図4におけるキャパシタ19を構成している。   The conductor layer 372 shown in FIG. 7A is opposed to the conductor layers 381 and 382 with the dielectric layer 37 interposed therebetween. The conductor layers 372, 381, 382 and the dielectric layer 37 constitute the capacitor 19 in FIG.

上述の1層目ないし9層目の誘電体層31〜39および導体層が積層されて、図1および図2に示した積層基板20が形成される。図2に示した端子22〜27は、この積層基板20の外周部に形成される。   The above-mentioned first to ninth dielectric layers 31 to 39 and the conductor layer are laminated to form the laminated substrate 20 shown in FIGS. The terminals 22 to 27 shown in FIG. 2 are formed on the outer peripheral portion of the laminated substrate 20.

なお、本実施の形態において、積層基板20としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板20としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。   In the present embodiment, as the laminated substrate 20, various materials such as a material using a resin, ceramic, or a composite material of both can be used as the material of the dielectric layer. However, as the laminated substrate 20, it is particularly preferable to use a low-temperature co-fired ceramic multilayer substrate having excellent high-frequency characteristics.

本実施の形態では、共振器4は、インダクタ11を構成する共振器用導体層111〜113と、キャパシタ14とを有している。共振器5は、インダクタ12を構成する共振器用導体層121〜123と、キャパシタ15とを有している。共振器6は、インダクタ13を構成する共振器用導体層131〜133と、キャパシタ16とを有している。   In the present embodiment, the resonator 4 includes resonator conductor layers 111 to 113 constituting the inductor 11 and a capacitor 14. The resonator 5 includes resonator conductor layers 121 to 123 that constitute the inductor 12, and a capacitor 15. The resonator 6 includes resonator conductor layers 131 to 133 constituting the inductor 13 and a capacitor 16.

ここで、図3を参照して、共振器用導体層111〜113と、共振器用導体層121〜123と、共振器用導体層131〜133の形状、配置および相互の関係について詳しく説明する。図3は、これら共振器用導体層を示す平面図である。なお、以下、導体層111,121,131について説明するが、以下の説明は、導体層112,122,132と、導体層113,123,133にも当てはまる。   Here, with reference to FIG. 3, the shape, arrangement | positioning, and mutual relationship of the conductor layers 111-113 for resonators, the conductor layers 121-123 for resonators, and the conductor layers 131-133 for resonators are demonstrated in detail. FIG. 3 is a plan view showing these resonator conductor layers. Hereinafter, the conductor layers 111, 121, and 131 will be described, but the following description also applies to the conductor layers 112, 122, and 132 and the conductor layers 113, 123, and 133.

前述のように、導体層111,121,131は、それぞれの長手方向が平行になり、且つ導体層121が導体層111と導体層131との間に配置されるように、並べて配置されている。導体層111の長手方向の長さL1と導体層131の長手方向の長さL3は等しく、導体層121の長手方向の長さL2は、導体層111の長手方向の長さL1および導体層131の長手方向の長さL3よりも小さくなっている。導体層111,121は隣接し、誘導性結合している。導体層121,131も隣接し、誘導性結合している。   As described above, the conductor layers 111, 121, and 131 are arranged side by side so that their longitudinal directions are parallel to each other and the conductor layer 121 is disposed between the conductor layer 111 and the conductor layer 131. . The length L1 in the longitudinal direction of the conductor layer 111 is equal to the length L3 in the longitudinal direction of the conductor layer 131, and the length L2 in the longitudinal direction of the conductor layer 121 is equal to the length L1 in the longitudinal direction of the conductor layer 111 and the conductor layer 131. Is smaller than the length L3 in the longitudinal direction. The conductor layers 111 and 121 are adjacent and inductively coupled. The conductor layers 121 and 131 are also adjacent and inductively coupled.

導体層111,121,131において、電磁波の進行方向は、各導体層111,121,131の長手方向である。そのため、導体層111,121,131の長手方向の長さは、導体層111,121,131の電磁波の進行方向についての長さと等しい。従って、本実施の形態では、誘導性結合する導体層111,121における電磁波の進行方向についての長さL1,L2は互いに異なっている。同様に、誘導性結合する導体層131,121における電磁波の進行方向についての長さL3,L2も互いに異なっている。   In the conductor layers 111, 121, 131, the traveling direction of the electromagnetic waves is the longitudinal direction of each conductor layer 111, 121, 131. Therefore, the length of the conductor layers 111, 121, 131 in the longitudinal direction is equal to the length of the conductor layers 111, 121, 131 in the traveling direction of the electromagnetic waves. Accordingly, in the present embodiment, the lengths L1 and L2 in the traveling direction of the electromagnetic waves in the conductor layers 111 and 121 that are inductively coupled are different from each other. Similarly, the lengths L3 and L2 in the traveling direction of the electromagnetic waves in the conductor layers 131 and 121 that are inductively coupled are also different from each other.

また、本実施の形態では、導体層113の長さL3は、導体層111の長さL1と等しく、導体層121の長さL2は、導体層111の長さL1および導体層131の長さL3と異なっている。本実施の形態では、特に、導体層121の長さL2は、導体層111の長さL1および導体層131の長さL3よりも小さくなっている。   In the present embodiment, the length L3 of the conductor layer 113 is equal to the length L1 of the conductor layer 111, and the length L2 of the conductor layer 121 is the length L1 of the conductor layer 111 and the length of the conductor layer 131. Different from L3. In the present embodiment, in particular, the length L2 of the conductor layer 121 is smaller than the length L1 of the conductor layer 111 and the length L3 of the conductor layer 131.

また、本実施の形態では、図3に示したように、導体層111と導体層131は、導体層121を通り導体層121の電磁波の進行方向に平行な仮想の直線CLを中心として線対称となる形状を有している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the conductor layer 111 and the conductor layer 131 are symmetrical with respect to a virtual straight line CL passing through the conductor layer 121 and parallel to the traveling direction of the electromagnetic wave of the conductor layer 121. It has the shape which becomes.

本実施の形態では、導体層111〜113と導体層121〜123が誘導性結合し、導体層131〜133と導体層121〜123が誘導性結合している。また、本実施の形態では、共振器4は、導体層111〜113の一端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ14を有している。共振器5は、導体層121〜123の一端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ15を有している。共振器6は、導体層131〜133の一端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ16を有している。導体層111〜113,121〜123,131〜133の各他端部はグランドに接続されている。   In the present embodiment, the conductor layers 111 to 113 and the conductor layers 121 to 123 are inductively coupled, and the conductor layers 131 to 133 and the conductor layers 121 to 123 are inductively coupled. In the present embodiment, the resonator 4 includes a capacitor 14 provided between one end of the conductor layers 111 to 113 and the ground. The resonator 5 includes a capacitor 15 provided between one end of the conductor layers 121 to 123 and the ground. The resonator 6 has a capacitor 16 provided between one end of the conductor layers 131 to 133 and the ground. The other end portions of the conductor layers 111 to 113, 121 to 123, and 131 to 133 are connected to the ground.

本実施の形態では、キャパシタ16のキャパシタンスは、キャパシタ14のキャパシタンスと等しく、キャパシタ15のキャパシタンスは、キャパシタ14のキャパシタンスおよびキャパシタ16のキャパシタンスよりも大きい。以下、この意味について説明する。共振器4〜6のように、共振器用導体層とキャパシタとを有する共振器の共振器周波数は、共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さが小さくなるほど高くなり、キャパシタのキャパシタンスが大きくなるほど低くなる。本実施の形態では、導体層121〜123の長さL2が、導体層111〜113の長さL1および導体層131〜133の長さL3よりも小さいので、キャパシタ15のキャパシタンスをキャパシタ14,16のキャパシタンスよりも大きくすることによって、共振器5の共振周波数を、共振器4,6の共振周波数に合わせることが可能になる。   In the present embodiment, the capacitance of the capacitor 16 is equal to the capacitance of the capacitor 14, and the capacitance of the capacitor 15 is larger than the capacitance of the capacitor 14 and the capacitance of the capacitor 16. Hereinafter, this meaning will be described. Like the resonators 4 to 6, the resonator frequency of the resonator having the resonator conductor layer and the capacitor increases as the length of the resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave decreases, and the capacitance of the capacitor increases. It gets lower. In the present embodiment, since the length L2 of the conductor layers 121 to 123 is smaller than the length L1 of the conductor layers 111 to 113 and the length L3 of the conductor layers 131 to 133, the capacitance of the capacitor 15 is set to the capacitors 14, 16 It is possible to match the resonance frequency of the resonator 5 to the resonance frequency of the resonators 4 and 6 by making it larger than the capacitance of the resonators 4 and 6.

本実施の形態では、導体層111〜113の長さL1と導体層121〜123の長さL2が互いに異なっていることから、この長さL1,L2の違いによって、導体層111〜113と導体層121〜123との誘導性結合の大きさを調整することができる。同様に、本実施の形態では、導体層131〜133の長さL3と導体層121〜123の長さL2が互いに異なっていることから、この長さL3,L2の違いによって、導体層131〜133と導体層121〜123との誘導性結合の大きさを調整することができる。従って、本実施の形態によれば、隣接する共振器4,5間の誘導性結合の大きさと、隣接する共振器6,5間の誘導性結合の大きさを容易に調整することができる。その結果、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタの特性を容易に調整することが可能になる。   In the present embodiment, since the length L1 of the conductor layers 111 to 113 and the length L2 of the conductor layers 121 to 123 are different from each other, the difference between the lengths L1 and L2 causes the conductor layers 111 to 113 and the conductor layers to be different. The size of the inductive coupling with the layers 121 to 123 can be adjusted. Similarly, in the present embodiment, the length L3 of the conductor layers 131 to 133 and the length L2 of the conductor layers 121 to 123 are different from each other. The magnitude of inductive coupling between 133 and the conductor layers 121 to 123 can be adjusted. Therefore, according to the present embodiment, the size of the inductive coupling between the adjacent resonators 4 and 5 and the size of the inductive coupling between the adjacent resonators 6 and 5 can be easily adjusted. As a result, according to the present embodiment, it is possible to easily adjust the characteristics of the bandpass filter.

特に、本実施の形態によれば、長さL2が長さL1,L3と等しい場合に比べて、共振器4,5間の誘導性結合の大きさおよび共振器6,5間の誘導性結合の大きさを小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、長さL2が長さL1,L3と等しい場合に比べて、バンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す曲線のうちの減衰極の近傍の部分における傾きを大きくすることができる。そのため、本実施の形態によれば、通過帯域における通過・減衰特性と通過帯域外における通過・減衰特性とを明確に区別することが可能になる。   In particular, according to the present embodiment, inductive coupling between the resonators 4 and 5 and inductive coupling between the resonators 6 and 5 are compared with the case where the length L2 is equal to the lengths L1 and L3. Can be reduced in size. As a result, according to the present embodiment, compared to the case where the length L2 is equal to the lengths L1 and L3, the slope in the vicinity of the attenuation pole in the curve indicating the pass / attenuation characteristics of the bandpass filter is reduced. Can be bigger. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to clearly distinguish between the pass / attenuation characteristics in the pass band and the pass / attenuation characteristics outside the pass band.

本実施の形態に係る電子部品1は、例えば、2.4〜2.5GHzの周波数帯域における減衰量を小さくし、2.17GHzの近傍の周波数帯域における減衰量を大きくしたい場合に有効である。2.4〜2.5GHzという周波数帯域は、ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタの通過帯域である。2.17GHzの近傍の周波数帯域は、広帯域符号分割多元接続(W−CDMA)方式の携帯電話で使用される周波数帯域である。   The electronic component 1 according to the present embodiment is effective, for example, when it is desired to reduce the attenuation in the frequency band of 2.4 to 2.5 GHz and increase the attenuation in the frequency band near 2.17 GHz. The frequency band of 2.4 to 2.5 GHz is a pass band of a band-pass filter used in a Bluetooth standard communication device or a wireless LAN communication device. The frequency band in the vicinity of 2.17 GHz is a frequency band used in a wideband code division multiple access (W-CDMA) mobile phone.

また、本実施の形態によれば、電子部品1の小型化、薄型化に伴って隣接する共振器間の距離を短くせざるを得ない場合であっても、隣接する共振器間の誘導性結合の大きさを小さくすることができるので、電子部品1の小型化、薄型化が容易になる。   Further, according to the present embodiment, even when the distance between the adjacent resonators must be shortened as the electronic component 1 is reduced in size and thickness, the inductivity between the adjacent resonators is reduced. Since the size of the coupling can be reduced, the electronic component 1 can be easily reduced in size and thickness.

また、導体層111〜113,121〜123,131〜133のうち、中央の導体層121〜123の長さL2を、導体層111〜113の長さL1および導体層131〜133の長さL3よりも小さくすることにより、積層基板20内の限られた空間を効率よく利用して導体層111〜113,121〜123,131〜133を配置することが可能になる。   Of the conductor layers 111 to 113, 121 to 123, and 131 to 133, the length L2 of the central conductor layers 121 to 123 is set to the length L1 of the conductor layers 111 to 113 and the length L3 of the conductor layers 131 to 133. By making it smaller than this, it becomes possible to arrange the conductor layers 111 to 113, 121 to 123, and 131 to 133 by efficiently using the limited space in the multilayer substrate 20.

なお、長さL2が長さL1,L3に比べて小さくなりすぎると、共振器4,5間の誘導性結合の大きさおよび共振器6,5間の誘導性結合の大きさが小さくなりすぎるので、長さL2は長さL1,L3の25%以上であることが好ましい。従って、長さL2は、長さL1,L3の25%以上100%未満であることが好ましい。また、本実施の形態に係る電子部品1の効果を顕著に発揮させるために、長さL1,L3の25%以上75%以下であることがより好ましい。なお、長さL1,L3に対する長さL2の比率は、要求されるバンドパスフィルタの特性に応じて変えればよい。   If the length L2 is too small compared to the lengths L1 and L3, the size of the inductive coupling between the resonators 4 and 5 and the size of the inductive coupling between the resonators 6 and 5 are too small. Therefore, the length L2 is preferably 25% or more of the lengths L1 and L3. Therefore, the length L2 is preferably 25% or more and less than 100% of the lengths L1 and L3. Moreover, in order to show the effect of the electronic component 1 which concerns on this Embodiment notably, it is more preferable that it is 25 to 75% of length L1, L3. Note that the ratio of the length L2 to the lengths L1 and L3 may be changed according to the required characteristics of the bandpass filter.

次に、本実施の形態に係る電子部品1の効果を示すシミュレーションの結果について説明する。このシミュレーションでは、バンドパスフィルタの通過帯域がおよそ2.4〜2.5GHzになり、2.17GHzの近傍に減衰極が形成されるように設計された電子部品1の第1ないし第4のモデルを使用した。図8における(a)〜(d)は、それぞれ第1ないし第4のモデルにおける共振器用導体層の形状を表している。図8に示したように、第1ないし第4のモデルは、第1ないし第3の共振器用導体層115,125,135を有している。導体層115,125,135は、いずれも一方向に長い形状を有している。導体層115,125,135は、それぞれの長手方向が平行になり、且つ導体層125が導体層115と導体層135との間に配置されるように、並べて配置されている。また、導体層115,125,135は、縦1200μm、横2000μmの矩形の誘電体層の上に配置されている。導体層115は本実施の形態における導体層111〜113に対応し、導体層125は本実施の形態における導体層121〜123に対応し、導体層135は本実施の形態における導体層131〜133に対応している。なお、第1ないし第4のモデルの回路構成は、図4に示した通りである。   Next, a simulation result showing the effect of the electronic component 1 according to the present embodiment will be described. In this simulation, the first to fourth models of the electronic component 1 designed so that the passband of the bandpass filter is approximately 2.4 to 2.5 GHz and an attenuation pole is formed in the vicinity of 2.17 GHz. It was used. (A)-(d) in FIG. 8 represents the shape of the conductor layer for resonators in the 1st thru | or 4th model, respectively. As shown in FIG. 8, the first to fourth models have first to third resonator conductor layers 115, 125, and 135. The conductor layers 115, 125, and 135 all have a shape that is long in one direction. The conductor layers 115, 125, and 135 are arranged side by side so that their longitudinal directions are parallel to each other and the conductor layer 125 is disposed between the conductor layer 115 and the conductor layer 135. The conductor layers 115, 125, and 135 are disposed on a rectangular dielectric layer having a length of 1200 μm and a width of 2000 μm. The conductor layer 115 corresponds to the conductor layers 111 to 113 in this embodiment, the conductor layer 125 corresponds to the conductor layers 121 to 123 in this embodiment, and the conductor layer 135 corresponds to the conductor layers 131 to 133 in this embodiment. It corresponds to. The circuit configurations of the first to fourth models are as shown in FIG.

第1ないし第4のモデルにおいて、導体層115の長さと導体層135の長さは、いずれも1600μmである。図8(a)に示した第1のモデルでは、導体層125の長さは、導体層115,135の長さと等しく、1600μmである。第1のモデルは、導体層115,125,135の長さが等しいため、本実施の形態に対する比較例となる。   In the first to fourth models, the length of the conductor layer 115 and the length of the conductor layer 135 are both 1600 μm. In the first model shown in FIG. 8A, the length of the conductor layer 125 is equal to the length of the conductor layers 115 and 135, and is 1600 μm. The first model is a comparative example for the present embodiment because the conductor layers 115, 125, and 135 have the same length.

第2ないし第4のモデルでは、導体層125の長さは、導体層115,135の長さよりも小さい。従って、第2ないし第4のモデルは、本実施の形態に対応したモデルである。図8(b)に示した第2のモデルでは、導体層125の長さは、導体層115,135の長さの75%である1200μmである。図8(c)に示した第3のモデルでは、導体層125の長さは、導体層115,135の長さの50%である800μmである。図8(d)に示した第4のモデルでは、導体層125の長さは、導体層115,135の長さの25%である400μmである。図8において、二点鎖線の楕円は、隣接する導体層の間の誘導性結合の大きさを概念的に表している。   In the second to fourth models, the length of the conductor layer 125 is smaller than the length of the conductor layers 115 and 135. Therefore, the second to fourth models are models corresponding to the present embodiment. In the second model shown in FIG. 8B, the length of the conductor layer 125 is 1200 μm, which is 75% of the length of the conductor layers 115 and 135. In the third model shown in FIG. 8C, the length of the conductor layer 125 is 800 μm, which is 50% of the length of the conductor layers 115 and 135. In the fourth model shown in FIG. 8D, the length of the conductor layer 125 is 400 μm, which is 25% of the length of the conductor layers 115 and 135. In FIG. 8, an ellipse with a two-dot chain line conceptually represents the magnitude of inductive coupling between adjacent conductor layers.

図9は、第1ないし第4のモデルの通過・減衰特性を示している。図9では、導体層125の長さが1600μmである第1のモデルの特性を点線で表し、導体層125の長さが1200μmである第2のモデルの特性を実線で表し、導体層125の長さが800μmである第3のモデルの特性を破線で表し、導体層125の長さが400μmである第4のモデルの特性を一点鎖線で表している。   FIG. 9 shows the pass / attenuation characteristics of the first to fourth models. In FIG. 9, the characteristic of the first model in which the length of the conductor layer 125 is 1600 μm is represented by a dotted line, and the characteristic of the second model in which the length of the conductor layer 125 is 1200 μm is represented by a solid line. The characteristic of the third model whose length is 800 μm is represented by a broken line, and the characteristic of the fourth model whose length of the conductor layer 125 is 400 μm is represented by a dashed line.

図9から分かるように、導体層125の長さが小さくなるほど、通過・減衰特性を示す曲線のうちの減衰極の近傍の部分における傾きが大きくなっている。なお、図9に示した例では、2.17GHzにおける減衰量は、第2のモデルにおいて最も大きくなっている。   As can be seen from FIG. 9, the smaller the length of the conductor layer 125, the greater the slope in the vicinity of the attenuation pole in the curve showing the pass / attenuation characteristics. In the example shown in FIG. 9, the attenuation at 2.17 GHz is the largest in the second model.

図9に示した結果から、導体層115,135の長さに対する導体層125の長さの比率を変えることによって、バンドパスフィルタの特性、特にバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す曲線のうちの減衰極の近傍の部分における傾きを容易に調整できることが分かる。   From the results shown in FIG. 9, by changing the ratio of the length of the conductor layer 125 to the length of the conductor layers 115 and 135, the curve of the bandpass filter characteristics, particularly the pass / attenuation characteristics of the bandpass filter is shown. It can be seen that the inclination in the vicinity of the attenuation pole can be easily adjusted.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、インダタク11〜13をそれぞれ3つの共振器用導体層によって構成したが、インダタク11〜13は、それぞれ、1つまたは2つの共振器用導体層によって構成してもよいし、4つ以上の共振器用導体層によって構成してもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible. For example, in the embodiment, each of the inductors 11 to 13 is configured by three resonator conductor layers, but each of the inductors 11 to 13 may be configured by one or two resonator conductor layers. You may comprise by the conductor layer for two or more resonators.

また、本発明の電子部品は、バンドパスフィルタに限らず、複数の共振器を備えた電子部品全般に適用することができる。本発明の電子部品は、少なくとも第1の共振器と第2の共振器を備えていればよく、電子部品に含まれる共振器は、2つでもよいし、4つ以上であってもよい。   Further, the electronic component of the present invention is not limited to the band-pass filter, and can be applied to all electronic components including a plurality of resonators. The electronic component of the present invention only needs to include at least a first resonator and a second resonator, and the electronic component may include two resonators or four or more resonators.

本発明の電子部品は、ブルートゥース規格の通信装置や無線LAN用の通信装置において用いられるフィルタ、特にバンドパスフィルタとして有用である。   The electronic component of the present invention is useful as a filter, particularly a band-pass filter, used in a Bluetooth standard communication device or a wireless LAN communication device.

本発明の一実施の形態に係る電子部品の主要部分を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the principal part of the electronic component which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る電子部品の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the electronic component which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における共振器用導体層を示す平面図である。It is a top view which shows the conductor layer for resonators in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における積層基板の1層目ないし3層目の誘電体層の上面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the upper surface of the 1st layer thru | or the 3rd dielectric layer of the laminated substrate in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における積層基板の4層目ないし6層目の誘電体層の上面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the upper surface of the 4th layer thru | or 6th dielectric layer of the laminated substrate in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態における積層基板の7層目ないし9層目の誘電体層の上面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the upper surface of the 7th thru | or 9th dielectric layer of the laminated substrate in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る電子部品の効果を示すシミュレーションで用いた第1ないし第4のモデルを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st thru | or 4th model used in the simulation which shows the effect of the electronic component which concerns on one embodiment of this invention. 図8に示した第1ないし第4のモデルの通過・減衰特性を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing pass / attenuation characteristics of the first to fourth models shown in FIG. 8.

符号の説明Explanation of symbols

1…電子部品、2…入力端子、3…出力端子、4〜6…共振器、11〜13…インダクタ、14〜19…キャパシタ、20…積層基板、111〜113,121〜123,131〜133…共振器用導体層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component, 2 ... Input terminal, 3 ... Output terminal, 4-6 ... Resonator, 11-13 ... Inductor, 14-19 ... Capacitor, 20 ... Multilayer substrate, 111-113, 121-123, 131-133 ... conductor layer for resonators.

Claims (12)

積層された複数の誘電体層を含む積層基板と、前記積層基板内に設けられた複数の共振器とを備えた電子部品であって、
前記複数の共振器は、第1および第2の共振器を含み、
前記第1の共振器は、前記積層基板内に設けられた第1の共振器用導体層を有し、
前記第2の共振器は、前記積層基板内に設けられた第2の共振器用導体層を有し、
前記第1の共振器用導体層と第2の共振器用導体層は、誘導性結合し且つ電磁波の進行方向についての長さが異なることを特徴とする電子部品。
An electronic component comprising a laminated substrate including a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of resonators provided in the laminated substrate,
The plurality of resonators include first and second resonators;
The first resonator has a first resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The second resonator has a second resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The electronic component according to claim 1, wherein the first resonator conductor layer and the second resonator conductor layer are inductively coupled and have different lengths in the traveling direction of electromagnetic waves.
前記第1の共振器は、更に、前記第1の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタを有し、
前記第2の共振器は、更に、前記第2の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第2のキャパシタを有し、
前記第1および第2の共振器用導体層の各他端部はグランドに接続されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
The first resonator further includes a first capacitor provided between one end of the first resonator conductor layer and the ground,
The second resonator further includes a second capacitor provided between one end of the second resonator conductor layer and the ground,
2. The electronic component according to claim 1, wherein each of the other end portions of the first and second resonator conductor layers is connected to a ground.
前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さく、
前記第2のキャパシタのキャパシタンスは、前記第1のキャパシタのキャパシタンスよりも大きいことを特徴とする請求項2記載の電子部品。
The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves is smaller than the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves,
The electronic component according to claim 2, wherein a capacitance of the second capacitor is larger than a capacitance of the first capacitor.
前記複数の共振器は、更に第3の共振器を含み、
前記第3の共振器は、前記積層基板内に設けられた第3の共振器用導体層を有し、
前記第2の共振器用導体層は、第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層との間に配置され、
前記第3の共振器用導体層と第2の共振器用導体層は誘導性結合し、
前記第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さと等しく、
前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび前記第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さと異なっていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
The plurality of resonators further includes a third resonator,
The third resonator has a third resonator conductor layer provided in the multilayer substrate,
The second resonator conductor layer is disposed between the first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer;
The third resonator conductor layer and the second resonator conductor layer are inductively coupled,
The length of the third resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is equal to the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave,
The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves is the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves and the traveling direction of the electromagnetic waves in the third resonator conductor layer. The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component has a length different from that of the electronic component.
前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび前記第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さいことを特徴とする請求項4記載の電子部品。   The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves is the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves and the traveling direction of the electromagnetic waves in the third resonator conductor layer. The electronic component according to claim 4, wherein the electronic component is smaller than the length of. 前記第1の共振器用導体層と第3の共振器用導体層は、前記第2の共振器用導体層を通り第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向に平行な仮想の直線を中心として線対称となる形状を有していることを特徴とする請求項4または5記載の電子部品。   The first resonator conductor layer and the third resonator conductor layer pass through the second resonator conductor layer and are centered on an imaginary straight line parallel to the traveling direction of the electromagnetic wave of the second resonator conductor layer. 6. The electronic component according to claim 4, wherein the electronic component has a symmetrical shape. 前記第1の共振器は、更に、前記第1の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタを有し、
前記第2の共振器は、更に、前記第2の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第2のキャパシタを有し、
前記第3の共振器は、更に、前記第3の共振器用導体層の一端部とグランドとの間に設けられた第3のキャパシタを有し、
前記第1ないし第3の共振器用導体層の各他端部はグランドに接続されていることを特徴とする請求項4記載の電子部品。
The first resonator further includes a first capacitor provided between one end of the first resonator conductor layer and the ground,
The second resonator further includes a second capacitor provided between one end of the second resonator conductor layer and the ground,
The third resonator further includes a third capacitor provided between one end of the third resonator conductor layer and the ground.
5. The electronic component according to claim 4, wherein each of the other end portions of the first to third resonator conductor layers is connected to a ground.
前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さおよび前記第3の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さよりも小さく、
前記第2のキャパシタのキャパシタンスは、前記第1のキャパシタのキャパシタンスおよび前記第3のキャパシタのキャパシタンスよりも大きいことを特徴とする請求項7記載の電子部品。
The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves is the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of electromagnetic waves and the traveling direction of the electromagnetic waves in the third resonator conductor layer. Smaller than the length about
The electronic component according to claim 7, wherein a capacitance of the second capacitor is larger than a capacitance of the first capacitor and a capacitance of the third capacitor.
前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さの25%以上100%未満であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の電子部品。   The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is 25% or more and less than 100% of the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. The electronic component according to claim 1. 前記第2の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さは、前記第1の共振器用導体層の電磁波の進行方向についての長さの25%以上75%以下であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の電子部品。   The length of the second resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave is 25% or more and 75% or less of the length of the first resonator conductor layer in the traveling direction of the electromagnetic wave. The electronic component according to claim 1. 前記複数の共振器は、いずれも、一端が開放され他端が短絡された1/4波長共振器であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の電子部品。   11. The electronic component according to claim 1, wherein each of the plurality of resonators is a quarter wavelength resonator having one end opened and the other end short-circuited. 更に、前記積層基板の外周部に配置された入力端子および出力端子を備え、
前記複数の共振器は、回路構成上、前記入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現することを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の電子部品。
Furthermore, an input terminal and an output terminal disposed on the outer peripheral portion of the multilayer substrate are provided,
The electronic component according to claim 1, wherein the plurality of resonators are provided between the input terminal and the output terminal in a circuit configuration to realize a function of a band-pass filter. .
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