JP2008128681A - 干渉計、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低時間コヒーレンス光源を用い、精度劣化がなく偏光照明時の収差計測が容易である干渉計を提供する。
【解決手段】ＴＳレンズ４からの参照光束５、及び被検物８の光軸からわずかにずれる凹球面状ミラー９からの被検光束７を干渉縞形成部６の回折格子で複数次数の回折光に分割する。分割後の参照光束５の内１つの波面情報を干渉縞形成部６のマスクで消し、１つの波面だけを該マスクで選択する。分割後の干渉光束７の内１つの波面情報を該マスクで消し、１つの波面だけを該マスクで選択する。該回折格子を走査し、４つ以上の波面の内少なくとも２つの位相を変化させ、分割後の参照光同士、分割後の被検光同士を合成し干渉縞を得る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、干渉計、露光装置及びデバイス製造方法に関する。

半導体回路素子を製造する際に、レチクルやマスク（以下レチクルと総称する）に描画されている原画パターンを、投影光学系を使用してウェハに転写する露光装置が使用されてきた。
露光装置では、レチクルの原画パターンを所定の倍率で正確にウェハに転写することが必要であり、そのためには収差が抑えられた投影光学系を用いなければならない。
さらに、近年の半導体回路の微細化に伴い、投影光学系に要求される性能はより一層厳しいものとなっている。
従来、光学部品の面形状及び透過波面を測定する際には、大部分が共通光路であり大気の揺らぎや振動の影響を受けにくいフィゾー型の干渉計が最も多く使用されてきた。
投影光学系を露光装置上で測定する際には、露光波長に対して収差を最適化する必要があり、露光光源を使用して収差計測を行うことが望ましい。

しかしながら、ＡｅＦエキシマレーザ等の光源は低時間コヒーレントであるため、フィゾー型の干渉計を用いることができない。
そこで、米国特許第５８３５２１７号公報（特許文献１）により、トワイマングリーン干渉計、シアリング干渉計、ポイントディフラクション干渉計（ＰＤＩ）等が提案されている。
また、特開２００４−２７３４８２号公報（特許文献２）により、光学系の収差の大きさに関わらず、高精度に波面収差を測定することができる収差測定装置が提案されている。
さらに、特開２０００−２７７４１１号公報（特許文献３）により、投影露光装置の投影光学系の波面収差を投影露光装置上で直接測定可能とする露光装置が提案されている。
さらに、特開２０００−２７７４１２号公報（特許文献４）により、レチクル面上のパターンをウェハ面上に投影する投影光学系の波面収差、像面湾曲等の光学性能を測定することができる干渉計を搭載した投影露光装置が提案されている。
米国特許第５８３５２１７号公報 特開２００４−２７３４８２号公報 特開２０００−２７７４１１号公報 特開２０００−２７７４１２号公報

しかし、シアリング干渉計は差分波面の計測となるため、波面への積分の際の精度劣化が発生するとともに、瞳全体の測定が不可能という問題を抱えている。
トワイマングリーン型等の従来の干渉計を露光装置上で構成するためには、参照光と被検光の光路長を等しくするための光路が必要となり、干渉計サイズが大きくなるだけでなく、外乱による測定精度の悪化が発生してしまう。
また、形状誤差（干渉計自体が持つ収差）を事前に計測しておき被検物計測結果から減算する必要がある。
この場合、計測時間が長くなるだけでなく、形状誤差の経時変化により精度劣化が生じてしまう問題があった。
ポイントディフラクション干渉計（ＰＤＩ）ではレチクル面、もしくはウェハ面にピンホールを配置し球面波を生成するのが主流である。
しかし、ポイントディフラクション干渉計では大きい開口数ＮＡピンホールの偏光透過特性により、偏光照明時の波面測定が困難という問題があった。

そこで、本発明は、精度劣化が少なく、偏光照明時の収差計測が容易である干渉計を提供することを例示的な目的とする。

本発明の一側面としての干渉計は、光を供給する光源と、参照光を生成する手段と、被検光を生成する手段とを有する干渉計であって、前記参照光と前記被検光を、各々２つ以上の波面に分割する分割手段と、前記分割された参照光の内、１つの波面情報を消す第１の消去手段と、前記分割された被検光の内、１つの波面情報を消す第２の消去手段と、前記の分割された参照光の内、１つの波面だけを選択する第１の選択手段と、前記の分割された被検光の内、１つの波面だけを選択する第２の選択手段と、前記４つ以上の波面の内、少なくとも２つの位相を変化させる位相変化手段と、前記分割された参照光同士及び前記分割された被検光同士を合成し干渉縞を得る合成手段とを有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされる。

精度劣化が少なく、偏光照明時の収差計測が容易である干渉計を提供することが可能となる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。

図１を参照して、本発明の実施例１の干渉計を説明する。図１は、本発明の実施例１の干渉計の構成を示す概略説明図である。
図１に示すように、光源１から供給された光ビームは、ビームエキスパンダー２により所望の光束径に整形され、ハーフミラー３を透過し、参照光を生成する手段であるＴＳレンズ４に入射する。
ＴＳレンズ４に入射した光ビームの一部である参照光束５は、ＴＳレンズ４の最終面（参照面）で垂直反射され、同一光路でＴＳレンズ４を出射し、ハーフミラー３で反射された後に干渉縞形成部６に垂直導光される（図２参照）。

また、一方、ＴＳレンズ４を透過した光ビームの一部である被検光束７は、被検物８に導光される。
被検物８を透過した被検光束７は、被検物８の光軸からわずかにずらして置かれた被検光を生成する手段である凹球面状ミラー９によって反射され、ふたたび被検物８を透過した後にＴＳレンズ４に出射する。
ＴＳレンズ４を出射した被検光束７はハーフミラー３で反射され、わずかに傾いて干渉縞形成部６に導光される（図２参照）。

次に、図２を参照して、干渉縞形成部６の詳細を説明する。
干渉縞形成部６に垂直導光された参照光束５、及び、わずかに光軸から傾いて導光された被検光束７は、分割手段である回折格子１０で複数次数の回折光に分割される。
回折光は、レンズ１１によって集光され、レンズ１１の集光点に置かれたマスク１２に集光された後、レンズ１３を経て受光素子１４に入射する。
ここで、マスク１２の詳細な構成を図３に示す。マスク１２は、所定位置に２つのピンホール１２ａ，１２ｃと２つの窓１２ｂ，１２ｄを有している。
２つのピンホール１２ａ，１２ｃ及び窓１２ｂ，１２ｄは、本例では図示の如く円形状の開口の構成が採用されている。

ピンホール１２ａは、前記分割された参照光である参照光束５の内、１つの波面情報を消す第１の消去手段である。ピンホール１２ｃは、前記分割された被検光である被検光束７の内、１つの波面情報を消す第２の消去手段である。
窓１２ｂは、前記分割された参照光束５の内、１つの波面だけを選択する第１の選択手段である。窓１２ｄは、前記分割された被検光である被検光束７の内、１つの波面だけを選択する第２の選択手段である。
一方、分割手段である回折格子１０の駆動手段１０ａは、回折格子１０を光軸の垂直方向、かつ回折格子１０が並んでいる方向に平行に駆動し、これにより参照光束５及び被検光束７に対して走査し、複数次数の回折光に分割する。
なお、回折格子１０及び駆動手段１０ａにより、回折光の位相を変化させ、後述する受光素子１４に観測される干渉縞の位相変調速度を変化させるための位相変化手段が構成されている。

図４にマスク１２とそれを通過する光線（参照光束５、被検光束７）を示す。
参照光束５の０次回折光５ａはピンホール１２ａを通過し、理想球面波として出射される。また、参照光束５の＋１次回折光５ｂは窓１２ｂを通過し、収差情報を含んだまま出射される。
この２光束はレンズ１３によって平行光にされ、合成手段である受光素子１４上で干渉縞を形成する。
同様に、被検光束７の＋１次回折光５ｃはピンホール１２ｃを通過し、理想球面波として出射される。また、被検光束７の−１次回折光５ｄは窓１２ｄを通過し、収差情報を含んだまま出射される。
この２光束はレンズ１３によって平行光にされ、合成手段である受光素子１４上で干渉縞を形成する。
駆動手段１０ａにより走査される位相変化手段である回折格子１０は、その走査により、回折光の前記４つ以上の波面の内、少なくとも２つの位相を後述するように変化させる。

一方、干渉縞形成部６は一回結像かつ拡大系の光学系となっており、マスク１２はＴＳレンズ４の集光点と共役な面に配置されている。
この場合、マスク１２は、被検物８の物体面、像面にマスクを配置するよりも小さい開口数ＮＡに配置することが可能であり、大きい開口数ＮＡピンホールの偏光透過特性、及びマスク製作の観点で有利である。
即ち、マスク１２における、第１、第２の消去手段であるピンホール１２ａ、１２ｃ、第１、第２の選択手段である窓１２ｂ、１２ｄを、被検物８の開口数ＮＡに対し開口数ＮＡの小さい瞳結像系に配置することの利点を指す。
以上の構成を経て、合成手段である受光素子１４上に形成された上記２つの干渉縞情報は、不図示のホストコンピュータ等に転送され解析される。

ここで光源１が低時間コヒーレンスであるため、参照光束５と被検光束７は干渉性がなく、合成手段である受光素子１４上では参照光束５の回折光同士による干渉縞と、被検光束７の回折光同士による干渉縞の和のみが観測される。
通常、ポイントディフラクション干渉計（ＰＤＩ）で得られる干渉縞はチルト縞を含むので電子モアレ法、フーリエ変換法等の解析手法により波面計測が可能である。
しかしながら、実施例１で得られる干渉縞は２つの干渉縞の和であり、上記手法では波面計測が困難である。
しかし駆動手段１０ａで回折格子１０を格子のピッチ方向に走査することで０次光以外の回折光の位相を変化させることが可能であり、所謂フリンジスキャン法を採用することで干渉縞の位相分離計算、波面計測が可能となる。
即ち、参照光同士による干渉縞と、被検光同士による干渉縞とで、干渉縞の取得に使用する回折光の次数を変えることにより、干渉縞の位相変調速度を変えて、参照光及び被検光の波面を同時に算出することが可能である。

以下、干渉縞位相変調の分離方法、波面計算方法の説明をする。
ピッチｐの回折格子１０をピッチ方向にΔｘだけずらした時の位相シフト量Δφは式（１）のように、Δｘ、ｐ、次数ｍの関数で表される。
Δφ＝２π×ｍ×Δｘ／ｐ （１）
したがって、参照光の０次回折光５ａと参照光の＋１次回折光５ｂの位相差は式（２）のように表すことができる。
Δφ＝２π×Δｘ／ｐ （２）
一方、被検光の＋１次回折光５ｃと被検光の−１次回折光５ｄの位相差は式（３）のように表すことができる。
Δφ＝２×２π×Δｘ／ｐ （３）

よって、参照光束５の回折光同士による干渉縞と被検光束７の回折光同士による干渉縞で選択する回折次数を変えることで、走査速度を変えることが可能である。
ここでフリンジスキャンを行った際の、任意な受光素子１４上１点の強度変調の例を図５中の（ａ）に示す。
参照光束５の回折光同士による干渉縞の強度変調（即ち図５中の（ｂ））と被検光束７の回折光同士による干渉縞の強度変調（図５中の（ｃ））は変調速度が異なり、周期の異なる２つの正弦波の和として観測される。
定数項をａ、振幅をｂ、被測定光の収差と干渉領域内の位置で決まる初期位相をφ、格子移動の分割数をＮとすると、第ｎ分割目の参照光の強度変調ＩＴは式（４）、被検光の強度変調ＩＲは式（５）のように表すことができる。

したがって、受光素子１４上１点の強度変調Ｉは式（６）で表される。ここで添え字Ｔは参照光、添え字Ｒは被検光を示す。

バケット法で、格子移動分割数Ｎ＝８の間に２πの位相変調を行う場合を例にとって、計算方法について以下に説明する。
式（６）のｎにステップ数を代入することで、それぞれのステップにおける強度Ｉｎが得られる。
第０ステップ（ｎ＝０）での強度Ｉ０から、第８ステップ（ｎ＝８）での強度Ｉ８を使用すると、参照光干渉縞の強度変調の初期位相φＴ、被検光干渉縞の強度変調の初期位相φＲは式（７）と式（８）で表される。

これまで受光素子１４上の任意の１点での強度変調に注目してきたが、干渉領域全面で上記強度測定を行い式（７）と式（８）を用いて同時に計算を行うことで、全面に渡り初期位相 を求めることができる。
参照光の波面Ｗ１、被検光の波面Ｗ２はそれぞれ式（９）と式（１０）で表される。

Ｗ１には干渉計内部の収差情報、Ｗ２には干渉計内部の収差情報と被検物８の収差情報が含まれており、最終的に求める被検物８の収差情報Ｗ３は式（１１）によって求められる。
Ｗ_３＝Ｗ_２−Ｗ_１ （１１）

以上の手段により、１度の計測で被検物８の収差と形状誤差を同時計測し減算することで、被検物８の収差情報を精度良く取得することがでる。
上記の各演算は、上記ホストコンピュータ、又は例えば干渉計にあらかじめ備わる演算手段としてのＣＰＵが実行する。
また、干渉縞形成部６を開口数ＮＡの小さい瞳結像系に配置することで、大開口数ＮＡピンホールの偏光透過特性の影響はなく、偏光照明時の波面を容易に計測することができる。
なお、実施例１では参照光の回折光として０次光と＋１次光、被検光の回折光として＋１次光と−１次光を選択したが、この組み合わせに限らず走査速度を変えられる回折次数を選択してもよい。

また、実施例１では２つのピンホール１２ａ，１２ｃと２つの窓１２ｂ，１２ｄからなるマスク１２の構成について記載した。
しかし、干渉縞形成部６への入射角を調整することで、図６に示すように１つのピンホール（第１、第２の消去手段）１２ｅと２つの窓（第１、第２の選択手段）１２ｆ，１２ｇでマスク１２を構成しても良い。
回折光の選択例としては、ピンホール１２ｅに参照光の０次回折光と被検光の＋１次回折光を、窓１２ｆに参照光の＋１次回折光を、窓１２ｇに被検光の−１次回折光を入射させる方法が挙げられる。
以上本発明の実施例１においては、上記マスク１２及び駆動手段１０ａを有するため、低時間コヒーレンスの光源１を使用しても、被検物８の高精度な波面計測が可能となる。
また、実施例１においては、その構成を有するため、偏光照明の影響が少ない高精度な波面計測が可能となり、偏光照明時の被検物８の収差計測が容易である。

次に、本発明の実施例２を説明する。
図７は、本発明の実施例２における上記干渉計の構成を搭載した露光装置の要部構成を概略的に示す概略構成図である。なお、図７において図１に示す部分と同一部分には同一符号を付して説明を省略又は簡略する。
図７に示す投影レンズ１８は、図１に示す被検物８に相当する。本発明の実施例２では、レチクルパターンをウェハに露光するための露光用の光源１を使用して波面計測を行うことが可能である。
ウェハ露光時には、切り替えミラー１５、ミラー１７、ＴＳレンズ４を退避させるとともに、不図示のウェハを保持したウェハチャック２０を載置するウェハステージ１９を移動させ、そのウェハを露光位置に移動させる。
その状態において、露光用の光源１からの光束を照明光学系２１に導光し、照明光学系２１からの光束を遮ることなくウェハ露光を行うことができる。

以下、本例の露光装置における波面計測方法について説明する。
まず、凹球面状ミラー（被検光を生成する手段）９を備える上記ウェハステージ１９を移動させ、投影レンズ１８を透過する被検光束の光軸からわずかにずれる位置に凹球面状ミラー９を位置させる。
凹球面状ミラー９が被検光束の光軸からわずかにずれるとは、例えば凹球面状ミラー９の中軸位置がその光軸からわずかにずれるものであるが、その姿勢がわずかにずれる等、あらかじめ定める任意のわずかなずれである。
この状態で光源１から出射した光束は、切り替えミラー１５、ミラー１６によって反射され、ビームエキスパンダー２に入射する。その後、光束はハーフミラー３を透過してミラー１７で反射され、ＴＳレンズ４に入射する。

ここでＴＳレンズ４に入射した光束の一部（参照光束）は、ＴＳレンズ４の最終面（参照面）で垂直反射され、同一光路でＴＳレンズ４を出射し、ミラー１７、ハーフミラー３で反射された後に干渉縞形成部６に垂直導光される。
干渉縞形成部６に垂直導光された参照光束は、図２に示したように、回折格子１０、レンズ１１、マスク１２、及びレンズ１３を経て受光素子１４に干渉縞を形成する。
一方、ＴＳレンズ４を透過した被検光束は、投影レンズ１８に導光される。投影レンズ１８を透過した被検光束は、ウェハステージ１９上の投影レンズ１８の光軸からわずかにずれる凹球面状ミラー９から反射する。

凹球面状ミラー９から反射した被検光束は、ふたたび投影レンズ１８を透過した後、ＴＳレンズ４を出射し、ミラー１７、ハーフミラー３で反射され、わずかに傾いて干渉縞形成部６に導光される。
干渉縞形成部６にわずかに傾いて導光された被検光束は、同じく図２に示したように、回折格子１０、レンズ１１、マスク１２、及びレンズ１３を経て受光素子１４に干渉縞を形成する。
受光素子１４上の上記２つの干渉縞は、不図示のホストコンピュータ、又は例えば露光装置に備わる不図示のＣＰＵによる高精度な波面計測の解析に用いられる。

実施例２による干渉計形成部６に入射後の干渉縞形成方法、収差測定方法、収差計算方法は、上記実施例１と同様であり、投影レンズ１８の透過波面を同じく精度良く測定することが可能である。
本発明の実施例２の露光装置は、干渉縞形成部６を有するため、低時間コヒーレンスの露光用の光源１を使用しても、投影レンズ１８の高精度な波面計測が可能となる。
しかも、この露光装置は、干渉縞形成部６を有するため、偏光照明の影響をあまり受けずに投影レンズ１８の高精度な波面計測が可能となり、かつ偏光照明時の投影レンズ１８の収差計測が容易である。
このため、投影光学系（投影レンズ１８）の収差変化を精密に測定し補正することが可能となり、露光精度の安定した信頼性をより向上させ、デバイス製造の品質信頼性をより向上させることが可能である。

（デバイス製造方法の実施例）
次に、図８及び図９を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスク（又はレクチル）を製作する。
ステップＳ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。

ステップＳ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程である。
この半導体チップ化する工程ではアッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。

図９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップＳ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）ではウェハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では上記露光装置によりマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップＳ１７（現像）では露光したウェハを現像する。
ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本発明の実施例のデバイス製造方法では、上記の露光装置を用いるため、露光精度のより安定した信頼性の向上により、より品質信頼性の高いデバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

本発明の実施例１の干渉計の構成を示す概略構成図である。 実施例１の干渉計の干渉縞形成部の詳細な構成を示す内部構成図である。 実施例１の干渉計のマスクの詳細な構成を模式的に示す模式図である。 実施例１の干渉計のマスクとそれを通過する参照光束、被検光束との関係の一例を説明する説明図である。 実施例１の干渉計においてフリンジスキャンを行った際の各光束（干渉縞を含む）の強度変調の比較を示すグラフ図である。 実施例１の干渉計のマスクの一変形例を模式的に示す模式図である。 本発明の実施例２における上記干渉計の構成を搭載した露光装置の要部構成を概略的に示す概略構成図である。 実施例２の露光装置を使用したデバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図８に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１ 光源
２ ビームエキスパンダー
３ ハーフミラー
４ ＴＳレンズ
５ 参照光束
５ａ ０次回折光
５ｂ ＋１次回折光
５ｃ ＋１次回折光
５ｄ −１次回折光
６ 干渉縞形成部
７ 被検光束
８ 被検物
９ 凹球面状ミラー
１０ 回折格子
１１ レンズ
１２ マスク
１２ａ，１２ｃ，１２ｅ ピンホール
１２ｂ、１２ｄ、１２ｆ、１２ｇ 窓
１３ レンズ
１４ 受光素子
１５ 切り替えミラー
１６ ミラー
１７ ミラー
１８ 投影レンズ
１９ ウェハステージ
２０ ウェハチャック
２１ 照明光学系

Claims (9)

1. 光を供給する光源と、
   参照光を生成する手段と、
   被検光を生成する手段とを有する干渉計であって、
   前記参照光と前記被検光を、各々２つ以上の波面に分割する分割手段と、
   前記分割された参照光の内、１つの波面情報を消す第１の消去手段と、
   前記分割された被検光の内、１つの波面情報を消す第２の消去手段と、
   前記の分割された参照光の内、１つの波面だけを選択する第１の選択手段と、
   前記の分割された被検光の内、１つの波面だけを選択する第２の選択手段と、
   前記４つ以上の波面の内、少なくとも２つの位相を変化させる位相変化手段と、
   前記分割された参照光同士及び前記分割された被検光同士を合成し干渉縞を得る合成手段と、を有することを特徴とする干渉計。
2. 前記分割手段は、回折格子から成ることを特徴とした請求項１記載の干渉計。
3. 前記位相変化手段は、前記回折格子と、前記回折格子を光軸の垂直方向、かつ、前記回折格子が並んでいる方向に平行に駆動し、走査する駆動手段と、を有することを特徴とした請求項２記載の干渉計。
4. 前記参照光同士による前記干渉縞と、前記被検光同士による前記干渉縞とで、前記干渉縞の取得に使用する回折光の次数を変えることにより、前記干渉縞の位相変調速度を変え、
   前記参照光及び前記被検光の波面を同時に算出することを特徴とした請求項１から３のいずれかに記載の干渉計。
5. 前記参照光の波面の算出には、前記参照光の０次回折光と＋１次回折光を使用し、又は、前記参照光の０次回折光と−１次回折光を使用し、
   前記被検光の波面の算出には、前記被検光の＋１次回折光と−１次回折光を使用することを特徴とした請求項１から４のいずれかに記載の干渉計。
6. 前記第１の消去手段、前記第２の消去手段は、１つ又は２つのピンホールを含み、
   前記第１の選択手段、前記第２の選択手段は、２つの窓を含むことを特徴とした請求項１から５のいずれかに記載の干渉計。
7. 前記第１の消去手段、前記第２の消去手段、前記第１の選択手段、前記第２の選択手段は、被検物の開口数ＮＡに対して開口数ＮＡの小さい瞳結像系に配置されることを特徴とした請求項１から６のいずれかに記載の干渉計。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の干渉計を搭載したことを特徴とする露光装置。
9. 請求項８記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、
   前記ウェハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。

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