JP2008127294A - ピレン系化合物、該化合物を用いた有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱質量分析において、下記式で定義される400℃の質量減少率D400が1.0%以下のピレン系化合物。 D400={(Gi−G400)/Gi}×100
【選択図】なし
Description
(1)熱質量分析において、下記式で定義される400℃の質量減少率D400が1.0%以下で、且つ下記一般式(1)〜(3)の化合物の少なくとも1つを含有することを特徴とするピレン系化合物。
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
(2)多段昇華精製により得られることを特徴とする前記1に記載のピレン系化合物。
(3)分別昇華精製により得られることを特徴とする前記1に記載のピレン系化合物。
(4)高沸点有機溶媒中で加熱処理して得られることを特徴とする前記1に記載のピレン系化合物。
(5)アシッドペースト処理により得られることを特徴とする前記1に記載のピレン系化合物。
(6)導電性支持体上に感光層を有する有機感光体において、感光層が、下記式で定義される400℃の質量減少率D400が1.0%以下であり、且つ一般式(1)〜(3)の少なくとも1つのピレン系化合物を含有することを特徴とする有機感光体。
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
(7)有機感光体上に発振波長が350〜500nmの半導体レーザ又は発光ダイオードの書込み光源を用いて静電潜像を形成する露光工程を有し、該静電潜像をトナー像に顕像化する現像工程を有する画像形成方法において、前記有機感光体が導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記式で定義される400℃の質量減少率D400が、1.0%以下であり、且つ下記一般式(1)〜(3)の少なくとも1つのピレン系化合物を含有することを特徴とする画像形成方法。
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
(8)有機感光体上に発振波長が350〜500nmの半導体レーザ又は発光ダイオードの書込み光源を用いて静電潜像を形成する露光手段を有し、該静電潜像をトナー像に顕像化する現像手段を有する画像形成装置において、前記有機感光体が導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記式で定義される400℃の質量減少率D400が、1%以下であり、且つ下記一般式(1)〜(3)の少なくとも1つのピレン系化合物を含有することを特徴とする画像形成装置。
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
又、一般式(1)〜一般式(3)で表されるピレン系化合物は、それぞれが互いに構造異性体の化合物であり、上記縮合反応において生成する化合物は、これら構造異性体の混合物として生成し得るが、これらは単離することなく使用しても本発明の効果を良好に発揮できる。以下に記す一般式(1)〜一般式(3)の具体例においては、それぞれの化合物で構造異性体を取り得ることを前提としている。又、後述する実施例においては、構造異性体の混合物をそのまま用いて、有機感光体を作製している。
3,8−ジフェニルピレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物2.5g(0.005モル)、o−フェニレンジアミン1.6g(0.015モル)、無水塩化亜鉛0.1g(0.001モル)を、キノリン50ml中2時間加熱還流し、析出した結晶を濾取した。アセトン、メタノールで洗浄した後乾燥し、2.8g(88%)の例示化合物CGM−1を得た。
多段昇華精製とは、2段階以上の昇華工程を含むものである。最初の段階は、顔料の昇華温度よりわずかに高い温度で、有効量、例えば約1〜10質量%の昇華物を第1基体上に凝縮させる。引き続き、第2段階では昇華温度を10〜100℃の範囲で上げ、昇華物を第2基体上に凝縮させることにより、揮発性不純物や分解不純物を含まない高純度の顔料を得ることができる。場合によっては、3段階以上の工程を含んでも良い。
合成例1で得られたピレン系化合物(CGM−1)5gをるつぼに入れ、昇華装置のチャンバを約10-3〜10-4Torrに減圧した後、るつぼの温度を420℃にて上げて10分間維持し、加熱を止めた。るつぼが200℃以下になった時チャンバ内を大気圧にし、コレクタ基体から昇華物0.5g(第1段の昇華CGM−1)を集めた。次いで、昇華装置のチャンバを約10-3〜10-4Torrに減圧した後、るつぼの温度を450℃にて2時間加熱した。冷却後コレクタ基体に付着した昇華物4.2gのピレン系化合物(第2段の昇華CGM−1)を得た。該CGM−1の質量減少率は0.5%であった。
分別昇華精製とは、まず顔料を第1位置で温度T1に加熱して顔料及びそれに含まれる揮発性不純物の蒸発を行い、次いでT1より低い温度T2に保った第2位置にて顔料蒸気を凝縮させ、続いてT2より低い温度T3に保った第3位置にて揮発性不純物の蒸気を凝縮させることによって行う。非昇華性不純物は出発物質をおいた第1位置に残存し、揮発性不純物からも分離した精製顔料が得られる。本発明の分別昇華法は、トレイン昇華のような公知の精製方法を含む。
合成例1で得られたピレン系化合物(CGM−1)5gをパイレックス(登録商標)ガラスチューブに入れ、このチューブを、チューブの長さに沿って約480℃〜約20℃の温度勾配(1mの長さで、約480℃〜約20℃の温度勾配をつけた)を生ずる炉の内側に置いた。ガラスチューブ内を約10-3〜10-4Torrに減圧し、精製すべきピレン系顔料が置かれた位置を約480℃に加熱した。生成した蒸気をチューブの低温側に移動、凝縮させ、約300〜420℃の間の領域に凝縮した昇華物4.4gのピレン系化合物(CGM−1)を得た。該CGM−1の質量減少率は0.24%であった。
高沸点溶媒中で加熱処理とは、未精製顔料を沸点150℃以上の高沸点溶媒中で加熱することにより再結晶または洗浄し、高沸点溶媒に対する溶解性の高い不純物を除去することである。本発明において好ましい高沸点溶媒としては、o−ジクロロベンゼン、1−クロロナフタレン、ニトロベンゼン、キノリン、スルホラン等が挙げられる。
合成例1で得られたピレン系化合物(CGM−1)5gをるつぼに入れ、昇華装置のチャンバを約10-3〜10-4Torrに減圧した後、るつぼの温度を450℃に上げて2時間加熱した。冷却後チャンバ内を大気圧にし、コレクタ基体に付着した昇華物4.5gを得た。次いで、該昇華物1.0gをキノリン100mlに懸濁させ、200℃にて1時間加熱した後濾過し、アセトン、次いでメタノールにて洗浄し、乾燥させて、精製したCGM−1を得た。該CGM−1の質量減少率は0.51%であった。
アシッドペースト処理とは、顔料を硫酸、クロロ硫酸、トリフルオロ酢酸等の強い酸に溶かして水に注いで微粒子化すると同時に水溶性無機不純物の除去処理及び顔料粒子のアモルファス化を促進する処理であり、フタロシアニン顔料ではよく用いられる処理技術である。本発明のピレン化合物のアシッドペースト処理には、トリフルオロ酢酸を用いて処理するのが好ましい。
合成例1で得られたピレン系化合物(CGM−1)5gをるつぼに入れ、昇華装置のチャンバを約10-3〜10-4Torrに減圧した後、るつぼの温度を450℃に上げて2時間加熱した。冷却後チャンバ内を大気圧にし、コレクタ基体に付着した昇華物4.5gを得た。次いで、該昇華物1.0gをトリフルオロ酢酸30mlに溶解し、これを水500mlに滴下した。沈殿した顔料をろ過し、200mlの水に懸濁させて洗浄した。洗浄液の電気伝導度が100μS/cm以下になるまで水洗を繰り返し、得られたウェットケーキを乾燥し、精製したCGM−1を得た。該CGM−1の質量減少率は0.76%であった。
1)導電性支持体上に感光層として電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した構成;
2)導電性支持体上に感光層として電荷発生層、第1電荷輸送層および第2電荷輸送層を順次積層した構成;
3)導電性支持体上に感光層として電荷輸送材料と電荷発生材料とを含む単層を形成した構成;
4)導電性支持体上に感光層として電荷輸送層および電荷発生層を順次積層した構成;
5)上記1)〜5)の感光体の感光層上にさらに表面保護層を形成した構成。
感光体に用いられる導電性支持体としてはシート状、円筒状のどちらを用いても良いが、画像形成装置をコンパクトに設計するためには円筒状導電性支持体の方が好ましい。
本発明においては導電性支持体と感光層の間に、中間層を設けることが好ましい。
測定条件:測定プローブ HRS
印加電圧:500V
測定環境:30±2℃、80±5RH%
体積抵抗が1×108未満では中間層の電荷ブロッキング性が低下し、黒ポチの発生が増大し、有機感光体の電位保持性も劣化し、良好な画質が得られない。一方1015Ω・cmより大きいと繰り返し画像形成で残留電位が増大しやすく、良好な画質が得られない。
本発明の感光体の感光層構成は前記中間層上に電荷発生機能と電荷輸送機能を1つの層に持たせた単層構造の感光層構成でも良いが、より好ましくは感光層の機能を電荷発生層(CGL)と電荷輸送層(CTL)に分離した構成をとるのがよい。機能を分離した構成を取ることにより繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく制御でき、その他の電子写真特性を目的に合わせて制御しやすい。負帯電用の感光体では中間層の上に電荷発生層(CGL)、その上に電荷輸送層(CTL)の構成を取ることが好ましい。
本発明の有機感光体には、電荷発生物質として350nm〜500nmの波長領域に高感度特性を有する前記した電荷発生物質を用いる。この電荷発生物質以外に、必要により、他の電荷発生物質を併用してもよい。併用する顔料としてはアゾ顔料、ペリレン顔料、多感キノン顔料等が挙げられる。
本発明では電荷輸送層を複数の電荷輸送層から構成し、且つ最上層の電荷輸送層に本発明の無機微粒子を含有させた構成を用いてもよい。
(実施例1)
感光体1の作製
下記の様に感光体1を作製した。
〈中間層〉
中間層1
上記導電性支持体上に、下記中間層塗布液を浸漬塗布法で塗布し、120℃30分で乾燥し、乾燥膜厚1.0μmの中間層1を形成した。
バインダー樹脂:(例示ポリアミドN−1) 1部(1.00体積部)
N型半導性粒子:ルチル形酸化チタンA1(一次粒径35nm;メチルハイドロジェンシロキサンとジメチルシロキサンの共重合体(モル比1:1)を用い、酸化チタン全質量の5質量%の量で表面処理したもの) 3.5部(1.0体積部)
エタノール/n−プロピルアルコール/THF(=45/20/30質量比)10部
上記成分を混合し、サンドミル分散機を用い、10時間、バッチ式にて分散して、中間層分散液を作製した。
電荷発生物質(CGM):前記多段昇華精製のCGM−1(質量減少率0.5%)
24部
ポリビニルブチラール樹脂「エスレックBL−1」(積水化学社製) 12部
2−ブタノン/シクロヘキサノン=4/1(v/v) 300部
上記組成物を混合し、サンドミルを用いて分散し、電荷発生層塗布液を調製した。この塗布液を浸漬塗布法で塗布し、前記中間層の上に乾燥膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した。
電荷輸送物質(CTM):下記CTM−1 225部
ポリカーボネート(Z300:三菱ガス化学社製) 300部
酸化防止剤(下記AO) 6部
THF/トルエン混合液(体積比3/1混合) 2000部
シリコンオイル(KF−54:信越化学社製) 1部
を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液1を調製した。この塗布液を前記電荷発生層の上に浸漬塗布法で塗布し、110℃70分の乾燥を行い、乾燥膜厚20.0μmの電荷輸送層1を形成し、感光体1を作製した。
CGM−1を表1に記載のCGMに変更した以外は、全く同様の多段昇華精製(精製例1)を行い、その後、感光体1のCGM−1をそれぞれのCGMに変更した以外は同様にし、感光体2〜5を作製した。
感光体1の作製において、CGM−1を精製例1の第1段の昇華CGM−1に変更した以外は同様にし、感光体6を作製した。
感光体1の作製において、CGM−1を合成後(合成例1)、精製せずに、そのまま用いた以外は、同様にして、感光体7を作製した。
このようにして作成した電子写真感光体を、静電複写紙試験装置(川口電機製:EPA−8100)を用いて、以下のように評価した。
感光体の表面電位を−700Vになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した400nmの単色光で露光し、表面電位が−350Vまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度(E1/2)を求めた。
次に初期暗部電位(Vd)及び初期明部電位(Vl)をそれぞれ−700V、−200V付近に設定し、450nmの単色光を用いて帯電、露光を3000回繰り返し、Vd、Vlの変動量(ΔVd、ΔVl)を測定した。
評価機として、基本的に図1の構成を有するコニカ社製デジタル複写機Konica7085改造機(像露光光源に450nmの半導体レーザを使用、ビーム径30μmで、1200dpiの露光を行い、プロセス速度は500mm/secに改造)を用い、該複写機に感光体1〜9を搭載し評価した。評価項目と評価基準を下記に示す。
白地のA4紙に1ドットラインと黒べた画像を作製し、下記の基準で評価した。
○:1ドットラインは連続して再現されているが、黒べたの画像濃度が1.2未満〜1.0以上(実用性に問題なし)
×:1ドットラインが切断されて再現されているか、又は1ドットラインが連続して再現されていても、黒べたの画像濃度が1.0未満(実用性に問題有り)
2ドットラインの評価
べた黒の画像の中に、2ドットラインの白線を作製し、下記の基準で評価した。
○:2ドットラインの白線は連続して再現されているが、黒べたの画像濃度が1.2未満〜1.0以上(実用性に問題なし)
×:2ドットラインの白線が切断されて再現されているか、又は2ドットラインの白線は連続して再現されていても、黒べたの画像濃度が1.0未満(実用性に問題有り)
上記のべた画像濃度は、マクベス社製RD−918を使用して測定。紙の反射濃度を「0」とした相対反射濃度で測定した。結果は表1に示した。
感光体1のCGMの多段昇華精製を表2に記載の分別昇華精製に変更し、質量減少率を表2に記載の例示化合物に変更した以外は感光体1と同様にし、感光体11〜16を作製した。但し、感光体12に用いたCGM−1の精製条件は精製例2の温度勾配の長さを1mから0.5mに変更した(温度勾配は約480℃〜約20℃で同じ)。
感光体11〜16を感光体1と同様に評価1で行った評価を行った。結果を表2に示す。
感光体1のCGMの多段昇華精製を表3に記載の高沸点溶媒中で加熱処理に変更し(溶媒と加熱条件を表3に示した)、質量減少率を表3に記載の例示化合物に変更した以外は感光体1と同様にし、感光体21〜28を作製した。
感光体21〜28を感光体1と同様に評価1で行った評価を行った。結果を表3に示す。
感光体1のCGM−1の多段昇華精製を表4に記載のアシッドペースト処理に変更し(精製条件は全て精製例4に同じ)、質量減少率を表4に記載の例示化合物に変更した以外は感光体1と同様にし、感光体31〜35を作製した。
感光体31〜35を感光体1と同様に評価1で行った評価を行った。結果を表4に示す。
1Y、1M、1C、1Bk 感光体
2Y、2M、2C、2Bk 帯電手段
3Y、3M、3C、3Bk 露光手段
4Y、4M、4C、4Bk 現像手段
Claims (8)
- 多段昇華精製により得られることを特徴とする請求項1に記載のピレン系化合物。
- 分別昇華精製により得られることを特徴とする請求項1に記載のピレン系化合物。
- 高沸点有機溶媒中で加熱処理して得られることを特徴とする請求項1に記載のピレン系化合物。
- アシッドペースト処理により得られることを特徴とする請求項1に記載のピレン系化合物。
- 有機感光体上に発振波長が350〜500nmの半導体レーザ又は発光ダイオードの書込み光源を用いて静電潜像を形成する露光工程を有し、該静電潜像をトナー像に顕像化する現像工程を有する画像形成方法において、前記有機感光体が導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記式で定義される400℃の質量減少率D400が、1.0%以下であり、且つ下記一般式(1)〜(3)の少なくとも1つのピレン系化合物を含有することを特徴とする画像形成方法。
D400={(Gi−G400)/Gi}×100
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
- 有機感光体上に発振波長が350〜500nmの半導体レーザ又は発光ダイオードの書込み光源を用いて静電潜像を形成する露光手段を有し、該静電潜像をトナー像に顕像化する現像手段を有する画像形成装置において、前記有機感光体が導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記式で定義される400℃の質量減少率D400が、1%以下であり、且つ下記一般式(1)〜(3)の少なくとも1つのピレン系化合物を含有することを特徴とする画像形成装置。
D400={(Gi−G400)/Gi}×100
但し、Giは測定開始時の質量であり、G400は400℃での質量である。
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Written amendment |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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