JP2008123500A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１のアンテナ回路と、
   第２のアンテナ回路と、
   前記第１のアンテナ回路で受信された第１の無線信号から第１の直流電圧を生成する第１の電源回路と、
   前記第２のアンテナ回路で受信された第２の無線信号から第２の直流電圧を生成する第２
   の電源回路と、
   制御回路とメモリセルとを有するメモリ回路と、を有し、
   前記第１の直流電圧は前記メモリセルに供給され、前記第２の直流電圧は前記制御回路に供給されることを特徴とする半導体装置。
2. 第１のアンテナ回路と、
   第２のアンテナ回路と、
   第１の電源回路と、
   第２の電源回路と、
   メモリ回路と、を有し、
   前記第１の電源回路は、前記第１のアンテナ回路で受信された第１の無線信号から第１の直流電圧を生成し、
   前記第２の電源回路は、前記第２のアンテナ回路で受信された第２の無線信号から第２の直流電圧を生成し、
   前記メモリ回路は、前記第２の直流電圧を用いて動作し、前記第１の直流電圧を用いてデータを保存することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の無線信号と前記第２の無線信号とは、周波数が異なることを特徴とする半導体
   装置。
4. 請求項１または２において、
   前記第１の無線信号と前記第２の無線信号とは、電力が異なることを特徴とする半導体装
   置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の直流電圧は、前記第１の無線信号を直流電圧にし、昇圧して生成されることを特徴とする半導体装置。
6. 第１のアンテナ回路と、
   第２のアンテナ回路と、
   前記第１のアンテナ回路で受信された無線信号から第１の直流電圧を生成する第１の電源回路と、
   前記第２のアンテナ回路で受信された前記無線信号から第２の直流電圧を生成する第２の
   電源回路と、
   制御回路とメモリセルとを有するメモリ回路と、を有し、
   前記第１の直流電圧は前記メモリセルに供給され、前記第２の直流電圧は前記制御回路に供給されることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の電源回路は、チャージポンプ回路を含むことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記メモリ回路は、ラッチ回路を含むことを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記メモリ回路は、フリップフロップ回路を含むことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記メモリ回路は、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒ
    ｙ）であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記第１の電源回路、前記第２の電源回路または前記メモリ回路は、絶縁表面を有する基
    板上に形成された半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタを用いていることを特徴と
    する半導体装置。
12. 請求項１１において、
    前記絶縁表面を有する基板とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはＳＯＩ
    （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板のいずれかであることを特徴とする
    半導体装置。