JP2008117832A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも二層の金属配線層が積層された基板上において、一次元に配列され、入射光を光電変換する複数の単位画素部を具備するラインセンサであって、最上層以外の金属配線層を用いて複数の機能素子を形成し、複数の機能素子上に、複数の単位画素部の配列方向に沿って設けられ、複数の機能素子に電気的に接続されて電力供給及び信号伝送の少なくとも一方を行う配線を、最上層の金属配線層により形成する。
【選択図】図8
【解決手段】少なくとも二層の金属配線層が積層された基板上において、一次元に配列され、入射光を光電変換する複数の単位画素部を具備するラインセンサであって、最上層以外の金属配線層を用いて複数の機能素子を形成し、複数の機能素子上に、複数の単位画素部の配列方向に沿って設けられ、複数の機能素子に電気的に接続されて電力供給及び信号伝送の少なくとも一方を行う配線を、最上層の金属配線層により形成する。
【選択図】図8
Description
本発明は、固体撮像装置に関し、特に一次元に配列され入射光を光電変換する複数の単位画素部を有する固体撮像装置に関する。
従来より、入射光を光電変換する複数の単位画素部が一次元に配列された固体撮像装置であるラインセンサは、スキャナ、複写機等に広く利用されている。ラインセンサとして、例えば、MOS(Metal Oxide Semiconductor)型のイメージセンサが近年普及しており、このようなイメージセンサは例えば特開平11−97663号公報に開示されている。
図11に従来のMOS型のラインセンサのレイアウト構造を示す。ラインセンサは、シリコン基板901上に、複数の単位画素部としての受光素子部902が一次元に配列されて形成されている。受光素子部902は、フォトダイオード(PD)、リセットトランジスタ及び変調用トランジスタ等により構成されている。光電変換素子であるフォトダイオードは、入射光に応じて光発生電荷を発生し、変調用トランジスタは該光発生電荷を電圧に変調し画素信号として出力する。すなわち、受光素子部901は、入射光に応じた電気信号(画素信号)を出力するものである。
また、ラインセンサチップには、複数の受光素子部901のそれぞれに対応して配設された増幅回路であるカラムアンプ903を有する。カラムアンプ903は、受光素子部901に電気的に接続されており、受光素子部901から入力された電気信号を増幅して出力する回路である。
ここで、カラムアンプ903は、図12に示すように、受光素子部901の配列方向と平行に一次元に配列されるものであるが、カラムアンプ903の配列ピッチは受光素子部901の配列ピッチよりも小さくすることが可能であるため、従来のラインセンサにおいては、カラムアンプ903は複数のブロックに分けられて配設されている。
このように、カラムアンプ903を複数のブロックに分けて配列することで、各カラムアンプ903のブロックの間に、タイミングジェネレータ等のロジック回路904や、出力アンプ905、外部接続端子906等の回路素子が配設される領域が設けられている。すなわち、従来のラインセンサにおいては、カラムアンプ903、ロジック回路904及び回路素子等を、受光素子部901の配列方向と平行に一列に配列することで、ラインセンサの受光素子部901の配列方向と直交する方向の幅の縮小を図っている。
特開平11−97663号公報
しかしながら、図11に示した従来のラインセンサのように、カラムアンプ903を複数のブロックに分けて配設し、このカラムアンプ903の間にロジック回路904や回路素子を配設する場合、ロジック回路や機能素子の占有面積を小さくすることを優先して配置されるために、配線はこれらロジックブロックや機能素子を迂回して設けられていた。このため、従来のラインセンサでは、配線がY方向に張り出して取り回される領域909を設けなければならず、ラインセンサチップのY方向幅が拡大してしまうという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、小型化が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明に係る固体撮像装置は、少なくとも二層の金属配線層が積層された基板上において、一次元に配列され、入射光を光電変換する複数の単位画素部を具備する固体撮像装置であって、前記少なくとも二層の金属配線層のうちの下層側の第1の層を含んで構成され、前記複数の単位画素部の配列方向に沿って配列された所定の機能を有する複数の機能素子と、前記少なくとも二層の金属配線層のうちの最上の第2の層により構成され、前記複数の機能素子上において前記複数の単位画素部の配列方向に沿って設けられ、前記複数の機能素子に電気的に接続されて電力供給及び信号伝送の少なくとも一方を行う配線と、を具備することを特徴とする。
本発明のこのような構成によれば、複数の機能素子に対して電源を供給もしくは信号の伝達を行う配線が、平面的に見て機能素子が形成された領域内に設けられるため、固体撮像装置をより小型化することが可能となる。また、従来使用されていなかった配線の取り回し領域の下層のシリコン層を、機能素子を構成するために有効に利用することが可能であるため、固体撮像装置をより小型化することが可能となる。
また、本発明は、前記基板表面の法線方向から見て前記配線に重なる領域において、前記第2の層により構成された外部接続端子部を具備し、前記外部接続端子部が形成された領域においては、前記配線は、前記第2の層によりも下層側に形成されることが好ましい。
このような構成によれば、複数の機能素子加えて、外部接続端子も、配線が形成された領域ないに形成可能となるため、より固体撮像装置をより小型化することが可能となる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。図1は本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置であるラインセンサチップを有する画像情報読取装置の構成を説明するための説明図である。図2は図1の画像情報読取装置の読み取り機構を説明するための概略断面図である。
以下、本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。図1は本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置であるラインセンサチップを有する画像情報読取装置の構成を説明するための説明図である。図2は図1の画像情報読取装置の読み取り機構を説明するための概略断面図である。
図1に示すように、画像情報読取装置1は、ラインセンサユニット2を有する。ラインセンサユニット2は、細長い板状の基板3の実装面上に、基板3の長手軸方向に直線状に並べて配置された複数のラインセンサチップ100を有する。詳しくは後述するが、ラインセンサチップ100は、平面視で細長の矩形状を有し、長手方向に複数の受光素子が一次元に配列されている。複数のラインセンサチップ100は、基板3の実装面上において直線状に並べられたときに、それぞれの受光素子が基板3の長手方向に直線状に配列されるように実装されている。なお、ラインセンサユニット及びラインセンサチップは、それぞれリニアセンサユニット及びリニアセンサチップと称される場合もある。
また、ラインセンサユニット2には、複数のレンズ5が設けられている。複数のレンズ5は、各レンズがラインセンサチップ100の各受光素子に対応してラインセンサチップ100上に配置される。複数のレンズ5は、例えば複数のセルフォックレンズアレイである。更に、ラインセンサユニット2には、光源装置として、例えば複数のLEDからなる細長いランプ6が設けられている。そして、基板3上には、複数のラインセンサチップ100からの画像信号を順次外部の画像信号処理回路(図示せず)に出力する出力回路7が設けられている。
画像情報読取装置1内には、図示しない搬送装置も設けられており、ラインセンサユニット2は、その搬送装置によって基板3の長手軸方向に直交する方向L1に移動可能となっている。ラインセンサユニット2の移動に伴って、画像情報読取装置1のガラス板等の透明板(図示せず)に密着して置かれた画像情報の読取対象の媒体である紙11の表面からの反射光を、直線状に並んだ複数のラインセンサチップ100が受光する。
図2に示すように、ランプ6からの光は紙11の表面で反射され、ラインセンサユニット2は、紙11からの反射光をレンズ5を通してラインセンサチップ100によって受光しながら、紙11の画像情報記録面に対して所定の距離を保ちつつ、所定の方向L1に沿って移動する。その結果、ラインセンサユニット2は、紙11を走査しながら、画像情報を読み取ることができる。
また、画像情報読取装置1には、図示しない制御部も設けられており、制御部は、各種制御信号を発生するようになっている。制御部からの各種制御信号は、ラインセンサユニット2、搬送装置(図示せず)に供給される。各種制御信号を受信したラインセンサユニット2は、内部で所定の駆動信号を生成して、各ラインセンサチップ100を駆動し、画像信号を読み出して出力する。こうして、画像情報読取装置1は、紙11の画像情報を読み取ることができる。
以下、本実施形態に係る固体撮像装置であるラインセンサチップ100の構成について、図面を参照して説明する。図3はラインセンサチップ100の回路構成を説明するための模式的説明図である。図4は、ラインセンサチップ100を構成する回路の配置を示すレイアウト図である。
ラインセンサチップ100は、本実施形態ではバルクシリコンからなるシリコン基板101上にフォトダイオード(PD)やトランジスタ等が形成されてなる、いわゆるMOS型のラインセンサである。本実施形態では、ラインセンサチップ100は、シリコン基板101上に、ゲート絶縁膜及びゲート配線層が形成され、さらにシリコン酸化膜等の透明な層間絶縁膜を介して金属配線層が2層形成さている構成を有する。
なお、以下の説明において、ラインセンサチップ100を、シリコン基板101の受光素子部111が形成された表面の法線方向から見る視点、すなわち図4の視点を平面視と称する。また、図4に正対して、受光素子部111の配列方向をX方向と称し、X方向に直交する方向をY方向と称する。すなわち、平面視で細長の矩形状を有するラインセンサチップ100の、長手方向がX方向であり、短手方向がY方向である。また、シリコン基板101の受光素子部111が形成された表面に対し、法線方向に遠ざかる方向を、上方と称する。
図3に示すように、ラインセンサチップ100は、複数の単位画素部としての受光素子部111を有する。受光素子部111は、フォトダイオード(PD)、リセットトランジスタ及び変調用トランジスタ等により構成されている。光電変換素子であるフォトダイオードは、入射光に応じて光発生電荷を発生し、変調用トランジスタは該光発生電荷を電圧に変調し画素信号として出力する。すなわち、受光素子部111は、入射光に応じた信号(画素信号)を出力するものである。
また、ラインセンサチップ100は、複数の受光素子部111のそれぞれに対応して配設された増幅回路であるカラムアンプ123を有する。すなわち、ラインセンサチップ100は、受光素子部111と同数のカラムアンプ123を有する。カラムアンプ123は、受光素子部111に電気的に接続されており、受光素子部111から入力された画素信号を増幅して出力する回路である。
更に、ラインセンサチップ100は、タイミング信号発生回路としてのタイミングジェネレータ(TG)22と、各受光素子部111やカラムアンプ123を駆動するための駆動回路23と、各受光素子部111からの画素信号を走査して読み出す走査回路としてのシフトレジスタ131と、シフトレジスタ131からの画素信号を増幅して出力する増幅器25とを有する。増幅器25からの出力信号は、上述した出力回路7に供給される。
本実施形態では、シフトレジスタ131、タイミングジェネレータ22及び駆動回路23をロジック回路と称する。
また、図3には図示しないが、ラインセンサチップ100には、各種回路に電源を供給する内部電源回路、静電気保護回路141、及び各種回路に電気的に接続された外部接続端子142、バイアスドライバ143等の機能素子が形成されている。
以下に、ラインセンサチップ100を構成する各種回路の平面的な配置を説明する。図5は、受光素子部及びカラムアンプの配列を説明する拡大平面図である。図6は、ダミーセルの配置を説明する拡大平面図である。図7は、ロジックブロックと配線の配置を説明する拡大平面図である。図8は、配線形成領域の拡大平面図である。図9は、図8のIX−IX断面図である。
図4に示すように、平面視において、本実施形態のラインセンサチップ100は、各種回路や配線等の機能ごとに、短手方向(Y方向)に4つの領域に区画されている。すなわち、ラインセンサチップ100は、ラインセンサチップ100の長手方向(X方向)幅に亘る細長の4つの領域に区画されている。
以下、ラインセンサチップ100を区画する4つの領域を、それぞれ短手方向(Y方向)の一端側から、PD形成領域110、カラムアンプ形成領域120、ロジックブロック形成領域130及び配線形成領域140と称するものとする。
まず、PD形成領域110及びカラムアンプ形成領域120について説明する。
ラインセンサチップ100のY方向の一端側に位置するPD形成領域110内には、複数の受光素子部111が、ラインセンサチップ100のX方向幅のほぼ全体に亘って一次元に所定の間隔(PDセルピッチXp)で配列されて形成されている。
平面視でPD形成領域110に対してY方向内側に位置するカラムアンプ形成領域120内には、X方向と略平行に複数のカラムアンプアレイ121が一次元に配列されて形成されている。詳しくは後述するが、カラムアンプアレイ121は、X方向を長手方向とした細長形状を有し、複数のカラムアンプアレイ121は、長手方向に一次元に、所定のX方向幅Xgを有する間隙部122を挟んで配列されている。すなわち、個々のカラムアンプアレイ121は、X方向についてPD形成領域110の幅よりも小さく形成されている。
該カラムアンプアレイ121は、所定の数のカラムアンプ123が、所定の間隔(アンプセルピッチXa)でX方向に一次元に配列されて構成されている。ここで、アンプセルピッチXaは、前出の受光素子部111の配列間隔であるPDセルピッチXpよりもΔXだけ小さい値とされる。
図5に示すように、受光素子部111は、ラインセンサチップ100のX方向全域において、PDセルピッチXpでX方向に1次元に配列されることにより、複数の受光素子部111からなる一つの1次元アレイを形成している。
一方、カラムアンプ123は、受光素子部111の配列と略平行に、アンプセルピッチXaで一次元に配列され、複数のブロック回路としてのカラムアンプアレイ121を構成している。
上述のように、カラムアンプ123は、受光素子部111と対になって形成されるものであり、ラインセンサチップ100において、カラムアンプ123と受光素子部111とは同数形成され、両者は配線112により電気的に接続されるものである。また、アンプセルピッチXaは、PDセルピッチXpよりもΔXだけ小さい値とされている。すなわち、図5に示すように、受光素子部111と、カラムアンプ123とを図中左から左端を揃えて配列した場合に、対になる受光素子部111とカラムアンプ123との位置関係はX方向にΔX(=Xp−Xa)ずつずれる。
ここで、本実施形態では、この対になる受光素子部111とカラムアンプ123とをn個配列した場合における両者のX方向のずれ量Xd(=n・ΔX)が、PDセルピッチXpよりも大きくならないように、一つのカラムアンプアレイ121を構成するカラムアンプ123の個数mが規定されている。
すなわち、次式を満たすようにmの値は決定されている。
Xp≧m・ΔX ・・式(1)
ここで、mは2以上の自然数
本実施形態では、図5に示すように、左方から数えてm+1個目のカラムアンプ123iは、再び左端を対となる受光素子部111iと揃えて配列される。すなわち、m個目のカラムアンプ123hと、m+1個目のカラムアンプ123iとの間には、X方向幅Xg(=m・ΔX)の間隙部122が形成される。このような受光素子部111とカラムアンプ123との配置関係は、カラムアンプ123がm個配列される毎に繰り返される。
Xp≧m・ΔX ・・式(1)
ここで、mは2以上の自然数
本実施形態では、図5に示すように、左方から数えてm+1個目のカラムアンプ123iは、再び左端を対となる受光素子部111iと揃えて配列される。すなわち、m個目のカラムアンプ123hと、m+1個目のカラムアンプ123iとの間には、X方向幅Xg(=m・ΔX)の間隙部122が形成される。このような受光素子部111とカラムアンプ123との配置関係は、カラムアンプ123がm個配列される毎に繰り返される。
このように、対になる受光素子部111とカラムアンプ123とのX方向の最大ずれ量Xdmaxが、必ずPDセルピッチXp以下となるようにすることにより、図5に示すように、本実施形態のラインセンサチップ100では、対になる受光素子部111とカラムアンプ123とを接続する配線112は、隣り合う配線112同士がY方向に重ならないように設けることが可能となる。
ここで、Y方向に重ならない状態とは、X方向に平行でありシリコン基板101に直交する平面上に投影された複数の配線112の投影像が、重なり合うことがない状態のことを称する。
言い換えれば、本実施形態では、配線112が、隣り合う配線112同士でY方向に重ならない条件において、カラムアンプアレイ121を構成するカラムアンプ123の個数mが決定されるのである。
このため、受光素子部111とカラムアンプ123とを接続する配線112を形成するための間隔Yaは、配線112をX方向に1本だけ形成するに足るY方向の幅を有すればよい。つまり受光素子部111とカラムアンプ123との間のY方向の間隔Yaは、両者を配線112により電気的に接続するために必要な最小の幅とすることができる。
本実施形態によれば、受光素子部111と同一数だけ形成されるカラムアンプ123のアンプセルピッチXaをPDセルピッチXpよりも小さくし、かつ受光素子部111とカラムアンプ123とを接続する配線112がY方向に重ならないように配設することにより、受光素子部111とカラムアンプ123との間のY方向の間隔Yaを最小にすることが可能となるのである。
したがって、配線112は、単層の金属配線層のみで形成することができ、層間絶縁膜を増やすことなくラインセンサチップ100のY方向幅を抑制することができる。よって、本実施形態によれば、感度を落とすことなく、小型なラインセンサチップを実現することができるのである。
また、図12に示したような従来のラインセンサチップにおいては、受光素子部とカラムアンプとを電気的に接続する配線の長さが、場所によって大きく異なってしまうものであるが、本実施形態によれば、従来に比して配線112の長さの差を小さくすることが可能である。このように、配線112の長さを揃えることにより、例えば配線112における外来ノイズ等の影響をほぼ均一とすることができる。
なお、一つのカラムアンプアレイ121を構成するカラムアンプ123の個数mは、上式(1)を満たす範囲であれば任意の値であり、例えばカラムアンプアレイ121の特性に影響する配線の長さ等からカラムアンプ123の個数mが決定されるものであってもよい。また、カラムアンプの個数mの値は、一つのラインセンサチップにおいて異なる値が複数存在するものであってもよく、例えば回路や配線の配置位置に応じて適宜に変更可能である。すなわち、間隙部122を任意の箇所に形成可能である。
なお、間隙部122には、Y方向に平行に延設され、受光素子部111やカラムアンプ123に電気的に接続される配線が設けられるものであるが、その実施形態については後述するものである。
ところで、本実施形態のカラムアンプアレイ123のように、途中に間隙部122を有して分断された状態で配列される場合、カラムアンプアレイ123の端部、すなわち間隙部122に隣接するカラムアンプ123の特性がばらつきやすくなるという問題がある。これは、間隙部122に隣接する箇所においては回路パターンが非連続的であるため、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターンを形成する場合に、当該箇所における回路パターンのばらつきが大きくなってしまうためである。
このような問題を回避するために、本実施形態のラインセンサチップ100は、図6に示すように、間隙部122に隣接するカラムアンプアレイ123の端部に、擬似回路であるダミーセル125が形成されるものであってもよい。ダミーセル125は、カラムアンプ123の回路の少なくとも一部が同等な構成を有するものである。なお、ダミーセル125は、製造工程のプロセスの安定化を目的とするものであり、ラインセンサチップ100において動作するものではない。
ところで、従来のように、受光素子部111の配列の近傍に、複数種類の回路を形成した場合、各回路や配線の粗密のばらつきが、層間絶縁膜のCMP研磨による平坦化に影響を及ぼし、平坦化後のフォトダイオード上の層間絶縁膜の膜厚にばらつきを生じさせてしまう場合があった。このように、フォトダイオード上の層間絶縁膜の膜厚にばらつきがある場合、層間絶縁膜における入射光の透過率、屈折の状態及び光の干渉の状態にばらつきが生じることにより、各フォトダイオード間における感度のばらつきが発生してしまうという問題があった。
しかしながら、本実施形態によれば、受光素子部111に隣接して形成される回路は、受光素子部111の配列に略平行に配列された単一の回路であるカラムアンプのみである。このため、受光素子部111近傍における回路の粗密差がなくなり、CMP研磨による平坦化後のフォトダイオード上の層間絶縁膜の膜厚のばらつきを従来に比して抑制することが可能となる。したがって、本実施形態によれば、層間絶縁膜の膜厚のばらつきに起因する各フォトダイオード間における感度のばらつきを低減することが可能となるのである。
次に、ロジックブロック形成領域130について説明する。
カラムアンプ形成領域120の、PD形成領域110とは反対側に位置するロジックブロック形成領域130内には、複数のシフトレジスタ131がX方向に1次元に配列されて形成されている。複数のシフトレジスタ131は、それぞれ複数のカラムアンプアレイ121に隣接して形成されるものであり、対応するカラムアンプアレイ121とX方向に同一の幅を有して形成されている。
また、ロジックブロック形成領域130内であって、シフトレジスタ131に対してカラムアンプアレイ121とは反対側に、タイミングジェネレータ22及び駆動回路23からなるロジック回路132が、X方向を長手方向として細長に形成されている。ここで、ロジック回路132は、シフトレジスタ131と同様にX方向に複数に分割されている。
すなわち、X方向に一次元に配列された複数のシフトレジスタ131は、カラムアンプアレイ121と同様に、所定のX方向幅Xgを有する間隙部122を挟んで配列されており、また、X方向に一次元に配列された複数のロジック回路132も、カラムアンプアレイ121と同様に、所定のX方向幅Xgを有する間隙部122を挟んで配列されている。
間隙部122によりX方向に複数に分割されたシフトレジスタ131及びロジック回路132のそれぞれを、ロジックブロック133と称する。ロジックブロック133は、最大でカラムアンプアレイ121と同等のX方向幅全体を使用して形成されるものであり、ロジックブロック133をX方向に細長な領域内に形成することにより、機能を損なうことなくロジックブロック133のY方向の幅を抑制することが可能となる。
また、図7に示すように、カラムアンプ形成領域120には、ラインセンサチップ100のX方向幅に亘ってX方向に略平行に一直線状に延設された複数の帯状の配線からなるX方向配線群124が形成されている。このX方向配線群124は、例えばカラムアンプ123と電源とを電気的に接続する電源線や、信号の入出力を行うための信号線からなる。
間隙部122には、受光素子部111及びカラムアンプ123に電気的に接続されるY方向配線群113が形成されている。Y方向配線群113は、例えば、受光素子部111と電源とを電気的に接続する電源配線113a、カラムアンプ123と電源とを電気的に接続する電源配線113b、カラムアンプ123に信号を供給する信号配線113c等からなる。
また、ロジックブロック形成領域130内には、ラインセンサチップ100のX方向幅に亘ってX方向に略平行に一直線状に延設された複数の配線からなるX方向配線群134が形成されている。このX方向配線群134は、例えばロジックブロック133と電源とを電気的に接続する電源線や、信号の入出力を行うための信号線からなる。
このように、本実施形態では、X方向に一次元に配列された複数のカラムアンプアレイ121や複数のロジック回路132は、それぞれラインセンサチップ100のX方向幅に亘って一直線状に形成されたX方向配線群124及び134により電気的に接続されている。
この、X方向配線群124及び134は、シリコン基板101上に2層に形成された金属配線層のうちの、最上層の金属配線層を主に使用して形成されている。つまり、カラムアンプ123及びロジックブロック133上に、それぞれの回路をX方向に電気的に接続する配線が形成されている。このため、X方向配線群124及び134は、カラムアンプ123及びロジックブロック133が形成された領域からY方向に張り出して配設されることがない。
一方、間隙部122に設けられたY方向配線群113は、シリコン基板101上に2層に形成された金属配線層のうちの、最下層の金属配線層を主に使用して形成されている。これは、平面視で間隙部122に重なる領域には、トランジスタ等が形成されていないため可能となる。
このように、本実施形態によれば、カラムアンプ123及びロジックブロック133に電気的に接続される配線を、金属配線層を増やすことなく、カラムアンプ123及びロジックブロック133が形成された領域内に収めることが可能となる。
すなわち、本実施形態では、同一の機能を有する回路を、それぞれ機能ごとにX方向に細長な領域内に形成し、該X方向に細長な領域をY方向に配列することで、直線状のX方向配線群のみによって細長な領域内における電気的な接続を全て行うことが可能である。つまり、カラムアンプ形成領域120内における電気的接続に使用される配線は、カラムアンプ形成領域120から外に張り出すことがなく、またロジックブロック形成領域130内における電気的接続に使用される配線は、ロジックブロック形成領域130から外に張り出すことがないのである。
そして、カラムアンプ123及びロジックブロック133への外部からの電力の供給や外部との信号の伝送は、共通に設けられた間隙部122に配設されたY方向配線群113により行われる。
このため、本実施形態のラインセンサチップ100では、従来のように、複数に分割されて配設されたカラムアンプ同士を接続する配線や、ロジック回路同士を接続する配線、又は各回路に電源を供給する配線が、他の回路を迂回しながら取り回されることがない。したがって、本実施形態によれば、従来と同等の機能の回路を形成しつつ、かつラインセンサチップ100のY方向幅を抑制することが可能となる。
また、本実施形態のラインセンサチップ100は、2層の金属配線層により形成することが可能であるため、配線を多層構造とする必要がなく、感度を低下させることなく小型かつ安価なラインセンサチップを実現することができるのである。
なお、上述の実施形態では、ロジックブロック133は、カラムアンプアレイ121と同一のX方向幅を有してX方向に分割されて形成されているものであるが、ロジックブロック133の回路規模に応じて分割されないものであってもよいし、ロジックブロック133のX方向幅はカラムアンプアレイ121よりも狭く形成されるものであってもよい。このように、カラムアンプアレイ121と、ロジックブロック133とのX方向幅を異ならせることにより、例えばY方向配線群113の配置の自由度が増すため、よりラインセンサチップ100の小型化を図ることが可能となる。
次に、配線形成領域140について説明する。
ロジックブロック形成領域130の、PD形成領域110とは反対側に位置する配線形成領域140内には、静電気保護回路141、外部接続端子142、バイアスドライバ143、増幅器25等の複数の機能素子が形成されている。
また、図8に示すように、配線形成領域140内には、複数の機能素子と平面視で重なる領域にラインセンサチップ100のX方向幅に亘ってX方向に略平行に一直線状に形成された複数の配線からなるX方向配線群147が形成されている。このX方向配線群147は、配線形成領域140に形成された機能素子、例えば増幅器25と電源とを電気的に接続する電源線147a、信号の入出力を行うための信号線147b、及び内部電源回路に電気的に接続される内部電源線147cからなる。
また、図9に示すように、本実施形態のラインセンサチップ100は、シリコン基板101上に、ゲート絶縁膜102及びゲート配線層103が形成され、さらにシリコン酸化膜等の透明な層間絶縁膜107、108を介して金属配線層が2層形成さている構成を有する。ここで、シリコン基板101側の下層の金属配線層を下層メタル層105と称し、最上層の金属配線層を上層メタル層106と称するものとする。
配線形成領域140内におけるX方向配線群147は、主に最上層の金属配線層である上層メタル層106により構成されており、図9に示すように、外部接続端子142が上層メタル層106を使用して形成されている領域では、外部接続端子142を下層側に迂回するようにバイアホール148を介して下層メタル層105に接続されて構成されている。
一方、X方向配線群147が、上層メタル層106を使用して構成されている領域においては、該X方向配線群147の下層側において、静電気保護回路141、バイアスドライバ143及び増幅器25等の複数の機能素子が形成されている。これらの機能素子は、シリコン基板101と、ゲート配線層103及び下層メタル層105を使用して形成されているものである。すなわち、本実施形態では、外部接続端子142を除く機能素子は、上層メタル層106以外を使用して形成されているものである。
また、上述のカラムアンプ123や受光素子部111に電気的に接続され、間隙部122に設けられたY方向配線群113は、下層メタル層105を使用して形成されており、バイアホールを介してX方向配線群147のそれぞれに電気的に接続されるものである。
このように、本実施形態では、下層メタル層105のみを用いて複数の機能素子を、X方向配線群147の下層側に形成することが可能となる。
従来、カラムアンプをX方向に分割し、各カラムアンプ群の間にロジックブロックや機能素子を配置していた構成においては、特にロジックブロックや機能素子の占有面積を小さくすることを優先して配置していたために、配線はこれらロジックブロックや機能素子を迂回して形成されていた。このため、従来の構成では、配線がY方向に取り回される領域を設けなければならず、ラインセンサチップのY方向幅が拡大してしまうという問題があった。
しかしながら、本実施形態によれば、複数の機能素子をX方向配線群147の下層側に形成し、従来使用されていなかった配線の取り回し領域の下層のシリコン層を利用することが可能であるため、ラインセンサチップ100のY方向の幅を従来に比して抑制することが可能となる。
ここで一般に、バルクシリコン基板上の単層の金属配線層のみを用いて回路素子を形成する場合、2層以上の金属配線層を用いて同等の回路を形成する場合に比して、配線の取り回しのために回路を形成するための面積が大きくなってしまうものである。しかしながら、ラインセンサチップ100のX方向幅に関しては受光素子部111の幅が支配的である。このためラインセンサチップ100のX方向の幅は機能素子をX方向に細長に配列して形成するに必要な領域に対して比較的大きくとられている。したがって、各機能素子を形成するための領域を、X方向に細長く確保することが可能であり、本実施形態では、単層の金属配線層のみを用いて機能素子を、X方向配線群147の下層側に形成することが可能となるのである。
なお、各機能素子は、上述のように、X方向配線群147の下層の領域のみに収まることが理想であるが、従来使用されていなかったシリコン層を有効に活用できるという観点からすれば、各機能素子の一部がX方向配線群147の下層の領域よりも張り出して形成されたものもまた、本発明の一実施形態であることは言うまでもない。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態について、図10を参照して説明する。図10は、第2の実施形態の受光素子部及びカラムアンプの配列を説明する拡大平面図である。第2の実施形態の固体撮像装置であるラインセンサチップは、受光素子部とカラムアンプの配列方法のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第1の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
以下、本発明の第2の実施形態について、図10を参照して説明する。図10は、第2の実施形態の受光素子部及びカラムアンプの配列を説明する拡大平面図である。第2の実施形態の固体撮像装置であるラインセンサチップは、受光素子部とカラムアンプの配列方法のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第1の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
上述の第1の実施形態においては、受光素子部111とカラムアンプ124との配置関係は、m個ごとに繰り返されるものである。例えば、図5に示すように、第1の実施形態では、受光素子部111とカラムアンプ123とを8個配列するごとに、両者の左端部を揃えて再び同様の配列を繰り返すものである。
一方、本実施形態では、図10に示すように、一端から数えてm個目の受光素子部111hとm+1個目の受光素子部111iとの境界を含み、シリコン基板101表面に直交する平面Mを対称面として、カラムアンプ123は反転されるように配列される。
このように、m個毎に配列方向に反転してカラムアンプ123を配列することにより、カラムアンプ形成領域120には、X方向幅が2・Xgの間隙部122bが形成され、該間隙部122bは、カラムアンプ123が2・m個配列されるごとに形成される。例えば図10に示した形態においては、間隙部122bはカラムアンプ123が16個配列される毎に現れるものである。
本実施形態によれば、第1の実施形態に比して2倍のX方向幅を有する間隙部122bが形成される。このため、カラムアンプ123や受光素子部111に電気的に接続されるY方向配線群113や、ダミーセル125を配設するための領域をより広く確保することが可能となる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う固体撮像装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
例えば、上述の実施形態では、いわゆる等倍光学系の密着型のラインセンサ(Contact Image Sensor)を説明しているが、縮小光学系を用いた形態のものであってもよい。また、使用される用途は、紙面の読み取りに限られるものではなく、空間画像の取り込み等にも適用可能であることは言うまでもない。
141 静電気保護回路(機能素子)、 147 X方向配線群、 148 バイアホール
Claims (2)
- 少なくとも二層の金属配線層が積層された基板上において、一次元に配列され、入射光を光電変換する複数の単位画素部を具備する固体撮像装置であって、
前記少なくとも二層の金属配線層のうちの下層側の第1の層を含んで構成され、前記複数の単位画素部の配列方向に沿って配列された所定の機能を有する複数の機能素子と、
前記少なくとも二層の金属配線層のうちの最上の第2の層により構成され、前記複数の機能素子上において前記複数の単位画素部の配列方向に沿って設けられ、前記複数の機能素子に電気的に接続されて電力供給及び信号伝送の少なくとも一方を行う配線と、を具備することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記基板表面の法線方向から見て前記配線に重なる領域において、前記第2の層により構成された外部接続端子部を具備し、
前記外部接続端子部が形成された領域においては、前記配線は、前記第2の層によりも下層側に形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297461A JP2008117832A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006297461A JP2008117832A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008117832A true JP2008117832A (ja) | 2008-05-22 |
Family
ID=39503561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006297461A Withdrawn JP2008117832A (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008117832A (ja) |
-
2006
- 2006-11-01 JP JP2006297461A patent/JP2008117832A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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