JP2008105039A - プラズマｍｉｇ溶接のパルス波形制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 プラズマＭＩＧ溶接のアルミ溶接において、被加工物の入熱量の過多をなくして、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れを防止すること。
【解決手段】 溶接ワイヤを予め設定した送給速度で送給し、溶接ワイヤに第１のピーク電流の通電と第１のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返してＭＩＧアークを発生させると共に、プラズマノズルに第２のピーク電流の通電と第２のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返してプラズマアークを発生させるプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法において、プラズマアークは、第１のピーク電流通電中に第２のベース電流を通電し、第１のベース電流通電中に前記第２のピーク電流を通電して、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れを防止するプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法である。
【選択図】図１

Description

本発明のプラズマＭＩＧ溶接において、プラズマアークとＭＩＧアークのパルス波形を制御する技術に関する。

プラズマＭＩＧ溶接において、溶込形状を制御するために、ＭＩＧ側にＭＩＧ用直流溶接電源、プラズマ側にプラズマ用直流溶接電源を用いて、ＭＩＧ電流とプラズマ電流との電流比を調整していた。

また、ＭＩＧ溶接において、短絡移行でアルミニウム及びアルミニウム合金等の溶接を行うのは困難であり、ＭＩＧ溶接では溶滴移行（スプレー移行）を行うパルス溶接は、慣例技術として周知されている。よって、ＭＩＧ用直流溶接電源をＭＩＧ用パルス溶接電源に置換した、プラズマＭＩＧ溶接を従来技術として説明する。

図５は、従来技術のプラズマＭＩＧトーチＴＨの詳細図であり、給電チップ２、プラズマノズル３及びシールドノズル４で形成し、ＭＩＧ用パルス溶接電源から給電チップ２を介して溶接ワイヤ１に電力を供給してＭＩＧアーク５ａを発生させる。プラズマノズル３は直接又は間接水冷された導電性の部材であり、プラズマ用直流溶接電源からプラズマノズルに電力を供給して、プラズマアーク５ｂを発生させる。

動作としては、図示省略のＭＩＧ用パルス溶接電源から、ピーク電流の通電とベース電流の通電とを１周期とするパルス電流を、図５に示すプラズマＭＩＧトーチＴＨの給電チップ２を介して溶接ワイヤ１に通電して、パルス状のＭＩＧアーク５ａを発生させると共に、プラズマ用直流溶接電源から直流電流をプラズマノズルに通電して、直流のプラズマアーク５ｂを発生させる。

このとき、被加工物６の溶込形状を制御するために、例えば、プラズマ溶接のプラズマ電流に対するＭＩＧ溶接のピーク電流値を増加させると被加工物６の溶込量が増大し、逆に、プラズマ電流値を増大させると被加工物６の溶込量が減少する。（例えば、特許文献１）

特開昭６３−１６８２８３号公報

従来のプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法では、溶込形状を制御するために、ＭＩＧ側にＭＩＧ用パルス溶接電源を用い、プラズマ側ではプラズマ用直流溶接電源を用い、ＭＩＧ電流のピーク電流値とプラズマ電流の直流電流値との比を調整、例えば、プラズマ電流に対するＭＩＧ電流のピーク電流値を増加させることにより、被加工物６の局部的な溶込量を増大させて溶込形状の制御を行っていた。

しかし、上述の方法では、アルミニウム及びアルミニウム合金等でプラズマＭＩＧ溶接を行うと、ＭＩＧ溶接のピーク電流通電中のとき、プラズマ溶接のプラズマ電流が加算されて、局部的に入熱量が過多となり、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れ等が発生する。

そこで、本発明では、上述した課題を解決することができるプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法を提供することを目的としている。

上述した課題を解決するために、第１の発明は、溶接ワイヤを予め定めた送給速度で送給し、上記溶接ワイヤに第１のピーク電流の通電と第１のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返して被加工物にＭＩＧアークを発生させると共に、プラズマノズルに第２のピーク電流の通電と第２のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返して被加工物にプラズマアークを発生させるプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法において、上記プラズマアークは、上記第１のピーク電流通電中に上記第２のベース電流を通電し、上記第１のベース電流通電中に上記第２のピーク電流を通電することを、特徴するプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法である。

第２の発明は、上記被加工物の溶込形状を制御させるために、上記第２のピーク電流の値を変化させることを、特徴とする請求項１記載のプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法である。

第３の発明は、上記被加工物の溶込形状を制御させるために、上記第２のピーク電流の通電時間を変化させることを、特徴とする請求項１記載のプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法である。

第１の発明によれば、プラズマＭＩＧ溶接において、ＭＩＧ溶接電源が第１のピーク電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源は第２のベース電流を通電し、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のベース電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源は第２のピーク電流を通電するので、第１のピーク電流通電中のとき、低電流の第２のベース電流が加算されるので、被加工物の入熱量の過多が無くなり、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れが防止できる。

第２の発明によれば、ＭＩＧ溶接電源が第１のベース電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源は第２のピーク電流を通電する。このとき、第２のピーク電流値をアルミニウムの酸化膜を取り除く値に調整してプラズマアークの入熱を制御するので、アルミニウムが必要とする所定のクリーニング領域が確保できる。

第３の発明によれば、ＭＩＧ溶接電源が第１のベース電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源は第２のピーク電流を通電する。このとき、第２のピーク電流の通電時間をアルミニウムの酸化膜を取り除く通電時間に調整してプラズマアークの入熱を制御するので、アルミニウムが必要とする所定のクリーニング領域が確保できる。

「実施の形態１」
図１は、実施の形態１のプラズマＭＩＧ溶接のパルスアーク波形制御方法を実施するための溶接装置のブロック図である。

図１に示すＭＩＧ溶接電源ＭＰＳは、一点鎖線で囲んだ範囲内の各回路から形成されており、以下各回路について説明する。第１の出力制御回路ＩＮＶ１は、商用交流電源を入力とし出力制御を行いアーク負荷に適した出力を供給する。一般的に、この第１の出力制御回路ＩＮＶ１としては、インバータを使用し、図示省略の商用電源を整流する１次側整流回路と、整流されたリップルのある電圧を平滑する平滑回路と、平滑された直流電圧を高周波交流に変換するインバータ回路と、高周波交流をアーク負荷に適した電圧に変換する主変圧器と、出力された交流を再び整流する２次側整流回路と、整流されたリップルのある直流を平滑する直流リアクトルとから形成されており、後述する電流誤差増幅信号Ｅｉに応じて第１の出力制御回路ＩＮＶ１の出力制御を行う。

電圧検出回路ＶＤは、ＭＩＧ溶接電圧ＭＶｗを検出し平均化した電圧検出信号Ｖｄを出力する。電圧設定回路ＶＳは、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳの外部に設けられ電圧設定信号Ｖｓを出力する。変調回路ＭＣは、電圧誤差増幅回路ＥＶ、Ｖ／Ｆ変換回路ＶＦ、ピーク電流通電時間設定回路ＴＰ及びモノマルチバイブレータＭＭによって形成され、電圧誤差増幅回路ＥＶは、フィードバック信号である電圧検出信号Ｖｄと、目標値である電圧設定信号Ｖｓとの誤差を増幅して電圧誤差増幅信号Ｅｖを出力する。Ｖ／Ｆ変換回路ＶＦは、電圧誤差増幅信号Ｅｖを入力としてＶ／Ｆ変換を行い、Ｖ／Ｆ変換信号Ｖｆを出力する。ピーク電流通電時間設定回路ＴＰは、予め定めたピーク電流通電時間ＭＴｐを出力する。モノマルチバイブレータＭＭは、Ｖ／Ｆ変換信号ＶｆがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変換することをトリガとして、ピーク電流通電時間ＭＴｐの間、パルス周期信号ＡＴｆをＨｉｇｈレベルにして出力する。

電圧誤差増幅回路ＥＶ、Ｖ／Ｆ変換回路ＶＦ、ピーク電流通電時間設定回路ＴＰ及びモノマルチバイブレータＭＭによって点線で囲んだ変調回路ＭＣが形成される。この変調回路ＭＣは、電圧検出信号Ｖｄと電圧設定信号Ｖｓとを入力としてそれらの信号間の誤差による周波数変調制御によってパルス周期信号ＡＴｆを出力する。この変調方式としては、周波数変調制御の他にパルス幅変調制御も慣例技術として使用されている。

第１のピーク電流設定回路ＭＩＰは、予め定めた第１のピーク電流設定信号ＭＩｐを出力し、第１のベース電流設定回路ＭＩＢは、予め定めた第１のベース電流設定信号ＭＩｂを出力する。第１の切換回路ＭＳＷは、パルス周期信号ＡＴｆがＨｉｇｈレベルのときはａ側に接続されて第１のピーク電流設定信号ＭＩｐを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力し、パルス周期信号ＡＴｆがＬｏｗレベルのときはｂ側に接続されて第１のベース電流設定信号ＭＩｂを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

第１の電流検出回路ＩＤ１は、ＭＩＧ溶接電流ＭＩｗを検出して、第１の電流検出信号Ｉｄ１を出力する。電流誤差増幅回路ＥＩは、フィードバック信号である第１の電流検出信号Ｉｄ１と、目標値である第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとの誤差を増幅して、電流誤差増幅信号Ｅｉを出力する。この電流誤差増幅信号Ｅｉに応じて第１の出力制御回路ＩＮＶ１は出力制御を行う。

送給速度設定回路ＡＷＳは、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳの外部に設けられ、送給速度設定信号ＡＷｓを出力する。送給制御回路ＡＷＣは、送給速度設定信号ＡＷｓを入力として送給制御信号ＡＷｃを出力する。ワイヤ送給装置ＡＷＦは、送給制御信号ＡＷｃの値に応じて溶接ワイヤＡ１の送給速度を制御する。

つぎに、図１に示すプラズマ溶接電源ＰＰＳのインバータゲート回路ＩＮは、パルス周期信号ＡＴｆを反転してインバータゲート信号Ｉｎを出力する。プラズマ溶接電源ＰＰＳの第２の切換回路ＰＳＷは、インバータゲート信号ＩｎがＨｉｇｈレベルのときはａ側に接続されて第２のピーク電流設定信号ＰＩｐを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力し、インバータゲート信号ＩｎがＬｏｗレベルのときはｂ側に接続されて第２のベース電流設定信号ＰＩｂを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。

第２の電流検出回路ＩＤ２は、プラズマ溶接電流ＰＩｗを検出して、第２の電流検出信号Ｉｄ２を出力する。電流誤差増幅回路ＥＩは、フィードバック信号である第２の電流検出信号Ｉｄ２と、目標値である第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとの誤差を増幅して、電流誤差増幅信号Ｅｉを出力する。この電流誤差増幅信号Ｅｉに応じて第２の出力制御回路ＩＮＶ２は出力制御を行う。

図２は、実施の形態１のプラズマＭＩＧ溶接電源装置の動作を説明するタイミング図であり、同図（Ａ）はＭＩＧ溶接電流ＭＩｗの時間変化を示しており、同図（Ｂ）はＭＩＧ溶接電圧ＭＶｗの時間変化を示しており、同図（Ｃ）はＶ／Ｆ変換信号Ｖｆの時間変化を示しており、同図（Ｄ）はパルス周期信号ＡＴｆの時間変化を示している。また、図４（Ｅ）は、インバータゲート信号Ｉｎの時間変化を示しており、同図（Ｆ）はプラズマ溶接電流ＰＩｗの時間変化を示しており、同図（Ｇ）はプラズマ溶接電圧ＰＶｗの時間変化を示している。以下、同図を参照して説明する。

図１に示す、Ｖ／Ｆ変換回路ＶＦは、図２（Ｂ）に示すＭＩＧ溶接電圧ＭＶｗの平均値と電圧設定信号Ｖｓとが等しくなるように制御される、パルス周期信号ＡＴｆの長さの周期を有する同図（Ｃ）に示すＶ／Ｆ変換信号Ｖｆを出力する。このＶ／Ｆ変換信号Ｖｆは、パルス周期信号ＡＴｆごとの時刻ｔ＝ｔ１、ｔ３及びｔ５等に短時間Ｈｉｇｈレベルとして出力する。

モノマルチバイブレータＭＭは、時刻ｔ＝ｔ１において、図２（Ｃ）に示すＶ／Ｆ変換信号ＶｆがＨｉｇｈレベルになるとトリガされ、パルス周期信号ＡＴｆを出力し第１のピーク電流通電時間ＭＴｐの間、パルス周期信号ＡＴｆをＨｉｇｈレベルにする。このとき、パルス周期信号ＡＴｆがＨｉｇｈレベルである時刻ｔ＝ｔ１〜ｔ２の間、第１の切換回路ＭＳＷは、ａ側に接続されて第１のピーク電流設定信号ＭＩｐを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

また、プラズマ溶接電源ＰＰＳのインバータゲート回路ＩＮは、パルス周期信号ＡＴｆを反転し図２（Ｅ）に示すインバータゲート信号Ｉｎを出力する。プラズマ溶接電源ＰＰＳの第２の切換回路ＰＳＷは、インバータゲート信号ＩｎがＬｏｗレベルのときｂ側に接続されて、時刻ｔ＝ｔ１〜ｔ２の間、第２のベース電流設定信号ＰＩｂを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。このとき、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のピーク電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源ＰＰＳは第２のベース電流を通電する。

時刻ｔ＝ｔ２〜ｔ３において、図２（Ｄ）に示すパルス周期信号ＡＴｆはＬｏｗレベルとなり、第１の切換回路ＭＳＷはｂ側に接続されて第１のベース電流設定信号ＭＩｂを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

また、時刻ｔ＝ｔ２〜ｔ３において、図２（Ｄ）に示すパルス周期信号ＡＴｆはＬｏｗレベルとなり、このとき、プラズマ溶接電源ＰＰＳのインバータゲート回路ＩＮは、パルス周期信号ＡＴｆを反転して図２（Ｅ）に示すインバータゲート信号ＩｎをＨｉｇｈレベルにして出力する。プラズマ溶接電源ＰＰＳの第２の切換回路ＰＳＷは、インバータゲート信号ＩｎがＨｉｇｈレベルのときはａ側に接続されて第２のピーク電流設定信号ＰＩｐを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。

上述より、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のピーク電流を通電しているときに、プラズマ溶接電源ＰＰＳは、低電流の第２のベース電流を通電するので被加工物６の入熱量の過多が無くなり、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れが防止できる。さらに、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のベース電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源ＰＰＳは第２のピーク電流を通電する。このとき、第２のピーク電流の値を調整して、アルミニウムの酸化膜を取り除くプラズマアークの入熱に制御するので、アルミニウム等が必要とする所定のクリーニング領域が確保できる。

図３は、実施の形態２のプラズマＭＩＧ溶接のパルスアーク波形制御方法を実施するための溶接装置のブロック図である。同図において、図１に示す実施の形態１の溶接装置と同一符号の回路ブロックは同一動作を行うので説明を省略して符号が相違する構成について説明する。

図３に示す遅遅時間設定回路ＰＴＤは、予め定めた遅遅時間設定信号ＰＴｄをを出力する。遅遅回路ＴＤは、インバータゲート信号ＩｎがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変換することをトリガとして、遅遅時間設定信号ＰＴｄに応じた時間だけＬｏｗレベルとした遅遅信号Ｔｄを出力する。アンドゲート回路ＡＤは、インバータゲート信号Ｉｎと遅遅信号Ｔｄのアンド論理を取ってアンド信号Ａｄを出力する。このアンド信号Ａｄが、Ｈｉｇｈレベルのとき第２の切換回路ＰＳＷはａ側に接続されて第２のピーク電流設定信号ＰＩｐを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。

図４は、実施の形態２のプラズマＭＩＧ溶接電源装置の各信号のタイミング図であり、同図（Ａ）はＭＩＧ溶接電流ＭＩｗの時間変化を示しており、同図（Ｂ）はＭＩＧ溶接電圧ＭＶｗの時間変化を示しており、同図（Ｃ）はＶ／Ｆ変換信号Ｖｆの時間変化を示しており、同図（Ｄ）はパルス周期信号ＡＴｆの時間変化を示している。また、図４（Ｅ）は、インバータゲート信号Ｉｎの時間変化を示しており、同図（Ｆ）は、遅遅信号Ｔｄの時間変化を示しており、同図（Ｇ）は、アンド信号Ａｄの時間変化を示しており、同図（Ｈ）はプラズマ溶接電流ＰＩｗの時間変化を示しており、同図（Ｉ）はプラズマ溶接電圧ＰＶｗの時間変化を示している。以下、同図を参照して説明する。

図３に示すモノマルチバイブレータＭＭは、時刻ｔ＝ｔ１において、図４（Ｃ）に示すＶ／Ｆ変換信号ＶｆがＨｉｇｈレベルになるとトリガされ、パルス周期信号ＡＴｆを出力し、第１のピーク電流通電時間ＭＴｐの間、パルス周期信号ＡＴｆをＨｉｇｈレベルにする。このとき、パルス周期信号ＡＴｆがＨｉｇｈレベルである、時刻ｔ＝ｔ１〜ｔ２の間、第１の切換回路ＭＳＷは、ａ側に接続されて第１のピーク電流設定信号ＭＩｐを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

また、プラズマ溶接電源ＰＰＳのインバータゲート回路ＩＮは、パルス周期信号ＡＴｆを反転し図４（Ｅ）に示すインバータゲート信号Ｉｎを出力する。アンドゲート回路ＡＤは、インバータゲート信号Ｉｎと遅遅信号Ｔｄとのアンド論理を取って、図４（Ｇ）に示すアンド信号Ａｄを出力する。このアンド信号Ａｄが、Ｌｏｗレベルのときは第２の切換回路ＰＳＷはｂ側に接続されて、第２のベース電流設定信号ＰＩｂを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。このとき、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のピーク電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源は第２のベース電流を通電する。

時刻ｔ＝ｔ２〜ｔ３において、図４（Ｄ）に示すパルス周期信号ＡＴｆはＬｏｗレベルとなり、第１の切換回路ＭＳＷはｂ側に接続されて第１のベース電流設定信号ＭＩｂを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

時刻ｔ＝ｔ２において、図３に示すプラズマ溶接電源ＰＰＳのインバータゲート回路ＩＮは、パルス周期信号ＡＴｆを反転し図４（Ｅ）に示すインバータゲート信号Ｉｎを出力する。遅遅回路ＴＤは、インバータゲート信号ＩｎがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変換することをトリガとして、遅遅時間設定信号ＰＴｐに応じて遅遅信号Ｔｄを時刻ｔ＝ｔ２〜ｔ２１の間、Ｌｏｗレベルにする。このとき、プラズマ溶接電源ＰＰＳは、第２のベース電流設定信号ＰＩｂを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。

時刻ｔ＝ｔ２１において、図４（Ｆ）に示す遅遅信号ＴｄがＨｉｇｈレベルになると、図４（Ｇ）に示す、アンド信号ＡｄがＨｉｇｈレベルになり、第２の切換回路ＰＳＷはａ側に接続されて第２のピーク電流設定信号ＰＩｐを第２の電流制御設定信号ＰＩｓｃとして出力する。

時刻ｔ＝ｔ３において、パルス周期信号ＡＴｆのＨｉｇｈレベルに応じて、インバータゲート信号ＩｎはＬｏｗレベルになる。このとき図４（Ｇ）に示すアンド信号ＡｄがＬｏｗレベルとなり、第１の切換回路ＭＳＷはｂ側に接続されて第１のベース電流設定信号ＭＩｂを第１の電流制御設定信号ＭＩｓｃとして出力する。

上述より、ＭＩＧ溶接電源ＭＰＳが第１のベース電流を通電しているとき、プラズマ溶接電源ＰＰＳは第２のピーク電流を通電する。このとき、第２のピーク電流の通電時間を調整し、アルミニウムの酸化膜を取り除くプラズマアークの入熱に制御するとので、アルミニウムが必要とする所定のクリーニング領域が確保できる。また、上述では、第２のピーク電流の通電開始を遅くして通電時間を調整しているが、逆に第２のピーク電流通電終了の速くして通電時間を調整してもよい。

実施の形態１のプラズマＭＩＧ溶接のパルスアーク波形制御方法を実施 するための溶接装置のブロック図である 実施の形態１のプラズマＭＩＧ溶接電源装置の動作を説明するタイミン グ図である。 実施の形態２のプラズマＭＩＧ溶接のパルスアーク波形制御方法を実施 するための溶接装置のブロック図である 実施の形態２のプラズマＭＩＧ溶接電源装置の動作を説明するタイミン グ図である。 プラズマＭＩＧトーチの詳細図である。

符号の説明

１ 溶接ワイヤ
２ プラズマチップ
３ プラズマノズル
４ シールドノズル
５ａ ＭＩＧアーク
５ｂ プラズマアーク
６ 被加工物
ＡＷＣ 送給制御装置
ＡＷｃ 送給制御信号
ＡＷＦ ワイヤ送給装置
ＡＷＳ 送給速度設定回路
ＡＷｓ 送給速度設定信号
ＥＩ 電流誤差増幅回路
Ｅｉ 電流誤差増幅信号
ＥＶ 電圧誤差増幅回路
Ｅｖ 電圧誤差増幅信号
ＩＮ インバータゲート回路
Ｉｎ インバータゲート信号
ＩＮＶ１ 第１の出力制御回路
ＩＮＶ２ 第２の出力制御回路
ＩＤ１ 第１の電流検出回路
Ｉｄ１ 第１の電流検出信号
ＩＤ２ 第２の電流検出回路
Ｉｄ２ 第２の電流検出信号
ＭＣ 変調回路
ＭＭ モノマルチバイブレータ回路
Ｍｍ モノマルチバイブレータ信号
ＭＰＳ ＭＩＢ溶接電源
ＭＩＢ 第１のベース電流設定回路
ＭＩｂ 第１のベース電流設定信号
ＭＩＰ 第１のピーク電流設定回路
ＭＩｐ 第１のピーク電流設定信号
ＭＩｗ ＭＩＧ溶接電流
ＭＶｗ ＭＩＧ溶接電圧
ＭＳＷ 第１の切換回路
ＭＩｓｃ 第１の電流制御設定信号
ＰＰＳ プラズマ溶接電源
ＰＳＷ 第２の切換回路
ＰＩＢ 第２のベース電流設定回路
ＰＩｂ 第２のベース電流設定信号
ＰＩＰ 第２のピーク電流設定回路
ＰＩｐ 第２のピーク電流設定信号
ＰＶｗ プラズマ溶接電圧
ＰＩｗ プラズマ溶接電流
ＰＴＤ 遅遅時間設定回路ＴＤ
ＰＴｄ 遅遅時間設定信号
ＰＴｐ プラズマピーク電流通電時間
ＰＩｓｃ 第２の電流制御設定信号
ＴＤ 遅遅回路
Ｔｄ 遅遅信号
ＴＨ プラズマＭＩＧトーチ
ＴＰ ピーク電流通電時間設定回路
Ｔｐ ピーク電流通電時間設定信号
ＶＤ 電圧検出回路
Ｖｄ 電圧検出信号
ＶＦ Ｖ／Ｆ変換回路
Ｖｆ Ｖ／Ｆ変換信号

Claims (3)

1. 溶接ワイヤを予め定めた送給速度で送給し、前記溶接ワイヤに第１のピーク電流の通電と第１のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返して被加工物にＭＩＧアークを発生させると共に、プラズマノズルに第２のピーク電流の通電と第２のベース電流の通電とを１周期とし通電を繰り返して被加工物にプラズマアークを発生させるプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法において、前記プラズマアークは、前記第１のピーク電流通電中に前記第２のベース電流を通電し、前記第１のベース電流通電中に前記第２のピーク電流を通電することを、特徴するプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法。
2. 前記被加工物の溶込形状を制御させるために、前記第２のピーク電流の値を変化させることを、特徴とする請求項１記載のプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法。
3. 前記被加工物の溶込形状を制御させるために、前記第２のピーク電流の通電時間を変化させることを、特徴とする請求項１記載のプラズマＭＩＧ溶接のパルス波形制御方法。
   
   
   
   
   
   
   
   

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