JP2008098456A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 162
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明は、所望の領域を開口する第1抜きパターン(30)と、金属マスクの材料が互いに連結されない複数の部位に分断する領域を開口する第2抜きパターン(32)と、を有する金属マスクを形成する工程と、金属マスクを用いて基板および基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【選択図】図2
Description
11 ウェハ
12 エピタキシャル層
13 ストッパ層
14 電極パッド層
15 GaN系半導体層
16 種メタル膜
18 レジスト
20 金属マスク
30 第1抜きパターン
32、32a、32b、32c 第2抜きパターン
34 スクライブラインとなる領域
40 貫通孔
42 溝部
45 チップ
Claims (11)
- 所望の領域を開口する第1抜きパターンと、金属マスクの材料が互いに連結されない複数の部位に分断する領域を開口する第2抜きパターンと、を有する前記金属マスクを形成する工程と、
前記金属マスクを用いて前記基板および前記基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1抜きパターンは、前記基板を貫通する貫通孔を形成するパターンであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2抜きパターンは、チップとなる領域を横断する溝部を形成するパターンであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2抜きパターンは、スクライブラインになる領域に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2抜きパターンが形成される領域の前記基板上に設けられた層には、エッチングストッパ層が設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板および前記基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程は、前記基板を支持基板に貼り付けて実行されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板は、Si、SiC、サファイア、石英およびGaNのいずれかからなる基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板上に設けられた層は、GaN系半導体層またはSiC層であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属マスクは、NiまたはCrを含有するものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板および前記基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程は、前記基板温度が100℃以上で実行されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板および前記基板上に設けられた層の少なくとも一方をドライエッチングにより選択的に除去する工程は、ICPエッチング装置またはECRエッチング装置を用いて実行されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006279351A JP2008098456A (ja) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
US11/872,224 US20080087634A1 (en) | 2006-10-13 | 2007-10-15 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006279351A JP2008098456A (ja) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008098456A true JP2008098456A (ja) | 2008-04-24 |
Family
ID=39302212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006279351A Pending JP2008098456A (ja) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080087634A1 (ja) |
JP (1) | JP2008098456A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302151A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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JP2018182026A (ja) * | 2017-04-11 | 2018-11-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
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CN103376668B (zh) * | 2012-04-20 | 2015-03-25 | 世禾科技股份有限公司 | 金属光罩 |
US9610543B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-04-04 | Infineon Technologies Ag | Method for simultaneous structuring and chip singulation |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2633451B1 (fr) * | 1988-06-24 | 1990-10-05 | Labo Electronique Physique | Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs incluant au moins une etape de gravure ionique reactive |
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- 2006-10-13 JP JP2006279351A patent/JP2008098456A/ja active Pending
-
2007
- 2007-10-15 US US11/872,224 patent/US20080087634A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080087634A1 (en) | 2008-04-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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