JP2008098429A - Light-emitting device, and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device that prevents the occurrence of an electrode short-circuit and contamination on a light-emitting face due to wrapping-around of solder during mounting, and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: The light-emitting device 10 is provided with a light-emitting element 18, a substrate 15 for mounting the light-emitting element 18, a pair of upper-face electrodes 16a, 16b formed on the upper face of the substrate 15 while being connected with the light-emitting element 18, a pair of lower-face electrodes 27a, 27b formed on the lower face of the substrate 15, and connection parts 22a, 22b for making the upper-face electrodes 16a, 16b conductive with the lower-face electrodes 27a, 27b. The substrate 15 is provided with a pair of protrusion parts 40 protruding from a pair of side faces of the substrate 15. The lower-face electrodes 27a, 27b are respectively extended to each protrusion part 40. In the light-emitting device 10, the lower-face electrodes 27a, 27b are respectively formed at each protrusion part 40. Therefore, if only the protrusion parts 40 are respectively made into contact with solder 28 when mounting the light-emitting element to a mounting substrate 30, it is possible to make the light-emitting device 10 conductive with the mounting substrate 30. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置に関し、特に、液晶用バックライトに適した薄型の発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a thin light emitting device suitable for a liquid crystal backlight.

携帯電話等の液晶画面のバックライト用の発光装置として、1個又は複数個の発光ダイオードを組み込んだ発光装置が多用されている。バックライト用の発光装置では、小寸法、特に厚みの薄い形状にされて、発光装置を実装基板に横倒しにして実装する方法が採用されることがある。このように実装した発光装置は、実装基板の上面側から観察した場合に、発光装置の側面から発光し、実装基板の実装面と平行な方向に光が広がる。発光装置の側面(発光面)に導光板を配置することにより、広い面を均一に照明するバックライトを得ることができる。   2. Description of the Related Art A light emitting device incorporating one or a plurality of light emitting diodes is often used as a light emitting device for a backlight of a liquid crystal screen such as a cellular phone. In a light emitting device for a backlight, there is a case in which a small size, particularly a thin shape, is mounted and the light emitting device is mounted on a mounting board while being laid down. The light-emitting device mounted in this way emits light from the side surface of the light-emitting device when observed from the upper surface side of the mounting substrate, and light spreads in a direction parallel to the mounting surface of the mounting substrate. By arranging the light guide plate on the side surface (light emitting surface) of the light emitting device, a backlight that uniformly illuminates a wide surface can be obtained.

バックライトに適した発光装置として、サブマウントに1〜3個の発光ダイオードを実装し、発光ダイオードを半円柱状のエポキシ樹脂製の凸レンズで覆ったものが知られている(例えば特許文献1及び2参照。)。このような凸レンズ付きの発光装置は、反射枠を備えていないので、小型化及び薄型化に特に適している。
特開2001−177156号公報 特開2003−234507号公報
As a light emitting device suitable for a backlight, a device in which 1 to 3 light emitting diodes are mounted on a submount and the light emitting diodes are covered with a convex lens made of a semi-cylindrical epoxy resin is known (for example, Patent Document 1 and 2). Since such a light emitting device with a convex lens does not include a reflection frame, it is particularly suitable for downsizing and thinning.
JP 2001-177156 A JP 2003-234507 A

発光装置等を実装基板に実装するときには、ハンダリフローによるハンダ付けが行われているが、この方法では、まず実装基板30の所定位置にハンダペーストを塗布し、次いで発光装置10をハンダペーストに位置合わせして載置し、その後にハンダを溶融させて発光装置10を実装する方法である。特許文献1及び2のような発光装置では、発光装置の小型化に伴って、リフロー時の溶融ハンダのわずかな広がりが、本来ハンダが接触すべきでない領域、例えば隣接する電極への接触や、基板本体から発光面まで広がって接触するおそれがある。これにより、電極間の短絡や、発光面の汚染といった問題が起こってしまう。そして、発光装置10を載置するときに所定位置からわずかにずれただけでも、リフロー時に発光装置の発光面など望ましくない部分にハンダが回り込みやすいので、載置時に高い精度が要求され、また不良品発生率を上昇させる原因にもなっていた。   When a light emitting device or the like is mounted on a mounting substrate, soldering is performed by solder reflow. In this method, first, solder paste is applied to a predetermined position of the mounting substrate 30, and then the light emitting device 10 is positioned on the solder paste. In this method, the light emitting device 10 is mounted by placing them together and then melting the solder. In light emitting devices such as Patent Documents 1 and 2, with the miniaturization of the light emitting device, a slight spread of molten solder at the time of reflow is a region where the solder should not contact, for example, contact with an adjacent electrode, There is a risk of spreading from the substrate body to the light emitting surface and making contact. This causes problems such as a short circuit between the electrodes and contamination of the light emitting surface. Even if the light emitting device 10 is slightly displaced from the predetermined position when the light emitting device 10 is placed, the solder easily goes around to an undesired portion such as the light emitting surface of the light emitting device at the time of reflow. It was also a cause of increasing the incidence of good products.

そこで、本発明は、実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止できる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device and a method for manufacturing the same that can prevent electrode short-circuiting and contamination of the light emitting surface due to solder wrapping during mounting.

本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子を実装するための基板と、前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする。   The light emitting device of the present invention includes a light emitting element, a substrate for mounting the light emitting element, a pair of upper surface electrodes formed on the upper surface of the substrate and connected to the light emitting element, and formed on the lower surface of the substrate. A light-emitting device including a pair of lower surface electrodes and a connection portion that conducts between the upper surface electrode and the lower surface electrode, wherein the substrate includes a pair of projecting portions projecting from a pair of side surfaces of the substrate. The lower surface electrode is extended to the projecting portion.

本発明の発光装置は、基板の長手方向に突出した突出部に下面電極が形成されているので、実装基板に実装するときに、突出部のみをハンダに接触させれば発光装置と実装基板との導通をとることができる。これにより、ハンダが基板本体に接触することがなく、よって、ハンダが透明樹脂層の発光面にまで到達するのを効果的に防止できる。
また、ハンダリフローによる実装では、ハンダペーストに対する発光装置の位置決め精度が多少下がっても、突出部が基板の本体から突出している分だけハンダが回り込みにくく、不良品発生率を下げることができる。
In the light emitting device of the present invention, the lower surface electrode is formed on the protruding portion that protrudes in the longitudinal direction of the substrate. Therefore, when mounting on the mounting substrate, the light emitting device and the mounting substrate can be obtained by contacting only the protruding portion with the solder. Can be conducted. Thereby, the solder does not come into contact with the substrate body, and therefore it is possible to effectively prevent the solder from reaching the light emitting surface of the transparent resin layer.
Further, in the mounting by solder reflow, even if the positioning accuracy of the light emitting device with respect to the solder paste is somewhat lowered, the solder is less likely to turn around as long as the protruding portion protrudes from the main body of the substrate, and the defective product generation rate can be reduced.

本発明の発光装置の製造方法は、略平行に形成された複数のスロットを備えた第2基板の下面側に、第1基板を積層して積層基板を形成する工程と、前記積層基板の上面から下面まで貫通した複数のスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内部にメッキを施した後、穴埋め材料を配置して接続部を形成する工程と、前記積層基板の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、前記積層基板の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、前記積層基板の上面に発光素子を実装する工程と、前記スロットと略垂直方向に基板を切断して、個々の発光装置に分離する工程と、を備えることを特徴とする。   The method for manufacturing a light emitting device of the present invention includes a step of stacking a first substrate on a lower surface side of a second substrate having a plurality of slots formed substantially in parallel to form a stacked substrate, and an upper surface of the stacked substrate. Forming a plurality of through holes penetrating from the bottom surface to the bottom surface, plating the inside of the through holes, placing a filling material and forming a connection portion, and forming the connection on the top surface of the multilayer substrate Forming a top electrode in contact with the upper end of the portion, forming a bottom electrode in contact with the lower end of the connection portion on the lower surface of the multilayer substrate, and mounting a light emitting element on the upper surface of the multilayer substrate; And a step of cutting the substrate in a direction substantially perpendicular to the slot and separating the substrate into individual light emitting devices.

本発明の製造方法は、第2基板にスロットを形成してから2枚の基板を積層し、最後にスロットと垂直方向にのみ切断することにより、突出部を有する基板を備えた発光装置を、比較的容易に、また多数同時に形成することができる。   In the manufacturing method of the present invention, a light emitting device including a substrate having a protruding portion is formed by stacking two substrates after forming a slot on a second substrate and finally cutting only in a direction perpendicular to the slot. It can be formed relatively easily and at the same time.

本発明の発光装置は、実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止可能である。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記の発光装置の製造に適しており、多数の発光装置を同時に製造できる効果を有する。   The light-emitting device of the present invention can prevent electrode short-circuiting and contamination of the light-emitting surface due to solder wrapping during mounting. In addition, the method for manufacturing a light emitting device of the present invention is suitable for manufacturing the above light emitting device, and has an effect of simultaneously manufacturing a large number of light emitting devices.

<実施の形態1>
本実施の形態の発光装置10は、図1及び図2A〜Dに図示されているように、X方向の寸法が長く、Y方向の寸法が短い第1基板12及び第2基板14を含んでいる。これらの基板は、第1基板12の上面12aと第2基板14の下面14bとの間に接着部材36を介在させて接着されて、Z方向に積層した積層基板15を形成している。
第1基板12のX方向の寸法12Xは、第2基板14のX方向の寸法14Xよりも長いので、第1基板12と第2基板14とを積層すると、第1基板12の突出部40が、第2基板14よりも、突出量40Xだけ飛び出す。
第1基板12のY方向の寸法12Yは、第2基板14のY方向の寸法14Yとは略等しく、Y方向においては、第1基板12と第2基板14とを実質的に面一に積層することができる。
<Embodiment 1>
The light emitting device 10 of the present embodiment includes a first substrate 12 and a second substrate 14 that have a long dimension in the X direction and a short dimension in the Y direction, as shown in FIGS. 1 and 2A to 2D. Yes. These substrates are bonded with an adhesive member 36 interposed between the upper surface 12a of the first substrate 12 and the lower surface 14b of the second substrate 14 to form a stacked substrate 15 stacked in the Z direction.
Since the dimension 12X in the X direction of the first substrate 12 is longer than the dimension 14X in the X direction of the second substrate 14, when the first substrate 12 and the second substrate 14 are stacked, the protruding portion 40 of the first substrate 12 is The protrusion amount 40X protrudes from the second substrate 14.
The dimension 12Y in the Y direction of the first substrate 12 is substantially equal to the dimension 14Y in the Y direction of the second substrate 14, and the first substrate 12 and the second substrate 14 are stacked substantially flush with each other in the Y direction. can do.

第2基板14の上面14aには、一対の上面電極16a、16bが形成され、また、上面電極16aの一部であって発光素子18の実装部分(ダイパッド)に上に発光素子18(例えば発光ダイオード)が固定されている。発光素子18は、導電性ワイヤ38a、38bによって上面電極16a、16bに導通されている。
第2基板14の上面14aは、透明樹脂から成る透明樹脂層20によって覆われており、発光素子18を外部環境から保護している。本実施の形態では、透明樹脂層20の発光面42を、Z方向に突出したシリンドリカルレンズに成形することにより、発光素子18からYZ面内に広がる光が、Z方向に効率よく取り出すことができる。
A pair of upper surface electrodes 16a and 16b are formed on the upper surface 14a of the second substrate 14, and a light emitting element 18 (for example, a light emitting element) is formed on a mounting portion (die pad) of the light emitting element 18 as a part of the upper surface electrode 16a. Diode) is fixed. The light emitting element 18 is electrically connected to the upper surface electrodes 16a and 16b by the conductive wires 38a and 38b.
The upper surface 14a of the second substrate 14 is covered with a transparent resin layer 20 made of a transparent resin, and protects the light emitting element 18 from the external environment. In the present embodiment, by forming the light emitting surface 42 of the transparent resin layer 20 into a cylindrical lens protruding in the Z direction, light spreading in the YZ plane from the light emitting element 18 can be efficiently extracted in the Z direction. .

上面電極16a、16bの直下には、第1基板12の下面12bから第2基板14の上面14aまで貫通するスルーホール34が形成されている。このスルーホール34は、内面にメッキが施された後に内部に穴埋め材料が充填されて、接続部22a、22bを構成する。接続部22a、22bは、上面電極16a、16b及び下面電極27a、27bによって封止されている。   A through hole 34 penetrating from the lower surface 12b of the first substrate 12 to the upper surface 14a of the second substrate 14 is formed immediately below the upper surface electrodes 16a and 16b. The through holes 34 are plated on the inner surface and then filled with a filling material to form the connecting portions 22a and 22b. The connecting portions 22a and 22b are sealed by the upper surface electrodes 16a and 16b and the lower surface electrodes 27a and 27b.

第1基板12の上面12aから側面12cを通って下面12bまで、2つの下面電極27a、27bが形成されている。下面電極27a、27bは、第1基板12と第2基板14との間と、第1基板12の下面12b側との2箇所において、接続部22a、22bと接触する。2つの下面電極27a、27bは、第1基板12の上面12a及び下面12bで分離されている。また、下面電極27a、27bの短絡を避けるために、接着部材36には絶縁性の接着材料が使用される。   Two lower surface electrodes 27a and 27b are formed from the upper surface 12a of the first substrate 12 through the side surface 12c to the lower surface 12b. The lower surface electrodes 27 a and 27 b are in contact with the connection portions 22 a and 22 b at two locations between the first substrate 12 and the second substrate 14 and the lower surface 12 b side of the first substrate 12. The two lower surface electrodes 27 a and 27 b are separated by the upper surface 12 a and the lower surface 12 b of the first substrate 12. Further, an insulating adhesive material is used for the adhesive member 36 in order to avoid a short circuit between the lower surface electrodes 27a and 27b.

図1に示すように、本発明の発光装置10は、第1基板12の長手方向(X方向)の突出部40が第2基板14よりも突出しているので、実装基板30に実装するときに、突出部40のみをハンダ28に接触させて、発光装置10と実装基板30との導通をとることができる。これにより、ハンダ28が第2基板14に直接接触することがなく、よって、ハンダ28が樹脂層20の発光面42にまで到達するのを防止できる。
また、ハンダリフローによる実装では、ハンダペーストに対する発光装置10の位置決め精度が多少下がっても、第1基板12の突出部40が第2基板14よりも突出している分だけハンダ28が回り込みにくく、不良品発生率を下げることができる。
As shown in FIG. 1, in the light emitting device 10 of the present invention, the protrusion 40 in the longitudinal direction (X direction) of the first substrate 12 protrudes from the second substrate 14. Only the protruding portion 40 can be brought into contact with the solder 28 to establish electrical connection between the light emitting device 10 and the mounting substrate 30. Thereby, the solder 28 does not come into direct contact with the second substrate 14, and therefore it is possible to prevent the solder 28 from reaching the light emitting surface 42 of the resin layer 20.
In addition, in the mounting by solder reflow, even if the positioning accuracy of the light emitting device 10 with respect to the solder paste is somewhat lowered, the solder 28 is less likely to turn around as much as the protruding portion 40 of the first substrate 12 protrudes from the second substrate 14. The rate of non-defective products can be reduced.

Z方向におけるハンダ28の広がりは、第1基板12を中心にして第2基板14の途中に達する程度である。これは、本発明の発光装置10を導光板と組み合わせる場合には、透明樹脂層20の全体を導光板に嵌め込むことができるので、発光素子18からの光を漏れなく導光板に入射することができ、また導光板との位置合わせしやすい点で有利である。   The spread of the solder 28 in the Z direction is such that it reaches the middle of the second substrate 14 around the first substrate 12. This is because when the light emitting device 10 of the present invention is combined with a light guide plate, the entire transparent resin layer 20 can be fitted into the light guide plate, so that light from the light emitting element 18 enters the light guide plate without leakage. This is advantageous in that it can be easily aligned with the light guide plate.

下面電極27a、27bは、第1基板12と第2基板14との間で接続部22a、22bと接触しているので、接続部22a、22bの内部にこもりやすい熱を外部に逃がす放熱経路として有効である。これにより、半導体発光装置10の積層基板15が反るなどの熱による悪影響を抑制することができる。   Since the lower surface electrodes 27a and 27b are in contact with the connection portions 22a and 22b between the first substrate 12 and the second substrate 14, they serve as heat dissipation paths for releasing heat that tends to be trapped inside the connection portions 22a and 22b to the outside. It is valid. Thereby, the bad influence by heat, such as the multilayer substrate 15 of the semiconductor light-emitting device 10, warping can be suppressed.

次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
(1.積層基板15の作製)
図3には、第1基板12と第2基板14とを積層する前の段階を示す。図示した第1基板12及び第2基板14は、複数個の発光装置10を同時に形成できるものである。
第1基板12には、Y方向に長いスロット120が複数(この例では2つ)並列して形成されている。第1基板12の上面12a、下面12b、及びスロット120の内壁には、連続する金属膜から成る下面電極27(後に下面電極27a、27bに分離される)が形成されている。この下面電極27は、上面12a側の隣接するスロット120の間で、Y方向に延びる隙間により分離されている。この分離部分からは、第1基板12が露出している。
Next, a method for manufacturing the light emitting device according to this embodiment will be described.
(1. Production of laminated substrate 15)
FIG. 3 shows a stage before the first substrate 12 and the second substrate 14 are stacked. The illustrated first substrate 12 and second substrate 14 can form a plurality of light emitting devices 10 simultaneously.
On the first substrate 12, a plurality of (two in this example) slots 120 that are long in the Y direction are formed in parallel. On the upper surface 12a and the lower surface 12b of the first substrate 12 and the inner wall of the slot 120, a lower surface electrode 27 (which is later separated into lower surface electrodes 27a and 27b) made of a continuous metal film is formed. The lower surface electrode 27 is separated between adjacent slots 120 on the upper surface 12a side by a gap extending in the Y direction. The first substrate 12 is exposed from this separated portion.

第2基板14にも、Y方向に長いスロット140が複数(この例では2つ)並列して形成されている。このスロット140は、第1基板12のスロット120と比較して、Y方向が同じ寸法で、X方向が大きく形成されている。また、第1基板14の上面14aにも、連続する金属膜から成る上面電極16(後に上面電極16a、16bに分離される)が形成されている。なお、第1基板14の下面14b、及びスロット140の内壁には、金属膜が形成されていない。   Also on the second substrate 14, a plurality (two in this example) of slots 140 that are long in the Y direction are formed in parallel. The slot 140 has the same dimension in the Y direction and is larger in the X direction than the slot 120 of the first substrate 12. In addition, an upper surface electrode 16 made of a continuous metal film (later separated into upper surface electrodes 16a and 16b) is also formed on the upper surface 14a of the first substrate 14. Note that a metal film is not formed on the lower surface 14 b of the first substrate 14 and the inner wall of the slot 140.

図3の第1基板12と第2基板14とは、接着材層36を間に挟んで積層して、図4Aに示すような積層基板15を形成する。このとき、Z方向から観察して、第1基板12のスロット120の長手方向(Y方向)の中心線と、第2基板14のスロット140の長手方向(Y方向)の中心線とが一致するように、第1基板12と第2基板14とを位置合わせをして積層する。この位置合わせがずれると、積層基板15の突出部40の左右の突出量40Xが不均一になる。
発光装置10の実装時には、第1基板12の中心を基準として実装を行うが、左右の突出量40Xが異なると、第1基板12の中心と第2基板14の中心とがずれていることになる。よって、いくら精度よく実装したとしても、第2基板14上の発光素子18及び同盟樹脂層20の中心が、設計時の位置からずれるという問題が起こる。そのため、第1基板12と第2基板14との積層では、スロットの中心をできるだけ精度よく位置合わせするのが好ましい。
The first substrate 12 and the second substrate 14 of FIG. 3 are stacked with the adhesive layer 36 interposed therebetween to form a stacked substrate 15 as shown in FIG. 4A. At this time, as viewed from the Z direction, the center line in the longitudinal direction (Y direction) of the slot 120 of the first substrate 12 and the center line in the longitudinal direction (Y direction) of the slot 140 of the second substrate 14 coincide. As described above, the first substrate 12 and the second substrate 14 are aligned and stacked. If this alignment is shifted, the left and right protruding amounts 40X of the protruding portion 40 of the multilayer substrate 15 become non-uniform.
When the light emitting device 10 is mounted, the mounting is performed with the center of the first substrate 12 as a reference. However, if the left and right protrusion amounts 40X are different, the center of the first substrate 12 and the center of the second substrate 14 are shifted. Become. Therefore, no matter how accurate the mounting is, there arises a problem that the centers of the light emitting element 18 and the allied resin layer 20 on the second substrate 14 are displaced from the positions at the time of design. Therefore, in stacking the first substrate 12 and the second substrate 14, it is preferable to align the center of the slot as accurately as possible.

(2.積層基板15の加工)
図4Aのように積層した積層基板15に、第1基板12の下面から第2基板14の上面まで貫通したスルーホール34を形成する(図4B参照)。スルーホール34は、第2基板14のスロット140とスロット140との間に、X方向に2つ並べて形成する。特に、各スルーホール34が、第1基板12の上面12a側に形成された下面電極27を貫通するように位置を決定する。なお、複数の発光装置10を同時に形成するときには、X方向に並んだ一対のスルーホールを、Y方向に並列に配列する。一対のスルーホールが1つの発光装置10に分配されることになるので、形成する発光装置10の個数に合わせて必要な個数のスルーホールを形成する。
(2. Processing of laminated substrate 15)
Through holes 34 penetrating from the lower surface of the first substrate 12 to the upper surface of the second substrate 14 are formed in the laminated substrate 15 laminated as shown in FIG. 4A (see FIG. 4B). Two through holes 34 are formed side by side in the X direction between the slot 140 and the slot 140 of the second substrate 14. In particular, the position is determined so that each through hole 34 penetrates the lower surface electrode 27 formed on the upper surface 12 a side of the first substrate 12. When a plurality of light emitting devices 10 are formed at the same time, a pair of through holes arranged in the X direction are arranged in parallel in the Y direction. Since a pair of through holes are distributed to one light emitting device 10, a necessary number of through holes are formed according to the number of light emitting devices 10 to be formed.

形成したスルーホール34には、スルーホール34の内面にメッキ層(図示せず)を施した後、スルーホール34の内部に穴埋め材料(金属ペースト若しくはエポキシ樹脂等)を充填される。メッキ層と穴埋め材料とから構成された接続部22a、22bは、両端を金属膜で被覆される。金属膜は、メッキ層と電気的に接続され、さらに、上面電極16(図中の符号16a、16b)及び下面電極27(図中の符号27a、27b)と一体にされる。これにより、上面電極16と下面電極27とは、接続部22a、22bを介して電気的に接続される(図4C参照)。   The formed through hole 34 is provided with a plating layer (not shown) on the inner surface of the through hole 34, and then filled with a filling material (metal paste or epoxy resin) inside the through hole 34. Both ends of the connecting portions 22a and 22b made of the plating layer and the hole filling material are covered with a metal film. The metal film is electrically connected to the plating layer, and further integrated with the upper surface electrode 16 (reference numerals 16a and 16b in the figure) and the lower surface electrode 27 (reference numerals 27a and 27b in the figure). Thereby, the upper surface electrode 16 and the lower surface electrode 27 are electrically connected via the connection parts 22a and 22b (refer FIG. 4C).

第1基板12の下面12bに形成された下面電極27は部分的に除去されて、図2Dに示すような2つの下面電極27a及び27bに分離される。また、第2基板14の上面14aに形成された上面電極16も部分的に除去されて、2つの上面電極27a及び27bに分離されると共に、図2Aに示すような形状に成形される。特に、一方の上面電極16aは、矩形のダイパッドを備える形状にされる。   The lower surface electrode 27 formed on the lower surface 12b of the first substrate 12 is partially removed and separated into two lower surface electrodes 27a and 27b as shown in FIG. 2D. Further, the upper surface electrode 16 formed on the upper surface 14a of the second substrate 14 is also partially removed and separated into two upper surface electrodes 27a and 27b, and is formed into a shape as shown in FIG. 2A. In particular, one upper surface electrode 16a is formed to have a rectangular die pad.

(3.発光素子18の実装)
次いで、得られた積層基板15に、発光素子18を実装する。発光素子18は、上面電極16aのダイパッドにダイボンドされる。そして、発光素子18の電極(図示せず)と、積層基板15の上面電極16a、16とを導電性ワイヤ38a、38bによりワイヤボンドする(図4D参照)。複数の発光装置10を同時に製造する場合には、上面電極16aのダイパッドをY方向に沿って複数形成し、各ダイパッドに発光素子18を実装することができる(図5参照)。
(3. Mounting of light emitting element 18)
Next, the light emitting element 18 is mounted on the obtained multilayer substrate 15. The light emitting element 18 is die-bonded to the die pad of the upper surface electrode 16a. And the electrode (not shown) of the light emitting element 18 and the upper surface electrodes 16a and 16 of the laminated substrate 15 are wire-bonded by the conductive wires 38a and 38b (see FIG. 4D). When a plurality of light emitting devices 10 are manufactured simultaneously, a plurality of die pads for the upper surface electrode 16a can be formed along the Y direction, and the light emitting element 18 can be mounted on each die pad (see FIG. 5).

(4.透明樹脂層20の形成)
積層基板15の上面に、発光素子18、上面電極16a、16b及び導電性ワイヤ38a、38bを封止する透明樹脂層20を形成する(図4E及び図5参照)。図5に示すように、本発明の方法によれば複数(この例では2つ)の発光素子18に同時に透明樹脂層を設けることができる。
透明樹脂層20は、レンズ形状を有する金型を用い、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法により形成可能である。なお、透明樹脂層20には、発光素子18からの発光を波長変換するための蛍光体を含んでもよく、また、光拡散材を含有させてもよい。さらに、発光素子18の周辺に蛍光体及び波長変換部材を含む樹脂層を塗布し、その樹脂層を覆うように透明樹脂でレンズを作ることも可能である。2層構造にすることによりレンズ効果を高めることができる。
(4. Formation of transparent resin layer 20)
A transparent resin layer 20 for sealing the light emitting element 18, the upper surface electrodes 16a and 16b, and the conductive wires 38a and 38b is formed on the upper surface of the multilayer substrate 15 (see FIGS. 4E and 5). As shown in FIG. 5, according to the method of the present invention, a transparent resin layer can be provided simultaneously on a plurality (two in this example) of light emitting elements 18.
The transparent resin layer 20 can be formed by a method such as transfer molding, compression molding, injection molding, or the like, using a lens-shaped mold. The transparent resin layer 20 may contain a phosphor for converting the wavelength of light emitted from the light emitting element 18 or may contain a light diffusing material. Furthermore, it is also possible to apply a resin layer including a phosphor and a wavelength conversion member around the light emitting element 18 and make a lens with a transparent resin so as to cover the resin layer. The lens effect can be enhanced by using a two-layer structure.

(5.発光装置10への分割)
最後に、図5の切断線Cに沿って積層基板15を切断する。切断線Cは、切断後の各発光装置10に、1つの発光素子18と一対の接続部22a、22bとが含まれるように設定される。切断後は、図4Fに示すように発光装置10が得られる。
(5. Division into light-emitting device 10)
Finally, the laminated substrate 15 is cut along the cutting line C in FIG. The cutting line C is set so that each light emitting device 10 after cutting includes one light emitting element 18 and a pair of connection portions 22a and 22b. After cutting, the light emitting device 10 is obtained as shown in FIG. 4F.

本実施の形態の製造方法は、異なる幅のスロットを形成した2枚の基板を積層し、最後にスロットと垂直方向に切断するだけで、第1基板12の突出部40を第2基板14よりも突出させた積層基板15を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、長さの異なる第1基板12と第2基板14から成る積層基板15を、異なる幅のスロットを備えた基板を積層することにより容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置10の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。   In the manufacturing method of the present embodiment, two substrates having slots with different widths are stacked, and finally, the protruding portion 40 of the first substrate 12 is removed from the second substrate 14 by cutting in a direction perpendicular to the slots. In addition, a large number of light emitting devices each including the laminated substrate 15 that is protruded can be formed. Further, the laminated substrate 15 including the first substrate 12 and the second substrate 14 having different lengths can be easily manufactured by laminating substrates having slots having different widths. Furthermore, even if the light emitting device 10 is manufactured in a small size, it can be easily manufactured by manufacturing it with a substrate having a dimension and shape that is relatively easy to handle and finally cutting in parallel.

以下、発光装置10の各構成について詳細に説明する。   Hereinafter, each configuration of the light emitting device 10 will be described in detail.

(第1基板12、第2基板14/上面電極16a、16b、下面電極27a、27b)
第1基板12及び第2基板14は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、第1基板12及び第2基板14に形成する上面電極16a、16b及び下面電極27a、27bは、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましく、例えば、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
(First substrate 12, second substrate 14 / upper surface electrodes 16a and 16b, lower surface electrodes 27a and 27b)
The first substrate 12 and the second substrate 14 are not particularly limited as long as the materials have appropriate mechanical strength and insulating properties. For example, BT resin, glass epoxy, or the like can be used. Moreover, what laminated | stacked the multilayered epoxy resin sheet may be used. Moreover, it is preferable that the upper surface electrodes 16a and 16b and the lower surface electrodes 27a and 27b formed on the first substrate 12 and the second substrate 14 are metal layers mainly composed of Cu, for example, constituted by Cu / Ni / Ag. can do.

(接続部22a、22b)
接続部22a、22bは、内面に形成されたメッキ層と内部に充填された穴埋め材料とから構成される。メッキ層は無電界メッキにより形成した金属メッキ膜から形成される。スルーホール34に、穴埋め材料である銅ペースト、銀ペーストなどの導電部材やエポキシ樹脂などの絶縁部材を充填して形成することができる。金属ペーストは、上面電極16a、16b及び下面電極27a、27bによって、スルーホール内に封止される。
なお、メッキ層を厚く形成して、スルーホール34を全部充填してもよく、この場合にはメッキ層が穴埋め材料も兼ねることになる。
(Connection 22a, 22b)
The connecting portions 22a and 22b are composed of a plating layer formed on the inner surface and a hole filling material filled inside. The plating layer is formed from a metal plating film formed by electroless plating. The through hole 34 can be formed by filling a conductive material such as copper paste or silver paste, which is a filling material, or an insulating member such as epoxy resin. The metal paste is sealed in the through hole by the upper surface electrodes 16a and 16b and the lower surface electrodes 27a and 27b.
Note that the plated layer may be formed thick to fill the entire through hole 34. In this case, the plated layer also serves as a filling material.

(接着部材36)
接着部材36は、第1基板12及び第2基板14との接着性が良好で、且つ下面電極27a、27bや接続部22a、22bの間を絶縁できる絶縁性の接着剤や接着シートから形成することができる。
(Adhesive member 36)
The adhesive member 36 is formed of an insulating adhesive or adhesive sheet that has good adhesion to the first substrate 12 and the second substrate 14 and can insulate between the lower surface electrodes 27a and 27b and the connection portions 22a and 22b. be able to.

(発光素子18)
発光素子18には、半導体発光素子が好ましく利用される。特に、バックライト用の白色発光装置を作製する場合には、発光素子に短波長を発する発光ダイオードを用いて、蛍光体により発光の一部を他の色に波長変換する方法が採用できる。以下に、白色発光装置に利用できる発光ダイオードと蛍光体との組み合わせについて説明する。
(Light emitting element 18)
A semiconductor light emitting element is preferably used for the light emitting element 18. In particular, when a white light emitting device for a backlight is manufactured, a method of converting a part of emitted light into another color by a phosphor using a light emitting diode that emits a short wavelength to the light emitting element can be adopted. Below, the combination of the light emitting diode which can be utilized for a white light-emitting device and fluorescent substance is demonstrated.

白色の発光装置を構成するのに適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)のを用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、InGa1-xN(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード8の発光波長は400nm以上530nm以下に設定することが好ましく、420nm以上490nm以下に設定することがより好ましい。なお、蛍光体の種類を選択することにより、400nmより短い紫外域の波長の光を発光するLEDチップを適用することもできる。
As a light-emitting diode suitable for constituting a white light-emitting device, used after using nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- X-Y N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) that the be able to. This light emitting diode has In x Ga 1-x N (0 <x <1) as a light emitting layer, and the light emission wavelength can be arbitrarily changed from about 365 nm to 650 nm depending on the degree of mixed crystal.
In the case of emitting white light, considering the complementary color relationship with the light emitted from the phosphor, the emission wavelength of the light emitting diode 8 is preferably set to 400 nm or more and 530 nm or less, and set to 420 nm or more and 490 nm or less. It is more preferable. An LED chip that emits light having a wavelength in the ultraviolet region shorter than 400 nm can also be applied by selecting the type of phosphor.

蛍光体は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオード8からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、MSi:Eu、MAlSiN:Eu、MAl1−XSiN:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。0<X<1である。)などがある。また、MSi:EuのほかMSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活されるサイアロン系蛍光体は、Mp/2Si12−p−qAlp+q16−p:Ce、M−Al−Si−O−N(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。qは0〜2.5、pは1.5〜3である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1612:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTbAl12:Ce、LuAl12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する表面実装型発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光するGaN系化合物半導体を用いて、YAl12:Ce若しくは(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの蛍光物質に照射し、波長変換を行う。発光素子からの光と、蛍光体からの光との混合色により白色に発光する表面実装型発光装置を提供することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するCaSi:Eu又はSrSi:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)(POCl:Eu、赤色に発光するCaSi:Eu又はCaAlSiN:Euと、からなる蛍光体60を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する表面実装型発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
The phosphor may be any material that absorbs light from the semiconductor light-emitting diode 8 having a nitride-based semiconductor as a light-emitting layer and converts the light into light having a different wavelength. For example, it is mainly activated by nitride-based phosphors / oxynitride-based phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, lanthanoid-based phosphors such as Eu, and transition metal elements such as Mn. Alkaline earth halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth silicate, alkaline earth sulfide, alkaline earth thiogallate, alkaline earth nitriding Selected from rare earth aluminates mainly activated by lanthanoid elements such as silicon, germanate, or Ce, and organic and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as rare earth silicate or Eu It is preferable that it is at least any one or more.
Nitride-based phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as Eu and Ce are M 2 Si 5 N 8 : Eu, MAlSiN 3 : Eu, MAl 1-X B X SiN 3 : Eu (M is Sr , Ca, Ba, Mg, and Zn. 0 <X <1). In addition to M 2 Si 5 N 8 : Eu, MSi 7 N 10 : Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8 : Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu (M Is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn.
An oxynitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce is MSi 2 O 2 N 2 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) Etc.).
Eu, sialon phosphors activated mainly with lanthanoid elements such as Ce is, M p / 2 Si 12- p-q Al p + q O q N 16-p: Ce, M-Al-Si-O-N (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn. Q is 0 to 2.5, and p is 1.5 to 3).
Alkaline earth halogen apatite phosphors mainly activated by lanthanoid compounds such as Eu and transition metal elements such as Mn include M 5 (PO 4 ) 3 X: R (M is Sr, Ca, Ba). X is at least one selected from F, Cl, Br and I. R is any one of Eu, Mn, Eu and Mn. Etc.).
The alkaline earth metal borate phosphor has M 2 B 5 O 9 X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is F, Cl , Br, or I. R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn.).
Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn).
Examples of the alkaline earth sulfide phosphor include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
Examples of rare earth aluminate phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as Ce include Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, and the like (Y, Gd) 3 (Al , Ga) YAG -based phosphor represented by the composition formula of 5 O 12. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc. in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu or the like.
Other phosphors include ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is At least one selected from F, Cl, Br, and I).
The phosphor described above contains at least one selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, and Ti instead of Eu or in addition to Eu as desired. You can also.
Moreover, it is fluorescent substance other than the said fluorescent substance, Comprising: The fluorescent substance which has the same performance and effect can also be used.
These phosphors can use phosphors having emission spectra in yellow, red, green, and blue by the excitation light of the light-emitting element, and emission spectra in yellow, blue-green, orange, etc., which are intermediate colors between them. A phosphor having the following can also be used. By using these phosphors in various combinations, it is possible to manufacture surface-mounted light-emitting devices having various emission colors.
For example, using a GaN-based compound semiconductor that emits blue light, a Y 3 Al 5 O 12 : Ce or (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce fluorescent material is irradiated to convert the wavelength. Do. A surface-mount light-emitting device that emits white light with a mixed color of light from a light-emitting element and light from a phosphor can be provided.
For example, CaSi 2 O 2 N 2 : Eu or SrSi 2 O 2 N 2 : Eu that emits light from green to yellow, and (Sr, Ca) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu that emits blue light as a phosphor. By using a phosphor 60 composed of Ca 2 Si 5 N 8 : Eu or CaAlSiN 3 : Eu that emits red light, a surface-mounted light-emitting device that emits white light with good color rendering can be provided. . This uses the three primary colors of red, blue, and green, so the desired white light can be achieved simply by changing the blend ratio of the first phosphor and the second phosphor. Can do.

(透明樹脂層20)
透明樹脂層20の材料は、発光素子18の発光を透過し、使用時に変質しにくい材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。第1透明樹脂層12中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。尚、透明樹脂層20は、発光素子18の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。透明樹脂層20の粘度は、硬化前で100〜2000mPa・sであることが好ましい。ここで「粘度」とは、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。また、透明樹脂層20は、硬化条件が80℃〜180℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。
(Transparent resin layer 20)
The material of the transparent resin layer 20 is not particularly limited as long as it is a material that transmits the light emitted from the light emitting element 18 and hardly changes its quality during use. For example, resins such as epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide can be used. Furthermore, glass can be used in addition to the resin. A filler or a diffusing material may be dispersed in the first transparent resin layer 12. In addition, since the transparent resin layer 20 is easy to receive the heat | fever of the light emitting element 18, it is preferable that it is resin with favorable heat resistance. For example, it is preferable to use an epoxy, a silicone resin, a modified silicone resin, or an oxetane resin. The viscosity of the transparent resin layer 20 is preferably 100 to 2000 mPa · s before curing. Here, “viscosity” refers to a value measured at room temperature using a conical plate type rotational viscometer. In addition, the transparent resin layer 20 is desirably a resin having a hardness that can maintain the shape under curing conditions of 80 ° C. to 180 ° C. and several minutes to several hours.

本実施の形態では、透明樹脂層20にシリンドリカル状のレンズを形成しているが、このレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。
また、蛍光体を用いて白色発光装置を形成する場合には、この透明樹脂層20に蛍光体を混入するのが好ましい。蛍光体は、透明樹脂層に均一に分散してもよいが、特に、発光素子18の近傍に偏在するように2層構造にすると、視認方向による色むらを抑制できるので好ましい。
In the present embodiment, a cylindrical lens is formed on the transparent resin layer 20, but this lens preferably has a large lens diameter in a direction parallel to the mounting surface. This is because the direction parallel to the mounting surface needs to control the light distribution characteristics higher than the direction perpendicular to the mounting surface.
Moreover, when forming a white light emitting device using a phosphor, it is preferable to mix the phosphor into the transparent resin layer 20. The phosphor may be uniformly dispersed in the transparent resin layer, but in particular, a two-layer structure that is unevenly distributed in the vicinity of the light emitting element 18 is preferable because color unevenness due to the viewing direction can be suppressed.

<実施の形態2>
本実施の形態にかかる発光装置10は、図6A〜Dに図示されているように、第1基板12の上面12a及び側面12cが下面電極27a、27bによって被覆されていない以外は、実施の形態1と同様である。
このような相違は、実施の形態1の製造方法における「1.積層基板15の作製」と「5.発光装置10への分割」とが相違することに起因している。以下に、本実施の形態におけるこの2つの工程を説明する。
<Embodiment 2>
As shown in FIGS. 6A to 6D, the light emitting device 10 according to the present embodiment is the same as the embodiment except that the upper surface 12a and the side surface 12c of the first substrate 12 are not covered with the lower surface electrodes 27a and 27b. Same as 1.
Such a difference is due to the difference between “1. Production of laminated substrate 15” and “5. Division into light-emitting device 10” in the manufacturing method of the first embodiment. Below, these two processes in this Embodiment are demonstrated.

1.積層基板15の作製
図7A及びBに示すように、第2基板14には、Y方向に長いスロット140が複数(この例では2つ)並列して形成されているが、第1基板12にはスロットが形成されていない。そして、第1基板12には、下面12b側だけに下面電極27が形成されている。
第1基板12と第2基板14とは、接着材層36を間に挟んで積層して積層基板15を形成する。第1基板12にはスロットがないので、スロット同士を位置合わせする必要がない。そのため、発光装置10の第1基板12の中心と第2基板14の中心とがずれる恐れがない点で好ましい。
1. Production of Multilayer Substrate 15 As shown in FIGS. 7A and 7B, the second substrate 14 is formed with a plurality of (in this example, two) slots 140 that are long in the Y direction. There are no slots formed. And the lower surface electrode 27 is formed in the 1st board | substrate 12 only in the lower surface 12b side.
The first substrate 12 and the second substrate 14 are stacked with the adhesive layer 36 interposed therebetween to form the stacked substrate 15. Since the first substrate 12 has no slots, it is not necessary to align the slots. Therefore, it is preferable in that there is no possibility that the center of the first substrate 12 and the center of the second substrate 14 of the light emitting device 10 are shifted.

5.発光装置10への分割
個々の発光装置10に分割するには、図8のように切断線Cと、Cに直交する切断線Cとに沿って、2方向で積層基板15を切断する。第1基板12がスロットを備えていないために、切断線Cでの切断が必要になる。切断線Cは、第2基板14のスロット140の長手方向(Y方向)の中心線と一致させることにより、積層基板15の突出部40の左右の突出量40Xが等しくなる。
5. To split the split individual light emitting device 10 to the light emitting device 10 includes a cut line C 1 as shown in Figure 8, along the cutting line C 2, which is orthogonal to the C 1, cutting the laminated substrate 15 in two directions To do. For the first substrate 12 is not provided with slots, it is necessary to cut at the cutting line C 2. Cutting line C 2 is by matching with the center line in the longitudinal direction (Y direction) of the slot 140 of the second substrate 14, the left and right projection amount 40X of the protrusion 40 of the multilayer substrate 15 are equal.

本実施の形態の製造方法は、スロットを形成した基板を、スロットのない基板に積層し、最後にスロットの長手方向の中心線と、中心線に対して垂直方向とで切断することにより、第1基板12の突出部40を第2基板14よりも突出させた積層基板15を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、長さの異なる第1基板12と第2基板14から成る積層基板15を、スロットを備えた基板を利用することにより容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置10の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。そして、第1基板12と第2基板14との中心がずれにくく、実装精度を高めることのできる発光装置を得ることができる。   In the manufacturing method of the present embodiment, the substrate on which the slot is formed is stacked on the substrate without the slot, and finally, the slot is cut in the center line in the longitudinal direction of the slot and in the direction perpendicular to the center line. A large number of light emitting devices including the laminated substrate 15 in which the protruding portions 40 of the one substrate 12 are protruded from the second substrate 14 can be formed at the same time. Further, the laminated substrate 15 composed of the first substrate 12 and the second substrate 14 having different lengths can be easily manufactured by using a substrate having slots. Furthermore, even if the light emitting device 10 is manufactured in a small size, it can be easily manufactured by manufacturing it with a substrate having a dimension and shape that is relatively easy to handle and finally cutting in parallel. In addition, it is possible to obtain a light emitting device in which the centers of the first substrate 12 and the second substrate 14 are not easily displaced and the mounting accuracy can be improved.

<実施の形態3>
本実施の形態にかかる発光装置10は、図9A〜Dに図示されているように、第1基板12と第2基板14とが一体に形成されている。そのため、実施の形態1のように第1基板12の上面12a及び側面12cが、下面電極27a、27bによって被覆されていない。また、本実施の形態では、実施の形態1及び2のような接着部材36を備えていない。これらの構成以外は、実施の形態1及び2と同様である。
このような相違により、実施の形態1及び2の製造方法において、2枚の基板を積層した積層基板15の代わりに、単層基板を加工して同様の形状を形成している。
<Embodiment 3>
In the light emitting device 10 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 9A to 9D, the first substrate 12 and the second substrate 14 are integrally formed. Therefore, unlike the first embodiment, the upper surface 12a and the side surface 12c of the first substrate 12 are not covered with the lower surface electrodes 27a and 27b. In the present embodiment, the adhesive member 36 as in the first and second embodiments is not provided. Except for these configurations, the second embodiment is the same as the first and second embodiments.
Due to such differences, in the manufacturing methods of the first and second embodiments, a single-layer substrate is processed to form a similar shape instead of the laminated substrate 15 in which two substrates are laminated.

単層基板の作製
図10は、一枚の材料から成る単層基板150であり、図7A及びBにおける第2基板14のスロット140の代わりに、基板の厚さの途中まで掘り込んだ座グリ穴44を形成する。座グリ穴44は、Y方向に長く延びた細長い形状にする。これにより、図7Bと類似の断面を有する単層基板150が得られる。本明細書では、単層基板150のうち座グリ穴44が達していない連続部分を第1基板、座グリ穴44によって分離された島状部分を第2基板14と称する。
Fabrication of Single-layer Substrate FIG. 10 shows a single-layer substrate 150 made of a single material. Instead of the slot 140 of the second substrate 14 in FIGS. 7A and 7B, a spot facing that is dug in the middle of the thickness of the substrate. Hole 44 is formed. The counterbore hole 44 has a long and narrow shape extending in the Y direction. Thereby, a single layer substrate 150 having a cross section similar to that of FIG. 7B is obtained. In the present specification, a continuous portion of the single-layer substrate 150 that does not reach the spot facing holes 44 is referred to as a first substrate, and an island-like portion separated by the spot facing holes 44 is referred to as a second substrate 14.

このようにして形成された単層基板150は、実施の形態1と同様に、接続部22a、22b、上面電極16a、16b、下面電極27a、27bを形成し、発光素子18を実装した後に透明樹脂層20を形成する。
そして、発光装置10への分割は、実施の形態2と全く同様であり、図8の切断線Cと、切断線Cとに沿って、2方向で積層基板15を切断する。切断線Cは、座グリ穴44の長手方向(Y方向)の中心線と一致させることにより、積層基板15の突出部40の左右の突出量40Xが等しくなる。
The single-layer substrate 150 formed in this way is transparent after the connection portions 22a and 22b, the upper surface electrodes 16a and 16b, the lower surface electrodes 27a and 27b are formed and the light emitting element 18 is mounted, as in the first embodiment. The resin layer 20 is formed.
The division into the light emitting device 10 is completely the same as the second embodiment, the cutting line C 1 in FIG. 8, along the cutting line C 2, cutting the laminated substrate 15 in two directions. Cutting line C 2 is by matching with the center line in the longitudinal direction (Y direction) of the counterbore holes 44, left and right projection amount 40X of the protrusion 40 of the multilayer substrate 15 are equal.

本実施の形態の製造方法は、基板に細長い座グリ穴44を形成し、最後に座グリ穴の長手方向の中心線と、中心線に対して垂直方向とで切断することにより、第1基板12の突出部40を第2基板14よりも突出させた積層基板15を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、小型の発光装置10の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。そして、第1基板12と第2基板14との中心がずれないので、実装精度を高めることのできる発光装置を得ることができる。   In the manufacturing method of the present embodiment, the elongated counterbore hole 44 is formed in the substrate, and finally the first substrate is cut by cutting the longitudinal centerline of the counterbore hole in a direction perpendicular to the centerline. A large number of light emitting devices including the laminated substrate 15 in which the twelve protruding portions 40 are protruded from the second substrate 14 can be formed simultaneously. Further, even if the light emitting device 10 is manufactured in a small size, it can be easily manufactured by manufacturing it with a substrate having a dimension and shape that is relatively easy to handle, and finally cutting in parallel. And since the center of the 1st board | substrate 12 and the 2nd board | substrate 14 does not shift | deviate, the light-emitting device which can improve a mounting precision can be obtained.

上記の実施の形態1〜3は、本発明の発光装置の一例を示すものであって、本発明を限定するものではない。例えば、実施形態1〜3では、突出部40の下面側が第1基板12の下面12bと面一にされているが、これを、面一ではなく、突出部40が第1基板12の下面12bよりも上面側に位置していても構わない。また、実施形態1〜3では、突出部40のY方向の厚みを、第1基板12のY方向の厚みと等しくしているが、異ならせることもできる。   Embodiments 1 to 3 above show examples of the light emitting device of the present invention, and do not limit the present invention. For example, in the first to third embodiments, the lower surface side of the protruding portion 40 is flush with the lower surface 12b of the first substrate 12, but this is not flush with the protruding portion 40 but the lower surface 12b of the first substrate 12. It may be located on the upper surface side. In the first to third embodiments, the thickness of the protrusion 40 in the Y direction is the same as the thickness of the first substrate 12 in the Y direction, but may be different.

実施の形態1にかかる発光装置の実装状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a mounted state of the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の概略上面図である。1 is a schematic top view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の概略正面図である。1 is a schematic front view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の概略側面図である。1 is a schematic side view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の概略底面図である。1 is a schematic bottom view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating a method for manufacturing a substrate of the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態1にかかる発光装置の分割方法を説明する概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating a method for dividing the light emitting device according to the first embodiment. 実施の形態2にかかる発光装置の概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of a light emitting device according to a second embodiment. 実施の形態2にかかる発光装置の概略正面図である。FIG. 3 is a schematic front view of a light emitting device according to a second embodiment. 実施の形態2にかかる発光装置の概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view of a light emitting device according to a second embodiment. 実施の形態2にかかる発光装置の概略底面図である。It is a schematic bottom view of the light-emitting device concerning Embodiment 2. FIG. 実施の形態2にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略斜視図である。10 is a schematic perspective view illustrating a method for manufacturing a substrate of a light emitting device according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態2にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略断面図である。10 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a substrate of a light emitting device according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態2にかかる発光装置の分割方法を説明する概略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating a method for dividing a light emitting device according to a second embodiment. 実施の形態3にかかる発光装置の概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of a light emitting device according to a third embodiment. 実施の形態3にかかる発光装置の概略正面図である。FIG. 6 is a schematic front view of a light emitting device according to a third embodiment. 実施の形態3にかかる発光装置の概略側面図である。FIG. 6 is a schematic side view of a light emitting device according to a third embodiment. 実施の形態3にかかる発光装置の概略底面図である。FIG. 6 is a schematic bottom view of a light emitting device according to a third embodiment. 実施の形態3にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a substrate of a light emitting device according to Embodiment 3. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 発光装置、 12 第1基板、 12a 第1基板の上面、 12b 第1基板の下面、 14 第2基板、 14a 第1基板の上面、 14b 第1基板の下面、 15 積層基板、 16 分離前の上面電極、 16a、16b 上面電極、 18 発光ダイオード、 20 透明樹脂層、 22a、22b 接続部、 27 分離前の下面電極、 27a、27b 下面電極、 28 ハンダ、 34 スルーホール、 36 接着部材、 38 導電性ワイヤ、 40 突出部、 42 発光面、 44 座グリ、 150 単層基板、 120 第1基板のスロット、 140 第2基板のスロット、   10 light emitting device, 12 first substrate, 12a upper surface of first substrate, 12b lower surface of first substrate, 14 second substrate, 14a upper surface of first substrate, 14b lower surface of first substrate, 15 laminated substrate, 16 before separation Upper electrode, 16a, 16b Upper electrode, 18 Light emitting diode, 20 Transparent resin layer, 22a, 22b Connection part, 27 Lower electrode before separation, 27a, 27b Lower electrode, 28 Solder, 34 Through hole, 36 Adhesive member, 38 Conductive 40 projecting part, 42 light emitting surface, 44 spot facing, 150 single layer substrate, 120 slot of the first substrate, 140 slot of the second substrate,

Claims (7)

発光素子と、
前記発光素子を実装するための基板と、
前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、
前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、
前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、
前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、
前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする発光装置。
A light emitting element;
A substrate for mounting the light emitting element;
A pair of upper surface electrodes formed on the upper surface of the substrate and connected to the light emitting element;
A pair of lower surface electrodes formed on the lower surface of the substrate;
A light-emitting device comprising: a connecting portion for conducting the upper surface electrode and the lower surface electrode;
The substrate includes a pair of protrusions protruding from a pair of side surfaces of the substrate,
The light emitting device, wherein the lower surface electrode extends to the protruding portion.
前記基板が、略長矩形の第1基板と、前記第1基板の上面に配置された略長矩形の第2基板と、から成り、
前記第1基板は、前記第2基板よりも長手方向の寸法が長く、
これにより、前記第1基板の長手方向の両端部が、前記第2基板の長手方向の両端部よりも前記長手方向に突出して、前記突出部を構成することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
The substrate comprises a first substrate having a substantially long rectangular shape, and a second substrate having a substantially long rectangular shape disposed on the upper surface of the first substrate,
The first substrate has a longer dimension in the longitudinal direction than the second substrate,
2. Thus, both end portions in the longitudinal direction of the first substrate protrude in the longitudinal direction from both end portions in the longitudinal direction of the second substrate to constitute the projecting portion. Light-emitting device.
前記第1基板と前記第2基板とが別体から形成されて、接着部材により積層されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 2, wherein the first substrate and the second substrate are formed separately and are laminated by an adhesive member. 前記接続部が、前記第1基板の上面から前記第2基板の下面まで貫通するスルーホールの内部に形成された導電材料を含み、
前記下面電極が、前記突出部の周囲を経て、前記第1基板と前記第2基板との間まで延設されて、前記接続部に接触することを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
The connection part includes a conductive material formed in a through hole penetrating from the upper surface of the first substrate to the lower surface of the second substrate;
4. The light emitting device according to claim 3, wherein the lower surface electrode extends between the first substrate and the second substrate through the periphery of the protruding portion and contacts the connection portion. .
前記第1基板と前記第2基板とが、一体に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 2, wherein the first substrate and the second substrate are integrally formed. 略平行に形成された複数のスロットを備えた第2基板の下面側に、第1基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の上面から下面まで貫通した複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールの内部に導電材料を含む接続部を形成する工程と
前記積層基板の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、
前記積層基板の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、
前記積層基板の上面に発光素子を実装する工程と、
前記スロットと略垂直方向に基板を切断して、個々の発光装置に分離する工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
Forming a laminated substrate by laminating the first substrate on the lower surface side of the second substrate having a plurality of slots formed substantially in parallel;
Forming a plurality of through holes penetrating from the upper surface to the lower surface of the multilayer substrate;
Forming a connection portion containing a conductive material inside the through hole; and forming an upper surface electrode in contact with an upper end of the connection portion on the upper surface of the multilayer substrate;
Forming a lower surface electrode in contact with the lower end of the connection portion on the lower surface of the multilayer substrate;
Mounting a light emitting element on the top surface of the multilayer substrate;
A step of cutting the substrate in a direction substantially perpendicular to the slot and separating the substrate into individual light-emitting devices.
発光素子を実装するための発光装置用基板であって、
前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、
前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、
前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備え、
前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、
前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする発光装置用基板。
A substrate for a light emitting device for mounting a light emitting element,
A pair of upper surface electrodes formed on the upper surface of the substrate and connected to the light emitting element;
A pair of lower surface electrodes formed on the lower surface of the substrate;
A connection portion for conducting the upper surface electrode and the lower surface electrode,
The substrate includes a pair of protrusions protruding from a pair of side surfaces of the substrate,
The substrate for a light emitting device, wherein the lower surface electrode extends to the protruding portion.
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