JP5123466B2 - The light-emitting device - Google Patents

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Description

本件発明は、発光ダイオードと蛍光体との組合せによって種々の色を発光可能な発光装置に関し、特に配光特性を制御するためのレンズを備えた発光装置に関する。 Present invention relates to a light emitting light emitting device capable of various colors by a combination of a light emitting diode and a phosphor, a light emitting device provided with a lens for especially controlling the light distribution characteristics.

近年、窒化物半導体を用いた青色発光ダイオードが開発されたことから、該発光ダイオードから出力される光の一部を吸収して異なる波長の光を出力する蛍光体と組み合わせることにより、種々の色調の発光色を有する発光装置を作製することが可能となった。 Recently, since the blue light emitting diode using a nitride semiconductor it has been developed by combining a phosphor which emits light of a different wavelength by absorbing part of the light output from the light emitting diodes, a variety of shades it has become possible to produce a light-emitting device having a luminescent color. 特に、発光ダイオードが青色発光ダイオードであり、蛍光体が青色発光ダイオードの発光の一部を吸収して青色の補色に変換すれば、白色を発光する発光ダイオードが得られる。 In particular, light-emitting diodes are blue light emitting diodes, phosphor be converted into complementary color of blue absorbs a part of the emission of the blue light-emitting diodes, light-emitting diode which emits white is obtained.

これらの発光装置は、砲弾型や表面実装型などの種々の形式がある。 These light-emitting devices, there are various formats, such as bullet type and surface mount type. 砲弾型の場合、一般に、正及び負のリード電極の一方の先端にカップが形成され、そのカップ内に発光ダイオードが実装されると共に、蛍光体を分散させた樹脂が充填される。 For shell-type, generally, the cup is formed at one tip of the positive and negative lead electrodes, the light emitting diodes are mounted within the cup, resin in which a phosphor is dispersed is filled. そして、その周囲全体を覆うように先端がレンズ状になった砲弾型のモールド樹脂が形成される(特許文献1など) Then, the mold resin bullet-shaped tip to cover the entire circumference becomes the lens shape is formed (Patent Document 1)

また、表面実装型の場合、正及び負電極を形成した基板上に凹状の収納部が設けられ、その収納部に発光ダイオードが実装されると共に、蛍光体を分散させた樹脂が充填される(特許文献2)。 In addition, in the case of surface-mounted, housing portion of the concave is provided on the positive and negative electrodes to form the substrate, with its housing part on the light emitting diodes are mounted, a resin in which a phosphor is dispersed is filled ( Patent Document 2).

特に、青色発光ダイオードと蛍光体の組合せによって白色を発光する場合、青色発光ダイオードの発光強度と蛍光体の発光強度のバランスによって白色の色調が決まる。 In particular, when emitting white by the combination of the blue light emitting diode and a phosphor, a white color tone is determined by the balance of the emission intensity of the emission intensity and the fluorescence of the blue light emitting diode. ところが、発光装置内の樹脂に分散させる蛍光体を一定量にすることが難しく、蛍光体量の個体間バラツキによる色調のバラツキが問題となる。 However, a phosphor is dispersed in a resin in the light-emitting device it is difficult to a certain amount, variation in color tone due to interindividual variation in phosphor amount becomes a problem. そこで、特許文献3では、蛍光体を含む樹脂層を研磨することによって、蛍光体量を調整し、色調のバラツキを補正することが開示されている。 Therefore, in Patent Document 3, by polishing the resin layer containing a phosphor by adjusting the phosphor amount, it is disclosed that correct the variation in color tone. また、特許文献4には、樹脂層のうち蛍光体を含まない部分の厚みを調整することによって、色調のバラツキを補正することが開示されている。 Further, Patent Document 4, by adjusting the thickness of the portion that does not include a phosphor of the resin layer, it is disclosed to correct the variation in color tone.

特開平7−99345号公報 JP 7-99345 discloses 特開2002−319711号公報 JP 2002-319711 JP 特開2001−177158号公報 JP 2001-177158 JP 特開2004−186488号公報 JP 2004-186488 JP

近年、特に表面実装型の1種であるサイドビュー型発光装置において、より薄型の発光装置が求められている。 Recently, in the side view type light emitting device is particularly surface mount one, are thinner light emitting device is required. サイドビュー型とは、実装面に隣接した側面から発光するタイプの発光装置である。 The side-view type, a light emitting device that emits light from the side adjacent to the mounting surface. また、表面実装型の発光装置においても、発光面を構成する樹脂層をレンズ状に加工して配光特性を良好にすることが求められている。 Also in the surface-mounted light-emitting device, by processing the resin layer constituting the light emitting surface in a lens shape is possible to improve the light distribution characteristics has been demanded. しかしながら、従来の表面実装型発光装置において発光面にレンズを形成した場合、発光装置が大型化し、また製造工程が複雑になる問題があった。 However, in the case of forming a lens on the light emitting surface in the conventional surface mount type light emitting device, the light emitting device becomes large in size, also has a problem that manufacturing process becomes complicated. また、特許文献3又は4に記載されたように発光面を構成する樹脂層を研磨して色調のバラツキを補正しようとすると、発光面に形成されたレンズが変形し、配光特性が変化してしまう問題があった。 Further, by polishing the resin layer constituting the light emitting surface as described in Patent Document 3 or 4 when you try to correct the variation in color, formed on the light emitting surface lens is deformed, the light distribution characteristic is changed there is cause problems.

そこで本件発明は、発光面を構成する樹脂層にレンズを形成した発光装置であって、薄型で、配光特性が良好であり、かつ、色調のバラツキ補正が容易な発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly the present invention provides a light emitting device formed a lens on the resin layer constituting the light-emitting surface, a thin, good light distribution characteristic, and that the color tone of the variation correction to provide an easy-emitting device for the purpose.

本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成された正及び負電極と、前記正及び負電極に接続された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを覆う透明樹脂層と、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体とを有し、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体を前記発光ダイオードの出射光によって励起発光することにより、前記発光ダイオードの発光色と異なる色を発光する発光装置であって、 The light emitting device according to the present invention, the substrate and the positive and negative electrodes formed on the substrate, and the positive and coupled LEDs in the negative electrode, and a transparent resin layer covering the light emitting diode, said transparent resin and a fluorescent material dispersed in the layer, by exciting light by the light emitted from the light transparent resin layer wherein the light-emitting diodes distributed phosphor in emits color different from the luminescent color of the light emitting diode a light-emitting device,
前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記基板よりも幅狭に形成される第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に前記基板の略全面を覆うように形成される第2透明樹脂層とを有し、 The transparent resin layer covers the light emitting diode, first formed to cover the first transparent resin layer formed on the narrow, substantially the whole surface of the substrate to the first transparent resin layer than the substrate and a second transparent resin layer,
前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、 The second transparent resin layer is processed into a curved shape so that the upper surface to form the lens,
前記第1透明樹脂層は前記蛍光体を含む一方、前記第2透明樹脂層は、前記蛍光体を含まないか、前記蛍光体の平均密度が前記第1透明樹脂層中の前記蛍光体の平均密度の1/10以下であり、 While the first transparent resin layer containing the phosphor, the second transparent resin layer either does not include the phosphor, the average mean density of the phosphor of the phosphor of the first transparent resin layer density is less than 1/10 of,
前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出しており、 In opposing pair of side surfaces of the light emitting device, the first transparent resin layer and the second transparent resin layer is cut substantially flush, wherein the first transparent resin layer is exposed,
前記発光ダイオードを覆う前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層は、上面視において、前記1組の側面に平行な方向を長手方向とし、前記1組の側面に挟まれた厚み方向を短手方向とする長矩形であり、前記第2透明樹脂層に形成された前記レンズは、前記短手方向には曲率を有しておらず、前記長手方向に曲率を有し、 The first transparent resin layer and the second transparent resin layer covering the light emitting diode, in a top view, the direction parallel to the pair of side and longitudinal, a thickness direction sandwiched between the pair of side surfaces a long rectangular with the shorter side direction, wherein the lens formed in the second transparent resin layer is said in the lateral direction does not have a curvature, have a curvature in the longitudinal direction,
前記互いに対向する1組の側面の一方を実装面とするサイドビュー型発光装置であることを特徴とする発光装置。 The light emitting device wherein the a side-view type light emitting device for one of the mounting surfaces of the opposing pair of side with each other.

本件発明によれば、発光ダイオードを封止する透明樹脂層が第1透明樹脂層と第2透明樹脂層の2層構成となっており、第1透明樹脂層に蛍光体が分散され、第2透明樹脂層にレンズが形成されている結果、優れた配光特性を示す。 According to the present invention, a transparent resin layer which seals the light emitting diode has a two-layer structure of the first transparent resin layer and the second transparent resin layer, a phosphor is dispersed in the first transparent resin layer, a second results lens is formed on the transparent resin layer, it exhibits excellent light distribution characteristics. すなわち、まず、第2透明樹脂層の上面にレンズが形成されている結果、レンズの形状に応じて所望の配光特性を示すようになる。 That is, first, the result in which the lens is formed on the upper surface of the second transparent resin layer, exhibits a desired light distribution characteristic in accordance with the shape of the lens. また、蛍光体は第1透明樹脂層に分散されているため、発光ダイオードのごく近くに分布することになる。 Further, since the phosphor is dispersed in the first transparent resin layer, it will be distributed in close proximity to the light emitting diode. 従って、蛍光体の光散乱によって第2透明樹脂層のレンズ作用が阻害されにくく、また観察方向によって生じる色ムラが少なくなる。 Therefore, hardly lens action of the second transparent resin layer is inhibited by light scattering of the phosphor, also color unevenness caused by the observation direction is reduced.

また、発光装置の側面において、第1透明樹脂層と第2透明樹脂層が略面一に裁断され、蛍光体を分散した第1透明樹脂層が外部に露出している。 Further, the side surface of the light emitting device, the first transparent resin layer and the second transparent resin layer is cut substantially flush, the first transparent resin layer containing dispersed phosphor is exposed to the outside. このため、従来の凹状の収納部に蛍光体を分散させた樹脂層を充填した発光装置に比べて、収納部側壁の肉厚分だけ薄型にできる。 Therefore, as compared with the conventional concave emitting device filled with a resin layer in which a phosphor is dispersed in the storage portion can be thinner by the thickness portion of housing side walls.

さらに、レンズを形成した発光面に隣接する側面において、蛍光体を分散させた第1透明樹脂層の側面が露出しているため、レンズ特性に殆ど影響を与えることなく、色調を補正することが可能である。 Further, the side surface adjacent to the light emitting surface to form a lens, the side surfaces of the first transparent resin layer in which a phosphor is dispersed is exposed, with little effect on the lens characteristics, it is possible to correct the color tone possible it is. すなわち、第1透明樹脂層の側面を研磨する等して蛍光体を分散させた透明樹脂層の厚みを変化させれば、蛍光体の量も変化させることができる。 That is, by changing the thickness of equal to transparent resin layer in which a phosphor is dispersed to polish the side surface of the first transparent resin layer, can also be changed amount of the phosphor. これによって発光ダイオードと蛍光体の発光強度比が変えられるため、色調の補正を行うことができる。 This order is changed emission intensity ratio of the light emitting diode and the phosphor, it is possible to perform color correction. 一方で、第1透明樹脂層の側面を研磨して透明樹脂層の厚みを変化させても、第2透明樹脂層の上面に形成されたレンズの形状は殆ど変わらない。 On the other hand, even by changing the thickness of the transparent resin layer by polishing the side surface of the first transparent resin layer, the shape of the lens formed on the upper surface of the second transparent resin layer hardly changes. 従って、レンズ特性に影響を与えることなく、色調の補正が可能となる。 Therefore, without affecting the lens properties, it becomes possible to color tone correction.

尚、本件発明において「透明」とは、発光ダイオードの発光を外部から観察できる程度に透過することを指す。 Note that in the present invention, "transparent" refers to transmission to the extent that can be observed light emission of the light-emitting diode from the outside.

以上のように、本件発明によれば、発光面を構成する樹脂層にレンズを形成した発光装置であって、薄型で、配光特性が良好であり、かつ、色調のバラツキ補正が容易な発光装置を提供できる。 As described above, according to the present invention, a light-emitting device formed a lens on the resin layer constituting the light-emitting surface, a thin, good light distribution characteristic, and color tone variation correction is easy emission It can provide a device.

実施の形態1. The first embodiment.
図1は、本件発明の実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。 Figure 1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 上面が平坦な略直方体形状の絶縁基板2上に、負電極4、正電極6が所定の間隔を空けて形成されている。 Upper surface on the insulating substrate 2 of a flat substantially rectangular parallelepiped shape, the negative electrode 4, the positive electrode 6 are formed at predetermined intervals. 負電極4及び正電極6は、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極(図示せず)とスルーホール(図示せず)を介して接続されている。 Negative electrode 4 and the positive electrode 6 is connected via mounting electrode formed on the back surface of the insulating substrate 2 (not shown) through holes (not shown). 正負一対の電極を半導体面側に備えた発光ダイオード8は、絶縁基板2の負電極4上に実装されており、発光ダイオードの負電極が絶縁基板上の負電極4と、正電極が絶縁基板上の正電極6と、各々ワイヤ10によって接続されている。 Emitting diodes 8 provided with a pair of positive and negative electrodes on the semiconductor surface is mounted on the negative electrode 4 of the insulating substrate 2, a negative electrode 4 negative electrode on the insulating substrate of the light emitting diode, the positive electrode insulating substrate the positive electrode 6 of the above, are connected by respective wires 10. この発光ダイオード8を覆うように、半円柱状の第1透明樹脂層12が形成されている。 So as to cover the light emitting diode 8, the first transparent resin layer 12 of semi-cylindrical is formed. また、第1透明樹脂層12の上には、絶縁基板2の略全面を覆うように第2透明樹脂層14が形成されている。 Also, on the first transparent resin layer 12, a second transparent resin layer 14 is formed so as to cover substantially the entire surface of the insulating substrate 2. また、絶縁基板の側面2a、第1透明樹脂層12の側面12a及び第2透明樹脂層14の側面14aはほぼ面一に裁断されており、第1透明樹脂層が外部に露出している。 Further, the side surface 2a of the insulating substrate, the side surface 12a and the side surface 14a of the second transparent resin layer 14 of the first transparent resin layer 12 is cut substantially flush, the first transparent resin layer is exposed to the outside.

図2は、図1に示す発光装置1のX−X'断面を示す断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view showing the X-X 'cross-section of the light emitting device 1 shown in FIG. 図2に示すように、第1透明樹脂層12中には蛍光体16が分散されている。 As shown in FIG. 2, the phosphor 16 is dispersed in the first transparent resin layer 12. 蛍光体16は、発光ダイオード8の発光によって励起され、発光ダイオード8よりも長波長の光に変換する。 Phosphor 16 is excited by light emitted from the light emitting diode 8 is converted into light having a longer wavelength than the light emitting diode 8. 例えば、発光ダイオード8が青色を発光する場合、蛍光体16は青色の一部を吸収して、より長波長の黄色光を発光しても良い。 For example, if the light emitting diode 8 emits blue phosphor 16 absorbs some of the blue may emit longer wavelength yellow light. 発光ダイオード8の発光する青色と蛍光体の発光する黄色が混色して白色発光が得られる。 White light emission is obtained emission to yellow blue and phosphor emitting the light emitting diode 8 by mixing. すなわち、第1透明樹脂層12は、発光ダイオードを封止すると共に、発光ダイオードの発光の一部又は全部の発光について波長を変換する波長変換層として機能する。 That is, the first transparent resin layer 12 serves to seal the light-emitting diodes, which functions as a wavelength converting layer for converting the wavelength of some or all light emission of light-emitting diode.

また、第2透明樹脂層14は、図1及び図2に示すように、上面14bがレンズを形成するように曲面に加工されている。 The second transparent resin layer 14, as shown in FIGS. 1 and 2, is processed into a curved surface so that the upper surface 14b to form the lens. 図1及び図2に示す例では、第2透明樹脂層の上面14bに半円柱状のシリンドリカルレンズが形成されている。 In the example shown in FIGS. 1 and 2, semi-cylindrical cylindrical lenses are formed on the upper surface 14b of the second transparent resin layer. この第2透明樹脂層のレンズ形成面14bが発光面となる。 Lens forming surface 14b of the second transparent resin layer is a light emitting side. このシリンドリカルレンズは、発光装置1の短手方向の断面においては曲率を有しておらず、光を直進させるが、発光装置1の長手方向の断面においては曲率を有しており、光を正面方向に曲げる。 The cylindrical lens has no curvature in the transverse direction of the cross section of the light emitting device 1, but is straight light, in the longitudinal section of the light emitting device 1 has a curvature, the optical front bend in the direction. 従って、発光ダイオード8や蛍光体16の発光は、第2透明樹脂層14を通過する際に、発光装置1の長手方向において光線が正面方向に向かうように曲げられる。 Thus, light-emitting diode 8 and the phosphor 16, while passing through the second transparent resin layer 14, light rays in the longitudinal direction of the light emitting device 1 is bent toward the front direction. このように、第2透明樹脂層14は、発光ダイオード8等を保護する封止層として機能すると同時に、発光装置の光線方向を制御するレンズ層として機能する。 Thus, the second transparent resin layer 14, and at the same time functions as a sealing layer for protecting the light emitting diode 8 and the like, functions as a lens layer that controls the beam direction of the light emitting device. 本実施の形態において、第2透明樹脂層14には、蛍光体16は分散されていない。 In this embodiment, the second transparent resin layer 14, the phosphor 16 is not dispersed. これは蛍光体16が分散されていると、蛍光体16が光散乱を起こすため、第2透明樹脂層14のレンズ作用が阻害されるからである。 This is because, if the phosphor 16 is dispersed, the phosphor 16 to cause light scattering, the lens action of the second transparent resin layer 14 is inhibited. 尚、第2透明樹脂層14のレンズ作用を阻害しない程度の少量の蛍光体を第2透明樹脂層14に分散させても良い。 Incidentally, it may be dispersed a small amount of phosphor so as not to inhibit the lens action of the second transparent resin layer 14 on the second transparent resin layer 14. このとき、第2透明樹脂層14に含まれる蛍光体の平均密度は、第1透明樹脂層に含まれる蛍光体の平均密度の1/10以下、特に好ましくは1/100以下であることが好ましい。 In this case, the average density of the phosphor contained in the second transparent resin layer 14 is 1/10 or less of the average density of the phosphor contained in the first transparent resin layer, and particularly preferably is 1/100 or less .

図3は、図1及び図2に示した発光装置1をサイドビュー型発光装置として実装基板上に実装した様子を示す斜視図である。 Figure 3 is a perspective view showing a state of mounting on a mounting substrate a light-emitting device 1 shown in FIGS. 1 and 2 as a side view type light emitting device. 発光装置1は、該装置の長手方向に平行な側面を実装面として、実装基板3の上に実装されている。 The light emitting device 1, as a mounting surface parallel sides in the longitudinal direction of the apparatus, are mounted on the mounting board 3. このとき発光面である第2透明樹脂層の上面14bは、実装基板に対して略垂直となる。 Upper surface 14b of the second transparent resin layer is a light-emitting surface this time is substantially perpendicular to the mounting board. 発光装置1は、実装基板3と接する側面において、絶縁基板2、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14が全て略面一になっているため、実装面が広面積かつ平坦であり、安定した実装が可能である。 The light emitting device 1 in a side in contact with the mounting board 3, an insulating substrate 2, the first transparent resin layer 12 and the second transparent resin layer 14 is made substantially flush all, the mounting surface is large area and flat , it is possible to stable implementation. 実装基板3の表面には、正及び負のリード電極18及び20が形成されており、発光装置1の絶縁基板裏面に形成された実装用電極(図示せず)と半田22によって接続されている。 On the surface of the mounting board 3, and the positive and negative lead electrodes 18 and 20 is formed, and is connected the light emitting device 1 of the insulating substrate formed on the back surface was mounting electrodes (not shown) by solder 22 .

本実施の形態に係る発光装置は、発光ダイオード8を封止する透明樹脂層が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14の2層構成となっており、第1透明樹脂層12に蛍光体16が分散され、第2透明樹脂層14にレンズが形成されている結果、サイドビュー型発光装置として優れた光学効果を示す。 The light emitting device according to the present embodiment, a transparent resin layer which seals the light emitting diode 8 has a first transparent resin layer 12 has a two-layer structure of the second transparent resin layer 14, the first transparent resin layer 12 phosphor 16 is dispersed, as a result of the lens is formed on the second transparent resin layer 14, exhibit excellent optical effect as a side-view type light emitting device. すなわち、まず、第2透明樹脂層の上面14bにシリンドリカルレンズが形成されている結果、発光装置1の発光は実装基板面に平行な方向において正面方向に向かうように曲げられ、正面方向の光度が高くなる。 That is, first, as a result of the cylindrical lens on the upper surface 14b of the second transparent resin layer is formed, the light emission of the light emitting device 1 is bent toward the front direction in a direction parallel to the mounting substrate surface, the luminous intensity in the front direction higher. また、第2透明樹脂層14内には光を散乱する蛍光体16が実質的に分散されていないため、レンズ機能が阻害されず、正面方向に向かって光線が効率的に曲げられる。 Also, the second transparent resin layer 14 for phosphor 16 that scatter light is not substantially dispersed, not inhibited lens function, light is bent efficiently toward the front direction. 一方、第2透明樹脂層14は、実装基板面に垂直な方向にはレンズ効果を発揮しない。 On the other hand, the second transparent resin layer 14 does not exhibit the lens effect in the direction perpendicular to the mounting substrate surface. しかしながら、実装基板面に垂直な方向は、もともと実装基板3によって発光が遮蔽されるので、配光分布の制御は比較的重要ではない。 However, the direction perpendicular to the mounting substrate surface, the emission is shielded originally by the mounting board 3, the control of the light distribution is relatively unimportant. また、蛍光体16は第1透明樹脂層12に分散されているため、発光ダイオード8のごく近くに分布することになる。 Further, since the phosphor 16 is dispersed in the first transparent resin layer 12, it will be distributed in close proximity to the light emitting diode 8. 従って、観察方向によって生じる色ムラが少なく、より点光源に近くなる。 Therefore, color unevenness caused by the viewing direction is small, it becomes closer to a point light source.

また、本実施の形態に係る発光装置は、レンズを形成した発光面14bに隣接する側面において、第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14が略面一に裁断され、蛍光体を分散させた第1透明樹脂層の側面12aが外部に露出している。 The light emitting device according to the present embodiment, in a side surface adjacent to the light emitting surface 14b forming the lens, and the first transparent resin layer 12 and the second transparent resin layer 14 is cut substantially flush, dispersing the phosphor side 12a of the first transparent resin layer is exposed to the outside, which is. このため、従来の凹状の収納部に蛍光体を分散させた樹脂層を充填した発光装置に比べて、収納部側壁の肉厚分だけ薄型にできる。 Therefore, as compared with the conventional concave emitting device filled with a resin layer in which a phosphor is dispersed in the storage portion can be thinner by the thickness portion of housing side walls. また、レンズ特性に殆ど影響を与えることなく、色調を補正することが可能である。 Furthermore, with little effect on the lens characteristic, it is possible to correct the color tone. すなわち、第1透明樹脂層の側面12aと第2透明樹脂層の側面14aを研磨する等して透明樹脂層の厚みWをW'に変化させれば、第1透明樹脂層12aに含まれる蛍光体(図示せず)の量も変化させることができる。 That is, by changing the thickness W of equal to the transparent resin layer to polish the side surface 12a of the first transparent resin layer side 14a of the second transparent resin layer in W ', the fluorescence contained in the first transparent resin layer 12a the amount of the body (not shown) can also be changed. これによって発光ダイオード8と蛍光体16の発光強度比が変えられるため、色調の補正を行うことができる。 This order is changed emission intensity ratio of the light emitting diode 8 and the phosphor 16, it is possible to perform color correction. 一方で、第1透明樹脂層の側面12aと第2透明樹脂層の側面14aを研磨して透明樹脂層の厚みWを変化させても、第2透明樹脂層の上面14bに形成されたレンズの形状は殆ど変わらない。 On the other hand, even by changing the thickness W of the transparent resin layer by polishing the side surface 12a and the side surface 14a of the second transparent resin layer of the first transparent resin layer, a lens formed on the upper surface 14b of the second transparent resin layer shape does not change almost. 従って、レンズ特性に影響を与えることなく、色調の補正が可能となる。 Therefore, without affecting the lens properties, it becomes possible to color tone correction.

さらに、本実施の形態に係る発光装置は、後述するように、第1透光性樹脂14をライン塗布又は印刷法によって形成できるため、簡易に製造することができる利点もある。 Further, the light emitting device according to the present embodiment, as described later, since the first light-transmissive resin 14 can be formed by a line coating or printing method, there is another advantage that can be easily manufactured.

以下、発光装置1の各構成について詳細に説明する。 Follows is a detailed description of each configuration of the light emitting device 1.
(第1透明樹脂層12) (First transparent resin layer 12)
第1透明樹脂層12は、できるだけ発光ダイオード8の近傍に形成されることが好ましい。 The first transparent resin layer 12 is preferably formed as much as possible in the vicinity of the light emitting diode 8. これは、第1透明樹脂層12の内部に分散された蛍光体16が発光するため、その分布が狭い方が理想的な点光源に近づくからである。 This is because the phosphor 16 dispersed within the first transparent resin layer 12 emits light, it its distribution is narrow is because approaching the ideal point source. また、第1透明樹脂層12の高さは、できるだけ低い方が好ましい。 The height of the first transparent resin layer 12 is preferably as low as possible. 但し、ワイヤ10よりも低くなると、ワイヤ10が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14にまたがることになり、ワイヤ10が切れ易くなる。 However, when lower than the wire 10, wire 10 will be a first transparent resin layer 12 extending over the second transparent resin layer 14, the wire 10 is easily broken. 従って、第1透明樹脂層10の高さは、少なくともワイヤ10を越えることが好ましい。 Accordingly, the height of the first transparent resin layer 10 is preferably at least over the wire 10. 尚、ワイヤ10の強度が十分にあれば、図4に示すように、第1透明樹脂がワイヤの一部を覆っていても良い。 Incidentally, if the strength of the wire 10 is sufficient, as shown in FIG. 4, the first transparent resin may cover a portion of the wire. また、より理想的な点光源に近づける目的で、第1透明樹脂層12内において蛍光体16を沈降させることが好ましい。 Further, in order to approach to the ideal point light source, it is preferred to precipitate the phosphor 16 in the first transparent resin layer 12. 但し、蛍光体16が沈降し過ぎると、第1透明樹脂層12の研磨によって色調が補正しにくくなるため、適当な程度に沈降させることが好ましい。 However, the phosphor 16 is too settled, because the color tone by the polishing of the first transparent resin layer 12 is less likely to correction, it is preferable to settle to the appropriate extent. また、第1透明樹脂層12は、略半円柱状であり、実装面に平行な断面(=発光面に直交する断面)が半円状又は半楕円状であることが好ましい。 The first transparent resin layer 12 is substantially semi-cylindrical, is preferably a cross section parallel to the mounting surface (= cross section perpendicular to the light-emitting surface) is semicircular or semi-elliptical shape. これによって観察方位による色ムラが小さくなる。 This color unevenness due to the observation orientation by decreases. 尚、第1透明樹脂層12を上記形状に形成するには、本実施の形態で説明するライン塗布法を用いることが好ましい。 Incidentally, the first transparent resin layer 12 is formed on the shape, it is preferable to use a line coating method described in this embodiment. 尚、第1透明樹脂層12は、実施の形態2で説明するように印刷で形成しても良い。 The first transparent resin layer 12 may be formed by printing as described in the second embodiment.

第1透明樹脂層12の材料は、発光ダイオードと蛍光体の発光を透過し、蛍光体16を安定に分散可能な材料であれば特に限定されない。 The material of the first transparent resin layer 12 is transmitted through the light-emitting diode and the phosphor is not particularly limited as long as the phosphor 16 is stably dispersible materials. 例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。 For example, it is possible to use epoxy, silicone, modified silicone, urethane resins, oxetane resins, acrylic, polycarbonate, a resin such as polyimide. さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。 Furthermore, it is possible to use glass in addition to the resin. 第1透明樹脂層12中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。 Filler or diffusing material may be dispersed in the first transparent resin layer 12. 尚、第1透明樹脂層12は、発光ダイオード8の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。 The first transparent resin layer 12 is liable receiving heat of the light emitting diode 8, is preferably a good heat resistance resin. 例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。 For example, epoxy, silicone resin, modified silicone resin, the use of oxetane resin. 第1透明樹脂の粘度は、硬化前で100〜2000mPa・sであることが好ましい。 The viscosity of the first transparent resin is preferably a 100~2000mPa · s before curing. 尚、ここでいう「粘度」は、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。 Here, the term "viscosity", using cone and plate rotational viscometer, it refers to that measured at room temperature. また、第1透明樹脂は、硬化条件が80℃〜180℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。 The first transparent resin, it is desirable curing conditions 80 ° C. to 180 ° C., a resin made of the degree of hardness that can maintain the shape under a few minutes to several hours.

(第2透明樹脂層14) (Second transparent resin layer 14)
第2透明樹脂層に形成するレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。 Lens to be formed on the second transparent resin layer preferably has a large lens diameter in a direction parallel to the mounting surface. これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。 This is a direction parallel to the mounting surface, it is highly necessary to control the light distribution characteristics as compared with the direction perpendicular to the mounting surface. 一方、実装面に垂直な方向には薄型にする必要があるため、レンズ径を小さくすることが好ましい。 Meanwhile, since the direction perpendicular to the mounting surface is required to be thin, it is preferable to reduce the lens diameter. また、実装面に垂直な方向には、レンズの曲率も小さなことが好ましい。 Further, in the direction perpendicular to the mounting surface, the curvature of the lens is also small, it is preferable. これは、実装面に垂直な方向に大きな曲率を持ったレンズを形成すると、第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨して色調を補正する際に、レンズ特性が変化し易くなるからである。 In this, when forming a lens having a large curvature in a direction perpendicular to the mounting surface, when polishing the side surface of the first and second transparent resin layer to correct the color tone, because the lens characteristic is liable to vary is there. 例えば、第2透明樹脂層に形成するレンズを、実装面に平行な方向にだけ曲率を有するシリンドリカルレンズとしても良い。 For example, the lens to be formed on the second transparent resin layer may be a cylindrical lens having only curvature in a direction parallel to the mounting surface. 尚、実装面に垂直な方向における第2樹脂層14の断面は、完全に平らである必要はなく、ある程度の曲率を有していても構わない。 Incidentally, the cross section of the second resin layer 14 in a direction perpendicular to the mounting surface is completely need not be flat, but may have some degree of curvature.

また、第2透明樹脂層14の材料は、発光ダイオードと蛍光体の発光を透過する材料であれば特に限定されない。 Further, the material of the second transparent resin layer 14 is not particularly limited as long as it is a material that transmits light emitted from the light emitting diode and the phosphor. 例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。 For example, it is possible to use epoxy, silicone, modified silicone, urethane resins, oxetane resins, acrylic, polycarbonate, and polyimide. さらに、樹脂以外にガラスを用いることもできる。 Furthermore, it is also possible to use a glass in addition to the resin. 第2透明樹脂層14中に、フィラーや拡散剤が分散されていてもよい。 During the second transparent resin layer 14, a filler and diffusing agent may be dispersed. 第2透明樹脂層14は、第1透明樹脂層12や発光ダイオード8を保護する役割も果たすため、絶縁基板2との密着性、耐候性、硬度に優れ、ごみの付着しにくいものが好ましい。 The second transparent resin layer 14, since also serves to protect the first transparent resin layer 12 and the light emitting diode 8, adhesion between the insulating substrate 2, weather resistance, excellent hardness, it is preferable that hardly adhering of dust. 例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。 For example, epoxy, silicone, modified silicone, the use of oxetane resin.

(絶縁基板2/電極4、6) (Insulating substrate 2 / electrodes 4, 6)
絶縁基板2は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。 Insulating substrate 2 is not particularly limited as long as the material has a suitable mechanical strength and insulating properties. 例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。 For example, it is possible to use BT resin, glass epoxy or the like. また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。 Further, it may be those bonded multilayer epoxy resin sheet. また、絶縁基板2に形成する負及び正電極4,6は、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましい。 The negative and positive electrodes 4 are formed on the insulating substrate 2 is preferably a metal layer mainly composed of Cu. 例えば、負及び正電極4,6は、Cu/Ni/Agによって構成することができる。 For example, the negative and positive electrodes 4 can be formed by Cu / Ni / Ag.

(発光ダイオード8/蛍光体16) (Light-emitting diode 8 / phosphor 16)
発光ダイオード8と蛍光体16は、発光ダイオード8の一部又は全部の発光を蛍光体16が波長変換できるような組合せであれば特に限定されない。 Light emitting diode 8 and the phosphor 16, the phosphor 16 some or emission of all light-emitting diode 8 is not particularly limited as long as it is a combination that allows the wavelength conversion. 例として、現在最も需要の多い白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオード8と蛍光体16の組合せについて説明する。 As an example, a combination of the light emitting diode 8 and the phosphor 16 will be described which is suitable for configuring a white light emitting device with many currently most demanding.
−発光ダイオード8 - light-emitting diode 8
白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(In Al Ga 1−X−Y N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。 As a light-emitting diode suitable for configuring a white light emitting device, the use of which using a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- X-Y N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) can. この発光ダイオードは、In Ga 1-x N(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。 The light-emitting diode, In x Ga 1-x N a (0 <x <1) has a light-emitting layer, it is possible to arbitrarily change at 650nm with emission wavelength of about 365nm by the degree of the mixed crystal.

白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード8の発光波長は400nm以上530nm以下に設定することが好ましく、420nm以上490nm以下に設定することがより好ましい。 Case of emitting light of white, considering complementary relationship between the light emitted from the phosphor, the emission wavelength of the light emitting diode 8 is preferably set to 400nm or 530nm or less is set to 420nm or more 490nm or less it is more preferable. なお、蛍光体の種類を選択することにより、400nmより短い紫外域の波長の光を発光するLEDチップを適用することもできる。 Note that by selecting the type of phosphor can also be applied to LED chip that emits light in the wavelength shorter than 400nm ultraviolet.

−蛍光体16 - phosphor 16
蛍光物質は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。 Fluorescent material, for example, as long as the wavelength conversion of nitride semiconductor light absorb light different wavelength from the semiconductor light-emitting diode to the light emitting layer. 例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。 For example, Eu, activated mainly by nitride phosphor, oxynitride-based fluorescent material with lanthanoid element such as Ce, lanthanoids such as Eu, is mainly activated by elements of transition metals such as Mn alkaline earth element halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate halogen phosphor, an alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth sulfides, alkaline earth thiogallates, alkaline earth nitride selected silicon, germane salt, or, predominantly rare earth aluminate is activated with lanthanoid element such as Ce, organic and organic complexes activated mainly with lanthanoid elements such as rare earth silicate or Eu it is preferably be at least any one or more. 具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。 As a specific example, it is possible to use a phosphor, but are not limited thereto.

Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、M Si :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 Eu, nitride-based fluorescent material activated mainly with lanthanoid elements such as Ce is, M 2 Si 5 N 8: Eu (M is, Sr, Ca, Ba, Mg , at least one element selected from Zn a.), and the like. また、M Si :EuのほかMSi 10 :Eu、M 1.8 Si 0.2 :Eu、M 0.9 Si 0.110 :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。 Further, M 2 Si 5 N 8: In addition to Eu MSi 7 N 10: Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8: Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10: Eu (M is Sr, Ca, Ba, Mg, at least one or more selected from Zn.), etc. also.
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 Eu, lanthanoid elements with activated mainly the oxynitride-based fluorescent material such as Ce is, MSi 2 O 2 N 2: Eu (M is, Sr, Ca, Ba, Mg , at least one or more selected from Zn in it is.), and the like.

Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M (PO X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。 Eu like lanthanoid, by the mainly alkaline earth halogen apatite phosphors activated transition metal elements such as Mn, M 5 (PO 4) 3 X: R (M is, Sr, Ca, Ba , Mg, at least one element selected from Zn .X is, F, Cl, Br, at least one .R selected from I may, Eu, Mn, Eu and Mn, any one of or more.), and the like.
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。 The alkaline earth metal borate halogen phosphor, M 2 B 5 O 9 X : R (M is at least one or more of Sr, Ca, Ba, Mg, selected from Zn .X is F, Cl , Br, at least one or more selected from I .R is, Eu, is Mn, Eu and Mn, any one or more.), and the like.
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl :R、Sr Al 1425 :R、CaAl :R、BaMg Al 1627 :R、BaMg Al 1612 :R、BaMgAl 1017 :R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。 The alkaline earth metal aluminate phosphor, SrAl 2 O 4: R, Sr 4 Al 14 O 25: R, CaAl 2 O 4: R, BaMg 2 Al 16 O 27: R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17: R (. R is, Eu, Mn, Eu and Mn, which is either 1 or more), and the like.
アルカリ土類硫化物蛍光体には、La S:Eu、Y S:Eu、Gd S:Euなどがある。 The alkaline earth sulfide phosphor, La 2 O 2 S: Eu , Y 2 O 2 S: Eu, Gd 2 O 2 S: Eu , and the like.

Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Y Al 12 :Ce、(Y 0.8 Gd 0.2 Al 12 :Ce、Y (Al 0.8 Ga 0.212 :Ce、(Y,Gd) (Al,Ga) 12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。 The rare earth aluminate phosphor which is mainly activated by a lanthanoid element such as Ce, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2) 3 Al 5 O 12: Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, and the like (Y, Gd) 3 (Al , Ga) YAG -based phosphor represented by the composition formula of 5 O 12. また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTb Al 12 :Ce、Lu Al 12 :Ceなどもある。 A part or all Tb of Y, Lu, etc. Tb 3 Al 5 O 12 was replaced with: Ce, Lu 3 Al 5 O 12: Ce is also like.
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn GeO :Mn、MGa :Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。 Other phosphor, ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4: Mn, MGa 2 S 4: Eu (M is Sr, Ca, Ba, Mg, at least one or more selected from Zn .X is F, Cl, Br, at least one selected from I.), and the like.
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。 Phosphor described above, in place of Eu as desired, or, Tb in addition to Eu, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, is contained at least one member selected from Ti it is also possible.

Ca−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル%表示で、CaCO をCaOに換算して20〜50モル%、Al を0〜30モル%、SiOを25〜60モル%、AlNを5〜50モル%、希土類酸化物または遷移金属酸化物を0.1〜20モル%とし、5成分の合計が100モル%となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。 The Ca-Al-SiO-N-based oxynitride glass phosphor, by mol%, 20-50 mol% in terms of CaCO 3 to CaO, the Al 2 O 3 0 to 30 mol%, SiO 25-60 mol%, the AlN 5 to 50 mol%, the rare earth oxide or a transition metal oxide and 0.1 to 20 mol%, oxynitride glass base material total 5 component is 100 mole% and was a phosphor. 尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が15wt%以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に0.1〜10モル%の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。 Incidentally, the oxynitride glass has a fluorescent substance matrix material, preferably the nitrogen content is not more than 15 wt%, the other rare earth ions of a sensitizer in addition to the rare earth oxide ions as rare earth oxide it is preferred to include as a co-activator in an amount in the range of from 0.1 to 10 mol% in the fluorescent glass.
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。 Further, a phosphor other than the phosphor may be a phosphor also be used with similar performance and effects.

(色調の補正方法) (Method of correcting the color tone)
次に、本実施の形態における色調の補正方法について説明する。 Next, a description will be given of a correction method of the color tone in this embodiment. 同時に多数の発光装置の色調補正を行う場合、次のような方法で行うことが好ましい。 When performing color correction of a number of light emitting devices at the same time, it is preferably carried out in the following manner.

−ステップ1. - Step 1.
ステップ1では、第1及び第2透明樹脂層を硬化させた後の発光装置の色度を全数測定する(初期色度測定工程)。 In step 1, the chromaticity of the light emitting device after curing the first and second transparent resin layer to all measured (initial chromaticity measurement step).

−ステップ2. - Step 2.
ステップ2では、ステップ1で測定された色度に基づいて、前記測定された色度と目標色度との差があらかじめ設定された範囲内にあるものをそれぞれ1つのグループとすることにより色度範囲ごとに分類する(グループ化工程)。 In step 2, based on the measured chromaticity in Step 1, the chromaticity by said measured respective one group what is in chromaticity and within which the difference between the target chromaticity is preset classified by range (grouping step). 分類するグループ数は、調整後の色度バラツキを小さくするためには多い程よいが、要求される色度の範囲(規格)及び製造効率を考慮して適当な分類数とする。 The number of groups to be classified, but reasonable large in order to reduce the chromaticity variation after adjustment, the appropriate number of classifications in consideration of the range (standard) and production efficiency of the required chromaticity.

−ステップ3. - Step 3.
最後に、ステップ3で、各グループごとに、目標色度との差に基づいて設定された量だけ第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨する(研磨工程)。 Finally, in Step 3, for each group, polishing the set amount by the side surfaces of the first and second transparent resin layer on the basis of the difference between the target chromaticity (polishing step). すなわち、同一のグループに属する発光素子は、同じ研磨量(グループごとに設定された値)だけ研磨される。 That is, the light emitting elements belonging to the same group is polished by the same polishing amount (the value set for each group). 以上のような調整方法によれば、グループごとに一括して色度を調整できるので、効率よく色度を調整でき、かつ色度バラツキを小さくできる。 According to the adjusting method described above, it is possible to adjust the chromaticity collectively for each group, can be efficiently adjust chromaticity, and can reduce the chromaticity variation. 尚、研磨は実装面と逆側の側面で行うことが好ましい。 The polishing is preferably carried out in the side surface of the mounting surface on the opposite side. 実装面の平坦性を損なわないためである。 This is because not to impair the flatness of the mounting surface.

研磨は、例えば次のような方法で行うことができる。 Polishing may be performed in the following manner, for example. 研磨装置上に複数個配列して、目標色度になるように研磨する。 And a plurality arranged on a polishing apparatus and polished to a target chromaticity. 研磨するための工具は、回転軸の先に、例えば、円盤形状の砥石を設けたものを用い、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14を、目標色度と測定色度との差に対応した量だけ研磨する。 Tool for polishing the tip of the rotational shaft, for example, using the one provided with grinding disk-shaped, a first transparent resin layer 12 and the second transparent resin layer 14, the target chromaticity and the measured chromaticity polished by an amount corresponding to the difference. この研磨の際、研磨装置上に配列した複数の発光装置の各々に対して砥石を設けることにより、複数の発光装置を一度に調整することができる。 During this polishing, by providing the grinding wheel for each of a plurality of light emitting devices arranged on a polishing apparatus, it is possible to adjust the plurality of light emitting devices at a time. また、この際、削り量に応じてグルーピングして一括して削るようにもできるし、1つ1つ光センサーにより色度を測定しながら目標色度になるまで削るようにしてもよい(この場合でも、光センサーと砥石をそれぞれの発光装置に設けて各発光素子ごとに削り量を制御するようにすれば、複数の発光素子を同時に並列処理できることはいうまでもない)。 At this time, can either to cut collectively are grouped in accordance with the amount of cutting may also be cut to a target chromaticity while measuring the chromaticity by one single optical sensor (this even if, when to control the amount of cutting is provided an optical sensor and the grinding wheel to the respective light emitting device in each light emitting device, it is needless to say that a plurality of light emitting elements can be processed simultaneously in parallel).

(製造方法) (Production method)
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a light emitting device according to the present embodiment.
1、パッケージアッセンブリ 本実施の形態の製造方法において、複数の発光装置を一括して製造できるように、第2透明樹脂層を硬化させるまでは複数のパッケージが集合したパッケージアッセンブリを用いる。 1, in the manufacturing method of the form of a package assembly embodiment, as can be manufactured collectively a plurality of light emitting devices, to cure the second transparent resin layer is used package assembly assembled multiple packages. このパッケージアッセンブリにおいては、大面積の絶縁基板2上に、各発光ダイオード8の実装領域がマトリックス状に配置されている(図7A参照)。 In this package assembly, on the insulating substrate 2 having a large area, the mounting region of the light emitting diodes 8 are arranged in a matrix (see FIG. 7A). また、各発光ダイオード8の実装領域を両側から挟むように、各々の発光ダイオード8に対応する負電極4及び正電極6が形成されている。 Also, so as to sandwich the mounting regions of each light emitting diode 8 from both sides, the negative electrode 4 and the positive electrode 6 corresponding to each of the light emitting diode 8 is formed. また、各列のパッケージは、互いの負電極同士及び正電極同士がつながっている。 Each row of packages has led negative electrode and between the positive electrodes of each other. すなわち、各列の負電極4及び正電極6は、各々、1本の連続した電極となっている(図5A参照)。 That is, the negative electrode 4 and the positive electrode 6 of each column has a respective, one continuous electrode (see FIG. 5A). 絶縁性基板2は、例えば厚さが0.06mm〜2.0mmの樹脂積層品等からなり、厚さ方向に貫通する複数のスルーホール(図示せず)が形成されている。 The insulating substrate 2, for example, thickness of a resin laminate Hinto of 0.06Mm~2.0Mm, (not shown) a plurality of through holes penetrating in the thickness direction is formed. 負電極4と正電極6は、このスルーホールを介して、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極とつながっている。 Negative electrode 4 and the positive electrode 6 through the through hole, and is connected to the mounting electrodes formed on the back surface of the insulating substrate 2.

2、発光ダイオード8の実装 上述のように構成されたパッケージアッセンブリの各負電極4の所定の位置に、発光ダイオード8をダイボンディングする。 2, in place of the negative electrode 4 of the configuration package assembly as mounted above light-emitting diode 8, the light emitting diode 8 is die-bonded. そして、ワイヤ10により所定の配線をする(図5A参照)。 Then, a predetermined wiring by wire 10 (see FIG. 5A).

3、第1透明樹脂層12の形成 次に、第1透明樹脂層12を形成する。 3, formation of the first transparent resin layer 12 is then formed a first transparent resin layer 12. 第1透明樹脂層12には予め所定量の蛍光体16が分散されている。 Phosphor 16 in advance predetermined amount are dispersed in the first transparent resin layer 12. 第1透明樹脂層12は、図5A〜Cに示すライン塗布法で形成することが好ましい。 The first transparent resin layer 12 is preferably formed by a line coating method shown in Figure 5A-C. ライン塗布法によれば、第1透明樹脂層12を薄膜化できると共に、製造工程が簡易になる。 According to line coating method, the first transparent resin layer 12 can be thinned, the manufacturing process can be simplified. また、ライン塗布法では表面張力を利用して第1透明樹脂層12を形成できるため、ワイヤ10と負電極4及び正電極6のパターンに沿って第1透明樹脂層12は形成することができる。 Further, since it forms the first transparent resin layer 12 by utilizing the surface tension in line coating method, the first transparent resin layer 12 along the pattern of the wire 10 negative electrode 4 and the positive electrode 6 can be formed . また、負電極4及び正電極6のパターンを適切にすれば、第1透明樹脂層の形成領域を発光ダイオード8の近くに制限することができる。 Also, if appropriately patterned negative electrode 4 and the positive electrode 6, it is possible to limit the formation region of the first transparent resin layer close to the light emitting diode 8.

ライン塗布法とは、図5Aに示すように、ディスペンサ24から所定量の第1透明樹脂を吐出させながら、ディスペンサ24を発光ダイオード8の配列に沿って移動させ、ライン状につながった樹脂層を形成する方法である。 The line coating method, as shown in FIG. 5A, while discharging a predetermined amount of the first transparent resin from the dispenser 24 is moved along the dispenser 24 to an array of light emitting diodes 8, a resin layer that led in a line it is a method of forming. ライン塗布法で形成した場合、第1透明樹脂層12の形状を、樹脂の表面張力によって決めることができる。 When forming a line coating method, the shape of the first transparent resin layer 12 can be determined by the surface tension of the resin. 例えば、電極4及び正電極6の外縁は、その厚み分だけ絶縁基板2の表面よりも高い位置にある。 For example, the outer edge of the electrode 4 and the positive electrode 6, the thickness of only a position higher than the surface of the insulating substrate 2. 従って、両者の高さの差が十分にあれば、図5B及び図5Cに示すように、第1透明樹脂12は表面張力によって負電極4及び正電極6の外縁4a及び6aから先には流れ出さない。 Therefore, the flow if the difference in both height enough, as shown in FIGS. 5B and 5C, the first transparent resin 12 is first from the outer edge 4a and 6a of the negative electrode 4 and the positive electrode 6 by surface tension Not issued. また、第1透明樹脂12は、吐出量を適切にすれば、表面張力によってワイヤ10を少し越えた高さで維持させることができる。 The first transparent resin 12, if the discharge amount appropriately, can be maintained at a height in excess of the wire 10 slightly by surface tension. さらに、第1透明樹脂12の断面形状は、図5Cに示すように、略半円形又は略半楕円形となる。 Further, the sectional shape of the first transparent resin 12, as shown in FIG. 5C, becomes substantially semi-circular or substantially semi-elliptical. このようにライン塗布法によれば、極めて簡易な構成によって短時間に多数のチップを同時処理でき、しかも形状が安定する。 According to the line coating method, it can simultaneously process a large number of chips in a short time by a very simple structure, yet the shape is stabilized. 従って、ライン塗布法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、量産性が高く、また色調バラツキが少なくなるという利点が得られる。 Therefore, by forming the first transparent resin layer 12 by a line coating method, high mass productivity, also the advantage that the color tone variation is reduced it is obtained.

尚、第1透明樹脂の表面張力が小さい場合は、電極4,6の厚み分の段差だけでは形状が維持できない場合がある。 In the case the surface tension of the first transparent resin is small, only the step of the thickness of the electrodes 4, 6 are in some cases the shape can not be maintained. そこで、第1透明樹脂の流れだしを防止するための構造を設けても良い。 Therefore, it is also possible to provide a structure for preventing the flow out of the first transparent resin. 例えば、図6Aでは、負電極4及び正電極6の外側に、レジスト等からなる壁32を形成している。 For example, in Figure 6A, on the outside of the negative electrode 4 and the positive electrode 6, to form a wall 32 formed of a resist or the like. 図6Bでは、負電極4及び正電極6の外側に、溝34を形成している。 6B, the outside of the negative electrode 4 and the positive electrode 6, to form a groove 34. さらに、図6Cでは、負電極4及び正電極の外側に、絶縁基板2を高くした段差36を設けている。 Further, in FIG. 6C, the outer side of the negative electrode 4 and the positive electrode is provided a step 36 raised the insulating substrate 2.

第1透明樹脂12をライン塗布した後、第1透明樹脂12を硬化させる。 After the first transparent resin 12 and the line applied to cure the first transparent resin 12. 第1透明樹脂が熱硬化性の樹脂であれば、常温でライン塗布した後、加熱して硬化させれば良い。 If the first transparent resin is a thermosetting resin, after the line applied at room temperature, it may be cured by heating. 第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降程度は、例えば、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間や、硬化前又は硬化途中における透明樹脂の粘度によって制御できる。 About settling of the phosphor 16 in the first transparent resin 12 is, for example, time or from the line coating is finished to start curing can be controlled by the viscosity of the transparent resin before or curing the way curing. すなわち、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間が長いほど、第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降が進行する。 That is, the longer the time until the start curing from line coating is completed, sedimentation of the phosphor 16 in the first transparent resin 12 progresses. また、硬化前における第1透明樹脂12の粘性が低いほど、蛍光体16の沈降が進行する。 Also, as the viscosity of the first transparent resin 12 is low before curing, sedimentation of the phosphor 16 is advanced. 硬化前に粘性が高い透明樹脂であっても、エポキシのように加熱によって一旦粘性が低下する材料であれば、粘性が低下したときに蛍光体16の沈降を進行させることができる。 Even viscous transparent resin before curing, as long as the material once the viscosity is reduced by heating as epoxy, may be viscous to advance the sedimentation of the phosphor 16 when lowered.

4、第2透明樹脂層14の形成 次に、第2透明樹脂層14を形成する。 4, formation of the second transparent resin layer 14 is then formed a second transparent resin layer 14. 第2透明樹脂層14の形成には、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法を用いることができる。 The formation of the second transparent resin layer 14, transfer molding, compression molding method such as injection molding can be used. トランスファモールドの場合を例にして、説明する。 In the case of transfer molding as an example, it will be described. まず、図7Aに示すように、第1透明樹脂層12を形成したパッケージアッセンブリ5を準備する。 First, as shown in FIG. 7A, preparing a package assembly 5 forming a first transparent resin layer 12. 次に、図7Bに示すように、パッケージアッセンブリ5の上下をトランスファモールド用の金型26及び28で挟む。 Next, as shown in FIG 7B, to sandwich the upper and lower package assembly 5 in the mold 26 and 28 for transfer molding. 図7Bに示す例では、下側金型26は平坦であり、上側金型28には第2透明樹脂層を形成するためのレンズ型28aが設けられている。 In the example shown in FIG. 7B, the lower die 26 is flat, the upper mold 28 is a lens mold 28a for forming the second transparent resin layer is provided. 次に、図7Cに示すように、上側金型26とパッケージアセンブリ5の間に形成された樹脂の注入口を通じて第2透明樹脂14を流し込む。 Next, as shown in FIG. 7C, flowing a second transparent resin 14 through the injection port of the resin formed between the upper mold 26 and the package assembly 5. このとき、第2透明樹脂14は、半溶性のペレットとして準備し、注入口から圧入しながら樹脂を溶かす。 At this time, the second transparent resin 14 is prepared as a semi-fluxing pellets, melt the resin while pressed from the inlet. そして、金型内で短時間加熱して硬化させた後、金型を外してさらに加熱することにより、第2透明樹脂層14が形成できる。 Then, after curing by heating briefly in a mold, by further heating to remove the mold, the second transparent resin layer 14 can be formed. トランスファモールドで形成する場合、第2透明樹脂14は、ある程度粘度が高い樹脂であることが必要である。 When forming by transfer molding, the second transparent resin 14 is required to be high to some extent the viscosity resins. 例えば、エポキシ樹脂等がトランスファ成形に適している。 For example, epoxy resins and the like are suitable for transfer molding.

トランスファモールドに代えて、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成しても良い。 Instead of the transfer molding, the compression molding may be formed of the second transparent resin layer 14. 特に使用する樹脂が、液状である場合は、トランスファモールドではなく、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成することが好ましい。 In particular resin used is, if it is liquid, rather than the transfer molding, it is preferable to form the second transparent resin layer 14 by the compression molding. 第2透明樹脂層14を圧縮成形で形成する場合、第2透明樹脂をパッケージアッセンブリ5の全面に塗布した後、圧縮成形用の金型で上面から押さえつけ、加熱して硬化させる。 When forming by compression molding the second transparent resin layer 14, after application of the second transparent resin on the entire surface of the package assembly 5, pressed from the upper surface in the mold for compression molding, and cured by heating.

5、ダイシング 次に、図7Dに示すように、パッケージアセンブリ5を2方向からダイシングし、所定幅と所定長さで発光装置を切り出すことによって、発光装置が完成する。 5, dicing Next, as shown in FIG. 7D, dicing the package assembly 5 from two directions, by cutting the light emitting device in a predetermined width and a predetermined length, the light emitting device is completed.

実施の形態2. The second embodiment.
本実施の形態では、第1透明樹脂層12を印刷法によって形成する例について説明する。 In this embodiment, an example of forming the first transparent resin layer 12 by a printing method. その他の事項は、実施の形態1と同様である。 Other matters are the same as in the first embodiment.
まず、図8Aに示すように、パッケージアッセンブリ5の全面に印刷によって第1透明樹脂層12を形成する。 First, as shown in FIG. 8A, to form a first transparent resin layer 12 by printing on the entire surface of the package assembly 5. 第1透明樹脂層12は、絶縁基板2の全面に形成されており、かつ、上面が平坦になる。 The first transparent resin layer 12 is formed on the entire surface of the insulating substrate 2, and the upper surface becomes flat. 尚、第1透明樹脂層12の印刷によってワイヤ10の折れ、切断などが起きないように、第1透明樹脂層12の厚さをワイヤ10の高さよりも十分大きくなるようにする。 Incidentally, broken wire 10 by the printing of the first transparent resin layer 12, so that does not occur such as cut, so that the thickness of the first transparent resin layer 12 becomes sufficiently larger than the height of the wire 10. その後、第1透明樹脂層12を加熱して硬化させる。 Then, heating and curing the first transparent resin layer 12.

次に、絶縁基板2の全面に形成された第1透明樹脂層12の上に、実施の形態1と同様の方法によってレンズ付きの第2透明樹脂層14を形成する。 Next, on the first transparent resin layer 12 formed on the entire surface of the insulating substrate 2 to form a second transparent resin layer 14 with the lens in the same manner as the first embodiment. そして、第2透明樹脂層14を硬化した後、パッケージアッセンブリを2方向からダイシングすれば、図8Bに示すように、発光装置1が得られる。 Then, after curing the second transparent resin layer 14, if a dicing a package assembly from two directions, as shown in FIG. 8B, the light emitting device 1 is obtained. 尚、本実施の形態の方法によって形成された第1透明樹脂層14は、絶縁基板2と略同一面積の直方体状となる。 The first transparent resin layer 14 formed by the method of the present embodiment, the insulating substrate 2 and the rectangular parallelepiped having substantially the same area.

本実施の形態のように印刷法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、実施の形態1のライン塗布に比べて短時間で第1透明樹脂層12を形成することができる。 By forming the first transparent resin layer 12 by a printing method as in the present embodiment, it is possible to form the first transparent resin layer 12 in a short time compared to the line coating in the first embodiment. しかしながら、印刷法では、第1透明樹脂層の上面がワイヤ10よりも十分高いところに位置するようにしないとならないため、ライン塗布法に比べて、第1透明樹脂層12の厚さが厚くなり易い。 However, the printing method, since the upper surface of the first transparent resin layer is not otherwise so as to be positioned at sufficiently higher than the wire 10, as compared to the line coating method, the thickness of the first transparent resin layer 12 becomes thick easy. また、図8A及びBに示すように、蛍光体16の分布が絶縁基板2の全面に広がるため、観察方向に依存した色ムラが発生し易くなる。 Further, as shown in FIGS. 8A and B, since the distribution of the phosphor 16 is spread on the entire surface of the insulating substrate 2, color unevenness depending on the viewing direction is likely to occur.

実施の形態3. Embodiment 3.
そこで実施の形態3では、印刷法によって第1透明樹脂層を形成しながら、蛍光体16の広がりを抑制する方法について説明する。 Therefore, in the third embodiment, while forming the first transparent resin layer by a printing method, a description will be given of a method of inhibiting the spread of the phosphor 16.
まず、図9Aに示すように、第1透明樹脂層12を印刷する前に、第1透明樹脂層12の印刷範囲を制限するためのマスク30を絶縁基板2上に形成する。 First, as shown in FIG. 9A, before printing the first transparent resin layer 12, to form a mask 30 for limiting the printing range of the first transparent resin layer 12 on the insulating substrate 2. マスク30は、例えばレジスト等から成る。 Mask 30, for example made of a resist or the like. またマスク30は、第1透明樹脂の印刷範囲を発光ダイオード8の近傍に制限するように、発光ダイオード8の配列を左右から挟む平行なストライプ状にすることができる。 The mask 30 so as to limit the print area of ​​the first transparent resin in the vicinity of the light emitting diode 8 can be parallel stripes sandwiching an array of light emitting diodes 8 from the left and right.

第1透明樹脂層12を硬化した後、マスク30を除去する。 After curing the first transparent resin layer 12, the mask is removed 30. そして実施の形態1と同様の方法によって、第2透明樹脂層14を形成する。 And by the same method as in Embodiment 1, to form a second transparent resin layer 14. 第2透明樹脂層を硬化した後、パッケージアッセンブリ5を2方向からダイシングすれば、図9Bに示すように、発光装置1が得られる。 After curing the second transparent resin layer, when dicing a package assembly 5 from two directions, as shown in FIG. 9B, the light emitting device 1 is obtained.

本実施の形態において形成された第1透明樹脂層12は、図9Bに示すように、略直方体形状をしており、発光装置の長手方向における幅が絶縁基板2よりも短い。 The first transparent resin layer 12 formed in this embodiment, as shown in FIG. 9B, has a substantially rectangular shape, the width in the longitudinal direction of the light emitting device is shorter than the insulating substrate 2. すなわち、第1透明樹脂層12の形成範囲は、発光ダイオード8の近傍に制限されている。 That is, the formation range of the first transparent resin layer 12 is restricted to the vicinity of the light emitting diode 8. 従って、実施の形態2に比べて、観察方向に依存した色ムラが抑制される。 Therefore, as compared with the second embodiment, color unevenness depending on the viewing direction is suppressed.

尚、上記実施の形態では印刷法で第1透明樹脂層12を形成する例について説明したが、スプレーや金型による成形を用いて第1透明樹脂層12を形成することもできる。 In the above embodiment has been described an example of forming a first transparent resin layer 12 by a printing method, it is possible to form the first transparent resin layer 12 using a molding by spraying or die.

以上の実施の形態1〜3の発光装置では、発光ダイオード8として電極側から光を出射するものを用い、発光ダイオード8の電極と絶縁基板2上の電極とをワイヤーボンディングした例について示した。 Or more of the light emitting device of Embodiments 1 to 3, used as the emitting light from the electrode side as a light-emitting diode 8, the the electrode of the light emitting diode 8 and the electrode on the insulating substrate 2 shown for example in which wire bonding. しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、発光ダイオード8を絶縁基板2上にフリップチップボンディングするようにしてもよい。 However, the present invention is not limited thereto, the light emitting diode 8 may be flip-chip bonded on the insulating substrate 2. 具体的には、発光ダイオード8のp側の電極とn側の電極とがそれぞれ、絶縁基板2上に形成された正負の電極に対向するように発光ダイオードを載置して、対向する電極間をそれぞれ半田等の導電性接着部材で接合することにより実装する。 Specifically, each with p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting diode 8, by placing the light emitting diode so as to face the positive and negative electrodes formed on the insulating substrate 2, between opposing electrodes the implement each by joining a conductive adhesive member such as solder.

尚、フリップチップボンディング用の発光ダイオードは、基本的にはワイヤーボンディング用の発光ダイオードと同様に構成される。 The light-emitting diode for flip chip bonding is configured in the same manner as the light emitting diode for wire bonding is basically. 例えば、窒化物半導体発光素子の場合では、光透光性の基板の一方の主面上にn型およびp型窒化物半導体層を含む複数の窒化物半導体層を積層して、最上層のp型窒化物半導体層(p型コンタクト層)の上にp側の電極を形成し、p型窒化物半導体層の一部を除去することにより露出させたn型窒化物半導体層上にn側の電極を形成することにより構成し、光透光性基板の他方の主面を主光取り出し面とすればよい。 For example, in the case of a nitride semiconductor light emitting device, by stacking a plurality of nitride semiconductor layers including an n-type and p-type nitride semiconductor layer on one main surface of the substrate of the light transmitting optical properties, the uppermost p type nitride semiconductor layer a p-side electrode is formed on the (p-type contact layer), a p-type nitride n-type nitride was exposed by removing a portion of the semiconductor layer a semiconductor layer on the n-side It constituted by forming the electrodes may be the other main surface of the HikariToruhikari substrate main light extraction surface.

本実施例では、図1に示す構造の発光装置を以下の方法で作製した。 In this embodiment, the light emitting device having the structure shown in FIG. 1 in the following manner.
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド (I) the die-bonding / wire bond
(ii)エポキシ樹脂にYAG蛍光体を所定の割合で混合しライン塗布。 (Ii) mixing line applying a YAG phosphor at a predetermined ratio to the epoxy resin.

(iii)熱風オーブンにて硬化。 (Iii) curing in a hot air oven.
硬化条件:150℃ 4時間 Curing conditions: 150 ℃ 4 hours
(iv)透明エポキシ樹脂を用いてトランスファモールドにてレンズ成形。 Lens molded by transfer molding with (iv) a transparent epoxy resin.
トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する) Transfer curing conditions: 0.99 ° C. 5 minutes (to control the mold temperature)
(v) 金型から取り出して、追硬化。 (V) is removed from the mold, add cure.
追硬化条件:150℃ 4時間 Add curing conditions: 150 ℃ 4 hours
(vi)ダイシングにて、個片に切り分ける。 (Vi) by dicing, cut into pieces.

[比較例1] [Comparative Example 1]
また、比較例として、透明樹脂層が1層から成る発光装置を以下の方法で作成した。 As a comparative example, it was a light-emitting device in which the transparent resin layer is composed of one layer in the following manner.
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド (I) the die-bonding / wire bond
(ii) 予め蛍光体を所定の割合で混合させたエポキシ樹脂を用いてトランスファ成形でレンズ成形。 Lens molded by transfer molding with (ii) pre epoxy resin phosphor were mixed at a predetermined ratio.

トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する) Transfer curing conditions: 0.99 ° C. 5 minutes (to control the mold temperature)
(iii)金型から取り出して、追硬化。 And (iii) removed from the mold, additionally hardened.
追硬化条件:150℃ 4時間 Add curing conditions: 150 ℃ 4 hours
(iv) ダイシングにて、個片に切り分ける。 (Iv) by dicing, cut into pieces.

作製した実施例、比較例について、実装面に平行な0°方向(図3中のx方向)の配光特性を図10Aに、実装面に垂直な90°方向(図3中のy方向)の配光特性を図10Bに示す。 Fabricated Example, Comparative Example, 0 ° direction parallel to the mounting surface in Figure 10A the light distribution characteristics of (x direction in FIG. 3), perpendicular 90 ° direction to a mounting surface (y direction in FIG. 3) showing a light distribution characteristic of FIG. 10B. 図10A及び図10Bにおいて、符号40は実施例の配光特性を示し、符号42は比較例の配光特性を示す。 In FIGS. 10A and 10B, reference numeral 40 denotes a light distribution characteristic of the embodiment, reference numeral 42 denotes a light distribution characteristic of a comparative example. 図10A及び10Bに示すように、0°方向、90°方向共に本件発明の実施例の方が比較例よりも指向性に優れ、正面方向の光度が高い(1.6倍以上)ことがわかる。 As shown in FIGS. 10A and 10B, 0 ° direction, excellent directivity than the comparative example better embodiment of the present invention in 90 ° direction both intensity in the front direction is high (1.6-fold higher) it can be seen . これは、比較例ではレンズを形成した透明樹脂層の全体に蛍光体が分散されているため、蛍光体の光散乱によって光が広がっているため、と推定される。 This is because the phosphor is dispersed throughout the transparent resin layer formed with the lens in the comparative example, since the spread of light by the light scattering of the phosphor, to be estimated. 本件発明の実施例では、第2透明樹脂層に蛍光体が実質的に含まれていないため、指向性が高く、正面方向の光度が高くなっている。 In an embodiment of the present invention, since the phosphor to the second transparent resin layer is substantially free, high directivity, intensity in the front direction is high.

本実施例では、図4に示す構造の発光装置を実施例1と同様の方法で作製した。 In this embodiment, it was prepared in the same manner as in Example 1 a light emitting device having the structure shown in FIG. 本実施例では、第2透明樹脂層に形成するレンズの形状を3通りに変えながらサンプルの作製を行った。 In this embodiment, the fabrication of the sample was carried out while changing the shape of the lens to be formed on the second transparent resin layer in triplicate. レンズの形状は、トランスファモールドに用いる金型によって制御した。 The shape of the lens was controlled by the mold used for transfer molding.
尚、作製条件は実施例1と同様とした。 Incidentally, the manufacturing conditions were the same as in Example 1.

作製した3種類のサンプルの断面図を図11A〜Cに示す。 A cross-sectional view of the three samples prepared are shown in Figure 11A to 11C.
サンプル1〜3の初期光学、電気特性は以下の通りであった。 Initial optical sample 1-3, the electrical characteristics were as follows.

サンプル1〜3の実装面に平行な0°方向(図3中のx方向)の配光特性を図12Aに、実装面に垂直な90°方向(図3中のy方向)の配光特性を図12Bに示す。 Samples 1-3 of the mounting surface 0 ° direction parallel to FIG. 12A the light distribution characteristics of (x direction in FIG. 3), the light distribution characteristics of the perpendicular 90 ° direction to a mounting surface (y direction in FIG. 3) It is shown in Figure 12B. 図12A及び図12Bにおいて、符号44、46及び48は、各々、サンプル1、サンプル2及びサンプル3の配光特性を示す。 In FIG. 12A and 12B, reference numeral 44, 46 and 48, respectively, showing the sample 1, the light distribution characteristics of Samples 2 and 3. また、各サンプルの配光特性の半値角(平均値)を表2に示す。 Also shows the half angle of the light distribution characteristics of each sample (mean value) in Table 2.

以上の結果から、第2透明樹脂層に形成するレンズの曲率が大きくなる程、指向性が良好となり、正面方向の光度が高くなることがわかる。 These results, as the curvature of the lens to be formed on the second transparent resin layer is increased, the directivity is improved, it can be seen that the light intensity in the front direction increases.

図1は、本件発明の実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。 Figure 1 is a perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す発光装置のX−X'断面を示す断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view showing the X-X 'cross-section of the light-emitting device shown in FIG. 図3は、図1に示す発光装置を実装基板上に実装した様子を模式的に示す斜視図である。 Figure 3 is a perspective view schematically showing a state of mounting on the mounting substrate the light emitting device shown in FIG. 図4は、実施の形態1に係る発光装置の別例を示す断面図である。 Figure 4 is a sectional view showing another example of a light emitting device according to the first embodiment. 図5Aは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す模式図である。 Figure 5A is a schematic view showing a state of forming a first transparent resin layer in line coating method. 図5Bは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す平面図である。 Figure 5B is a plan view showing a state of forming a first transparent resin layer in line coating method. 図5Cは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す断面図である。 5C is a cross-sectional view showing a state of forming a first transparent resin layer in line coating method. 図6Aは、図5Cに示すライン塗布法のバリエーションを示す断面図である。 6A is a cross-sectional view showing a variation of the line coating method shown in Figure 5C. 図6Bは、図5Cに示すライン塗布法の別のバリエーションを示す断面図である。 6B is a cross-sectional view showing another variation of the line coating method shown in Figure 5C. 図6Cは、図5Cに示すライン塗布法のさらに別のバリエーションを示す断面図である。 Figure 6C is a cross-sectional view showing still another variation of the line coating method shown in Figure 5C. 図7Aは、第1透明樹脂層を形成したパッケージアッセンブリを模式的に示す斜視図である。 Figure 7A is a perspective view of a package assembly to form a first transparent resin layer schematically. 図7Bは、第2樹脂層をトランスファモールド法によって形成する様子を模式的に示す断面図である。 7B is a cross-sectional view schematically showing a state in which the second resin layer is formed by transfer molding. 図7Cは、第2樹脂層をトランスファモールド法によって形成する様子を模式的に示す断面図である。 7C is a cross-sectional view schematically showing a state in which the second resin layer is formed by transfer molding. 図7Dは、ダイシング工程を模式的に示す断面図である。 Figure 7D is a cross-sectional view illustrating a dicing process schematically. 図8Aは、実施の形態2の途中工程を示す断面図である。 Figure 8A is a cross-sectional view illustrating a middle step in the second embodiment. 図8Bは、実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。 Figure 8B is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment. 図9Aは、実施の形態3の途中工程を示す断面図である。 9A is a cross-sectional view showing an intermediate step of the third embodiment. 図9Bは、実施の形態3に係る発光装置を示す断面図である。 Figure 9B is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment. 図10Aは、実施例1及び比較例1の0°方向の配光特性を示すグラフである。 Figure 10A is a graph illustrating the light distribution characteristics of the 0 ° direction of Example 1 and Comparative Example 1. 図10Bは、実施例1及び比較例1の90°方向の配光特性を示すグラフである。 Figure 10B is a graph illustrating the light distribution characteristics of 90 ° directions of Example 1 and Comparative Example 1. 図11Aは、実施例2の発光装置(サンプル1)の断面図である。 Figure 11A is a cross-sectional view of a light emitting device (Sample 1) of Example 2. 図11Bは、実施例2の発光装置(サンプル2)の断面図である。 11B is a cross-sectional view of a light-emitting device of Example 2 (Sample 2). 図11Cは、実施例2の発光装置(サンプル3)の断面図である。 Figure 11C is a cross-sectional view of a light emitting device (Sample 3) of Example 2. 図12Aは、実施例2の0°方向の配光特性を示すグラフである。 Figure 12A is a graph illustrating the light distribution characteristics of the 0 ° direction of Example 2. 図12Bは、実施例2の90°方向の配光特性を示すグラフである。 Figure 12B is a graph illustrating the light distribution characteristics of 90 ° directions of Example 2.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 発光装置、2 絶縁基板、4 負電極、6 正電極、8 発光ダイオード、10 ワイヤ、12 第1透明樹脂層、14 第2透明樹脂層、16 蛍光体 1 light emitting device, 2 an insulating substrate, 4 a negative electrode, 6 positive electrode, 8 a light emitting diode, 10 wires, 12 the first transparent resin layer, 14 second transparent resin layer, 16 a phosphor

Claims (10)

  1. 基板と、前記基板上に形成された正及び負電極と、前記正及び負電極に接続された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを覆う透明樹脂層と、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体とを有し、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体を前記発光ダイオードの出射光によって励起発光することにより、前記発光ダイオードの発光色と異なる色を発光する発光装置であって、 Substrate and the positive and negative electrodes formed on the substrate, wherein the positive and coupled LEDs in the negative electrode, and a transparent resin layer covering the light-emitting diodes, phosphor dispersed in the transparent resin layer has the door, by the phosphor dispersed in the transparent resin layer is excited to emit light by the light emitted from the light emitting diode, a light-emitting device which emits a color different from the luminescent color of the light emitting diode,
    前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記基板よりも幅狭に形成される第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に前記基板の略全面を覆うように形成される第2透明樹脂層とを有し、 The transparent resin layer covers the light emitting diode, first formed to cover the first transparent resin layer formed on the narrow, substantially the whole surface of the substrate to the first transparent resin layer than the substrate and a second transparent resin layer,
    前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、 The second transparent resin layer is processed into a curved shape so that the upper surface to form the lens,
    前記第1透明樹脂層は前記蛍光体を含む一方、前記第2透明樹脂層は、前記蛍光体を含まないか、前記蛍光体の平均密度が前記第1透明樹脂層中の前記蛍光体の平均密度の1/10以下であり、 While the first transparent resin layer containing the phosphor, the second transparent resin layer either does not include the phosphor, the average mean density of the phosphor of the phosphor of the first transparent resin layer density is less than 1/10 of,
    前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出しており、 In opposing pair of side surfaces of the light emitting device, the first transparent resin layer and the second transparent resin layer is cut substantially flush, wherein the first transparent resin layer is exposed,
    前記発光ダイオードを覆う前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層は、上面視において、前記1組の側面に平行な方向を長手方向とし、前記1組の側面に挟まれた厚み方向を短手方向とする長矩形であり、前記第2透明樹脂層に形成された前記レンズは、前記短手方向には曲率を有しておらず、前記長手方向に曲率を有し、 The first transparent resin layer and the second transparent resin layer covering the light emitting diode, in a top view, the direction parallel to the pair of side and longitudinal, a thickness direction sandwiched between the pair of side surfaces a long rectangular with the shorter side direction, wherein the lens formed in the second transparent resin layer is said in the lateral direction does not have a curvature, have a curvature in the longitudinal direction,
    前記互いに対向する1組の側面の一方を実装面とするサイドビュー型発光装置であることを特徴とする発光装置。 The light emitting device wherein the a side-view type light emitting device for one of the mounting surfaces of the opposing pair of side with each other.
  2. 前記第1透明樹脂層は、略半円柱状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The first transparent resin layer, the light emitting device according to claim 1, characterized in that a substantially semi-cylindrical.
  3. 前記透明樹脂層を上面から平面視して、前記第1透明樹脂層の外縁が前記正及び負電極の外縁とほぼ一致していることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。 The transparent resin layer in plan view from the top, the light emitting device according to claim 1 or 2 outer edge of the first transparent resin layer is characterized in that substantially coincides with the outer edge of the positive and negative electrodes.
  4. 前記第1透明樹脂層は、略直方体状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置。 The first transparent resin layer, the light emitting device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a substantially rectangular parallelepiped shape.
  5. 前記第1透明樹脂層は、前記発光ダイオードと前記正及び負電極を接続するワイヤ全体を覆うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置。 The first transparent resin layer, the light emitting device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that covering the entire wire connecting said positive and negative electrodes and the light emitting diode.
  6. 前記第1透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。 The first transparent resin layer is an epoxy, silicone, modified silicone, urethane resins, light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that a one selected from the group consisting of oxetane resin.
  7. 前記第2透明樹脂層は、上面がシリンドリカルレンズを形成するように曲面状に加工されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。 The second transparent resin layer, the light emitting device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the upper surface is machined into a curved shape so as to form a cylindrical lens.
  8. 前記第2透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置。 The second transparent resin layer is an epoxy, silicone, modified silicone, urethane resins, light-emitting device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that it is one selected from the group consisting of oxetane resin.
  9. 前記発光ダイオードは、窒化物半導体から成る青色発光層を有することを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting diode, light-emitting device according to any one of claims 1 to 8, characterized by having a blue light-emitting layer made of nitride semiconductor.
  10. 前記蛍光体粒子が、前記発光ダイオードの発光と混色することにより、白色を発光可能であることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の発光装置。 The phosphor particles, by emitting a mixed color of the light emitting diodes, light-emitting device according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the white is capable of emitting light.
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