JP2008098262A - 半導体装置及び半導体素子搭載用基板の製造方法並びにカメラモジュール - Google Patents

半導体装置及び半導体素子搭載用基板の製造方法並びにカメラモジュール Download PDF

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Abstract

【課題】半導体素子を平行精度良く搭載することを目的とする。
【解決手段】搭載部2に凹部4を形成し、搭載部2に半導体素子を搭載した際に、この凹部4の一部が半導体素子より外にはみ出す構成とすることにより、注入した接着剤6が多かったとしても、余分な接着剤6がはみ出した凹部4の開口部から流出するようにすることができるため、半導体素子搭載時に発生する接着剤6の反力を逃がし、反力による半導体素子の傾きを低減することができる。さらに、半導体素子を搭載した際に、半導体素子周縁部で基板1と接触する状態になり、搭載部2の表面形状の影響を受けにくくすることができる。以上2点により、半導体素子を平行精度良く基板に搭載することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、CCDやCMOS等の撮像素子を用いた固体撮像装置等の光学デバイスなど、絶縁基体に半導体素子を搭載して構成される半導体装置及び半導体素子搭載用基板の製造方法、並びにカメラモジュールに関するものである。
近年、携帯端末をはじめとする電子機器の小型化に伴い、半導体装置の小型化が要求されている。また、半導体装置には、小型化および薄型化だけでなく、その性能の向上を図るために半導体素子を実装基板に平行精度良く実装することが要求されている。半導体装置のなかでも特に、ビデオカメラやスチルカメラ等に広く用いられている固体撮像装置等の光学デバイスにはこの市場要求が強い。
ここで従来の固体撮像装置の構成について、図5を用いて説明する。
図5は従来の固体撮像装置の構成を示す図であり、図5(a)は同固体撮像装置の平面図、図5(b)は同固体撮像装置の図5(a)におけるC−C’断面図である。
図5にしめすように、固体撮像装置50は、キャビティ状の絶縁基板1と、絶縁基体1のキャビティ内の底面に設けられた搭載部2の周囲から基板1の下面に導出された複数の配線部5と、搭載部2に接着剤6により固定された固体撮像素子3と、固体撮像素子3と配線部5とを電気的に接続している金属細線7と、絶縁基体1の側壁上に封止材9により接合された透光性の蓋体8とを有しており、絶縁基体1と蓋体8とにより構成される容器内に固体撮像素子5を気密封止した構造である。図5(a)では蓋体8を透視した状態で示している。
従来の係る固体撮像装置50において、固体撮像素子3を基板1に平行精度良く搭載するには、搭載部2の形状管理を行い、反り形状の小さい搭載面を持つ基板を選択的に採用していた。
また、半導体素子が搭載面の反り形状に影響を受け、搭載後に半導体素子が反ることを低減するために、搭載面に凹溝を設けることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許第3273670号公報
しかしながら、上記のように半導体素子搭載時の平行精度向上のために、反り形状の小さい搭載面を持つ基板を選択的に採用すると、基板製造の歩留りが悪化するために、基板製品の確保が困難になるのと共に基板製造コストが増大化してしまう。
また、特許文献1に開示されている基板には凹溝が設けられ、搭載面の反り形状の影響を受けにくく、半導体素子が反って搭載されることを低減する構造であるが、凹溝が半導体素子に隠れる大きさであり、半導体素子を所定の位置へ搭載すると凹溝を完全に覆う構造となっており、半導体素子搭載時には凹溝に塗布された接着剤が多かった場合等に、余分な接着剤が凹溝よりはみ出して半導体素子を押す反力が生じるため、この反力の影響を受け、半導体素子が傾いて搭載される虞がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体素子を平行精度良く搭載することができる半導体装置およびその製造方法、並びに、カメラモジュールを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の請求項1記載の半導体装置は、基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、前記基板主面に設けられて前記半導体素子を搭載するための領域である搭載部と、前記基板に設けられて外部端子となる配線部と、搭載された前記半導体素子と前記配線部とを電気的に接続する金属細線と、前記搭載部に形成され前記搭載部と前記半導体素子を接合する接着剤が注入される凹部とを有し、前記半導体素子は前記凹部の外側の搭載部に保持されて搭載され、前記搭載部に前記半導体素子を搭載したときに前記凹部の端部が前記半導体素子よりはみ出すような前記凹部の形状であることを特徴とする。
請求項2記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、搭載部に平行方向の前記凹部の形状が十字形であり、前記十字を形成する4つの凸部の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子よりはみ出す形状であることを特徴とする。
請求項3記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記凹部の形状が円形の溝に4つの溝が備わる形状であり、4つの前記溝の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子の対応する辺からはみ出す形状であることを特徴とする。
請求項4記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記凹部の形状が円形の溝に4つの溝が備わる形状であり、4つの前記溝の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子の対応する角からはみ出す形状であることを特徴とする。
請求項5記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、前記凹部として複数の溝を形成し、それぞれの前記溝の一部分が搭載される前記半導体素子の対応する角からはみ出す形状であることを特徴とする。
請求項6記載の半導体装置は、請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5のいずれかに記載の半導体装置において、前記搭載部と凹部の境界が面取りされていることを特徴とする。
請求項7記載の半導体装置は、請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5または請求項6のいずれかに記載の半導体装置において、前記基板と接合することにより、前記半導体素子を気密密封する蓋体を備えることを特徴とする。
請求項8記載の半導体装置は、請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5または請求項6または請求項7のいずれかに記載の半導体装置において、前記基板が、複数枚のセラミックグリーンシートを積層して形成された多層セラミック基板であることを特徴とする。
請求項9記載の半導体装置は、請求項7記載の半導体装置において、前記半導体素子が受光または発光する光学素子であり、前記蓋体が透光性部材であることを特徴とする。
請求項10記載のカメラモジュールは、請求項9に記載の半導体装置を搭載することを特徴とする。
請求項11記載の半導体素子搭載用基板の製造方法は、請求項8記載の半導体装置に用いる前記基板を製造する方法であって、前記凹部を押圧することで形成することを特徴とする。
以上により、半導体素子を平行精度良く基板に搭載することができる。
本発明の半導体装置は、搭載部に凹部を形成し、搭載部に半導体素子を搭載した際に、この凹部の一部が半導体素子より外にはみ出す構成とすることにより、注入した接着剤が多かったとしても、余分な接着剤がはみ出した凹部の開口部から流出するようにすることができるため、半導体素子搭載時に発生する接着剤の反力を逃がし、反力による半導体素子の傾きを低減することができる。さらに、半導体素子を搭載した際に、半導体素子周縁部で基板と接触する状態になり、基板搭載部の表面形状の影響を受けにくくすることができる。以上2点により、半導体素子を平行精度良く基板に搭載することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここでは半導体装置の一例として固体撮像装置について説明する。
図1は本発明の固体撮像装置の構成を示す図であり、図1(a)は本発明の固体撮像装置の平面図、図1(b)は同固体撮像装置の図1(a)におけるA−A’断面図、図1(c)は同固体撮像装置の図1(b)におけるB部拡大図である。また、図2は本発明の固体撮像装置における凹部の構成例を示す図である。
この固体撮像装置11は、セラミックや樹脂等によりキャビティ状に形成された半導体素子搭載用の基板1と、基板1のキャビティ内の搭載部2の周囲から基板1の下面に導出された複数の配線部5と、搭載部2に設けられた凹部4と、前記凹部4に塗布された銀ペースト等の接着剤6により搭載部2に固定された半導体素子の例としてCCD等の固体撮像素子3と、固体撮像素子3の電極パッドと配線部5の内部端子とを電気的に接続しているAuワイヤー等の金属細線7と、基板1の側壁上にエポキシ樹脂等を主材とするUV接着剤などの封止材9により接合されたガラス等の透光性の蓋体8とを有しており、基板1と蓋体8とにより構成される容器内にベアチップの状態の固体撮像素子3を気密封止した構造である。図1(a)では蓋体8を透視した状態で示しており、また、金属細線7は便宜上図示していない。
また、配線部5は基板1の下面に導出する形状に限らず、金属細線7を介して半導体素子の端子を外部に導出する形状であれば良い。また、蓋体8を透光性材料とし、半導体素子として光学素子を用いることにより、受光装置や発光装置を形成することもできる。逆に、蓋体8は半導体装置の用途によっては透光性を有する必要はなく、さらに、気密封止が不要な場合は蓋体8がない構成とすることも可能である。
基板1はその側壁の内面に段部を形成しており、配線部5は側壁の段部上に内部端子が露出するようにメタライズ配線体などによって形成している。
この固体撮像装置11が従来の凹溝を有する固体撮像装置と相違する点は、基板1の凹部4が設けられた搭載部2の上面に固体撮像素子3を搭載部2の所定の位置に搭載されても、凹部4の一部が固体撮像素子3より外にはみ出して、余分な接着剤6がはみ出した凹部4の開口部から流出するように形成している点である。例えば、図1の例では、凹部4を十字形に形成し、凹部4上の所定の位置に固体撮像素子3を形成しても十字形の凸部の先端が固体撮像素子3より外にはみ出し、十字形の凹部となる搭載部2にて固体撮像素子3を保持する構造である。
これによれば、基板1と固体撮像素子3は基板1の所定の部分でのみ接触することで、平坦形状である基板1周縁部との接触となり、搭載部の反り形状の影響によるチップ反り、チップ傾きが低減され、基板との平行精度が向上する。
また、凹部4に塗布された接着剤6は、固体撮像素子3搭載時に、固体撮像素子3により上方から押圧され、凹部4内を濡れ拡がるが、凹部4は固体撮像素子外側に開口を持つ為に、前記接着剤6により押し出される凹部4内のエアー及び余分な接着剤6は開口部より流出し、余分な圧力が固体撮像素子3にかかることがないため、固体撮像素子3は接着剤6からの反力の影響を受けにくく、前記反力によるチップ傾きが低減され、基板1との平行精度が向上する。
更に、接着剤6に吸湿フィラーを含有した接着剤を使用した場合は、凹部4の開口が存在することで、蓋体8により気密封止された基板1内の水分を吸湿フィラーにて高効率に吸着し、半導体装置の耐湿性を向上させることができる。
また、凹部4と搭載部2との境界部10は面取り処理施すことにより、固体撮像素子3搭載時に、搭載部2と固体撮像素子3が接触した際、凹部4と搭載部2の境界部10の欠け等によるダスト発生を低減させるので、製品品質が向上する。
なお、凹部4の開口は図1(a)では4方向4箇所に形成されているが、1箇所以上形成されていればよく、搭載時の反力の影響を低減する事ができる。但し、4方向対称に開口を形成した方がより大きな効果が得られるので好ましい。
次に、凹部4の形状例を図2(a)、(b)、(c)に示す。但し、図2(a)、(b)、(c)では固体撮像素子3を透視した状態で示す。図2(a)では、凹部4の中心に固体撮像素子3により被覆される円形の凹部を形成し、円形の凹部から固体撮像素子3の4辺方向に4つの端部が固体撮像素子3からはみ出す溝部形成する構成である。この構成により、凹部4の中心に1点塗布にて接着剤を塗布した時に、接着剤の濡れ拡がりが良い構造であり、塗布方法が簡便になる。図2(b)では、凹部4の中心に固体撮像素子3により被覆される円形の凹部を形成し、円形の凹部から固体撮像素子3の4隅方向に4つの端部が固体撮像素子3からはみ出す溝部形成する構成である。この構成により、凹部4の開口が固体撮像素子3の4隅方向へ形成されており、複数のチップサイズへの対応が容易であり、基板1の汎用性が増す。図2(c)のようにスリット状の凹部4が複数並んだ形状にしてもよく、吸湿フィラー含有の接着剤を使用すれば、耐湿性向上効果を得られる。
以上の構造は、固体撮像装置以外の光デバイス、さらには光デバイスでない半導体装置にも適用することができ、加工も容易である。上述したように、基板に平行精度良く固体撮像素子等の半導体素子を搭載できることから、係る半導体装置を備えた電子デバイス、例えばカメラモジュールは、レンズ鏡筒組付け時に必要であった光軸調整が不要になるため、調整機構が不要となり、従来品に比較して小型に設計することが可能となる。また、部品点数の削減と光軸調整工程の削除による製造コストの削減が可能である。
次に、固体撮像装置等の半導体装置の製造方法を図3,図4を用いて示す。
図3は本発明の半導体装置における凹部を備える基板の製造方法を示す工程断面図であり、図4は本発明の半導体装置における凹部を備える基板の製造方法を説明するための多面取り基板の平面図である。
本実施の形態における半導体装置の例である固体撮像装置11の製造方法は、多面取り基板100を分割して複数の基板1を製造し、各基板1に固体撮像素子3を実装してから蓋体9を固定するというものである。以下に、具体的に示す。
まず、図3(a)および図4に示す多面取り基板100を準備する。具体的には、多面取り基板100の表面および裏面には、複数本の区画線107が存在しており、多面取り基板100の表面および裏面は、区画線107により複数の個辺領域(具体的には9個の個辺領域)108に区画されている。そして、各領域108には、搭載部2および配線部106が設けられている。
さらに、多面取り基板100は、3枚のセラミックグリーンシートである第1シート101,第2シート102,第3シート103が積層されたものであり、各シートには複数本の区画線107が存在しており、区画線107同士を重ね合わせて積層されて基板1の基材となる。最上層となる第1シート101および中間層となる第2シート102にはそれぞれ、基板のキャビティ構造を形成するための孔104,105が形成されており、搭載部2は、第3シート103のうち、第1シート101および第2シート102に覆われていない部分である。第2シート102および最下層となる第3シート103には、配線部106が形成されている。なお、第1シート101に形成された孔104は、第2シート102に形成された配線部が露出するように、第2シート102に形成された孔105よりも大きく形成されている。
次に、図3(b),図3(c)に示すように、押圧機200を用いて多面取り基板100の表面に凹部4を形成する。具体的には、この押圧機200には押圧治具201が設けられており、押圧治具201の先端形状は、搭載部に形成したい凹部の形状となっている。そして押圧治具201をその先端を下にして、多面取り基板100表面の搭載部中央部の上方に配置する。次に、押圧治具201が多面取り基板100を所定の深さに押込むまで、押圧機200を多面取り基板100の表面に近づける。すると、図3(d)のように押圧治具201により凹部4が形成される。
その後、不図示であるが多面取り基板100を焼成する。それから、区画線107にそって、ダイシング等により個片に分割し、図3(e)に示すような基板1を製造することができる。
続いて、不図示であるが(図1参照)、凹部4に注入された接着剤6を介して各基板1の搭載部2に固体撮像素子3を実装し、金属細線7を用いて固体撮像素子3と配線部5とをそれぞれ電気的に接続する。その後、封止材9を介して基板1の側壁上に蓋体8を固定する。このようにして図1に示す固体撮像装置11を製造することができる。
押圧機200を用いて多面取り基板100に凹部4を形成する際、3枚のセラミックグリーンシートを積層してから押圧するとしたが、搭載部2になるセラミックグリーンシートである第1シート101に凹部を形成してから、積層してもよい。
なお、基板1は、3枚のセラミックグリーンシートを積み重ねて焼成して形成された多層セラミック基板であるとしたが、セラミックグリーンシートの枚数は3枚に限定されることはなく、2枚でもよく4枚以上でもよい。また、基板は多層セラミック基板に限定されず、用途に応じて様々な基板を用いることができる。
本発明は、半導体素子を平行精度良く基板に搭載することができ、絶縁基体に半導体素子を搭載して構成される半導体装置及び半導体素子搭載用基板の製造方法、並びにカメラモジュール等に有用である。
本発明の固体撮像装置の構成を示す図 本発明の固体撮像装置における凹部の構成例を示す図 本発明の半導体装置における凹部を備える基板の製造方法を示す工程断面図 本発明の半導体装置における凹部を備える基板の製造方法を説明するための多面取り基板の平面図 従来の固体撮像装置の構成を示す図
符号の説明
1・・・基板
2・・・搭載部
3・・・固体撮像素子
4・・・凹部
5・・・配線部
6・・・接着剤
7・・・金属細線
8・・・蓋体
9・・・封止材
10・・・境界部
11・・・固体撮像装置
50・・・固体撮像装置
100・・・多面取り基板
101・・・第1シート
102・・・第2シート
103・・・第3シート
104・・・孔
105・・・孔
106・・・配線部
107・・・区画線
108・・・個片領域
200・・・押圧機
201・・・押圧治具

Claims (11)

  1. 基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、
    前記基板主面に設けられて前記半導体素子を搭載するための領域である搭載部と、
    前記基板に設けられて外部端子となる配線部と、
    搭載された前記半導体素子と前記配線部とを電気的に接続する金属細線と、
    前記搭載部に形成され前記搭載部と前記半導体素子を接合する接着剤が注入される凹部と
    を有し、前記半導体素子は前記凹部の外側の搭載部に保持されて搭載され、前記搭載部に前記半導体素子を搭載したときに前記凹部の端部が前記半導体素子よりはみ出すような前記凹部の形状であることを特徴とする半導体装置。
  2. 搭載部に平行方向の前記凹部の形状が十字形であり、前記十字を形成する4つの凸部の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子よりはみ出す形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記凹部の形状が円形の溝に4つの溝が備わる形状であり、4つの前記溝の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子の対応する辺からはみ出す形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 前記凹部の形状が円形の溝に4つの溝が備わる形状であり、4つの前記溝の少なくとも1つの端部が搭載される前記半導体素子の対応する角からはみ出す形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 前記凹部として複数の溝を形成し、それぞれの前記溝の一部分が搭載される前記半導体素子の対応する角からはみ出す形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  6. 前記搭載部と凹部の境界が面取りされていることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記基板と接合することにより、前記半導体素子を気密密封する蓋体を備えることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5または請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 前記基板が、複数枚のセラミックグリーンシートを積層して形成された多層セラミック基板であることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4または請求項5または請求項6または請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記半導体素子が受光または発光する光学素子であり、前記蓋体が透光性部材であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
  10. 請求項9に記載の半導体装置を搭載することを特徴とするカメラモジュール。
  11. 請求項8記載の半導体装置に用いる前記基板を製造する方法であって、
    前記凹部を押圧することで形成することを特徴とする半導体素子搭載用基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101061872B1 (ko) 2009-12-15 2011-09-02 에쓰이에이치에프코리아 (주) 카메라 모듈의 제조 장치 및 방법
US12063426B2 (en) 2018-08-31 2024-08-13 Fujifilm Corporation Imaging unit and imaging device

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