JP2008097403A - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気的消去可能な不揮発性メモリ装置20は、メモリ部21とメモリ制御部22とを有する。メモリ部21は、データを記憶するメモリ領域を1つのメモリアドレス当たりn個(n≧3)有する。メモリ制御部22は、ライト要求時はメモリ部21のライトアドレスに対応するn個のメモリ領域に同じライトデータを記憶し、リード要求時はリードアドレスに対応するn個のメモリ領域に記憶されているデータから多数決によりリードデータを求めて出力する。
【選択図】図2
Description
本発明の第1の不揮発性メモリ装置にあっては、メモリ部が、データを記憶するメモリ領域を1つのメモリアドレス当たりn個(n≧3)有しており、CPUで稼動するプログラム等のメモリアクセス元からライトデータおよびライトアドレスを指定したライト要求が出されると、メモリ制御部が、メモリ部のライトアドレスに対応するn個のメモリ領域に同じライトデータを記憶する。また、その後にリードアドレスを指定したリード要求が出されると、メモリ制御部が、リードアドレスに対応するn個のメモリ領域に記憶されているデータから多数決によりリードデータを求めて出力する。
21、31、51…メモリ部
22、32、52…メモリ制御部
23〜25、33〜36、53〜55…不揮発性メモリ素子
26、37、56…書込読出制御部
27、40、59…多数決回路
38、57…結合部
39、58…データ分割部
Claims (5)
- 電気的消去可能な不揮発性メモリ装置であって、データを記憶するメモリ領域を1つのメモリアドレス当たりn個(n≧3)有するメモリ部と、ライト要求時は前記メモリ部のライトアドレスに対応するn個のメモリ領域に同じライトデータを記憶し、リード要求時はリードアドレスに対応するn個のメモリ領域に記憶されているデータから多数決によりリードデータを求めて出力するメモリ制御部とを備えた不揮発性メモリ装置。
- 前記メモリ部は、共通のメモリアドレス線、入力データ線および制御線に接続され、出力データ線がそれぞれ独立したn個の不揮発性メモリ素子により構成されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリ装置。
- 電気的消去可能な不揮発性メモリ装置であって、データの一部を記憶する多重化用メモリ領域を1つのメモリアドレス当たりn個(n≧3)、残りのデータ部分を記憶する非多重化用メモリ領域を1つのメモリアドレス当たり1個有するメモリ部と、ライト要求時はライトデータを多重化対象ビット列と非多重化対象ビット列とに分割し、前記メモリ部のライトアドレスに対応するn個の多重化用メモリ領域に同じ多重化対象ビット列を記憶するとともに前記メモリ部のライトアドレスに対応する1個の非多重化用メモリ領域に非多重化対象ビット列を記憶し、リード要求時はリードアドレスに対応する前記メモリ部のn個の多重化用メモリ領域に記憶されている多重化対象ビット列から多数決により求めた多重化対象ビット列の値とリードアドレスに対応する前記メモリ部の非多重化用メモリ領域に記憶されている非多重化対象ビット列とを結合したリードデータを出力するメモリ制御部とを備えた不揮発性メモリ装置。
- 前記メモリ部は、多重化用メモリ領域として使用するn個の不揮発性メモリ素子と、非多重化用メモリ領域として使用する1個の不揮発性メモリ素子とを含むことを特徴とする請求項3記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記メモリ部は、多重化用メモリ領域および非多重化用メモリ領域として使用する1個の不揮発性メモリ素子と、多重化用メモリ領域として使用するn−1個の不揮発性メモリ素子とを含むことを特徴とする請求項3記載の不揮発性メモリ装置。
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2006
- 2006-10-13 JP JP2006279690A patent/JP2008097403A/ja active Pending
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