JP2008091573A - 研磨用組成物及び研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)を研磨する際、研磨速度が速く、かつ、エロージョンの抑制可能な研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法において、有機シロキサン構造を有する比誘電率
3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を有する被研磨体の前記絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式(I)で示される一級アミノアルコールを含み、かつ、pHが7〜10の範囲である研磨用組成物、及びそれを用いた研磨方法。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。]
【選択図】なし
【解決手段】半導体デバイスの製造方法において、有機シロキサン構造を有する比誘電率
3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を有する被研磨体の前記絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式(I)で示される一級アミノアルコールを含み、かつ、pHが7〜10の範囲である研磨用組成物、及びそれを用いた研磨方法。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。]
【選択図】なし
Description
本発明は半導体デバイスの研磨加工時において、化学的機械的な平坦化を行う研磨方法及び研磨用組成物に関する。
半導体集積回路(以下LSIと記す)で代表される半導体デバイスの開発においては、小型化・高速化のため、近年配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。LSIに用いられる層間絶縁膜にはLSIの高速化のため、配線間容量の少ない比誘電率の低い材料が求められている。
従来、半導体デバイスの層間絶縁膜材料としてSiO2が用いられ、比誘電率が約3.8〜4.2である。しかし、線幅が狭くなるにつれて、層間絶縁膜材料の比誘電率も低くしなければならず、例えば、線幅130nmの素子では、比誘電率が約2.5〜3.0の材料を必要とする。
従来、半導体デバイスの層間絶縁膜材料としてSiO2が用いられ、比誘電率が約3.8〜4.2である。しかし、線幅が狭くなるにつれて、層間絶縁膜材料の比誘電率も低くしなければならず、例えば、線幅130nmの素子では、比誘電率が約2.5〜3.0の材料を必要とする。
層間絶縁膜として低比誘電率の絶縁膜(以下、Low−k膜ともいう。)の形成に用いる材料としては、SiOC系の材料(例えば、複数のSi−C、叉はSi−H結合を含むSiOC)、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系の材料が知られている。
具体的には、比誘電率の絶縁膜の形成に用いる材料として、SiOC系ではHSG−R7(日立化成工業)、BLACKDIAMOND(Applied Materials, Inc)などがある。
具体的には、比誘電率の絶縁膜の形成に用いる材料として、SiOC系ではHSG−R7(日立化成工業)、BLACKDIAMOND(Applied Materials, Inc)などがある。
これらのLow−k膜はLSIの微細化のためには平坦化が必要であり要求されている。
Low−k膜を平坦化する方法としては、特許文献1にはCMP技術を用いた平坦化方法、即ち、砥粒として酸化セリウム粒子を用いて研磨する方法が開示されている。ここで、CMPは化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)の略で、一般的には、円形の研磨定盤(プラテン)上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨用組成物で浸して、パッドに基板(ウエハ)の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力(研磨圧力)を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により被研磨面の表面を平坦化するものである。
しかし、砥粒として酸化セリウム粒子を用いて研磨する方法は研磨速度が遅く、また金属配線間の絶縁膜が必要以上に研磨され、複数の配線金属面表面が皿状の凹部を形成する現象(エロージョン)が発生し易かった。
特開2000−286255号公報
Low−k膜を平坦化する方法としては、特許文献1にはCMP技術を用いた平坦化方法、即ち、砥粒として酸化セリウム粒子を用いて研磨する方法が開示されている。ここで、CMPは化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)の略で、一般的には、円形の研磨定盤(プラテン)上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨用組成物で浸して、パッドに基板(ウエハ)の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力(研磨圧力)を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により被研磨面の表面を平坦化するものである。
しかし、砥粒として酸化セリウム粒子を用いて研磨する方法は研磨速度が遅く、また金属配線間の絶縁膜が必要以上に研磨され、複数の配線金属面表面が皿状の凹部を形成する現象(エロージョン)が発生し易かった。
LSIの微細化・積層化が進むに従い、LSIの高速化のためには、層間絶縁膜を低比誘電率化することで配線間容量を低減することが必要となる。
しかしながら、従来、前記Low−k膜の平坦化には時間が長くかかり、またエロージョンも生じてしまう。
本発明は、上記従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)を研磨する際、研磨速度が速く、かつ、エロージョンの抑制可能な研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することを目的とする。
しかしながら、従来、前記Low−k膜の平坦化には時間が長くかかり、またエロージョンも生じてしまう。
本発明は、上記従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)を研磨する際、研磨速度が速く、かつ、エロージョンの抑制可能な研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することを目的とする。
前記実情に鑑み本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、特定の組成を有する研磨用組成物による研磨方法を用いることによって上記問題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
<1> 半導体デバイスの製造方法において、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を有する被研磨体の前記絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式(I)で示される一級アミノアルコールを含み、pHが7〜10の範囲である研磨用組成物。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は炭化水素基もしくは芳香環を表す。]
<2> 前記コロイダルシリカ粒子の濃度が0.5〜15質量%であることを特徴とする上記<1>に記載の研磨用組成物。
<3> 前記ベンゾトリアゾール化合物が、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールおよび1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールから選ばれる1以上の化合物であることを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の研磨用組成物。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は炭化水素基もしくは芳香環を表す。]
<2> 前記コロイダルシリカ粒子の濃度が0.5〜15質量%であることを特徴とする上記<1>に記載の研磨用組成物。
<3> 前記ベンゾトリアゾール化合物が、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールおよび1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールから選ばれる1以上の化合物であることを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の研磨用組成物。
<4> 研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させつつ該研磨定盤を回転させることで接触面を相対運動させて研磨する研磨方法であって、前記絶縁膜が有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる前記被研磨体の絶縁膜であり、かつ、前記研磨用組成物が上記<1>〜<3>のいずれか1項に記載の研磨用組成物であることを特徴とする研磨方法。
<5> 研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させる時の荷重(研磨圧)が0.69〜21.6KPaであることを特徴とする上記<4>に記載の研磨方法。
<6> 研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給する際の供給流量が0.035〜0.60ml/min・cm2であることを特徴とする上記<4>又は<5>に記載の研磨方法。
<5> 研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させる時の荷重(研磨圧)が0.69〜21.6KPaであることを特徴とする上記<4>に記載の研磨方法。
<6> 研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給する際の供給流量が0.035〜0.60ml/min・cm2であることを特徴とする上記<4>又は<5>に記載の研磨方法。
本発明によれば、比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)を研磨する際、研磨速度が速く、かつ、エロージョンの抑制可能な研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することができる。
本発明の研磨用組成物は、半導体デバイスの製造において、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下のLow−k膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成する際の化学的機械的研磨に用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式(I)で示される一級アミノアルコールを含み、pHが7〜10の範囲であることを特徴とする。
以下、本発明の研磨用組成物の構成要素について順次説明する。
以下、本発明の研磨用組成物の構成要素について順次説明する。
〔低比誘電率絶縁膜〕
本発明における絶縁膜は、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の低比誘電率の絶縁膜(以下、「本発明におけるLow−K膜」ともいう。)である。
前記低比誘電率の絶縁膜の形成に用いる材料としては、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜を形成する材料では、特に限定されないで適用することができる。
有機シロキサン構造を有するSiOC(例えば、複数のSi−C、叉はSi−H結合を含むSiOC)、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系の材料が好ましい。
本発明における絶縁膜は、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の低比誘電率の絶縁膜(以下、「本発明におけるLow−K膜」ともいう。)である。
前記低比誘電率の絶縁膜の形成に用いる材料としては、有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜を形成する材料では、特に限定されないで適用することができる。
有機シロキサン構造を有するSiOC(例えば、複数のSi−C、叉はSi−H結合を含むSiOC)、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系の材料が好ましい。
上記式(II)中、R2は、水素原子、炭化水素基又はOR4を表し、R3は炭化水素基又OR5を表す。R4、R5はそれぞれ独立に炭化水素基を表す。
上記式(II)中、R2〜R5で表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基が挙げられる。
前記低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる材料として、具体的には、SiOC系としては、HSG−R7(日立化成工業:2.8)、BLACKDIAMOND(Applied Materials, Inc:2.4−3.0)、p−MTES(日立開発:3.2)、Coral(Novellus Systems, Inc:2.4−2.7 )、Aurora(日本エーエムエス:2.7)が挙げられ、また、MSQ系としてはOCDT−9(東京応化工業:2.7)、LKD−T200(JSR:2.5−2.7)、HOSP(Honeywell Electronic Materials:2.5)、HSG−RZ25(日立化成工業:2.5)、OCLT−31(東京応化工業製:2.3)、LKD−T400(JSR製:2.0−2.2)、HSG−6211X(日立化成工業製:2.1)、ALCAP−S(旭化成工業製:1.8−2.3)、OCLT−77(東京応化工業製:1.9−2.2)、HSG−6211X(日立化成工業製:2.4)、silica aerogel(神戸製鋼所製:1.1−1.4)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記低比誘電率の絶縁膜を形成できる材料は、1種単独で用いられても複数種が併用されてもよい。さらに、これらの材料は、微小な空孔を有する形態であって構わない。
本発明における絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVDでもスピン塗布でもよい。
本発明における低比誘電率の絶縁膜の比誘電率は3.0以下であることを要するが、低い方が好ましく、特に好ましくは1.8〜2.8である。
前記比誘電率を1.8〜2.8の範囲とすることは、本発明の効果であるエロージョン抑制と研磨速度向上が顕著となる点で好ましい。
本発明における比誘電率は、べた膜に関しては水銀プローブを用いた測定方法、配線が設けられた絶縁膜の比誘電率については、プレシジョン4284A LCRメータにより測定することができる。本発明における比誘電率はこれらの方法を採用した。
本発明における低比誘電率の絶縁膜の比誘電率は3.0以下であることを要するが、低い方が好ましく、特に好ましくは1.8〜2.8である。
前記比誘電率を1.8〜2.8の範囲とすることは、本発明の効果であるエロージョン抑制と研磨速度向上が顕著となる点で好ましい。
本発明における比誘電率は、べた膜に関しては水銀プローブを用いた測定方法、配線が設けられた絶縁膜の比誘電率については、プレシジョン4284A LCRメータにより測定することができる。本発明における比誘電率はこれらの方法を採用した。
従来までの一般的な誘電体材料は、比誘電率が約3.8〜4.2の材料である。線幅が狭くなるにつれて、比誘電率も叉低くならなければならない。例えば線幅130nmの素子は、比誘電率が約2.5〜3.0の材料を必要とする。低比誘電率といわれる材料は通常、比誘電率が約2.0〜2.5である。線幅90nmの素子は、誘電率が2.4未満となっている。
線幅90nmの素子においては、比誘電率が2.4未満となっている。この様な点から本発明の研磨用組成物は線幅130nmの素子よりも細い配線幅の世代に用いられる事がより好ましい。
線幅90nmの素子においては、比誘電率が2.4未満となっている。この様な点から本発明の研磨用組成物は線幅130nmの素子よりも細い配線幅の世代に用いられる事がより好ましい。
[研磨用組成物]
本発明の研磨用組成物は、(a)コロイダルシリカ粒子、(b)ベンゾトリアゾール化合物、および(c)前記式(I)で示される一級アミノアルコールを含むことを特徴とする。
本発明の研磨用組成物は、(a)コロイダルシリカ粒子、(b)ベンゾトリアゾール化合物、および(c)前記式(I)で示される一級アミノアルコールを含むことを特徴とする。
(コロイダルシリカ粒子)
本発明に使用する研磨用組成物は、構成成分としてコロイダルシリカ粒子を含有する。コロイダルシリカ粒子は研磨粒子として含有される。
上記コロイダルシリカ粒子の作成法として、例えばSi(OC2H5)4、Si(sec−OC4H9)4、Si(OCH3)4、Si(OC4H9)4のようなシリコンアルコキシド化合物をゾルゲル法により加水分解することにより得ることができる。このようなコロイダルシリカ粒子は粒度分布が非常に急峻なものとなる。
本発明に使用する研磨用組成物は、構成成分としてコロイダルシリカ粒子を含有する。コロイダルシリカ粒子は研磨粒子として含有される。
上記コロイダルシリカ粒子の作成法として、例えばSi(OC2H5)4、Si(sec−OC4H9)4、Si(OCH3)4、Si(OC4H9)4のようなシリコンアルコキシド化合物をゾルゲル法により加水分解することにより得ることができる。このようなコロイダルシリカ粒子は粒度分布が非常に急峻なものとなる。
本発明におけるコロイダルシリカ粒子の粒子径とは、コロイダルシリカ粒子の粒子径とその粒子径を持つ粒子数を積算した累積度数との関係を示す粒度累積曲線(度数分布曲線)を求め、この曲線の累積度数が50%のポイントでの粒子径を意味するものとする。前記コロイダルシリカ粒子の粒子径は、動的光散乱法から得られた粒度分布において求められる平均粒子径を表す。前記粒度分布を求める測定装置しては、例えば、堀場製作所製LB−500等が用いられる。
含有されるコロイダルシリカ粒子の平均粒径は5〜60nmが好ましく、より好ましくは5〜30nmである。充分な研磨加工速度を達成する目的から5nm以上の粒子が好ましい。また、研磨加工中に過剰な摩擦熱を発生させない目的で粒子径は60nm以下が好ましい。
研磨粒子であるコロイダルシリカ粒子の濃度は、研磨用組成物の全質量中に0.5〜15質量%の割合で含まれている事が好ましい。より好ましくは1〜10質量%が好ましい。充分な研磨加工速度を達成する目的で濃度は0.5質量%以上が好ましい。また、研磨加工中に過剰な摩擦熱を発生させない目的で濃度は10質量%以下が好ましい。
また、本発明の研磨用組成物はそのままでも、また希釈した形態でも用いることができるが、研磨用組成物を希釈して用いる場合でも、使用時の研磨用組成物希釈液中の濃度は組成物濃度範囲と同様であり、好ましい範囲も同様である。
また、本発明の研磨用組成物はそのままでも、また希釈した形態でも用いることができるが、研磨用組成物を希釈して用いる場合でも、使用時の研磨用組成物希釈液中の濃度は組成物濃度範囲と同様であり、好ましい範囲も同様である。
〔ベンゾトリアゾール化合物〕
本発明の研磨用組成物はベンゾトリアゾール化合物を含有する。
本発明において、ベンゾトリアゾール化合物としては、1,2,3−ベンゾトリアゾール(BTA)、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール(DBTA)、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール(DCEBTA)、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール(HEABTA)および1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール(HMBTA)から選ばれる1以上の化合物であることが好ましい。
上記の中でも、更に好ましいベンゾトリアゾール化合物としては、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール(DBTA)、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール(DCEBTA)、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール(HEABTA)、1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール(HMBTA)があげられる。
本発明で用いるベンゾトリアゾール化合物は、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
また、前記ベンゾトリアゾール化合物の濃度としては、特に限定されないが、好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下であり、更に好ましくは、0.05質量%以上0.2質量%以下である。
本発明の研磨用組成物はベンゾトリアゾール化合物を含有する。
本発明において、ベンゾトリアゾール化合物としては、1,2,3−ベンゾトリアゾール(BTA)、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール(DBTA)、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール(DCEBTA)、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール(HEABTA)および1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール(HMBTA)から選ばれる1以上の化合物であることが好ましい。
上記の中でも、更に好ましいベンゾトリアゾール化合物としては、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール(DBTA)、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール(DCEBTA)、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール(HEABTA)、1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール(HMBTA)があげられる。
本発明で用いるベンゾトリアゾール化合物は、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
また、前記ベンゾトリアゾール化合物の濃度としては、特に限定されないが、好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下であり、更に好ましくは、0.05質量%以上0.2質量%以下である。
〔一級アミノアルコール〕
本発明の研磨用組成物は、式(I)で示される化合物を含有する。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。]
本発明の研磨用組成物は、式(I)で示される化合物を含有する。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。]
上記式(I)中のR1で表される脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜15の脂肪族鎖状・環状構造を有する炭化水素基が挙げられ、中でも、炭素数2〜10の脂肪族鎖状・環状構造を有する炭化水素基が好ましい。
前記脂肪族鎖状炭化水素基としては、炭素数1〜15のアルキレン基(好ましくは1〜12、更に好ましくは2〜8)が挙げられ、これらは置換可能なアルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等で更に置換されていてもよい。
前記脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、ジシクロヘキシル、ターシクロヘキシル、ノルボルナンを挙げることができる。
上記式(I)中のR1で表される2価の芳香族炭化水素基としては、芳香族炭化水素を構成する任意の炭素原子上の水素原子を2個除いて、2価の炭化水素基としたものを挙げることができる。前記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンを挙げることができる。
これらの2価の芳香族炭化水素基は置換可能なアルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等で更に置換されていてもよい。
これらの2価の芳香族炭化水素基は置換可能なアルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等で更に置換されていてもよい。
上記一級アミノアルコールについて、好ましい具体例を下記表1に示す。但し、これに限定されるものではない。
本発明で用いることができる一級アミノアルコールは市販品を用いてもまた合成したもを用いてもよい。
本発明で用いることができる一級アミノアルコールは、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。また、一級アミノアルコールの濃度としては、特に限定されないが、研磨速度の向上とエロージョン抑制の観点から、0.01〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。
〔pH〕
本発明の研磨用組成物は、pH7.0〜10の範囲とする必要がある。本発明の研磨用組成物は、pHがこの範囲とすることにより研磨速度向上及びエロージョン抑制の優れた効果を発揮する。
更に、本発明の研磨用組成物のpHは、研磨速度向上及びエロージョン抑制の観点から、好ましくは8.0〜10であり、特に好ましくは8.5〜10である。
本発明において、前記pHをpH7.0〜10の範囲に調整するためには、アルカリ/酸又は緩衝剤が用いて調整することができる。
本発明の研磨用組成物は、pH7.0〜10の範囲とする必要がある。本発明の研磨用組成物は、pHがこの範囲とすることにより研磨速度向上及びエロージョン抑制の優れた効果を発揮する。
更に、本発明の研磨用組成物のpHは、研磨速度向上及びエロージョン抑制の観点から、好ましくは8.0〜10であり、特に好ましくは8.5〜10である。
本発明において、前記pHをpH7.0〜10の範囲に調整するためには、アルカリ/酸又は緩衝剤が用いて調整することができる。
前記アルカリ/酸又は緩衝剤としては、アンモニア、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等が好適例として挙げることができる。特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
前記アルカリ/酸又は緩衝剤の添加量としては、pHが前記pH7.0〜10の範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の研磨用組成物の1L中、0.0001mol〜1.0molとすることが好ましく、0.003mol〜0.5molとすることがより好ましい。
〔酸化剤〕
本発明の研磨用組成物は、金属を酸化して研磨することができる化合物(酸化剤)を含有することが好ましい。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、及び銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましく用いられる。
鉄(III)塩としては、例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
本発明の研磨用組成物は、金属を酸化して研磨することができる化合物(酸化剤)を含有することが好ましい。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、及び銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましく用いられる。
鉄(III)塩としては、例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
酸化剤の添加量は、研磨用組成物の1L中に、0.01mol〜1molとすることが好ましく、0.05mol〜0.6molとすることが特に好ましい。
〔有機酸〕
本発明における研磨用組成物は更に有機酸を含有することが好ましい。
ここでいう有機酸は、金属を酸化するための酸化剤とは構造が異なる化合物であり、前述の酸化剤として機能する酸を包含するものではない。ここでの酸は、酸化の促進、pH調整、緩衝剤としての作用を有する。
本発明における有機酸としては、以下の群から選ばれたものがより適している。
即ち、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2−メチル酪酸、n−ヘキサン酸、3,3−ジメチル酪酸、2−エチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、及びそれらのアンモニウム塩やアルカリ金属塩等の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、アンモニウム塩類、又はそれらの混合物等が挙げられる。
これらの中では、ギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも1種の金属層を含む積層膜に対して好適である。
本発明における研磨用組成物は更に有機酸を含有することが好ましい。
ここでいう有機酸は、金属を酸化するための酸化剤とは構造が異なる化合物であり、前述の酸化剤として機能する酸を包含するものではない。ここでの酸は、酸化の促進、pH調整、緩衝剤としての作用を有する。
本発明における有機酸としては、以下の群から選ばれたものがより適している。
即ち、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2−メチル酪酸、n−ヘキサン酸、3,3−ジメチル酪酸、2−エチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、及びそれらのアンモニウム塩やアルカリ金属塩等の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、アンモニウム塩類、又はそれらの混合物等が挙げられる。
これらの中では、ギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも1種の金属層を含む積層膜に対して好適である。
本発明における有機酸として、アミノ酸を好適なものとして挙げることができる。
このアミノ酸としては、水溶性のものが好ましく、以下の群から選ばれたものがより適している。
即ち、例えば、グリシン、L−アラニン、β−アラニン、L−2−アミノ酪酸、L−ノルバリン、L−バリン、L−ロイシン、L−ノルロイシン、L−イソロイシン、L−アロイソロイシン、L−フェニルアラニン、L−プロリン、サルコシン、L−オルニチン、L−リシン、タウリン、L−セリン、L−トレオニン、L−アロトレオニン、L−ホモセリン、L−チロシン、3,5−ジヨード−L−チロシン、β−(3,4−ジヒドロキシフェニル)−L−アラニン、L−チロキシン、4−ヒドロキシ−L−プロリン、L−システィン、L−メチオニン、L−エチオニン、L−ランチオニン、L−シスタチオニン、L−シスチン、L−システィン酸、L−アスパラギン酸、L−グルタミン酸、S−(カルボキシメチル)−L−システィン、4−アミノ酪酸、L−アスパラギン、L−グルタミン、アザセリン、L−アルギニン、L−カナバニン、L−シトルリン、δ−ヒドロキシ−L−リシン、クレアチン、L−キヌレニン、L−ヒスチジン、1−メチル−L−ヒスチジン、3−メチル−L−ヒスチジン、エルゴチオネイン、L−トリプトファン、アクチノマイシンC1、アパミン、アンギオテンシンI、アンギオテンシンII及びアンチパイン等のアミノ酸等から少なくとも1種を含むことが望ましい。
これらの中でも、特に、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリシン、グリコール酸については実用的なCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点で好ましい。
このアミノ酸としては、水溶性のものが好ましく、以下の群から選ばれたものがより適している。
即ち、例えば、グリシン、L−アラニン、β−アラニン、L−2−アミノ酪酸、L−ノルバリン、L−バリン、L−ロイシン、L−ノルロイシン、L−イソロイシン、L−アロイソロイシン、L−フェニルアラニン、L−プロリン、サルコシン、L−オルニチン、L−リシン、タウリン、L−セリン、L−トレオニン、L−アロトレオニン、L−ホモセリン、L−チロシン、3,5−ジヨード−L−チロシン、β−(3,4−ジヒドロキシフェニル)−L−アラニン、L−チロキシン、4−ヒドロキシ−L−プロリン、L−システィン、L−メチオニン、L−エチオニン、L−ランチオニン、L−シスタチオニン、L−シスチン、L−システィン酸、L−アスパラギン酸、L−グルタミン酸、S−(カルボキシメチル)−L−システィン、4−アミノ酪酸、L−アスパラギン、L−グルタミン、アザセリン、L−アルギニン、L−カナバニン、L−シトルリン、δ−ヒドロキシ−L−リシン、クレアチン、L−キヌレニン、L−ヒスチジン、1−メチル−L−ヒスチジン、3−メチル−L−ヒスチジン、エルゴチオネイン、L−トリプトファン、アクチノマイシンC1、アパミン、アンギオテンシンI、アンギオテンシンII及びアンチパイン等のアミノ酸等から少なくとも1種を含むことが望ましい。
これらの中でも、特に、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリシン、グリコール酸については実用的なCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点で好ましい。
有機酸の添加量は、研磨に使用する際の研磨用組成物の1L中、0.0005mol〜0.5molとすることが好ましく、0.005mol〜0.3molとすることがより好ましく、0.01mol〜0.1molとすることが特に好ましい。即ち、有機酸の添加量は、エッチングの抑制の点から0.5mol以下が好ましく、充分な効果を得る上で0.0005mol以上が好ましい。
〔キレート剤〕
本発明の研磨用組成物は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸等が挙げられる。
本発明の研磨用組成物は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸等が挙げられる。
〔研磨方法〕
本発明の研磨方法は、研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させつつ該研磨定盤を回転させることで接触面を相対運動させて研磨する研磨方法であって、前記絶縁膜が有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる前記被研磨体の絶縁膜であり、かつ、前記研磨用組成物が本発明の前記研磨用組成物であることを特徴とする。
前記構成とすることにより、比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)の研磨速度が速く、かつ、エロージョンを抑制することができる研磨方法とすることができる。
本発明の研磨方法は、研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させつつ該研磨定盤を回転させることで接触面を相対運動させて研磨する研磨方法であって、前記絶縁膜が有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる前記被研磨体の絶縁膜であり、かつ、前記研磨用組成物が本発明の前記研磨用組成物であることを特徴とする。
前記構成とすることにより、比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)の研磨速度が速く、かつ、エロージョンを抑制することができる研磨方法とすることができる。
本発明の研磨方法において、前記比誘電率が3.0以下の材料を用いて形成された低比誘電率の絶縁膜(Low−K膜)については前述の本発明の研磨用組成物の項に記載したもので同じであり、好ましい例も同じである。
また、本発明の研磨方法で用いる研磨用組成物は、前述の本発明の研磨用組成物と同じであり、好ましい例も同じである。
また、本発明の研磨方法で用いる研磨用組成物は、前述の本発明の研磨用組成物と同じであり、好ましい例も同じである。
本発明の研磨用組成物は、1.濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、2.各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、3.使用液として調製されている場合がある。
本発明の研磨用組成物を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨用組成物も適用可能である。
この研磨方法は、研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
本発明の研磨用組成物を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨用組成物も適用可能である。
この研磨方法は、研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
研磨に用いられる装置としては、被研磨面を有する被研磨体(例えば、導電性材料膜が形成されたウエハ等)を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)研磨定盤と、を有する一般的な研磨装置が使用できる。
前記研磨装置の具体例としては、Mirra Mesa CMP、Reflexion CMP(アプライドマテリアルズ)、FREX200、FREX300 (荏原製作所)、NPS3301、NPS2301(ニコン)、A−FP−310A、A−FP−210A(東京精密)、2300 TERES(ラムリサーチ)、Momentum(Speedfam IPEC)などを挙げることができる。
研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。詳細は後述する。
また、研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は被研磨体が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。
被研磨面(被研磨膜)を有する被研磨体の研磨パッドへの押しつけ圧力は、0.68〜34.5KPaであることが好ましく、0.69〜21.6KPaであることがより好ましく、研磨速度の被研磨体の面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、3.40〜20.7KPaであることが特に好ましい。
研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。詳細は後述する。
また、研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は被研磨体が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。
被研磨面(被研磨膜)を有する被研磨体の研磨パッドへの押しつけ圧力は、0.68〜34.5KPaであることが好ましく、0.69〜21.6KPaであることがより好ましく、研磨速度の被研磨体の面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、3.40〜20.7KPaであることが特に好ましい。
研磨している間、研磨パッドには、研磨用組成物をポンプ等で連続的に供給する。研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
本発明において、前記1.の方法のように、濃縮液を希釈する際には、下記に示す水溶液を用いることができる。水溶液は、予め、酸化剤、1級アミノアルコール、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも1つ以上を含有した水であり、この水溶液中に含有している成分と、希釈される濃縮液中に含有している成分と、を合計した成分が、研磨する際に使用する研磨用組成物(使用液)の成分となるようにする。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
また、濃縮液に水又は水溶液を加え希釈する方法としては、研磨用組成物が濃縮された組成の濃縮液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを途中で合流させて混合し、混合し希釈された研磨用組成物の使用液を研磨パッドに供給する方法がある。濃縮液と水又は水溶液との混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
研磨用組成物の供給速度は10〜1000ml/minが好ましく、研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、170〜800ml/minであることがより好ましい。
また、研磨用組成物の供給流量は、被研磨体(研磨パッド)へ供給される1分あたりの研磨組成物の流量であり、研磨加工される被研磨体における被研磨面の面積(ウエハ面積)に対する流量として規定すると、研磨用組成物の供給流量が0.035〜0.60ml/min・cm2であることが好ましい。これにより研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足することができる。
また、研磨用組成物の供給流量は、被研磨体(研磨パッド)へ供給される1分あたりの研磨組成物の流量であり、研磨加工される被研磨体における被研磨面の面積(ウエハ面積)に対する流量として規定すると、研磨用組成物の供給流量が0.035〜0.60ml/min・cm2であることが好ましい。これにより研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足することができる。
更に、濃縮液を水又は水溶液などにより希釈しつつ、研磨する方法としては、濃縮液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法がある。また、1つの容器に、所定量の濃縮液と水又は水溶液とを入れ混合してから、研磨パッドにその混合した研磨用組成物を供給し、研磨をする方法を用いることもできる。
また、別の研磨方法としては、研磨用組成物が含有すべき成分を少なくとも2つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水又は水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法がある。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、一級アミノアルコール、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分(A)とし、一級アミノアルコール、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用する。これらの場合において、本発明におけるコロイダルシリカ粒子(砥粒)は、構成成分(A)に含有されることが好ましい。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、一級アミノアルコール、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分(A)とし、一級アミノアルコール、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用する。これらの場合において、本発明におけるコロイダルシリカ粒子(砥粒)は、構成成分(A)に含有されることが好ましい。
上記のような例の場合、構成成分(A)と構成成分(B)と水又は水溶液とをそれぞれ供給する3つの配管が必要であり、希釈混合は、3つの配管を、研磨パッドに供給する1つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、2つの配管を結合してから他の1つの配管を結合することも可能である。具体的には、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、更に、水又は水溶液の配管を結合する方法である。
その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨用組成物を供給する方法がある。
その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨用組成物を供給する方法がある。
上記した研磨方法において、酸化剤を含む1つの構成成分を40℃以下にし、他の構成成分を室温から100℃の範囲に加温し、1つの構成成分と他の構成成分とを混合する際、又は、水若しくは水溶液を加え希釈する際に、液温を40℃以下とするようにすることができる。この方法は、温度が高いと溶解度が高くなる現象を利用し、研磨用組成物の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
上記の他の構成成分を室温から100℃の範囲で加温することで溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、低温状態の他の構成成分を用いる場合は、予め加温して析出した原料を溶解させる必要がある。これには、加温し、原料が溶解した他の構成成分を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し、配管を加温して溶解させる手段と、を採用することができる。加温した他の構成成分が、酸化剤を含む1つの構成成分の温度を40℃以上に高めると酸化剤が分解する恐れがあるので、この加温した他の構成成分と酸化剤を含む1つの構成成分とを混合した場合、40℃以下となるようにすることが好ましい。
このように、本発明においては、研磨用組成物の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と一級アミノアルコールを含有する成分とに分割して供給することが好ましい。また、研磨用組成物を濃縮液とし、希釈水を別にして被研磨面に供給してもよい。
本発明において、本発明においては、研磨用組成物の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
本発明において、本発明においては、研磨用組成物の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
〔パッド〕
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。
材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。
材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
〔ウエハ〕
本発明における研磨用組成物でCMPを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
本発明における研磨用組成物でCMPを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
以下実施例によって本発明をより詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
[実施例1]
(研磨用組成物の調製)
下記成分を混合して研磨用組成物を調製した。
<組成>
・過酸化水素(酸化剤) 10g/L
・A−1:アミノエタノール(1級アミノアルコール、和光純薬工業(株)製)
14g/L
・1H−ベンゾトリアゾール(BTA:芳香環化合物) 0.5g/L
・コロイダルシリカ粒子(PL‐3、一次粒子径15nm、会合度4、二次粒子径40nm) 30g/L
・pH(アンモニア水と硫酸で調整) 9.5
・純水を加えて全量 1000mL
(研磨用組成物の調製)
下記成分を混合して研磨用組成物を調製した。
<組成>
・過酸化水素(酸化剤) 10g/L
・A−1:アミノエタノール(1級アミノアルコール、和光純薬工業(株)製)
14g/L
・1H−ベンゾトリアゾール(BTA:芳香環化合物) 0.5g/L
・コロイダルシリカ粒子(PL‐3、一次粒子径15nm、会合度4、二次粒子径40nm) 30g/L
・pH(アンモニア水と硫酸で調整) 9.5
・純水を加えて全量 1000mL
<実施例2〜20及び比較例1〜2>
実施例1の研磨用組成物の調製において、一級アミノアルコールとベンゾトリアゾール化合物、その添加量、及び研磨速度を、表1に記載の通りに変更した以外は、実施例1と同様に行って研磨用組成物を調製した。
実施例1の研磨用組成物の調製において、一級アミノアルコールとベンゾトリアゾール化合物、その添加量、及び研磨速度を、表1に記載の通りに変更した以外は、実施例1と同様に行って研磨用組成物を調製した。
(研磨試験及び評価)
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、上記で得られた研磨用組成物(スラリー)を供給しながらパターン形成された各ウェハに設けられた膜を研磨し、その時の段差を測定した。
具体的には、研磨装置の研磨定盤の研磨パッド上に、研磨用組成物を供給しながら、基板(被研磨体)を研磨パッドに押し当てた状態で研磨定盤と基板とを相対的に動かし、銅膜(導体膜)、Ta膜(バリア金属膜)、BDI(絶縁膜)等を研磨した。
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、上記で得られた研磨用組成物(スラリー)を供給しながらパターン形成された各ウェハに設けられた膜を研磨し、その時の段差を測定した。
具体的には、研磨装置の研磨定盤の研磨パッド上に、研磨用組成物を供給しながら、基板(被研磨体)を研磨パッドに押し当てた状態で研磨定盤と基板とを相対的に動かし、銅膜(導体膜)、Ta膜(バリア金属膜)、BDI(絶縁膜)等を研磨した。
−研磨対象−
被研磨体(基板):研磨速度算出にはBDのベタ膜を、エロージョン評価には下記のように作成した8inchウエハをそれぞれ用いた。
8inchシリコンウエハ上に、テトラエトキシシラン(TEOS)、炭化珪素(SIC)、ブラックダイヤモンド(BDI)、シリコン酸化膜(SiOx)の順でスッパタリング法により形成された絶縁膜を、フォトリソグラフィー工程と反応性イオンエッチング工程によりパターニングして、幅0.09〜100μm、深さ450nmの配線用溝と接続孔を形成した。
さらに、スッパタリング法により厚さ25nmのTa膜(Taバリア層)を形成した。 続いてスッパタリング法により厚さ100nmの銅膜(Cu−Seed)を形成後、メッキ法により合計厚さ1000nmの銅膜を形成した8inchウェハを作製した。
被研磨体(基板):研磨速度算出にはBDのベタ膜を、エロージョン評価には下記のように作成した8inchウエハをそれぞれ用いた。
8inchシリコンウエハ上に、テトラエトキシシラン(TEOS)、炭化珪素(SIC)、ブラックダイヤモンド(BDI)、シリコン酸化膜(SiOx)の順でスッパタリング法により形成された絶縁膜を、フォトリソグラフィー工程と反応性イオンエッチング工程によりパターニングして、幅0.09〜100μm、深さ450nmの配線用溝と接続孔を形成した。
さらに、スッパタリング法により厚さ25nmのTa膜(Taバリア層)を形成した。 続いてスッパタリング法により厚さ100nmの銅膜(Cu−Seed)を形成後、メッキ法により合計厚さ1000nmの銅膜を形成した8inchウェハを作製した。
−研磨条件−
・研磨パッド:ローム アンド ハース社製 品番IC−1400 (K−grv)+(A21)
・テ−ブル回転数:64rpm
・ヘッド回転数:65rpm (加工線速度=1.0m/s)
・研磨圧力:1.0psi(約6.9KPa)
・スラリー供給速度:200ml/分
・研磨パッド:ローム アンド ハース社製 品番IC−1400 (K−grv)+(A21)
・テ−ブル回転数:64rpm
・ヘッド回転数:65rpm (加工線速度=1.0m/s)
・研磨圧力:1.0psi(約6.9KPa)
・スラリー供給速度:200ml/分
−評価方法−
(1)絶縁膜研磨速度
研磨速度は、CMP前後におけるBDIの絶縁膜の膜厚差を電気抵抗値から換算して、以下の式から求めた。膜厚差測定は、フイルメトリックス(株)製、F20を用いて行った。
研磨速度(Å/分)=(研磨前のBDIの厚さ−研磨後のBDIの厚さ)/研磨時間
で測定した。
(1)絶縁膜研磨速度
研磨速度は、CMP前後におけるBDIの絶縁膜の膜厚差を電気抵抗値から換算して、以下の式から求めた。膜厚差測定は、フイルメトリックス(株)製、F20を用いて行った。
研磨速度(Å/分)=(研磨前のBDIの厚さ−研磨後のBDIの厚さ)/研磨時間
で測定した。
(2)エロージョン
Taバリア膜研磨後のパターンウェハに対し、ラインアンドスペース部(ライン9μm、スペース1μm)のエロージョン(段差:Å)を触針式段差計DektakV320Si(Veeco社製)で測定した。
Taバリア膜研磨後のパターンウェハに対し、ラインアンドスペース部(ライン9μm、スペース1μm)のエロージョン(段差:Å)を触針式段差計DektakV320Si(Veeco社製)で測定した。
表1から明らかな通り、実施例1〜20では、低圧条件において高い研磨速度及び高平坦化が達成されている。一方、比較例1及び2では研磨速度の低下やエロージョンの悪化が観測され、いずれの組成でも高平坦化の加工を行う事が出来なかった。
Claims (6)
- 半導体デバイスの製造方法において、有機シロキサン構造を有する比誘電率3以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を有する被研磨体の前記絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式(I)で示される一級アミノアルコールを含み、かつ、pHが7〜10の範囲である研磨用組成物。
NH2−R1−OH 式(I)
[式(I)中、R1は脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。] - 前記コロイダルシリカ粒子の濃度が0.5〜15質量%であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記ベンゾトリアゾール化合物が、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールおよび1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールから選ばれる1以上の化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
- 研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させつつ該研磨定盤を回転させることで接触面を相対運動させて研磨する研磨方法であって、前記絶縁膜が有機シロキサン構造を有する比誘電率3.0以下の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる前記被研磨体の絶縁膜であり、かつ、前記研磨用組成物が請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用組成物であることを特徴とする研磨方法。
- 研磨パッドを被研磨体の絶縁膜と接触させる時の荷重(研磨圧)が0.69〜21.6KPaであることを特徴とする請求項4に記載の研磨方法。
- 研磨用組成物を研磨定盤上の研磨パッドに供給する際の供給流量が0.035〜0.60ml/min・cm2であることを特徴とする請求項4又は5に記載の研磨方法。
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