JP2008085668A - 半導体素子及び半導体素子の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体素子は、入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換部が2次元に配列された画素を構成であって、複数の光電変換部のそれぞれから信号電荷が転送される複数の垂直転送路と、光電変換部から読み出した信号電荷を増幅して複数の垂直転送路に転送する読み出しゲートとを有し、読み出しゲートが各光電変換部に対して複数形成され、該複数の読み出しゲートの増幅率がそれぞれ異なる。
【選択図】図3
Description
なお、インパクトイオンによって信号電荷を増幅する半導体素子としては、例えば、下記特許文献のものが知られている。
(1)入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換部が2次元に配列された画素を構成する半導体素子であって、複数の光電変換部のそれぞれから信号電荷が転送される複数の垂直転送路と、前記光電変換部から読み出した信号電荷を増幅して前記複数の垂直転送路に転送する読み出しゲートとを有し、前記読み出しゲートが各光電変換部に対して複数形成され、該複数の読み出しゲートの増幅率がそれぞれ異なることを特徴とする半導体素子。
(2)前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、異なる垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする上記(1)に記載の半導体素子。
(3)前記複数の垂直転送路が、それぞれ信号電荷の飽和量が異なることを特徴とする上記(2)に記載の半導体素子。
(4)前記読み出しゲートが、前記光電変換部の水平方向に対して一対であって、それぞれ増幅率が異なるように設けられ、増幅率の大小関係が、隣接する前記光電変換部の前記読み出しゲートに対して反対となることを特徴とする上記(2)又は(3)に記載の半導体素子。
(5)複数の色成分に分光するカラーフィルタが設けられ、前記カラーフィルタによって分光した光を前記複数の光電変換部がそれぞれ受光する構成であって、前記光電変換部の色に応じて該光電変換部の信号電荷を増幅する前記複数の読み出しゲートの位置が異なることを特徴とする上記(2)から(4)のいずれか1つに記載の半導体素子。
(6)前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、同じ垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする上記(1)に記載の半導体素子。
(7)前記複数の読み出しゲートのそれぞれの読み出し時間を変化させる撮像素子駆動部を備えていることを特徴とする上記(6)に記載の半導体素子。
(8)上記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする上記(1)から(7)に記載の半導体素子。
(9)入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換部が2次元に配列された画素を構成する半導体素子の駆動方法であって、複数の光電変換部のそれぞれから垂直転送路に信号電荷を転送する際に、増幅率の異なる複数の読み出しゲートによって、信号電荷を増幅して前記垂直転送路に転送することを特徴とする半導体素子の駆動方法。
(10)前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、異なる垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする上記(9)に記載の半導体素子の駆動方法。
(11)前記複数の垂直転送路が、それぞれ信号電荷の飽和量が異なることを特徴とする上記(10)に記載の半導体素子の駆動方法。
(12)前記読み出しゲートが、前記光電変換部の水平方向に対して一対であって、それぞれ増幅率が異なるように設けられ、増幅率の大小関係が、隣接する前記光電変換部の前記読み出しゲートに対して反対となることを特徴とする上記(10)又は(11)に記載の半導体素子の駆動方法。
(13)複数の色成分に分光するカラーフィルタが設けられ、前記カラーフィルタによって分光した光を前記複数の光電変換部がそれぞれ受光する構成であって、前記光電変換部の色に応じて該光電変換部の信号電荷を増幅する前記複数の読み出しゲートの位置が異なることを特徴とする上記(10)から(12)のいずれか1つに記載の半導体素子の駆動方法。
(14)前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、同じ垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする上記(9)に記載の半導体素子の駆動方法。
(15)前記複数の読み出しゲートのそれぞれの読み出し時間を変化させることを特徴とする上記(14)に記載の半導体素子の駆動方法。
(16)上記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする上記(9)から(15)に記載の半導体素子の駆動方法。
図1は、本発明の一実施形態に係るデジタルカメラの機能ブロック図である。図示するデジタルカメラは、撮影レンズ20と、CCD型の固体撮像素子100と、この両者の間に設けられた絞り22と、赤外線カットフィルタ23と、光学ローパスフィルタ24とを備える。
図4及び図5では、フォトダイオード102gの読み出しゲートが電荷転送電極t3に存在する場合の駆動を示している。電荷転送電極t3に接続された駆動電極V3において、所定のタイミングで読み出しパルスPを印加することで、図4に矢印で示すように、フォトダイオード102gの信号電荷が読み出しゲート104Lによって増幅されるとともに垂直転送電極t3に読み出される。
図10及び図11は、本実施形態の固体撮像素子の構成を説明する図である。図12及び図13は、本実施形態の固体撮像素子を駆動させたときの状態を説明する図である。
このように、本実施形態では、それぞれの読み出しゲート304L,304Hが、光電変換部302に対して、異なる垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられている。
図14及び図15は、本実施形態の固体撮像素子の構成を説明する図である。図16及び図17は、本実施形態の固体撮像素子を駆動させたときの状態を説明する図である。
本実施形態の固体撮像素子500は、光電変換部502がハニカム状に配列されている。なお、本実施形態のR,G,Bのカラーフィルタの配列パターンは、上記第1実施形態と同じである。
本実施形態のカラーフィルタパターンではGの受光領域が多いため、Gの光電変換部502gを基準に説明するが、本発明はこれに限定されず、カラーフィルターの配置や撮影状況に応じてRやBの光電変換部502b,502rを基準に垂直転送路の幅と読み出しゲートの位置を構成することができる。
本実施形態の固体撮像素子600は、光電変換部602がベイヤー状に配列されている。なお、本実施形態のR,G,Bのカラーフィルタの配列パターンは、上記第2実施形態と同じである。
本実施形態のカラーフィルタパターンではGの受光領域が多いため、Gの光電変換部602gを基準に説明するが、本発明はこれに限定されず、カラーフィルターの配置や撮影状況に応じてRやBの光電変換部602b,602rを基準に垂直転送路の幅と読み出しゲートの位置を構成することができる。
本実施形態の固体撮像素子700は、光電変換部702がハニカム状に配列されている。なお、本実施形態のR,G,Bのカラーフィルタの配列パターンは、上記第1実施形態と同じである。
B,Rの光電変換部702b,702rに対して、それぞれ水平方向右側に増幅率の大きい第1読み出しゲート704Hが配置され、該第1読み出しゲート704Hを幅w1の垂直転送路側の垂直転送電極t2,t4,t6,t8に接続している。また、B,Rの光電変換部702b,702rに対して水平方向左側に、それぞれ増幅率の小さい第2読み出しゲート704Lが配置され、該第2読み出しゲート704Lを幅w2の垂直転送路側の垂直転送電極t1,t3,t5,t7に接続している。
図26は、本実施形態の固体撮像素子800の構成及び駆動の状態を説明する図である。固体撮像素子800は、光電変換部802がベイヤー状に配列されている。なお、本実施形態のR,G,Bのカラーフィルタの配列パターンは、上記第6実施形態と同じである。
図27に示すように、固体撮像素子900は、Gの光電変換部902gの増幅率が大きい第1読み出しゲート904Hと、増幅率の小さい第2読み出しゲート904Lとが互いに光電変換部902gに対して対角線上に対となるように配置されている。第1読み出しゲート904Hは、垂直転送電極t1,t3,t5,t7のいずれかと接続する位置に形成されており、第2読み出しゲート904Lは、第1読み出しゲート904Hが接続する垂直転送路の左側の垂直転送路の電極t2,t4,t6,t8のいずれかに接続する位置に形成されている。第1読み出しゲート904Hと第2読み出しゲート904Lは、信号電荷の転送方向が互いに反対方向となる。
図29に示すカラーフィルタ配列の場合には、RGの信号電荷を読み出す領域とGBの信号電荷を読み出す領域とで、読み出しゲートの配置を変えることで、色温度に応じて信号電荷を増幅することができる。
t1〜t8 垂直転送電極
V1〜V8 駆動電極
Claims (16)
- 入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換部が2次元に配列された画素を構成する半導体素子であって、
複数の光電変換部のそれぞれから信号電荷が転送される複数の垂直転送路と、
前記光電変換部から読み出した信号電荷を増幅して前記複数の垂直転送路に転送する読み出しゲートとを有し、
前記読み出しゲートが各光電変換部に対して複数形成され、該複数の読み出しゲートの増幅率がそれぞれ異なることを特徴とする半導体素子。 - 前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、異なる垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記複数の垂直転送路が、それぞれ信号電荷の飽和量が異なることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記読み出しゲートが、前記光電変換部の水平方向に対して一対であって、それぞれ増幅率が異なるように設けられ、増幅率の大小関係が、隣接する前記光電変換部の前記読み出しゲートに対して反対となることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体素子。
- 複数の色成分に分光するカラーフィルタが設けられ、前記カラーフィルタによって分光した光を前記複数の光電変換部がそれぞれ受光する構成であって、前記光電変換部の色に応じて該光電変換部の信号電荷を増幅する前記複数の読み出しゲートの位置が異なることを特徴とする請求項2から4のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、同じ垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記複数の読み出しゲートのそれぞれの読み出し時間を変化させる撮像素子駆動部を備えていることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。
- 上記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする請求項1から7に記載の半導体素子。
- 入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換部が2次元に配列された画素を構成する半導体素子の駆動方法であって、
複数の光電変換部のそれぞれから垂直転送路に信号電荷を転送する際に、増幅率の異なる複数の読み出しゲートによって、信号電荷を増幅して前記垂直転送路に転送することを特徴とする半導体素子の駆動方法。 - 前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、異なる垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の駆動方法。
- 前記複数の垂直転送路が、それぞれ信号電荷の飽和量が異なることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の駆動方法。
- 前記読み出しゲートが、前記光電変換部の水平方向に対して一対であって、それぞれ増幅率が異なるように設けられ、増幅率の大小関係が、隣接する前記光電変換部の前記読み出しゲートに対して反対となることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体素子の駆動方法。
- 複数の色成分に分光するカラーフィルタが設けられ、前記カラーフィルタによって分光した光を前記複数の光電変換部がそれぞれ受光する構成であって、前記光電変換部の色に応じて該光電変換部の信号電荷を増幅する前記複数の読み出しゲートの位置が異なることを特徴とする請求項10から12のいずれか1つに記載の半導体素子の駆動方法。
- 前記複数の読み出しゲートが、前記光電変換部に対して、同じ垂直転送路に信号電荷を転送する位置に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の駆動方法。
- 前記複数の読み出しゲートのそれぞれの読み出し時間を変化させることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の駆動方法。
- 上記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする請求項9から15に記載の半導体素子の駆動方法。
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