JP2008085354A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus.
半導体装置の製造工程は、半導体ウエーハ(半導体基板)の表面部に種々の素子パターンを形成する工程と、半導体ウエーハを半導体素子毎に分離し、これら半導体素子を個々にパッケージで封止する工程とに大別される。近年、半導体装置の製造コストの低減を図るために、ウエーハの大口径化が推進されている。さらに、半導体素子の高密度実装を可能にするために、半導体ウエーハの薄型化が進められている。 The manufacturing process of a semiconductor device includes a step of forming various element patterns on a surface portion of a semiconductor wafer (semiconductor substrate), a step of separating the semiconductor wafer for each semiconductor element, and individually sealing these semiconductor elements with a package. It is divided roughly into. In recent years, an increase in wafer diameter has been promoted in order to reduce the manufacturing cost of semiconductor devices. Further, in order to enable high-density mounting of semiconductor elements, semiconductor wafers are being made thinner.
図18Aないし図18Dを参照して、従来の半導体ウエーハのダイシング工程について説明する。例えば、特許文献1や特許文献2に記載されているように、表面部1aに素子パターンが形成された半導体ウエーハ1を用意する(図18A)。このような半導体ウエーハ1の裏面部1bを、機械研削で所定の厚さまで研削する(図18B)。また、機械研削した後に、エッチング(ウエットエッチング/ガスエッチング)やCMP等を施す場合もある。なお、予め半導体ウエーハの表面側から溝を形成しておき、そのような半導体ウエーハの裏面側を研削する方法も知られている(特許文献3参照)。
A conventional semiconductor wafer dicing process will be described with reference to FIGS. 18A to 18D. For example, as described in
次に、半導体ウエーハ1の裏面部1bにダイボンディング用フィルム(ダイアタッチフィルム等)2とダイシング用テープ3を順に貼り付ける(図18C)。ダイシング用テープ3はウエーハリング4に張設されている。次いで、ブレード5等を用いて半導体ウエーハ1を機械的に切削して切断し、半導体素子6、6…毎に個片化する。この際に、ダイボンディング用フィルム2も切断することで、個々にダイボンディング用フィルム2が貼り付けられた半導体素子6を作製する(図18D)。ダイシング用テープ3はその表面側から一部のみが切断され、半導体素子6を保持した状態が維持される。
Next, a die bonding film (such as a die attach film) 2 and a
このように、従来の半導体ウエーハ1のダイシング工程においては、ダイボンディング用フィルム2およびダイシング用テープ3の一部も切断している。このため、ブレード5の目詰まりを誘発して切れ味が悪くなりやすい。これが半導体素子6の裏面部に大きなチッピング(欠け)を発生させ、半導体素子6の不良原因になっている。特に、高密度実装を図るために薄型化した半導体素子6では、裏面部のチッピングが素子領域まで到達しやすいことから、不良発生率の増加を招いている。チッピングが素子領域まで到達した半導体素子は、素子機能自体も損なわれてしまう。
Thus, in the dicing process of the
ダイシング工程で個片化された半導体素子6は、それぞれピックアップされてダイボンディング工程に供される。ダイシング工程を経た半導体素子6は、その裏面部がダイシング用テープ3に貼り付けられた状態とされている。このため、例えば図19に示すように、半導体素子6を吸着コレット7で保持した後、裏面部側から数本の突き上げピン8を押し当ることによって、半導体素子6をダイシング用テープ3から剥離している。半導体素子6の裏面部にチッピングが生じていると、半導体素子6の裏面部を突き上げた際の応力でチッピングが進展し、半導体素子6をクラックさせてしまうおそれがある。
The
ピックアップされた半導体素子6は、リードフレームや基板等の各種外囲器上に接着される。最近では薄型化された半導体素子6を多段に積層して実装密度を高めることも行われている。この多段積層にあたって、例えば図20に示すように、下部の半導体素子6の外形から上部の半導体素子6がはみ出すように積層する場合がある。半導体素子6の裏面部にチッピングが生じていると、ワイヤボンディング時の荷重でチッピングが進展し、半導体素子6をクラックさせてしまうおそれがある。
The picked-up
特許文献4には、薄型化した半導体ウエーハの裏面にダイボンディグ用接着剤を熱圧着する際のクラックや反りを防止する接着剤フィルムが記載されている。ここでは、接着剤フィルムの熱圧着時のクラックや反りを防止しているものの、ダイシング時に接着剤フィルムを半導体ウエーハと共に切断している。従って、接着剤フィルムがブレードの切れ味を低下させるため、半導体素子の裏面部に大きなチッピングが生じやすい点については特許文献1や特許文献2と同様である。
上述したように、従来の半導体ウエーハのダイシング工程においては、半導体ウエーハの裏面部に貼り付けたダイボンディング用フィルムを、半導体ウエーハと共に切断している。このため、ダイボンディング用フィルムが切断用ブレードの目詰まりを誘発して切れ味を低下させ、これによって半導体素子の裏面部に大きなチッピングが生じやすい。大きなチッピングは半導体素子の不良原因となる。特に、薄型化した半導体素子では、裏面部のチッピングが素子領域まで到達しやすいことに加えて、その後のピックアップ工程や実装工程でチッピングが進展しやすいため、半導体素子の不良発生率の増加を招いている。
本発明は半導体ウエーハ、特に薄型化された半導体ウエーハのダイシング時に生じる裏面側のチッピングに起因する半導体素子の不良発生を抑制することを課題としている。すなわち、ダイシング工程からダイボンディング工程における不良発生率を低減することを可能にした半導体製造装置を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to suppress the occurrence of defects in semiconductor elements caused by chipping on the back surface side that occurs during dicing of a semiconductor wafer, particularly a thinned semiconductor wafer. That is, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing the defect occurrence rate from the dicing process to the die bonding process.
本発明の態様に係る半導体製造装置は、個片化された複数の半導体素子を保持部材で保持した半導体ウエーハから、前記複数の半導体素子を多孔質吸着コレットで順に保持してピックアップするピックアップ部と、多孔質状吸着部材に保持された素子接着用フィルムを前記半導体素子の形状に応じて切断して個片化するフィルム切断機構を備え、前記多孔質状吸着部材に全面で保持された前記個片化された素子接着用フィルムと前記多孔質吸着コレットに全面で保持された前記半導体素子とを圧着し、前記複数の半導体素子の裏面部に前記個片化された素子接着用フィルムを順に貼り付けるフィルム貼り付け部と、前記素子接着用フィルムが貼り付けられた前記複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する素子接着部とを具備することを特徴としている。 A semiconductor manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention includes a pickup unit that picks up a plurality of semiconductor elements that are held in order by a porous adsorption collet from a semiconductor wafer that holds a plurality of separated semiconductor elements by a holding member. A film cutting mechanism for cutting the element bonding film held on the porous adsorbing member into individual pieces by cutting according to the shape of the semiconductor element, and the individual held on the entire surface of the porous adsorbing member The separated element bonding film and the semiconductor element held on the entire surface of the porous adsorption collet are pressure-bonded, and the separated element bonding film is sequentially attached to the back surface of the plurality of semiconductor elements. A film affixing part to be attached; and an element adhering part for adhering the plurality of semiconductor elements to which the element adhering film is affixed in order on a substrate for forming a semiconductor device. It is characterized in Rukoto.
本発明の態様に係る半導体製造装置によれば、ダイシング工程における半導体素子の裏面部のチッピング発生を抑制することができる。従って、半導体ウエーハのダイシング工程、およびその後のピックアップ工程やダイボンディング工程等における不良発生率を低減することが可能となる。 According to the semiconductor manufacturing apparatus according to the aspect of the present invention, occurrence of chipping of the back surface portion of the semiconductor element in the dicing process can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the defect occurrence rate in the semiconductor wafer dicing process and the subsequent pickup process, die bonding process, and the like.
本発明の一実施態様によれば、まず表面部に素子領域が形成された半導体ウエーハを切断して各半導体素子に個片化する。この状態において、複数の半導体素子は保持部材に保持されている。次に、複数の半導体素子を保持部材から順にピックアップした後、これら各半導体素子の裏面部に素子形状に応じて個片化された素子接着用フィルムを貼り付ける。この後、各半導体素子の裏面部に貼り付けられた素子接着用フィルムを用いて、複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する。 According to one embodiment of the present invention, first, a semiconductor wafer having an element region formed on a surface portion is cut into individual semiconductor elements. In this state, the plurality of semiconductor elements are held by the holding member. Next, after picking up a plurality of semiconductor elements in order from the holding member, an element bonding film separated according to the element shape is attached to the back surface of each semiconductor element. Thereafter, a plurality of semiconductor elements are sequentially bonded onto the substrate for forming a semiconductor device by using an element bonding film attached to the back surface of each semiconductor element.
本発明の一実施態様において、保持部材としては粘着性テープ等の保持テープが用いられる。また、保持テープに代えて、真空吸引等で半導体素子を保持する保持テーブルを使用してもよい。素子接着用フィルムとしては、ダイアタッチフィルム等の熱可塑性もしくは熱硬化性の樹脂フィルムが用いられる。半導体素子を接着する半導体装置形成用基材としては、リードフレーム、配線基板、放熱基板等の各種外囲器が用いられる。また、半導体素子を多段に積層する場合には、例えば基板上に接着された半導体素子が半導体装置形成用基材となる。 In one embodiment of the present invention, a holding tape such as an adhesive tape is used as the holding member. Further, instead of the holding tape, a holding table that holds the semiconductor element by vacuum suction or the like may be used. As the element bonding film, a thermoplastic or thermosetting resin film such as a die attach film is used. Various envelopes such as a lead frame, a wiring board, and a heat dissipation board are used as a base for forming a semiconductor device to which a semiconductor element is bonded. When semiconductor elements are stacked in multiple stages, for example, a semiconductor element bonded on a substrate serves as a base for forming a semiconductor device.
本発明の一実施態様によれば、半導体ウエーハから各半導体素子を個片化した後に、各半導体素子の裏面部に、素子形状に応じて個片化した素子接着用テープを貼り付けている。すなわち、半導体ウエーハをダイシングする際に、ダイアタッチフィルム等の素子接着用テープまで切断することがない。これによって、ダイシング工程における素子裏面部のチッピングを抑制することができる。従って、半導体ウエーハのダイシング工程、およびその後のピックアップ工程やダイボンディング工程等における半導体素子の不良発生率を大幅に低減することが可能となる。 According to one embodiment of the present invention, after each semiconductor element is separated from the semiconductor wafer, the element bonding tape separated according to the element shape is attached to the back surface of each semiconductor element. That is, when the semiconductor wafer is diced, the element bonding tape such as a die attach film is not cut. Thereby, chipping of the element back surface portion in the dicing process can be suppressed. Accordingly, it is possible to greatly reduce the defect occurrence rate of the semiconductor element in the semiconductor wafer dicing process and the subsequent pick-up process, die bonding process, and the like.
本発明の実施態様においては、半導体ウエーハの裏面部に保持部材を貼り付けた後、半導体ウエーハを切断して、半導体素子を保持部材で保持された状態を維持しつつ個片化する。本発明の他の実施態様は、半導体ウエーハの表面部側から完成時の素子厚さより深い溝または改質層を形成する工程と、半導体ウエーハの表面部に第1の保持部材を貼りつけた後、半導体ウエーハの裏面部側を研削および研磨して、半導体素子を第1の保持部材で保持された状態を維持しつつ個片化する工程と、半導体素子の裏面部に第2の保持部材を貼り付けると共に、第1の保持部材を剥離する工程とを有する。 In an embodiment of the present invention, a holding member is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer is cut to singulate the semiconductor element while maintaining the state of being held by the holding member. In another embodiment of the present invention, a step of forming a groove or a modified layer deeper than the element thickness at the time of completion from the surface portion side of the semiconductor wafer, and after attaching the first holding member to the surface portion of the semiconductor wafer A step of grinding and polishing the back surface side of the semiconductor wafer to separate the semiconductor element while maintaining the state of being held by the first holding member; and a second holding member on the back surface portion of the semiconductor element. And a step of peeling off the first holding member.
本発明の実施態様において、長尺な素子接着用フィルムを巻き取った供給ロールから素子接着用フィルムを供給し、この長尺な素子接着用フィルムを機械切断またはレーザ切断により半導体素子の形状に応じて切断して個片化する。本発明の他の実施態様においては、個片化された素子接着用フィルムを多孔質状吸着部材で保持し、この吸着部材に保持された素子接着用フィルムを半導体素子の裏面側に貼り付ける。 In an embodiment of the present invention, an element bonding film is supplied from a supply roll wound with a long element bonding film, and the long element bonding film is mechanically cut or laser cut according to the shape of the semiconductor element. Cut into pieces. In another embodiment of the present invention, the separated element bonding film is held by a porous adsorbing member, and the element adhering film held by the adsorbing member is attached to the back side of the semiconductor element.
本発明の実施態様において、半導体製造装置は長尺な素子接着用フィルムを巻き取った供給ロールから素子接着用フィルムを供給するフィルム供給部と、供給ロールから供給された素子接着用フィルムを機械切断またはレーザ切断により半導体素子の形状に応じて切断するフィルム切断部とを有するフィルム貼り付け部を具備する。フィルム切断部は、例えば素子接着用フィルムを保持する吸着部材と、吸着部材に保持された素子接着用フィルムを打抜いて切断する切断機とを有する。 In an embodiment of the present invention, the semiconductor manufacturing apparatus mechanically cuts a film supply unit that supplies an element adhesive film from a supply roll wound with a long element adhesive film, and an element adhesive film supplied from the supply roll. Or the film sticking part which has a film cutting part cut | disconnected according to the shape of a semiconductor element by laser cutting is comprised. The film cutting unit includes, for example, an adsorbing member that holds an element adhering film and a cutting machine that punches and cuts the element adhering film held on the adsorbing member.
本発明の実施態様において、フィルム切断部は素子接着用フィルムを保持する吸着部材と、吸着部材に保持された素子接着用フィルムを切断するレーザ切断機と、レーザ切断機または吸着部材を前記半導体素子の形状に応じて移動させる移動機構とを有する。これらの実施態様において、吸着部材は例えば多孔質金属により構成される。多孔質状吸着部材は多孔質セラミックス等で形成してもよい。 In an embodiment of the present invention, the film cutting unit includes an adsorbing member that holds an element adhering film, a laser cutting machine that cuts an element adhering film held on the adsorbing member, and a laser cutting machine or an adsorbing member as the semiconductor element. And a moving mechanism that moves according to the shape. In these embodiments, the adsorbing member is made of, for example, a porous metal. The porous adsorbing member may be formed of porous ceramics or the like.
本発明の他の実施態様において、半導体製造装置は半導体素子を保持する吸着コレットと、吸着コレットに保持された半導体素子を裏面側から突き上げて保持部材から剥離する突き上げ機構とを有するピックアップ部を具備する。吸着コレットは例えば多孔質金属により構成される。多孔質吸着コレットは多孔質セラミックス等で形成してもよい。さらに他の実施態様においては、半導体素子に貼り付けられた素子接着用フィルムの裏面部側に設けられた保護フィルムを剥離するフィルム剥離部を有する。 In another embodiment of the present invention, the semiconductor manufacturing apparatus includes a pickup unit having a suction collet that holds a semiconductor element, and a push-up mechanism that pushes up the semiconductor element held by the suction collet from the back side and peels it from the holding member. To do. The adsorption collet is made of, for example, a porous metal. The porous adsorption collet may be formed of porous ceramics or the like. Furthermore, in another embodiment, it has a film peeling part which peels off the protective film provided in the back surface part side of the film for element bonding affixed on the semiconductor element.
以下、本発明の半導体製造装置の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態による半導体製造装置の概略構造を示す図である。同図に示す半導体製造装置11は、ピックアップ部12とフィルム貼り付け部13と素子接着部14とを有している。ピックアップ部12のテーブル15上には半導体ウエーハ16が載置される。図2に示すように、半導体ウエーハ16は個片化された複数の半導体素子21、21…を有し、これら半導体素子21を保持テープ22で保持したものである。保持テープ22はウエーハリング23に張設されている。
Embodiments of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. A
このような半導体ウエーハ16は、図3または図4に示すダイシング工程を経て作製される。まず、図3Aないし図3Cに示すダイシング工程について述べる。図3Aに示すように、表面部24aに素子領域が形成された半導体ウエーハ24を用意する。この半導体ウエーハ24の裏面部24bを、図3Bに示すように、機械研削等で所定の厚さまで研削する。また、機械研削した後に、ウエットエッチング、ガスエッチング、CMP、ドライポリッシュ、RIE、プラズマ処理等を施してもよい。研削および研磨後の半導体ウエーハ24の厚さは、完成時の素子厚さに応じて設定する。
Such a
次いで、研削および研磨加工した半導体ウエーハ24の裏面部24bに、保持テープ22としてダイシング用テープを貼り付ける。ダイシング用テープ22はウエーハリング23に張設されている。次に、図3Cに示すように、ブレード25等を用いて半導体ウエーハ24を機械的に切削して切断し、各半導体素子21をそれぞれ個片化する。このようにして、半導体素子21が保持テープ22で保持された状態を維持しつつ、半導体素子21を個片化した半導体ウエーハ16を作製する。
Next, a dicing tape is attached as the holding
上述した半導体ウエーハ24のダイシング工程において、ダイシング用テープ22の表面側の一部は半導体ウエーハ24と共に切断される。しかしながら、従来のダイシング工程のように、ダイボンディング用テープを同時に切断していないため、ブレード25の目詰まりは大幅に低減される。従って、半導体素子21の裏面部におけるチッピングの発生を大幅に抑制することが可能となる。すなわち、ブレード25の切れ味が維持されるため、切れ味の低下によるチッピングの発生を抑制することができる。
In the dicing process of the
特に、半導体素子21の完成厚さが200μm以下、さらには20μm以上100μm以下というように、薄型化(薄肉化)された半導体素子21では、ブレード25の目詰まりによる切れ味の低下がチッピングの発生に大きく影響する。例えば、50μm程度のチッピングでも素子領域に到達しやすいため、半導体素子21の不良原因となる。さらに、10μm程度の小さいチッピングであっても、後工程で応力が加わった際にチッピングが進展してクラックが生じやすい。これも半導体素子21の不良原因となる。図3に示すダイシング工程によれば、不良原因となるチッピングの発生を抑制することができる。
In particular, in the
次に、図4に示すダイシング工程について述べる。図3に示したダイシング工程と同様に、表面部24aに素子領域が形成された半導体ウエーハ24を用意する。図4Aに示すように、半導体ウエーハ24の表面部24aにブレード25等を用いて所定の深さの溝26を形成する。溝26の深さは完成時の素子厚さより深く設定する。溝26はエッチング等で形成してもよい。また、機械的研削やエッチング等による溝26に代えて、半導体ウエーハ24の表面部24aにレーザを照射して改質層を形成してもよく、この改質層は溝26と同様に機能する。改質層の深さは溝26の深さと同等とする。
Next, the dicing process shown in FIG. 4 will be described. Similar to the dicing process shown in FIG. 3, a
図4Bに示すように、溝26を形成した半導体ウエーハ24の表面部24aに第1の保持部材として表面保護テープ27を貼りつけた後、半導体ウエーハ24の裏面部24bを機械研削等で溝26に達するまで研削する。また、機械研削した後に、ウエットエッチング、ガスエッチング、CMP、ドライポリッシュ、RIE、プラズマ処理等を施してもよい。溝26に達する研削および研磨工程によって、半導体素子21が表面保護テープ27で保持された状態を維持しつつ、半導体素子21をそれぞれ個片化する。
As shown in FIG. 4B, after a surface
この後、図4Cに示すように、個片化された半導体素子21の裏面部側に第2の保持部材として保持テープ22を貼り付けた後、表面保護テープ27を剥離する。保持テープ22にはピックアップテープ等が用いられる。このようにして、半導体素子21が保持テープ22で保持された状態を維持しつつ、半導体素子21を個片化した半導体ウエーハ16を作製する。半導体ウエーハ24のダイシングを先に実施することによって、半導体素子21の裏面部におけるチッピングの発生をさらに抑制することができる。従って、チッピングがほとんどない半導体素子21を得ることが可能となる。
Thereafter, as shown in FIG. 4C, the holding
個片化された半導体素子21を有する半導体ウエーハ16は、保持テープ22に代えて、真空吸引等で半導体素子21を保持する保持テーブル、例えば2ブロック以上の吸着エリアに分離された多孔質体からなる吸着部を有する保持テーブルに貼り替えてもよい。このような保持テーブルの吸着エリアは、半導体素子の形成列に応じて設置される。各吸着エリアは2系統の真空排気系、すなわち表面保護テープ27を剥離するまで半導体ウエーハ16を吸着保持する第1の真空排気系と、表面保護テープ27を剥離した後の半導体素子21を吸着保持する第2の真空排気系とを有し、これら2系統の真空排気系を切り替えて使用する。第2の真空排気系は半導体素子21をピックアップすることが可能なように設定されている。
The
上述した個片化された半導体素子21を有する半導体ウエーハ16は、ピックアップ部12のテーブル15上にセットされ、このピックアップ部12で個片化された半導体素子21が素子毎に保持テープ22から剥離されてピックアップされる。図5に示すように、ピックアップテーブル15の上方には、半導体素子21を保持する第1の吸着コレット31を有し、半導体素子21をフィルム貼り付け部13に移動させる移動機構32が配置されている。ピックアップテーブル15の下方には、半導体素子21を裏面側から突き上げて保持テープ22から剥離する突き上げ機構33が配置されている。
The
第1の吸着コレット31は例えば多孔質金属からなり、半導体素子21を全面(平面)で吸着保持することが可能とされている。薄型化された半導体素子21を全面で吸着保持することによって、クラックや反り等の発生を抑制することができる。第1の吸着コレット31やそれを支持する軸部には、ヒータ等の加熱機構を内蔵させてもよい。これによって、半導体素子21と後述する素子接着用フィルムとの接着性を高めることができる。また、突き上げ機構33は半導体素子21を裏面側から突き上げる数本の突き上げピン34を有している。
The
上記したような第1の吸着コレット31で吸着保持した半導体素子21を上昇させつつ、その裏面側から突き上げピン34を押し当てることによって、半導体素子21を保持テープ22から剥離する。このようにしてピックアップされた半導体素子21は、第1の吸着コレット31を有する移動機構32でフィルム貼り付け部13に送られる。なお、第2の保持部材として真空吸引式の保持テーブルを使用する場合には、突き上げ機構33を用いることなく、半導体素子21をピックアップすることができる。
The
フィルム貼り付け部13は、素子接着用フィルムを半導体素子21の形状に応じて切断して個片化するフィルム切断機構を有する。フィルム切断機構としては、例えば図6および図7に示すような機械式切断機構、もしくは図8および図9に示すようなレーザ式切断機構等が用いられる。図6および図7に示す機械式切断機構は、所定の幅を有する長尺な素子接着用フィルム41をロール状に巻き取った供給ロール(図示せず)を、フィルム供給部として有している。素子接着用フィルム41には、ダイアタッチフィルム等の熱可塑性もしくは熱硬化性の樹脂フィルムが用いられる。
The
供給ロールから供給された素子接着用フィルム41は、フィルム切断位置に送られる。フィルム切断位置には、素子形状に応じた貫通孔を有する上下一対の枠型42、43と、これら枠型42、43の貫通孔内に下方から挿入され、素子接着用フィルム41を切断する打抜き型44とを有する切断機45が配置されている。打抜き型44の先端部には、素子接着用フィルム41を保持する吸着部材46が設置されている。吸着部材46は例えば多孔質金属からなり、素子接着用フィルム41を全面(平面)で保持することが可能とされている。打抜き型44や吸着部材46はヒータ等の加熱機構を内蔵していてもよい。素子接着用フィルム41の固定部材には種々の形状の型等を用いることができる。
The
このような機械式のフィルム切断機構を有するフィルム貼り付け部13においては、まず図6Aおよび図7Aに示すように、フィルム切断位置に送られた長尺な素子接着用フィルム41を上下の枠型42、43で挟み込む。次いで、図6Bおよび図7Bに示すように、枠型43の下方から打抜き型44を上昇させて、長尺な素子接着用フィルム41を半導体素子21の形状に応じて切断する。このようにして、半導体素子21に形状に応じて個片化された素子接着用フィルム47を作製する。この際、個片状素子接着用フィルム47を吸着部材46で真空吸引し、打抜き性を高めると共に、打抜き後に吸着部材46から外れないようにする。
In the
次に、図6Cおよび図7Cに示すように、第1の吸着コレット31に保持された半導体素子21と吸着部材46に保持された個片状素子接着用フィルム47の位置を検出器で読取り、これらの位置補正を行った後、半導体素子21を個片状素子接着用フィルム47上にセットし、これらを圧着する。すなわち、図6Dおよび図7Dに示すように、裏面部に個片状素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21を作製する。個片状素子接着用フィルム47は必要に応じて、第1の吸着コレット31や打抜き型44に内蔵されたヒータで加熱されつつ圧着される。
Next, as shown in FIG. 6C and FIG. 7C, the position of the
図8および図9に示すレーザ式切断機構は、機械式切断機構と同様に、所定の幅を有する長尺な素子接着用フィルム41をロール状に巻き取った供給ロール(図示せず)を、フィルム供給部として有している。供給ロールから供給された素子接着用フィルム41は、フィルム切断位置に送られる。フィルム切断位置には、素子接着用フィルム41を真空吸引して保持する吸着部48とレーザ照射部49とが配置されている。レーザ照射部49は図示を省略した移動機構によって、素子形状に応じて移動可能とされている。なお、吸着部48側を移動可能に構成してもよい。
The laser cutting mechanism shown in FIG. 8 and FIG. 9 is similar to the mechanical cutting mechanism in that a supply roll (not shown) obtained by winding a long
なお、レーザ切断に伴ってガスを発生するおそれがある場合には、吸着部48の周囲に吸引ユニット50が設けられる。吸着部48と吸引ユニット50との間には、レーザを案内する溝が設けられている。吸着部48は上述した機械式切断機構と同様に多孔質金属等で構成され、素子接着用フィルム41を全面(平面)で保持することが可能とされている。また、吸着部48はヒータ等の加熱機構を内蔵していてもよい。
Note that a
レーザ式のフィルム切断機構を有するフィルム貼り付け部13においては、まず図8Aに示すように、フィルム切断位置に送られた長尺な素子接着用フィルム41を吸着部48で真空吸引して保持する。図8Bおよび図9Bに示すように、吸着部48に保持された素子接着用フィルム41上に、第1の吸着コレット31に保持された半導体素子21をセットする。半導体素子21の真空吸引を維持した状態で、レーザ照射部49を素子形状に応じて移動させることによって、長尺な素子接着用フィルム41を半導体素子21の形状に応じて切断する。図10に示すように、吸着部48側を移動させて素子接着用フィルム41を素子形状に応じて切断するようにしてもよい。
In the
このようにして、素子接着用フィルム41を半導体素子21の形状に応じて切断して個片化する。この後、半導体素子21と個片状素子接着用フィルム47とを圧着、また必要に応じて熱圧着することによって、図8Cおよび図9Cに示すように、裏面部に個片状素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21を作製する。なお、図8Dおよび図9Dは半導体素子21を移動させた後の状態を示している。素子接着用フィルム41は半導体素子21を配置する前に単体で切断するようにしてもよい。
In this way, the
上述した各切断機構を利用した素子接着用フィルム47の圧着(貼り付け)工程においては、チッピングの発生を抑制した半導体素子21の裏面部に、素子形状に応じて個片化した素子接着用フィルム47を貼り付けている。従って、素子接着用フィルムを半導体ウエーハと同時に切断して個片化していた従来工程のように、素子接着用フィルム47の個片化に起因して半導体素子21の裏面部にチッピングを発生させることがない。これによって、チッピングに起因する半導体素子の不良発生率を低減することが可能となる。特に、薄型化された半導体素子21の不良発生率が大幅に低減される。
In the pressure bonding (sticking) step of the
さらに、上記した素子接着用フィルム47の圧着(貼り付け)工程において、半導体素子21と素子接着用フィルム47はいずれも平面状態を維持するように真空吸着されているため、圧着時における半導体素子21のクラックや反りの発生、また貼り付け面における未接着部(空孔)の発生等を抑制することができる。未接着部(空孔)の発生は、半導体素子21からの熱放散性の低下等を招く。このような不良要因を低減ないしは排除することによって、半導体素子21ひいてはそれを用いた半導体装置の製造歩留りを向上させることが可能となる。
Furthermore, since the
素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21は、再度検出器で位置を検出して位置補正された後、図6Eおよび図7Eに示すように、第2の吸着コレット51に吸引保持されて素子接着部14に送られる。第2の吸着コレット51は素子接着部14の移動機構の先端に設けられており、具体的な構成は第1の吸着コレット31と同様とされている。なお、第1の吸着コレット31のみでピックアップ部12から素子接着部14まで移動されるように構成してもよい。
The
素子接着部14において、素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21はリードフレーム、配線基板、放熱基板等の各種外囲器、あるいは多段積層する場合には基板上に接着された半導体素子上に接着される。例えば図11に示すように、第2の吸着コレット51に保持された半導体素子21は、配線基板52上の所定の位置に送られた後、素子接着用フィルム47に荷重を加えることで配線基板52に接着される。フィルム貼り付け部13や素子接着部14における荷重は、それぞれのステージで適切に制御される。この後、半導体素子21と配線基板52の端子間をボンディングワイヤで接続する。
In the
図12は半導体素子21を多段に積層した状態を示している。すなわち、配線基板52上に接着した第1の半導体素子21をワイヤボンディングした後、再度基板52を半導体製造装置11に搭載する。そして、同様な工程を経て第1の半導体素子21上に第2の半導体素子21を接着する。図12に示すように、第2の半導体素子21を第1の半導体素子21からはみ出して積層する場合、第2の半導体素子21をワイヤボンディングする際に曲げ応力が加わる。このような場合においても、半導体素子21のチッピングが抑制されているため、チッピングの進展によるクラックの発生を防ぐことができる。
FIG. 12 shows a state in which the
半導体素子21の多段積層は図12に示す形態に限られるものではなく、図13に示すように上側の半導体素子21が小さい場合や、上下の半導体素子21が同形状でかつ同方向に積層する場合等、種々の積層形態を適用することができる。いずれの場合においても、半導体素子21の不良発生を抑制することが可能である。さらに、裏面部に素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21は、例えば図14に示すように、一旦トレー53に移し替えた後に基板等に接着してもよい。
The multi-layer stacking of the
上述した半導体装置の製造工程によれば、半導体素子21の裏面部に生じるチッピングを抑制しているため、不良発生率を大幅に低減することができる。これは、半導体ウエーハ24のダイシング工程における不良発生率を低下させていることに加えて、その後のピックアップ工程やワイヤボンディング工程等におけるクラックの発生を抑制しているためである。これらによって、特に薄型化された半導体素子21のチッピングに起因する不良発生率を大幅に低下させることができる。すなわち、例えば厚さが200μm以下、さらには20μm以上100μm以下というような半導体素子21を用いて、薄型化された半導体装置や高密度実装を実現した半導体装置を高歩留りで作製することが可能となる。
According to the manufacturing process of the semiconductor device described above, since the chipping generated on the back surface portion of the
ところで、素子接着用フィルムは粘着層で半導体素子に接着するタイプのものもあり、その場合には素子接着用フィルムの一面に保護フィルムが貼り付けられている。このような素子接着用フィルムを用いる場合には、例えば図15に示すように、保護フィルムの剥離部61を有するフィルム貼り付け部13を適用する。保護フィルムの剥離部61は、保護フィルム63を剥離する粘着性テープ62を有している。素子接着用フィルム47が貼り付けられた半導体素子21は一旦粘着性テープ62に押し当てられ、裏面側の保護フィルム63を粘着性テープ62で剥離した後に素子接着部14に送られる。
By the way, there is a type in which an element bonding film is bonded to a semiconductor element with an adhesive layer. In that case, a protective film is attached to one surface of the element bonding film. When such an element bonding film is used, for example, as shown in FIG. 15, a
図15は保護フィルムの剥離部61とフィルム貼り付け部13とを半導体素子の移動方向に配置した装置構造を示しているが、これらは移動方向に対して直交する方向に配置(平行配置)してもよい。また、保護フィルムの剥離部61は、例えば図16や図17に示すように、半導体素子21に押し当てられた粘着性テープ62を、下方に移動させて保護フィルムを剥離する機構64を有していてもよい。粘着性テープ62は左右の剥離部材を同時に下方に移動させてもよいし、これら左右の剥離部材を順に(例えば右→左)移動させるようにしてもよい。
FIG. 15 shows an apparatus structure in which the protective
11…半導体製造装置、12…ピックアップ部、13…フィルム貼り付け部、14…素子接着部、16…個片化された半導体素子を有する半導体ウエーハ、21…半導体素子、22…保持テープ、24…半導体ウエーハ、31,51…吸着コレット、41,47…素子接着用フィルム、45…機械式切断機、46,48…吸着部材、49…レーザ照射部、52…基板。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
多孔質状吸着部材に保持された素子接着用フィルムを前記半導体素子の形状に応じて切断して個片化するフィルム切断機構を備え、前記多孔質状吸着部材に全面で保持された前記個片化された素子接着用フィルムと前記多孔質吸着コレットに全面で保持された前記半導体素子とを圧着し、前記複数の半導体素子の裏面部に前記個片化された素子接着用フィルムを順に貼り付けるフィルム貼り付け部と、
前記素子接着用フィルムが貼り付けられた前記複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する素子接着部と
を具備することを特徴とする半導体製造装置。 From a semiconductor wafer holding a plurality of separated semiconductor elements with a holding member, a pick-up unit for sequentially holding and picking up the plurality of semiconductor elements with a porous adsorption collet;
The individual piece held on the entire surface of the porous adsorbing member, comprising a film cutting mechanism for cutting the element adhering film held on the porous adsorbing member into individual pieces by cutting according to the shape of the semiconductor element The element bonding film thus formed and the semiconductor element held on the entire surface of the porous adsorption collet are pressure-bonded, and the separated element bonding films are sequentially attached to the back surfaces of the plurality of semiconductor elements. A film pasting section;
A device for manufacturing a semiconductor, comprising: an element bonding portion for sequentially bonding the plurality of semiconductor elements to which the element bonding film is attached on a substrate for forming a semiconductor device.
前記フィルム貼り付け部は、長尺な前記素子接着用フィルムを巻き取った供給ロールから前記素子接着用フィルムを供給するフィルム供給部と、前記供給ロールから供給された前記素子接着用フィルムを、機械切断またはレーザ切断により前記半導体素子の形状に応じて切断するフィルム切断部とを有することを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1.
The film affixing unit includes a film supply unit that supplies the element adhesion film from a supply roll obtained by winding the long element adhesion film, and the element adhesion film that is supplied from the supply roll. A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a film cutting unit that cuts according to a shape of the semiconductor element by cutting or laser cutting.
前記フィルム切断部は、前記多孔質状吸着部材に保持された前記素子接着用フィルムを打抜いて切断する切断機を有することを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2.
The semiconductor cutting apparatus, wherein the film cutting unit has a cutting machine that punches and cuts the element bonding film held by the porous adsorbing member.
前記フィルム切断部は、前記多孔質状吸着部材に保持された前記素子接着用フィルムを切断するレーザ切断機と、前記レーザ切断機または前記多孔質状吸着部材を前記半導体素子の形状に応じて移動させる移動機構とを有することを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2.
The film cutting part moves a laser cutting machine that cuts the element bonding film held by the porous adsorption member, and moves the laser cutting machine or the porous adsorption member according to the shape of the semiconductor element. And a moving mechanism that moves the semiconductor manufacturing apparatus.
前記ピックアップ部は、前記多孔質吸着コレットに保持された前記半導体素子を裏面側から突き上げて前記保持部材から剥離する突き上げ機構を有することを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The pick-up unit has a push-up mechanism that pushes up the semiconductor element held by the porous adsorption collet from the back surface side and peels it from the holding member.
前記フィルム貼り付け部は、前記半導体素子に貼り付けられた前記素子接着用フィルムの裏面部側に設けられた保護フィルムを剥離するフィルム剥離部を有することを特徴とする半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The said film sticking part has a film peeling part which peels the protective film provided in the back surface part side of the said film for element adhesion | attachment stuck on the said semiconductor element, The semiconductor manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
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