JP2008080443A - 片面研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の片面を研磨する片面研磨装置において、平滑性に優れ、欠陥の無い基板を得ることができ、且つ研磨後の基板を装置から容易に取り出すことのできる片面研磨装置を提供する。
【解決手段】基板を下方に保持する保持定盤1と、上面に研磨布8を有する研磨定盤9とを具備し、前記保持定盤1に保持された基板Gを前記研磨布8に圧接しつつ、基板Gを回転させて該基板Gの研磨処理を行なう片面研磨装置100であって、前記保持定盤1は、定盤本体3と、前記定盤本体3の下方に平坦状態で支持された弾性を有するプレート4と、前記プレート4の下面に貼着され、基板Gを吸着する吸着シート6とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】基板を下方に保持する保持定盤1と、上面に研磨布8を有する研磨定盤9とを具備し、前記保持定盤1に保持された基板Gを前記研磨布8に圧接しつつ、基板Gを回転させて該基板Gの研磨処理を行なう片面研磨装置100であって、前記保持定盤1は、定盤本体3と、前記定盤本体3の下方に平坦状態で支持された弾性を有するプレート4と、前記プレート4の下面に貼着され、基板Gを吸着する吸着シート6とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば半導体・液晶フォトマスク用石英ガラス基板等の基板の片面を研磨する片面研磨装置に関する。
半導体・液晶フォトマスク用石英ガラス基板等の板状体の製造工程においては、基板を平滑化するために研磨処理が行なわれる。
この研磨処理を行なう際、オスカー式研磨装置と呼ばれる片面研磨装置が多く用いられる。オスカー式研磨装置では、例えば図11に示すように、鉛直軸回りに回転自在な定盤51の上に基板52が載置され、この基板52は硬質の樹脂枠である基板ホルダ53によって定盤51上に保持される。
そして、基板52(及び基板ホルダ53)は加圧プレート54によって上方から押し付けられると共に、加圧プレート54の回転によって回転し、基板52の下面が定盤51上を摺動することにより片面研磨が行なわれる。
この研磨処理を行なう際、オスカー式研磨装置と呼ばれる片面研磨装置が多く用いられる。オスカー式研磨装置では、例えば図11に示すように、鉛直軸回りに回転自在な定盤51の上に基板52が載置され、この基板52は硬質の樹脂枠である基板ホルダ53によって定盤51上に保持される。
そして、基板52(及び基板ホルダ53)は加圧プレート54によって上方から押し付けられると共に、加圧プレート54の回転によって回転し、基板52の下面が定盤51上を摺動することにより片面研磨が行なわれる。
尚、近年では、非研磨面への異物の侵入を防ぐため、図示するように、基板52と加圧プレート54との間には、スエードクロス等のクロス材55が介在されている。
この構成によれば、研磨の際、基板ホルダ53によって基板が保持されるため、基板のずれが防止される。また、クロス材により非研磨面側への異物の侵入が抑制されるので、傷、スクラッチの発生を著しく低減することができ、更に研磨圧力が基板に均一に作用するためにフラットネス精度が向上するという長所を有している。
尚、このような構成の片面研磨装置については特許文献1に開示されている。
この構成によれば、研磨の際、基板ホルダ53によって基板が保持されるため、基板のずれが防止される。また、クロス材により非研磨面側への異物の侵入が抑制されるので、傷、スクラッチの発生を著しく低減することができ、更に研磨圧力が基板に均一に作用するためにフラットネス精度が向上するという長所を有している。
尚、このような構成の片面研磨装置については特許文献1に開示されている。
しかしながら、この図11に示す構成にあっては、基板52と基板ホルダ53との間にギャップSがあるため基板が微小に移動し、クロス材55内に存在する、若しくはクロス材を有してもなお、非研磨面側へ侵入する異物が基板に傷やピット等の欠陥を発生させるという課題があった。
また、前記ギャップSによって、基板エッジ部が移動して基板ホルダ53に衝突し、基板52に欠損が生じる虞があった。
また、前記ギャップSによって、基板エッジ部が移動して基板ホルダ53に衝突し、基板52に欠損が生じる虞があった。
このような問題に対し、特許文献2には、基板ホルダを不要とした片面研磨装置が開示されている。
この構成では、図12に示すように、回転軸65を中心に回転自在な保持定盤61の下面に、両面粘着シート62により吸着シート63が貼り付けられ、更に吸着シート63の下面側にガラス基板64の非研磨面側が吸着固定される。
一方、保持定盤61の下方には、回転軸66を中心に回転自在な研磨盤67が設けられ、研磨盤67上には、両面粘着シート69により研磨布68が貼り付けられている。
この構成では、図12に示すように、回転軸65を中心に回転自在な保持定盤61の下面に、両面粘着シート62により吸着シート63が貼り付けられ、更に吸着シート63の下面側にガラス基板64の非研磨面側が吸着固定される。
一方、保持定盤61の下方には、回転軸66を中心に回転自在な研磨盤67が設けられ、研磨盤67上には、両面粘着シート69により研磨布68が貼り付けられている。
そして、保持定盤61を回転させながら、ガラス基板64の研磨面(下面)を、回転する研磨盤67の研磨布68に加圧し押し付けることで研磨加工が行なわれる。尚、研磨時においては、研磨布68にスラリー状の研磨液が図示しない供給手段により供給される。
このような構成によれば、枠状の基板ホルダを用いないため、基板エッジ部が移動して基板ホルダ53に衝突し、基板52に欠損が生じる不具合を回避することができる。
特開平5−123963号公報
特開2004−154920号公報
このような構成によれば、枠状の基板ホルダを用いないため、基板エッジ部が移動して基板ホルダ53に衝突し、基板52に欠損が生じる不具合を回避することができる。
しかしながら、図12に示した構成にあっては、吸着シートに吸着固定されたガラス基板を研磨後に取り外す(剥離する)際、ガラス基板を反らせつつ吸着シートから剥離させるため、ガラス基板の厚さが薄い場合には、大きく反らせ過ぎ、ガラス基板が破損するという課題があった。
一方、ガラス基板の厚さが厚い場合には、ガラス基板を反らせることができず、吸着シートから剥離できないという課題があった。
一方、ガラス基板の厚さが厚い場合には、ガラス基板を反らせることができず、吸着シートから剥離できないという課題があった。
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板の片面を研磨する片面研磨装置において、平滑性に優れ、欠陥の無い基板を得ることができ、且つ研磨後の基板を装置から容易に取り出すことのできる片面研磨装置を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するために、本発明に係る片面研磨装置は、基板を下方に保持する保持定盤と、上面に研磨布を有する研磨定盤とを具備し、前記保持定盤に保持された基板を前記研磨布に圧接しつつ、基板を回転させて該基板の研磨処理を行なう片面研磨装置であって、前記保持定盤は、定盤本体と、前記定盤本体の下方に平坦状態で支持された弾性を有するプレートと、前記プレートの下面に貼着され、基板を吸着する吸着シートとを備えることに特徴を有する。
尚、前記プレートの曲げ弾性率(ASTM(American Society for Testing and Materials):D790)は、1800MPa〜2500MPaの範囲で設定されていることが好ましい。
また、前記プレートの硬度は、ロックウェル硬度R80〜R130の範囲で設定されていることが望ましい。
また、前記吸着シートのショアA硬度(JIS:K6253−1997)は10〜70の範囲で設定されていることが好ましい。
また、前記プレートの硬度は、ロックウェル硬度R80〜R130の範囲で設定されていることが望ましい。
また、前記吸着シートのショアA硬度(JIS:K6253−1997)は10〜70の範囲で設定されていることが好ましい。
また、前記吸着シートの圧縮弾性率は、70%以上に設定されていることが望ましい。
尚、この明細書中に定義する圧縮弾性率は、次の方法により測定されたものとする。
先ず、測定対象に対し、初荷重100g/cm2で30秒間加圧し、その厚さ寸法Aを測定する。さらに、測定対象の上に荷重(1120g/cm2)を載せ、5分後の厚さ寸法Bを測定する。次いで、測定対象から全ての荷重を除去して無荷重とし、5分放置した後、再び初荷重で30秒間加圧し、その厚さ寸法Cを測定する。
尚、厚さ測定は、JIS:L1021「繊維製床敷物の厚さを計測する方法」に準じ、ショッパー型厚さ測定機(加圧面は直系1cmの円形)を使用するものとする。
そして次式(1)により、圧縮弾性率を計算する。
尚、この明細書中に定義する圧縮弾性率は、次の方法により測定されたものとする。
先ず、測定対象に対し、初荷重100g/cm2で30秒間加圧し、その厚さ寸法Aを測定する。さらに、測定対象の上に荷重(1120g/cm2)を載せ、5分後の厚さ寸法Bを測定する。次いで、測定対象から全ての荷重を除去して無荷重とし、5分放置した後、再び初荷重で30秒間加圧し、その厚さ寸法Cを測定する。
尚、厚さ測定は、JIS:L1021「繊維製床敷物の厚さを計測する方法」に準じ、ショッパー型厚さ測定機(加圧面は直系1cmの円形)を使用するものとする。
そして次式(1)により、圧縮弾性率を計算する。
このように構成することにより、吸着シートにより基板を吸着保持するため、クロス材を用いた場合のように異物が侵入し基板上に傷やピット等の欠陥が生じる虞がない。また、吸着シートにより基板を保持するため、基板に対し均等に加圧することができ、平滑性に優れた基板を得ることができる。
さらに、弾性を有するプレートに吸着シートを貼り付けているため、吸着シートと基板とを分離する際には、プレートを(外力により)反らせることによって、吸着シートと基板とを容易に分離させることができる。即ち、基板の取り外しの際、従来のように基板自体を反らせる必要がないため、基板の破損を防ぐことができる。また、この構成によれば、反り難い基板であっても容易に吸着シートを分離することができる。
さらに、弾性を有するプレートに吸着シートを貼り付けているため、吸着シートと基板とを分離する際には、プレートを(外力により)反らせることによって、吸着シートと基板とを容易に分離させることができる。即ち、基板の取り外しの際、従来のように基板自体を反らせる必要がないため、基板の破損を防ぐことができる。また、この構成によれば、反り難い基板であっても容易に吸着シートを分離することができる。
また、前記プレートは、前記定盤本体の周囲に設けられた支持部材に該プレートの周縁部が係合することにより前記定盤本体に支持されることが望ましい。
このように構成することにより、プレートの定盤本体に対する着脱を容易なものとすることができ、予め吸着シートを貼り付けたプレートを複数用意しておけば、吸着シートに不良が生じた際等に、プレート自体を容易に交換することができる。
このように構成することにより、プレートの定盤本体に対する着脱を容易なものとすることができ、予め吸着シートを貼り付けたプレートを複数用意しておけば、吸着シートに不良が生じた際等に、プレート自体を容易に交換することができる。
本発明によれば、基板の片面を研磨する片面研磨装置において、平滑性に優れ、欠陥の無い基板を得ることができ、且つ研磨後の基板を装置から容易に取り出すことのできる片面研磨装置を得ることができる。
以下、本発明に係る片面研磨装置の実施の形態について図面に基づき説明する。図1は本発明に係る片面研磨装置の概略構成を示す断面図、図2は平面図である。
図示する片面研磨装置100は、半導体・液晶分野において用いられる例えばフォトマスク用石英ガラス基板(以下、基板Gという)の表面を研磨する片面研磨装置である。
尚、フォトマスク用石英ガラス基板としては、フォトマスク製造において用いられるサブストレート、ブランクス、フォトマスクといった角形石英ガラス基板が挙げられる。
図示する片面研磨装置100は、半導体・液晶分野において用いられる例えばフォトマスク用石英ガラス基板(以下、基板Gという)の表面を研磨する片面研磨装置である。
尚、フォトマスク用石英ガラス基板としては、フォトマスク製造において用いられるサブストレート、ブランクス、フォトマスクといった角形石英ガラス基板が挙げられる。
片面研磨装置100は、基板Gを下方に保持する保持定盤1を具備し、この保持定盤1は、円盤状の定盤本体3と、定盤本体3の下面側に支持されるプレート4とを備える。
図2に示すように定盤本体3の周囲には、プレート4を支持するプレート保持ガイド5(支持手段)が複数(図では6箇所)設けられている。図1に示すようにプレート保持ガイド5の内側側面には凹部5aが形成されており、そこにプレート4の周縁に形成された凸部4aが係合することでプレート4が支持されている。
尚、保持定盤1は、回転軸2の駆動により鉛直軸回りに回転可能であって、さらには図示しない駆動源により上下動自在になされている。
図2に示すように定盤本体3の周囲には、プレート4を支持するプレート保持ガイド5(支持手段)が複数(図では6箇所)設けられている。図1に示すようにプレート保持ガイド5の内側側面には凹部5aが形成されており、そこにプレート4の周縁に形成された凸部4aが係合することでプレート4が支持されている。
尚、保持定盤1は、回転軸2の駆動により鉛直軸回りに回転可能であって、さらには図示しない駆動源により上下動自在になされている。
ここでプレート4は、加工性が良好で、周縁を支持した状態で平坦性があり、且つ弾性を有する材料で形成されている。具体的には、曲げ弾性率(ASTM(American Society for Testing and Materials):D790)で1800MPa〜2500MPa程度、硬度はロックウェル硬度でR80〜R130程度の樹脂性プレートが好ましい。具体的には、ポリカーボネートを用いることができる。
また、プレート4の厚さ寸法は、3〜8mmの範囲で形成されている。これは、プレート4が薄すぎると弾性が過剰となり平坦性が維持できないためであり、一方、厚すぎると弾性が小さく、容易に反らせることができなくなるためである。
また、プレート4の厚さ寸法は、3〜8mmの範囲で形成されている。これは、プレート4が薄すぎると弾性が過剰となり平坦性が維持できないためであり、一方、厚すぎると弾性が小さく、容易に反らせることができなくなるためである。
また、プレート4の下面には、両面粘着シート(図示せず)を介してウレタン樹脂からなる吸着シート6が貼られている。基板Gは、水分を含んだ吸着シート6によって吸着保持される。即ち、水の表面張力及び吸着シート6の粘着性により基板Gが吸着シート6に密着し、保持されるようになされている。
尚、この吸着シート6は、乾燥状態でのショアA硬度は10以上、70以下とされ、特に30以上、50以下が望ましい。これは、硬度が10より小さいと、吸着シート6が軟らか過ぎ、研磨中に基板Gが吸着シート6に沈みすぎて単位時間あたりの研磨量が小さくなり、研磨時間が長くなるためである。一方、硬度が70より大きいと、吸着シート6が硬すぎ、吸着シート6の基板Gに対する吸着力が小さくなり、基板Gの吸着保持が困難となるためである。
また、繰り返し使用するという理由から、吸着シート6の圧縮弾性率(JIS:L1021)は、70%以上であるのが望ましい。また、基板Gを確実に吸着し、基板Gの研磨面に対し横方向のずれを抑制するため、その厚さ寸法は0.5mm〜2mm程度が必要であり、特に0.9mm〜1.2mm程度が望ましい。
また、繰り返し使用するという理由から、吸着シート6の圧縮弾性率(JIS:L1021)は、70%以上であるのが望ましい。また、基板Gを確実に吸着し、基板Gの研磨面に対し横方向のずれを抑制するため、その厚さ寸法は0.5mm〜2mm程度が必要であり、特に0.9mm〜1.2mm程度が望ましい。
また、図1に示すように、保持定盤3に対向する下方には、研磨布8が上面に貼られた研磨定盤9が設けられ、研磨定盤9は回転軸10の駆動により鉛直軸回りに回転自在となされている。
研磨布8上には、矩形状の基板Gが載置され、基板Gの周りには、吸着シート6と基板Gとの密着性が阻害された際の、基板Gの横方向の移動を防止するための枠状の基板ホルダ7が設けられる。
尚、前記プレート保持ガイド5の下部先端は下方に延設されており、図示するように研磨定盤9上に保持定盤3が配置された状態で、プレート保持ガイド5の内側に基板ホルダ7が位置するように構成されている。
研磨布8上には、矩形状の基板Gが載置され、基板Gの周りには、吸着シート6と基板Gとの密着性が阻害された際の、基板Gの横方向の移動を防止するための枠状の基板ホルダ7が設けられる。
尚、前記プレート保持ガイド5の下部先端は下方に延設されており、図示するように研磨定盤9上に保持定盤3が配置された状態で、プレート保持ガイド5の内側に基板ホルダ7が位置するように構成されている。
図1に示す状態において、研磨処理の際には、保持定盤3は研磨定盤9に対し所定の圧力値で加圧すると共に、鉛直軸回りに回転する。これにより、基板Gは研磨定盤9の研磨布8上に押し付けられながら、研磨布8上を回転(摺動)する。
一方、研磨定盤9は保持定盤3とは反対方向の鉛直軸回りに回転することで、より効果的に研磨処理が行なわれる。
尚、研磨処理の際には、図示しない研磨液供給手段により、研磨布8上に酸化セリウムの微粉を水に懸濁させたスラリー状の研磨液が供給される。
一方、研磨定盤9は保持定盤3とは反対方向の鉛直軸回りに回転することで、より効果的に研磨処理が行なわれる。
尚、研磨処理の際には、図示しない研磨液供給手段により、研磨布8上に酸化セリウムの微粉を水に懸濁させたスラリー状の研磨液が供給される。
続いて、片面研磨装置1に未研磨の基板Gを設置するまでの工程を説明する。
先ず、図3(a)に示すように、プレート4の下面に吸着シート6を両面粘着シート(図示せず)により貼り付け、図3(b)の状態とする。
次いで、図4(a)に示すように周縁に複数(図では6個)のプレート保持ガイド5が設けられた保持定盤3に、図4(b)に示すように吸着シート6が貼り付けられたプレート4を取り付ける。これにより、図4(c)に示す状態となる。
尚、保持定盤3へのプレート4の着脱は、該プレート周縁部がプレート保持ガイド5に係合され支持されているため容易であり、予め吸着シート6を貼り付けたプレート4を複数用意しておけば、吸着シート6に不良が生じた際等に、プレート4自体を容易に交換することができる。
先ず、図3(a)に示すように、プレート4の下面に吸着シート6を両面粘着シート(図示せず)により貼り付け、図3(b)の状態とする。
次いで、図4(a)に示すように周縁に複数(図では6個)のプレート保持ガイド5が設けられた保持定盤3に、図4(b)に示すように吸着シート6が貼り付けられたプレート4を取り付ける。これにより、図4(c)に示す状態となる。
尚、保持定盤3へのプレート4の着脱は、該プレート周縁部がプレート保持ガイド5に係合され支持されているため容易であり、予め吸着シート6を貼り付けたプレート4を複数用意しておけば、吸着シート6に不良が生じた際等に、プレート4自体を容易に交換することができる。
一方、図5に示すように、研磨布8を上面に貼り付けた研磨定盤9上に、基板ホルダ7を設け、その中に基板Gを載置する。
そして、吸着シート6の調湿処理を行い、図6(a)に示すように、研磨定盤9の上方から保持定盤3を被せることにより吸着シート6に基板Gが吸着されて図6(b)の状態となり、この状態から研磨処理が実施される。
そして、吸着シート6の調湿処理を行い、図6(a)に示すように、研磨定盤9の上方から保持定盤3を被せることにより吸着シート6に基板Gが吸着されて図6(b)の状態となり、この状態から研磨処理が実施される。
続いて、基板Gの研磨処理終了後、基板Gを取り出す工程について説明する。
先ず、基板Gの上面には吸着シート6が吸着しているため、図7に示すようにプレート保持ガイド5とプレート4との係合を解き、保持定盤3のみを上方に移動し、図8の状態とする。
先ず、基板Gの上面には吸着シート6が吸着しているため、図7に示すようにプレート保持ガイド5とプレート4との係合を解き、保持定盤3のみを上方に移動し、図8の状態とする。
ここで、弾性を有するプレート4に対し、その周縁部分を持ち上げる方向に力を加えると、図9に示すようにプレート4が吸着シート6と共に大きく反って撓みが生じ、吸着シート6が基板Gの表面から次第に剥がされる。
続けてプレート4の周縁部を持ち上げる方向に力を加えると、基板Gと吸着シート6との吸着面はさらに小さくなり、図10に示すように基板Gはプレート4から容易に分離される。したがって、その後は基板ホルダ7を取り外すことで、基板Gを容易に取り出すことができる。
続けてプレート4の周縁部を持ち上げる方向に力を加えると、基板Gと吸着シート6との吸着面はさらに小さくなり、図10に示すように基板Gはプレート4から容易に分離される。したがって、その後は基板ホルダ7を取り外すことで、基板Gを容易に取り出すことができる。
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、吸着シート6により基板Gを吸着保持するため、クロス材を用いた場合のように異物が侵入して基板上に傷やピット等の欠陥が生じる虞がない。また、基板ホルダ7を用いたとしても、吸着シート6により基板Gを保持するため、基板Gに対し均等に加圧することができ、平滑性に優れた基板を得ることができ、基板エッジ部における研磨異常や欠損を防ぐことができる。
さらに、弾性を有するプレート4に吸着シート6を貼り付けているため、吸着シート6と基板Gとを分離する際には、プレート4を(外力により)反らせることによって、吸着シート6と基板Gとを容易に分離させることができる。即ち、基板Gの取り外しの際、従来のように基板G自体を反らせる必要がないため、基板Gの破損を防ぐことができる。また、この構成によれば、反り難い基板Gであっても容易に吸着シート6を分離することができる。
尚、前記実施の形態にあっては、ガラス基板を例にとって説明したが、本発明の片面研磨基板は例えばSiC基板等の他の基板研磨装置として用いることができる。
さらに、弾性を有するプレート4に吸着シート6を貼り付けているため、吸着シート6と基板Gとを分離する際には、プレート4を(外力により)反らせることによって、吸着シート6と基板Gとを容易に分離させることができる。即ち、基板Gの取り外しの際、従来のように基板G自体を反らせる必要がないため、基板Gの破損を防ぐことができる。また、この構成によれば、反り難い基板Gであっても容易に吸着シート6を分離することができる。
尚、前記実施の形態にあっては、ガラス基板を例にとって説明したが、本発明の片面研磨基板は例えばSiC基板等の他の基板研磨装置として用いることができる。
続いて、本発明に係る片面研磨装置について、実施例に基づきさらに説明する。
〔実施例1〕
実施例1では、本実施の形態において説明した片面研磨装置100と同様の構成を用い、石英ガラス基板に対する片面研磨処理を30分間行ない、その研磨処理結果並びに基板の取り外し工程について検証した。
その他実験条件は、保持定盤は直径1020mmのもの、研磨盤は直径1200mmのものを用いた。プレートとして、曲げ弾性率が2350MPa、ロックウェル硬度がR118のポリカーボネートを使用し、また、吸着シートには圧縮弾性率が89%、ショアA硬度が54である冨士紡績製、商品名ポリパスBPX202を使用した。また、研磨布にはスウェード系研磨布であるカネボウ製、商品名ベラトリックスN0012、さらに研磨液には三井金属工業製、商品名ミレーク(酸化セリウム系研磨砥粒)を水に懸濁させたスラリー状研磨液を使用した。
〔実施例1〕
実施例1では、本実施の形態において説明した片面研磨装置100と同様の構成を用い、石英ガラス基板に対する片面研磨処理を30分間行ない、その研磨処理結果並びに基板の取り外し工程について検証した。
その他実験条件は、保持定盤は直径1020mmのもの、研磨盤は直径1200mmのものを用いた。プレートとして、曲げ弾性率が2350MPa、ロックウェル硬度がR118のポリカーボネートを使用し、また、吸着シートには圧縮弾性率が89%、ショアA硬度が54である冨士紡績製、商品名ポリパスBPX202を使用した。また、研磨布にはスウェード系研磨布であるカネボウ製、商品名ベラトリックスN0012、さらに研磨液には三井金属工業製、商品名ミレーク(酸化セリウム系研磨砥粒)を水に懸濁させたスラリー状研磨液を使用した。
この実験の結果、本実施の形態の片面研磨装置においては、平滑性に優れ、傷やピットといった欠陥の無い研磨済み基板を得ることができた。また、この基板の取り外し時には、吸着シートを貼り付けているプレートを反らせることで、吸着シートと基板とを容易に切り離すことができ、基板を研磨装置から容易に取り外すことができた。
以上の実施例の実験結果から、本発明の片面研磨装置を用いることにより、平滑性に優れ、且つ欠陥の無い基板を容易に得ることができると確認した。
本発明は、例えば半導体・液晶フォトマスク用石英ガラス基板の製造工程において使用する片面研磨装置に関するものであり、半導体・液晶製造業界等において好適に用いられる。
1 保持定盤
2 回転軸
3 定盤本体
4 プレート
5 プレート保持ガイド(支持手段)
6 吸着シート
7 基板ホルダ
8 研磨布
9 研磨定盤
10 回転軸
100 片面研磨装置
G フォトマスク用石英ガラス基板(基板)
2 回転軸
3 定盤本体
4 プレート
5 プレート保持ガイド(支持手段)
6 吸着シート
7 基板ホルダ
8 研磨布
9 研磨定盤
10 回転軸
100 片面研磨装置
G フォトマスク用石英ガラス基板(基板)
Claims (6)
- 基板を下方に保持する保持定盤と、上面に研磨布を有する研磨定盤とを具備し、前記保持定盤に保持された基板を前記研磨布に圧接しつつ、基板を回転させて該基板の研磨処理を行なう片面研磨装置であって、
前記保持定盤は、定盤本体と、前記定盤本体の下方に平坦状態で支持された弾性を有するプレートと、前記プレートの下面に貼着され、基板を吸着する吸着シートとを備えることを特徴とする片面研磨装置。 - 前記プレートは、前記定盤本体の周囲に設けられた支持部材に該プレートの周縁部が係合することにより前記定盤本体に支持されることを特徴とする請求項1に記載された片面研磨装置。
- 前記プレートの曲げ弾性率は、1800MPa〜2500MPaの範囲で設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された片面研磨装置。
- 前記プレートの硬度は、ロックウェル硬度R80〜R130の範囲で設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された片面研磨装置。
- 前記吸着シートのショアA硬度は10〜70の範囲で設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された片面研磨装置。
- 前記吸着シートの圧縮弾性率は、70%以上に設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載された片面研磨装置。
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JP2006263068A JP2008080443A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 片面研磨装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102049716A (zh) * | 2010-07-13 | 2011-05-11 | 厦门大学 | 一种用于大口径平面光学元件抛光的可调式压力装置 |
JP2014093098A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
DE112018004568T5 (de) | 2017-10-16 | 2020-06-04 | Sumco Corporation | Einrichtung zum befestigen eines wafers an einer einseiten-poliereinrichtung und verfahren zum befestigen eines wafers an einer einseiten-poliereinrichtung |
-
2006
- 2006-09-27 JP JP2006263068A patent/JP2008080443A/ja active Pending
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