JP2008076431A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
【選択図】図７
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
【選択図】図７
Description
本発明は、表示装置およびその製造方法に係り、特に、絶縁膜に形成されるコンタクトホールの微細化を図る際に有効な技術に関する。
現在、液晶表示装置においても微細化が進み、液晶表示装置の高性能・高機能化が着々と進歩しつつある。そして、微細化は、主として露光装置の性能で決定するといっても過言ではない。
近年、ガラス基板サイズの大型化により、液晶表示装置製造用の露光装置も益々大型化しており、それに伴い露光エリアサイズ、即ち、それを決定するレンズサイズも大型化することとなり、半導体で歩んできた微細化とは異なって、単純に微細化を適用することはなかなか困難である。
それは、レンズの開口数（ＮＡ）を大きくすることにより微細化が可能となるが、先に述べたように、レンズサイズが大きくなると簡単に開口数（ＮＡ）を大きくすることに技術的な困難が生じることに因る。
一方、従来コンタクトホールを形成するには、解像が可能なコンタクトホールの大きさでマスクを作製し、適正露光量で露光してレジストにコンタクトホールパターンを転写していたが、露光装置の解像度を変えずに、液晶表示パネルの精細度を上げた場合、まずレイアウト上ネックとなるのはコンタクトホールの大きさである。
コンタクトホール下には、それに重なるパッドが存在する。液晶表示パネルの精細度が上がり画素ピッチが小さくなってくると、パッドが大きいが故に、ある画素ピッチ以下にはデバイスをレイアウトすることが不可能となる。
近年、ガラス基板サイズの大型化により、液晶表示装置製造用の露光装置も益々大型化しており、それに伴い露光エリアサイズ、即ち、それを決定するレンズサイズも大型化することとなり、半導体で歩んできた微細化とは異なって、単純に微細化を適用することはなかなか困難である。
それは、レンズの開口数（ＮＡ）を大きくすることにより微細化が可能となるが、先に述べたように、レンズサイズが大きくなると簡単に開口数（ＮＡ）を大きくすることに技術的な困難が生じることに因る。
一方、従来コンタクトホールを形成するには、解像が可能なコンタクトホールの大きさでマスクを作製し、適正露光量で露光してレジストにコンタクトホールパターンを転写していたが、露光装置の解像度を変えずに、液晶表示パネルの精細度を上げた場合、まずレイアウト上ネックとなるのはコンタクトホールの大きさである。
コンタクトホール下には、それに重なるパッドが存在する。液晶表示パネルの精細度が上がり画素ピッチが小さくなってくると、パッドが大きいが故に、ある画素ピッチ以下にはデバイスをレイアウトすることが不可能となる。
露光装置のＬ＆Ｓ（ライン＆スペース）最小解像度が決められているとき、一般的に、コンタクトホールの最小解像度は√２倍になる。例えば、露光装置のＬ＆Ｓ最小解像度が３μｍのとき、コンタクトホールの最小解像度は４．５μｍ程度になる。
よって、コンタクトホールパターンは、露光装置の一般的な解像度より大きくなってしまうという問題がある。そのため、回路などをレイアウトするピッチを小さくしたくても、あるピッチ以下にはデバイスを配置することが不可能となってしまう。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況においてコンタクトホールの微細化を簡単に実現することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
よって、コンタクトホールパターンは、露光装置の一般的な解像度より大きくなってしまうという問題がある。そのため、回路などをレイアウトするピッチを小さくしたくても、あるピッチ以下にはデバイスを配置することが不可能となってしまう。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況においてコンタクトホールの微細化を簡単に実現することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）基板の上に感光性の絶縁膜を塗布する塗布工程と、第１の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第１の露光工程と、前記第１の露光工程よりも後に、第２の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第２の露光工程と、前記第２の露光工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を現像する現像工程とを有する表示装置の製造方法であって、前記感光性の絶縁膜は、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程との両方で露光された第１の領域と、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程とのうち一方の工程でのみ露光された第２の領域と、露光されていない第３の領域とを有し、前記感光性の絶縁膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域とにおけるそれぞれの膜厚が、前記現像工程によって、互いに異なる膜厚となるようにパターニングされる。
（１）基板の上に感光性の絶縁膜を塗布する塗布工程と、第１の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第１の露光工程と、前記第１の露光工程よりも後に、第２の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第２の露光工程と、前記第２の露光工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を現像する現像工程とを有する表示装置の製造方法であって、前記感光性の絶縁膜は、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程との両方で露光された第１の領域と、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程とのうち一方の工程でのみ露光された第２の領域と、露光されていない第３の領域とを有し、前記感光性の絶縁膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域とにおけるそれぞれの膜厚が、前記現像工程によって、互いに異なる膜厚となるようにパターニングされる。
（２）（１）において、前記感光性の絶縁膜は、前記第１の領域または前記第３の領域が、前記現像工程によって、膜厚がゼロとなるようにパターニングされる。
（３）（１）または（２）において、前記現像工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜をマスクにして前記感光性の絶縁膜よりも下層の膜をエッチングするエッチング工程を有する。
（４）（３）において、前記エッチング工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を除去する除去工程を有する。
（５）（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクと同じものを、位置をずらして用いた露光マスクである。
（６）（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクとは異なる露光マスクである。
（３）（１）または（２）において、前記現像工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜をマスクにして前記感光性の絶縁膜よりも下層の膜をエッチングするエッチング工程を有する。
（４）（３）において、前記エッチング工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を除去する除去工程を有する。
（５）（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクと同じものを、位置をずらして用いた露光マスクである。
（６）（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクとは異なる露光マスクである。
（７）基板と、前記基板の上に形成された感光性の絶縁膜とを有する表示装置であって、前記感光性の絶縁膜は、第１の膜厚を有する第１の領域と、０より大きく前記第１の膜厚よりも小さい第２の膜厚を有する第２の領域と、前記第２の領域の内部に形成された貫通孔とを有し、前記貫通孔は、平面で見たときに長手方向を有する形状である。
（８）（７）において、前記貫通孔は、コンタクトホールである。
（９）（７）または（８）において、前記感光性の絶縁膜よりも下層に、前記貫通孔と同一形状または相似形状の開口を有する膜を有する。
（１０）（７）乃至（９）の何れかにおいて、前記貫通孔は、平面で見たときに楕円または長円の形状である。
（１１）（７）乃至（９）の何れかにおいて、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。
（１２）（１１）において、前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
（１３）（７）乃至（１２）の何れかにおいて、前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する。
（８）（７）において、前記貫通孔は、コンタクトホールである。
（９）（７）または（８）において、前記感光性の絶縁膜よりも下層に、前記貫通孔と同一形状または相似形状の開口を有する膜を有する。
（１０）（７）乃至（９）の何れかにおいて、前記貫通孔は、平面で見たときに楕円または長円の形状である。
（１１）（７）乃至（９）の何れかにおいて、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。
（１２）（１１）において、前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
（１３）（７）乃至（１２）の何れかにおいて、前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する。
（１４）基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。
（１５）（１４）において、前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
（１６）（１４）または（１５）において、前記貫通孔は、コンタクトホールである。
（１７）（１４）乃至（１６）の何れかにおいて、前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する。
（１５）（１４）において、前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。
（１６）（１４）または（１５）において、前記貫通孔は、コンタクトホールである。
（１７）（１４）乃至（１６）の何れかにおいて、前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の表示装置によれば、露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現することが可能となる。
本発明の表示装置によれば、露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１、図２は、本発明の実施例のコンタクトホールの一例の形成方法を説明するための図である。なお、図１、図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は図１（ａ）および図２（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、（ｃ）は図１（ａ）および図２（ａ）のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
初めに、図１に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた長方形のパタン（図１では、２μｍ×３μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図２に示すように、同じ露光マスクを用いて、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図２では、Ｘ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状（ここでは、２μｍ×４μｍの長方形形状）となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１、図２は、本発明の実施例のコンタクトホールの一例の形成方法を説明するための図である。なお、図１、図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は図１（ａ）および図２（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、（ｃ）は図１（ａ）および図２（ａ）のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
初めに、図１に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた長方形のパタン（図１では、２μｍ×３μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図２に示すように、同じ露光マスクを用いて、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図２では、Ｘ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状（ここでは、２μｍ×４μｍの長方形形状）となる。
なお、レジスト膜（ＲＥＧ）に図１（ａ）の１回目の露光と図２（ａ）の２回目の露光とを行った後に、現像を行うことにより、レジスト膜（ＲＥＧ）に図２（ｂ）、（ｃ）に示したような凹部（ＯＵＢ）や孔（貫通孔）（ＴＨＯ）が形成される。図１（ｂ）、（ｃ）は、仮に１回目の露光の後、２回目の露光を行う前に現像を行ったとすると凹部（ＯＵＢ）が形成されることを示す図である。実際は、１回目の露光と２回目の露光との間には現像は行わない。
尚、図１（ｂ）、（ｃ）、図２（ｂ）、（ｃ）では、断面形状において、凹部（ＯＵＢ）や孔（ＴＨＯ）の角部が直角になった例が示されているが、実際は図示しないが丸みを帯びたものとなる。凹部（ＯＵＢ）や孔（ＴＨＯ）の平面形状（図示せず）についても、露光エリアが図１（ａ）、図２（ａ）のような矩形であっても、現像工程を経た後の形状は角部が丸みを帯びた形状となる。
現像工程の後、このレジスト膜（ＲＥＧ）をマスクにしてエッチングを行うことにより、後述するように、その下にある膜（この場合、絶縁膜（ＰＡＳ））に、孔（ＴＨＯ）の平面形状と同一形状または相似形状の貫通孔を形成することができる。この貫通孔は、コンタクトホールとして利用できる。その後、レジスト膜（ＲＥＧ）を除去する。
但し、レジスト膜（ＲＥＧ）を除去せず、残したままとしても良い。その場合、孔（ＴＨＯ）もコンタクトホールとして利用できる。レジスト膜（ＲＥＧ）を残す場合、その下の膜は絶縁膜（ＰＡＳ）に限られず、導電膜でも良い。
レジスト膜（ＲＥＧ）としては、感光性の絶縁膜を用いることが望ましい。有機でも無機でもよい。ネガ型、ポジ型の何れでも利用可能である（但し、露光エリアを逆にする必要がある）。
尚、図１（ｂ）、（ｃ）、図２（ｂ）、（ｃ）では、断面形状において、凹部（ＯＵＢ）や孔（ＴＨＯ）の角部が直角になった例が示されているが、実際は図示しないが丸みを帯びたものとなる。凹部（ＯＵＢ）や孔（ＴＨＯ）の平面形状（図示せず）についても、露光エリアが図１（ａ）、図２（ａ）のような矩形であっても、現像工程を経た後の形状は角部が丸みを帯びた形状となる。
現像工程の後、このレジスト膜（ＲＥＧ）をマスクにしてエッチングを行うことにより、後述するように、その下にある膜（この場合、絶縁膜（ＰＡＳ））に、孔（ＴＨＯ）の平面形状と同一形状または相似形状の貫通孔を形成することができる。この貫通孔は、コンタクトホールとして利用できる。その後、レジスト膜（ＲＥＧ）を除去する。
但し、レジスト膜（ＲＥＧ）を除去せず、残したままとしても良い。その場合、孔（ＴＨＯ）もコンタクトホールとして利用できる。レジスト膜（ＲＥＧ）を残す場合、その下の膜は絶縁膜（ＰＡＳ）に限られず、導電膜でも良い。
レジスト膜（ＲＥＧ）としては、感光性の絶縁膜を用いることが望ましい。有機でも無機でもよい。ネガ型、ポジ型の何れでも利用可能である（但し、露光エリアを逆にする必要がある）。
図３（ａ）は、図１、図２の方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の一例を説明するための図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状を拡大して示す図である。なお、図３は、図１、図２から、Ｘ，Ｙ方向に９０°回転して図示している。
図３に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は対称性のある楕円形状であり、図３（ｂ）の点（ａ１）における円弧の曲率と、図３（ｂ）の点（ａ２）に示す円弧の曲率とが異なっている。即ち、図３に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通り第１の辺（ＨＥ１）と平行な第１の直線（図３（ｂ）のＡ−Ａ’線）が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する少なくとも１つの第１の交点（ａ１）の円弧の曲率と、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心を通り第２の辺（ＨＥ２）と平行な第２の直線（図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線）が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の外周と交差する少なくとも１つの第２の交点（ｂ１）の円弧の曲率とが異なる形状である。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一または相似形である。
図３に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は対称性のある楕円形状であり、図３（ｂ）の点（ａ１）における円弧の曲率と、図３（ｂ）の点（ａ２）に示す円弧の曲率とが異なっている。即ち、図３に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通り第１の辺（ＨＥ１）と平行な第１の直線（図３（ｂ）のＡ−Ａ’線）が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する少なくとも１つの第１の交点（ａ１）の円弧の曲率と、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心を通り第２の辺（ＨＥ２）と平行な第２の直線（図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線）が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の外周と交差する少なくとも１つの第２の交点（ｂ１）の円弧の曲率とが異なる形状である。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一または相似形である。
図４（ａ）は、図１、図２の方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の他の例を説明するための図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）のコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状を拡大して示す図である。なお、図４は、図１、図２から、Ｘ，Ｙ方向に９０°回転して図示している。
図４に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状も対称性のある形状で、コンタクトホール（ＣＴＯ）の角部の法線がコンタクトホール（ＣＴＯ）の中心を通らない平筒形状あるいは長円形状である。即ち、図４に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の対角線が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する４個の交点（ｂ１〜ｂ４）における、接線（図４（ｂ）のＨＳ）に対する法線（図４（ｂ）のＨＤ）が、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通過しない形状である。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の断面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一または相似形である。
図４に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状も対称性のある形状で、コンタクトホール（ＣＴＯ）の角部の法線がコンタクトホール（ＣＴＯ）の中心を通らない平筒形状あるいは長円形状である。即ち、図４に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の対角線が、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する４個の交点（ｂ１〜ｂ４）における、接線（図４（ｂ）のＨＳ）に対する法線（図４（ｂ）のＨＤ）が、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通過しない形状である。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の断面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一または相似形である。
以上説明したように、本実施例によれば、レイアウトピッチが小さくなり、パタンをそれ以上詰めることが難しい場合において、コンタクトホール（ＣＴＯ）径を小さくすることによりパタンをレイアウトすることが可能となる。
なお、矩形Ａ（ＫＵＥ）の第１の辺（ＨＥ１）と第２の辺（ＨＥ２）は同じ長さ（ＨＥ１＝ＨＥ２）であってもよい。この場合、真円に近い形状となるが、完全な真円ではなく、部分的に曲率が変化した形状となる。
即ち、本実施例によれば、露光装置の最小解像度から決定される理想的なコンタクトホール（ＣＴＯ）が得られる最小径に囚われず、より解像度の高い（より径の小さい）コンタクトホール（ＣＴＯ）を作製することが可能となる。
何故ならば、レジスト膜（ＲＥＧ）から見れば、パターニングを実施するためにはある露光量以上の露光をする必要があり、ハーフ露光を２回に分け、かつ、オフセットを実施することによって、適正露光がされるエリアを小さくしてパターニングされる領域をマスクパタンより小さくすることが可能となるからである。
そのため、本実施例では、液晶表示パネルの大きさに制限がある場合において、従来の最小レイアウトピッチをより小さくすることが可能となり、液晶表示パネルの精細度を向上できる効果が得られる。さらに、液晶表示パネルの１画素に占めるデバイス面積をより小さくすることが可能となり、開ロ率が向上することで透過率を上げることが可能となる。
なお、矩形Ａ（ＫＵＥ）の第１の辺（ＨＥ１）と第２の辺（ＨＥ２）は同じ長さ（ＨＥ１＝ＨＥ２）であってもよい。この場合、真円に近い形状となるが、完全な真円ではなく、部分的に曲率が変化した形状となる。
即ち、本実施例によれば、露光装置の最小解像度から決定される理想的なコンタクトホール（ＣＴＯ）が得られる最小径に囚われず、より解像度の高い（より径の小さい）コンタクトホール（ＣＴＯ）を作製することが可能となる。
何故ならば、レジスト膜（ＲＥＧ）から見れば、パターニングを実施するためにはある露光量以上の露光をする必要があり、ハーフ露光を２回に分け、かつ、オフセットを実施することによって、適正露光がされるエリアを小さくしてパターニングされる領域をマスクパタンより小さくすることが可能となるからである。
そのため、本実施例では、液晶表示パネルの大きさに制限がある場合において、従来の最小レイアウトピッチをより小さくすることが可能となり、液晶表示パネルの精細度を向上できる効果が得られる。さらに、液晶表示パネルの１画素に占めるデバイス面積をより小さくすることが可能となり、開ロ率が向上することで透過率を上げることが可能となる。
図５、図６は、本発明の実施例のコンタクトホールの他の例の形成方法を説明するための図である。なお、図５、図６において、（ａ）は平面図、（ｂ）は図５（ａ）および図６（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、（ｃ）は図５（ａ）および図６（ａ）のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
図５、図６は、露光マスク形状と移動方向、移動量が、図１、図２の方法と異なるのみであり、その他、現像、エッチングなどは、図１、図２に示す方法と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
初めに、図５に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた長方形のパタン（図５では、３μｍ×４μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図６に示すように、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図６では、Ｘ方向に２μｍ、Ｙ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、３μｍ×４μｍの長方形）と、第１の矩形形状をＸ方向およびＹ方向に移動した、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、３μｍ×４μｍの長方形）とが合体した形状となる。
図５、図６は、露光マスク形状と移動方向、移動量が、図１、図２の方法と異なるのみであり、その他、現像、エッチングなどは、図１、図２に示す方法と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
初めに、図５に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた長方形のパタン（図５では、３μｍ×４μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図６に示すように、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図６では、Ｘ方向に２μｍ、Ｙ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、３μｍ×４μｍの長方形）と、第１の矩形形状をＸ方向およびＹ方向に移動した、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、３μｍ×４μｍの長方形）とが合体した形状となる。
図７（ａ）は、図５、図６の方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状を説明するための図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状を拡大して示す図である。なお、図７では、Ｘ、Ｙの方向は回転させていない。
図７に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は対称性のない形状で、コンタクトホール（ＣＴＯ）の角部の曲率がそれぞれ異なる花弁形形状である。即ち、図７に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の対角線がコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する交点（ｃ１〜ｃ４）の中で、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通り第１の辺と平行な第１の直線（図７（ｂ）のＡ−Ａ’線）を挟んで対向する２つの交点（ｃ１とｃ２、あるいは、ｃ３とｃ４）の円弧の曲率がそれぞれ異なる形状である。なお、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一又は相似形である。
ここで、対角に位置する（ｃ２）の交点と（ｃ４）の交点の曲率は、（ｃ１）の交点と、（ｃ３）の交点の曲率よりも大きい（換言すれば、曲率半径が小さい）。（ｃ１）の交点と、（ｃ３）の交点の曲率はほぼ等しく、（ｃ２）の交点と（ｃ４）の交点の曲率もほぼ等しい。さらに、矩形Ａ（ＫＵＥ）の第１の辺（ＨＥ１）の長さと、第２の辺（ＨＥ２）の長さもほぼ等しい。
図７に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は対称性のない形状で、コンタクトホール（ＣＴＯ）の角部の曲率がそれぞれ異なる花弁形形状である。即ち、図７に示すコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、一対の第１の辺と、第１の辺に直交する一対の第２の辺とから成り、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状に外接する矩形形状の中で、第１の辺の長さが最も短い矩形形状を矩形Ａ（ＫＵＥ）としたとき、矩形Ａ（ＫＵＥ）の対角線がコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状の外周と交差する交点（ｃ１〜ｃ４）の中で、矩形Ａ（ＫＵＥ）の中心（Ｏ）を通り第１の辺と平行な第１の直線（図７（ｂ）のＡ−Ａ’線）を挟んで対向する２つの交点（ｃ１とｃ２、あるいは、ｃ３とｃ４）の円弧の曲率がそれぞれ異なる形状である。なお、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一又は相似形である。
ここで、対角に位置する（ｃ２）の交点と（ｃ４）の交点の曲率は、（ｃ１）の交点と、（ｃ３）の交点の曲率よりも大きい（換言すれば、曲率半径が小さい）。（ｃ１）の交点と、（ｃ３）の交点の曲率はほぼ等しく、（ｃ２）の交点と（ｃ４）の交点の曲率もほぼ等しい。さらに、矩形Ａ（ＫＵＥ）の第１の辺（ＨＥ１）の長さと、第２の辺（ＨＥ２）の長さもほぼ等しい。
図８は、本発明の実施例のコンタクトホールの他の例の形成方法を説明するための図である。図８は、露光マスクを正方形にした点で、図５、図６に示す方法と異なるが、それ以外の現像、エッチングなどは、図５、図６に示す方法と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
図８では、初めに、図８（ａ）に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた正方形のパタン（図８では、３μｍ×３μｍの正方形）をハーフ露光する。次に、図８（ｂ）に示すように、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図８では、Ｘ方向に１μｍ、Ｙ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、３μｍ×３μｍの正方形）と、第１の矩形形状をＸ方向およびＹ方向に移動した、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、３μｍ×３μｍの正方形）とが合体した形状となる（なお、丸みは図示していない）。
なお、図８に示す方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、図７に示す形状と同じである。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一又は相似形である。
図８では、初めに、図８（ａ）に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、ある定められた正方形のパタン（図８では、３μｍ×３μｍの正方形）をハーフ露光する。次に、図８（ｂ）に示すように、最初にハーフ露光した位置より、ある定められた位置だけオフセットした位置（図８では、Ｘ方向に１μｍ、Ｙ方向に１μｍ移動した位置）で再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、３μｍ×３μｍの正方形）と、第１の矩形形状をＸ方向およびＹ方向に移動した、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、３μｍ×３μｍの正方形）とが合体した形状となる（なお、丸みは図示していない）。
なお、図８に示す方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、図７に示す形状と同じである。また、レジスト膜（ＲＥＧ）に形成される孔（ＴＨＯ）の平面形状は、コンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状と同一又は相似形である。
図９は、本発明の実施例のコンタクトホールの他の例の形成方法を説明するための図である。図９は、２枚の露光マスクを使用する点で、図５、図６に示す方法と異なるが、それ以外の現像、エッチングなどは、図５、図６に示す方法と同じであるので、その詳細な説明は省略する。
図９では、マスクを２枚用い、初めに、図９（ａ）に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、１枚目のマスクを用い、ある定められた長方形のパタン（図９では、２μｍ×４μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図９（ｂ）に示すように、２枚目のマスクを用い、最初にハーフ露光した領域と直交する長方形のパタン（図９では、４μｍ×２μｍの長方形）領域に再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、２μｍ×４μｍの長方形）と、第１の矩形形状と直交する、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、４μｍ×２μｍの長方形）とが合体した形状となる（なお、丸みは図示していない）。また、図９に示す方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、図３、図４に示す対称性のある形状と同じになる。
図９では、マスクを２枚用い、初めに、図９（ａ）に示すように、絶縁膜（ＰＡＳ）上にレジスト膜（ＲＥＧ）を形成した後、１枚目のマスクを用い、ある定められた長方形のパタン（図９では、２μｍ×４μｍの長方形）をハーフ露光する。次に、図９（ｂ）に示すように、２枚目のマスクを用い、最初にハーフ露光した領域と直交する長方形のパタン（図９では、４μｍ×２μｍの長方形）領域に再度ハーフ露光を実施する。
このとき、最初にハーフ露光したエリア（ＨＲ１）と、２回目にハーフ露光したエリア（ＨＲ２）の重なった部分（ＨＲ３）が適正露光量になるようにし、レジスト膜（ＲＥＧ）に、所望の直径の孔（ＴＨＯ）が形成されるようにする。
これにより、レジスト膜（ＲＥＧ）には、凹部（ＯＵＢ）と、凹部（ＯＵＢ）内に形成され、その下の膜を露出する孔（ＴＨＯ）が形成される。この場合、凹部（ＯＵＢ）の開口形状は、４つの角部が丸みを帯びた第１の矩形形状（ここでは、２μｍ×４μｍの長方形）と、第１の矩形形状と直交する、４つの角部が丸みを帯びた第２の矩形形状（ここでは、４μｍ×２μｍの長方形）とが合体した形状となる（なお、丸みは図示していない）。また、図９に示す方法により絶縁膜（ＰＡＳ）に形成されたコンタクトホール（ＣＴＯ）の平面形状は、図３、図４に示す対称性のある形状と同じになる。
次に、本実施例の液晶表示パネルの一例の構成について説明する。
図１０は、本発明の実施例の液晶表示パネルの１サブピクセルの構成を示す平面図である。図１１は、図１０に示すＡ−Ａ'切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例の液晶表示パネルは、面状の対向電極を使用するＩＰＳ方式の液晶表示パネルであり、図１１に示すように、液晶層（ＬＣ）を介して互いに対向配置されるガラス基板（ＳＵＢ２）と、ガラス基板（ＳＵＢ１）とを有する。本実施例では、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層（ＬＣ）側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）およびカラーフィルタ層（ＣＦ）、オーバーコート層（ＯＣ）、配向膜（ＡＬ２）が形成される。さらに、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には偏光板（ＰＯＬ２）が配置される。
図１０は、本発明の実施例の液晶表示パネルの１サブピクセルの構成を示す平面図である。図１１は、図１０に示すＡ−Ａ'切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例の液晶表示パネルは、面状の対向電極を使用するＩＰＳ方式の液晶表示パネルであり、図１１に示すように、液晶層（ＬＣ）を介して互いに対向配置されるガラス基板（ＳＵＢ２）と、ガラス基板（ＳＵＢ１）とを有する。本実施例では、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層（ＬＣ）側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）およびカラーフィルタ層（ＣＦ）、オーバーコート層（ＯＣ）、配向膜（ＡＬ２）が形成される。さらに、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には偏光板（ＰＯＬ２）が配置される。
ガラス基板（ＳＵＢ１）の液晶層（ＬＣ）側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、絶縁膜１２、層間絶縁膜１３Ａ、対向電極（ＣＴ）、塗布型絶縁膜２０、画素電極（ＰＸ）、配向膜（ＡＬ１）が形成される。さらに、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側には偏光板（ＰＯＬ１）が配置される。また、絶縁膜１２は、下地膜１２Ａ、ゲート絶縁膜１２Ｂ、層間絶縁膜１２Ｃ、層間絶縁膜１２Ｄで構成される。
図１０に戻って、Ｄは映像線（ドレイン線、ソース線ともいう）、Ｇは走査線（ゲート線ともいう）、ＳＨ１〜ＳＨ４はコンタクトホール（スルーホールともいう）、ＲＡＬは反射電極、２はゲート電極、３は半導体層、４はソース電極（映像線Ｄをソース線と呼ぶ場合はドレイン電極ともいう）である。なお、画素電極（ＰＸ）、対向電極（ＣＴ）は、透明導電膜（例えば、ＩＴＯ；Indium-Tin-Oxide）で構成される。
なお、本実施例の液晶表示パネルは、半透過型の液晶表示パネルであり、反射電極（ＲＡＬ）が形成される領域が、反射型の液晶表示パネルを構成し、それ以外の部分が透過型の液晶表示パネルを構成する。
図１０に戻って、Ｄは映像線（ドレイン線、ソース線ともいう）、Ｇは走査線（ゲート線ともいう）、ＳＨ１〜ＳＨ４はコンタクトホール（スルーホールともいう）、ＲＡＬは反射電極、２はゲート電極、３は半導体層、４はソース電極（映像線Ｄをソース線と呼ぶ場合はドレイン電極ともいう）である。なお、画素電極（ＰＸ）、対向電極（ＣＴ）は、透明導電膜（例えば、ＩＴＯ；Indium-Tin-Oxide）で構成される。
なお、本実施例の液晶表示パネルは、半透過型の液晶表示パネルであり、反射電極（ＲＡＬ）が形成される領域が、反射型の液晶表示パネルを構成し、それ以外の部分が透過型の液晶表示パネルを構成する。
以下、図１０に示す薄膜トランジスタの部分の構成について説明する。
図１２は、図１０に示すＢ−Ｂ’切断線に沿った、ガラス基板（ＳＵＢ１）側の断面構造を示す断面図である。なお、図１２では、配向膜（ＡＬ１）と、偏向板（ＰＯＬ１）の図示は省略している。
図１２に示すように、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成された、例えば、ＳｉＮとＳｉＯ２の積層膜等からなる下地膜１２Ａ上に、半導体層３が形成される。なお、半導体層３は、アモルファスシリコン膜、或いは、ポリシリコン膜で構成される。
この半導体層３上には、例えば、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１２Ｂが形成され、このゲート絶縁膜１２Ｂ上にゲート電極２が形成される。ゲート電極２上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｃが形成され、この層間絶縁膜１２Ｃ上に、映像線（Ｄ）と、ソース電極４が形成される。そして、半導体層３は、コンタクトホール（ＳＨ１）を介して映像線（Ｄ）に接続され、さらに、コンタクトホール（ＳＨ２）を介してソース電極４に接続される。
また、映像線（Ｄ）、およびソース電極４上には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｄが形成され、この層間絶縁膜１２Ｄ上には、例えば、アクリル樹脂などからなる層間絶縁膜１３Ａが形成される。
ここで、ソース電極４上で、層間絶縁膜１２Ｄ、および層間絶縁膜１３Ａには、コンタクトホール（ＳＨ３）が形成される。
図１２は、図１０に示すＢ−Ｂ’切断線に沿った、ガラス基板（ＳＵＢ１）側の断面構造を示す断面図である。なお、図１２では、配向膜（ＡＬ１）と、偏向板（ＰＯＬ１）の図示は省略している。
図１２に示すように、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成された、例えば、ＳｉＮとＳｉＯ２の積層膜等からなる下地膜１２Ａ上に、半導体層３が形成される。なお、半導体層３は、アモルファスシリコン膜、或いは、ポリシリコン膜で構成される。
この半導体層３上には、例えば、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１２Ｂが形成され、このゲート絶縁膜１２Ｂ上にゲート電極２が形成される。ゲート電極２上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｃが形成され、この層間絶縁膜１２Ｃ上に、映像線（Ｄ）と、ソース電極４が形成される。そして、半導体層３は、コンタクトホール（ＳＨ１）を介して映像線（Ｄ）に接続され、さらに、コンタクトホール（ＳＨ２）を介してソース電極４に接続される。
また、映像線（Ｄ）、およびソース電極４上には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｄが形成され、この層間絶縁膜１２Ｄ上には、例えば、アクリル樹脂などからなる層間絶縁膜１３Ａが形成される。
ここで、ソース電極４上で、層間絶縁膜１２Ｄ、および層間絶縁膜１３Ａには、コンタクトホール（ＳＨ３）が形成される。
本実施例では、このコンタクトホール（ＳＨ３）内にも、塗布型絶縁膜２０が形成される。ここで、コンタクトホール（ＳＨ３）内に形成された塗布型絶縁膜２０には、コンタクトホール（ＳＨ４）が形成され、このコンタクトホール（ＳＨ４）内に形成された透明導電膜（例えば、ＩＴＯ；Indium-Tin-Oxide）により、画素電極（ＰＸ）が、ソース電極４に電気的に接続される。
このようにして、画素電極（ＰＸ）は、サブピクセルに形成されたアクティブ素子（薄膜トランジスタ）と電気的に接続されている。そして、画素電極（ＰＸ）には、走査線（Ｇ）で駆動されるアクティブ素子を介して、映像線（Ｄ）から映像信号が書き込まれる。
本実施例では、コンタクトホール（ＳＨ１〜ＳＨ４）の少なくとも１つが、前述の方法により作製される。
なお、前述の実施例では、本発明を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、ＥＬ表示装置などの表示装置にも適用可能であることはいうまでもない。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
このようにして、画素電極（ＰＸ）は、サブピクセルに形成されたアクティブ素子（薄膜トランジスタ）と電気的に接続されている。そして、画素電極（ＰＸ）には、走査線（Ｇ）で駆動されるアクティブ素子を介して、映像線（Ｄ）から映像信号が書き込まれる。
本実施例では、コンタクトホール（ＳＨ１〜ＳＨ４）の少なくとも１つが、前述の方法により作製される。
なお、前述の実施例では、本発明を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、ＥＬ表示装置などの表示装置にも適用可能であることはいうまでもない。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
２ ゲート電極
３ 半導体層
４ ソース電極
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２ ガラス基板
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２ 偏光板
１２，ＰＡＳ 絶縁膜
１２Ａ 下地膜
１２Ｂ ゲート絶縁膜
１２Ｃ，１２Ｄ 層間絶縁膜
１３Ａ 層間絶縁膜
ＯＣ オーバーコート層
ＡＬ１，ＡＬ２ 配向膜
２０ 塗布型絶縁膜
ＬＣ 液晶層
ＢＭ 遮光膜
ＣＦ カラーフィルタ層
ＰＸ 画素電極
ＣＴ 対向電極
ＲＡＬ 反射電極
Ｄ 映像線（ドレイン線、ソース線）
Ｇ 走査線（ゲート線）
ＣＴＯ，ＳＨ１〜ＳＨ４ コンタクトホール
ＲＥＧ レジスト膜
ＫＵＥ 矩形Ａ
ＨＥ１，ＨＥ２ 矩形Ａの辺
Ｏ 矩形Ａの中心
ＨＳ 接線
ＨＤ 法線
ａ１，ａ２，ｂ１〜ｂ４，ｃ１〜ｃ４ 交点
ＨＲ１ 最初にハーフ露光したエリア
ＨＲ２ ２回目にハーフ露光したエリア
ＨＲ３ エリア（ＨＲ１）とエリア（ＨＲ２）の重なった部分
ＯＵＢ 凹部
ＴＨＯ 孔
３ 半導体層
４ ソース電極
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２ ガラス基板
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２ 偏光板
１２，ＰＡＳ 絶縁膜
１２Ａ 下地膜
１２Ｂ ゲート絶縁膜
１２Ｃ，１２Ｄ 層間絶縁膜
１３Ａ 層間絶縁膜
ＯＣ オーバーコート層
ＡＬ１，ＡＬ２ 配向膜
２０ 塗布型絶縁膜
ＬＣ 液晶層
ＢＭ 遮光膜
ＣＦ カラーフィルタ層
ＰＸ 画素電極
ＣＴ 対向電極
ＲＡＬ 反射電極
Ｄ 映像線（ドレイン線、ソース線）
Ｇ 走査線（ゲート線）
ＣＴＯ，ＳＨ１〜ＳＨ４ コンタクトホール
ＲＥＧ レジスト膜
ＫＵＥ 矩形Ａ
ＨＥ１，ＨＥ２ 矩形Ａの辺
Ｏ 矩形Ａの中心
ＨＳ 接線
ＨＤ 法線
ａ１，ａ２，ｂ１〜ｂ４，ｃ１〜ｃ４ 交点
ＨＲ１ 最初にハーフ露光したエリア
ＨＲ２ ２回目にハーフ露光したエリア
ＨＲ３ エリア（ＨＲ１）とエリア（ＨＲ２）の重なった部分
ＯＵＢ 凹部
ＴＨＯ 孔
Claims (17)
- 基板の上に感光性の絶縁膜を塗布する塗布工程と、
第１の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第１の露光工程と、
前記第１の露光工程よりも後に、第２の露光マスクを用いて前記感光性の絶縁膜を露光する第２の露光工程と、
前記第２の露光工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を現像する現像工程とを有し、
前記感光性の絶縁膜は、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程との両方で露光された第１の領域と、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程とのうち一方の工程でのみ露光された第２の領域と、露光されていない第３の領域とを有し、
前記感光性の絶縁膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域とにおけるそれぞれの膜厚が、前記現像工程によって、互いに異なる膜厚となるようにパターニングされることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記感光性の絶縁膜は、前記第１の領域または前記第３の領域が、前記現像工程によって、膜厚がゼロとなるようにパターニングされることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記現像工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜をマスクにして前記感光性の絶縁膜よりも下層の膜をエッチングするエッチング工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法。
- 前記エッチング工程よりも後に、前記感光性の絶縁膜を除去する除去工程を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクと同じものを、位置をずらして用いた露光マスクであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２の露光マスクは、前記第１の露光マスクとは異なる露光マスクであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板の上に形成された感光性の絶縁膜とを有する表示装置であって、
前記感光性の絶縁膜は、第１の膜厚を有する第１の領域と、０より大きく前記第１の膜厚よりも小さい第２の膜厚を有する第２の領域と、前記第２の領域の内部に形成された貫通孔とを有し、
前記貫通孔は、平面で見たときに長手方向を有する形状であることを特徴とする表示装置。 - 前記貫通孔は、コンタクトホールであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
- 前記感光性の絶縁膜よりも下層に、前記貫通孔と同一形状または相似形状の開口を有する膜を有することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の表示装置。
- 前記貫通孔は、平面で見たときに楕円または長円の形状であることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、
前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きいことを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、
前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。 - 前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有することを特徴とする請求項７ないし請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
- 基板と、
前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、
前記絶縁膜は、貫通孔を有し、
前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、
前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きいことを特徴とする表示装置。 - 前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、
前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。 - 前記貫通孔は、コンタクトホールであることを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の表示装置。
- 前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有することを特徴とする請求項１４ないし請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
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|---|---|---|---|---|
| WO2014002834A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
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-
2006
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014002834A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
| KR20150031439A (ko) * | 2012-06-25 | 2015-03-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판, 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 |
| JP5890901B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2016-03-22 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
| KR101706480B1 (ko) | 2012-06-25 | 2017-02-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판, 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 |
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