JP2008076383A - 欠陥検出のための方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(i)オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索するステップであって、該第1の画像および第2の画像は異なる取得方法を使用して得られたステップ150と、(ii)該第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような該第2の画像の該第3の画素を探すステップ160と、(iii)該第3の画素に対応する該第1の画像の第4の画素を検索するステップ170と、(iv)該テスト済み画素と該第4の画素を比較するステップ180とを含んでいる。
【選択図】図5
Description
Claims (51)
- 欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索するステップであって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られたステップと、
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の画素を探すステップと、
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索するステップと、
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較するステップと、
を備える方法。 - 前記第1の画像の第5の画素に対応する前記第2の画像の第6の画素を検索するステップと、
第7の画素の隣接部分が前記第6の画素の隣接部分に類似するような前記第1の画像の前記第7の画素を探すステップと、
前記第7の画素に対応する前記第2の画像の第8の画素を検索するステップと、
前記第5の画素の隣接部分と前記第8の画素の隣接部分を比較するステップと、
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記異なる取得方法が透過取得方法および反射取得方法を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記発見ステージが、第3の画素の隣接部分が前記第2の画素の前記隣接部分のほとんど最近の隣接部分であるような前記第3の画素を発見するステップを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の画素の前記隣接部分がM個の要素を備えており、前記第3の画素を発見する前記ステージが、前記第2の画素の前記隣接部分のN次元表示を利用するステップを備えており、ここでM>Nである、請求項1に記載の方法。
- 前記発見ステージが、前記第2の画素の前記隣接部分の前記N次元表示を発生させるために、主要コンポーネント分析を適用するステップを備える、請求項5に記載の方法。
- 前記発見ステージがN次元KDツリーを探すステップを備える、請求項5に記載の方法。
- 欠陥検出方法のリソース消費レベルおよび欠陥検出方法の適切さに応じて前記欠陥検出方法を選択するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の画素の前記隣接部分が複数の粗解像度画素および複数の精解像度画素を備えており、前記複数の精画素が前記隣接部分の一部を表す、請求項1に記載の方法。
- 前記第4の画素と前記テスト済み画素を比較する前にサブ画素登録を実行するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- リクエストを受信する前記ステージに、前記第1の画像内および前記第2の画像内の画素を選択するステップと、前記選択済み画素の隣接部分の表示を発生させるステップとが先行する、請求項1に記載の方法。
- 欠陥検出システムであって、オブジェクトの第1の画像内およびオブジェクトの第2の画像内の画素の隣接部分を表す情報を記憶するように適合されたメモリユニットと、前記メモリユニットに結合されたプロセッサとを備えており、前記プロセッサが:
前記オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索し;
前記第1の画像および第2の画像は、異なる取得方法を使用して得られ;
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の画素を探し;
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索し;
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較する;
ように適合されている、前記システム。 - 前記プロセッサが、
前記第1の画像の第5の画素に対応する前記第2の画像の第6の画素を検索し、
第7の画素の隣接部分が前記第6の画素の隣接部分に類似するような前記第1の画像の前記第7の画素を探し、
前記第7の画素に対応する前記第2の画像の第8の画素を検索し、
前記第5の画素の隣接部分と前記第8の画素の隣接部分を比較するように適合されている、請求項12に記載のシステム。 - 前記異なる取得方法が透過取得方法および反射取得方法を備える、請求項12に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、第3の画素の隣接部分が前記第2の画素の前記隣接部分のほとんど最近の隣接部分であるような前記第3の画素を発見するように適合されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記第2の画素の前記隣接部分がM個の要素を備えており、前記プロセッサが、前記第2の画素の前記隣接部分のN次元表示を利用するように適合されており、ここでM>Nである、請求項12に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記第2の画素の前記隣接部分の前記N次元表示を発生させるために、主要コンポーネント分析を適用するように適合されている、請求項16に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、N次元KDツリーを探すように適合されている、請求項16に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、欠陥検出方法のリソース消費レベルおよび欠陥検出方法の適切さに応じて前記欠陥検出方法を選択するように適合されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記第2の画素の前記隣接部分が複数の粗解像度画素および複数の精解像度画素を備えており、前記複数の精画素が前記隣接部分の一部を表す、請求項12に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記第4の画素と前記テスト済み画素を比較する前にサブ画素登録を実行するように適合されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記第1の画像内および前記第2の画像内の画素を選択し、前記選択済み画素の隣接部分の表示を発生させるように適合されている、請求項12に記載のシステム。
- コンピュータ読み取り可能なコードをその中に具現化している欠陥検出用のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索する命令であって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られた命令と、
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の画素を探す命令と、
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索する命令と、
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較する命令と、
を備える、前記コンピュータ読み取り可能な媒体。 - 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
前記第1の画像の第5の画素に対応する前記第2の画像の第6の画素を検索する命令と、
第7の画素の隣接部分が前記第6の画素の隣接部分に類似するような前記第1の画像の前記第7の画素を探す命令と、
前記第7の画素に対応する前記第2の画像の第8の画素を検索する命令と、
前記第5の画素の隣接部分と前記第8の画素の隣接部分を比較する命令と、
を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。 - 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、第3の画素の隣接部分が前記第2の画素の前記隣接部分のほとんど最近の隣接部分であるような前記第3の画素を発見する命令を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記第2の画素の前記隣接部分がM個の要素を備えており、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、前記第2の画素の前記隣接部分のN次元表示を利用する命令を備えており、ここでM>Nである、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、前記第2の画素の前記隣接部分の前記N次元表示を発生させるために、主要コンポーネント分析を適用する命令を備える、請求項26に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、N次元KDツリーを探す命令を備える、請求項26に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、欠陥検出方法のリソース消費レベルおよび欠陥検出方法の適切さに応じて前記欠陥検出方法を選択する命令を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記第2の画素の前記隣接部分が複数の粗解像度画素および複数の精解像度画素を備えており、前記複数の精画素が前記隣接部分の一部を表す、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、前記第4の画素と前記テスト済み画素を比較する前にサブ画素登録を実行する命令を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
前記第1の画像内および前記第2の画像内の画素を選択する命令と、
前記選択済み画素の隣接部分の表示を発生させる命令と、
を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。 - 前記異なる取得方法が透過取得方法および反射取得方法を備える、請求項23に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索するステップであって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られたステップと、
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するようなオブジェクトの複数の画像内の前記第3の画素を探すステップと、
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索するステップと、
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較するステップと、
を備える方法、 - 欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第1の画像の第1の特徴に対応する第2の画像の特徴を検索するステップであって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られたステップと、
前記第2の特徴の隣接部分が第3の特徴の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の特徴を探すステップと、
前記第3の特徴に対応する前記第1の画像の第4の特徴を検索するステップと、
前記第1の特徴と前記第4の特徴を比較するステップと、
を備える方法。 - 欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索するステップであって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られたステップと、
ゴールデン一致画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような第2のゴールデン画像の前記ゴールデン一致画素を探すステップと、
前記ゴールデン一致画素に対応する第1のゴールデン画像の対応するゴールデン画素を検索するステップと、
前記テスト済み画素と前記対応するゴールデン画素を比較するステップと、
を備える方法。 - 前記第2の画素の隣接部分に一致する複数の隣接部分を有する前記第2の画像の複数の画素を探すステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 複数のテスト済み画素を探す前記ステップを反復するステップと、前記探すステップ中に発見された画素の数を表す統計を発生させるステップと、
をさらに備える、請求項37に記載の方法。 - テスト済み画素を参照画素で置換して合成画像を発生させるステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- コンピュータ読み取り可能なコードをその中に具現化している欠陥検出用のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索する命令であって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られた命令と、
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するようなオブジェクトの複数の画像内の前記第3の画素を探す命令と、
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索する命令と、
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較する命令と、
を備えるコンピュータ読み取り可能な媒体。 - コンピュータ読み取り可能なコードをその中に具現化している欠陥検出用のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
オブジェクトの第1の画像の第1の特徴に対応する第2の画像の特徴を検索する命令であって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られた命令と、
前記第2の特徴の隣接部分が第3の特徴の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の特徴を探す命令と、
前記第3の特徴に対応する前記第1の画像の第4の特徴を検索する命令と、
前記テスト済み特徴と前記第4の特徴を比較する命令と、
を備えるコンピュータ読み取り可能な媒体。 - コンピュータ読み取り可能なコードをその中に具現化している欠陥検出用のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索する命令であって、前記第1の画像および第2の画像が異なる取得方法を使用して得られた命令と、
ゴールデン一致画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような第2のゴールデン画像の前記ゴールデン一致画素を探す命令と、
前記ゴールデン一致画素に対応する第1のゴールデン画像の対応するゴールデン画素を検索する命令と、
前記テスト済み画素と前記対応するゴールデン画素を比較する命令と、
を備えるコンピュータ読み取り可能な媒体。 - 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、前記第2の画素の隣接部分に一致する複数の隣接部分を有する前記第2の画像の複数の画素を探す命令を備える、請求項42に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
複数のテスト済み画素を探す前記ステップを反復する命令と、
前記探すステップ中に発見された画素の数を表す統計を発生させる命令と、
を備える、請求項43に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。 - 前記コンピュータ読み取り可能なコードが、テスト済み画素を参照画素で置換して合成画像を発生させる命令を備える、請求項42に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
- 欠陥検出システムであって:
オブジェクトの第1の画像内およびオブジェクトの第2の画像内の画素の隣接部分を表す情報を記憶するように適合されたメモリユニットと;
前記オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索し、前記第1の画像および第2の画像は、異なる取得方法を使用して得られ、ゴールデン一致画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するような第2のゴールデン画像の前記ゴールデン一致画素を探し、前記ゴールデン一致画素に対応する第1のゴールデン画像の対応するゴールデン画素を検索し、前記テスト済み画素と前記対応するゴールデン画素を比較するように適合されているプロセッサと;
を備えるシステム。 - 前記プロセッサが、前記第2の画素の隣接部分に一致する複数の隣接部分を有する前記第2の画像の複数の画素を探すように適合されている、請求項46に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、複数のテスト済み画素を探す前記ステップを反復し、前記探すステップ中に発見された画素の数を表す統計を発生させるように適合されている、請求項47に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、テスト済み画素と参照画素で置換して合成画像を発生させるようにさらに適合されている、請求項12に記載のシステム。
- 欠陥検出システムであって、
前記システムが、オブジェクトの第1の画像内の画素の隣接部分を表す情報を記憶するように適合されているメモリユニットと、前記メモリユニットに結合されたプロセッサとを備えており、前記プロセッサが:
前記オブジェクトの第1の画像のテスト済み画素に対応する第2の画像の第2の画素を検索し;
前記第1の画像および第2の画像は、異なる取得方法を使用して得られ;
前記第2の画素の隣接部分が第3の画素の隣接部分に類似するようなオブジェクトの複数の画像内の前記第3の画素を探し;
前記第3の画素に対応する前記第1の画像の第4の画素を検索し;
前記テスト済み画素と前記第4の画素を比較する;
ように適合されている、前記システム。 - 欠陥検出システムであって、
前記システムが、オブジェクトの第1の画像内の画素の隣接部分を表す情報を記憶するように適合されているメモリユニットと、前記メモリユニットに結合されたプロセッサとを備えており、前記プロセッサが:
前記オブジェクトの第1の画像の第1の特徴に対応する第2の画像の特徴を検索し;
前記第1の画像および第2の画像は、異なる取得方法を使用して得られ;
前記第2の特徴の隣接部分が第3の特徴の隣接部分に類似するような前記第2の画像の前記第3の特徴を探し;
前記第3の特徴に対応する前記第1の画像の第4の特徴を検索し;
前記第1の特徴と前記第4の特徴を比較する;
ように適合されている、前記システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82092406P | 2006-07-31 | 2006-07-31 | |
US60/820924 | 2006-07-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008076383A true JP2008076383A (ja) | 2008-04-03 |
JP2008076383A5 JP2008076383A5 (ja) | 2012-04-19 |
JP5134880B2 JP5134880B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39340129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007199482A Expired - Fee Related JP5134880B2 (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-31 | 欠陥検出のための方法およびシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5134880B2 (ja) |
KR (2) | KR101320037B1 (ja) |
CN (1) | CN101236164B (ja) |
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- 2007-07-31 KR KR1020070077118A patent/KR101320037B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-31 JP JP2007199482A patent/JP5134880B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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KR20080011635A (ko) | 2008-02-05 |
JP5134880B2 (ja) | 2013-01-30 |
CN101236164A (zh) | 2008-08-06 |
KR101320037B1 (ko) | 2013-10-18 |
KR101301289B1 (ko) | 2013-08-28 |
CN101236164B (zh) | 2012-09-05 |
KR20120140233A (ko) | 2012-12-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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