JP2008064833A - Exposure device, exposure method, and method for manufacturing panel substrate for display - Google Patents

Exposure device, exposure method, and method for manufacturing panel substrate for display Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent misalignment of an exposure position due to the change of a mask position while preventing decrease in the accuracy of gap control in exposure by a proximity XY-step system. <P>SOLUTION: A mask holder 20 is vertically moved and tilted to control a gap between a mask 2 and a substrate 1. A detection device 50 including a camera unit 59 is vertically moved by a moving mechanism 60 to adjust the focus of the camera unit 59 onto the surface of the mask 2 and to acquire an image of a position detection mark provided to the surface of the mask 2 by using the camera unit 59. An image signal output from the camera unit 59 is processed to detect the change in the position of the mask 2, and the position of the substrate 1 upon exposure is corrected according to the detection results about the change in the position of the mask 2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus that performs exposure of a substrate, an exposure method, and a method of manufacturing a display panel substrate using the same in manufacturing a display panel substrate such as a liquid crystal display device.

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。   Manufacturing of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, plasma display panel substrates, organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, etc. for liquid crystal display devices used as display panels is performed using an exposure apparatus, and photolithography. This is performed by forming a pattern on the substrate by a technique. As an exposure apparatus, a projection method in which a mask pattern is projected onto a substrate using a lens or a mirror, and a minute gap (proximity gap) is provided between the mask and the substrate to transfer the mask pattern to the substrate. There is a proximity method. The proximity method is inferior in pattern resolution performance to the projection method, but the configuration of the irradiation optical system is simple, the processing capability is high, and it is suitable for mass production.

プロキシミティ露光装置は、基板を真空吸着して保持するチャックを備え、チャックは、基板の移動及び位置決めを行うステージ上に搭載されている。ステージは、従来、X,Y,θの3軸のステージと、Z−チルト機構とで構成されていた。3軸のステージは、チャックをX方向,Y方向へ移動し、またはθ方向へ回転することにより、基板の移動及び位置決めを行う。Z−チルト機構は、チャックを3点で支持し、各点を上下に移動してチャックをZ方向に移動及びチルトすることにより、マスクと基板とのギャップ制御を行う。   The proximity exposure apparatus includes a chuck that holds the substrate by vacuum suction, and the chuck is mounted on a stage that moves and positions the substrate. Conventionally, the stage is composed of a three-axis stage of X, Y, and θ and a Z-tilt mechanism. The triaxial stage moves and positions the substrate by moving the chuck in the X and Y directions or rotating in the θ direction. The Z-tilt mechanism controls the gap between the mask and the substrate by supporting the chuck at three points, moving each point up and down, and moving and tilting the chuck in the Z direction.

一方、特許文献1には、マスクを保持するマスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行う露光装置が開示されている。
特開2004−233398号公報
On the other hand, Patent Document 1 discloses an exposure apparatus that controls the gap between a mask and a substrate by moving and tilting a mask holder that holds the mask up and down.
JP 2004-233398 A

近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚の基板から1枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、ステージにより基板をXY方向にステップ移動しながら、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。以下、この方式を、プロキシミティXYステップ方式と呼ぶ。   In recent years, in the manufacture of various substrates for display panels, a relatively large substrate is prepared in order to cope with an increase in size and a variety of sizes, and one or a plurality of substrates can be selected from one substrate depending on the size of the display panel. Manufactures display panel substrates. In this case, in the proximity method, when one surface of the substrate is to be exposed at once, a mask having the same size as the substrate is required, and the cost of the expensive mask is further increased. In view of this, the mainstream method is to divide and expose one surface of a substrate into a plurality of shots while using a mask that is relatively smaller than the substrate and moving the substrate stepwise in the XY direction by a stage. Hereinafter, this method is referred to as a proximity XY step method.

プロキシミティ露光装置で露光精度を向上させるためには、マスクと基板とのギャップ制御を精度良く行う必要がある。従来のプロキシミティ露光装置では、ステージのZ−チルト機構でギャップ制御を行っており、ギャップ制御の中心位置であるZ−チルト機構の3点の中心を基板の中心に合わせていた。このため、プロキシミティXYステップ方式で基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、ギャップ制御の中心位置(基板の中心)がギャップの中心(マスクの中心)からずれ、ギャップ制御の精度が低下するという問題があった。特に、基板が大型化してマスクの大きさとの相違が増大する程、ギャップの中心(マスクの中心)とギャップ制御の中心位置(基板の中心)とのずれが大きくなり、ギャップ制御の精度低下が著しくなる。   In order to improve the exposure accuracy in the proximity exposure apparatus, it is necessary to accurately control the gap between the mask and the substrate. In the conventional proximity exposure apparatus, the gap control is performed by the Z-tilt mechanism of the stage, and the centers of the three points of the Z-tilt mechanism, which is the center position of the gap control, are aligned with the center of the substrate. For this reason, when one side of the substrate is exposed in a plurality of shots by the proximity XY step method, the center position of the gap control (the center of the substrate) is shifted from the center of the gap (the center of the mask), and the accuracy of the gap control is improved. There was a problem of lowering. In particular, as the substrate size increases and the difference from the mask size increases, the gap between the gap center (mask center) and the gap control center position (substrate center) increases, and the accuracy of the gap control decreases. It becomes remarkable.

これに対し、特許文献1の様にマスクホルダを上下に移動及びチルトしてギャップ制御を行うと、ギャップ制御の中心位置が常にギャップの中心(マスクの中心)と一致する。従って、プロキシミティXYステップ方式で基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合も、ギャップ制御の精度が低下しない。   On the other hand, when gap control is performed by moving and tilting the mask holder up and down as in Patent Document 1, the center position of the gap control always coincides with the center of the gap (mask center). Therefore, the accuracy of the gap control does not deteriorate even when one surface of the substrate is exposed in a plurality of shots by the proximity XY step method.

プロキシミティ方式では、露光前に、マスクと基板との間隔を約100〜300μm程度まで接近させる。そして、露光後は、基板の移動及び位置合わせ時にマスクと基板が接触するのを防止するため、マスクと基板との間隔を離す。このとき、マスクと基板との間の空気の粘性により圧力変化が生じ、マスクが変形する。そして、変形したマスクが元に戻る際、マスクの位置がわずかに変化する。このため、マスクと基板との相対位置が変化し、焼き付け位置がずれるという問題があった。   In the proximity method, the distance between the mask and the substrate is brought close to about 100 to 300 μm before exposure. After the exposure, the mask and the substrate are separated from each other in order to prevent the mask and the substrate from contacting each other during the movement and alignment of the substrate. At this time, a pressure change occurs due to the viscosity of the air between the mask and the substrate, and the mask is deformed. Then, when the deformed mask returns to its original position, the mask position changes slightly. For this reason, there has been a problem that the relative position between the mask and the substrate changes, and the printing position shifts.

従来、チャックを上下に移動及びチルトしてギャップ制御を行う場合、マスクの表面に位置検出用マークを設け、位置検出用マークの画像を取得することにより、マスクの位置の変化を検出して、露光時の基板の位置を補正することが可能であった。しかしながら、特許文献1に記載の様にマスクホルダを上下に移動及びチルトしてギャップ制御を行う場合、マスクが上下に移動すると、マスクの表面が画像取得装置の焦点から外れ、位置検出用マークの画像を取得することができない。このため、マスクの位置の変化を検出して露光時の基板の位置を補正することができなかった。   Conventionally, when gap control is performed by moving and tilting the chuck up and down, a position detection mark is provided on the surface of the mask, and an image of the position detection mark is acquired to detect a change in the position of the mask. It was possible to correct the position of the substrate during exposure. However, when gap control is performed by moving and tilting the mask holder up and down as described in Patent Document 1, when the mask moves up and down, the surface of the mask moves out of focus of the image acquisition device, and the position detection mark The image cannot be acquired. For this reason, it was not possible to correct the position of the substrate during exposure by detecting a change in the position of the mask.

本発明の課題は、プロキシミティXYステップ方式の露光において、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれを防止することである。また、本発明の課題は、マスクが上下に移動しても、マスクの表面に設けた位置検出用マークの画像を取得する画像取得装置の焦点を、マスクの表面に迅速に合わせることである。さらに、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prevent a printing position shift due to a change in the position of a mask while preventing a gap control accuracy from being lowered in proximity XY step system exposure. Another object of the present invention is to quickly focus the image acquisition device that acquires the image of the position detection mark provided on the surface of the mask on the surface of the mask even when the mask moves up and down. Furthermore, an object of the present invention is to manufacture a high-quality display panel substrate.

本発明の露光装置は、プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、マスクを保持するマスクホルダと、基板を保持するチャックと、チャックを移動して、基板のXY方向へのステップ移動及び露光時の基板の位置決めを行うステージと、マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行うギャップ制御手段と、マスクの表面に設けられた位置検出用マークの画像を取得して、画像信号を出力する画像取得装置と、画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせる焦点調節手段と、画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、検出結果に応じてステージを制御して、露光時の基板の位置を補正する処理手段とを備えたものである。   An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus using a proximity method, in which a mask holder for holding a mask, a chuck for holding a substrate, a chuck is moved, and step movement and exposure of the substrate in the XY directions are performed. The position of the substrate is positioned, the mask holder is moved up and down and tilted to control the gap between the mask and the substrate, and the position detection mark image on the surface of the mask is acquired. An image acquisition device that outputs an image signal, a focus adjustment unit that moves the image acquisition device up and down to focus the image acquisition device on the surface of the mask, and processes the image signal output by the image acquisition device. And a processing means for detecting a change in the position of the mask and controlling the stage according to the detection result to correct the position of the substrate at the time of exposure.

また、本発明の露光方法は、プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、マスクの表面に位置検出用マークを設け、マスクをマスクホルダで保持し、基板をチャックで保持し、チャックを移動して、基板のXY方向へのステップ移動及び露光時の基板の位置決めを行い、マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行い、画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせ、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得し、画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、マスクの位置の変化の検出結果に応じて、露光時の基板の位置を補正するものである。   The exposure method of the present invention is an exposure method using a proximity method, wherein a position detection mark is provided on the surface of the mask, the mask is held by the mask holder, the substrate is held by the chuck, and the chuck is moved. Then, step movement of the substrate in the X and Y directions and positioning of the substrate during exposure are performed, and the mask holder is moved up and down and tilted to control the gap between the mask and the substrate, and the image acquisition device is moved up and down. The image acquisition device is focused on the mask surface, the image of the position detection mark is acquired using the image acquisition device, and the image signal output by the image acquisition device is processed to detect a change in the mask position. The position of the substrate at the time of exposure is corrected according to the detection result of the change in the position of the mask.

マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行うので、ギャップ制御の中心位置が常にギャップの中心(マスクの中心)と一致する。従って、基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合も、ギャップ制御の精度が低下しない。そして、画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせ、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得し、画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、マスクの位置の変化の検出結果に応じて、露光時の基板の位置を補正するので、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれが防止される。   Since the mask holder is moved up and down and tilted to control the gap between the mask and the substrate, the center position of the gap control always coincides with the center of the gap (mask center). Accordingly, even when one surface of the substrate is divided into a plurality of shots for exposure, the accuracy of gap control does not decrease. Then, the image acquisition device is moved up and down, the image acquisition device is focused on the mask surface, the image of the position detection mark is acquired using the image acquisition device, and the image signal output by the image acquisition device is processed. Then, a change in the position of the mask is detected, and the position of the substrate at the time of exposure is corrected in accordance with the detection result of the change in the position of the mask. Therefore, a deviation in the printing position due to a change in the position of the mask is prevented.

さらに、本発明の露光装置は、焦点調節手段が、画像取得装置の光軸と同じ光軸を有し、位置検出用マークの近くのマスクの表面に設けられた焦点調節用マークを検出する光学的検出手段と、画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動する移動手段と、移動手段を制御する制御手段とを有し、光学的検出手段が、光源と、光源からの光を焦点調節用マーク及び位置検出用マークへ照射し、反射光を集光するレンズと、レンズで集光された反射光を2つに分割する第1の光学要素と、第1の光学要素で分割された反射光の一方から焦点調節用マークを検出するセンサーとを有し、制御手段が、センサーの検出信号を処理して、画像取得装置の焦点がマスクの表面に合う様に移動手段を制御し、画像取得装置が、第1の光学要素で分割された反射光の他方から位置検出用マークの画像を取得するものである。   Furthermore, in the exposure apparatus of the present invention, the focus adjustment means has an optical axis that is the same as the optical axis of the image acquisition apparatus, and detects the focus adjustment mark provided on the surface of the mask near the position detection mark. A detection means, a moving means for moving the image acquisition device and the optical detection means up and down, and a control means for controlling the movement means. The optical detection means focuses the light source and the light from the light source. The lens for irradiating the mark for position and the mark for position detection and collecting the reflected light, the first optical element for dividing the reflected light collected by the lens into two, and the first optical element A sensor for detecting a focus adjustment mark from one of the reflected light, the control means processes the detection signal of the sensor, and controls the moving means so that the focus of the image acquisition device is aligned with the surface of the mask, The image acquisition device is divided by the first optical element And acquires an image of the position detection marks from the other Shako.

また、本発明の露光方法は、位置検出用マークの近くのマスクの表面に焦点調節用マークを設け、画像取得装置の光軸と同じ光軸を有する光学的検出手段を用いて、光源からの光を焦点調節用マーク及び位置検出用マークへ照射し、反射光を集光し、集光した反射光を2つに分割し、分割した反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、焦点調節用マークの検出信号を処理して、画像取得装置の焦点がマスクの表面に合う様に画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動し、光学的検出手段で分割した反射光の他方から、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得するものである。   In the exposure method of the present invention, a focus adjustment mark is provided on the surface of the mask near the position detection mark, and an optical detection unit having the same optical axis as the optical axis of the image acquisition device is used. Light is applied to the focus adjustment mark and position detection mark, the reflected light is collected, the collected reflected light is divided into two, and the focus adjustment mark is detected from one of the divided reflected lights, and the focal point is focused. The detection signal of the adjustment mark is processed, the image acquisition device and the optical detection means are moved up and down so that the focus of the image acquisition device is on the surface of the mask, and the other of the reflected light divided by the optical detection means The image of the position detection mark is acquired using an image acquisition device.

位置検出用マークの近くのマスクの表面に焦点調節用マークを設け、画像取得装置の光軸と同じ光軸を有する光学的検出手段を用いて、焦点調節用マーク及び位置検出用マークからの反射光を2つに分割し、分割した反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、光学的検出手段で分割した反射光の他方から、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得するので、反射光を集光するレンズ等が共用され、画像取得装置及び画像取得装置の焦点調節に必要な光学的検出手段が、全体として小さく済む。従って、マスクの露光領域を広く取ることができる。   A focus adjustment mark is provided on the surface of the mask near the position detection mark, and reflection from the focus adjustment mark and the position detection mark is performed using an optical detection means having the same optical axis as the optical axis of the image acquisition device. The light is divided into two, the focus adjustment mark is detected from one of the divided reflected lights, and the image of the position detection mark is obtained from the other reflected light divided by the optical detection means using an image acquisition device. Therefore, a lens or the like for condensing the reflected light is shared, and the optical detection means necessary for adjusting the focus of the image acquisition device and the image acquisition device can be reduced as a whole. Accordingly, the exposure area of the mask can be widened.

さらに、本発明の露光装置は、光学的検出手段が、第1の光学要素で分割された反射光の一方をさらに2つに分割する第2の光学要素を有し、センサーが、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたとき、第2の光学要素で分割された反射光の一方が結像する位置に配置された第1のラインセンサーと、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたとき、第2の光学要素で分割された反射光の他方が結像する位置に配置された第2のラインセンサーとを有し、第1のラインセンサー及び第2のラインセンサーが、繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを検出し、制御手段が、第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合と第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合が同じになる様に、移動手段を制御するものである。   Furthermore, in the exposure apparatus of the present invention, the optical detection means has a second optical element that further divides one of the reflected lights divided by the first optical element into two, and the sensor is an image acquisition device. The first line sensor disposed at a position where one of the reflected lights divided by the second optical element forms an image when the focal point of the image is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask, and the focal point of the image acquisition device And a second line sensor disposed at a position where the other of the reflected light divided by the second optical element forms an image when the first line is shifted downward by a predetermined distance from the surface of the mask. The sensor and the second line sensor detect a focus adjustment mark composed of a repetitive pattern, and the control means changes the intensity change rate of the detection signal of the first line sensor and the intensity change of the detection signal of the second line sensor. The proportion of To, and it controls the moving means.

また、本発明の露光方法は、位置検出用マークの近くのマスクの表面に繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを設け、分割した反射光の一方をさらに2つに分割し、第1のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたとき、さらに分割した反射光の一方が結像する位置に配置し、第2のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたとき、さらに分割した反射光の他方が結像する位置に配置し、第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合と第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合が同じになる様に、画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動するものである。   In the exposure method of the present invention, a focus adjustment mark composed of a repetitive pattern is provided on the surface of the mask near the position detection mark, and one of the divided reflected lights is further divided into two, and the first line sensor Is placed at a position where one of the divided reflected lights forms an image when the focus of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask, and the second line sensor is placed at the focus of the image acquisition device. When shifted by a predetermined distance below the surface of the mask, the other part of the divided reflected light is placed at a position where an image is formed, the intensity change rate of the detection signal of the first line sensor and the detection of the second line sensor. The image acquisition device and the optical detection means are moved up and down so that the rate of signal intensity change is the same.

繰り返しパターンからなる焦点調節用マークをラインセンサーで検出すると、ラインセンサーの検出信号は、繰り返しパターンの有無により強度変化を繰り返す。そして、検出信号の強度変化の割合、即ち反射光のコントラストは、光学的検出手段の焦点(画像取得装置の焦点と同じ)によって変化する。画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動すると、第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合は、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたときに最大となり、画像取得装置の焦点がマスクの表面に近づくに連れて小さくなる。一方、第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合は、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたときに最大となり、画像取得装置の焦点がマスクの表面に近づくに連れて小さくなる。第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合と第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合が同じになったとき、画像取得装置の焦点がマスクの表面に合う。ラインセンサーの検出信号の強度変化の割合を求める簡単な処理を行うだけで、画像信号の処理を行う必要がないので、画像取得装置の焦点がマスクの表面に迅速に合う。   When a focus adjustment mark composed of a repetitive pattern is detected by the line sensor, the detection signal of the line sensor repeatedly changes in intensity depending on the presence or absence of the repetitive pattern. The rate of change in the intensity of the detection signal, that is, the contrast of the reflected light changes depending on the focus of the optical detection means (the same as the focus of the image acquisition device). When the image acquisition device and the optical detection means are moved up and down, the rate of change in the intensity of the detection signal of the first line sensor becomes maximum when the focus of the image acquisition device is shifted a predetermined distance above the surface of the mask. The focus of the image acquisition device decreases as it approaches the surface of the mask. On the other hand, the intensity change rate of the detection signal of the second line sensor becomes maximum when the focus of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask, and the focus of the image acquisition device approaches the surface of the mask. Get smaller. When the ratio of the intensity change of the detection signal of the first line sensor becomes the same as the ratio of the intensity change of the detection signal of the second line sensor, the focus of the image acquisition device is aligned with the surface of the mask. Since only the simple processing for obtaining the rate of change in the intensity of the detection signal of the line sensor is performed and there is no need to perform the processing of the image signal, the focus of the image acquisition device quickly matches the surface of the mask.

本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写するものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれが防止されるので、高品質な表示用パネル基板が製造される。   The method for producing a display panel substrate of the present invention is to transfer the mask pattern onto the substrate using any one of the exposure apparatuses or exposure methods described above. By using the above-described exposure apparatus or exposure method, it is possible to prevent a shift in the printing position due to a change in the position of the mask while preventing a gap control accuracy from being lowered, and thus a high-quality display panel substrate is manufactured.

本発明の露光装置及び露光方法によれば、マスクの表面に位置検出用マークを設け、マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行い、画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせ、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得し、画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、マスクの位置の変化の検出結果に応じて、露光時の基板の位置を補正することにより、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれを防止することができる。   According to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the position detection mark is provided on the surface of the mask, the mask holder is moved up and down and tilted, the gap between the mask and the substrate is controlled, and the image acquisition device is moved up and down. Move, focus the image acquisition device on the mask surface, acquire the image of the position detection mark using the image acquisition device, process the image signal output by the image acquisition device to change the position of the mask By detecting and correcting the position of the substrate at the time of exposure according to the detection result of the change in the position of the mask, it is possible to prevent the printing position from being shifted due to the change in the position of the mask while preventing the gap control accuracy from being lowered. be able to.

さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、位置検出用マークの近くのマスクの表面に焦点調節用マークを設け、画像取得装置の光軸と同じ光軸を有する光学的検出手段を用いて、焦点調節用マーク及び位置検出用マークからの反射光を2つに分割し、分割した反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、光学的検出手段で分割した反射光の他方から、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得することにより、画像取得装置及び画像取得装置の焦点調節に必要な光学的検出手段を全体として小さくすることができるので、マスクの露光領域を広く取ることができる。   Further, according to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the focus detection mark is provided on the surface of the mask near the position detection mark, and the optical detection means having the same optical axis as that of the image acquisition apparatus is used. Then, the reflected light from the focus adjustment mark and the position detection mark is divided into two, the focus adjustment mark is detected from one of the divided reflected lights, and from the other reflected light divided by the optical detection means, By acquiring the image of the position detection mark using the image acquisition device, the optical detection means necessary for focus adjustment of the image acquisition device and the image acquisition device can be reduced as a whole, so that the exposure area of the mask can be reduced. Can be taken widely.

さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、位置検出用マークの近くのマスクの表面に繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを設け、分割した反射光の一方をさらに2つに分割し、第1のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたとき、さらに分割した反射光の一方が結像する位置に配置し、第2のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたとき、さらに分割した反射光の他方が結像する位置に配置することにより、ラインセンサーの検出信号の強度変化の割合を求める簡単な処理を行うだけで、画像取得装置の焦点をマスクの表面に迅速に合わせることができる。   Furthermore, according to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, a focus adjustment mark comprising a repeated pattern is provided on the surface of the mask near the position detection mark, and one of the divided reflected lights is further divided into two, The first line sensor is arranged at a position where one of the divided reflected lights forms an image when the focus of the image acquisition device is shifted a predetermined distance above the surface of the mask, and the second line sensor is When the focus of the acquisition device deviates below the mask surface by a predetermined distance, it is easy to obtain the rate of change in the intensity of the detection signal of the line sensor by placing it at the position where the other of the divided reflected light forms an image. The image acquisition device can be quickly focused on the surface of the mask simply by performing processing.

本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれを防止することができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。   According to the manufacturing method of the display panel substrate of the present invention, it is possible to prevent the deviation of the printing position due to the change of the mask position while preventing the gap control accuracy from being lowered. Can be manufactured.

図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、チャック支持台11、マスクホルダ20、荷重支持機構41、Z−チルト機構42、検出装置50、移動機構60、処理装置80、ステージ駆動回路90、Z−チルト機構駆動回路91、及びモータ駆動回路92を含んで構成されている。なお、露光装置は、これらの他に、露光用光源、チャック10へ基板1を供給する供給ユニット、チャック10から基板1を回収する回収ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えているが、本実施の形態では発明に直接関係しない部分は省略してある。   FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The exposure apparatus includes a base 3, an X guide 4, an X stage 5, a Y guide 6, a Y stage 7, a θ stage 8, a chuck 10, a chuck support base 11, a mask holder 20, a load support mechanism 41, a Z-tilt mechanism 42, The detection device 50, the moving mechanism 60, the processing device 80, the stage drive circuit 90, the Z-tilt mechanism drive circuit 91, and the motor drive circuit 92 are configured. In addition to the above, the exposure apparatus includes an exposure light source, a supply unit that supplies the substrate 1 to the chuck 10, a recovery unit that recovers the substrate 1 from the chuck 10, a temperature control unit that manages the temperature in the apparatus, and the like. However, in this embodiment, portions not directly related to the invention are omitted.

図1において、チャック10は、基板1の露光を行う露光位置にある。露光位置の上空には、マスクホルダ20によってマスク2が保持されている。基板1は、露光位置から離れた受け渡し位置において、図示しない搬入ユニットによりチャック10へ搭載され、また図示しない搬出ユニットによりチャック10から回収される。   In FIG. 1, the chuck 10 is at an exposure position where the substrate 1 is exposed. The mask 2 is held by the mask holder 20 above the exposure position. The substrate 1 is mounted on the chuck 10 by a carry-in unit (not shown) at a delivery position away from the exposure position, and is recovered from the chuck 10 by a carry-out unit (not shown).

チャック10は、チャック支持台11を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に沿ってX方向(図面横方向)へ移動する。Xステージ5のX方向への移動によって、チャック10に保持された基板1は、受け渡し位置と露光位置との間を移動する。なお、駆動手段としてはリニアモータ等が用いられるが、図示は省略する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に沿ってY方向(図面奥行き方向)へ移動し、θステージ8はθ方向へ回転する。   The chuck 10 is mounted on the θ stage 8 via the chuck support 11, and a Y stage 7 and an X stage 5 are provided below the θ stage 8. The X stage 5 moves in the X direction (the horizontal direction in the drawing) along the X guide 4 provided on the base 3. As the X stage 5 moves in the X direction, the substrate 1 held by the chuck 10 moves between the delivery position and the exposure position. In addition, although a linear motor etc. are used as a drive means, illustration is abbreviate | omitted. The Y stage 7 moves in the Y direction (the drawing depth direction) along the Y guide 6 provided on the X stage 5, and the θ stage 8 rotates in the θ direction.

露光位置において、Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動によって、基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転によって、露光時の基板1の位置決めが行われる。また、後述するZ−チルト機構42のZ方向(図面縦方向)への移動及びチルトによって、マスク2と基板1とのギャップ制御が行われる。   At the exposure position, step movement of the substrate 1 in the XY direction is performed by movement of the X stage 5 in the X direction and movement of the Y stage 7 in the Y direction. The substrate 1 is positioned during exposure by moving the X stage 5 in the X direction, moving the Y stage 7 in the Y direction, and rotating the θ stage 8 in the θ direction. Further, the gap control between the mask 2 and the substrate 1 is performed by the movement and tilt of the Z-tilt mechanism 42 described later in the Z direction (vertical direction in the drawing).

図2(a)は本発明の一実施の形態による露光装置のチャック支持台の上面図、図2(b)は同側面図である。チャック支持台11は、ベース板12、スポーク13、リム14、及びボールピン15を含んで構成されている。   2A is a top view of the chuck support of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a side view thereof. The chuck support base 11 includes a base plate 12, spokes 13, a rim 14, and ball pins 15.

ベース板12は、図2(b)に破線で示したθステージ8に搭載されている。ベース板12の上には、複数のスポーク13がベース板12の中心から放射状に取り付けられている。各スポーク13の先端には、リム14が取り付けられており、隣接するリム14同士が接続されて多角形の枠が形成されている。スポーク13及びリム14の上面には、多数のボールピン15が設けられている。   The base plate 12 is mounted on the θ stage 8 indicated by a broken line in FIG. On the base plate 12, a plurality of spokes 13 are attached radially from the center of the base plate 12. A rim 14 is attached to the tip of each spoke 13, and adjacent rims 14 are connected to form a polygonal frame. A large number of ball pins 15 are provided on the upper surfaces of the spokes 13 and the rim 14.

なお、本実施の形態では、ボールピン15が21個設けられているが、ボールピン15の数及びそれら配置は、チャック10の大きさ及び形状に応じて適宜決定される。   In the present embodiment, 21 ball pins 15 are provided, but the number and arrangement of the ball pins 15 are appropriately determined according to the size and shape of the chuck 10.

各ボールピン15の上端には、ボールが回転可能に取り付けられている。ボールピン15のボールの上に、図2(b)に破線で示したチャック10が搭載され、チャック支持台11はチャック10を多数の点で支持する。各ボールピン15の下端は、スポーク13又はリム14にねじ止めされており、ねじを回すことによりボールピン15が上下に移動して、ボールピン15のボールがチャック10を支持する各点の高さが調整される。   A ball is rotatably attached to the upper end of each ball pin 15. A chuck 10 indicated by a broken line in FIG. 2B is mounted on the ball pin 15, and the chuck support 11 supports the chuck 10 at a number of points. The lower end of each ball pin 15 is screwed to the spoke 13 or the rim 14, and the ball pin 15 moves up and down by turning the screw, and the ball pin 15 has a height at each point where the ball 10 supports the chuck 10. Is adjusted.

本実施の形態によれば、チャック10を多数の点で支持することにより、従来のチャックを3点で支持する場合に比べて、チャック10に大きな剛性を持たせる必要がない。従って、チャック10の厚さを薄くして、チャック10を軽量化することができる。また、チャック10を支持する各点の高さを調整して、チャックのたわみを矯正し、チャック10の平坦度を向上させることができる。   According to the present embodiment, since the chuck 10 is supported at a number of points, it is not necessary to give the chuck 10 greater rigidity than when the conventional chuck is supported at three points. Therefore, the thickness of the chuck 10 can be reduced and the chuck 10 can be reduced in weight. Further, the height of each point supporting the chuck 10 can be adjusted to correct the deflection of the chuck, and the flatness of the chuck 10 can be improved.

また、本実施の形態によれば、チャック支持台11をベース板12、スポーク13及びリム14で構成することにより、チャック支持台11の強度を確保しながら、チャック支持台11を軽くすることができる。しかしながら、チャック支持台11の構成は、これに限るものではない。   In addition, according to the present embodiment, the chuck support base 11 is configured by the base plate 12, the spokes 13, and the rim 14, so that the chuck support base 11 can be lightened while ensuring the strength of the chuck support base 11. it can. However, the configuration of the chuck support base 11 is not limited to this.

なお、チャック10は、基板を真空吸着するための図示しない吸着機構を備え、材質はアルミニウムからなる。チャック10の裏面の数箇所には、ボールピン15のボールに当接するV字形の溝が設けてあり、ボールピン15のボールがこれらの溝にはまることによって、チャック支持台11に搭載されたチャック10の位置決めが行われる。   The chuck 10 includes a suction mechanism (not shown) for vacuum suction of the substrate, and is made of aluminum. In several places on the back surface of the chuck 10, V-shaped grooves that abut the balls of the ball pins 15 are provided. When the balls of the ball pins 15 fit into these grooves, the chuck mounted on the chuck support 11 is mounted. 10 positioning is performed.

チャック10の材質をアルミニウムとすることにより、チャック10の軽量化に寄与し、また露光時に十分な放熱効果を得ることができる。さらに、チャック10の表面を酸化アルミニウムの膜で覆って、反射率を低くすることができる。   By using aluminum as the material of the chuck 10, it is possible to contribute to weight reduction of the chuck 10 and to obtain a sufficient heat dissipation effect during exposure. Furthermore, the reflectance can be lowered by covering the surface of the chuck 10 with an aluminum oxide film.

図3は、本発明の一実施の形態による露光装置のマスクホルダの上面図である。また、図4は、本発明の一実施の形態による露光装置のマスクホルダの側面図である。なお、図4は、図3の矢印方向に見て、マスクホルダ支持部材30bを取り除いた状態が示されている。   FIG. 3 is a top view of the mask holder of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a side view of the mask holder of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. 4 shows a state in which the mask holder support member 30b is removed as viewed in the direction of the arrow in FIG.

図3に示す様に、マスクホルダ20の中央部には、露光光を透過させるための開口が設けられている。図4に示す様に、マスクホルダ20の下面には、開口を覆ってマスク2が取り付けられている。マスクホルダ20は、マスク2の外周部を真空吸着して保持する。   As shown in FIG. 3, an opening for transmitting exposure light is provided at the center of the mask holder 20. As shown in FIG. 4, the mask 2 is attached to the lower surface of the mask holder 20 so as to cover the opening. The mask holder 20 holds the outer peripheral portion of the mask 2 by vacuum suction.

図3に示す様に、マスクホルダ20の四辺には、複数の支持用腕21が取り付けられている。マスクホルダ20の四辺の周囲には、マスクホルダ支持部材30a,30b,30c,30dが設けられている。マスクホルダ支持部材30a,30b,30c,30dには、上方から見て支持用腕21と重なる位置に、支持用腕21と高さを変えて支持板31が取り付けられている。   As shown in FIG. 3, a plurality of support arms 21 are attached to the four sides of the mask holder 20. Around the four sides of the mask holder 20, mask holder support members 30a, 30b, 30c, and 30d are provided. Support plates 31 are attached to the mask holder support members 30a, 30b, 30c, and 30d at positions that overlap the support arms 21 when viewed from above, while changing the height of the support arms 21.

図4に示す様に、支持用腕21と支持板31の間には、荷重支持機構41が設けられている。荷重支持機構41は、例えばエアクッションで構成され、エア圧によりマスクホルダ20の荷重を支える。   As shown in FIG. 4, a load support mechanism 41 is provided between the support arm 21 and the support plate 31. The load support mechanism 41 is composed of an air cushion, for example, and supports the load of the mask holder 20 by air pressure.

なお、本実施の形態では、荷重支持機構41が8個設けられているが、荷重支持機構41の数及びそれら配置は、マスクホルダ20の重量及び形状に応じて適宜決定される。   In the present embodiment, eight load support mechanisms 41 are provided, but the number and arrangement of the load support mechanisms 41 are appropriately determined according to the weight and shape of the mask holder 20.

図3に示す様に、マスクホルダ20の四辺の内の3箇所には、チルト用腕22が取り付けられている。マスクホルダ支持部材30a,30bには、上方から見てチルト用腕22と重なる位置に、Z−チルト機構42が取り付けられている。   As shown in FIG. 3, tilt arms 22 are attached to three locations on the four sides of the mask holder 20. A Z-tilt mechanism 42 is attached to the mask holder support members 30a and 30b at a position overlapping the tilt arm 22 when viewed from above.

図4に示す様に、Z−チルト機構42は、チルト用腕22に接続されている。各Z−チルト機構42は、例えばモータ及びモータにより駆動されるボールねじを含んで構成され、ボールねじで各チルト用腕22を上下させることにより、マスクホルダ20を上下に移動及びチルトして、マスク2と基板1とのギャップ制御を行う。   As shown in FIG. 4, the Z-tilt mechanism 42 is connected to the tilt arm 22. Each Z-tilt mechanism 42 includes, for example, a motor and a ball screw driven by the motor, and moves and tilts the mask holder 20 up and down by moving each tilting arm 22 up and down with the ball screw. Gap control between the mask 2 and the substrate 1 is performed.

本実施の形態によれば、マスクホルダ20を上下に移動及びチルトして、マスク2と基板1とのギャップ制御を行うことにより、ギャップ制御の中心位置が常にギャップの中心(マスク2の中心)と一致する。従って、基板1の全面を複数のショットに分けて露光する場合、ギャップ制御の精度が低下するのを防止することができる。   According to the present embodiment, by moving and tilting the mask holder 20 up and down and performing gap control between the mask 2 and the substrate 1, the center position of the gap control is always the center of the gap (center of the mask 2). Matches. Accordingly, when the entire surface of the substrate 1 is exposed by being divided into a plurality of shots, it is possible to prevent the gap control accuracy from being lowered.

さらに、本実施の形態によれば、Z−チルト機構42と別に設けた荷重支持機構41でマスクホルダ20の荷重を支えることにより、Z−チルト機構42は、小さな力でマスクホルダ20を上下に移動及びチルトすることができ、ギャップ制御の精度を向上させることができる。   Furthermore, according to the present embodiment, by supporting the load of the mask holder 20 with the load support mechanism 41 provided separately from the Z-tilt mechanism 42, the Z-tilt mechanism 42 moves the mask holder 20 up and down with a small force. It can be moved and tilted, and the accuracy of gap control can be improved.

図1において、マスクホルダ20に保持されたマスク2の表面には、後述する焦点調節用マーク及び位置検出用マークが設けられている。そして、マスク2の上空には、焦点調節用マークの検出及び位置検出用マークの画像の取得を行う検出装置50、並びに検出装置50を上下に移動する移動機構60が配置されている。なお、焦点調節用マーク及び位置検出用マークは、図面奥行き方向に二箇所に設けられており、検出装置50及び移動機構60もそれに対応して図面奥行き方向に二箇所に配置されている。   In FIG. 1, a focus adjustment mark and a position detection mark, which will be described later, are provided on the surface of the mask 2 held by the mask holder 20. A detection device 50 that detects a focus adjustment mark and an image of a position detection mark and a moving mechanism 60 that moves the detection device 50 up and down are arranged above the mask 2. Note that the focus adjustment mark and the position detection mark are provided in two places in the drawing depth direction, and the detection device 50 and the moving mechanism 60 are also arranged in two places in the drawing depth direction correspondingly.

図5は検出装置及び移動機構の斜視図、図6は検出装置及び移動機構の上面図、図7は移動機構の正面図である。検出装置50は、位置検出用マークの画像を取得するカメラ部59と、カメラ部59の光軸と同じ光軸を有し、焦点調節用マークを検出する光学的検出部とからなる。図5及び図6において、符号58は、光学的検出部のセンサー部を示している。   5 is a perspective view of the detection device and the movement mechanism, FIG. 6 is a top view of the detection device and the movement mechanism, and FIG. 7 is a front view of the movement mechanism. The detection device 50 includes a camera unit 59 that acquires an image of a position detection mark, and an optical detection unit that has the same optical axis as the optical axis of the camera unit 59 and detects a focus adjustment mark. 5 and 6, reference numeral 58 denotes a sensor unit of the optical detection unit.

移動機構60は、固定台61、ベース板62、ガイド63、テーパブロック64、ローラ65、ボールねじ66、カップリング67、モータ68、ローラ支持部材69、アーム70、ばね71、上板72、連結板73、昇降ブロック74、取付け位置調節具75、ガイド76、及び支持ブロック77を含んで構成されている。固定台61及び支持ブロック77は、図示しない取り付け部材によって、前述したマスクホルダ支持部材30a,30b,30c,30dのいずれかに取り付けられている。   The moving mechanism 60 includes a fixed base 61, a base plate 62, a guide 63, a taper block 64, a roller 65, a ball screw 66, a coupling 67, a motor 68, a roller support member 69, an arm 70, a spring 71, an upper plate 72, and a connection. A plate 73, a lifting block 74, a mounting position adjuster 75, a guide 76, and a support block 77 are configured. The fixed base 61 and the support block 77 are attached to any of the mask holder support members 30a, 30b, 30c, and 30d described above by an attachment member (not shown).

図5〜図7において、固定台61にはベース板62が取り付けられ、ベース板62にはガイド63が設けられている。ガイド63には、ローラ65に接触する傾斜面を有するテーパブロック64が搭載されている。テーパブロック64にはボールねじ66の移動部が取り付けられ、ボールねじ66のねじ部は、カップリング67によりモータ68のシャフトに連結されている。   5 to 7, a base plate 62 is attached to the fixed base 61, and a guide 63 is provided on the base plate 62. A taper block 64 having an inclined surface that contacts the roller 65 is mounted on the guide 63. A moving portion of a ball screw 66 is attached to the taper block 64, and the screw portion of the ball screw 66 is connected to a shaft of a motor 68 by a coupling 67.

図7において、ローラ支持部材69は、側面が「L」の文字を逆さにした形状であり、ローラ65を回転可能に支持している。ローラ支持部材69の上面には溝が形成されており、アーム70は、ローラ支持部材69の上面の溝を通ってローラ支持部材69の両側に伸びている。ローラ支持部材69の上面には上板72が取り付けられ、上板72に連結板73がボルト止めされている。   In FIG. 7, the roller support member 69 has a side surface with the letter “L” reversed, and supports the roller 65 in a rotatable manner. A groove is formed on the upper surface of the roller support member 69, and the arm 70 extends to both sides of the roller support member 69 through the groove on the upper surface of the roller support member 69. An upper plate 72 is attached to the upper surface of the roller support member 69, and a connecting plate 73 is bolted to the upper plate 72.

アーム70の両端には、ばね71が取り付けられており、ローラ65は、ばね71によりテーパブロック64の傾斜面に押し付けられている。モータ68がボールねじ66のねじ部を回転すると、テーパブロック64がガイド63沿って左右に移動し、テーパブロック64の傾斜面に押し付けられているローラ65が上下に移動して、連結板73が上下に移動する。   Spring 71 is attached to both ends of the arm 70, and the roller 65 is pressed against the inclined surface of the taper block 64 by the spring 71. When the motor 68 rotates the threaded portion of the ball screw 66, the taper block 64 moves left and right along the guide 63, the roller 65 pressed against the inclined surface of the taper block 64 moves up and down, and the connecting plate 73 is moved. Move up and down.

図5及び図6において、連結板73には昇降ブロック74が取り付けられており、昇降ブロック74には取付け位置調節具75を介して検出装置50が取り付けられている。連結板73が上下に移動すると、昇降ブロック74が支持ブロック77との間に設けられたガイド76に案内されて上下に移動し、検出装置50が上下に移動する。検出装置50が上下に移動することにより、検出装置50のカメラ部59の焦点が上下に移動する。   5 and 6, a lifting block 74 is attached to the connecting plate 73, and the detection device 50 is attached to the lifting block 74 via an attachment position adjuster 75. When the connecting plate 73 moves up and down, the elevating block 74 is guided by a guide 76 provided between the support plate 77 and moved up and down, and the detection device 50 moves up and down. As the detection device 50 moves up and down, the focus of the camera unit 59 of the detection device 50 moves up and down.

本実施の形態によれば、テーパブロック64の傾斜面の角度を45度未満とすることにより、テーパブロック64の左右の移動量に対して、検出装置50の上下の移動量を小さくすることができる。従って、検出装置50のカメラ部59の焦点を高精度に調節することができる。   According to the present embodiment, by making the angle of the inclined surface of the taper block 64 less than 45 degrees, the vertical movement amount of the detection device 50 can be made smaller than the horizontal movement amount of the taper block 64. it can. Therefore, the focus of the camera unit 59 of the detection device 50 can be adjusted with high accuracy.

図1において、処理装置80は、MPU81、メモリ82、インタフェース83,84,85,86,87、及びバス88を含んで構成されている。メモリ82には、移動機構60により検出装置50を上下に移動するための上下移動プログラム82a、センサー部58の検出信号を処理してカメラ部59の焦点をマスク2の表面に合わせるためのオートフォーカス処理プログラム82b、カメラ部59の画像信号を処理するための画像処理プログラム82c、及びマスク2の位置の変化を検出するためのマスク位置計算プログラム82dが格納されている。メモリ82には、また、上下移動プログラム82aで使用されるフォーカス位置データ82e、及び画像処理プログラム82cで使用される画像認識テンプレートデータ82fが記憶されている。   In FIG. 1, the processing device 80 includes an MPU 81, a memory 82, interfaces 83, 84, 85, 86, 87, and a bus 88. The memory 82 has an up / down movement program 82a for moving the detection device 50 up and down by the moving mechanism 60, an autofocus for processing the detection signal of the sensor unit 58 and focusing the camera unit 59 on the surface of the mask 2. A processing program 82b, an image processing program 82c for processing an image signal of the camera unit 59, and a mask position calculation program 82d for detecting a change in the position of the mask 2 are stored. The memory 82 also stores focus position data 82e used by the vertical movement program 82a and image recognition template data 82f used by the image processing program 82c.

MPU81は、バス88及びインタフェース83を介して、ステージ駆動回路90を制御する。ステージ駆動回路90は、MPU81の制御により、Xステージ5、Yステージ7及びθステージ8を駆動して、基板1のXY方向へのステップ移動及び露光時の基板1の位置決めを行う。次に、MPU81は、バス88及びインタフェース84を介して、Z−チルト機構駆動回路91を制御する。Z−チルト機構駆動回路91は、MPU81の制御により、Z−チルト機構42を駆動して、マスク2と基板1とのギャップ制御を行う。これらの間、MPU81は並行して、メモリ82に格納された上下移動プログラム82a及びオートフォーカス処理プログラム82bを実行する。   The MPU 81 controls the stage drive circuit 90 via the bus 88 and the interface 83. The stage drive circuit 90 drives the X stage 5, the Y stage 7, and the θ stage 8 under the control of the MPU 81 to perform step movement of the substrate 1 in the XY direction and positioning of the substrate 1 during exposure. Next, the MPU 81 controls the Z-tilt mechanism drive circuit 91 via the bus 88 and the interface 84. The Z-tilt mechanism drive circuit 91 controls the gap between the mask 2 and the substrate 1 by driving the Z-tilt mechanism 42 under the control of the MPU 81. During these periods, the MPU 81 executes the vertical movement program 82a and the autofocus processing program 82b stored in the memory 82 in parallel.

上下移動プログラム82aにおいて、MPU81は、バス88及びインタフェース85を介して、モータ駆動回路92を制御する。モータ駆動回路92は、MPU81の制御により、移動機構60のモータ68を駆動して、移動機構60による検出装置50の上下の移動を行う。このとき、MPU81は、ギャップ制御前及びギャップ制御中のマスク2の表面のおよその高さを示すフォーカス位置データ82eを用い、検出装置50のカメラ部59の焦点がマスク2の表面を挟んで上下に移動する様に、モータ駆動回路92を制御する。   In the up / down movement program 82 a, the MPU 81 controls the motor drive circuit 92 via the bus 88 and the interface 85. The motor driving circuit 92 drives the motor 68 of the moving mechanism 60 under the control of the MPU 81 and moves the detection device 50 up and down by the moving mechanism 60. At this time, the MPU 81 uses the focus position data 82e indicating the approximate height of the surface of the mask 2 before and during the gap control, and the focus of the camera unit 59 of the detection device 50 moves up and down across the surface of the mask 2. The motor drive circuit 92 is controlled so as to move to

図8は、検出装置の概略構成を示す図である。検出装置50の光学的検出部は、光源51、ハーフミラー52,55,56、レンズ53、ロンボイドプリズム54、ミラー57、及びセンサー部58を含んで構成されている。光源51は、例えば発光ダイオードからなり、光源51からの光は、ハーフミラー52で反射されてレンズ53へ入射する。レンズ53は、ロンボイドプリズム54を介して、光源51からの光をマスク2の表面に設けられた焦点調節用マーク及び位置検出用マークへ照射し、焦点調節用マーク及び位置検出用マークからの反射光を集光する。マスク2は、焦点調節用マーク及び位置検出用マークが設けられた表面を下にして、マスクホルダ20に保持されている。   FIG. 8 is a diagram illustrating a schematic configuration of the detection apparatus. The optical detection unit of the detection device 50 includes a light source 51, half mirrors 52, 55, and 56, a lens 53, a rhomboid prism 54, a mirror 57, and a sensor unit 58. The light source 51 is made of a light emitting diode, for example, and the light from the light source 51 is reflected by the half mirror 52 and enters the lens 53. The lens 53 irradiates the focus adjustment mark and the position detection mark provided on the surface of the mask 2 with the light from the light source 51 via the rhomboid prism 54, and emits the light from the focus adjustment mark and the position detection mark. Collect the reflected light. The mask 2 is held by the mask holder 20 with the surface on which the focus adjustment mark and the position detection mark are provided facing down.

レンズ53で集光された反射光は、ハーフミラー52を透過して、ハーフミラー55へ入射する。ハーフミラー55は、レンズ53で集光された反射光を2つに分割する。なお、ハーフミラー55の代わりに、プリズム等の他の光学要素を用いて反射光を2つに分割してもよい。ハーフミラー55へ入射した反射光の約半分は、ハーフミラー55で反射されて、ハーフミラー56へ入射する。ハーフミラー55へ入射した反射光の残り約半分は、ハーフミラー55を透過して、カメラ部59へ入射する。センサー部58は、ハーフミラー55で分割された反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、カメラ部59は、ハーフミラー55で分割された反射光の他方から位置検出用マークの画像を取得する。   The reflected light collected by the lens 53 passes through the half mirror 52 and enters the half mirror 55. The half mirror 55 divides the reflected light collected by the lens 53 into two. Instead of the half mirror 55, the reflected light may be divided into two using other optical elements such as a prism. About half of the reflected light incident on the half mirror 55 is reflected by the half mirror 55 and enters the half mirror 56. The remaining half of the reflected light incident on the half mirror 55 passes through the half mirror 55 and enters the camera unit 59. The sensor unit 58 detects the focus adjustment mark from one of the reflected lights divided by the half mirror 55, and the camera unit 59 acquires the image of the position detection mark from the other reflected light divided by the half mirror 55. To do.

図9は、焦点調節用マーク及び位置検出用マークの一例を示す図である。焦点調節用マークは、複数の細長いパターン2aを繰り返して構成されている。本例の位置検出用マークは、中央の細長いパターン2aに、両側へ突出する部分2bを付けて構成されている。光学的検出部のレンズ53は、位置検出用マーク全体を含む領域からの反射光を集光する。一方、カメラ部59は、図に破線で示した領域の画像を取得する。   FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a focus adjustment mark and a position detection mark. The focus adjustment mark is formed by repeating a plurality of elongated patterns 2a. The position detection mark of this example is configured by attaching a portion 2b protruding to both sides to a central elongated pattern 2a. The lens 53 of the optical detection unit condenses the reflected light from the region including the entire position detection mark. On the other hand, the camera unit 59 acquires an image of a region indicated by a broken line in the drawing.

図10は、焦点調節用マーク及び位置検出用マークの他の例を示す図である。本例の位置検出用マークは、十字形状のパターン2cで構成されている。カメラ部59は、図に破線で示した領域の画像を取得する。   FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the focus adjustment mark and the position detection mark. The position detection mark of this example is configured by a cross-shaped pattern 2c. The camera unit 59 acquires an image of an area indicated by a broken line in the drawing.

図11は、焦点調節用マーク及び位置検出用マークのさらに他の例を示す図である。本例の位置検出用マーク2dは、中央の細長いパターン2aに、斜めに交差する部分2dを付けて構成されている。カメラ部59は、図に破線で示した領域の画像を取得する。   FIG. 11 is a diagram showing still another example of the focus adjustment mark and the position detection mark. The position detection mark 2d of this example is configured by attaching a portion 2d that obliquely intersects the central elongated pattern 2a. The camera unit 59 acquires an image of an area indicated by a broken line in the drawing.

なお、焦点調節用マーク及び位置検出用マークは、図9〜図11に示した例に限らず、位置検出用マークは、カメラ部59で取得した画像の画像信号の処理が容易な形状であればよい。また、焦点調節用マークは、位置検出用マークの近くのマスク2の表面に設けられ、繰り返しパターンからなるものであればよい。   The focus adjustment mark and the position detection mark are not limited to the examples shown in FIGS. 9 to 11, and the position detection mark may have a shape that can easily process the image signal of the image acquired by the camera unit 59. That's fine. In addition, the focus adjustment mark may be provided on the surface of the mask 2 near the position detection mark and may be a repetitive pattern.

図12は、光学的検出部の動作を説明する図である。なお、図12では、図8の光源51、ハーフミラー52、ロンボイドプリズム54、及びミラー57は省略されている。ハーフミラー56は、ハーフミラー55で分割された反射光の一方を、さらに2つに分割する。なお、ハーフミラー56の代わりに、プリズム等の他の光学要素を用いて反射光を2つに分割してもよい。センサー部58は、2つのCCDラインセンサー58a,58bを有する。ハーフミラー56へ入射した反射光の約半分は、ハーフミラー56で反射された後、図示を省略したミラー57で反射されて、CCDラインセンサー58aへ入射する。ハーフミラー56へ入射した反射光の残り約半分は、ハーフミラー56を透過して、CCDラインセンサー58bへ入射する。   FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the optical detection unit. In FIG. 12, the light source 51, the half mirror 52, the rhomboid prism 54, and the mirror 57 in FIG. 8 are omitted. The half mirror 56 further divides one of the reflected lights divided by the half mirror 55 into two. Instead of the half mirror 56, the reflected light may be divided into two using other optical elements such as a prism. The sensor unit 58 includes two CCD line sensors 58a and 58b. About half of the reflected light incident on the half mirror 56 is reflected by the half mirror 56, then reflected by a mirror 57 (not shown), and enters the CCD line sensor 58a. The remaining half of the reflected light incident on the half mirror 56 passes through the half mirror 56 and enters the CCD line sensor 58b.

CCDラインセンサー58aは、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離だけ上にずれたとき、ハーフミラー56で分割された反射光の一方が結像する位置に配置されている。一方、CCDラインセンサー58bは、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離だけ下にずれたとき、ハーフミラー56で分割された反射光の他方が結像する位置に配置されている。   The CCD line sensor 58a is disposed at a position where one of the reflected lights divided by the half mirror 56 forms an image when the focus of the camera unit 59 is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask 2. On the other hand, the CCD line sensor 58 b is arranged at a position where the other of the reflected light divided by the half mirror 56 forms an image when the focus of the camera unit 59 is shifted downward by a predetermined distance from the surface of the mask 2.

図13(a)はラインセンサーの検出信号を示す図、図13(b)は反射光のコントラストと焦点との関係を示す図、図13(c)は反射光のコントラストの差と焦点との関係を示す図である。CCDラインセンサー58a,58bの検出信号は、図13(a)に示す様に、焦点調節用マークの細長いパターン2aの有無により、強度変化を繰り返す。細長いパターン2aが無いところの検出信号の大きさをId、細長いパターン2aが有るところの検出信号の大きさをIbとする。   FIG. 13A is a diagram showing the detection signal of the line sensor, FIG. 13B is a diagram showing the relationship between the contrast of the reflected light and the focus, and FIG. 13C is the difference between the contrast of the reflected light and the focus. It is a figure which shows a relationship. The detection signals of the CCD line sensors 58a and 58b repeatedly change in intensity depending on the presence or absence of the elongated pattern 2a of the focus adjustment mark, as shown in FIG. The magnitude of the detection signal where there is no elongated pattern 2a is Id, and the magnitude of the detection signal where there is an elongated pattern 2a is Ib.

図1において、MPU81は、インタフェース86及びバス88を介して、検出装置50の光学的検出部のセンサー部58から検出信号を入力する。そして、MPU81は、オートフォーカス処理プログラム82bを実行し、CCDラインセンサー58a,58bのそれぞれの検出信号について、検出信号の強度変化の割合を、反射光のコントラストM=(Ib−Id)/(Ib+Id)として計算する。   In FIG. 1, the MPU 81 inputs a detection signal from the sensor unit 58 of the optical detection unit of the detection apparatus 50 via the interface 86 and the bus 88. Then, the MPU 81 executes the autofocus processing program 82b, and for each of the detection signals of the CCD line sensors 58a and 58b, the ratio of the intensity change of the detection signal is set to the reflected light contrast M = (Ib−Id) / (Ib + Id). ).

図13(b)に示す様に、反射光のコントラストMは、光学的検出部の焦点(カメラ部59の焦点と同じ)によって変化する。図13(b)の横軸は、マスク2の表面からカメラ部59の焦点までの距離Zを示し、上下移動プログラム82aを実行してカメラ部59及び光学的検出部を上下に移動すると、CCDラインセンサー58aの検出信号の強度変化の割合(反射光のコントラストMa)は、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離Zdだけ上にずれたときに最大となり、カメラ部59の焦点がマスク2の表面に近づくに連れて小さくなる。一方、CCDラインセンサー58bの検出信号の強度変化の割合(反射光のコントラストMb)は、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離Zdだけ下にずれたときに最大となり、カメラ部59の焦点がマスク2の表面に近づくに連れて小さくなる。そして、図13(c)に示す様に、両者の差Ma−Mbが零になったとき、カメラ部59の焦点がマスク2の表面に合う。   As shown in FIG. 13B, the contrast M of the reflected light varies depending on the focal point of the optical detection unit (the same as the focal point of the camera unit 59). The horizontal axis of FIG. 13B indicates the distance Z from the surface of the mask 2 to the focal point of the camera unit 59. When the vertical movement program 82a is executed to move the camera unit 59 and the optical detection unit up and down, the CCD The rate of change in the intensity of the detection signal of the line sensor 58a (the contrast Ma of the reflected light) is maximized when the focus of the camera unit 59 is shifted by a predetermined distance Zd from the surface of the mask 2, and the focus of the camera unit 59 is It becomes smaller as it approaches the surface of the mask 2. On the other hand, the intensity change rate (contrast Mb of reflected light) of the detection signal of the CCD line sensor 58b becomes maximum when the focus of the camera unit 59 is shifted by a predetermined distance Zd from the surface of the mask 2, and the camera unit 59 Decreases as the focal point approaches the surface of the mask 2. Then, as shown in FIG. 13C, when the difference Ma−Mb between the two becomes zero, the focus of the camera unit 59 is aligned with the surface of the mask 2.

図1において、MPU81は、バス88及びインタフェース85を介して、CCDラインセンサー58aの検出信号の強度変化の割合とCCDラインセンサー58bの検出信号の強度変化の割合が同じになる様に、モータ駆動回路92を制御する。CCDラインセンサー58a,58bの検出信号の強度変化の割合を求める簡単な処理を行うだけで、画像信号の処理を行う必要ないので、カメラ部59の焦点がマスク2の表面に迅速に合う。   In FIG. 1, the MPU 81 drives the motor via the bus 88 and the interface 85 so that the intensity change rate of the detection signal of the CCD line sensor 58a and the intensity change rate of the detection signal of the CCD line sensor 58b become the same. The circuit 92 is controlled. The camera unit 59 is quickly focused on the surface of the mask 2 because only the simple process of obtaining the intensity change ratio of the detection signals of the CCD line sensors 58a and 58b is required and the image signal need not be processed.

カメラ部59は、焦点がマスク2の表面に合った状態で、位置検出用マークの画像を取得し、画像信号を出力する。MPU81は、インタフェース87及びバス88を介して、カメラ部59から画像信号を入力する。そして、MPU81は、メモリ82に格納された画像処理プログラム82c及びマスク位置計算プログラム82dを実行する。   The camera unit 59 acquires an image of the position detection mark in a state where the focus is on the surface of the mask 2 and outputs an image signal. The MPU 81 inputs an image signal from the camera unit 59 via the interface 87 and the bus 88. Then, the MPU 81 executes the image processing program 82c and the mask position calculation program 82d stored in the memory 82.

画像処理プログラム82cにおいて、MPU81は、カメラ部59から入力した画像信号を図示しない記憶装置に一旦記憶し、メモリ82に記憶された画像認識テンプレートデータ82fと比較する。マスク位置計算プログラム82dにおいて、MPU81は、画像処理プログラム82cの比較結果に基づき、マスク2の位置を計算して、マスク2の位置の変化を検出する。そして、MPU81は、マスク2の位置の変化の検出結果に応じて、ステージ駆動回路90を制御して、露光時の基板1の位置を補正する。   In the image processing program 82c, the MPU 81 temporarily stores the image signal input from the camera unit 59 in a storage device (not shown) and compares it with the image recognition template data 82f stored in the memory 82. In the mask position calculation program 82d, the MPU 81 calculates the position of the mask 2 based on the comparison result of the image processing program 82c, and detects a change in the position of the mask 2. Then, the MPU 81 corrects the position of the substrate 1 at the time of exposure by controlling the stage drive circuit 90 according to the detection result of the change in the position of the mask 2.

以上説明した実施の形態によれば、マスク2の表面に位置検出用マークを設け、マスクホルダ20を上下に移動及びチルトして、マスク2と基板1とのギャップ制御を行い、カメラ部59を上下に移動して、カメラ部59の焦点をマスク2の表面に合わせ、カメラ部59を用いて位置検出用マークの画像を取得し、カメラ部59が出力した画像信号を処理してマスク2の位置の変化を検出し、マスク2の位置の変化の検出結果に応じて、露光時の基板1の位置を補正することにより、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスク2の位置の変化による焼付け位置のずれを防止することができる。   According to the embodiment described above, the position detection mark is provided on the surface of the mask 2, the mask holder 20 is moved up and down and tilted to control the gap between the mask 2 and the substrate 1, and the camera unit 59 is Moving up and down, the camera unit 59 is focused on the surface of the mask 2, a position detection mark image is acquired using the camera unit 59, and the image signal output from the camera unit 59 is processed to process the mask 2. By detecting the change in the position and correcting the position of the substrate 1 at the time of exposure according to the detection result of the change in the position of the mask 2, it is possible to prevent the gap control from being deteriorated and to prevent the gap 2 from being changed Deviation of the printing position can be prevented.

さらに、以上説明した実施の形態によれば、位置検出用マークの近くのマスク2の表面に焦点調節用マークを設け、カメラ部59の光軸と同じ光軸を有する光学的検出部を用いて、焦点調節用マーク及び位置検出用マークからの反射光を2つに分割し、分割した反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、光学的検出部で分割した反射光の他方から、カメラ部59を用いて位置検出用マークの画像を取得することにより、カメラ部59及びカメラ部59の焦点調節に必要な光学的検出部を全体として小さくすることができるので、マスク2の露光領域を広く取ることができる。   Further, according to the embodiment described above, the focus adjustment mark is provided on the surface of the mask 2 near the position detection mark, and the optical detection unit having the same optical axis as the optical axis of the camera unit 59 is used. The reflected light from the focus adjustment mark and the position detection mark is divided into two, the focus adjustment mark is detected from one of the divided reflected lights, and the other of the reflected light divided by the optical detection unit is used as a camera. By acquiring the image of the position detection mark using the unit 59, the optical detection unit necessary for the focus adjustment of the camera unit 59 and the camera unit 59 can be reduced as a whole, so that the exposure area of the mask 2 can be reduced. Can be taken widely.

さらに、レンズ53とマスク2との間にロンボイドプリズム54を配置し、カメラ部59及び光学的検出部の光軸を焦点調節用マーク及び位置検出用マークの上空からずらすことにより、マスク2の露光領域をさらに広く取ることができる。   Further, the rhomboid prism 54 is disposed between the lens 53 and the mask 2, and the optical axes of the camera unit 59 and the optical detection unit are shifted from above the focus adjustment mark and the position detection mark, thereby allowing the mask 2. The exposure area can be made wider.

さらに、以上説明した実施の形態によれば、位置検出用マークの近くのマスク2の表面に繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを設け、分割した反射光の一方をさらに2つに分割し、CCDラインセンサー58aを、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離だけ上にずれたとき、さらに分割した反射光の一方が結像する位置に配置し、CCDラインセンサー58bを、カメラ部59の焦点がマスク2の表面より所定距離だけ下にずれたとき、さらに分割した反射光の他方が結像する位置に配置することにより、CCDラインセンサー58a,58bの検出信号の強度変化の割合を求める簡単な処理を行うだけで、カメラ部59の焦点をマスク2の表面に迅速に合わせることができる。   Furthermore, according to the embodiment described above, a focus adjustment mark made of a repetitive pattern is provided on the surface of the mask 2 near the position detection mark, and one of the divided reflected lights is further divided into two, and the CCD When the focal point of the camera unit 59 is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask 2, the line sensor 58 a is disposed at a position where one of the divided reflected lights forms an image, and the CCD line sensor 58 b is disposed at the camera unit 59. Is placed at a position where the other of the divided reflected light forms an image when the focal point of the mask 2 is deviated by a predetermined distance from the surface of the mask 2, the intensity change rate of the detection signals of the CCD line sensors 58 a and 58 b can be set. The camera unit 59 can be quickly focused on the surface of the mask 2 simply by performing a simple process.

本発明の露光装置又は露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写することにより、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれを防止することができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。   By transferring the mask pattern to the substrate using the exposure apparatus or exposure method of the present invention, it is possible to prevent the printing position from being shifted due to the change in the mask position while preventing the gap control accuracy from being lowered. A high-quality display panel substrate can be manufactured.

例えば、図14は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にTFTアレイが形成される。   For example, FIG. 14 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film formation step (step 101), a thin film such as a conductor film or an insulator film, which becomes a transparent electrode for driving liquid crystal, is formed on a glass substrate by sputtering, plasma chemical vapor deposition (CVD), or the like. In the resist coating process (step 102), a photosensitive resin material (photoresist) is applied by a roll coating method or the like to form a photoresist film on the thin film formed in the thin film forming process (step 101). In the exposure step (step 103), the mask pattern is transferred to the photoresist film using a proximity exposure apparatus, a projection exposure apparatus, or the like. In the development step (step 104), a developer is supplied onto the photoresist film by a shower development method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching process (step 105), a portion of the thin film formed in the thin film formation process (step 101) that is not masked by the photoresist film is removed by wet etching. In the stripping step (step 106), the photoresist film that has finished the role of the mask in the etching step (step 105) is stripped with a stripping solution. Before or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary. These steps are repeated several times to form a TFT array on the glass substrate.

また、図15は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、ガラス基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。   FIG. 15 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix is formed on the glass substrate by processes such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In the colored pattern forming step (step 202), a colored pattern is formed on the glass substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, a printing method, an electrodeposition method, or the like. This process is repeated for the R, G, and B coloring patterns. In the protective film forming step (step 203), a protective film is formed on the colored pattern, and in the transparent electrode film forming step (step 204), a transparent electrode film is formed on the protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary.

図14に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図15に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。   In the TFT substrate manufacturing process shown in FIG. 14, in the exposure process (step 103), in the color filter substrate manufacturing process shown in FIG. 15, in the black matrix forming process (step 201) and the colored pattern forming process (step 202). In this exposure process, the exposure apparatus or the exposure method of the present invention can be applied.

本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。1 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2(a)は本発明の一実施の形態による露光装置のチャック支持台の上面図、図2(b)は同側面図である。2A is a top view of the chuck support of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a side view thereof. 本発明の一実施の形態による露光装置のマスクホルダの上面図である。It is a top view of the mask holder of the exposure apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による露光装置のマスクホルダの側面図である。It is a side view of the mask holder of the exposure apparatus by one Embodiment of this invention. 検出装置及び移動機構の斜視図である。It is a perspective view of a detection apparatus and a moving mechanism. 検出装置及び移動機構の上面図である。It is a top view of a detection apparatus and a moving mechanism. 移動機構の正面図である。It is a front view of a moving mechanism. 検出装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of a detection apparatus. 焦点調節用マーク及び位置検出用マークの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the mark for focus adjustment, and the mark for position detection. 焦点調節用マーク及び位置検出用マークの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the mark for focus adjustment, and the mark for position detection. 焦点調節用マーク及び位置検出用マークのさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of the mark for focus adjustment, and the mark for position detection. 光学的検出部の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of an optical detection part. 図13(a)はラインセンサーの検出信号を示す図、図13(b)は反射光のコントラストと焦点との関係を示す図、図13(c)は反射光のコントラストの差と焦点との関係を示す図である。FIG. 13A is a diagram showing the detection signal of the line sensor, FIG. 13B is a diagram showing the relationship between the contrast of the reflected light and the focus, and FIG. 13C is the difference between the contrast of the reflected light and the focus. It is a figure which shows a relationship. 液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of the TFT substrate of a liquid crystal display device. 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of the color filter board | substrate of a liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 マスク
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
10 チャック
11 チャック支持台
12 ベース板
13 スポーク
14 リム
15 ボールピン
20 マスクホルダ
21 支持用腕
22 チルト用腕
30a,30b,30c,30d マスクホルダ支持部材
31 支持板
41 荷重支持機構
42 Z−チルト機構
50 検出装置
51 光源
52,55,56 ハーフミラー
53 レンズ
54 ロンボイドプリズム
57 ミラー
58 センサー部
58a,58b CCDラインセンサー
59 カメラ部
60 移動機構
61 固定台
62 ベース板
63 ガイド
64 テーパブロック
65 ローラ
66 ボールねじ
67 カップリング
68 モータ
69 ローラ支持部材
70 アーム
71 ばね
72 上板
73 連結板
74 昇降ブロック
75 取付け位置調節具
76 ガイド
77 支持ブロック
80 処理装置
81 MPU
82 メモリ
83,84,85,86,87 インタフェース
88 バス
90 ステージ駆動回路
91 Z−チルト機構駆動回路
92 モータ駆動回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Mask 3 Base 4 X guide 5 X stage 6 Y guide 7 Y stage 8 θ stage 10 Chuck 11 Chuck support base 12 Base plate 13 Spoke 14 Rim 15 Ball pin 20 Mask holder 21 Support arm 22 Tilt arm 30a, 30b, 30c, 30d Mask holder support member 31 Support plate 41 Load support mechanism 42 Z-tilt mechanism 50 Detection device 51 Light source 52, 55, 56 Half mirror 53 Lens 54 Romboid prism 57 Mirror 58 Sensor unit 58a, 58b CCD line sensor 59 Camera unit 60 Moving mechanism 61 Fixed base 62 Base plate 63 Guide 64 Tapered block 65 Roller 66 Ball screw 67 Coupling 68 Motor 69 Roller support member 70 Arm 71 Spring 72 Upper plate 73 Connecting plate 74 Lifting block 75 Mounting position Fushigu 76 guide 77 support block 80 processor 81 MPU
82 Memory 83, 84, 85, 86, 87 Interface 88 Bus 90 Stage drive circuit 91 Z-tilt mechanism drive circuit 92 Motor drive circuit

Claims (8)

プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、
マスクを保持するマスクホルダと、
基板を保持するチャックと、
前記チャックを移動して、基板のXY方向へのステップ移動及び露光時の基板の位置決めを行うステージと、
前記マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行うギャップ制御手段と、
マスクの表面に設けられた位置検出用マークの画像を取得して、画像信号を出力する画像取得装置と、
前記画像取得装置を上下に移動して、前記画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせる焦点調節手段と、
前記画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、検出結果に応じて前記ステージを制御して、露光時の基板の位置を補正する処理手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus using a proximity method,
A mask holder for holding the mask;
A chuck for holding a substrate;
A stage for moving the chuck and performing step movement of the substrate in the XY directions and positioning of the substrate during exposure;
Gap control means for moving and tilting the mask holder up and down to control the gap between the mask and the substrate;
An image acquisition device for acquiring an image of a position detection mark provided on the surface of the mask and outputting an image signal;
Focus adjustment means for moving the image acquisition device up and down to focus the image acquisition device on the surface of the mask;
Processing means for detecting a change in the position of the mask by processing the image signal output from the image acquisition device, controlling the stage according to the detection result, and correcting the position of the substrate at the time of exposure; An exposure apparatus characterized by the above.
前記焦点調節手段は、
前記画像取得装置の光軸と同じ光軸を有し、位置検出用マークの近くのマスクの表面に設けられた焦点調節用マークを検出する光学的検出手段と、
前記画像取得装置及び前記光学的検出手段を上下に移動する移動手段と、
前記移動手段を制御する制御手段とを有し、
前記光学的検出手段は、
光源と、
前記光源からの光を焦点調節用マーク及び位置検出用マークへ照射し、反射光を集光するレンズと、
前記レンズで集光された反射光を2つに分割する第1の光学要素と、
前記第1の光学要素で分割された反射光の一方から焦点調節用マークを検出するセンサーとを有し、
前記制御手段は、前記センサーの検出信号を処理して、前記画像取得装置の焦点がマスクの表面に合う様に前記移動手段を制御し、
前記画像取得装置は、前記第1の光学要素で分割された反射光の他方から位置検出用マークの画像を取得することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The focusing means is
An optical detection means for detecting a focus adjustment mark provided on the surface of the mask near the position detection mark, having the same optical axis as the optical axis of the image acquisition device;
Moving means for moving the image acquisition device and the optical detection means up and down;
Control means for controlling the moving means,
The optical detection means includes
A light source;
A lens for irradiating the focus adjustment mark and the position detection mark with light from the light source and collecting the reflected light;
A first optical element that divides the reflected light collected by the lens into two;
A sensor for detecting a focus adjustment mark from one of the reflected lights divided by the first optical element,
The control means processes the detection signal of the sensor, and controls the moving means so that the focus of the image acquisition device is aligned with the surface of the mask,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the image acquisition apparatus acquires an image of a position detection mark from the other reflected light divided by the first optical element.
前記光学的検出手段は、前記第1の光学要素で分割された反射光の一方をさらに2つに分割する第2の光学要素を有し、
前記センサーは、
前記画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたとき、前記第2の光学要素で分割された反射光の一方が結像する位置に配置された第1のラインセンサーと、
前記画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたとき、前記第2の光学要素で分割された反射光の他方が結像する位置に配置された第2のラインセンサーとを有し、
前記第1のラインセンサー及び前記第2のラインセンサーは、繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを検出し、
前記制御手段は、前記第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合と前記第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合が同じになる様に、前記移動手段を制御することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
The optical detection means includes a second optical element that further divides one of the reflected lights divided by the first optical element into two,
The sensor is
A first line sensor disposed at a position where one of the reflected lights divided by the second optical element forms an image when the focus of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask;
A second line sensor disposed at a position where the other of the reflected light divided by the second optical element forms an image when the focal point of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask; Have
The first line sensor and the second line sensor detect a focus adjustment mark composed of a repetitive pattern,
The control means controls the moving means so that the ratio of the intensity change of the detection signal of the first line sensor is the same as the ratio of the intensity change of the detection signal of the second line sensor. The exposure apparatus according to claim 2.
プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、
マスクの表面に位置検出用マークを設け、
マスクをマスクホルダで保持し、
基板をチャックで保持し、
チャックを移動して、基板のXY方向へのステップ移動及び露光時の基板の位置決めを行い、
マスクホルダを上下に移動及びチルトして、マスクと基板とのギャップ制御を行い、
画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点をマスクの表面に合わせ、
画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得し、
画像取得装置が出力した画像信号を処理してマスクの位置の変化を検出し、
マスクの位置の変化の検出結果に応じて、露光時の基板の位置を補正することを特徴とする露光方法。
An exposure method using a proximity method,
A mark for position detection is provided on the surface of the mask,
Hold the mask with the mask holder,
Hold the substrate with the chuck,
Move the chuck, perform step movement of the substrate in the XY direction and position the substrate during exposure,
Move and tilt the mask holder up and down to control the gap between the mask and the substrate,
Move the image acquisition device up and down to focus the image acquisition device on the surface of the mask,
Obtain an image of the position detection mark using an image acquisition device,
Process the image signal output by the image acquisition device to detect changes in the mask position,
An exposure method comprising correcting a position of a substrate at the time of exposure according to a detection result of a change in a mask position.
位置検出用マークの近くのマスクの表面に焦点調節用マークを設け、
画像取得装置の光軸と同じ光軸を有する光学的検出手段を用いて、光源からの光を焦点調節用マーク及び位置検出用マークへ照射し、反射光を集光し、集光した反射光を2つに分割し、分割した反射光の一方から焦点調節用マークを検出し、
焦点調節用マークの検出信号を処理して、画像取得装置の焦点がマスクの表面に合う様に画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動し、
光学的検出手段で分割した反射光の他方から、画像取得装置を用いて位置検出用マークの画像を取得することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
A focus adjustment mark is provided on the mask surface near the position detection mark.
Using optical detection means having the same optical axis as the optical axis of the image acquisition device, the light from the light source is irradiated onto the focus adjustment mark and the position detection mark, the reflected light is condensed, and the collected reflected light is collected. , And the focus adjustment mark is detected from one of the divided reflected lights.
Processing the detection signal of the focus adjustment mark, moving the image acquisition device and the optical detection means up and down so that the focus of the image acquisition device matches the surface of the mask,
5. The exposure method according to claim 4, wherein an image of the position detection mark is acquired from the other reflected light divided by the optical detection means using an image acquisition device.
位置検出用マークの近くのマスクの表面に繰り返しパターンからなる焦点調節用マークを設け、
分割した反射光の一方をさらに2つに分割し、
第1のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ上にずれたとき、さらに分割した反射光の一方が結像する位置に配置し、
第2のラインセンサーを、画像取得装置の焦点がマスクの表面より所定距離だけ下にずれたとき、さらに分割した反射光の他方が結像する位置に配置し、
第1のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合と第2のラインセンサーの検出信号の強度変化の割合が同じになる様に、画像取得装置及び光学的検出手段を上下に移動することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
A focus adjustment mark consisting of a repeating pattern is provided on the surface of the mask near the position detection mark.
One of the divided reflected lights is further divided into two,
The first line sensor is disposed at a position where one of the divided reflected lights forms an image when the focus of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask,
The second line sensor is arranged at a position where the other of the divided reflected lights forms an image when the focus of the image acquisition device is shifted by a predetermined distance from the surface of the mask,
The image acquisition device and the optical detection means are moved up and down so that the rate of change in the intensity of the detection signal of the first line sensor is the same as the rate of change in the intensity of the detection signal of the second line sensor. The exposure method according to claim 5.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、マスクのパターンを基板へ転写することを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。   A method for manufacturing a display panel substrate, comprising: transferring a mask pattern onto the substrate using the exposure apparatus according to claim 1. 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写することを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。   A method for manufacturing a display panel substrate, wherein a mask pattern is transferred to a substrate using the exposure method according to claim 4.
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