JP2008053260A - Pick-up device - Google Patents

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Akihiro Hanamura
昭宏 花村
Sumio Hatta
澄夫 八田
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Nidec Powertrain Systems Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pick-up device that can prevent breakage of a chip to be picked up. <P>SOLUTION: A collet 22 is lowered, the suction face 23 of the collet 22 is brought into contact with the upper face of a semiconductor chip 14, and a negative pressure is supplied to a vacuum hole 31 to suck the semiconductor chip 14. At this time, a compressed gas 65 from sprayers 63 and 64 is sprayed to streets 71 on both sides of the semiconductor chip 14 at an acute angle, and it is absorbed from first and second dischargers 83 and 84 and is discharged from the upper side of a wafer sheet 13, while the collet 22 is slightly elevated. As a result, the compressed gas 65 enters between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13, and the semiconductor chip 14 can be peeled from the wafer sheet 13 without using a push-up pin. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、シート上のワークをピックアップするピックアップ装置に関する。   The present invention relates to a pickup device that picks up a workpiece on a sheet.

従来、半導体チップをリードフレームにボンディングするボンディング装置には、ウェーハシートに貼着された半導体チップをピックアップしてボンディングポイントへ移送するピックアップ装置が設けられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a bonding apparatus that bonds a semiconductor chip to a lead frame is provided with a pickup apparatus that picks up a semiconductor chip attached to a wafer sheet and transfers it to a bonding point.

このピックアップ装置では、図6に示すように、コレット101を、ウェーハシート102に貼着された半導体チップ103まで下降し、前記コレット101のバキューム穴104に負圧を供給して前記半導体チップ103を真空吸引するように構成されている。   In this pickup device, as shown in FIG. 6, the collet 101 is lowered to the semiconductor chip 103 attached to the wafer sheet 102, and negative pressure is supplied to the vacuum hole 104 of the collet 101 to thereby remove the semiconductor chip 103. It is configured to perform vacuum suction.

このとき、前記半導体チップ103の外周部に配置されたステージ111の吸引穴112,・・・に負圧を供給することで、前記ウェーハシート102をステージ111上に固定するとともに、該ステージ111より突き上げピン113を突出して前記半導体チップ103を突き上げることにより、該半導体チップ103を前記ウェーハシート102から剥離できるように構成されている。   At this time, the wafer sheet 102 is fixed on the stage 111 by supplying a negative pressure to the suction holes 112 of the stage 111 disposed on the outer periphery of the semiconductor chip 103. The semiconductor chip 103 can be peeled from the wafer sheet 102 by projecting the push-up pin 113 and pushing up the semiconductor chip 103.

しかしながら、近年においては、半導体チップ103の薄肉化や大型化が進められている。   However, in recent years, the semiconductor chip 103 has been made thinner and larger.

このため、前記突き上げピン113で前記半導体チップ103を突き上げる際に、半導体チップ103に欠けが生じたり、割れたりする恐れがあった。   For this reason, when the semiconductor chip 103 is pushed up by the push-up pin 113, the semiconductor chip 103 may be chipped or cracked.

本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、ピックアップ対象となるチップの破損を防止することができるピックアップ装置を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a pickup device that can prevent a chip to be picked up from being damaged.

前記課題を解決するために本発明の請求項1のピックアップ装置にあっては、シートに貼着されたチップをコレットでピックアップするピックアップ装置において、前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付ける吹き付け部を備えている。   In order to solve the above-mentioned problem, in the pickup device according to claim 1 of the present invention, in the pickup device that picks up a chip attached to a sheet with a collet, a spraying unit that blows compressed gas to the outer peripheral portion of the chip is provided. I have.

すなわち、シートに貼着されたチップをコレットでピックアップする際には、吹き付け部からの圧縮空気が前記チップの外周部に吹き付けられる。   That is, when picking up the chip stuck on the sheet with a collet, compressed air from the spraying part is sprayed on the outer peripheral part of the chip.

すると、この圧縮空気は、その圧力によって前記チップの周縁より当該チップと前記シートとの間に入り込み、前記チップと前記シートとの間に間隙が形成される。   Then, the compressed air enters between the chip and the sheet from the periphery of the chip by the pressure, and a gap is formed between the chip and the sheet.

また、請求項2のピックアップ装置においては、前記吹き付け部は、前記チップを前記コレットに吸着して引き上げる際に、前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付ける。   According to another aspect of the pickup device of the present invention, the blowing unit sprays compressed gas to the outer peripheral portion of the chip when the chip is attracted to the collet and pulled up.

すなわち、前記チップは、前記コレットに吸着され引き上げられる際に、当該チップの外周部に圧縮気体が吹き付けられる。   That is, when the chip is adsorbed and pulled up by the collet, compressed gas is blown to the outer peripheral portion of the chip.

これにより、前記シートからの前記チップの剥離時には、前記コレット動作による引き上げ力と前記圧縮気体による剥離力とが同時に作用する。   Thereby, at the time of peeling of the chip from the sheet, the pulling force by the collet operation and the peeling force by the compressed gas act simultaneously.

さらに、請求項3のピックアップ装置では、前記吹き付け部による圧縮気体の吹き付け角度を、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けた鋭角に設定した。   Furthermore, in the pickup device according to claim 3, the spray angle of the compressed gas by the spray part is set to an acute angle directed obliquely from above the chip periphery toward the periphery of the chip.

すなわち、前記圧縮気体は、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けて鋭角に吹き付けられる。   That is, the compressed gas is sprayed at an acute angle from obliquely above the periphery of the chip toward the periphery of the chip.

これにより、前記圧縮気体の前記チップ下面への進入が促進される。   Thereby, the penetration of the compressed gas into the lower surface of the chip is promoted.

加えて、請求項4のピックアップ装置にあっては、前記チップを吸着する前記コレットの吸着面の周縁部に、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法の突起を設けた。   In addition, in the pickup device of the fourth aspect, a protrusion having a height smaller than the thickness of the chip to be picked up is provided on the peripheral edge of the suction surface of the collet that sucks the chip.

すなわち、前記コレットの吸着面にチップを吸着した状態において、該チップの外周部には、前記吸着面の周縁部に設けられた突起が配置される。   That is, in a state where the chip is adsorbed on the adsorption surface of the collet, a protrusion provided on the peripheral portion of the adsorption surface is disposed on the outer peripheral portion of the chip.

このため、前記圧縮気体を吹き付ける際には、前記吸着面に吸着された前記チップの縁部への前記圧縮気体の吹き付けが、前記突起によって抑制される。   For this reason, when the compressed gas is blown, the blowing of the compressed gas to the edge portion of the chip adsorbed on the adsorption surface is suppressed by the protrusion.

そして、前記突起は、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法に設定されている。   And the said protrusion is set to the height dimension smaller than the thickness dimension of the chip | tip used as pick-up object.

このため、前記コレットの前記吸着面が前記シートに近接するチップピックアップ時には、前記シートへの前記突起の干渉が防止される。   For this reason, when the chip pick-up where the suction surface of the collet is close to the sheet, interference of the protrusions with the sheet is prevented.

また、請求項5のピックアップ装置においては、前記吹き付け部が前記チップの外周部に吹き付けた前記圧縮気体を吸引して前記シート上から排出する排気部を設けた。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exhaust unit that sucks the compressed gas sprayed by the spraying part onto the outer peripheral part of the chip and discharges the compressed gas from the sheet.

すなわち、前記チップの外周部に吹き付けられた前記圧縮気体は、排気部に吸引され前記シート上から排出される。   That is, the compressed gas blown to the outer peripheral portion of the chip is sucked into the exhaust portion and discharged from the sheet.

これにより、前記圧縮気体の吹き付けにより異物が飛散した場合であっても、この異物は前記シート上から排除される。   Thereby, even if the foreign matter is scattered by the blowing of the compressed gas, the foreign matter is excluded from the sheet.

さらに、請求項6のピックアップ装置にあっては、前記吹き付け部は、ピックアップ前のチップ上面に圧縮気体を吹き付ける。   Furthermore, in the pickup device according to claim 6, the spraying part sprays compressed gas onto the upper surface of the chip before picking up.

すなわち、ピックアップ前のチップ上面には、前記圧縮気体が吹き付けられる。   That is, the compressed gas is blown onto the upper surface of the chip before picking up.

このため、例えば前記チップの上面に異物が付着していた場合であっても、この付着した異物が取り除かれる。   For this reason, for example, even if a foreign substance has adhered to the upper surface of the chip, the adhered foreign substance is removed.

また、ピックアップ方法としては、シートに貼着されたチップをコレットでピックアップするピックアップ方法において、前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付ける吹き付け工程を有している。   Moreover, as a pick-up method, in the pick-up method which picks up the chip | tip stuck on the sheet | seat with a collet, it has the spraying process which sprays compressed gas on the outer peripheral part of the said chip | tip.

すなわち、シートに貼着されたチップをコレットでピックアップする際には、圧縮空気が前記チップの外周部に吹き付けられる。   That is, when picking up the chip attached to the sheet with a collet, compressed air is blown onto the outer periphery of the chip.

すると、この圧縮空気は、その圧力によって前記チップの周縁より当該チップと前記シートとの間に入り込み、前記チップと前記シートとの間に間隙が形成される。   Then, the compressed air enters between the chip and the sheet from the periphery of the chip by the pressure, and a gap is formed between the chip and the sheet.

さらに、他のピックアップ方法においては、前記吹き付け工程では、前記チップを前記コレットに吸着して引き上げる際に、前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付ける。   Furthermore, in another pick-up method, in the spraying step, compressed gas is sprayed on the outer periphery of the chip when the chip is attracted to the collet and pulled up.

すなわち、前記チップは、前記コレットに吸着され引き上げられる際に、当該チップの外周部に圧縮気体が吹き付けられる。   That is, when the chip is adsorbed and pulled up by the collet, compressed gas is blown to the outer peripheral portion of the chip.

これにより、前記シートからの前記チップの剥離時には、前記コレット動作による引き上げ力と前記圧縮気体による剥離力とが同時に作用する。   Thereby, at the time of peeling of the chip from the sheet, the pulling force by the collet operation and the peeling force by the compressed gas act simultaneously.

加えて、他のピックアップ方法では、前記吹き付け工程では、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けた鋭角で前記圧縮気体を吹き付ける。   In addition, in another pickup method, in the spraying step, the compressed gas is sprayed at an acute angle directed obliquely from above the chip periphery toward the periphery of the chip.

すなわち、前記圧縮気体は、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けて鋭角に吹き付けられる。   That is, the compressed gas is sprayed at an acute angle from obliquely above the periphery of the chip toward the periphery of the chip.

これにより、前記圧縮気体の前記チップ下面への進入が促進される。   Thereby, the penetration of the compressed gas into the lower surface of the chip is promoted.

また、他のピックアップ方法にあっては、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法の突起が端面の周縁部に設けられた前記コレットで前記チップを吸着する。   In another pick-up method, the chip is adsorbed by the collet provided with a protrusion having a height smaller than the thickness of the chip to be picked up on the peripheral edge of the end face.

すなわち、前記コレットの吸着面にチップを吸着した状態において、該チップの外周部には、前記吸着面の周縁部に設けられた突起が配置される。   That is, in a state where the chip is adsorbed on the adsorption surface of the collet, a protrusion provided on the peripheral portion of the adsorption surface is disposed on the outer peripheral portion of the chip.

このため、前記圧縮気体を吹き付ける際には、前記吸着面に吸着された前記チップの縁部への前記圧縮気体の吹き付けが、前記突起によって抑制される。   For this reason, when the compressed gas is blown, the blowing of the compressed gas to the edge portion of the chip adsorbed on the adsorption surface is suppressed by the protrusion.

そして、前記突起は、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法に設定されている。   And the said protrusion is set to the height dimension smaller than the thickness dimension of the chip | tip used as pick-up object.

このため、前記コレットの前記吸着面が前記シートに近接するチップピックアップ時には、前記シートへの前記突起の干渉が防止される。   For this reason, when the chip pick-up where the suction surface of the collet is close to the sheet, interference of the protrusions with the sheet is prevented.

さらに、他のピックアップ方法においては、前記吹き付け工程では、前記チップの外周部に吹き付けた前記圧縮気体を吸引して前記シート上から排出する。   Furthermore, in another pickup method, in the spraying step, the compressed gas sprayed on the outer peripheral portion of the chip is sucked and discharged from the sheet.

すなわち、前記チップの外周部に吹き付けられた前記圧縮気体は、吸引され前記シート上から排出される。   That is, the compressed gas blown to the outer peripheral portion of the chip is sucked and discharged from the sheet.

これにより、前記圧縮気体の吹き付けにより異物が飛散した場合であっても、この異物は前記シート上から排除される。   Thereby, even if the foreign matter is scattered by the blowing of the compressed gas, the foreign matter is excluded from the sheet.

加えて、他のピックアップ方法では、ピックアップ前のチップ上面に圧縮気体を吹き付ける前工程を有している。   In addition, other pick-up methods have a pre-process of blowing compressed gas onto the top surface of the chip before pick-up.

すなわち、ピックアップ前のチップ上面には、前記圧縮気体が吹き付けられる。   That is, the compressed gas is blown onto the upper surface of the chip before picking up.

このため、例えば前記チップの上面に異物が付着していた場合であっても、この付着した異物が取り除かれる。   For this reason, for example, even if a foreign substance has adhered to the upper surface of the chip, the adhered foreign substance is removed.

以上説明したように本発明の請求項1のピックアップ装置にあっては、シートに貼着されたチップをコレットでピックアップする際に、前記チップの外周部に圧縮空気を吹き付けることによって、この圧縮空気を前記チップの周縁から当該チップと前記シートとの間に進入させ、前記チップを前記シートから剥離することができる。   As described above, in the pickup device according to the first aspect of the present invention, when the chip attached to the sheet is picked up by the collet, the compressed air is blown to the outer peripheral portion of the chip, thereby compressing the compressed air. Can be made to enter between the chip and the sheet from the periphery of the chip, and the chip can be peeled off from the sheet.

このため、シートに貼着されたチップを突き上げピンで突き上げて前記シートから剥離する従来と比較して、突き上げピンからの衝撃をチップに加えること無く、当該チップを前記シートから剥離することができる。   For this reason, it is possible to peel off the chip from the sheet without applying an impact from the push-up pin to the chip as compared with the conventional case where the chip stuck to the sheet is pushed up by the push-up pin and peeled off from the sheet. .

したがって、大型化されたチップや薄肉化されたチップをシートから剥離してピックアップする場合であっても、衝撃入力によるチップの破損を防止しつつ、前記チップを確実にピックアップすることができる。   Therefore, even when a large-sized chip or a thinned chip is peeled off from the sheet and picked up, the chip can be reliably picked up while preventing damage to the chip due to impact input.

そして、前記チップを突き上げる為の前記突き上げピンが不要となるとともに、突き上げ時にシートを保持する為のステージを排除することも可能となる。   Further, the push-up pin for pushing up the chip becomes unnecessary, and a stage for holding the sheet at the time of push-up can be eliminated.

また、請求項2のピックアップ装置においては、前記チップを前記コレットに吸着して引き上げる際に、当該チップの外周部に圧縮気体が吹き付けられる。   In the pickup device according to claim 2, when the chip is attracted to the collet and pulled up, compressed gas is blown to the outer peripheral portion of the chip.

このため、前記シートから前記チップを剥離する際には、前記コレット動作による引き上げ力と前記圧縮気体による剥離力とを同時に作用させることができる。これにより、剥離時間を短縮することができる。   For this reason, when peeling the chip from the sheet, the pulling force by the collet operation and the peeling force by the compressed gas can be applied simultaneously. Thereby, peeling time can be shortened.

さらに、請求項3のピックアップ装置では、前記圧縮気体を、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けて鋭角に吹き付けることができる。   Furthermore, in the pickup device according to a third aspect, the compressed gas can be sprayed at an acute angle from obliquely above the periphery of the chip toward the periphery of the chip.

これにより、前記圧縮気体の前記チップ下面への進入を促進することができ、前記圧縮気体による剥離容易性を高めることができる。   Thereby, the approach to the said chip | tip lower surface of the said compressed gas can be accelerated | stimulated, and the peeling ease by the said compressed gas can be improved.

加えて、請求項4のピックアップ装置にあっては、前記コレットの吸着面にチップを吸着した状態において、該チップの外周部に、前記吸着面の周縁部に設けられた突起を配置することができる。   In addition, in the pickup device according to claim 4, in a state where the chip is adsorbed on the adsorption surface of the collet, a protrusion provided on a peripheral portion of the adsorption surface may be arranged on the outer periphery of the chip. it can.

このため、前記圧縮気体を吹き付ける際には、前記吸着面に吸着された前記チップの縁部への前記圧縮気体の吹き付けを、前記突起によって抑制することができる。   For this reason, when the compressed gas is sprayed, the compressed gas can be prevented from being sprayed to the edge of the chip adsorbed on the adsorption surface.

そして、前記突起は、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法に設定されている。   And the said protrusion is set to the height dimension smaller than the thickness dimension of the chip | tip used as pick-up object.

このため、前記コレットの前記吸着面が前記シートに近接するチップピックアップ時には、前記シートへの前記突起の干渉を防止することができる。   For this reason, at the time of chip pickup in which the suction surface of the collet is close to the sheet, it is possible to prevent interference of the protrusions with the sheet.

また、請求項5のピックアップ装置においては、前記チップの外周部に吹き付けた前記圧縮気体を、吸引して前記シート上から排出することができる。   In the pickup device of the fifth aspect, the compressed gas blown to the outer peripheral portion of the chip can be sucked and discharged from the sheet.

これにより、前記圧縮気体の吹き付けにより異物が飛散した場合であっても、この異物を前記シート上から排除することができる。   Thereby, even if the foreign matter is scattered by the blowing of the compressed gas, the foreign matter can be excluded from the sheet.

さらに、請求項6のピックアップ装置にあっては、ピックアップ前のチップ上面に前記圧縮気体を吹き付けることによって、例えば前記チップの上面に異物が付着していた場合であっても、この付着した異物を取り除くことができる。   Furthermore, in the pickup device according to claim 6, by blowing the compressed gas onto the upper surface of the chip before picking up, for example, even when foreign matter is attached to the upper surface of the chip, the attached foreign matter is removed. Can be removed.

これにより、チップ上面に付着した異物によるピックアップの阻害要因を排除することができる。   As a result, it is possible to eliminate a factor that hinders pickup due to foreign matter adhering to the upper surface of the chip.

そして、例として挙げた各ピックアップ方法においても、前述と同様の効果を得ることができる。   In each pickup method given as an example, the same effect as described above can be obtained.

(第1の実施の形態)   (First embodiment)

以下、本発明の第1の実施の形態を図に従って説明する。図1は、ピックアップ方法を実行する本実施の形態にかかるピックアップ装置1を示すブロック図である。該ピックアップ装置1は、半導体チップをリードフレームにボンディングするボンディング装置に設けられており、ウェーハシートに貼着された半導体チップをピックアップしてボンディングポイントへ移送する装置である。   A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a pickup apparatus 1 according to the present embodiment for executing the pickup method. The pickup device 1 is provided in a bonding device that bonds a semiconductor chip to a lead frame, and is a device that picks up a semiconductor chip attached to a wafer sheet and transfers it to a bonding point.

このピックアップ装置1は、制御部11を中心に構成されており、該制御部11には、ウェーハリング制御部12が接続されている。このウェーハリング制御部12は、図2にも示すように、伸縮性を有する前記ウェーハシート13が張設されたウェーハリングをX−Y方向へ移動する機構を備えており、前記ウェーハシート13には、貼着されたウェーハが縦横にダイシングされてなる複数の半導体チップ14,・・・が載置されている。これにより、前記ウェーハリング制御部12で前記ウェーハリングを移動制御することによって、前記ウェーハシート13上のピックアップ対象となる半導体チップ14をピックアップポイント15に合わせて移動できるように構成されている。   The pickup device 1 is configured around a control unit 11, and a wafer ring control unit 12 is connected to the control unit 11. As shown in FIG. 2, the wafer ring control unit 12 includes a mechanism for moving the wafer ring on which the stretchable wafer sheet 13 is stretched in the XY direction. Are mounted with a plurality of semiconductor chips 14,... Formed by dicing the adhered wafer vertically and horizontally. As a result, the wafer ring control unit 12 controls the movement of the wafer ring so that the semiconductor chip 14 to be picked up on the wafer sheet 13 can be moved in accordance with the pickup point 15.

前記制御部11には、ピックアップ制御部21が接続されており、該ピックアップ制御部21は、前記半導体チップ14をピックアップする図外のピックアップ機構を制御するように構成されている。該ピックアップ機構は、前記半導体チップ14をピックアップするコレット22を備えてなり、該コレット22の下端面は、前記半導体チップ14を吸着する吸着面23を構成している。   A pickup control unit 21 is connected to the control unit 11, and the pickup control unit 21 is configured to control a pickup mechanism (not shown) that picks up the semiconductor chip 14. The pickup mechanism includes a collet 22 that picks up the semiconductor chip 14, and a lower end surface of the collet 22 constitutes an adsorption surface 23 that adsorbs the semiconductor chip 14.

この吸着面23は、例えば矩形状の平坦面で構成されており、その中央部には、負圧が供給されるバキューム穴31が設けられている。前記吸着面23の周縁部には、ピックアップ対象となる半導体チップ14の厚み寸法より小さな高さ寸法の突起としてのエアガード32が設けられており、該エアガード32は、前記吸着面23の四辺に設けられている。   The suction surface 23 is formed of, for example, a rectangular flat surface, and a vacuum hole 31 to which negative pressure is supplied is provided at the center. An air guard 32 as a protrusion having a height smaller than the thickness of the semiconductor chip 14 to be picked up is provided at the peripheral edge of the suction surface 23, and the air guard 32 is provided on four sides of the suction surface 23. It has been.

また、前記制御部11には、吸引制御部41が接続されており、該吸引制御部41は、後述する第2及び第3の実施の形態で使用される。   Further, a suction control unit 41 is connected to the control unit 11, and the suction control unit 41 is used in second and third embodiments described later.

すなわち、第2の実施の形態を示す図4及び第3の実施の形態を示す図5に示すように、これらの実施の形態においては、前記ウェーハシート13の下部にステージ51が設けられており、該ステージ51の上面には、前記ピックアップポイント15の部位に凹部52が形成されている。該凹部52には、吸引穴53が接続されており、該吸引穴53には、負圧が供給されるように構成されている。これにより、前記吸引制御部41によって前記吸引穴53へ負圧を供給した際には、前記ウェーハシート13を吸引し、前記凹部52内に引き込めるように構成されている。   That is, as shown in FIG. 4 showing the second embodiment and FIG. 5 showing the third embodiment, in these embodiments, a stage 51 is provided below the wafer sheet 13. On the upper surface of the stage 51, a recess 52 is formed at the site of the pickup point 15. A suction hole 53 is connected to the recess 52, and a negative pressure is supplied to the suction hole 53. Thus, when a negative pressure is supplied to the suction hole 53 by the suction control unit 41, the wafer sheet 13 is sucked and pulled into the recess 52.

前記制御部11には、図1及び図2に示したように、第1吹き付け制御部61と第2吹き付け制御部62とが接続されており、前記第1吹き付け制御部61は、前記ピックアップポイント15近傍に設けられた第1吹き付け部63を備えている。また、前記第2吹き付け制御部62は、前記ピックアップポイント15近傍に設けられた第2吹き付け部64を備えており、各吹き付け部63,64は、図外に供給源から送られてきた圧縮気体65を、前記ピックアップポイント15に配置された半導体チップ14の外周部に吹き付けるように構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the control unit 11 is connected to a first spray control unit 61 and a second spray control unit 62, and the first spray control unit 61 is connected to the pickup point. 15 is provided with the 1st spraying part 63 provided in 15 vicinity. The second spray control unit 62 includes a second spray unit 64 provided in the vicinity of the pickup point 15, and each spray unit 63, 64 is a compressed gas sent from a supply source outside the figure. 65 is blown to the outer peripheral portion of the semiconductor chip 14 disposed at the pickup point 15.

前記第1吹き付け部63は、図2中、ピックアップポイント15に配置された半導体チップ14の左縁より左上に設けられており、当該第1吹き付け部63は、前記半導体チップ14の左縁の斜め上方からピックアップポイント15に配置された前記半導体チップ14の周縁部側、具体的には、ピックアップポイント15に配置された半導体チップ14と、その左側に配置された半導体チップ14との間にダイシングによって形成されたストリート71へ向けて前記圧縮気体65を噴出するように構成されている。   The first spraying part 63 is provided on the upper left side of the left edge of the semiconductor chip 14 disposed at the pickup point 15 in FIG. 2, and the first spraying part 63 is oblique to the left edge of the semiconductor chip 14. Dicing between the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15 and the semiconductor chip 14 arranged at the left side of the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15 from the upper edge side of the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15 from above. The compressed gas 65 is ejected toward the formed street 71.

前記第2吹き付け部64は、図2中、ピックアップポイント15となる半導体チップ14の右縁より右上に設けられており、当該第2吹き付け部64は、前記半導体チップ14の右縁の斜め上方からピックアップポイント15に配置された前記半導体チップ14の周縁部側、具体的には、ピックアップポイント15に配置された半導体チップ14と、その右側に配置された半導体チップ14との間にダイシングによって形成されたストリート71へ向けて前記圧縮気体65を噴出するように構成されている。   The second spraying portion 64 is provided on the upper right side of the right edge of the semiconductor chip 14 to be the pickup point 15 in FIG. 2, and the second spraying portion 64 is obliquely above the right edge of the semiconductor chip 14. It is formed by dicing between the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15, specifically, between the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15 and the semiconductor chip 14 arranged on the right side thereof. The compressed gas 65 is ejected toward the street 71.

また、前記両吹き付け部63,64から前記半導体チップ14の周縁へ向けて吹き付けられる前記圧縮気体65,65は、前記半導体チップ14が貼着された前記ウェーハシート13に対して所定の吹き付け角αを成すように構成されており(右方は図示省略)、この吹き付け角αは鋭角に設定されている。そして、前記各吹き付け制御部61,62は、前記各吹き付け部63,64へ供給する圧縮気体65,65を制御するように構成されており、前記圧縮気体65,65の吹き付けタイミングをそれぞれ制御できるように構成されている。   Further, the compressed gas 65, 65 sprayed from the both spray parts 63, 64 toward the periphery of the semiconductor chip 14 has a predetermined spray angle α to the wafer sheet 13 to which the semiconductor chip 14 is adhered. (The right side is not shown), and the spray angle α is set to an acute angle. And each said spray control part 61 and 62 is comprised so that the compressed gas 65 and 65 supplied to each said spray part 63 and 64 may be controlled, and can control the spray timing of the said compressed gas 65 and 65, respectively. It is configured as follows.

さらに、前記制御部11には、第1排気制御部81と第2排気制御部82とが接続されている。前記第1排気制御部81は、お椀型に形成された第1排気部83を備えており、該第1排気部83は、図2中、前記第1吹き付け部63の左側部に設けられ、前記第1吹き付け部63側へ向けて開口するように配置されている。この第1排気部83には、ホース接続部85から負圧が供給されるように構成されており、この負圧の供給を前記第1排気制御部81で制御できるように構成されている。   Further, a first exhaust control unit 81 and a second exhaust control unit 82 are connected to the control unit 11. The first exhaust control unit 81 includes a first exhaust unit 83 formed in a bowl shape, and the first exhaust unit 83 is provided on the left side of the first blowing unit 63 in FIG. It arrange | positions so that it may open toward the said 1st spraying part 63 side. The first exhaust part 83 is configured to be supplied with a negative pressure from the hose connection part 85, and the supply of this negative pressure can be controlled by the first exhaust control part 81.

前記第2排気制御部82も、お椀型に形成された第2排気部84を備えており、該第2排気部84は、図2中、前記第2吹き付け部64の右側部に設けられ、前記第2吹き付け部64側へ向けて開口するように配置されている。この第2排気部84には、ホース接続部91から負圧が供給されるように構成されており、この負圧の供給を前記第2排気制御部82で制御できるように構成されている。   The second exhaust control unit 82 also includes a second exhaust unit 84 formed in a bowl shape, and the second exhaust unit 84 is provided on the right side of the second spray unit 64 in FIG. It arrange | positions so that it may open toward the said 2nd spraying part 64 side. The second exhaust part 84 is configured such that a negative pressure is supplied from the hose connection part 91, and the supply of this negative pressure can be controlled by the second exhaust control part 82.

前記各排気部81,82に接続されたホースは、装置本体側へ配管されており(図示省略)、前記各吹き付け部63,64よりピックアップポイント15に配置された前記半導体チップ14の外周部に吹き付けた前記圧縮気体65,65を前記各排気部83,84で吸引して前記ウェーハシート13上から排除できるように構成されている。   The hoses connected to the exhaust parts 81 and 82 are piped to the apparatus main body side (not shown), and are connected to the outer peripheral part of the semiconductor chip 14 disposed at the pickup point 15 from the blowing parts 63 and 64. The compressed gas 65, 65 sprayed is sucked by the exhaust parts 83, 84 and can be removed from the wafer sheet 13.

そして、前記制御部11は、ROMやRAMを内蔵したマイコンを中心に構成されている。前記ROMには、処理手順を示すプログラム等が記憶されており、前記RAMには、処理過程で使用するデータが記憶されるように構成されている。これにより、前記マイコンが前記ROMに記憶されたプログラムに従って動作することによって、当該ピックアップ装置1が作動するように構成されている。   The control unit 11 is mainly composed of a microcomputer incorporating a ROM and a RAM. The ROM stores a program indicating a processing procedure, and the RAM is configured to store data used in the processing. Thus, the pickup device 1 is configured to operate when the microcomputer operates according to a program stored in the ROM.

以上の構成にかかる本実施の形態にかかる前記ピックアップ装置1の動作を、図3に従って説明する。   The operation of the pickup device 1 according to the present embodiment having the above configuration will be described with reference to FIG.

すなわち、ピックアップ開始時において前記制御部11は、図3のステップS1に示すように、前記ウェーハリング制御部12に制御信号を出力してウェーハリングをX−Y方向へ移動して、ウェーハシート13上のピックアップ対象となる半導体チップ14をピックアップポイント15に合わせて移動する。   That is, at the start of pickup, the control unit 11 outputs a control signal to the wafer ring control unit 12 to move the wafer ring in the XY direction as shown in step S1 of FIG. The upper semiconductor chip 14 to be picked up is moved to the pick-up point 15.

この移動過程において、ピックアップ対象となる半導体チップ14が、第1吹き付け部63の下部を通過するように前記ウェーハリングを移動制御する。このとき、第1吹き付け制御部61及び第1排気制御部81に制御信号を出力することによって、前記第1吹き付け部63からの圧縮気体65をピックアップ対象となる半導体チップ14の上面に吹き付けるとともに、該半導体チップ14上面に吹き付けた前記圧縮気体65を前記第1排気部83から吸い込んでウェーハシート13上から排出する。   In this movement process, the wafer ring is controlled to move so that the semiconductor chip 14 to be picked up passes under the first spraying part 63. At this time, by outputting a control signal to the first spray control unit 61 and the first exhaust control unit 81, the compressed gas 65 from the first spray unit 63 is sprayed on the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up, and The compressed gas 65 sprayed on the upper surface of the semiconductor chip 14 is sucked from the first exhaust part 83 and discharged from the wafer sheet 13.

このとき、前記半導体チップ14の上面には、チッピング等で発生したシリコン片が付着していることがある。しかし、前記第1吹き付け部63からの圧縮気体65を半導体チップ14上面に吹き付けるとともに、その圧縮気体65を前記第1排気部83から吸い込んでウェーハシート13上から排出することによって、この半導体チップ14に付着したシリコン片等の異物を取り除くことができる。   At this time, a silicon piece generated by chipping or the like may adhere to the upper surface of the semiconductor chip 14. However, the compressed gas 65 from the first blowing part 63 is blown onto the upper surface of the semiconductor chip 14, and the compressed gas 65 is sucked from the first exhaust part 83 and discharged from the wafer sheet 13, whereby the semiconductor chip 14. Foreign matter such as silicon pieces adhering to the surface can be removed.

これにより、ピックアップされる半導体チップ14の上面をクリーンにでき、半導体チップ14上面に付着した異物に起因したピックアップの阻害要因を排除することができる。   Thereby, the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up can be cleaned, and the obstruction factor of the pickup due to the foreign matter adhering to the upper surface of the semiconductor chip 14 can be eliminated.

そして、ピックアップ対象となる半導体チップ14が前記ピックアップポイント15に移動した際には、図3のステップS2に示すように、ピックアップ制御部21に制御信号を出力することによって、ピックアップポイント15上に移動したコレット22を前記半導体チップ14へ向けて下降し、図3のステップS3に示すように、前記コレット22の吸着面23を前記半導体チップ14上面に密着した状態で、前記コレット22のバキューム穴31に負圧を供給して前記半導体チップ14を前記吸着面23に吸着保持する。   When the semiconductor chip 14 to be picked up moves to the pick-up point 15, it moves onto the pick-up point 15 by outputting a control signal to the pick-up controller 21 as shown in step S2 of FIG. The collet 22 is lowered toward the semiconductor chip 14 and, as shown in step S3 of FIG. 3, the vacuum hole 31 of the collet 22 with the suction surface 23 of the collet 22 in close contact with the upper surface of the semiconductor chip 14. A negative pressure is supplied to the semiconductor chip 14 to hold it by suction.

このとき、前記各吹き付け制御部61,62及び前記各排気制御部81,82に制御信号を出力することによって、前記各吹き付け部63,64からの圧縮気体65,65をピックアップポイント15に配置された半導体チップ14の図中左側及び右側のストリート71,71に鋭角に設定された吹き付け角αで吹き付けるとともに、前記各吹き付け部63,64から吹き付けた前記圧縮気体65を前記第1及び第2排気部83,84から吸い込んでウェーハシート13上から排出する。これと同時に、前記ピックアップ制御部21に制御信号を出力することによって、前記半導体チップ14を吸着した前記コレット22を僅かに上昇させる。   At this time, by outputting a control signal to each of the spray control units 61 and 62 and each of the exhaust control units 81 and 82, the compressed gas 65 and 65 from each of the spray units 63 and 64 is arranged at the pickup point 15. Further, the semiconductor chip 14 is sprayed to the left and right streets 71 and 71 in the drawing at a spray angle α set at an acute angle, and the compressed gas 65 sprayed from the spray parts 63 and 64 is discharged to the first and second exhausts. The air is sucked from the portions 83 and 84 and discharged from the wafer sheet 13. At the same time, by outputting a control signal to the pickup control unit 21, the collet 22 that has adsorbed the semiconductor chip 14 is slightly raised.

すると、図3のステップS4に示すように、前記第1吹き付け部63から吹き付けられた前記圧縮気体65は、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の左縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込む。また、前記第2吹き付け部64から吹き付けられた前記圧縮気体65も、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の右縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込みむ。   Then, as shown in step S4 of FIG. 3, the compressed gas 65 blown from the first blowing part 63 is bent from the left edge of the semiconductor chip 14 while bending the elastic wafer sheet 13 downward. It enters between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13. Further, the compressed gas 65 blown from the second blowing part 64 also bends the elastic wafer sheet 13 downward, while the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13 are connected to the semiconductor chip 14 from the right edge of the semiconductor chip 14. Get in between.

これにより、図3のステップS5に示すように、前記半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に間隙95を形成し、前記ウェーハシート13に貼着された前記半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離することができ、前記コレット22によりピックアップを容易とすることができる。   Thereby, as shown in step S5 of FIG. 3, a gap 95 is formed between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13, and the semiconductor chip 14 adhered to the wafer sheet 13 is replaced with the wafer sheet 13. The collet 22 makes it easy to pick up.

したがって、大型化された半導体チップ14や薄肉化された半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離してピックアップする場合であっても、衝撃入力による半導体チップ14の破損を防止しつつ、前記半導体チップ14を確実にピックアップすることができる。   Therefore, even when the enlarged semiconductor chip 14 or the thinned semiconductor chip 14 is peeled off from the wafer sheet 13 and picked up, the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged by impact input, and the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged. 14 can be reliably picked up.

そして、従来と比較して、前記半導体チップ14を突き上げる為の前記突き上げピンが不要となるとともに、該突き上げピンの可動部が不要となるため、長寿命化を図ることができる。また、突き上げ時にウェーハシート13を保持する為のステージを廃止することも可能となる。   As compared with the prior art, the push-up pin for pushing up the semiconductor chip 14 is not required, and the movable part of the push-up pin is not required, so that the life can be extended. It is also possible to eliminate the stage for holding the wafer sheet 13 when pushing up.

また、前記半導体チップ14の外周部に前記圧縮気体65を吹き付ける際には、これと同時に前記半導体チップ14を吸着した前記コレット22が引き上げられる。   Further, when the compressed gas 65 is sprayed on the outer periphery of the semiconductor chip 14, the collet 22 that has adsorbed the semiconductor chip 14 is pulled up at the same time.

このため、前記ウェーハシート13から前記半導体チップ14を剥離する際には、前記コレット22動作による引き上げ力と前記圧縮気体65による剥離力とを同時に作用させることができるので、前記半導体チップ14の剥離時間を短縮することができる。   For this reason, when the semiconductor chip 14 is peeled from the wafer sheet 13, the pulling force due to the collet 22 operation and the peeling force due to the compressed gas 65 can be applied simultaneously, so that the semiconductor chip 14 is peeled off. Time can be shortened.

さらに、前記半導体チップ14の外周部に吹き付けられる前記圧縮気体65は、前記半導体チップ14周縁の斜め上方から該半導体チップ14の周縁部側へ向けて鋭角に吹き付けられる。   Further, the compressed gas 65 blown to the outer peripheral portion of the semiconductor chip 14 is blown at an acute angle from obliquely above the periphery of the semiconductor chip 14 toward the peripheral portion of the semiconductor chip 14.

このため、前記圧縮気体65を前記ウェーハシート13に対して直角に吹き付ける場合と比較して、前記圧縮気体65の前記半導体チップ14下面への進入を促進することができ、前記圧縮気体65による剥離容易性を高めることができる。   For this reason, compared with the case where the compressed gas 65 is sprayed at a right angle to the wafer sheet 13, it is possible to promote the entry of the compressed gas 65 into the lower surface of the semiconductor chip 14. The ease can be increased.

また、前記半導体チップ14を吸着する前記コレット22の吸着面23の周縁部には、ピックアップ対象となる半導体チップ14の厚み寸法より小さな高さ寸法のエアガード32が当該吸着面23の四辺に設けられており、前記吸着面23に前記半導体チップ14を吸着した状態において、該半導体チップ14の外周部に前記エアガード32を配置することができる。   In addition, air guards 32 having a height smaller than the thickness of the semiconductor chip 14 to be picked up are provided on the four sides of the suction surface 23 at the periphery of the suction surface 23 of the collet 22 that sucks the semiconductor chip 14. The air guard 32 can be disposed on the outer periphery of the semiconductor chip 14 in a state where the semiconductor chip 14 is adsorbed on the adsorption surface 23.

このため、前記圧縮気体65を吹き付ける際には、前記吸着面23に吸着された前記半導体チップ14の縁部への前記圧縮気体65の吹き付けを、前記エアガード32によって阻止することができる。これにより、前記圧縮気体65に起因した前記半導体チップ14の前記吸着面23からの不用意な離脱を防止することができる。   For this reason, when the compressed gas 65 is sprayed, the air guard 32 can prevent the compressed gas 65 from being sprayed to the edge of the semiconductor chip 14 adsorbed on the adsorption surface 23. Thereby, careless detachment of the semiconductor chip 14 from the suction surface 23 due to the compressed gas 65 can be prevented.

そして、前記エアガード32は、ピックアップ対象となる半導体チップ14の厚み寸法より小さな高さ寸法に設定されている。   The air guard 32 is set to a height dimension smaller than the thickness dimension of the semiconductor chip 14 to be picked up.

このため、前記コレット22の前記吸着面23が前記ウェーハシート13に近接するチップピックアップ時には、図3のステップS3で示したように、前記エアガード32の前記ウェーハシート13への干渉を防止することができる。   For this reason, at the time of chip pick-up in which the suction surface 23 of the collet 22 is close to the wafer sheet 13, as shown in step S3 of FIG. it can.

また、前記半導体チップ14の外周部に吹き付けた前記圧縮気体65は、前記各排気部83,84から吸引して前記ウェーハシート13上から排出することができる。   Further, the compressed gas 65 blown to the outer peripheral portion of the semiconductor chip 14 can be sucked from the exhaust portions 83 and 84 and discharged from the wafer sheet 13.

これにより、前記圧縮気体65の吹き付けにより半導体チップ14上のシリコン片等の異物が飛散した場合であっても、この異物を前記ウェーハシート13上から排除することができる。
As a result, even if foreign matter such as silicon pieces on the semiconductor chip 14 is scattered by blowing the compressed gas 65, the foreign matter can be removed from the wafer sheet 13.

(第2の実施の形態)   (Second Embodiment)

図4は、本発明の第2の実施の形態を示す図であり、第1の実施の形態と同一又は同等部分に付いては、同符号を付して説明を割愛し、異なる部分に付いてのみ説明する。   FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, where parts that are the same as or equivalent to those in the first embodiment are given the same reference numerals and explanations are omitted, and parts that are different are attached. Only explained.

すなわち、本実施の形態にかかるピックアップ装置1には、ウェーハシート13の下部に前述したステージ51が設けられており、該ステージ51の上面には、前記ピックアップポイント15の部位に凹部52が形成されている。該凹部52には、吸引穴53が接続されており、該吸引穴53には、負圧が供給されるように構成されている。これにより、前記吸引制御部41によって前記吸引穴53へ負圧を供給した際には、前記ウェーハシート13を吸引し、前記凹部52内に引き込めるように構成されている。   That is, in the pickup apparatus 1 according to the present embodiment, the stage 51 described above is provided below the wafer sheet 13, and a recess 52 is formed on the upper surface of the stage 51 at the site of the pickup point 15. ing. A suction hole 53 is connected to the recess 52, and a negative pressure is supplied to the suction hole 53. Thus, when a negative pressure is supplied to the suction hole 53 by the suction control unit 41, the wafer sheet 13 is sucked and pulled into the recess 52.

このピックアップ装置1においてピックアップを開始すると、前記制御部11は、第1の実施の形態の図3のステップS1で説明したように、前記ウェーハリング制御部12に制御信号を出力してウェーハリングをX−Y方向へ移動して、ウェーハシート13上のピックアップ対象となる半導体チップ14をピックアップポイント15に合わせて移動する。   When the pickup is started in the pickup apparatus 1, the control unit 11 outputs a control signal to the wafer ring control unit 12 to perform wafer ringing as described in step S1 of FIG. 3 of the first embodiment. Moving in the XY direction, the semiconductor chip 14 to be picked up on the wafer sheet 13 is moved in accordance with the pick-up point 15.

この移動過程において、ピックアップ対象となる半導体チップ14が、第1吹き付け部63の下部を通過するように前記ウェーハリングを移動制御する。このとき、第1吹き付け制御部61及び第1排気制御部81に制御信号を出力することによって、前記第1吹き付け部63からの圧縮気体65をピックアップ対象となる半導体チップ14の上面に吹き付けるとともに、該半導体チップ14上面に吹き付けた前記圧縮気体65を前記第1排気部83から吸い込んでウェーハシート13上から排出する。   In this movement process, the wafer ring is controlled to move so that the semiconductor chip 14 to be picked up passes under the first spraying part 63. At this time, by outputting a control signal to the first spray control unit 61 and the first exhaust control unit 81, the compressed gas 65 from the first spray unit 63 is sprayed on the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up, and The compressed gas 65 sprayed on the upper surface of the semiconductor chip 14 is sucked from the first exhaust part 83 and discharged from the wafer sheet 13.

これにより、ピックアップされる半導体チップ14の上面をクリーンにし、半導体チップ14上面に付着した異物に起因したピックアップの阻害要因を排除する(図示省略)。   As a result, the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up is cleaned, and the obstructive factor of the pickup due to the foreign matter adhering to the upper surface of the semiconductor chip 14 is eliminated (not shown).

ピックアップ対象となる半導体チップ14が前記ピックアップポイント15に移動した際には、図4のステップSB1に示すように、当該半導体チップ14は、ステージ51の前記凹部52の上部に配置される。   When the semiconductor chip 14 to be picked up moves to the pick-up point 15, the semiconductor chip 14 is arranged above the concave portion 52 of the stage 51 as shown in step SB 1 in FIG.

この状態において、前記ピックアップ制御部21に制御信号を出力して、ピックアップポイント15上に移動したコレット22を前記半導体チップ14へ向けて下降し、図4のステップSB2に示すように、前記コレット22の吸着面23を前記半導体チップ14上面に密着した状態で、前記コレット22のバキューム穴31に負圧を供給して前記半導体チップ14を前記吸着面23に吸着保持する。この吸着面23への前記半導体チップ14の吸着と同時に、吸引制御部41に制御信号を出力することによって、前記ステージ51の吸引穴53より前記凹部52内に負圧を供給し、ピックアップポイント15に配置された前記半導体チップ14下部の前記ウェーハシート13を吸引固定する。   In this state, a control signal is output to the pickup control unit 21, the collet 22 moved to the pickup point 15 is lowered toward the semiconductor chip 14, and as shown in step SB2 of FIG. With the suction surface 23 in close contact with the upper surface of the semiconductor chip 14, negative pressure is supplied to the vacuum hole 31 of the collet 22 to hold the semiconductor chip 14 on the suction surface 23. Simultaneously with the suction of the semiconductor chip 14 to the suction surface 23, a control signal is output to the suction controller 41, whereby a negative pressure is supplied into the recess 52 from the suction hole 53 of the stage 51, and the pickup point 15 The wafer sheet 13 below the semiconductor chip 14 arranged in the vacuum is sucked and fixed.

このとき、前記各吹き付け制御部61,62及び前記各排気制御部81,82に制御信号を出力することによって、前記各吹き付け部63,64からの圧縮気体65,65をピックアップポイント15に配置された半導体チップ14の図中左側及び右側のストリート71,71に鋭角に設定された吹き付け角αで吹き付けるとともに(吹き付け角αは図示省略)、前記各吹き付け部63,64から吹き付けた前記圧縮気体65を前記第1及び第2排気部83,84から吸い込んでウェーハシート13上から排出する。これと同時に、前記ピックアップ制御部21に制御信号を出力することによって、前記半導体チップ14を吸着した前記コレット22を僅かに上昇させる。   At this time, by outputting a control signal to each of the spray control units 61 and 62 and each of the exhaust control units 81 and 82, the compressed gas 65 and 65 from each of the spray units 63 and 64 is arranged at the pickup point 15. The semiconductor chip 14 is sprayed to the left and right streets 71 and 71 of the semiconductor chip 14 at a spray angle α set at an acute angle (the spray angle α is not shown), and the compressed gas 65 sprayed from the spray parts 63 and 64 is used. Are sucked from the first and second exhaust parts 83 and 84 and discharged from the wafer sheet 13. At the same time, by outputting a control signal to the pickup control unit 21, the collet 22 that has adsorbed the semiconductor chip 14 is slightly raised.

すると、図4のステップSB3に示すように、前記第1吹き付け部63から吹き付けられた前記圧縮気体65は、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の左縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込む。また、前記第2吹き付け部64から吹き付けられた前記圧縮気体65も、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の右縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込みむ。   Then, as shown in step SB3 of FIG. 4, the compressed gas 65 blown from the first blowing portion 63 is bent from the left edge of the semiconductor chip 14 while bending the elastic wafer sheet 13 downward. It enters between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13. Further, the compressed gas 65 blown from the second blowing part 64 also causes the wafer sheet 13 having elasticity to bend downward, and the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13 from the right edge of the semiconductor chip 14. Get in between.

これにより、図4のステップSB4に示すように、前記半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に間隙95を形成し、前記ウェーハシート13に貼着された前記半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離することができ、前記コレット22によりピックアップを容易とすることができる。   Thereby, as shown in step SB4 of FIG. 4, a gap 95 is formed between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13, and the semiconductor chip 14 adhered to the wafer sheet 13 is replaced with the wafer sheet 13. The collet 22 makes it easy to pick up.

このとき、前記半導体チップ14の下部に位置するウェーハシート13の部位は、前記凹部52に供給された負圧によって吸引されており、当該凹部52内に引き込まれる。これによっても、前記ウェーハシート13からの前記半導体チップ14の剥離を促進することができ、半導体チップ14の剥離時間を短くすることができる。   At this time, the portion of the wafer sheet 13 located below the semiconductor chip 14 is sucked by the negative pressure supplied to the recess 52 and is pulled into the recess 52. Also by this, peeling of the semiconductor chip 14 from the wafer sheet 13 can be promoted, and the peeling time of the semiconductor chip 14 can be shortened.

したがって、大型化された半導体チップ14や薄肉化された半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離してピックアップする場合であっても、衝撃入力による半導体チップ14の破損を防止しつつ、前記半導体チップ14を確実にピックアップすることができるとともに、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
Therefore, even when the enlarged semiconductor chip 14 or the thinned semiconductor chip 14 is peeled off from the wafer sheet 13 and picked up, the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged by impact input, and the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged. 14 can be reliably picked up, and the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

(第3の実施の形態)   (Third embodiment)

図5は、本発明の第3の実施の形態を示す図であり、第1の実施の形態と同一又は同等部分に付いては、同符号を付して説明を割愛し、異なる部分に付いてのみ説明する。   FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the present invention, where parts that are the same as or equivalent to those in the first embodiment are given the same reference numerals and explanations are omitted, and parts that are different are attached. Only explained.

すなわち、本実施の形態にかかるピックアップ装置1には、ウェーハシート13の下部に前述同様ステージ51が設けられており、該ステージ51の上面には、前記ピックアップポイント15の部位に凹部52が形成されている。該凹部52には、吸引穴53が接続されており、該吸引穴53には、負圧が供給されるように構成されている。これにより、前記吸引制御部41によって前記吸引穴53へ負圧を供給した際には、前記ウェーハシート13を吸引し、前記凹部52内に引き込めるように構成されている。   That is, in the pickup apparatus 1 according to the present embodiment, a stage 51 is provided below the wafer sheet 13 as described above, and a recess 52 is formed on the upper surface of the stage 51 at the site of the pickup point 15. ing. A suction hole 53 is connected to the recess 52, and a negative pressure is supplied to the suction hole 53. Thus, when a negative pressure is supplied to the suction hole 53 by the suction control unit 41, the wafer sheet 13 is sucked and pulled into the recess 52.

また、前記コレット22の側部に上下に延在する通流穴97,97が設けられており、各通流穴97,97の下端は、ピックアップポイント15側へ向けて斜めに開口している。これにより、第1の実施の形態で使用された別部材からなる第1及び第2吹き付け部63,64が廃止されており、通流穴97,97が構成する第1及び第2吹き付け部63,64が前記コレット22側部に一体形成され、低コスト化が図られている。   Further, through holes 97, 97 extending vertically are provided on the side of the collet 22, and the lower ends of the through holes 97, 97 are opened obliquely toward the pickup point 15 side. . Thereby, the 1st and 2nd spraying parts 63 and 64 which consist of another member used in a 1st embodiment are abolished, and the 1st and 2nd spraying parts 63 which flow hole 97 and 97 constitute are formed. , 64 are integrally formed on the side of the collet 22 to reduce the cost.

このピックアップ装置1においてピックアップを開始すると、前記制御部11は、第1の実施の形態の図3のステップS1で説明したように、前記ウェーハリング制御部12に制御信号を出力してウェーハリングをX−Y方向へ移動して、ウェーハシート13上のピックアップ対象となる半導体チップ14をピックアップポイント15に合わせて移動する。   When the pickup is started in the pickup apparatus 1, the control unit 11 outputs a control signal to the wafer ring control unit 12 to perform wafer ringing as described in step S1 of FIG. 3 of the first embodiment. Moving in the XY direction, the semiconductor chip 14 to be picked up on the wafer sheet 13 is moved in accordance with the pick-up point 15.

この移動過程において、ピックアップ対象となる半導体チップ14が、第1吹き付け部63の下部を通過するように前記ウェーハリングを移動制御する。このとき、第1吹き付け制御部61に制御信号を出力することによって、前記第1吹き付け部63からの圧縮気体65をピックアップ対象となる半導体チップ14の上面に吹き付ける   In this movement process, the movement of the wafer ring is controlled so that the semiconductor chip 14 to be picked up passes under the first blowing part 63. At this time, by outputting a control signal to the first spray control unit 61, the compressed gas 65 from the first spray unit 63 is sprayed on the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up.

これにより、ピックアップされる半導体チップ14の上面をクリーンにし、半導体チップ14上面に付着した異物に起因したピックアップの阻害要因を排除する(図示省略)。   As a result, the upper surface of the semiconductor chip 14 to be picked up is cleaned, and the obstructive factor of the pickup due to the foreign matter adhering to the upper surface of the semiconductor chip 14 is eliminated (not shown).

ピックアップ対象となる半導体チップ14が前記ピックアップポイント15に移動した際には、図5のステップSC1に示すように、当該半導体チップ14は、ステージ51の前記凹部52の上部に配置される。   When the semiconductor chip 14 to be picked up moves to the pick-up point 15, the semiconductor chip 14 is arranged above the concave portion 52 of the stage 51 as shown in step SC <b> 1 in FIG. 5.

この状態において、前記ピックアップ制御部21に制御信号を出力して、ピックアップポイント15上に移動したコレット22を前記半導体チップ14へ向けて下降し、図5のステップSC2に示すように、前記コレット22の吸着面23を前記半導体チップ14上面に密着した状態で、前記コレット22のバキューム穴31に負圧を供給して前記半導体チップ14を前記吸着面23に吸着保持する。この吸着面23への前記半導体チップ14の吸着と同時に、吸引制御部41に制御信号を出力することによって、前記ステージ51の吸引穴53より前記凹部52内に負圧を供給し、ピックアップポイント15に配置された前記半導体チップ14下部の前記ウェーハシート13を吸引固定する。   In this state, a control signal is output to the pickup control unit 21, and the collet 22 moved to the pickup point 15 is lowered toward the semiconductor chip 14, and as shown in step SC2 of FIG. 5, the collet 22 With the suction surface 23 in close contact with the upper surface of the semiconductor chip 14, negative pressure is supplied to the vacuum hole 31 of the collet 22 to hold the semiconductor chip 14 on the suction surface 23. Simultaneously with the suction of the semiconductor chip 14 to the suction surface 23, a control signal is output to the suction controller 41, whereby a negative pressure is supplied into the recess 52 from the suction hole 53 of the stage 51, and the pickup point 15 The wafer sheet 13 below the semiconductor chip 14 arranged in the vacuum is sucked and fixed.

このとき、前記各吹き付け制御部61,62に制御信号を出力することによって、前記各吹き付け部63,64からの圧縮気体65,65をピックアップポイント15に配置された半導体チップ14の図中左側及び右側のストリート71,71に鋭角に設定された吹き付け角αで吹き付ける(吹き付け角αは図示省略)。これと同時に、前記ピックアップ制御部21に制御信号を出力することによって、前記半導体チップ14を吸着した前記コレット22を僅かに上昇させる。   At this time, by outputting a control signal to each of the spraying control units 61 and 62, the compressed gas 65 and 65 from each of the spraying units 63 and 64 is shown on the left side in the figure of the semiconductor chip 14 arranged at the pickup point 15 and The right streets 71 and 71 are sprayed at a spray angle α set at an acute angle (the spray angle α is not shown). At the same time, by outputting a control signal to the pickup control unit 21, the collet 22 that has adsorbed the semiconductor chip 14 is slightly raised.

すると、図5のステップSC3に示すように、前記第1吹き付け部63から吹き付けられた前記圧縮気体65は、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の左縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込む。また、前記第2吹き付け部64から吹き付けられた前記圧縮気体65も、弾性を有する前記ウェーハシート13を下方へ撓ませつつ、前記半導体チップ14の右縁より当該半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に入り込みむ。   Then, as shown in step SC3 of FIG. 5, the compressed gas 65 blown from the first blowing part 63 is bent from the left edge of the semiconductor chip 14 while bending the elastic wafer sheet 13 downward. It enters between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13. Further, the compressed gas 65 blown from the second blowing part 64 also causes the wafer sheet 13 having elasticity to bend downward, and the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13 from the right edge of the semiconductor chip 14. Get in between.

これにより、図5のステップSC4に示すように、前記半導体チップ14と前記ウェーハシート13との間に間隙95を形成し、前記ウェーハシート13に貼着された前記半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離することができ、前記コレット22によりピックアップを容易とすることができる。   Thereby, as shown in step SC4 in FIG. 5, a gap 95 is formed between the semiconductor chip 14 and the wafer sheet 13, and the semiconductor chip 14 adhered to the wafer sheet 13 is replaced with the wafer sheet 13. The collet 22 makes it easy to pick up.

このとき、前記半導体チップ14の下部に位置するウェーハシート13の部位は、前記凹部52に供給された負圧によって吸引されており、当該凹部52内に引き込まれる。これによっても、前記ウェーハシート13からの前記半導体チップ14の剥離を促進することができ、半導体チップ14の剥離時間を短くすることができる。   At this time, the portion of the wafer sheet 13 located below the semiconductor chip 14 is sucked by the negative pressure supplied to the recess 52 and is pulled into the recess 52. Also by this, peeling of the semiconductor chip 14 from the wafer sheet 13 can be promoted, and the peeling time of the semiconductor chip 14 can be shortened.

したがって、大型化された半導体チップ14や薄肉化された半導体チップ14を前記ウェーハシート13から剥離してピックアップする場合であっても、衝撃入力による半導体チップ14の破損を防止しつつ、前記半導体チップ14を確実にピックアップすることができるとともに、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Therefore, even when the enlarged semiconductor chip 14 or the thinned semiconductor chip 14 is peeled off from the wafer sheet 13 and picked up, the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged by impact input, and the semiconductor chip 14 is prevented from being damaged. 14 can be reliably picked up, and the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

本発明の第1の実施の形態の示すブロック図である。It is a block diagram which shows the 1st Embodiment of this invention. 同実施の形態の要部を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part of the embodiment. 同実施の形態の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement of the embodiment. 本発明の第2の実施の形態の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation | movement of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation | movement of the 3rd Embodiment of this invention. 従来のピックアップ装置の要部を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part of the conventional pick-up apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 ピックアップ装置
11 制御部
13 ウェーハシート
14 チップ
21 ピックアップ制御部
22 コレット
23 吸着面
32 エアガード
61 第1吹き付け制御部
62 第2吹き付け制御部
63 第1吹き付け部
64 第2吹き付け部
65 圧縮気体
71 ストリート
83 第1排気部
84 第2排気部
81 第1排気制御部
82 第2排気制御部
α 吹き付け角
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pickup apparatus 11 Control part 13 Wafer sheet 14 Chip 21 Pickup control part 22 Collet 23 Adsorption surface 32 Air guard 61 1st spray control part 62 2nd spray control part 63 1st spray part 64 2nd spray part 65 Compressed gas 71 Street 83 First exhaust part 84 Second exhaust part 81 First exhaust control part 82 Second exhaust control part α Spray angle

Claims (6)

シートに貼着されたチップをコレットでピックアップするピックアップ装置において、
前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付ける吹き付け部を備えたことを特徴とするピックアップ装置。
In the pickup device that picks up the chip attached to the sheet with a collet,
A pick-up apparatus comprising a spraying section for spraying compressed gas to the outer periphery of the chip.
前記吹き付け部は、前記チップを前記コレットに吸着して引き上げる際に、前記チップの外周部に圧縮気体を吹き付けることを特徴とした請求項1記載のピックアップ装置。   The pickup device according to claim 1, wherein the spraying unit sprays compressed gas to an outer peripheral portion of the chip when the chip is attracted to the collet and pulled up. 前記吹き付け部による圧縮気体の吹き付け角度を、前記チップ周縁の斜め上方から該チップの周縁部側へ向けた鋭角に設定したことを特徴とした請求項1又は2記載のピックアップ装置。   3. The pickup device according to claim 1, wherein a blowing angle of the compressed gas by the blowing unit is set to an acute angle from obliquely above the chip periphery toward the periphery of the chip. 前記チップを吸着する前記コレットの吸着面の周縁部に、ピックアップ対象となるチップの厚み寸法より小さな高さ寸法の突起を設けたことを特徴とする請求項1、2又は3記載のピックアップ装置。   4. The pickup device according to claim 1, wherein a protrusion having a height smaller than a thickness of a chip to be picked up is provided on a peripheral portion of the suction surface of the collet that sucks the chip. 前記吹き付け部が前記チップの外周部に吹き付けた前記圧縮気体を吸引して前記シート上から排出する排気部を設けたことを特徴とする請求項1から4にいずれか記載のピックアップ装置。   5. The pickup device according to claim 1, further comprising an exhaust unit that sucks the compressed gas sprayed to the outer peripheral portion of the chip and discharges the compressed gas from the sheet. 前記吹き付け部は、ピックアップ前のチップ上面に圧縮気体を吹き付けることを特徴とした請求項1から5にいずれか記載のピックアップ装置。
The pickup device according to claim 1, wherein the spraying unit sprays compressed gas onto a chip upper surface before picking up.
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