JP2008052212A - Mems光スイッチ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能なMEMS光スイッチ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の分岐手段で分岐された試験光を検出する第1のモニタ手段と、第2の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第2のモニタ手段と、特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して試験光を複数の出力偏向手段に順次入射させ、第1のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して試験光を複数の入力偏向手段に順次入射させ、第2のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有する。
【選択図】図1
【解決手段】第1の分岐手段で分岐された試験光を検出する第1のモニタ手段と、第2の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第2のモニタ手段と、特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して試験光を複数の出力偏向手段に順次入射させ、第1のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して試験光を複数の入力偏向手段に順次入射させ、第2のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)光スイッチ装置に関し、MEMSミラーを用いた光スイッチであるMEMS光スイッチ装置に関する。
大容量光通信網を構築する有力な手段として波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)方式があり、近年、インターネットの爆発的な普及と共に、そのトラフィックが爆発的に増加している。
上述のWDM方式による基幹光ネットワークとしての一般的な光クロスコネクト(OXC:Optical Cross−Connect)システムは、複数の光信号交換装置が光ファイバにより相互に接続されてなるものである。光信号交換装置は、波長多重された光信号が光ファイバを通じて入力されると、波長単位で光信号の方路を切り替えると共に、同一方路の光信号について波長多重して伝送し得るものである。
このような光クロスコネクト装置においては、ある通信ルートをなす光ファイバに障害が発生した場合、即時に予備の光ファイバや別ルートの光ファイバに自動的に迂回してシステムを高速に復旧させることができる他、波長単位での光パスの編集が可能である。
MEMS光スイッチにおいては、機械的に動作するMEMSミラーが光スイッチの構成部品の中で信頼性が最も懸念される部分であり、光通信システムの信頼性を向上させるためにはMEMSミラーの故障検出が不可欠である。
従来のMEMSを用いた光スイッチ装置では、特許文献1に記載のように、カプラを介してすべての入力ポートに光源を接続し、光スイッチのすべての出力ポートの出力レベルをモニタして異常検出を行っている。
また、特許文献2には、入出力ポートにアライメントテスト専用のポートを各1個設け、それを用いてアライメントの代表特性を測定し、その結果により他のミラーの補正を行う点が記載されている。
特開2004−48187号公報
特開2005−57788号公報
従来の特許文献1のMEMS光スイッチ装置では、すべての入力ポートに試験光の光源を接続し、すべての出力ポートの出力レベルをモニタして異常検出を行っているため、試験光の光源の数が多くなってコストが高くなり、装置サイズが大きくなるという問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能なMEMS光スイッチ装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施態様によるMEMS光スイッチ装置は、
複数の入力ポートから入力された光信号をチャネル毎に複数の入力偏向手段及び複数の出力偏向手段で偏向して複数の出力ポートのいずれかから出力するMEMS光スイッチ装置において、
試験光を発生して特定の入力ポートに供給する第1の試験光発生手段と、
前記複数の出力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第1の分岐手段と、
前記第1の分岐手段で分岐された試験光を検出する第1のモニタ手段と、
試験光を発生して特定の出力ポートに供給する第2の試験光発生手段と、
前記複数の入力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第2の分岐手段と、
前記第2の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第2のモニタ手段と、
前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させ、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させ、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有することにより、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能となる。
複数の入力ポートから入力された光信号をチャネル毎に複数の入力偏向手段及び複数の出力偏向手段で偏向して複数の出力ポートのいずれかから出力するMEMS光スイッチ装置において、
試験光を発生して特定の入力ポートに供給する第1の試験光発生手段と、
前記複数の出力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第1の分岐手段と、
前記第1の分岐手段で分岐された試験光を検出する第1のモニタ手段と、
試験光を発生して特定の出力ポートに供給する第2の試験光発生手段と、
前記複数の入力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第2の分岐手段と、
前記第2の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第2のモニタ手段と、
前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させ、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させ、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有することにより、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能となる。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記出力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の出力偏向手段のうち未使用の出力偏向手段に順次入射させ、前記入力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の入力偏向手段のうち未使用の入力偏向手段に順次入射させる構成としても良い。
前記動作確認手段は、前記出力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の出力偏向手段のうち未使用の出力偏向手段に順次入射させ、前記入力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の入力偏向手段のうち未使用の入力偏向手段に順次入射させる構成としても良い。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させたとき、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させたとき、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行うフィードバック制御手段を有する構成としても良い。
前記動作確認手段は、前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させたとき、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させたとき、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行うフィードバック制御手段を有する構成としても良い。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記第1の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する出力偏向手段の故障と判定し、前記第2の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する入力偏向手段の故障と判定する構成としても良い。
前記動作確認手段は、前記第1の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する出力偏向手段の故障と判定し、前記第2の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する入力偏向手段の故障と判定する構成としても良い。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記特定の入力ポートは、複数である構成としても良い。
前記特定の入力ポートは、複数である構成としても良い。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記特定の出力ポートは、複数である構成としても良い。
前記特定の出力ポートは、複数である構成としても良い。
前記MEMS光スイッチ装置において、
前記試験光は、特定の波長である構成としても良い。
前記試験光は、特定の波長である構成としても良い。
本発明によれば、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能となる。
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。
<MEMS光スイッチ装置の構成>
図1は、本発明の一実施形態にかかるMEMS光スイッチ装置の構成図を示す。このMEMS光スイッチ装置は、複数入力ポートからの入力光信号をチャネル毎にスイッチングして、各入力ポートに割り当てられた出力ポートから選択的に出力するものである。ここでは、1つの入力ポートに入力される光信号を単波長または波長多重に拘わらず1チャネルという。
図1は、本発明の一実施形態にかかるMEMS光スイッチ装置の構成図を示す。このMEMS光スイッチ装置は、複数入力ポートからの入力光信号をチャネル毎にスイッチングして、各入力ポートに割り当てられた出力ポートから選択的に出力するものである。ここでは、1つの入力ポートに入力される光信号を単波長または波長多重に拘わらず1チャネルという。
同図中、MEMS光スイッチ装置10は、入力ポートPi#1〜Pi#Nそれぞれの光ファイバからNチャネルの光信号が入力される。これらの光信号は波長フィルタ11−1〜11−Nを通して3次元MEMS光スイッチ光学系12に供給される。さらに、波長フィルタ11−0には試験光源であるレーザダイオード13が発生した例えば波長λ0の試験光が供給されている。
波長フィルタ11−0〜11−Nは、レーザダイオード13乃至入力ポートPi#1〜Pi#Nから供給される光信号を3次元MEMS光スイッチ光学系12のN+1チャネルの入力ポートに供給する。また、3次元MEMS光スイッチ光学系12から供給される光信号のうち波長λ0の試験光を分岐してモニタ回路14に供給する。
3次元MEMS光スイッチ光学系12のN+1チャネルの出力ポートから出力される光信号は波長フィルタ15−0〜15−Nに供給される。波長フィルタ15−0〜15−Nは、3次元MEMS光スイッチ光学系12のN+1チャネルの出力ポートから供給される光信号のうち波長λ0の試験光を分岐してモニタ回路16に供給し、波長λ0以外の光信号をレーザダイオード17乃至出力ポートPo#1〜Po#Nそれぞれの光ファイバに出力する。また、試験光源であるレーザダイオード17が発生した例えば波長λ0の試験光は波長フィルタ15−0を通して3次元MEMS光スイッチ光学系12の出力ポートに供給される。
3次元MEMS光スイッチ光学系12は、図2,図3の構造図に示すように、2次元配列されたN+1チャネル分の入力光ファイバアレイ21、2次元配列されたN+1チャネル分の入力コリメータアレイ22、2次元配列されたN+1チャネル分の入力MEMSミラーアレイ23、折り返しミラー24、2次元配列されたN+1チャネル分の出力MEMSミラーアレイ25、2次元配列されたN+1チャネル分の出力コリメータアレイ26、2次元配列されたN+1チャネル分の出力光ファイバアレイ27から構成されている。
入力光ファイバアレイ21から入力される各チャネルの光信号は入力コリメータアレイ22にて平行光とされて入力MEMSミラーアレイ23に入力される。
入力MEMSミラーアレイ23及び出力MEMSミラーアレイ25は、X軸及びY軸に平行な回動軸を持つN+1個のティルトミラーを平面上に配列したものであり、各ティルトミラーは後述する制御回路30の制御により駆動回路31から駆動され、2軸それぞれの角度を調整されて信号光を反射する。
入力MEMSミラーアレイ23で反射された信号光は、入力MEMSミラーアレイ23の面に対し45度で配置された折り返しミラー24のミラー面24aで反射され、さらに、ミラー面24aに対し90度をなし、かつ、出力MEMSミラーアレイ25の面に対し45度で配置された折り返しミラー24のミラー面24bで反射されて、出力MEMSミラーアレイ25の各MEMSミラーに照射される。そして、各チャネルの信号光は出力MEMSミラーアレイ25で反射されて出力コリメータアレイ26を通して出力光ファイバアレイ27に出力される。
入力MEMSミラーアレイ23のMEMSミラーの角度調整は入射光を出力MEMSミラーアレイ25のどのMEMSミラーに入射するかを決定し、出力MEMSミラーアレイ25のMEMSミラーの角度調整は入射光を出力光ファイバアレイ27のどの光ファイバに出力するかを決定する。
図1に戻って説明するに、制御回路30にはメモリ32が接続されている。メモリ32は、入力光ファイバアレイ21の各チャンネルと出力光ファイバアレイ27の各チャネル出力ポートの交換を行うための偏向制御量(初期値)に関する情報をデータベースとして格納している。また、上位システム33からのパス設定情報を保持し、光スイッチ内のアラーム等のステータス情報も格納する。
波長フィルタ11−0〜11−N,15−0〜15−Nについて説明する。出力ポート側から入力した光は、入力ポートに接続されている波長フィルタ11−0〜11−Nによりモニタ回路14に100%分岐する。
入力ポート側から入力する光は、実運用中の光信号でフィードバック制御を行う必要があるため、試験光の波長λ0と運用される波長が同一帯域の場合には出力ポートから試験光が漏れても問題ないレベルとするため、レーザダイオード13から出力される光レベルは微小なレベルとし、モニタ回路16で増幅する。
一方、入力ポート側から入力される光信号の波長が運用される波長とは別帯域の場合は、出力ポート側に接続される波長フィルタ15−0〜15−Nによりモニタ回路16に100%分岐する。この場合、運用される波長に対しては、波長フィルタは5〜10%程度の分岐比とし、運用される光信号でもフィードバック制御が可能な特性とする。
モニタ回路14,16は、上記の波長フィルタ11−0〜11−N,15−0〜15−Nにより分岐された光信号をそれぞれモニタするもので、例えば各光信号のレベルに応じた電気信号(フォトカレント;電流信号)を出力するフォトダイオードと、フォトカレントを電圧信号に変換して出力する電流/電圧変換器等により構成される。
駆動回路31は、制御回路30からのディジタル制御量を受けて、これをアナログ制御量に変換することにより、入力MEMSミラーアレイ23を構成する各ティルトミラー及び出力MEMSミラーアレイ25を構成する各ティルトミラーの角度を可変制御するものである。すなわち、駆動回路31により、3次元MEMS光スイッチ光学系12の各チャネルの光信号の偏向状態を可変している。
制御回路30は、モニタ回路14,16からのモニタ結果に基づいて、3次元MEMS光スイッチ光学系12における偏向状態を設定すべくドライバを制御するものであり、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrays)等のASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成することができる。
また、上位システム33からパス設定要求があった場合、パス設定要求のパス接続を行うために必要な偏向制御量をメモリ32から読出して駆動回路31を制御する。また、未接続パスについては、レーザダイオード13,17から入力される試験光を用いてパス接続試験を行い、常時3次元MEMS光スイッチ光学系12の動作確認を行い、検出された光レベルに異常がある場合には、上位システム33に異常を通知する。
レーザダイオード13,17は、3次元MEMS光スイッチ光学系12のMEMSミラーの動作確認を行うためのものであるが、試験光を入力する波長フィルタはいずれの波長フィルタでもよい。
3次元MEMS光スイッチ光学系12が冗長構成となっている場合、例えば144チャネル分の入力ポートと出力ポートと入力MEMSミラーアレイ23,出力MEMSミラーアレイ25が配置され、128チャネルの光信号をスイッチングする場合、冗長分の16チャネルを試験ポートとすることができる。そして、冗長分の16チャネルをレーザダイオード13,17に接続して試験光を入力する。
<動作確認方法>
図4は、制御回路30が実行する出力MEMSミラーの動作確認処理のフローチャートを示す。図2にこの出力MEMSミラーの動作確認の様子を示す。図4において、ステップS11でレーザダイオード13に試験光を発光させる。
図4は、制御回路30が実行する出力MEMSミラーの動作確認処理のフローチャートを示す。図2にこの出力MEMSミラーの動作確認の様子を示す。図4において、ステップS11でレーザダイオード13に試験光を発光させる。
次に、ステップS12で制御回路30はメモリ32のパス設定情報を参照して出力MEMSミラーアレイ25内で未使用の出力MEMSミラー(動作未確認のもの)を1つ抽出する。制御回路30は、試験光が入力される入力MEMSミラーアレイ23内の入力MEMSミラー(図2に23aで示す)と、抽出した未使用の出力MEMSミラーとの間で、メモリ32内の偏向制御量情報(初期値)に基づいて偏向制御を行い、その後、入力MEMSミラーと出力MEMSミラーのフィードバック制御を行って、モニタ回路16で検出される試験光の光レベルが最大となる(損失が最小となる)ようにする。
次に、ステップS13でレーザダイオード13の発生する試験光の光レベルと検出された光レベルの差分が許容範囲内であるか否かを判別し、差分が許容範囲内であればステップS14で当該出力MEMSミラーは正常に動作しているとしてメモリ32にステータス情報を書き込み、差分が許容範囲外であれば当該出力MEMSミラーが故障しているとしてメモリ32にステータス情報を書き込む。
この後、出力MEMSミラーアレイ25内で未使用の出力MEMSミラーすべての動作確認が終了したかを判別し、終了していなければステップS12に進んでステップS12〜S16を繰り返す。
図5は、制御回路30が実行する入力MEMSミラーの動作確認処理のフローチャートを示す。図3にこの入力MEMSミラーの動作確認の様子を示す。図5において、ステップS21でレーザダイオード17に試験光を発光させる。
次に、ステップS22で制御回路30はメモリ32のパス設定情報を参照して入力MEMSミラーアレイ23内で未使用の入力MEMSミラー(動作未確認のもの)を1つ抽出する。制御回路30は、試験光が入力される出力MEMSミラーアレイ25内の出力MEMSミラー(図3に25aで示す)と、抽出した未使用の入力MEMSミラーとの間で、メモリ32内の偏向制御量情報(初期値)に基づいて偏向制御を行い、その後、出力MEMSミラーと入力MEMSミラーのフィードバック制御を行って、モニタ回路14で検出される試験光の光レベルが最大となる(損失が最小となる)ようにする。
次に、ステップS23でレーザダイオード17の発生する試験光の光レベルと検出された光レベルの差分が許容範囲内であるか否かを判別し、差分が許容範囲内であればステップS24で当該入力MEMSミラーは正常に動作しているとしてメモリ32にステータス情報を書き込み、差分が許容範囲外であれば当該入力MEMSミラーが故障しているとしてメモリ32にステータス情報を書き込む。
この後、入力MEMSミラーアレイ23内で未使用の入力MEMSミラーすべての動作確認が終了したかを判別し、終了していなければステップS22に進んでステップS22〜S26を繰り返す。
なお、入力ミラー入力MEMSミラーアレイ23と出力MEMSミラーアレイ25の動作確認は、並行して同時に行うことも可能であり、上記の動作確認は常時行うことができる。
このように、ステップS12,S22では未使用のMEMSミラーを抽出しているため、運用状態で入力ミラー入力MEMSミラーアレイ23と出力MEMSミラーアレイ25の動作確認を行うことができる。なお、使用中のMEMSミラーについては必ず信号光が入射されているため、モニタ回路14,16で検出される光レベルが所定の閾値以下であれば故障と判断することができる。
<フィードバック制御>
図6は、制御回路30が実行する任意の出力MEMSミラーまたは入力MEMSミラーのフィードバック制御のフローチャートを示す。同図中、ステップS31でメモリ32から読み出した当該MEMSミラーの偏向制御量(初期値)を駆動回路31に供給して当該MEMSミラーを駆動する。
図6は、制御回路30が実行する任意の出力MEMSミラーまたは入力MEMSミラーのフィードバック制御のフローチャートを示す。同図中、ステップS31でメモリ32から読み出した当該MEMSミラーの偏向制御量(初期値)を駆動回路31に供給して当該MEMSミラーを駆動する。
次に、ステップS32で偏向制御量を微小量dだけ増加させてMEMSミラーを駆動し、ステップS33でモニタ回路16またはモニタ回路14でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別する。
ここで、光レベルが増大した場合は、ステップS34において偏向制御量をさらに微小量dだけ増加させてMEMSミラーを駆動し、ステップS35でモニタ回路16またはモニタ回路14でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別し、光レベルが増大した場合はステップS34に進んでステップS34,S35を繰返し、光レベルが増大しない場合はこの処理を終了する。
一方、光レベルが増大しない場合は、ステップS36において偏向制御量をさらに微小量dだけ減少させてMEMSミラーを駆動し、ステップS37でモニタ回路16またはモニタ回路14でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別し、光レベルが増大した場合はステップS36に進んでステップS34,S35を繰返し、光レベルが増大しない場合はこの処理を終了する。
このように、本実施形態にかかる光スイッチ構成及び故障検出制御方式を用いると、すべてのポートに光源を接続しなくてもMEMSミラーの故障検出を行うことが可能となるため、光通信システムの信頼性向上を図ると共に、光スイッチの低コスト化、小型化を実現することが可能となる。
なお、レーザダイオード13が請求項記載の第1の試験光発生手段に相当し、レーザダイオード17が第2の試験光発生手段に相当し、波長フィルタ15−0〜15−Nが第1の分岐手段に相当し、波長フィルタ11−0〜11−Nが第2の分岐手段に相当し、モニタ回路16が第1のモニタ手段に相当し、モニタ回路14が第2のモニタ手段に相当し、制御回路30が動作確認手段に相当し、ステップS31〜37がフィードバック制御手段に相当する。
10 MEMS光スイッチ装置
11−0〜11−N,15−0〜15−N 波長フィルタ
12 3次元MEMS光スイッチ光学系
13,17 レーザダイオード
14,16 モニタ回路
21 入力光ファイバアレイ
22 入力コリメータアレイ
23 入力MEMSミラーアレイ
24 折り返しミラー
25 出力MEMSミラーアレイ
26 出力コリメータアレイ
27 出力光ファイバアレイ
30 制御回路
31 駆動回路
32 メモリ
33 上位システム
Pi#1〜Pi#N 入力ポート
11−0〜11−N,15−0〜15−N 波長フィルタ
12 3次元MEMS光スイッチ光学系
13,17 レーザダイオード
14,16 モニタ回路
21 入力光ファイバアレイ
22 入力コリメータアレイ
23 入力MEMSミラーアレイ
24 折り返しミラー
25 出力MEMSミラーアレイ
26 出力コリメータアレイ
27 出力光ファイバアレイ
30 制御回路
31 駆動回路
32 メモリ
33 上位システム
Pi#1〜Pi#N 入力ポート
Claims (7)
- 複数の入力ポートから入力された光信号をチャネル毎に複数の入力偏向手段及び複数の出力偏向手段で偏向して複数の出力ポートのいずれかから出力するMEMS光スイッチ装置において、
試験光を発生して特定の入力ポートに供給する第1の試験光発生手段と、
前記複数の出力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第1の分岐手段と、
前記第1の分岐手段で分岐された試験光を検出する第1のモニタ手段と、
試験光を発生して特定の出力ポートに供給する第2の試験光発生手段と、
前記複数の入力ポートそれぞれに設けられ前記MEMS光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第2の分岐手段と、
前記第2の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第2のモニタ手段と、
前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させ、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させ、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を
有することを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記出力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の出力偏向手段のうち未使用の出力偏向手段に順次入射させ、前記入力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の入力偏向手段のうち未使用の入力偏向手段に順次入射させることを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1または2記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させたとき、前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させたとき、前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行うフィードバック制御手段を
有することを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記第1の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第1のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する出力偏向手段の故障と判定し、前記第2の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第2のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する入力偏向手段の故障と判定することを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記特定の入力ポートは、複数であることを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記特定の出力ポートは、複数であることを特徴とするMEMS光スイッチ装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項記載のMEMS光スイッチ装置において、
前記試験光は、特定の波長であることを特徴とするMEMS光スイッチ装置。
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US20080050064A1 (en) | 2008-02-28 |
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