JP2008046461A - 集積回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路面積の縮小化を実現できる集積回路装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】集積回路装置は第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNを含み、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNは、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックDB1、DB2と、複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックGBと、階調電圧を調整するための階調調整データを階調電圧生成回路ブロックGBに転送するロジック回路ブロックLBを含む。データドライバブロックDB1、DB2は、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBの間に配置される。
【選択図】図8
【解決手段】集積回路装置は第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNを含み、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNは、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックDB1、DB2と、複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックGBと、階調電圧を調整するための階調調整データを階調電圧生成回路ブロックGBに転送するロジック回路ブロックLBを含む。データドライバブロックDB1、DB2は、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBの間に配置される。
【選択図】図8
Description
本発明は、集積回路装置及び電子機器に関する。
液晶パネルなどの表示パネルを駆動する集積回路装置として表示ドライバ(LCDドライバ)がある。この表示ドライバでは、低コスト化のためにチップサイズの縮小が要求される。
しかしながら、携帯電話機などに組み込まれる表示パネルの大きさはほぼ一定である。従って、微細プロセスを採用し、表示ドライバの集積回路装置を単純にシュリンクしてチップサイズを縮小しようとすると、実装が困難になるなどの問題を招く。
特開2001−222249号公報
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路面積の縮小を実現できる集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供することにある。
本発明は、集積回路装置の短辺である第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とし、集積回路装置の長辺である第2の辺から対向する第4の辺へと向かう方向を第2の方向とした場合に、前記第1の方向に沿って配置される第1〜第Nの回路ブロック(Nは2以上の整数)を含み、前記第1〜第Nの回路ブロックは、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックと、複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、階調電圧を調整するための階調調整データを前記階調電圧生成回路ブロックに転送するロジック回路ブロックとを含み、前記データドライバブロックは、前記階調電圧生成回路ブロックと前記ロジック回路ブロックの間に配置される集積回路装置に関係する。
本発明によれば、第1〜第Nの回路ブロックが第1の方向に沿って配置されるため、集積回路装置の第2の方向での幅を小さくすることが可能になり、集積回路装置の小面積化を図れる。そして本発明ではデータドライバブロックが、階調電圧生成回路ブロックとロジック回路ブロックとの間に配置される。従って、階調電圧生成回路ブロックやロジック回路ブロックの第2の方向側等での空きスペースを利用した配線やトランジスタ配置が可能になり、配線・配置効率を向上できる。またデータドライバブロックを集積回路装置の中央付近に集中して配置できるようになるため、データドライバブロックからのデータ信号の出力線等を、効率良くシンプルに配線できる。これにより、集積回路装置の第2の方向での幅を小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を提供できる。
また本発明では、前記ロジック回路ブロックは、前記階調調整データを、nビット(nは自然数)の階調用転送線を介して時分割で前記階調電圧生成回路ブロックに転送するようにしてもよい。
このようにすれば、階調調整データのデータ量が多い場合にも、階調用転送線を介して階調調整データをnビットずつ時分割に転送できる。従って、階調用転送線の本数を少なくすることが可能になり、第1の方向に沿った信号線の配線効率を向上できる。
また本発明では、階調電圧生成回路ブロックは、前記階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、前記ロジック回路ブロックは、前記階調レジスタ部のレジスタアドレスを指定するためのアドレス信号と、指定されたレジスタアドレスに書き込まれる階調調整データを転送するためのデータ信号を、前記階調用転送線を介して前記階調電圧生成回路ブロックに出力するようにしてもよい。
このようにすれば、階調用転送線を介して出力されるアドレス信号とデータ信号を用いて、階調レジスタ部のレジスタに対して階調調整データを効率良く書き込むことが可能になる。
また本発明では、前記ロジック回路ブロックは、有効なデータ信号が出力されるデータ有効期間以外の期間において、第1のビットパターンのアドレス信号を出力し、前記階調レジスタ部のレジスタマップでは、前記第1のビットパターンのアドレス信号に対応するレジスタアドレス以外のレジスタアドレスに対して、前記階調調整データが書き込まれるレジスタがマッピングされていてもよい。
このようにすれば、第1のビットパターンのアドレス信号に対応するレジスタアドレスには、階調調整データが書き込まれるレジスタがマッピングされないようになる。従って、静電気放電等を原因とするノイズが乗った場合にも、不具合の発生を効果的に防止できる。
また本発明では、前記ロジック回路ブロックは、前記データ信号を取り込むためのラッチ信号を前記階調電圧生成回路ブロックに出力し、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記ロジック回路ブロックからのアドレス信号をデコードし、アドレス信号に対応するレジスタアドレス信号を出力するアドレスデコーダを含み、前記階調電圧生成回路ブロックの前記階調レジスタ部では、前記ロジック回路ブロックからのラッチ信号に基づいて、前記アドレスデコーダからのレジスタアドレス信号がアクティブとなっているレジスタに対して、前記階調調整データが書き込まれるようにしてもよい。
このようにすれば、ロジック回路ブロックからのアドレス信号が第1のビットパターンのアドレス信号である場合には、アクティブのレジスタアドレス信号がレジスタ部に出力されないようになるため、誤った階調調整データがレジスタに書き込まれるのを防止できる。
また本発明では、前記第1〜第Nの回路ブロックのうちの隣接する回路ブロック間では、第I(Iは3以上の整数)の層よりも下層の配線層で形成されるローカル線が配線され、前記第1〜第Nの回路ブロックのうちの隣接しない回路ブロック間では、前記第Iの層以上の配線層で形成されるグローバル線が、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上を前記第1の方向に沿って配線され、前記階調用転送線が、前記グローバル線により前記データドライバブロック上を前記第1の方向に沿って配線されるようにしてもよい。
このようにすれば、隣接する回路ブロック間では、下層の配線層で形成されるローカル線が配線される。従って、隣接する回路ブロック間がショートパスで接続されるようになり、配線領域を原因とするチップ面積の増加を防止できる。また、隣接しない回路ブロック間では、上層の配線層で形成されるグローバル線が配線される。従って、ローカル線の配線本数が多い場合にも、これらのローカル線上に階調用転送線などのグローバル線を配線できるようになり、配線効率を向上できる。
また本発明では、前記第1〜第Nの回路ブロックは、走査線を駆動するための第1の走査ドライバブロックを含み、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記第1の走査ドライバブロックと前記データドライバブロックとの間に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、例えば階調電圧生成回路ブロックの第2の方向側での空きスペースの有効活用が可能になる。
また本発明では、前記第1の走査ドライバブロックの出力線と前記走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、前記階調電圧生成回路ブロックの前記第2の方向側に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、階調電圧生成回路ブロックの第2の方向側の空きスペースを有効活用して、走査ドライバ用パッドを配置できるため、レイアウト効率を向上できる。
また本発明では、前記第1〜第Nの回路ブロックは、走査線を駆動するための第2の走査ドライバブロックを含み、前記ロジック回路ブロックは、前記第2の走査ドライバブロックと前記データドライバブロックの間に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、例えばロジック回路ブロックの第2の方向側での空きスペースの有効活用が可能になる。
また本発明では、前記第2の走査ドライバブロックの出力線と前記走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、前記ロジック回路ブロックの前記第2の方向側に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、ロジック回路ブロックの第2の方向側の空きスペースを有効活用して、走査ドライバ用パッドを配置できるため、レイアウト効率を向上できる。
また本発明では、前記階調電圧生成回路ブロックは、高電位側電源と低電位側電源の間を抵抗分割し、複数の抵抗分割ノードの各抵抗分割ノードに複数の階調電圧の各階調電圧を出力するラダー抵抗回路と、前記階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部と、前記階調調整データに基づいて、前記抵抗分割ノードに出力される階調電圧を可変に設定する階調電圧設定回路とを含み、前記階調レジスタ部の前記第2の方向側に前記階調電圧設定回路が配置され、前記階調電圧設定回路の前記第2の方向側に前記ラダー抵抗回路が配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、階調レジスタ部からの階調調整データに基づいて、階調電圧設定回路が、ラダー抵抗回路の可変抵抗回路の抵抗値を制御して、階調特性を設定できるようになる。従って、信号の流れに沿って階調レジスタ部、階調電圧設定回路、ラダー抵抗回路が配置されるようになり、レイアウト効率を向上できる。
また本発明では、前記第1〜第Nの回路ブロックは、電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記電源回路ブロックと前記データドライバブロックの間に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、電源回路ブロックで生成された電源電圧に基づいて、階調電圧生成回路ブロックが階調電圧を生成し、階調電圧生成回路ブロックからの階調電圧に基づいて、データドライバブロックが動作するようになる。従って、信号の流れに沿って電源回路ブロック、階調電圧生成回路ブロック、データドライバブロックが配置されるようになり、レイアウト効率を向上できる。
また本発明では、前記電源回路ブロックは、チャージポンプにより電圧の昇圧を行う昇圧回路により昇圧された電圧を調整するレギュレータを含み、前記第2の方向の反対方向を第4の方向とした場合に、前記レギュレータは、前記ラダー抵抗回路の第4の方向側に配置されるようにしてもよい。
このようにすれば、レギュレータで調整された電圧をショートパスでラダー抵抗回路に供給できるようになり、配線効率を向上できる。
また本発明では、前記階調電圧生成回路ブロックは、少なくとも第1、第2、第3の色成分用の階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、前記データドライバブロックは、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器を含み、第1の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第1の色成分用の階調調整データに基づき設定された第1の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第1の色成分用の階調電圧に基づいて、第1の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、第2の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第2の色成分用の階調調整データに基づき設定された第2の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第2の色成分用の階調電圧に基づいて、第2の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、第3の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第3の色成分用の階調調整データに基づき設定された第3の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第3の色成分用の階調電圧に基づいて、第3の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行うようにしてもよい。
このようにすれば、第1、第2、第3の色成分用の階調調整データに基づいて、第1、第2、第3の色成分毎に異なる階調特性を設定できるため、表示品質を向上できる。また第1、第2、第3の色成分用の階調電圧を、階調電圧生成回路ブロックからデータドライバブロックに対して、時分割に供給できるため、階調電圧の供給線の本数を節約でき、集積回路装置の小面積化を図れる。
また本発明は、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックと、複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、階調電圧を調整するための階調調整データを前記階調電圧生成回路ブロックに転送するロジック回路ブロックとを含み、前記ロジック回路ブロックは、第1、第2、第3の色成分用の階調調整データを、nビット(nは自然数)の階調用転送線を介して時分割で前記階調電圧生成回路ブロックに転送し、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調用転送線を介して転送された前記第1、第2、第3の色成分用の階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、前記データドライバブロックは、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器を含み、第1の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第1の色成分用の階調調整データに基づき設定された第1の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第1の色成分用の階調電圧に基づいて、第1の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、第2の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第2の色成分用の階調調整データに基づき設定された第2の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第2の色成分用の階調電圧に基づいて、第2の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、第3の期間では、前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第3の色成分用の階調調整データに基づき設定された第3の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第3の色成分用の階調電圧に基づいて、第3の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行う集積回路装置に関係する。
本発明によれば、第1、第2、第3の色成分用の階調調整データに基づいて、第1、第2、第3の色成分毎に異なる階調特性を設定できるため、表示品質を向上できる。そして、第1、第2、第3の色成分用の階調調整データのデータ量が多い場合にも、階調用転送線を介して階調調整データをnビットずつ時分割に転送できるため、階調用転送線の本数を少なくすることが可能になり、第1の方向に沿った信号線の配線効率を向上できる。更に本発明によれば、第1、第2、第3の色成分用の階調電圧を、階調電圧生成回路ブロックからデータドライバブロックに対して、時分割に供給できるため、階調電圧の供給線の本数を節約でき、集積回路装置の小面積化を図れる。
また本発明では、前記階調用転送線が、前記ロジック回路ブロックから前記階調電圧生成回路ブロックに対して前記データドライバブロック上に配線されるようにしてもよい。
また本発明では、前記データドライバブロックは、少なくとも1画素分の画像データをラッチするラッチ回路と、前記ラッチ回路にラッチされた画像データを受け、サブピクセルの画像データを時分割で多重化して出力するマルチプレクサと、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行う前記D/A変換器を含むようにしてもよい。
このようなラッチ回路を設ければ、例えば1水平走査期間などの所定期間の間、画像データを保持しておくことができるため、処理を簡素化できる。またこのようなマルチプレクサを設ければ、サブピクセルの画像データの多重化が可能になる。
また本発明は、上記のいずれかに記載の集積回路装置と、前記集積回路装置により駆動される表示パネルとを含む電子機器に関係する。
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
1.集積回路装置の回路構成例
図1に本実施形態の集積回路装置(表示ドライバ)の回路構成の一例を示す。なお本実施形態の集積回路装置は図1の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
図1に本実施形態の集積回路装置(表示ドライバ)の回路構成の一例を示す。なお本実施形態の集積回路装置は図1の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
表示パネルは、複数のデータ線(ソース線)と、複数の走査線(ゲート線)と、データ線及び走査線により特定される複数の画素を有する。そして各画素領域における電気光学素子(狭義には、液晶素子)の光学特性を変化させることで、表示動作を実現する。この表示パネルは、TFT、TFDなどのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式のパネルにより構成できる。なお表示パネルは、アクティブマトリクス方式以外のパネルであってもよいし、液晶パネル以外のパネル(有機ELパネル等)であってもよい。
メモリ20(表示データRAM)は画像データを記憶する。メモリセルアレイ22は複数のメモリセルを含み、少なくとも1フレーム(1画面)分の画像データ(表示データ)を記憶する。ローアドレスデコーダ24(MPU/LCDローアドレスデコーダ)はローアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のワード線の選択処理を行う。カラムアドレスデコーダ26(MPUカラムアドレスデコーダ)はカラムアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のビット線の選択処理を行う。ライト/リード回路28(MPUライト/リード回路)はメモリセルアレイ22への画像データのライト処理や、メモリセルアレイ22からの画像データのリード処理を行う。
ロジック回路40(ドライバ用ロジック回路)は、表示タイミングを制御するための制御信号やデータ処理タイミングを制御するための制御信号などを生成する。このロジック回路40は例えばゲートアレイ(G/A)などの自動配置配線により形成できる。
制御回路42は各種制御信号を生成したり、装置全体の制御を行う。具体的には階調電圧生成回路110に対して、階調特性(γ特性)を調整するための階調調整データ(γ補正データ)を出力したり、電源回路90に対して、電源電圧を調整するための電源調整データを出力する。またローアドレスデコーダ24、カラムアドレスデコーダ26、ライト/リード回路28を用いたメモリへのライト/リード処理を制御する。表示タイミング制御回路44は表示タイミングを制御するための各種の制御信号を生成し、メモリ20から表示パネル側への画像データの読み出しを制御する。ホスト(MPU)インターフェース回路46は、ホストからのアクセス毎に内部パルスを発生してメモリ20にアクセスするホストインターフェースを実現する。RGBインターフェース回路48は、ドットクロックにより動画のRGBデータをメモリ20に書き込むRGBインターフェースを実現する。なおホストインターフェース回路46、RGBインターフェース回路48のいずれか一方のみを設ける構成としてもよい。
データドライバ50は、表示パネルのデータ線を駆動するためのデータ信号を生成する回路である。具体的にはデータドライバ50は、メモリ20から画像データ(階調データ)を受け、階調電圧生成回路110から複数(例えば256段階)の階調電圧(基準電圧)を受ける。そして、これらの複数の階調電圧の中から、画像データに対応する電圧を選択して、データ信号(データ電圧)として表示パネルのデータ線に出力する。
走査ドライバ70は表示パネルの走査線を駆動するための走査信号を生成する回路である。具体的には、内蔵するシフトレジスタにおいて信号(イネーブル入出力信号)を順次シフトし、このシフトされた信号をレベル変換した信号を、走査信号(走査電圧)として表示パネルの各走査線に出力する。なお走査ドライバ70に、走査アドレス生成回路やアドレスデコーダを含ませ、走査アドレス生成回路が走査アドレスを生成して出力し、アドレスデコーダが走査アドレスのデコード処理を行うことで、走査信号を生成してもよい。
電源回路90は各種の電源電圧を生成する回路である。具体的には、入力電源電圧や内部電源電圧を、内蔵する昇圧回路が含む昇圧用キャパシタや昇圧トランジスタを用いてチャージポンプ方式で昇圧する。そして昇圧により得られた電圧を、データドライバ50、走査ドライバ70、階調電圧生成回路110などに供給する。
階調電圧生成回路(γ補正回路)110は階調電圧を生成してデータドライバ50に供給する回路である。具体的には階調電圧生成回路110は、高電位側電源と低電位側電源の間を抵抗分割し、抵抗分割ノードに階調電圧を出力するラダー抵抗回路を含むことができる。また階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部や、書き込まれた階調調整データに基づいて、抵抗分割ノードに出力される階調電圧を可変に設定(制御)する階調電圧設定回路などを含むことができる。
2.細長の集積回路装置
図2に集積回路装置10の配置例を示す。図2では、集積回路装置10の短辺である第1の辺SD1から対向する第3の辺SD3へと向かう方向を第1の方向D1とし、D1の反対方向を第3の方向D3としている。また集積回路装置10の長辺である第2の辺SD2から対向する第4の辺SD4へと向かう方向を第2の方向D2とし、D2の反対方向を第4の方向D4としている。なお、図2では集積回路装置10の左辺が第1の辺SD1で、右辺が第3の辺SD3になっているが、左辺が第3の辺SD3で、右辺が第1の辺SD1であってもよい。
図2に集積回路装置10の配置例を示す。図2では、集積回路装置10の短辺である第1の辺SD1から対向する第3の辺SD3へと向かう方向を第1の方向D1とし、D1の反対方向を第3の方向D3としている。また集積回路装置10の長辺である第2の辺SD2から対向する第4の辺SD4へと向かう方向を第2の方向D2とし、D2の反対方向を第4の方向D4としている。なお、図2では集積回路装置10の左辺が第1の辺SD1で、右辺が第3の辺SD3になっているが、左辺が第3の辺SD3で、右辺が第1の辺SD1であってもよい。
集積回路装置10は、D1方向に沿って配置される第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBN(Nは2以上の整数)を含む。また集積回路装置10は、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのD2方向側に辺SD4に沿って設けられる出力側I/F領域12(広義には第1のインターフェース領域)を含む。また第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのD4方向側に辺SD2に沿って設けられる入力側I/F領域14(広義には第2のインターフェース領域)を含む。より具体的には、出力側I/F領域12は、回路ブロックCB1〜CBNのD2方向側に、例えば他の回路ブロック等を介さずに配置される。なお集積回路装置10をIP(Intellectual Property)コアとして用いて他の集積回路装置に組み込む場合等には、出力側I/F領域、入力側I/F領域(第1、第2のI/O領域)12、14の少なくとも一方を設けない構成とすることもできる。
出力側(表示パネル側)I/F領域12は、表示パネルとのインターフェースとなる領域であり、パッドや、パッドに接続される出力用トランジスタ、保護素子などの種々の素子を含むことができる。具体的には、データ線へのデータ信号や走査線への走査信号を出力するための出力用トランジスタなどを含むことができる。なお表示パネルがタッチパネルである場合等には、入力用トランジスタを含んでもよい。
入力側(ホスト側)I/F領域14は、ホスト(MPU、画像処理コントローラ、ベースバンドエンジン)とのインターフェースとなる領域であり、パッドや、パッドに接続される入力用(入出力用)トランジスタ、出力用トランジスタ、保護素子などの種々の素子を含むことができる。具体的には、ホストからの信号(デジタル信号)を入力するための入力用トランジスタやホストへの信号を出力するための出力用トランジスタなどを含むことができる。
なお、短辺である辺SD1、SD3に沿った出力側I/F領域や入力側I/F領域を設けるようにしてもよい。また外部接続端子となるバンプ等は、I/F(インターフェース)領域12、14に設けてもよいし、それ以外の領域(第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBN)に設けてもよい。I/F領域12、14以外の領域に設ける場合には、金バンプ以外の小型バンプ技術(樹脂をコアとするバンプ技術など)を用いることで実現される。
また第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNは、少なくとも2つ(或いは3つ)の異なる回路ブロック(異なる機能を持つ回路ブロック)を含むことができる。集積回路装置10が表示ドライバである場合を例にとれば、回路ブロックCB1〜CBNは、データドライバ、メモリ、走査ドライバ、ロジック回路、階調電圧生成回路、電源回路のブロックの少なくとも2つを含むことができる。更に具体的には回路ブロックCB1〜CBNは、少なくともデータドライバ、ロジック回路のブロックを含むことができ、更に階調電圧生成回路のブロックを含むことができる。またメモリ内蔵タイプの場合にはメモリのブロックを含むことができる。
図3(A)、図3(B)に集積回路装置10の平面レイアウトの詳細例を示す。図3(A)、図3(B)において、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNは、第1〜第4のメモリブロックMB1〜MB4(広義には第1〜第Iのメモリブロック。Iは2以上の整数)を含む。また第1〜第4のメモリブロックMB1〜MB4の各々に対して、D1方向に沿ってその各々が隣接して配置される第1〜第4のデータドライバブロックDB1〜DB4(広義には第1〜第Iのデータドライバブロック)を含む。具体的にはメモリブロックMB1とデータドライバブロックDB1がD1方向に沿って隣接して配置され、メモリブロックMB2とデータドライバブロックDB2がD1方向に沿って隣接して配置される。そしてデータドライバブロックDB1がデータ線を駆動するために用いる画像データ(表示データ)は、隣接するメモリブロックMB1が記憶し、データドライバブロックDB2がデータ線を駆動するために用いる画像データは、隣接するメモリブロックMB2が記憶する。
また図3(A)、図3(B)では、集積回路装置10の両端に走査ドライバブロックSB1、SB2が配置される。なお、これらの走査ドライバブロックSB1、SB2の一方のみを設けたり、SB1、SB2を設けない変形実施も可能である。
そして図3(A)では、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBとの間にデータドライバブロックDB1〜DB4(メモリブロックMB1〜MB4)が配置される。また電源回路ブロックPB2(PB1)とデータドライバブロックDB1〜DB4(メモリブロックMB1〜MB4)との間に階調電圧生成回路ブロックGBが配置される。
一方、図3(B)では、細長の第1の電源回路ブロックPB1が、回路ブロックCB1〜CBN(データドライバブロックDB1〜DB4)と入力側I/F領域14(第2のインターフェース領域)との間に、D1方向に沿って配置される。この電源回路ブロックPB1は、D1方向を長辺とし、D2方向を短辺とし、D2方向での幅が極めて狭い回路ブロック(WB以下の幅の細長回路ブロック)である。電源回路ブロックPB1は、チャージポンプにより電圧の昇圧を行う昇圧回路の昇圧トランジスタや、昇圧制御回路などを含むことができる。
また図3(A)、図3(B)において第2の電源回路ブロックPB2は、電源電圧を調整するための電源調整データが書き込まれる電源レジスタ部や、チャージポンプにより電圧の昇圧を行う昇圧回路により昇圧された電圧を調整するレギュレータなどを含むことができる。
図3(B)では、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBは隣接しておらず、GBとLBの間にデータドライバブロックDB1〜DB4(メモリブロックMB1〜MB4)が配置される。また電源回路ブロックPB2とロジック回路ブロックLBの間にデータドライバブロックDB1〜DB4(メモリブロックMB1〜MB4)が配置される。そして電源回路ブロックPB2とデータドライバブロックDB1〜DB4の間に階調電圧生成回路ブロックGBが配置される。なお階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBをD1方向に沿って隣接させる変形実施も可能である。
なお本実施形態の集積回路装置10のレイアウト配置は図3(A)、図3(B)に限定されない。例えばメモリブロックやデータドライバブロックのブロック数を2、3或いは5以上にしてもよいし、メモリブロックやデータドライバブロックをブロック分割しない構成にしてもよい。またメモリブロックとデータドライバブロックが隣接しないようにする変形実施も可能である。またメモリブロック、走査ドライバブロック、電源回路ブロック又は階調電圧生成回路ブロックなどを設けない構成としてもよい。例えばメモリ非内蔵の場合にはメモリブロックを省略でき、表示パネルのガラス基板に走査ドライバを形成できる場合には、走査ドライバブロックを省略できる。またCSTN(Color Super Twisted Nematic)パネル、TFD(Thin Film Diode)パネル用では、階調電圧生成回路ブロックを省略できる。また回路ブロックCB1〜CBNと出力側I/F領域12や入力側I/F領域14の間に、D2方向での幅が極めて狭い回路ブロック(WB以下の細長回路ブロック)を設けてもよい。また回路ブロックCB1〜CBNが、異なる回路ブロックがD2方向に多段に並んだ回路ブロックを含んでもよい。例えば走査ドライバ回路と電源回路を1つの回路ブロックとした構成としてもよい。
図4(A)に、集積回路装置10のD2方向に沿った断面図の例を示す。ここでW1、WB、W2は、各々、出力側I/F領域12、回路ブロックCB1〜CBN、入力側I/F領域14のD2方向での幅である。この幅W1、WB、W2は、各々、出力側I/F領域12、回路ブロックCB1〜CBN、入力側I/F領域14のトランジスタ形成領域(バルク領域、アクティブ領域)の幅(最大幅)であり、バンプの形成領域は含まない。またWは集積回路装置10のD2方向での幅である。この場合に、例えばW1+WB+W2≦W<W1+2×WB+W2の関係が成り立つ。或いは、W1+W2<WBが成り立つため、W<2×WBの関係が成り立つ。
図4(B)の配置手法では、D2方向での幅が広い2以上の複数の回路ブロックがD2方向に沿って配置される。具体的にはデータドライバブロックとメモリブロックがD2方向に沿って配置される。
例えば図4(B)においてホスト側からの画像データはメモリブロックに書き込まれる。そしてデータドライバブロックは、メモリブロックに書き込まれたデジタルの画像データをアナログのデータ電圧に変換して、表示パネルのデータ線を駆動する。従って画像データの信号の流れはD2方向である。このため図4(B)では、この信号の流れに合わせて、メモリブロックとデータドライバブロックをD2方向に沿って配置している。
ここで、図4(B)の配置手法には以下のような課題がある。
第1に、表示ドライバなどの集積回路装置では、低コスト化のためにチップサイズの縮小が要求される。ところが、微細プロセスを採用し、集積回路装置を単純にシュリンクしてチップサイズを縮小すると、短辺方向のみならず長辺方向も縮小されてしまい、狭ピッチのために実装が困難になる。
第2に、表示ドライバでは、表示パネルの種類(アモルファスTFT、低温ポリシリコンTFT)や画素数(QCIF、QVGA、VGA)や製品の仕様などに応じて、メモリやデータドライバの構成が変わる。従って図4(B)の配置手法では、ある製品ではパッドピッチとメモリのセルピッチとデータドライバのセルピチが一致していたとしても、メモリやデータドライバの構成が変わると、これらのピッチが一致しなくなる。ピッチが一致しなくなると、回路ブロック間に、ピッチの不一致を吸収するための無駄な配線領域を形成しなければならなくなる。この結果、集積回路装置のD2方向での幅が大きくなり、チップ面積が増加し、コスト増を招く。一方、このような事態を避けるために、パッドピッチとセルピッチが揃うようにメモリやデータドライバのレイアウトを変更すると、開発期間が長期化し、結局、コスト増を招く。
これに対して図2〜図3(B)の配置手法では複数の回路ブロックCB1〜CBNがD1方向に沿って配置される。また図4(A)では、パッド(バンプ)の下にトランジスタ(回路素子)を配置できる(能動面バンプ)。また回路ブロック内の配線であるローカル配線よりも上層(パッドよりも下層)で形成されるグローバル配線により、回路ブロック間や、回路ブロックとI/F領域間等での信号線を形成できる。従って、集積回路装置10のD1方向での長さを維持したままで、D2方向での幅Wを狭くでき、スリムな細長チップを実現できる。
また図2〜図3(B)の配置手法では回路ブロックCB1〜CBNがD1方向に沿って配置されるため、製品の仕様変更等に容易に対応できる。即ち共通のプラットフォームを用いて様々な仕様の製品を設計できるため、設計効率を向上できる。例えば、表示パネルの画素数や階調数が増減した場合にも、メモリブロックやデータドライバブロックのブロック数や、1水平走査期間での画像データの読み出し回数等を増減するだけで対応できる。また、例えば低温ポリシリコンTFTパネルのように走査ドライバを表示パネル側に形成できる場合等には、回路ブロックCB1〜CBNの中から走査ドライバブロックを取り除くだけで済む。またメモリ非内蔵の製品を開発する場合には、メモリブロックを取り除けば済む。そしてこのように仕様に合わせて回路ブロックを取り除いても、それが他の回路ブロックに及ぼす影響が最小限に抑えられるため、設計効率を向上できる。
また図2〜図3(B)の配置手法では、各回路ブロックCB1〜CBNのD2方向での幅(高さ)を、例えばデータドライバブロックやメモリブロックの幅(高さ)に統一できる。そして各回路ブロックのトランジスタ数が増減した場合には、各回路ブロックのD1方向での長さを増減することで調整できるため、設計を更に効率化できる。例えば、階調電圧生成回路ブロックやロジック回路ブロックの構成が変更になり、トランジスタ数が増減した場合にも、階調電圧生成回路ブロックやロジック回路ブロックのD1方向での長さを増減することで対応できる。
3.階調電圧生成回路
図5に階調電圧生成回路の構成例を示す。この階調電圧生成回路は、ラダー抵抗回路120、階調電圧設定回路130、制御回路140を含む。
図5に階調電圧生成回路の構成例を示す。この階調電圧生成回路は、ラダー抵抗回路120、階調電圧設定回路130、制御回路140を含む。
ここでラダー抵抗回路120は、高電位側電源(電源電圧)VDDRHと低電位側電源(電源電圧)VDDRLの間を抵抗分割し、複数の抵抗分割ノードRT0〜RT255の各抵抗分割ノードに複数の階調電圧V0〜V255の各階調電圧を出力する。
制御回路140は、階調レジスタ部142、アドレスデコーダ144を含む。階調レジスタ部142には、ロジック回路(ロジック回路ブロック)からの階調調整データ(階調特性を調整するためのデータ)が書き込まれる。アドレスデコーダ144は、ロジック回路からのアドレス信号をデコードし、アドレス信号に対応するレジスタアドレス信号を出力する。階調レジスタ部142では、ロジック回路からのラッチ信号に基づいて、アドレスデコーダ144からのレジスタアドレス信号がアクティブとなっているレジスタに対して、階調調整データが書き込まれる。
階調電圧設定回路130(階調セレクタ)は、階調レジスタ部142に書き込まれた階調調整データに基づいて、抵抗分割ノードRT0〜RT255に出力される階調電圧を可変に設定(制御)する。具体的には例えば、ラダー抵抗回路120が含む複数の可変抵抗回路の抵抗値を可変に制御することで、階調電圧を可変に設定する。
なお階調電圧生成回路は図5の構成に限定されず、種々の変形実施が可能であり、図5の構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加してもよい。例えば正極性用のラダー抵抗回路と負極性用のラダー抵抗回路を設けたり、階調電圧信号のインピーダンス変換を行う回路(ボルテージフォロワ接続のオペアンプ)を設けてもよい。或いは、階調電圧生成回路に選択用電圧生成回路と階調電圧選択回路を含ませてもよい。この場合には、選択用電圧生成回路が含むラダー抵抗回路により分割した電圧を、複数の選択用電圧として出力する。そして階調電圧選択回路は、選択用電圧生成回路からの選択用電圧の中から、階調調整データに応じて、例えば256階調の場合には256個(広義にはS個)の電圧を選択して、階調電圧V0〜V255として出力する。
図5の階調電圧生成回路では、図6のC1、C2、C3等に示す各区間での階調特性の傾きを可変に制御することで、階調特性を調整する。これらの各区間での階調特性の傾きの制御は、これらの各区間に対応するラダー抵抗回路120の可変抵抗回路の抵抗値を制御することで実現できる。
図7にラダー抵抗回路120が含む可変抵抗回路の構成例を示す。ラダー抵抗回路120では、図7に示す構成の複数の可変抵抗回路が、高電位側電源VDDRH、VDDRLの間に直列に設けられている。
図7において、上側(前段)の可変抵抗回路との接続ノードであるNHと、下側(後段)の可変抵抗回路との接続ノードであるNLとの間には、複数の抵抗Ri〜Ri+4が直列に設けられている。これらのRi〜Ri+4の各抵抗の間のノードが、抵抗分割ノードRTi〜RTi+3になり、これらの抵抗分割ノードRTi〜RTi+3に階調電圧Vi〜Vi+3が生成されて出力される。
ノードNHとノードNR1、NR2、NR3、NR4の間にはトランジスタで構成されるスイッチング素子SW1、SW2、SW3、SW4が設けられている。またノードNR1、NLの間、NR2、NR1の間、NR3、NR2の間、NR4、NR3の間には、調整用の抵抗Rj、Rj+1、Rj+2、Rj+3が設けられている。
図7では、スイッチング素子SW1〜SW4をオン・オフ制御することで、ノードNH、NL間の総抵抗値が変化する。例えばスイッチング素子SW1〜SW4が全てオフである場合には、ノードNH、NL間の総抵抗値はRi+Ri+1+Ri+2+Ri+3になる。一方、スイッチング素子SW1だけがオンになると、ノードNH、NL間の総抵抗値は、Ri+Ri+1+Ri+2+Ri+3とRjの並列抵抗値になる。またスイッチング素子SW1、SW2がオンになると、総抵抗値はRi+Ri+1+Ri+2+Ri+3とRj+Rj+1の並列抵抗値になる。
このように、スイッチング素子SW1〜SW4のオン・オフ制御が行われ、ノードNH、NL間の総抵抗値が変化すると、その可変抵抗回路の区間に対応する図6の階調特性の傾きが変化する。これにより、階調特性を可変に制御できる。この場合に図5の階調電圧設定回路130は、階調レジスタ部142に書き込まれた階調調整データに基づいて、スイッチング素子SW1〜SW4をオン・オフ制御するためのスイッチング信号を生成して、ラダー抵抗回路120に出力する。
4.階調電圧生成回路ブロックの配置
図8(A)では回路ブロックCB1〜CBNが、階調電圧生成回路ブロックGBと、データドライバブロックDB1、DB2・・・・と、ロジック回路ブロックLBを含む。ここでロジック回路ブロックLBは、階調電圧を調整するための階調調整データを階調電圧生成回路ブロックGBに転送する。そして階調電圧生成回路ブロックGBは、転送された階調調整データに基づいて、複数の階調電圧を生成する。例えば階調電圧生成回路ブロックGBは、図6、図7で説明した手法により階調電圧を調整し、調整された階調電圧を出力する。
図8(A)では回路ブロックCB1〜CBNが、階調電圧生成回路ブロックGBと、データドライバブロックDB1、DB2・・・・と、ロジック回路ブロックLBを含む。ここでロジック回路ブロックLBは、階調電圧を調整するための階調調整データを階調電圧生成回路ブロックGBに転送する。そして階調電圧生成回路ブロックGBは、転送された階調調整データに基づいて、複数の階調電圧を生成する。例えば階調電圧生成回路ブロックGBは、図6、図7で説明した手法により階調電圧を調整し、調整された階調電圧を出力する。
そして図8(A)では、データドライバブロックDB1、DB2・・・は、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBの間に配置される。
図8(A)のレイアウト手法によれば、データドライバブロックDB1、DB2・・・を集積回路装置の中央付近に配置できる。従って、データドライバブロックDB1、DB2・・・のD2方向側の空きスペースを利用して、データドライバ(ソースドライバ)用パッド等を配置することが可能になり、空きスペースの有効活用を図れる。
また図8(A)のレイアウト手法によれば、データドライバブロックDB1、DB2・・・の左側、右側に、階調電圧生成回路ブロックGB、ロジック回路ブロックLBを配置できる。従って、階調電圧生成回路ブロックGB、ロジック回路ブロックLBの例えばD2方向側の空きスペースを利用して走査ドライバ(ゲートドライバ)用パッド等を配置することが可能になり、空きスペースの有効活用を図れる。
5.階調調整データの時分割転送
図8(B)ではロジック回路ブロックLBは、階調調整データ(階調電圧の調整データ)をnビット(nは自然数)の階調用転送線GTLを介して時分割に階調電圧生成回路ブロックGBに転送している。例えばjビット(j>n)の階調調整データを、nビットずつ時分割に階調電圧生成回路ブロックGBの階調レジスタ部142に転送(シリアル転送)して書き込む。
図8(B)ではロジック回路ブロックLBは、階調調整データ(階調電圧の調整データ)をnビット(nは自然数)の階調用転送線GTLを介して時分割に階調電圧生成回路ブロックGBに転送している。例えばjビット(j>n)の階調調整データを、nビットずつ時分割に階調電圧生成回路ブロックGBの階調レジスタ部142に転送(シリアル転送)して書き込む。
即ち、表示品質を向上するためには、図6に示すように表示パネルの種類に応じた最適な階調特性(γ特性)を設定することが望ましい。そして、様々な表示パネルの特性に合うように階調特性を調整できるようにすると、階調調整データのデータ量は非常に多くなる。従って、このようにデータ量の多い階調調整データを、時分割ではなくパラレルに一斉に階調レジスタ部142に書き込もうとすると、転送線のビット数が増えてしまい、転送線の本数が多くなる。そして階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBの間にデータドライバブロックDB1、DB2・・・を配置するレイアウト手法では、転送線の本数が多くなると、データドライバ制御や電源供給や階調電圧供給のためのグローバル線の配線本数に余裕が無くなる。この結果、階調調整データの転送線の本数の分だけ、集積回路装置のD2方向での幅が増えてしまい、スリムな細長チップの実現が難しくなる。
この場合、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBを隣接配置し、GBとLBを接続するローカル線を用いて、階調調整データを転送する手法も考えられる。しかしながら、この手法によると、階調電圧生成回路ブロックGBとロジック回路ブロックLBが、データドライバブロックDB1、DB2・・・の左側又は右側に偏って配置されてしまう。従って、走査ドライバ用パッド等を配置するための空きエリアも、データドライバブロックDB1、DB2・・・の左側又は右側に偏って形成されるようになり、レイアウト効率が低下する。
この点、図8(B)のように階調調整データを時分割に転送すれば、階調用転送線GTLの本数を少なくできる。これにより、他のグローバル線の配線の余裕ができ、集積回路装置のD2方向での幅を小さくでき、スリムな細長チップを実現できる。また、走査ドライバ用パッド等を配置するための空きエリアも、データドライバブロックDB1、DB2・・・の左側又は右側に均等に形成されるようになり、レイアウト効率を向上できる。
次に、階調調整データの具体的な転送手法について説明する。図8(B)ではロジック回路ブロックLBは、階調レジスタ部142のレジスタアドレスを指定するためのアドレス信号と、指定されたレジスタアドレスに書き込まれる階調調整データを転送するためのデータ信号を、階調用転送線GTLを介して階調電圧生成回路ブロックGBに出力する。また例えばデータ信号を取り込むためのラッチ信号を階調電圧生成回路ブロックGBに出力する。この場合にロジック回路ブロックLBは、例えば、有効なデータ信号が出力されるデータ有効期間以外の期間において、第1のビットパターンのアドレス信号を出力する。そして階調レジスタ部142のレジスタマップでは、第1のビットパターンのアドレス信号に対応するレジスタアドレス以外のレジスタアドレスに対して、階調調整データが書き込まれるレジスタがマッピングされている。
図9(A)にアドレス信号A3〜A0、データ信号D7〜D0、ラッチ信号LATの信号波形例を示す。
図9(A)に示すようにロジック回路ブロックLBは、有効なデータ信号D7〜D0が出力されるデータ有効期間TA以外の期間TBでは、(Fh)=(1111)のビットパターン(広義には第1のビットパターン)のアドレス信号A3〜A0を出力する。即ち全てのビットが「1」(広義には第1の論理レベル)になるビットパターンのアドレス信号A3〜A0を出力する。なお「h」はヘキサ表示を意味する。
一方、ロジック回路ブロックLBは、データ有効期間TAでは、階調レジスタ部142のレジスタR0〜RIのレジスタアドレスに対応するアドレス信号A3〜A0と、レジスタR0〜RIに書き込まれる階調調整データに対応するデータ信号D7〜D0を出力する。またデータ信号D7〜D0を取り込むためのラッチ信号LATを出力する。即ち階調レジスタ部142では、ラッチ信号LAT(LATの立ち下がりエッジ)に基づいて、レジスタR0〜RIのうちアドレス信号A3〜A0のレジスタアドレスで指定されるレジスタに対して、データ信号D7〜D0の階調調整データが書き込まれる。これにより階調調整データDAR0、DAR1、DAR2・・・が時分割に階調レジスタ部142に書き込まれることになる。なおアドレス信号やデータ信号のビット数は4ビットや8ビットに限定されず任意である。
図9(B)に階調レジスタ部142のレジスタマップを示す。このレジスタマップでは、アドレス信号A3〜A0のレジスタアドレス(0h)=(0000)、(1h)=(0001)、(2h)=(0010)・・・には、レジスタR0、R1、R2・・・がマッピングされている。そしてレジスタアドレス(0h)、(1h)、(2h)・・・にマッピングされるレジスタR0、R1、R2・・・に対して、データ信号D7〜D0で設定される階調調整データDARO、DAR1、DAR2・・・が書き込まれる。例えばDARO、DAR1、DAR2は、図6の階調特性の各区間での傾きを設定するためのデータであり、図7のスイッチング素子SW1〜SW4をオン・オフ制御し、可変抵抗回路の抵抗値を可変に制御するためのデータである。
具体的には集積回路装置の外部の処理部(CPU、MPU)は、階調調整コマンドを発行すると共に、階調調整データとなるパラメータを集積回路装置に出力する。すると、これを受けたロジック回路ブロックLBは、そのパラメータに対応する階調調整データを、アドレス信号A3〜A0とデータ信号D7〜D0を用いて、階調レジスタ部142のレジスタR0〜RIに書き込む。これにより、階調特性を外部から調整できるようになり、表示パネルの表示品質を向上できる。
ところで、ESDイミュニティ試験(ElectroStatic Discharge immunity test)等により静電気電圧が表示パネル等に印加されると、図10のA1に示すようなノイズが期間TBにおいてラッチ信号LATに乗る可能性がある。すると、データ有効期間TA以外の期間TBにおいて、レジスタアドレス(Fh)のレジスタに対して、有効ではないデータ信号D7〜D0の階調調整データが書き込まれてしまうおそれがある。そうすると、図6の階調特性では意図していなかった階調電圧が生成されてしまう。これにより、表示パネルの表示状態が異常状態になるなどの不具合を招く。特に、図8(A)、図8(B)のレイアウト例のようにロジック回路ブロックLBと階調電圧生成回路ブロックGBの間の距離が長いと、信号にノイズが乗りやすくなり、不具合を生じやすくなる。
このため図9(B)の階調レジスタ部142のレジスタマップでは、(Fh)のビットパターン(第1のビットパターン)のアドレス信号に対応するレジスタアドレスに対しては、階調レジスタ部142のレジスタをマッピングしないようにしている。そして(Fh)のレジスタアドレス以外のレジスタアドレス(0h)、(1h)、(2h)・・・(Eh)に対して、階調調整データが書き込まれるレジスタR0、R1、R2・・・RIをマッピングする。具体的には、アドレス信号A3〜A0のレジスタアドレスが(Fh)である場合には、図5のアドレスデコーダ144は有効なレジスタアドレス信号を出力しない。また階調レジスタ部142のレジスタは、データ信号D7〜D0に対応する階調調整データを保持しない。
このようにすれば、期間TBにおいて図10のA1に示すようなノイズがラッチ信号LAT等に乗った場合にも、レジスタアドレス(Fh)にはレジスタがマッピングされていないため、誤った階調調整データがレジスタに書き込まれることはない。従って、静電気電圧の印加により表示パネルの表示状態が異常状態になるなどの事態を防止でき、ESDイミュニティの耐圧が高い集積回路装置や電子機器を提供できる。
なお、階調レジスタ部142においてレジスタをマッピングしないレジスタアドレスは、図9(B)のような(Fh)=(1111)には限定されない。例えばアドレス信号の全てのビットが「0」(広義には第2の論理レベル)になるビットパターンのレジスタアドレス(0h)=(0000)であってもよい。
図11に、図5の階調レジスタ部142、アドレスデコーダ144の構成例を示す。アドレスデコーダ144は、ロジック回路ブロックLBからのアドレス信号A3〜A0をデコードし、アドレス信号に対応するレジスタアドレス信号RA0〜RAIを出力する。なお図11ではレジスタアドレス信号RA0〜RAIは負論理の信号になっている。
階調レジスタ部142はレジスタR0、R1、R2・・・RIを含む。レジスタR0、R1、R2・・・RIは、各々、DフリップフロップDF07〜DF00、DF17〜DF10、DF27〜DF20・・・DFI7〜DFI0を含む。DフリップフロップDF07〜DF00のデータ端子にはデータ信号D7〜D0が入力される。DF17〜DF10、DF27〜DF20・・・DFI7〜DFI0のデータ端子にも同様にデータ信号D7〜D0が入力される。DフリップフロップDF07〜DF00のクロック端子にはクロック信号CK0が入力される。DF17〜DF10、DF27〜DF20・・・DFI7〜DFI0のクロック端子には、各々、クロック信号CK1、CK2・・・CKIが入力される。なおDフリップフロップDF07〜DF00、DF17〜DF10、DF27〜DF20・・・DFI7〜DFI0のセット端子にはセット信号SETが入力され、リセット端子にはリセット信号RESが入力される。またESDイミュニティの耐圧を高めるためには、セット端子SET、リセット端子RES、ラッチ信号LATの端子に、電圧安定化用のキャパシタを設けることが望ましい。
NOR回路NOR0、NOR1、NOR2・・・NORIの第1の入力端子にはラッチ信号LATが入力され、第2の入力端子には、各々、レジスタアドレス信号RA0、RA1、RA2・・・RAIが入力される。そしてNOR回路NOR0、NOR1、NOR2・・・NORIは、各々、クロック信号CK0、CK1、CK2・・・CKIを出力する。
図11に示すように、階調レジスタ部142では、ロジック回路ブロックLBからのラッチ信号LATに基づいて、レジスタR0〜RIのうち、アドレスデコーダ144からのレジスタアドレス信号RA0〜RAIがアクティブ(Lレベル)となっているレジスタに対して、階調調整データが書き込まれる。例えばレジスタアドレス信号RA0がアクティブ(Lレベル)になると、ラッチ信号LATの立ち下がりエッジで、データ信号D7〜D0により設定される階調調整データがレジスタR0に書き込まれる。またレジスタアドレス信号RA1がアクティブ(Lレベル)になると、ラッチ信号LATの立ち下がりエッジで、データ信号D7〜D0により設定される階調調整データがレジスタR1に書き込まれる。
そしてアドレスデコーダ144は、アドレス信号A4〜A0が(Fh)のビットパターン以外のアドレス信号である場合に、アクティブのレジスタアドレス信号を階調レジスタ部142に出力する。即ちA4〜A0が、(Fh)のビットパターンのアドレス信号である場合には、アドレスデコーダ144はアクティブのレジスタアドレス信号を出力しない。また階調レジスタ部142のDフリップフロップもデータ信号D7〜D0の階調調整データを保持しない。一方、A4〜A0が、(Fh)のビットパターン以外のアドレス信号である場合、即ち(0h)、(1h)、(2h)・・・(Eh)のビットパターンのアドレス信号である場合には、アクティブのレジスタアドレス信号RA0、RA1、RA2・・・RAIを出力する。このように図11の階調レジスタ部142では、(Fh)のビットパターンのアドレス信号に対応するレジスタアドレス以外のレジスタアドレスに対して、レジスタがマッピングされている。
6.グローバル配線手法
集積回路装置のD2方向での幅を小さくするためには、D1方向に沿って配置される回路ブロック間の信号線、電源線を、効率良く配線する必要がある。このため、グローバル配線手法により回路ブロック間の信号線や電源線を配線することが望ましい。
集積回路装置のD2方向での幅を小さくするためには、D1方向に沿って配置される回路ブロック間の信号線、電源線を、効率良く配線する必要がある。このため、グローバル配線手法により回路ブロック間の信号線や電源線を配線することが望ましい。
具体的にはこのグローバル配線手法では、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのうちの隣接する回路ブロック間では、第I(Iは3以上の整数)の層よりも下層の配線層(例えば第1〜第4のアルミ配線層ALA、ALB、ALC、ALD)で形成されるローカル線が配線される。一方、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのうちの隣接しない回路ブロック間では、第Iの層以上の配線層(例えば第5のアルミ配線層ALE)で形成されるグローバル線が、隣接しない回路ブロックの間に介在する回路ブロック上をD1方向に沿って配線される。
図12にグローバル線の配線例を示す。図12では、ロジック回路ブロックLBからのドライバ制御信号をデータドライバブロックDB1〜DB3に供給するためのドライバ用グローバル線GLDが、バッファ回路BF1〜BF3、ローアドレスデコーダRD1〜RD3上に配線される。即ちトップメタルである第5のアルミ配線層ALEで形成されるドライバ用グローバル線GLDが、ロジック回路ブロックLBからバッファ回路BF1〜BF3及びローアドレスデコーダRD1〜RD3上を、D1方向に沿ってほぼ一直線に配線される。そしてこれらのドライバ用グローバル線GLDにより供給されるドライバ制御信号が、バッファ回路BF1〜BF3にてバッファリングされて、バッファ回路BF1〜BF3のD2方向側に配置されるデータドライバDR1〜DR3に入力される。
また図12では、ロジック回路ブロックLBからの少なくともライトデータ信号(或いは、アドレス信号、メモリ制御信号)をメモリブロックMB1〜MB3に供給するためのメモリ用グローバル線GLMが、D1方向に沿って配線される。即ち第5のアルミ配線層ALEで形成されるメモリ用グローバル線GLMが、ロジック回路ブロックLBからD1方向に沿って配線される。
より具体的には図12では、メモリブロックMB1〜MB3に対応してリピータブロックRP1〜RP3が配置される。これらのリピータブロックRP1〜RP3は、ロジック回路ブロックLBからの少なくともライトデータ信号(或いはアドレス信号、メモリ制御信号)をバッファリングしてメモリブロックMB1〜MB3に対して出力するバッファを含む。そして図12に示すように、メモリブロックMB1〜MB3とリピータブロックRP1〜RP3は、D1方向に沿って隣接配置される。
例えばロジック回路ブロックLBからのライトデータ信号、アドレス信号、メモリ制御信号を、メモリ用グローバル線GLMを用いてメモリブロックMB1〜MB3に供給する場合に、これらの信号をバッファリングしないと、信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が鈍る。この結果、メモリブロックMB1〜MB3へのデータの書き込み時間が長くなったり、書き込みエラーが生じるおそれがある。
この点、図12のようなリピータブロックRP1〜RP3を各メモリブロックMB1〜MB3の例えばD1方向側に隣接して配置すれば、これらのライトデータ信号、アドレス信号、メモリ制御信号がリピータブロックRP1〜RP3によりバッファリングされて各メモリブロックMB1〜MB3に入力されるようになる。この結果、信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が鈍るのを低減でき、メモリブロックMB1〜MB3への適正なデータ書き込みを実現できる。
また図12では集積回路装置が、階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックGBを含む。そして階調電圧生成回路ブロックGBからの階調電圧をデータドライバブロックDB1〜DB3に供給するための階調用グローバル線GLGが、D1方向に沿って配線される。即ち第5のアルミ配線層ALEで形成される階調用グローバル線GLGが、階調電圧生成回路ブロックGBからD1方向に沿って配線される。そして、階調用グローバル線GLGからの階調電圧をデータドライバDR1〜DR3に供給するための階調電圧供給線GSL1〜GSL3が、各データドライバDR1〜DR3においてD2方向に沿って配線される。
そして更に図12では、メモリ用グローバル線GLMが、階調用グローバル線GLGとドライバ用グローバル線GLDの間にD1方向に沿って配線される。
即ち図12では、バッファ回路BF1〜BF3とローアドレスデコーダRD1〜RD3がD1方向に沿って配置される。そしてロジック回路ブロックLBから、これらのバッファ回路BF1〜BF3、ローアドレスデコーダRD1〜RD3上を通って、ドライバ用グローバル線GLDをD1方向に沿って配線することで、配線効率を大幅に向上できる。
また、データドライバDR1〜DR3に対しては、階調電圧生成回路ブロックGBからの階調電圧を供給する必要があり、このために、階調用グローバル線GLGがD1方向に沿って配線される。
一方、ローアドレスデコーダRD1〜RD3に対しては、メモリ用グローバル線GLMによりアドレス信号、メモリ制御信号等が供給される。従って、メモリ用グローバル線GLMは、ローアドレスデコーダRD1〜RD3の近くに配線することが望ましい。
この点、図12では、メモリ用グローバル線GLMが、階調用グローバル線GLGとドライバ用グローバル線GLDの間に配線される。従って、メモリ用グローバル線GLMからのアドレス信号、メモリ制御信号等を、ローアドレスデコーダRD1〜RD3にショートパスで供給することができる。また階調用グローバル線GLGは、このメモリ用グローバル線GLMの上側にD1方向に沿ってほぼ一直線に配線できる。従って、1つの層のアルミ配線層ALEを用いて、グローバル線GLG、GLM、GLDを交差することなく配線できるようになり、配線効率を向上できる。
また図12では、階調用転送線GTLが、グローバル線によりデータドライバブロックDB1〜DB3上をD1方向に沿って配線される。この場合、前述のように階調用転送線GTLでは階調調整データが時分割に転送される。従って、パラレルの転送線により1回で階調調整データを転送する手法に比べて、グローバル線である階調用転送線GTLの本数を少なくできる。従って、ドライバ用、メモリ用、階調用のグローバル線GLD、GLM、GLGの本数が多くなりグローバル線の配線に余裕がない場合にも、これに対処できる。従って、階調用転送線GTLの本数が原因になって集積回路装置のD2方向での幅が大きくなってしまう事態を防止でき、集積回路装置の小面積化を図れる。
なお図12では、電源用転送線PTLが、グローバル線によりデータドライバブロックDB1〜DB3上をD1方向に沿って配線される。そしてロジック回路ブロックLBは、電源調整データをmビット(mは自然数)の電源用転送線PTLを介して時分割で電源回路ブロックPBに転送している。
7.走査ドライバ、走査ドライバ用パッドの配置
図13に集積回路装置の詳細なレイアウトの一例を示す。図13では、回路ブロックCB1〜CBNが、走査線(ゲート線)を駆動するための第1の走査ドライバ(ゲートドライバ)ブロックSB1を含む。そして階調電圧生成回路ブロックGBは、走査ドライバブロックSB1とデータドライバブロックDB1、DB2・・・との間に配置される。この場合に図13のB1に示すように、走査ドライバブロックSB1の出力線と走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、階調電圧生成回路ブロックGBのD2方向側に配置される。なお階調電圧生成回路ブロックGBは、電源回路ブロックPB2とデータドライバブロックDB1、DB2・・・との間に配置される。
図13に集積回路装置の詳細なレイアウトの一例を示す。図13では、回路ブロックCB1〜CBNが、走査線(ゲート線)を駆動するための第1の走査ドライバ(ゲートドライバ)ブロックSB1を含む。そして階調電圧生成回路ブロックGBは、走査ドライバブロックSB1とデータドライバブロックDB1、DB2・・・との間に配置される。この場合に図13のB1に示すように、走査ドライバブロックSB1の出力線と走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、階調電圧生成回路ブロックGBのD2方向側に配置される。なお階調電圧生成回路ブロックGBは、電源回路ブロックPB2とデータドライバブロックDB1、DB2・・・との間に配置される。
また図13では、回路ブロックCB1〜CBNは、走査線を駆動するための第2の走査ドライバブロックSB2を含む。そしてロジック回路ブロックLBは、走査ドライバブロックSB2とデータドライバブロックDB1、DB2・・・との間に配置される。この場合に図13のB2に示すように、走査ドライバブロックSB2の出力線と走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、ロジック回路ブロックLBのD2方向側に配置される。
図13の配置によれば、データドライバブロックDB1、DB2・・・を集積回路装置の中央付近に集中して配置できるようになるため、DB1、DB2・・・からのデータ信号の出力線を、出力側I/F領域12において効率良く配線できる。従って、出力側I/F領域12や入力側I/F領域14での配線効率や配置効率を向上でき、集積回路装置のD2方向での幅Wを小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を実現できる。
また図13のように集積回路装置の両端に走査ドライバブロックSB1、SB2を配置した場合には、走査信号が出力される走査ドライバ用パッドについても、集積回路装置の両端に配置することが、配線効率を考慮すると望ましい。一方、データドライバブロックDB1、DB2・・・は、集積回路装置の中央付近に配置される。従って、データ信号が出力されるデータドライバ用パッドについては、集積回路装置の中央付近に配置することが、配線効率を考慮すると望ましい。
このため図13では、走査ドライバ用パッドの配置領域を出力側I/F領域12の両端に設け、これらの走査ドライバ用パッド配置領域の間に、データドライバ用パッドの配置領域を設けている。こうすることで、走査ドライバブロックSB1、SB2の出力線やデータドライバブロックDB1、DB2・・・の出力線を、走査ドライバ用パッド配置領域のパッドやデータドライバ用パッド配置領域のパッドに対して、効率良く接続できる。
特に図13では、回路面積が大きい階調電圧生成回路ブロックGB、電源回路ブロックPB2やロジック回路ブロックLBを、データドライバブロックDB1、DB2・・・の両側に配置している。このようにすれば、これらの回路面積が大きい階調電圧生成回路ブロックGB、電源回路ブロックPB2やロジック回路ブロックLBのD2方向側の空きスペース(B1、B2に示す領域)を有効活用して、走査ドライバ用パッド配置領域を形成できる。従って、出力側I/F領域12での配線効率を向上でき、集積回路装置のD2方向での幅Wを小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を実現できる。
なお、走査ドライバブロックSB1の出力線である走査ドライバ用グローバル線を、電源回路ブロックPB2や階調電圧生成回路ブロックGB上を、走査ドライバブロックSB1から出力側I/F領域12の走査ドライバ用パッドに対して配線できる。また走査ドライバブロックSB2の出力線である走査ドライバ用グローバル線を、ロジック回路ブロックLB上を、走査ドライバブロックSB2から出力側I/F領域12の走査ドライバ用パッドに対して配線できる。この場合に電源回路ブロックPB2、階調電圧生成回路ブロックGBやロジック回路ブロックLBにおいて、走査ドライバ用グローバル線の下層に、シールド線を配線することが望ましい。具体的には、走査ドライバ用グローバル線が第5のアルミ配線層ALEで形成される場合には、その下層の第4のアルミ配線層ALD等で形成されるシールド線を配線する。このようなシールド線を配線すれば、走査ドライバ用グローバル線の電圧レベルの変化によるノイズが、カップリング容量により、電源回路ブロックPB2、階調電圧生成回路ブロックGBやロジック回路ブロックLB内の回路や信号線に伝達するのが防止される。この結果、これらの回路の誤動作を防止できる。
8.階調電圧生成回路ブロック、電源回路ブロックのレイアウト
図14に階調電圧生成回路ブロックGB、電源回路ブロックPB2等の詳細なレイアウトの一例を示す。
図14に階調電圧生成回路ブロックGB、電源回路ブロックPB2等の詳細なレイアウトの一例を示す。
電源回路ブロックPB2には、レギュレータRG1、RG2、VCOM生成回路VC、バイアス生成回路IB、基準電圧生成回路VR、レベルシフタLS、電源レジスタ部PRG(アドレスデコーダ)などが配置される。なおこれらの構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの変形実施も可能である。
レギュレータRG1、RG2は、電圧の調整を行って、調整電圧(レギュレーション電圧)を生成し、他の回路ブロックに供給する。例えばレギュレータRG1は、ロジック電源電圧等の調整を行う。またレギュレータRG2は、階調電圧生成用の基準電圧やドライバ用電源電圧等の調整を行う。即ちレギュレータRG2は、チャージポンプにより電圧の昇圧を行う昇圧回路により昇圧された電圧(1次昇圧電圧等)を調整する。
VCOM生成回路VCは、表示パネルの対向電極に印加されるコモン電圧を生成する。バイアス生成回路IBは、オペアンプなどのアナログ回路に使用されるバイアス電流(バイアス電圧)を生成する。基準電圧生成回路VRは一定電圧である基準電圧を生成する。レベルシフタLSは、電源レジスタ部PRGからの信号をLVレベルからMVレベルに変換するレベルシフトを行う。電源レジスタ部PRGは、電源電圧生成を制御するためのインデックスレジスタとして機能する。
階調電圧生成回路ブロックGBには、ラダー抵抗回路RRC、階調電圧設定回路GSC、階調レジスタ部GRG(アドレスデコーダ)などが配置される。ラダー抵抗回路RRCは、高電位側電源と低電位側電源の間を抵抗分割し、複数の階調電圧を生成する。階調レジスタ部GRGは、階調電圧生成回路ブロックGBの階調電圧生成を制御するインデックスレジスタとして機能する。階調電圧設定回路GSCは、階調電圧を可変に設定するための回路である。
図14では、階調電圧生成回路ブロックGBが、電源回路ブロックPB2とデータドライバブロックDB1の間に配置される。このようにすれば、電源回路ブロックPB2のレギュレータRG2を階調電圧生成回路ブロックGBの近くに配置できる。例えばレギュレータRG2を階調電圧生成回路ブロックGBに隣接して配置できる。また電源回路ブロックPB1の1次昇圧トランジスタもレギュレータRG2の近くに配置できる。例えば1次昇圧レジスタをレギュレータRG2に隣接して配置できる。また階調電圧生成回路ブロックGBの近くにデータドライバブロックDB1も配置できる。
従って図14のレイアウトによれば、1次昇圧トランジスタで生成された1次昇圧電圧をレギュレータRG2により調整し、調整された電圧を階調電圧生成用の電源電圧として、階調電圧生成回路ブロックGBのラダー抵抗回路RRCに供給できる。またラダー抵抗回路RRCの抵抗分割端子に生成された階調電圧を、データドライバブロックDB1等に供給できる。この場合に図14では1次昇圧トランジスタとレギュレータRG2が隣接し、レギュレータRG2とラダー抵抗回路RRCが隣接している。従って、これらの回路間での配線をショートパスで接続できるため、配線領域の面積増加が抑えられ、集積回路装置の小面積化を図れる。
また図14では、電源レジスタ部PRGはバイアス生成回路IBと基準電圧生成回路VRの間に配置される。また階調レジスタ部GRGはラダー抵抗回路RRCと1次昇圧トランジスタの間に配置される。従って、電源レジスタ部PRGや階調レジスタ部GRGを、集積回路装置のD2方向での幅において中央付近に配置できる。従って図12のようなグローバル配線手法を採用した場合に、階調用グローバル線GLGとメモリ用、ドライバ用グローバル線GLM、GLDとの間に、電源用転送線PTL、階調用転送線GTLを配線して、電源レジスタ部PRG、階調レジスタ部GRGに接続できるようになる。従って、これらのグローバル線をD1方向に沿ってほぼ一直線に配線できるようになるため、配線効率を向上でき、集積回路装置の小面積化を図れる。
また図14では、ラダー抵抗回路RRCが出力側I/F領域12(走査ドライバ用パッド領域)にD2方向において隣接配置される。従ってラダー抵抗回路RRCにより生成された階調電圧を、図12のように出力側I/F領域12側に配線された階調用グローバル線GLGを介して、データドライバブロックDB1、DB2、DB3に供給できる。従って配線効率を向上でき、集積回路装置の小面積化を図れる。
また図14では、走査ドライバSB1のD4方向側にVCOM生成回路VCが配置される。そしてVCOM生成回路VCにより生成されたVCOM電圧が、VCOM生成回路VCのD4方向側の入力側I/F領域14に配置されたVCOM用パッドを介して外部に出力され、表示パネルの対向電極に供給される。従って走査ドライバSB1のD4方向側の空きスペースを有効活用してVCOM生成回路VCを配置できると共に、生成されたVCOM電圧をショートパスで外部に出力することが可能になる。
また図14では、階調レジスタ部GRGのD2方向側に階調電圧設定回路GSCが配置され、階調電圧設定回路GSCのD2方向側にラダー抵抗回路が配置される。このようにすれば、信号の流れに沿って階調レジスタ部GRG、階調電圧設定回路GSC、ラダー抵抗回路RRCが配置されるようになり、レイアウト効率を向上できる。
9.R、G、Bの階調特性の独立制御
表示パネルの表示品質を向上するためには、図6の階調特性を色成分毎に独立に設定することが望ましい。即ちR(広義には第1の色成分)用、G(広義には第2の色成分)用、B(広義には第3の色成分)用の階調電圧を、互いに異ならせることが望ましい。
表示パネルの表示品質を向上するためには、図6の階調特性を色成分毎に独立に設定することが望ましい。即ちR(広義には第1の色成分)用、G(広義には第2の色成分)用、B(広義には第3の色成分)用の階調電圧を、互いに異ならせることが望ましい。
一方、集積回路装置のD2方向での幅が小さくなると、図12においてD1方向に配線できるグローバル線の本数に余裕がなくなる。そして、図12の階調用グローバル線GLGを用いて、互いに異なるR用、G用、B用の階調電圧を、データドライバブロックDB1、DB2、DB3に供給しようとすると、階調用グローバル線GLGの本数が非常に多くなってしまう。例えば階調が256段階である場合には、R用、G用、B用の階調電圧を供給するために256×3=768本の階調用グローバル線GLGを配線しなければならなくなる。従って、他のグローバル線GLM、GLD、RTL、GTLの配線の余裕がなくなったり、階調用グローバル線GLGの本数が原因になって集積回路装置のD2方向での幅が大きくなってしまうなどの問題が生じる。
このような問題を解決するために本実施形態では以下のような手法を採用している。
即ち図15(A)に示すように、階調電圧生成回路ブロックGBの階調レジスタ部142には、R、G、B用(第1、第2、第3の色成分用)の階調調整データが、ロジック回路ブロックLBから転送されて書き込まれる。このようにR、G、B用の階調調整データを別々に書き込んでおけば、R、G、B用の階調特性を独立に設定できるようになり、表示特性を向上できる。しかしながら、このようにR、G、B用の階調調整データを別々に書き込むと、ロジック回路ブロックLBから階調電圧生成回路ブロックGBへのデータ転送量も多くなる。
この点、図8(B)では、これらのR、G、B用の階調調整データを階調用転送線GTLを介して時分割にロジック回路ブロックLBから階調レジスタ部142に転送している。従って、転送されるべき階調調整データのデータ量が多い場合にも、階調用転送線GTLの本数はそれほど多くなくても済む。従って、図12においてD1方向に配線されるグローバル線の本数を節約でき、グローバル線GLGの本数が原因になって集積回路装置のD2方向での幅が大きくなってしまう事態を防止できる。
また図15(A)において、データドライバブロックDBは、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器DACを含む。更にデータドライバブロックDBは、少なくとも1画素分の画像データをラッチするラッチ回路LTCや、ラッチ回路LTCにラッチされた画像データを受け、サブピクセルの画像データを時分割で多重化して出力するマルチプレクサMUXを含むことができる。またD/A変換器DACの出力信号QDA(時分割に多重化されたサブピクセルの信号)を受け、出力信号QDAのインピーダンス変換を行い、データ信号DSとして出力する出力回路SSQを含むことができる。
図15(A)に示す第1の期間(第1の色成分の期間)では、階調電圧生成回路ブロックGBは、階調レジスタ部142からのR用(第1の色成分用)の階調調整データに基づき設定されたR用の階調電圧VR0〜VR255を出力する。そしてデータドライバブロックDBのD/A変換器DACは、出力されたR用の階調電圧VR0〜VR255に基づいて、Rのサブピクセルの画像データのD/A変換を行う。
具体的には図15(A)の第1の期間では、階調電圧設定回路130は、階調レジスタ部142から読み出されたR用の階調調整データに基づいて、図7で説明したスイッチング素子のオン・オフ制御を行う。これにより、ラダー抵抗回路120の可変抵抗回路の抵抗値が設定され、抵抗分割端子にR用の階調電圧VR0〜VR255が出力される。そしてR用の階調電圧VR0〜VR255は、階調用グローバル線GLGを介してデータドライバブロックDBのD/A変換器DACに供給される。
データドライバブロックDBのラッチ回路LTCには、メモリブロックMBからのR、G、Bの画像データ(階調データ)がラッチされる。そして第1の期間では、マルチプレクサMUXは、ラッチ回路LTCからのRのサブピクセルの画像データQLRを、多重化後の画像データQMとしてD/A変換器DACに出力する。するとD/A変換器DACは、階調用グローバル線GLGを介して供給されたR用の階調電圧VR0〜VR255を用いて、R(赤)の画像データQLRのD/A変換を行い、D/A変換後の出力信号QDAを出力回路SSQに出力する。そして出力回路SSQは出力信号QDAのインピーダンス変換を行い、データ信号DSとして出力する。
図15(B)に示す第2の期間(第2の色成分の期間)では、階調電圧生成回路ブロックGBは、階調レジスタ部142からのG用(第2の色成分用)の階調調整データに基づき設定されたG用の階調電圧VG0〜VG255を出力する。そしてデータドライバブロックDBのD/A変換器DACは、出力されたG用の階調電圧VG0〜VG255に基づいて、Gのサブピクセルの画像データのD/A変換を行う。
具体的には図15(B)の第2の期間では、階調電圧設定回路130は、階調レジスタ部142から読み出されたG用の階調調整データに基づいて、スイッチング素子のオン・オフ制御を行う。これにより、ラダー抵抗回路120の抵抗分割端子にG用の階調電圧VG0〜VG255が出力され、階調用グローバル線GLGを介してD/A変換器DACに供給される。
そしてマルチプレクサMUXは、ラッチ回路LTCからのGのサブピクセルの画像データQLGを、多重化後の画像データQMとしてD/A変換器DACに出力する。するとD/A変換器DACが、階調用グローバル線GLGを介して供給されたG用の階調電圧VG0〜VG255を用いて、G(緑)の画像データQLGのD/A変換を行い、出力回路SSQが、DACの出力信号QDAのインピーダンス変換を行う。
図16に示す第3の期間(第3の色成分の期間)では、階調電圧生成回路ブロックGBは、階調レジスタ部142からのB用(第3の色成分用)の階調調整データに基づき設定されたB用の階調電圧VB0〜VB255を出力する。そしてデータドライバブロックDBのD/A変換器DACは、出力されたB用の階調電圧VB0〜VB255に基づいて、Bのサブピクセルの画像データのD/A変換を行う。
具体的には図16の第3の期間では、階調電圧設定回路130は、階調レジスタ部142から読み出されたB用の階調調整データに基づいて、スイッチング素子のオン・オフ制御を行う。これにより、ラダー抵抗回路120の抵抗分割端子にB用の階調電圧VB0〜VB255が出力され、階調用グローバル線GLGを介してD/A変換器DACに供給される。
そしてマルチプレクサMUXは、ラッチ回路LTCからのBのサブピクセルの画像データQLBを、多重化後の画像データQMとしてD/A変換器DACに出力する。するとD/A変換器DACが、階調用グローバル線GLGを介して供給されたB用の階調電圧VB0〜VB255を用いて、B(青)の画像データQLBのD/A変換を行い、出力回路SSQが、DACの出力信号QDAのインピーダンス変換を行う。
このようにすれば、R、G、B用の階調電圧VR0〜VR255、VG0〜VG255、VB0〜VB255を、階調電圧生成回路ブロックGBからデータドライバブロックDBに対して、階調用グローバル線GLGを介して時分割に供給できる。従って、例えば256階調の場合に、階調用グローバル線GLGの本数が、256×3=768本ではなく、256本で済むようになり、図12のD1方向に配線されるグローバル線の本数を節約でき、従って、図12のように階調用転送線GTLを、ロジック回路ブロックLBから階調電圧生成回路ブロックGBに対してデータドライバブロックDB1、DB2、DB3上に配線した場合に、グローバル線の本数が原因になって集積回路装置のD2方向での幅が大きくなってしまう事態を防止できる。この結果、R、G、Bの個別の階調特性を実現して表示品質を向上しながらも、集積回路装置の小面積化を図れる。
なお、階調レジスタ部142に、正極性用のR、G、B用階調調整データと、負極性用のR、G、B用階調調整データを転送して書き込むようにしてもよい。この場合には、階調電圧生成回路ブロックGBは、正極性期間(VCOM電圧が正極性となる期間)における第1、第2、第3の期間では、各々、正極性用のR、G、B用階調調整データに基づいて、正極性用のR、G、B用階調電圧をD/A変換器DACに供給する。一方、負極性期間(VCOM電圧が負極性となる期間)における第1、第2、第3の期間では、各々、負極性用のR、G、B用階調調整データに基づいて、負極性用のR、G、B用階調電圧をD/A変換器DACに供給する。
10.ドライバセル
図17(A)に示すように本実施形態の集積回路装置10は、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックDBと、データドライバブロックDBに供給される画像データを記憶する少なくとも1つのメモリブロックMBを含む。そしてデータドライバブロックDBとメモリブロックMBが、D1方向に沿って配置される。具体的にはD1方向に沿って隣接配置される。そしてD1方向に直交する方向をD2方向とした場合に、表示パネルのデータ線に電気的に接続するための複数のデータドライバ用パッド(データ線とデータドライバの出力線を接続するためのパッド)が、データドライバブロックDBのD2方向側に配置される。
図17(A)に示すように本実施形態の集積回路装置10は、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックDBと、データドライバブロックDBに供給される画像データを記憶する少なくとも1つのメモリブロックMBを含む。そしてデータドライバブロックDBとメモリブロックMBが、D1方向に沿って配置される。具体的にはD1方向に沿って隣接配置される。そしてD1方向に直交する方向をD2方向とした場合に、表示パネルのデータ線に電気的に接続するための複数のデータドライバ用パッド(データ線とデータドライバの出力線を接続するためのパッド)が、データドライバブロックDBのD2方向側に配置される。
図17(A)のように配置することで、データドライバブロックとメモリブロックをD2方向に沿って配置する手法に比べて、D2方向での集積回路装置10の幅Wを小さくでき、例えば細長のスリムチップを実現できる。
そして図17(A)の配置の場合に、データドライバブロックDBの回路規模を小さくできれば、集積回路装置10の更なる小面積化を図れる。
そこで本実施形態では図17(B)に示すように、データドライバブロック10に、少なくとも1つのドライバセルDRCを含ませている。このドライバセルDRCは、少なくとも1画素分の画像データをメモリブロックMBから受ける。そして多重化されたサブピクセルの画像データについてのD/A変換を行い、データドライバ用パッドを介してデータ線を駆動する。
具体的にはドライバセルDRCは、少なくとも1画素分の画像データを受け、サブピクセルの画像データを時分割に多重化して出力するマルチプレクサMUXを含む。また、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器DACを含む。これらのマルチプレクサ(セレクタ)MUX、D/A変換器DACは例えばD1方向に沿って配置される。なおマルチプレクサMUX、D/A変換器DACをD2方向に沿って配置する変形実施も可能である。
マルチプレクサMUXは、例えばR、G、Bで構成される1画素分の画像データを受け、R、G、Bのサブピクセルの画像データを時分割に多重化して出力する。なおマルチプレクサMUXが、複数画素分(2画素以上)の画像データを受けて、多重化を行ってもよい。またマルチプレクサMUXは、R(赤)、G(緑)、B(青)の異なる色のサブピクセルの画像データを順次出力してもよいし、同じ色のサブピクセルの画像データを順次出力してもよい。
例えば図18(A)の比較例では、メモリブロックMBからの例えば8ビットのR、G、Bの画像データR0〜R7、G0〜G7、B0〜B7が、各々、R用、G用、B用のラッチ回路LTCR、LTCG、LTCBにラッチされる。そして、R用、G用、B用のD/A変換器DACR、DACG、DACBが、各々、ラッチ回路LTCR、LTCG、LTCBから出力される画像データQLR、QLG、QLBのD/A変換を行い、D/A変換後の出力信号QDAR、QDAG、QDABを出力する。するとR用、G用、B用の出力回路SSQR、SSQG、SSQBが、これらの出力信号QDAR、QDAG、QDABのインピーダンス変換を行い、データ信号DSR、DSG、DSBをデータドライバ用パッドに出力する。図18(A)において、ラッチ回路LTCR、D/A変換器DACR、出力回路SSQRがR用のサブピクセルドライバセルを構成する。同様にLTCG、DACG、SSQGがG用のサブピクセルドライバセルを構成し、LTCB、DACB、SSQBがB用のサブピクセルドライバセルを構成する。
一方、図18(B)の本実施形態の構成例では、ドライバセルDRCが、少なくとも1画素分の画像データR0〜R7、G0〜G7、B0〜B7をメモリブロックMBから受けてラッチするラッチ回路LTCを含む。またラッチ回路LTCにラッチされた画像データQLR、QLG、QLBを受け、サブピクセルの画像データQMを時分割に多重化して出力するマルチプレクサMUXを含む。また時分割に多重化されたサブピクセルの画像データQMのD/A変換を行うD/A変換器DACを含む。更にD/A変換器DACの出力信号QDA(時分割に多重化されたサブピクセルの信号)を受け、出力信号QDAのインピーダンス変換を行い、データ信号DSとして出力する出力回路SSQを含む。
図18(A)の比較例では、R用、G用、B用のD/A変換器DACR、DACG、DACB、出力回路SSQR、SSQG、SSQBが個別に必要になるため、データドライバブロックの回路規模が増加する。従って図17(A)のようにデータドライバブロックDB、メモリブロックMBをD1方向で隣接させる手法を採用した場合にも、データドライバブロックDBの回路規模が大きくなるため、集積回路装置10の回路規模も大きくなってしまう。
これに対して図18(B)の本実施形態では、マルチプレクサMUXが画像データの多重化を行う。従って、D/A変換器DAC、出力回路SSQを、R用、G用、B用のD/A変換器、出力回路として共用できる。即ちマルチプレクサMUXからRのサブピクセルの画像データが出力されている期間では、DAC、SSQがR用のD/A変換器、出力回路として動作する。またマルチプレクサMUXからGのサブピクセルの画像データが出力されている期間では、DAC、SSQがG用のD/A変換器、出力回路として動作し、Bのサブピクセルの画像データ出力されている期間では、B用のD/A変換器、出力回路として動作する。従って図18(A)の比較例のようにR用、G用、B用のD/A変換器、出力回路を個別に設けなくても済む。このため、例えば3サブピクセルの多重化を行った場合に図18(B)では、図18(A)の比較例に比べてD/A変換器、出力回路のレイアウト面積を例えば1/3程度にシュリンクできる。そして多重化されるサブピクセル数を増やせば、更にレイアウト面積をシュリンクできる。例えば6サブピクセルの多重化を行った場合には例えば1/6程度にシュリンクできる。従って図17(A)のようにデータドライバブロックDBとメモリブロックMBをD1方向に沿って配置することでD2方向での幅Wを小さくしながら、データドライバブロックDBのレイアウト面積を小さくできるため、集積回路装置10の更なる小面積化を図れる。
なお本実施形態のドライバセルDRCの構成については種々の変形実施が可能である。例えば図19(A)ではラッチ回路LTCは、ラッチ信号LATに基づいて、1画素分の画像データR0〜R7、G0〜G7、B0〜B7(24ビットの画像データ)をラッチする。
マルチプレクサMUXは、マルチプレクス用のトランジスタTMR、TMG、TMB(スイッチング素子)を含む。これらのトランジスタTMR、TMG、TMBのゲートには、各々、R、G、Bのマルチプレクス用の選択信号RSELM、GSELM、BSELM(RGBSEL)が入力される。またトランジスタTMR、TMG、TMBのソースには、ラッチ回路LTCからの画像データQLR、QLG、QLBが入力され、トランジスタTMR、TMG、TMBのドレインは共通接続される。なおトランジスタTMR、TMG、TMBをトランスファーゲートの構成にしてもよい。また図19(A)は3サブピクセルの多重化を行う場合の例であるが、多重化するサブピクセル数が4個以上の場合には、サブピクセル数に応じてトランジスタの数(スイッチング素子の数)を増やせばよい。例えば6サブピクセルの多重化を行う場合にはトランジスタの数を6個(トランスファーゲートの場合は12個)にすればよい。
D/A変換器DACは、マルチプレクサMUXで多重化された画像データQMのD/A変換を、階調電圧(例えばV0〜V255)に基づいて行い、D/A変換後の出力信号QDAを出力する。出力回路SSQは、インピーダンス変換用のボルテージフォロワ接続のオペアンプOP(インピーダンス変換器)を含み、D/A変換器DACの出力信号QDAのインピーダンス変換を行い、データ信号DSとしてデータドライバ用パッドP1に出力する。
図19(A)では、出力回路SSQからは、R、G、Bの信号が時分割に多重化されたデータ信号DSが出力される。従って、デマルチプレクス後のデータ信号を表示パネルの各画素に供給するためのデマルチプレクサを、表示パネル側に設ける必要がある。このため図19(A)の構成は、このデマルチプレクサを構成するTFTを表示パネルのガラス基板に形成できる低温ポリシリコンTFTパネル用の表示ドライバとして好適である。
一方、図19(B)では、ドライバセルDRCの出力回路SSQがデマルチプレクサDMUXを含む。このデマルチプレクサDMUXは、時分割に多重化されたD/A変換後のサブピクセルのデータ信号のデマルチプレクスを行う。例えばオペアンプOPによるインピーダンス変換後のデータ信号QOPのデマルチプレクスを行う。
具体的にはデマルチプレクサDMUXは、トランジスタTDR、TDG、TDB(スイッチング素子)を含む。これらのトランジスタTDR、TDG、TDBのゲートには、各々、R、G、Bのデマルチプレクス用の選択信号RSEL、GSEL、BSELが入力される。またトランジスタTDR、TDG、TDBのソースは共通接続され、その共通接続ノードにオペアンプOPからのデータ信号QOPが入力される。またトランジスタTDR、TDG、TDBのドレインからは、R用、G用、B用のデータ信号DSR、DSG、DSBが出力される。なおトランジスタTDR、TDG、TDBをトランスファーゲートの構成にしてもよい。また図19(B)は3サブピクセルのデマルチプレクス(多重化)を行う場合の例であるが、デマルチプレクスするサブピクセル数が4個以上の場合には、サブピクセル数に応じてトランジスタの数(スイッチング素子の数)を増やせばよい。例えば6サブピクセルのデマルチプレクスを行う場合にはトランジスタの数を6個(トランスファーゲートの場合は12個)にすればよい。
図19(B)では、出力回路SSQからは、デマルチプレクス後のR、G、B用のデータ信号DSR、DSG、DSBが、R、G、B用のデータドライバ用パッドP1R、P1G、P1Bに対して出力される。従って図19(B)の構成では、R、G、Bのデータ信号のデマルチプレクスを行うデマルチプレクサを、表示パネル側に設ける必要がない。このため図19(B)の構成は、アモルファスTFTパネル用の表示ドライバとして好適である。
なお本実施形態のドライバセルDRCの構成は図18(B)〜図19(B)に限定されない。例えばラッチ回路LTCとマルチプレクサMUXの間や、MUXとD/A変換器DACの間や、DACと出力回路SSQの間などに他の回路を設けてもよい。またラッチ回路LTCの構成を省いたり、出力回路SSQとして他の構成の回路を用いてもよい。例えば出力回路SSQにおいて、複数のオペアンプOPを設けたり、D/A変換器DACによりデータ線を直接に駆動する経路を設けるなどの変形実施が可能である。
11.ドライバセルの配置
次にデータドライバブロックでのドライバセルの配置手法について説明する。図20では、データドライバブロックDBは、D2方向に沿って配置される複数のドライバセルDRC1〜DRCQを含む。具体的には、例えばD1方向を長辺方向としD2方向を短辺方向とするドライバセルDRC1〜DRCQがD2方向に並んで配置される。そしてドライバセルDRC1〜DRCQ(Qは自然数)の各々が、図17(B)のマルチプレクサMUX、D/A変換器DACを含む。またドライバセルDRC1〜DRCQは、図18(B)のラッチ回路LTCや出力回路SSQ(デマルチプレクサDMUX)を含むことができる。
次にデータドライバブロックでのドライバセルの配置手法について説明する。図20では、データドライバブロックDBは、D2方向に沿って配置される複数のドライバセルDRC1〜DRCQを含む。具体的には、例えばD1方向を長辺方向としD2方向を短辺方向とするドライバセルDRC1〜DRCQがD2方向に並んで配置される。そしてドライバセルDRC1〜DRCQ(Qは自然数)の各々が、図17(B)のマルチプレクサMUX、D/A変換器DACを含む。またドライバセルDRC1〜DRCQは、図18(B)のラッチ回路LTCや出力回路SSQ(デマルチプレクサDMUX)を含むことができる。
そしてドライバセルDRC1は、1番目の画素に対応する1又は複数のデータドライバ用パッドにデータ信号を出力し、ドライバセルDRC2は、2番目の画素に対応する1又は複数のデータドライバ用パッドにデータ信号を出力する。ドライバセルDRC3〜DRCQも同様である。図19(A)のように出力回路SSQがデマルチプレクサDMUXを含まない場合には、各ドライバセルからのデータ信号が出力されるデータドライバ用パッド(デマルチプレクサ)の個数は1個となる。一方、図19(B)のように出力回路SSQがデマルチプレクサDMUXを含む場合には、各ドライバセルに接続されるデータドライバ用パッドの個数は複数個になる。例えば図19(B)のようにデマルチプレクサDMUXが3サブピクセルのデマルチプレクスを行う場合には、各ドライバセルに接続されるデータドライバ用パッドの個数は3個になる。
図20において、各ドライバセルのマルチプレクサの多重化数(多重化されるサブピクセルの数)をNDMとし、データドライバブロックDB(ドライバセルDRC1〜DRCQ)により駆動されるサブピクセルの数をNSBとする。するとQ=NSB/NDMの関係が成り立つ。例えば図19(A)のように多重化数がNDM=3であり、ドライバセルDRC1〜DRCQにより駆動されるサブピクセルの数がNSB=90(画素数=30)である場合には、Q=NSB/NDM=90/3=30となる。従ってD2方向に沿って30個のドライバセルが並ぶことになる。同様に、NDM=6とすれば、D2方向に沿って15個のドライバセルが並ぶことになる。即ち多重化数NDMを増やせば増やすほど、ドライバセルの個数を減らすことができ、小面積化を図れる。なお多重化数NDMは3(3の倍数)に限定されず、NDM=2であってもよいし、NDM≧4であってもよい。
例えば図18(A)の比較例のように、多重化を行わずにサブピクセルドライバセル(LTCR、DACR、SSQRで構成されるセル)を用いる手法では、多重化数を増やすことでセル数を減らすことはできない。これに対して本実施形態では、多重化数NDMを増やすことで、データドライバブロックの小面積化を図れるという利点がある。なお多重化数NDMを増やすと、出力回路SSQの駆動能力を増加させる必要がある。従って、レイアウト面積と駆動能力とのトレードオフで、多重化数NDMを決定すればよい。
また図21では、複数のドライバセルが、D2方向のみならずD1方向に沿っても配置されている。即ち複数のドライバセルDRC1〜DRC2Qが、D1及びD2方向にマトリクス配置されている。
具体的にはデータドライバブロックDBは、D1方向に沿って配置される第1、第2のデータドライバDRa、DRbを含む。即ち2つ(広義には複数)のデータドライバDRa、DRbがD1方向でスタック配置されており、第1のデータドライバDRaは、メモリブロックMBと第2のデータドライバDRbとの間に配置される。
そして第1のデータドライバDRaでは、第1のグループの複数のドライバセルDRC1〜DRC2Q−1がD2方向に沿って配置される。また第2のデータドライバDRbでは、第2のグループの複数のドライバセルDRC2〜DRC2QがD2方向に沿って配置される。
図21の配置手法は、後述するようにメモリブロックMBから1水平走査期間において画像データを複数回読み出す手法を採用した場合に好適な手法である。
例えばデータドライバDRaに属する第1のグループのドライバセルDRC1〜DRC2Q−1は、メモリブロックMBから第1の水平走査期間において1回目に読み出された画像データをラッチする。そしてラッチされた画像データの多重化を行い、多重化後の画像データについてのD/A変換を行い、D/A変換により得られたデータ信号を出力する。
一方、データドライバDRbに属する第2のグループのドライバセルDRC2〜DRC2Qは、メモリブロックMBから第1の水平走査期間において2回目に読み出された画像データをラッチする。そしてラッチされた画像データの多重化を行い、多重化後の画像データについてのD/A変換を行い、D/A変換により得られたデータ信号を出力する。
また図21において、各ドライバセルのマルチプレクサの多重化数をNDMとし、データドライバブロックDBにより駆動されるサブピクセルの数をNSBとする。またD2方向に並ぶドライバセルの個数をQ個とし、D1方向に並ぶドライバセルの個数をS個(S=IN=RN)する。すると、Q=NSB/(NDM×S)の関係が成り立つ。例えば図19(A)のように多重化数がNDM=3であり、データドライバブロックDB(ドライバセルDRC1〜DRC2Q)により駆動されるサブピクセルの数がNSB=180(画素数=60)であり、S=2である場合には、Q=NSB/(NDM×S)=180/(3×2)=30となる。従ってD2方向に沿って30個のドライバセルが並ぶことになる。同様に、NDM=6とすれば、D2方向に沿って15個のドライバセルが並ぶことになる。即ち多重化数NDMを増やせば増やすほど、ドライバセルの個数を減らすことができ、小面積化を図れる。
12.ブロック分割
図22(A)に示すように表示パネルが、垂直走査方向(データ線方向)での画素数がVPN=320であり、水平走査方向(走査線方向)での画素数がHPN=240であるQVGAのパネルであったとする。また1画素分の画像(表示)データのビット数PDBが、R、G、Bの各々が8ビットであり、PDB=24ビットであったとする。この場合には、表示パネルの1フレーム分の表示に必要な画像データのビット数は、VPN×HPN×PDB=320×240×24ビットになる。従って集積回路装置のメモリは、少なくとも320×240×24ビット分の画像データを記憶することになる。またデータドライバは、1水平走査期間毎(1本の走査線が走査される期間毎)に、HPN=240本分のデータ信号(240×24ビット分の画像データに対応するデータ信号)を表示パネルに対して出力する。
図22(A)に示すように表示パネルが、垂直走査方向(データ線方向)での画素数がVPN=320であり、水平走査方向(走査線方向)での画素数がHPN=240であるQVGAのパネルであったとする。また1画素分の画像(表示)データのビット数PDBが、R、G、Bの各々が8ビットであり、PDB=24ビットであったとする。この場合には、表示パネルの1フレーム分の表示に必要な画像データのビット数は、VPN×HPN×PDB=320×240×24ビットになる。従って集積回路装置のメモリは、少なくとも320×240×24ビット分の画像データを記憶することになる。またデータドライバは、1水平走査期間毎(1本の走査線が走査される期間毎)に、HPN=240本分のデータ信号(240×24ビット分の画像データに対応するデータ信号)を表示パネルに対して出力する。
そして図22(B)では、データドライバは、DBN=4個のデータドライバブロックDB1〜DB4に分割される。またメモリも、MBN=DBN=4個のメモリブロックMB1〜MB4に分割される。即ち、例えばデータドライバブロック、メモリブロック、パッドブロックをマクロセル化した4個のドライバマクロセルDMC1、DMC2、DMC3、DMC4がD1方向に沿って配置される。従って、各データドライバブロックDB1〜DB4は、1水平走査期間毎にHPN/DBN=240/4=60本分のデータ信号を表示パネルに出力する。また各メモリブロックMB1〜MB4は、(VPN×HPN×PDB)/MBN=(320×240×24)/4ビット分の画像データを記憶する。
13.1水平走査期間での複数回読み出し
図22(B)では、各データドライバブロックDB1〜DB4は、1水平走査期間に60本分(R、G、Bを3本とすると、60×3=180本)のデータ信号を出力する。従ってDB1〜DB4に対応するメモリブロックMB1〜MB4からは、1水平走査期間毎に240本分のデータ信号に対応する画像データを読み出す必要がある。
図22(B)では、各データドライバブロックDB1〜DB4は、1水平走査期間に60本分(R、G、Bを3本とすると、60×3=180本)のデータ信号を出力する。従ってDB1〜DB4に対応するメモリブロックMB1〜MB4からは、1水平走査期間毎に240本分のデータ信号に対応する画像データを読み出す必要がある。
しかしながら、1水平走査期間毎に読み出す画像データのビット数が増えると、D2方向に並ぶメモリセル(センスアンプ)の個数を多くする必要が生じる。この結果、集積回路装置のD2方向での幅Wが大きくなり、チップのスリム化が妨げられる。またワード線WLが長くなり、WLの信号遅延の問題も招く。
このような問題を解決するためには、各メモリブロックMB1〜MB4から各データドライバブロックDB1〜DB4に対して、各メモリブロックMB1〜MB4に記憶される画像データを1水平走査期間において複数回(RN回)読み出す手法を採用することが望ましい。
例えば図23ではA1、A2に示すように、1水平走査期間においてRN=2回だけメモリアクセス信号MACS(ワード選択信号)がアクティブ(ハイレベル)になる。これにより各メモリブロックから各データドライバブロックに対して画像データが1水平走査期間においてRN=2回読み出される。すると、データドライバブロック内に設けられた図24のデータドライバDRa、DRbのラッチ回路が、A3、A4に示すラッチ信号LATa、LATbに基づいて、読み出された画像データをラッチする。そしてデータドライバDRa、DRbのマルチプレクサが、ラッチされた画像データの多重化を行い、DRa、DRbのD/A変換器が、多重化後の画像データのD/A変換を行う。そしてデータドライバDRa、DRbの出力回路が、D/A変換により得られたデータ信号DATAa、DATAbをA5、A6に示すように出力する。その後、A7に示すように、表示パネルの各画素のTFTのゲートに入力される走査信号SCSELがアクティブになり、データ信号が表示パネルの各画素に入力されて保持される。
なお図23では第1の水平走査期間で画像データを2回読み出し、同じ第1の水平走査期間においてデータ信号DATAa、DATAbをデータ信号出力線に出力している。しかしながら、第1の水平走査期間で画像データを2回読み出してラッチしておき、次の第2の水平走査期間で、ラッチされた画像データに対応するデータ信号DATAa、DATAbをデータ信号出力線に出力してもよい。また図23では、読み出し回数RN=2である場合を示しているが、RN≧3であってもよい。
図23の手法によれば、図24に示すように、各メモリブロックから30本分のデータ信号に対応する画像データが読み出され、各データドライバDRa、DRbが30本分のデータ信号を出力する。これにより各データドライバブロックからは60本分のデータ信号が出力される。このように図23では、各メモリブロックからは、1回の読み出しにおいて30本分のデータ信号に対応する画像データを読み出せば済むようになる。従って1水平走査期間に1回だけ読み出す手法に比べて、図24のD2方向でのメモリセル、センスアンプの個数を少なくすることが可能になる。この結果、集積回路装置のD2方向での幅を小さくでき、スリムな細長チップを実現できる。特に1水平走査期間の長さは、QVGAの場合は52μsec程度である。一方、メモリの読み出し時間は例えば40nsec程度であり、52μsecに比べて十分に短い。従って、1水平走査期間での読み出し回数を1回から複数回に増やしたとしても、表示特性に与える影響はそれほど大きくない。
また図22(A)はQVGA(320×240)の表示パネルであるが、1水平走査期間での読み出し回数を例えばRN=4にすれば、VGA(640×480)の表示パネルに対応することも可能になり、設計の自由度を増すことができる。
なお1水平走査期間での複数回読み出しは、各メモリブロック内で異なる複数のワード線をローアドレスデコーダ(ワード線選択回路)が1水平走査期間において選択する第1の手法で実現してもよいし、各メモリブロック内で同じワード線をローアドレスデコーダ(ワード線選択回路)が1水平走査期間において複数回選択する第2の手法で実現してもよい。或いは第1、第2の手法の両方の組み合わせにより実現してもよい。
さて図24において、データドライバブロックは、D1方向に沿って並んで配置される複数のデータドライバDRa、DRbを含む。また各データドライバDRa、DRbは、複数のドライバセルを含む。
データドライバDRaは、メモリブロックのワード線WL1aが選択され、図23のA1に示すように1回目の画像データがメモリブロックから読み出されると、A3に示すラッチ信号LATaに基づいて、読み出された画像データをラッチし、ラッチされた画像データの多重化を行う。そして多重化された画像データのD/A変換を行い、1回目の読み出し画像データに対応するデータ信号DATAaを、A5に示すように出力する。
一方、データドライバDRbは、メモリブロックのワード線WL1bが選択され、図23のA2に示すように2回目の画像データがメモリブロックから読み出されると、A4に示すラッチ信号LATbに基づいて、読み出された画像データをラッチし、ラッチされた画像データの多重化を行う。そして多重化された画像データのD/A変換を行い、2回目の読み出し画像データに対応するデータ信号DATAbを、A6に示すように出力する。
このようにして、各データドライバDRa、DRbが30個の画素に対応する30本分のデータ信号を出力することで、合計で60個の画素に対応する60本分のデータ信号が出力されるようになる。
図24のように、複数のデータドライバDRa、DRbをD1方向に沿って配置(スタック)すれば、データドライバの規模の大きさが原因になって集積回路装置のD2方向での幅Wが大きくなってしまう事態を防止できる。またデータドライバは、表示パネルのタイプに応じて種々の構成が採用される。この場合にも、複数のデータドライバをD1方向に沿って配置する手法によれば、種々の構成のデータドライバを効率良くレイアウトすることが可能になる。なお図24ではD1方向でのデータドライバの配置数が2個である場合を示しているが、配置数は3個以上でもよい。
また図24では、各データドライバDRa、DRbは、D2方向に沿って並んで配置される30個(Q個)のドライバセルを含む。そして図24において、表示パネルの水平走査方向の画素数(複数の集積回路装置により分担して表示パネルのデータ線を駆動する場合には、各集積回路装置が受け持つ水平走査方向の画素数)をHPNとし、データドライバブロックのブロック数(ブロック分割数)をDBNとし、ドライバセルに対して1水平走査期間に入力される画像データの入力回数をINとしたとする。なおINは、図23で説明した1水平走査期間での画像データの読み出し回数RNと等しくなる。この場合に、ドライバセルの個数Qは、Q=HPN/(DBN×IN)と表すことができる。図24の場合には、HPN=240、DBN=4、IN=2であるため、Q=240/(4×2)=30個になる。
また表示パネルの水平走査方向のサブピクセル数をHPNSとし、各ドライバセルのマルチプレクサの多重化数をNDMとしたとする。すると、D2方向に沿って並ぶドライバセルの個数Qは、Q=HPNS/(DBN×IN×NDM)と表すことができる。図24の場合には、HPNS=240×3=720、DBN=4、IN=2、NDM=3であるため、Q=720/(4×2×3)=30個になる。例えば多重化数が増えてNDM=6になると、Q=720/(4×2×6)=15個になる。
またドライバセルのD2方向での幅(ピッチ)をWDとし、データドライバブロックが含む周辺回路部分(バッファ回路、配線領域等)のD2方向での幅をWPCBとした場合に、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのD2方向での幅WB(最大幅)は、Q×WD≦WB<(Q+1)×WD+WPCBと表すことができる。またメモリブロックが含む周辺回路部分(ローアドレスデコーダRD、配線領域等)のD2方向での幅をWPCとした場合には、Q×WD≦WB<(Q+1)×WD+WPCと表すことができる。
また表示パネルの水平走査方向の画素数をHPNとし、1画素分の画像データのビット数をPDBとし、メモリブロックのブロック数をMBN(=DBN)とし、1水平走査期間においてメモリブロックから読み出される画像データの読み出し回数をRNとしたとする。この場合に、センスアンプブロックSABにおいてD2方向に沿って並ぶセンスアンプ(1ビット分の画像データを出力するセンスアンプ)の個数Pは、P=(HPN×PDB)/(MBN×RN)と表すことができる。図24の場合には、HPN=240、PDB=24、MBN=4、RN=2であるため、P=(240×24)/(4×2)=720個になる。なお個数Pは、有効メモリセル数に対応する有効センスアンプ数であり、ダミーメモリセル用のセンスアンプ等の有効ではないセンスアンプの個数は含まない。
また表示パネルの水平走査方向のサブピクセル数をHPNSとし、各ドライバセルのマルチプレクサの多重化数をNDMとしたとする。すると、D2方向に沿って並ぶセンスアンプの個数Pは、P=(HPNS×PDB)/(MBN×RN×NDM)と表すことができる。図24の場合には、HPNS=240×3=720、PDB=24、MBN=4、RN=2、NDM=3であるため、P=(720×24)/(4×2×3)=720個になる。
またセンスアンプブロックSABが含む各センスアンプのD2方向での幅(ピッチ)をWSとした場合には、センスアンプブロックSAB(メモリブロック)のD2方向での幅WSABは、WSAB=P×WSと表すことができる。そして、回路ブロックCB1〜CBNのD2方向での幅WB(最大幅)は、メモリブロックが含む周辺回路部分のD2方向での幅をWPCとした場合には、P×WS≦WB<(P+PDB)×WS+WPCと表すこともできる。
14.信号波形例
図25に本実施形態の信号波形例を示す。end1Hは1H期間(1水平走査期間)の終了を示す信号である。本実施形態では、1H期間毎にVCOMの極性が反転するようになっている。
図25に本実施形態の信号波形例を示す。end1Hは1H期間(1水平走査期間)の終了を示す信号である。本実施形態では、1H期間毎にVCOMの極性が反転するようになっている。
図25のC1に示すように1Hの最初において、デマルチプレクサの選択信号RSEL、GSEL、BSELがアクティブ(Hレベル)になる。その後、C2、C3、C4に示すように選択信号RSEL、GSEL、BSELが順次アクティブになる。これにより、図19(B)のデマルチプレクサDMUXのトランジスタTDR、TDG、TDBが順次オンになり、C5、C6、C7に示すようにデータ線にデータ信号が出力される。
図25のC8、C9、C10に示す選択信号RGBSEL(RSELM〜BSELM)により、マルチプレクサMUXがR、G、Bのサブピクセルの画像データの多重化を行い、C11、C12、C13に示すようにD/A変換器DACから出力信号が出力される。
LCDREADは、図23で説明したように、メモリブロックMBから1H期間に画像データを複数回読み出すための信号である。そして信号CAL0がLレベルの場合には1回目の読み出しを意味し、Hレベルの場合には2回目の読み出しを意味する。
ラッチ信号LATは、図21のデータドライバDRa、DRbのドライバセルのラッチ回路LTCに入力される。ラッチイネーブル信号LATENaは、データドライバDRaのドライバセルDRC1、DRC3・・・のラッチ回路LTCに入力され、ラッチイネーブル信号LATENbは、データドライバDRbのドライバセルDRC2、DRC4・・・のラッチ回路LTCに入力される。
そしてメモリブロックMBからの1回目の読み出し時には、C14に示すように信号LATENaがアクティブであるため、メモリブロックMBから読み出された画像データ信号RDATAは、図21のデータドライバDRaのドライバセルDRC1、DRC3・・・のラッチ回路LTCにラッチされる。一方、2回目の読み出し時には、C15に示すように信号LATENbがアクティブであるため、メモリブロックMBから読み出された画像データ信号RDATAは、図21のデータドライバDRbのドライバセルDRC2、DRC4・・・のラッチ回路LTCにラッチされる。これにより、画像データの1H期間での複数回読み出しが実現される。
図25のC8に示す第1の期間では、階調電圧生成回路ブロックGBがR用の階調電圧を出力する。また選択信号RSELMがアクティブになり、マルチプレクサMUXがRの画像データを選択する。そしてC11に示すようにD/A変換器DACがRの画像データのD/A変換を行う。
C9に示す第2の期間では、階調電圧生成回路ブロックGBがG用の階調電圧を出力する。また選択信号GSELMがアクティブになり、マルチプレクサMUXがGの画像データを選択する。そしてC12に示すようにD/A変換器DACがGの画像データのD/A変換を行う。
C10に示す第3の期間では、階調電圧生成回路ブロックGBがB用の階調電圧を出力する。また選択信号BSELMがアクティブになり、マルチプレクサMUXがBの画像データを選択する。そしてC13に示すようにD/A変換器DACがBの画像データのD/A変換を行う。
15.電子機器
図26(A)、図26(B)に本実施形態の集積回路装置10を含む電子機器(電気光学装置)の例を示す。なお電子機器は図26(A)、図26(B)に示されるもの以外の構成要素(例えばカメラ、操作部又は電源等)を含んでもよい。また本実施形態の電子機器は携帯電話機には限定されず、デジタルカメラ、PDA、電子手帳、電子辞書、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビ、或いは携帯型情報端末などであってもよい。
図26(A)、図26(B)に本実施形態の集積回路装置10を含む電子機器(電気光学装置)の例を示す。なお電子機器は図26(A)、図26(B)に示されるもの以外の構成要素(例えばカメラ、操作部又は電源等)を含んでもよい。また本実施形態の電子機器は携帯電話機には限定されず、デジタルカメラ、PDA、電子手帳、電子辞書、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビ、或いは携帯型情報端末などであってもよい。
図26(A)、図26(B)においてホストデバイス410は、例えばMPU、ベースバンドエンジンなどである。このホストデバイス410は、表示ドライバである集積回路装置10の制御を行う。或いはアプリケーションエンジンやベースバンドエンジンとしての処理や、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行うこともできる。また図26(B)の画像処理コントローラ420は、ホストデバイス410に代行して、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行う。
図26(A)の場合には、集積回路装置10としてメモリ内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には集積回路装置10は、ホストデバイス410からの画像データを、一旦内蔵メモリに書き込み、書き込まれた画像データを内蔵メモリから読み出して、表示パネルを駆動する。一方、図26(B)の場合には、集積回路装置10としてメモリ非内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には、ホストデバイス410からの画像データは、画像処理コントローラ420の内蔵メモリに書き込まれる。そして集積回路装置10は、画像処理コントローラ420の制御の下で、表示パネル400を駆動する。
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語(第1のインターフェース領域、第2のインターフェース領域、第1の色成分、第2の色成分、第3の色成分等)と共に記載された用語(出力側I/F領域、入力側I/F領域、R、G、B等)は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。
また例えば図8(A)〜図14で説明した階調調整データの転送手法や、図15(A)〜図16で説明した階調電圧の供給手法は、図2〜図4(A)等で説明した構成の集積回路装置のみならず、他の配置構成の集積回路装置にも適用できる。例えば図4(B)の配置構成の集積回路装置にも適用できる。
CB1〜CBN 第1〜第Nの回路ブロック、GB 階調電圧生成回路ブロック、
DB データドライバブロック、MB メモリブロック、LB ロジック回路ブロック、
10 集積回路装置、12 出力側I/F領域、14 入力側I/F領域、
20 メモリ、22 メモリセルアレイ、24 ローアドレスデコーダ、
26 カラムアドレスデコーダ、28 ライト/リード回路、
40 ロジック回路、42 制御回路、44 表示タイミング制御回路、
46 ホストインターフェース回路、48 RGBインターフェース回路、
50 データドライバ、70 走査ドライバ、90 電源回路、
110 階調電圧生成回路、120 ラダー抵抗回路、130 階調電圧設定回路、
140 制御回路、142 階調レジスタ部、144 アドレスデコーダ、
400 表示パネル、410 ホストデバイス(ベースバンドエンジン)、
420 画像処理コントローラ
DB データドライバブロック、MB メモリブロック、LB ロジック回路ブロック、
10 集積回路装置、12 出力側I/F領域、14 入力側I/F領域、
20 メモリ、22 メモリセルアレイ、24 ローアドレスデコーダ、
26 カラムアドレスデコーダ、28 ライト/リード回路、
40 ロジック回路、42 制御回路、44 表示タイミング制御回路、
46 ホストインターフェース回路、48 RGBインターフェース回路、
50 データドライバ、70 走査ドライバ、90 電源回路、
110 階調電圧生成回路、120 ラダー抵抗回路、130 階調電圧設定回路、
140 制御回路、142 階調レジスタ部、144 アドレスデコーダ、
400 表示パネル、410 ホストデバイス(ベースバンドエンジン)、
420 画像処理コントローラ
Claims (18)
- 集積回路装置の短辺である第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とし、集積回路装置の長辺である第2の辺から対向する第4の辺へと向かう方向を第2の方向とした場合に、前記第1の方向に沿って配置される第1〜第Nの回路ブロック(Nは2以上の整数)を含み、
前記第1〜第Nの回路ブロックは、
データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックと、
複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、
階調電圧を調整するための階調調整データを前記階調電圧生成回路ブロックに転送するロジック回路ブロックとを含み、
前記データドライバブロックは、
前記階調電圧生成回路ブロックと前記ロジック回路ブロックの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1において、
前記ロジック回路ブロックは、
前記階調調整データを、nビット(nは自然数)の階調用転送線を介して時分割で前記階調電圧生成回路ブロックに転送することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項2において、
階調電圧生成回路ブロックは、
前記階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、
前記ロジック回路ブロックは、
前記階調レジスタ部のレジスタアドレスを指定するためのアドレス信号と、指定されたレジスタアドレスに書き込まれる階調調整データを転送するためのデータ信号を、前記階調用転送線を介して前記階調電圧生成回路ブロックに出力することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項3において、
前記ロジック回路ブロックは、
有効なデータ信号が出力されるデータ有効期間以外の期間において、第1のビットパターンのアドレス信号を出力し、
前記階調レジスタ部のレジスタマップでは、前記第1のビットパターンのアドレス信号に対応するレジスタアドレス以外のレジスタアドレスに対して、前記階調調整データが書き込まれるレジスタがマッピングされていることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項3又は4において、
前記ロジック回路ブロックは、
前記データ信号を取り込むためのラッチ信号を前記階調電圧生成回路ブロックに出力し、
前記階調電圧生成回路ブロックは、
前記ロジック回路ブロックからのアドレス信号をデコードし、アドレス信号に対応するレジスタアドレス信号を出力するアドレスデコーダを含み、
前記階調電圧生成回路ブロックの前記階調レジスタ部では、
前記ロジック回路ブロックからのラッチ信号に基づいて、前記アドレスデコーダからのレジスタアドレス信号がアクティブとなっているレジスタに対して、前記階調調整データが書き込まれることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項2乃至5のいずれかにおいて、
前記第1〜第Nの回路ブロックのうちの隣接する回路ブロック間では、第I(Iは3以上の整数)の層よりも下層の配線層で形成されるローカル線が配線され、
前記第1〜第Nの回路ブロックのうちの隣接しない回路ブロック間では、前記第Iの層以上の配線層で形成されるグローバル線が、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上を前記第1の方向に沿って配線され、
前記階調用転送線が、前記グローバル線により前記データドライバブロック上を前記第1の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記第1〜第Nの回路ブロックは、
走査線を駆動するための第1の走査ドライバブロックを含み、
前記階調電圧生成回路ブロックは、
前記第1の走査ドライバブロックと前記データドライバブロックとの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項7において、
前記第1の走査ドライバブロックの出力線と前記走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、前記階調電圧生成回路ブロックの前記第2の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項7又は8において、
前記第1〜第Nの回路ブロックは、
走査線を駆動するための第2の走査ドライバブロックを含み、
前記ロジック回路ブロックは、
前記第2の走査ドライバブロックと前記データドライバブロックの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項9において、
前記第2の走査ドライバブロックの出力線と前記走査線とを電気的に接続するための走査ドライバ用パッドが、前記ロジック回路ブロックの前記第2の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至10のいずれかにおいて、
前記階調電圧生成回路ブロックは、
高電位側電源と低電位側電源の間を抵抗分割し、複数の抵抗分割ノードの各抵抗分割ノードに複数の階調電圧の各階調電圧を出力するラダー抵抗回路と、
前記階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部と、
前記階調調整データに基づいて、前記抵抗分割ノードに出力される階調電圧を可変に設定する階調電圧設定回路とを含み、
前記階調レジスタ部の前記第2の方向側に前記階調電圧設定回路が配置され、前記階調電圧設定回路の前記第2の方向側に前記ラダー抵抗回路が配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項11において、
前記第1〜第Nの回路ブロックは、
電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記電源回路ブロックと前記データドライバブロックの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項12において、
前記電源回路ブロックは、
チャージポンプにより電圧の昇圧を行う昇圧回路により昇圧された電圧を調整するレギュレータを含み、
前記第2の方向の反対方向を第4の方向とした場合に、前記レギュレータは、前記ラダー抵抗回路の第4の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至13のいずれかにおいて、
前記階調電圧生成回路ブロックは、
少なくとも第1、第2、第3の色成分用の階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、
前記データドライバブロックは、
時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器を含み、
第1の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第1の色成分用の階調調整データに基づき設定された第1の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第1の色成分用の階調電圧に基づいて、第1の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、
第2の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第2の色成分用の階調調整データに基づき設定された第2の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第2の色成分用の階調電圧に基づいて、第2の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、
第3の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第3の色成分用の階調調整データに基づき設定された第3の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第3の色成分用の階調電圧に基づいて、第3の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行うことを特徴とする集積回路装置。 - データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックと、
複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、
階調電圧を調整するための階調調整データを前記階調電圧生成回路ブロックに転送するロジック回路ブロックとを含み、
前記ロジック回路ブロックは、
第1、第2、第3の色成分用の階調調整データを、nビット(nは自然数)の階調用転送線を介して時分割で前記階調電圧生成回路ブロックに転送し、
前記階調電圧生成回路ブロックは、
前記階調用転送線を介して転送された前記第1、第2、第3の色成分用の階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部を含み、
前記データドライバブロックは、
時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行うD/A変換器を含み、
第1の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第1の色成分用の階調調整データに基づき設定された第1の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第1の色成分用の階調電圧に基づいて、第1の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、
第2の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第2の色成分用の階調調整データに基づき設定された第2の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第2の色成分用の階調電圧に基づいて、第2の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行い、
第3の期間では、
前記階調電圧生成回路ブロックは、前記階調レジスタ部からの前記第3の色成分用の階調調整データに基づき設定された第3の色成分用の階調電圧を出力し、前記D/A変換器は、出力された前記第3の色成分用の階調電圧に基づいて、第3の色成分のサブピクセルの画像データのD/A変換を行うことを特徴とする集積回路装置。 - 請求項15において、
前記階調用転送線が、前記ロジック回路ブロックから前記階調電圧生成回路ブロックに対して前記データドライバブロック上に配線されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項14乃至16のいずれかにおいて、
前記データドライバブロックは、
少なくとも1画素分の画像データをラッチするラッチ回路と、
前記ラッチ回路にラッチされた画像データを受け、サブピクセルの画像データを時分割で多重化して出力するマルチプレクサと、
時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのD/A変換を行う前記D/A変換器を含むことを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至17のいずれかに記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置により駆動される表示パネルと、
を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223128A JP2008046461A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 集積回路装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223128A JP2008046461A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 集積回路装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008046461A true JP2008046461A (ja) | 2008-02-28 |
Family
ID=39180244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006223128A Pending JP2008046461A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 集積回路装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008046461A (ja) |
-
2006
- 2006-08-18 JP JP2006223128A patent/JP2008046461A/ja active Pending
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