JP2008044310A - インクジェット記録ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 印字速度が速くローコストでかつ耐久性の高いのインクジェットヘッドを提供する。インクジェット記録ヘッド基板表面のパッド数を減少する。
【解決手段】 ヒータを駆動するＭＯＳトランジスタのソースに接続される接地電位ライン（ＧＮＤＨ）が、基板の裏面に設けられた電極から基板内に設けられた導電領域（高濃度不純物拡散領域）を介してＭＯＳトランジスタに接続される。基板表面にはＧＮＤＨ配線やパッドが存在しない。
【選択図】 図１

Description

本発明は、インクジェット記録ヘッドに関する。

インクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドには、インクを吐出する複数のノズルと、各ノズルに供給されるインクを一時的に保持する共通液室と、共通液室と各ノズルとを連通するインク流路とが設けられ、各インク流路内にはインクを吐出するために利用されるエネルギを発生するためのヒータ（電気熱変換素子）が形成されている。各ヒータはシリコン等からなる基板上に設けられ、各ヒータに電力を供給するための駆動素子となるＭＯＳトランジスタや配線等とともに基板上に一体的に形成されている。

記録を行う際には、共通液室に供給されたインクが各インク流路に導かれ、ノズルでメニスカスを形成して保持される。このときヒータを選択的に駆動させることにより、膜沸騰が生じてインク流路内に気泡が発生し、この気泡の成長によってインクがノズルから吐出される。

このような構成のインクジェット記録ヘッドを用いての記録方法によれば、品位の高い画像を高速、低騒音で記録することができるとともに、この記録方法を行うインクジェット記録ヘッドでは液体を吐出するためのノズルを高密度に配置することができるため、小型の装置で高解像度の記録画像、さらにカラー画像をも容易に得ることができるという多くの優れた利点を有している。このため、このような記録方法は、近年、プリンタ、複写機、ファクシミリなどの多くのオフィス機器に利用されており、さらに、捺染装置などの産業用システムにまで利用されるようになってきている。

図１０は、インクジェット記録ヘッドを構成する基板上における各素子の配置構成の一従来例を示す模式的平面図である。

図１０において、１はシリコン等からなる基板、２はインク吐出に利用される熱エネルギを発生するためのヒータが配列されている領域、３は個々のヒータ選択的に電力を供給するためのＭＯＳトランジスタが配列されている領域、４は前記ＭＯＳトランジスタのスイッチング動作を制御するための論理回路や、ＭＯＳトランジスタのゲート電極に印加をする電圧を出力する昇圧回路が配置されている領域である。

５は論理回路や、静電気に対する保護回路等の入力回路が配置された領域、６は基板外部との電気的接続を行なうためのパッド、７は基板１の裏面側に設けられたインクタンク（不図示）から基板１の表面に配置されている各ヒータの位置へインクを供給するためのインク供給口である。

図２は、図１０でのＡＡ′線における断面図であり、図１０には示されていない、ノズルや流路の断面構造も併せて示すものである。なお、図２では図１０に示したＭＯＳトランジスタや論理回路等の図示は省略されている。

図２において、８はヒータ、９は流路、１０はノズル、１１は流路９やノズル１０を形成するノズル材、１２はインクタンクである。

基板１の裏面側に設けられたインクタンク１２に貯留されたインクは、インク供給口７と流路９を介してそれぞれのヒータ８の位置に供給される。そして、この供給されたインクにはヒータが発生する熱エネルギが付与され、その結果、インク中に生じる気泡１３の生成時の圧力によってノズル１０からインク滴１４が吐出される。

上述の基板の構成において、インク供給口７はアルカリ性のウェットエッチング液を用いた異方性エッチングによって形成される。基板表面の結晶面として、（１００）面を表面にもつシリコン基板を用いてインクジェット記録ヘッドを形成するのが一般的であるが、この場合、形成されるインク供給口７の側面の面方位は（１１１）であり、このインク供給口７の側面と基板１の表面とで形成される角度（テーパ角）は５４．７°となる。

図３に、図１０に示したインクジェット記録ヘッドの、ヒータの駆動回路の構成を説明するためのブロック図を示す。

図３において、インクを吐出するための吐出エネルギを発生するヒータ８の一端は、ヒータ８に所定の電力を供給するための供給源となる第１の電源ライン（ＶＨ）１６に接続され、ヒータ８の他端にはヒータに対する電力の供給を制御するＭＯＳトランジスタ１５のドレイン（Ｄ）が接続されている。ＭＯＳトランジスタ１５のソース（Ｓ）は第１の接地電位ライン１７と接続され、ＭＯＳトランジスタ１５のオン／オフを制御するための制御電圧が印加されるゲート（Ｇ）には昇圧回路１８が接続されている。昇圧回路１８は論理回路２１から出力される電圧を昇圧して出力し、ＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗が充分に小さくなるような電圧をＭＯＳトランジスタのゲート（Ｇ）に印加する。昇圧回路１８は、第２の電源ライン１９と、第２の接地電位ライン２０に接続される。

論理回路２１では、外部からの入力信号に従って、どのＭＯＳトランジスタ１５を駆動するか決定し、スイッチ２２のオン／オフによって信号の入り切りが制御される。論理回路２１は、第３の電源ライン２３と、第２の接地電位ライン２０、および信号入力ライン２４に接続される。

このように、論理回路２１に接続されている接地電位ラインは、昇圧回路１８の接地電位ラインと基板内で接続されている。

現在の一般的なインクジェット記録ヘッドでは、ヒータに流れる電流は４０ｍＡ乃至２００ｍＡであり、１つのヘッドで同時に駆動するヒータの数は数１０個乃至１００個に及ぶ。従って、瞬間的にはヘッドに数Ａ乃至約数１０Ａの大電流が流れることになる。

従って、前記第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７には大電流が流れる。このため、できるだけこれらの配線の配線抵抗が低いヘッド構造が望まれる。また、このような理由により、前記したように第１の接地電位ラインと、第２の接地電位ラインは別々に分けられ、同時に多くのヒータを駆動した場合でも、論理回路や昇圧回路が、大電流が流れることによって生じるノイズや、接地電位の揺らぎの影響を受け難くしている。

図４に従来のインクジェット記録ヘッドにおける、第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７の配置例を示す。図４に示したように、第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７は、配線抵抗が低くなるようにできる限り配線幅が太くなるように配置され、パッド６に接続される。

図５に、図４中Ｂで示された領域の拡大図を示す。図５において、８はヒータ、１６は第１の電源ライン、１７は第１の接地電位ライン、１５はＭＯＳトランジスタである。第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインは、第２層のＡＬ配線により形成されている。

ヒータの一方の端は、第１の電源ライン１６に接続され、他端は、第２層のＡＬ配線２５に接続されている。この第２層のＡＬ配線２５は、スルーホール２６を介して下層にある第１層のＡＬ配線（不図示）に接続され、さらにこの第１のＡＬ配線はＭＯＳトランジスタ１５のドレインに接続される。

第２層のＡＬ配線により形成されている、第１の接地ライン１７はスルーホール２７を介して下層にある第１のＡＬ配線（不図示）に接続され、さらにこの第１のＡＬ配線はＭＯＳトランジスタ１５のソースに接続される。

図６にＭＯＳトランジスタの構造を示す。図６において２８はコンタクトホール、２９はドレイン電極配線、３０はソース電極配線、３１はゲートである。ドレイン電極配線２９およびソース電極配線３０は、第１層のＡＬ配線により形成されている。

前記したように、ドレイン電極配線２９は、スルーホール２６を介して上層の第２層のＡＬ配線２５に接続され、ソース電極配線３０は、スルーホール２７を介して上層の第２層のＡＬ配線で形成される接地電位ライン１７に接続される。

図７に、図６中ＣＣ‘線における断面図を示す。図７中３２はドレインの一部を形成するＮ＋領域（濃度の濃いＮ型不純物注入領域）、３３はドレインの一部を形成するＮ−領域（濃度の薄いＮ型不純物注入領域）、３４はソースを形成するＮ＋領域である。また、基板１は濃度の薄いＰ型不純物が注入された、Ｐ−領域から成っている。ヒータを駆動するＭＯＳトランジスタ１５は、高い印加電圧でも破壊されない高耐圧の特性が求められる。高耐圧特性を得るためにはドレインに電界緩和層を有することが望まれる。図７では電界緩和層であるＮ−領域を備えたＭＯＳトランジスタを示した。高耐圧のＭＯＳトランジスタとしては、チャネル領域を拡散によって形成するＤＭＯＳの構造でも良い。また、ヒータに印加する電圧が低い場合や、ＭＯＳトランジスタの駆動方法によっては、電界緩和層の無い一般的なＭＯＳトランジスタでも良い。

以上説明したように、インクジェット記録ヘッドのヒータ８を駆動するＭＯＳトランジスタ１５およびＭＯＳトランジスタに接続されている第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７の断面構造は、図８の様になる。図８では、各層の接続の関係を説明するための模式図であり、ヒータは表示していない。また、３５は素子分離のために形成される酸化膜である。

図８に示したように、ヒータ８を駆動するＭＯＳトランジスタ１５およびＭＯＳトランジスタに接続されている第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７は共に、基板表面の第２層のＡＬ配線を介してパッド（不図示）まで接続されている。

図９に従来のインクジェット記録ヘッドにおける、第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７の、他の配置例を示す。

図４ではインク供給口７の両端に配置されたそれぞれのヒータ８およびＭＯＳトランジスタ１５に、第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７をそれぞれ１つのＡＬ配線で形成した場合について示した。図９では、ヒータ８およびＭＯＳトランジスタ１５に接続する第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７が、数個の配線に分岐して接続される場合について示した。

図９では、ヒータが配列されている領域２が４つのグループに分けられ、それに伴い、電源ライン１６および接地電位ライン１７も４つのグループに分けられて配線されている。１つのグループは図９中Ｄで示された領域である。第１の電源ライン１６および第１の接地電位ライン１７は、図９に示すように、分けられたグループに対応するように分割され、それぞれのグループの、一連の複数のヒータに対して別々の配線で配置される。個々の配線はパッド近傍で接続される。

このような構成を採ることにより、ヒータの耐久性や印字品位向上を実現させることができる。以下にこれに関して説明する。

インクを吐出するためヒータに印加される電圧は、ヒータから熱エネルギを発生させるためにインクジェット記録ヘッドに印加された電圧のうち、ＡＬの配線抵抗、ＭＯＳトランジスタトランジスタのオン抵抗等の寄生抵抗による電圧降下分だけ低下した電圧が印加されることとなるが、ヒータの耐久性や印字品位向上のため、インクジェット記録ヘッドの動作モードにかかわらず、すべてのヒータに同一の電圧が印加されることが望ましい。

現在の技術では、１つの基板中に配置されたＭＯＳトランジスタのオン抵抗はほぼ一定と考えられる。したがって、それぞれのヒータに接続されているＡＬ配線の抵抗値がほぼ同一になるような構成にすれば、すべてのヒータにほぼ同一の電圧が印加されることになる。

ところが、図４に示した配線構成では、ヒータの配置位置によりＡＬ配線抵抗は異なる。図４中、パッド近傍に配置されたヒータに接続されたＡＬ配線抵抗は小さく、基板長辺方向中央部近傍に配置されたヒータに接続されたＡＬ配線抵抗は大きくなる。

また、図４のＡＬ配線構成では、同一の配線に接続された複数のヒータの内、何個のヒータを駆動するによって、配線抵抗による電圧降下の程度が変化する。

このように、ヒータの位置や駆動方法により配線抵抗による電圧降下の値が変化する場合、最もインクの吐出が起こり難いヒータ、最もインクの吐出が起こり難い駆動方法すなわち最も多くのヒータを同時に駆動する場合に合わせてヒータに印加する電圧を決定する。

この様なヒータ構成、ヒータ駆動形態では、配線抵抗の低いヒータにおいてヒータ駆動数が少ない場合、ヒータには過大な電圧が印加されることになる。

各ヒータに接続されているＡＬ配線抵抗をほぼ同一にする方法の１つとして、各ヒータに接続されているＡＬ配線抵抗をほぼ同一にし、それぞれ独立に、パッド近傍まで引き出す方法が考えられる。

しかしながら、現在のインクジェット記録ヘッドでは、１００ノズル以上の多くのノズルを備えたものが多く、上述したような各ヒータから独立したＡＬ配線を配置する構成を採ることは困難である。

そのため、隣接して配置されている所望の数のヒータを１つのグループとし、１つのグループ中のヒータに接続されているＡＬ配線は１つのグループに含まれるヒータで共通に用いるという方法が用いられている。この際、１つのグループ中では最大でも１つのヒータにしか電圧が印加されない。すなわち、同時に複数のヒータに電圧が印加されることがないようなグループ分けがなされている。これにより、ヒータの同時駆動数に依存する電圧降下の変動を発生しないようにしている。また、異なったグループ間でもＡＬ配線抵抗はほぼ同一になるような配置がなされている。

図９では、（１）、（２）、（３）、（４）で示したＡＬ配線の抵抗値がそれぞれほぼ等しくなるように、（５）、（６）、（７）、（８）で示したＡＬ配線の抵抗値がそれぞれほぼ等しくなるように配置されている。

以上のようなグループ分けをした構成とし、グループ内では同時に駆動するヒータが無い様にヒータを駆動することで、インクジェット記録ヘッド中の各ヒータに接続されているＡＬ配線に起因する電圧降下を、同時駆動するヒータ数によらずほぼ同一にすることができる。

なお、論点を簡潔に説明するため、図９では配線を４つのグループに分けた、分割数の少ない比較的簡単な配線形態を示したが、実際のインクジェット記録ヘッドでは、ノズル数が１００以上である場合が多く、この場合ＡＬ配線の分割数（グループの数）は８乃至６４と非常に多くなっている。
特開平１０−７１７１４号公報 特開２００４−５０６３６号公報

近年のインクジェット記録ヘッドでは、印字速度を上げるために印字幅は大きく設定する場合が多く、基板の長辺は１０ｍｍ乃至３０ｍｍと比較的大きい基板サイズであるのに対し、コストダウンのために基板面積の縮小を行い、収量を増やしているため、基板の短辺は、３ｍｍ乃至１ｍｍと小さいサイズになっている。このように基板長辺のサイズが大きくなり、且つ基板短辺のサイズが小さくなっているため、ＡＬ配線の抵抗値は大きくなる傾向にある。ＡＬ配線抵抗は基板のサイズ、配線方法、ＡＬ配線の厚さ等により決定されるが、現在の一般的なインクジェット記録ヘッドにおいては、５Ω乃至３０Ωである。

これまで説明してきた様に、ＡＬ配線抵抗はなるべく小さいことが望まれる。

特に、図９に示したヒータおよびＭＯＳトランジスタに接続する配線が、数個の配線に分岐して接続される場合、抵抗値の増大が問題になるだけではない。基板短辺のサイズが小さくなるにつれ、それぞれの配線の配線幅も細くなるため、配線の抵抗値ばらつきが発生し易くなり、更には、配線の分割数が多い場合、ＡＬ配線の配置が困難になる場合も生じる。

また、基板サイズの減少に伴いパッドの配置も困難になっている。

本発明はこのような課題を解決するもので、その目的とするところは、印字速度が速くローコストでかつ耐久性の高いのインクジェットヘッドを提供することである。

より具体的には、印字幅が広くローコストなインクジェット記録ヘッド、すなわち基板長辺のサイズが大きく、基板短辺のサイズが小さいインクジェットヘッドにおいて、ヒータおよびヒータを駆動するＭＯＳトランジスタに接続されている導電層の寄生抵抗を下げることのできるインクジェット記録ヘッドを提供することである。

本発明の他の目的は、インクジェット記録ヘッド基板表面のパッド数を減少することである。

本発明のインクジェット記録ヘッドは、ヒータを駆動するＭＯＳトランジスタのソースに接続される接地電位ラインが、基板の裏面に設けられた電極から基板内に設けられた導電領域を介してＭＯＳトランジスタに接続されることを特徴とする。

以上説明したように、本発明のインクジェット記録ヘッドは、ヒータを駆動するＭＯＳトランジスタのソースに接続される、接地電位ラインが、基板の裏面に設けられた電極から基板内に設けられた導電領域（拡散層）を介して接続されることを特徴とする。

この構成において、基板の厚さ、基板中の拡散層の不純物濃度、拡散層の構成を適切にすることで、接地電位ラインの抵抗値を小さくすることができる。また、接地電位ラインの配線が基板表面から無くなるため、基板表面での、ヒータに電力を供給する第１の電源ラインの配線幅を広くすることができ、第１の電源ラインの抵抗値も低下させることができる。

あわせて、従来基板表面に配置されていた接地電位ラインのパッドを無くすことができるので、基板表面のパッド数を削減できる。

以上の特徴をもっているので、基板サイズを小さくした場合でも寄生抵抗の比較的低いインクジェット記録ヘッドが作製できる。

以下に、本発明のインクジェット記録ヘッドに関して、より詳しく説明する。なお、ここに示す実施例は、本発明の最良の実施の形態の一例ではあるものの、本発明は、これら実施例により限定されるものではない。

図１に、本発明による、インクジェット記録ヘッドの構造の模式図を示す。図１はインクジェット記録ヘッドを構成する基板の断面図である。図１において、図８に用いた符合と同一番号の物は同一の構成物を表す。図１において３６は基板表面に設けられたＰ−領域、３７は基板裏面に設けられたＰ＋領域、３８は基板表面の所望の領域に形成されたＰ＋領域、３９は第１層のＡＬ配線３０と、前記Ｐ＋領域３８を接続するコンタクトホール、４０は基板裏面に設けられた電極である。

このような構造は以下のような工程で作成できる。

ボロン等のＰ型不純物を５Ｅ１７ｃｍ−３乃至５Ｅ１８ｃｍ−３含む基板を用いてエピタキシャル成長を行い基板表面に５Ｅ１５乃至５Ｅ１６のＰ型不純物を含む領域を形成した。これにより、基板裏面にはＰ＋領域３７が、基板表面にはＰ−領域３６が形成される。次に一般的に知られている半導体工程により、基板表面の所望の部分にＰ＋領域３８を形成した。次に、基板表面にＭＯＳトランジスタ、配線、ヒータ等を形成した。

続いて基板裏面をバックラップ処理し、基板の厚さを薄くした。今回は厚さ６２５μｍの基板をバックラップし、厚さ２００μｍにした。なお、基板の厚さを薄くするのは、後に説明するが、寄生抵抗を低くするためであり、必ずしも必要な処理ではない。その後金属蒸着法により、ニッケル、銀、金、等の金属膜を基板裏面に形成し、電極４０を形成した。

ＭＯＳトランジスタのソース３４は、第１層のＡＬ配線３０に、コンタクトホール３０を介して接続されている。第１層のＡＬ配線３０は、前記のようにＰ＋領域３８にコンタクトホール３９を介して接続されている。Ｐ＋領域３８は、基板裏面に設けられたＰ＋領域３７に接続され、Ｐ＋領域３７は、基板裏面に設けられた電極４０に接続されている。

従って本発明では、ＭＯＳトランジスタのソース３４に接続される接地電位ラインは、基板裏面に設けられた電極４０に引き出される。基板裏面に設けられた電極４０は、抵抗値を低減するため、基板裏面の広い領域、たとえばほぼ全面に設けられ、外部との電気的接続に用いられる。

従来のインクジェット記録ヘッドでは、ヒータに接続されている第１の電源ラインも、ヒータを駆動するＭＯＳトランジスタに接続されている、第１の接地電位ラインも、基板表面に設けられたＡＬ配線を介してパッドまで引き伸ばされ、このパッドから外部と電気的接続をとっていたが、本発明では、第１の接地電位ラインは基板裏面に出されているので、基板表面側は、第１の電源ラインを自由に配置することができる。

図１１に本発明によるインクジェット記録ヘッドの平面図の一例を示す。上記のように本発明により基板表面にＭＯＳトランジスタのソースに接続されている配線が無くなるため、第１の電源ラインの配線幅を約２倍太くすることができ、抵抗値を約１／２に下げることができる。また、基板表面に第１の接地電位ライン用のパッドが不必要になるのでパッドを削減できる。従って、基板サイズの縮小、基板短辺のサイズ縮小を行なった際にも、ＡＬ配線の抵抗値の増大を抑えることができ、パッドの配置が困難になる問題に関しても改善される。

図１２に本発明によるインクジェット記録ヘッドの平面図の、他の一例を示す。図１２では、第１の電源ラインの配線を、ヒータのグループ毎に分割して配置した場合について示した。この場合も図１１に示した場合と同様、ＡＬ配線幅を太くすることができ、パッド数も減少させることができる。

図１３に図１２で、Ｄで示した部分の拡大図を示す。

図１３に示したように、ＭＯＳトランジスタのソースに接続されている配線３０は、コンタクトホール３９を介してＰ＋領域３７に接続される。

前記したように、同一グループ内に配置されたヒータは同時に駆動することは無い。すなわち同一グループ内のＭＯＳトランジスタは同時に動作することは無い。ソースに接続されている配線３０は、配線抵抗を低減することを目的とし、同一グループ内で接続されている。従って、この接続されたＡＬ配線３０は複数のコンタクトホール３９を介してＮ＋領域３８に接続され最終的に基板裏面の電極４０に接続されている。

ＭＯＳトランジスタのソースに接続されている接地電位ラインの寄生抵抗は主に、ＡＬ配線抵抗および拡散抵抗からなる。このうちＡＬ配線抵抗は、ＡＬ配線の領域が比較的狭い範囲であるのでほとんど無視できる。拡散抵抗の抵抗値は、基板裏面に設けられたＰ＋領域３７、および基板表面の所望の領域に形成されたＰ＋領域３８、の抵抗から決定される。これら領域の抵抗は、Ｐ型不純物の濃度、基板の厚さ、接続されているＰ＋領域３７の幅および長さ、等で決定される。Ｐ型不純物濃度を２Ｅ１８ｃｍ−３、基板の厚さを２００μｍ、Ｐ＋領域３８の幅を５０μｍ、長さを６５０μｍとした場合、拡散抵抗は約４Ωと、従来のインクジェット記録ヘッドのＡＬ配線抵抗の一般的な抵抗値よりも低くすることができた。

本発明のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの接続形態を説明するための模式図（断面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの構造を説明するための模式図（断面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、ヒータの駆動回路の構成を説明するためのブロック図を示す。 従来のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの配置形態を説明するための模式図（平面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの接続形態を説明するための模式図（平面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、ＭＯＳトランジスタの配線の接続形態を説明するための模式図（平面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、ＭＯＳトランジスタの配線の接続形態を説明するための模式図（断面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの接続形態を説明するための模式図（断面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの、他の配置形態を説明するための模式図（平面図）。 従来のインクジェット記録ヘッドの構造を説明するための模式図（平面図）。 本発明のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの配置形態を説明するための模式図（平面図）。 本発明のインクジェット記録ヘッドの、第１の電源ラインおよび第１の接地電位ラインの、他の配置形態を説明するための模式図（平面図）。 本発明のインクジェット記録ヘッドの、ＭＯＳトランジスタの配線の接続形態を説明するための模式図（平面図）。

符号の説明

１ 基板
２ ヒータが配置されている領域
３ ＭＯＳトランジスタが配置されている領域
４ 論理回路や昇圧回路が配置されている領域
５ 論理回路や入力回路が配置されている領域
６ パッド
７ インク供給口
８ ヒータ
９ 流路
１０ ノズル
１１ ノズル材
１２ インクタンク
１３ 泡
１４ 液滴
１５ ＭＯＳトランジスタ
１６ 第１の電源ライン
１７ 第１の接地電位ライン
１８ 昇圧回路
１９ 第２の電源ライン
２０ 第２の接地電位ライン
２１ 論理回路
２２ スイッチ
２３ 第３の電源ライン
２４ 信号入力ライン
２５ 第２層のＡＬ配線
２６ スルーホール
２７ スルーホール
２８ コンタクトホール
２９ ドレイン電極配線
３０ ソース電極配線
３１ ゲート
３２ ドレインの一部を形成するＮ＋領域
３３ ドレインの一部を形成するＮ−領域
３４ ソースを形成するＮ＋領域
３５ 酸化膜
３６ 基板表面に設けられたＰ−領域
３７ 基板裏面に設けられたＰ＋領域
３８ Ｐ＋領域
３９ コンタクトホール
４０ 基板裏面に設けられた電極

Claims (5)

1. インクを吐出するために利用される熱エネルギを発生するヒータと、前記ヒータに電力を供給するためのＭＯＳトランジスタとを基板表面に有し、インクを吐出して記録を行うインクジェット記録ヘッドであって、
   前記ＭＯＳトランジスタの少なくとも１つの端子に印加される電圧が、前記ＭＯＳトランジスタが配置されている基板の裏面に設けられた電極から、前記基板内に設けられた導電領域を介して前記ＭＯＳトランジスタに印加されることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
2. 前記基板内に設けられた導電領域は、基板内に設けられた不純物濃度の高い領域であることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
3. 前記ＭＯＳトランジスタの端子はソースであり、前記ＭＯＳトランジスタに印加される電圧は接地電位であることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
4. インクを吐出するために利用される熱エネルギを発生するヒータと、前記ヒータに電力を供給するためのＭＯＳトランジスタとを基板表面に有し、インクを吐出して記録を行なうインクジェット記録ヘッドであって、
   前記ＭＯＳトランジスタの少なくとも１つの端子に電圧を印加するための電極が、前記ＭＯＳトランジスタが配置されている基板の表面に設けられていないことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
5. 前記ＭＯＳトランジスタの端子はソースであり、前記ＭＯＳトランジスタが配置されている基板の表面に設けられていない電極は、接地電位を印加するための電極であることを特徴とする、請求項４に記載のインクジェット記録ヘッド。

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